JP3363368B2 - 熱処理装置 - Google Patents
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/1303—Apparatus specially adapted to the manufacture of LCDs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
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- Optics & Photonics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、例えば、ＬＣＤ基
板等の大型の基板を加熱して処理する熱処理装置に関す
る。
板等の大型の基板を加熱して処理する熱処理装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）の製造にお
いては、ガラス製のＬＣＤ基板にフォトレジスト液を塗
布してレジスト膜を形成し、回路パターンに対応してレ
ジスト膜を露光し、これを現像処理するという、いわゆ
るフォトリソグラフィ技術により回路パターンが形成さ
れる。
いては、ガラス製のＬＣＤ基板にフォトレジスト液を塗
布してレジスト膜を形成し、回路パターンに対応してレ
ジスト膜を露光し、これを現像処理するという、いわゆ
るフォトリソグラフィ技術により回路パターンが形成さ
れる。
【０００３】より具体的には、例えば、ＬＣＤ基板を洗
浄装置で洗浄した後、ＬＣＤ基板にアドヒージョン処理
装置により疎水化処理を施し、次いで冷却処理装置によ
り冷却した後、レジスト塗布装置によりフォトレジスト
膜をＬＣＤ基板の表面に塗布形成する。その後、フォト
レジスト膜を熱処理装置で加熱してベーキング処理を施
し、露光装置で所定のパターンを露光し、そして、露光
後のＬＣＤ基板に現像装置で現像液を塗布してこれを現
像した後に、リンス液で現像液を洗い流し、現像処理を
行っている。
浄装置で洗浄した後、ＬＣＤ基板にアドヒージョン処理
装置により疎水化処理を施し、次いで冷却処理装置によ
り冷却した後、レジスト塗布装置によりフォトレジスト
膜をＬＣＤ基板の表面に塗布形成する。その後、フォト
レジスト膜を熱処理装置で加熱してベーキング処理を施
し、露光装置で所定のパターンを露光し、そして、露光
後のＬＣＤ基板に現像装置で現像液を塗布してこれを現
像した後に、リンス液で現像液を洗い流し、現像処理を
行っている。
【０００４】上記のような現像処理においてＬＣＤ基板
を加熱する熱処理装置としては、例えば、ＬＣＤ基板を
載置するホットプレートと、このホットプレートを通し
てＬＣＤ基板を加熱する加熱ヒータと、ホットプレート
との間に処理空間を形成するように配置され、天井部中
央に排気口を有する排気カバーと、前記処理空間を開閉
可能に遮断するシャッタを備えているものが用いられて
いる。
を加熱する熱処理装置としては、例えば、ＬＣＤ基板を
載置するホットプレートと、このホットプレートを通し
てＬＣＤ基板を加熱する加熱ヒータと、ホットプレート
との間に処理空間を形成するように配置され、天井部中
央に排気口を有する排気カバーと、前記処理空間を開閉
可能に遮断するシャッタを備えているものが用いられて
いる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ＬＣＤ基板
は最近益々大型化の要求が高まっており、従来の６５０
×５５０ｍｍから、例えば８４０×６５０ｍｍのような
著しく大型化したものが求められている。このようにＬ
ＣＤ基板が大型化すると、上述のようにＬＣＤ基板を加
熱して熱処理を行った際にＬＣＤ基板の処理温度の面内
均一性が悪くなりやすい。例えば、ＬＣＤ基板の大型化
に従ってＬＣＤ基板の中央部と周縁部との間の温度差が
大きくなる傾向にある。
は最近益々大型化の要求が高まっており、従来の６５０
×５５０ｍｍから、例えば８４０×６５０ｍｍのような
著しく大型化したものが求められている。このようにＬ
ＣＤ基板が大型化すると、上述のようにＬＣＤ基板を加
熱して熱処理を行った際にＬＣＤ基板の処理温度の面内
均一性が悪くなりやすい。例えば、ＬＣＤ基板の大型化
に従ってＬＣＤ基板の中央部と周縁部との間の温度差が
大きくなる傾向にある。
【０００６】したがって、ＬＣＤ基板の大型化に伴い、
熱処理装置での処理温度への影響をより厳密に制御する
ことが必要である。ＬＣＤ基板の温度分布のバラツキの
要因としては種々考えられるが、一つの要因としてホッ
トプレートからの放熱が考えられる。すなわち、ホット
プレートの底面および側壁は処理空間内の雰囲気中に晒
されているので放熱が起きやすいため、ホットプレート
の中央部および周縁部の間に温度差が生じやすい。この
ようなホットプレートの温度差により、最終的にＬＣＤ
基板の中央部および周縁部の間に温度差が生じ、ＬＣＤ
基板の熱均一性が低下する。
熱処理装置での処理温度への影響をより厳密に制御する
ことが必要である。ＬＣＤ基板の温度分布のバラツキの
要因としては種々考えられるが、一つの要因としてホッ
トプレートからの放熱が考えられる。すなわち、ホット
プレートの底面および側壁は処理空間内の雰囲気中に晒
されているので放熱が起きやすいため、ホットプレート
の中央部および周縁部の間に温度差が生じやすい。この
ようなホットプレートの温度差により、最終的にＬＣＤ
基板の中央部および周縁部の間に温度差が生じ、ＬＣＤ
基板の熱均一性が低下する。
【０００７】また、熱処理時の排気も一因として挙げら
れる。上述のＬＣＤ基板上に形成されたフォトレジスト
膜を加熱するベーキング処理では、加熱によりフォトレ
ジスト膜中の溶媒（例えばシンナー）が揮発するので、
これを処理空間から除去するために、排気カバーに設け
られた排気口から排気を行っている。この排気で発生す
る空気の流れによりホットプレートやＬＣＤ基板の外側
の温度が低下する、いわゆる外乱によって、ホットプレ
ートまたはＬＣＤ基板の中央部および周縁部の間に温度
差が生じる。
れる。上述のＬＣＤ基板上に形成されたフォトレジスト
膜を加熱するベーキング処理では、加熱によりフォトレ
ジスト膜中の溶媒（例えばシンナー）が揮発するので、
これを処理空間から除去するために、排気カバーに設け
られた排気口から排気を行っている。この排気で発生す
る空気の流れによりホットプレートやＬＣＤ基板の外側
の温度が低下する、いわゆる外乱によって、ホットプレ
ートまたはＬＣＤ基板の中央部および周縁部の間に温度
差が生じる。
【０００８】ところで、従来、ホットプレートは、鋳込
みにより加熱ヒータを内蔵させて成形したものが使用さ
れている。近年、ＬＣＤ基板の大型化に伴い、ホットプ
レートは、より熱応答性が高く、厚さが薄くかつ軽量で
あることが求められているが、この鋳込みタイプのホッ
トプレートは、製造上の制限から４０ｍｍ程度までしか
厚さを薄くできないため、熱応答性が悪く、軽量化が困
難でかつ装置高さが高くなる欠点がある。
みにより加熱ヒータを内蔵させて成形したものが使用さ
れている。近年、ＬＣＤ基板の大型化に伴い、ホットプ
レートは、より熱応答性が高く、厚さが薄くかつ軽量で
あることが求められているが、この鋳込みタイプのホッ
トプレートは、製造上の制限から４０ｍｍ程度までしか
厚さを薄くできないため、熱応答性が悪く、軽量化が困
難でかつ装置高さが高くなる欠点がある。
【０００９】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であり、大型の被処理体を熱処理する場合にも被処理体
の処理温度の面内均一性を向上することが可能な熱処理
装置を提供することを目的とする。
であり、大型の被処理体を熱処理する場合にも被処理体
の処理温度の面内均一性を向上することが可能な熱処理
装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、第１発明は、その上または上方に被処理体が配置さ
れ、被処理体を加熱する加熱プレートと、前記加熱プレ
ートを加熱するヒーターと、前記加熱プレートから放射
された熱を反射する反射板とを具備し、前記反射板は、
前記加熱プレートの裏面に対向して配置された底面部
と、前記加熱プレートの側面に対向して設けられた側壁
部とを有し、前記反射板の側壁部および前記加熱プレー
トの側面は、加熱プレートからの放熱を適度に行わせる
ように一部が重なり合って配置されていることを特徴と
する熱処理装置を提供する。
に、第１発明は、その上または上方に被処理体が配置さ
れ、被処理体を加熱する加熱プレートと、前記加熱プレ
ートを加熱するヒーターと、前記加熱プレートから放射
された熱を反射する反射板とを具備し、前記反射板は、
前記加熱プレートの裏面に対向して配置された底面部
と、前記加熱プレートの側面に対向して設けられた側壁
部とを有し、前記反射板の側壁部および前記加熱プレー
トの側面は、加熱プレートからの放熱を適度に行わせる
ように一部が重なり合って配置されていることを特徴と
する熱処理装置を提供する。
【００１１】第２発明は、第１発明において、前記側壁
部は、前記加熱プレートの側面と、その厚さの１／３な
いし１／２の部分が重なり合っていることを特徴とする
熱処理装置を提供する。
部は、前記加熱プレートの側面と、その厚さの１／３な
いし１／２の部分が重なり合っていることを特徴とする
熱処理装置を提供する。
【００１２】第３発明は、第１発明または第２発明にお
いて、前記加熱プレートの被処理体配置部分に前記被処
理体を取り囲むように設けられた外枠をさらに具備する
ことを特徴とする熱処理装置を提供する。
いて、前記加熱プレートの被処理体配置部分に前記被処
理体を取り囲むように設けられた外枠をさらに具備する
ことを特徴とする熱処理装置を提供する。
【００１３】第４発明は、第１発明から第３発明のいず
れかにおいて、前記加熱プレートの上方に処理空間を介
して配置されると共に排気口を有する排気カバーと、前
記処理空間を取り囲むように配置されかつ前記排気カバ
ーに対して進退可能に設けられたシャッタとをさらに具
備し、熱処理時の前記排気カバーおよび前記シャッタの
隙間を、前記排気口を介して排気を行った際に、前記隙
間を介して前記処理空間内に供給される気流が前記加熱
プレートの側面に沿って流れる気流に対して相対的に多
くなり、前記隙間を介して前記処理空間内に供給される
気流により前記加熱プレートの側面に沿って流れる気流
が抑制され、前記加熱プレートの温度ばらつきが小さく
なるように設定したことを特徴とする熱処理装置を提供
する。
れかにおいて、前記加熱プレートの上方に処理空間を介
して配置されると共に排気口を有する排気カバーと、前
記処理空間を取り囲むように配置されかつ前記排気カバ
ーに対して進退可能に設けられたシャッタとをさらに具
備し、熱処理時の前記排気カバーおよび前記シャッタの
隙間を、前記排気口を介して排気を行った際に、前記隙
間を介して前記処理空間内に供給される気流が前記加熱
プレートの側面に沿って流れる気流に対して相対的に多
くなり、前記隙間を介して前記処理空間内に供給される
気流により前記加熱プレートの側面に沿って流れる気流
が抑制され、前記加熱プレートの温度ばらつきが小さく
なるように設定したことを特徴とする熱処理装置を提供
する。
【００１４】第５発明は、第４発明において、熱処理時
の前記排気カバーおよび前記シャッタの隙間を１５〜２
０ｍｍにしたことを特徴とする熱処理装置を提供する。
の前記排気カバーおよび前記シャッタの隙間を１５〜２
０ｍｍにしたことを特徴とする熱処理装置を提供する。
【００１５】第６発明は、第１発明から第５発明のいず
れかにおいて、前記ヒーターは前記加熱プレートの裏面
に形成された凹部に圧入されていることを特徴とする熱
処理装置を提供する。
れかにおいて、前記ヒーターは前記加熱プレートの裏面
に形成された凹部に圧入されていることを特徴とする熱
処理装置を提供する。
【００１６】第１発明によれば、加熱プレートから放射
された熱を反射する反射板を備えているので、加熱プレ
ートから放射した熱を加熱プレートに反射させることが
できる。そして、この反射板が、載置台の裏面に対向し
て配置された底面部と、前記載置台の側面に対向して設
けられた側壁部を有しており、加熱プレートの放熱が多
い部分に対応して反射板が設けられていることとなるの
で、放熱の多い部分に熱を反射させることができ、前記
反射板の側壁部および前記加熱プレートの側面は、加熱
プレートからの放熱を適度に行わせるように一部が重な
り合って配置されているので加熱プレートからの放熱を
適度に行わせることができる。したがって、加熱プレー
トの熱均一性を高めることができる。
された熱を反射する反射板を備えているので、加熱プレ
ートから放射した熱を加熱プレートに反射させることが
できる。そして、この反射板が、載置台の裏面に対向し
て配置された底面部と、前記載置台の側面に対向して設
けられた側壁部を有しており、加熱プレートの放熱が多
い部分に対応して反射板が設けられていることとなるの
で、放熱の多い部分に熱を反射させることができ、前記
反射板の側壁部および前記加熱プレートの側面は、加熱
プレートからの放熱を適度に行わせるように一部が重な
り合って配置されているので加熱プレートからの放熱を
適度に行わせることができる。したがって、加熱プレー
トの熱均一性を高めることができる。
【００１７】第２発明のように、反射板の側壁部を、加
熱プレートの側面と、その厚さの１／３ないし１／２の
部分が重なり合うようにすることにより、加熱プレート
の周辺部での放熱による温度低下および反射板により温
度が高くなりすぎることの両方を防止することができ、
加熱プレートの熱均一性をさらに高めることができる。
熱プレートの側面と、その厚さの１／３ないし１／２の
部分が重なり合うようにすることにより、加熱プレート
の周辺部での放熱による温度低下および反射板により温
度が高くなりすぎることの両方を防止することができ、
加熱プレートの熱均一性をさらに高めることができる。
【００１８】第３発明によれば、加熱プレートの被処理
体配置部分に被処理体を取り囲むように設けられた外枠
を有するので、外乱を抑え、被処理体の処理温度の面内
均一性を高めることができる。
体配置部分に被処理体を取り囲むように設けられた外枠
を有するので、外乱を抑え、被処理体の処理温度の面内
均一性を高めることができる。
【００１９】第４発明においては、熱処理時、シャッタ
を排気カバーに近づけ、排気カバーおよびシャッタの間
に隙間を残した状態で処理空間を不完全に遮断した、い
わゆるセミクローズド状態で排気を行うが、この際、排
気によって、隙間を介して処理空間内に供給される気流
と、加熱プレートの側面に沿って上方へ流れる気流が生
じる。これらのうち、プレートの側面に沿って流れる気
流が多いと加熱プレートの側面の熱を過度に奪い、載置
台の熱均一性が損なわれる。そこで、排気カバーおよび
シャッタの間の隙間を、排気口を介して排気を行った際
に、その隙間を介して処理空間内に供給される気流が前
記加熱プレートの側面に沿って流れる気流に対して相対
的に多くなり、その隙間を介して前記被処理空間内に供
給される気流により、加熱プレートの側面に沿って流れ
る気流が抑制され、加熱プレートの温度ばらつきが小さ
くなるように設定しているので、加熱プレートの側面か
ら熱が奪われることが抑制され、加熱プレートの熱均一
性を向上させることができる。この場合に、このような
機能を発揮するためには、装置設計にもよるが、第５発
明のように、排気カバーとシャッタとの間の隙間が１５
〜２０ｍｍであることが好ましい。
を排気カバーに近づけ、排気カバーおよびシャッタの間
に隙間を残した状態で処理空間を不完全に遮断した、い
わゆるセミクローズド状態で排気を行うが、この際、排
気によって、隙間を介して処理空間内に供給される気流
と、加熱プレートの側面に沿って上方へ流れる気流が生
じる。これらのうち、プレートの側面に沿って流れる気
流が多いと加熱プレートの側面の熱を過度に奪い、載置
台の熱均一性が損なわれる。そこで、排気カバーおよび
シャッタの間の隙間を、排気口を介して排気を行った際
に、その隙間を介して処理空間内に供給される気流が前
記加熱プレートの側面に沿って流れる気流に対して相対
的に多くなり、その隙間を介して前記被処理空間内に供
給される気流により、加熱プレートの側面に沿って流れ
る気流が抑制され、加熱プレートの温度ばらつきが小さ
くなるように設定しているので、加熱プレートの側面か
ら熱が奪われることが抑制され、加熱プレートの熱均一
性を向上させることができる。この場合に、このような
機能を発揮するためには、装置設計にもよるが、第５発
明のように、排気カバーとシャッタとの間の隙間が１５
〜２０ｍｍであることが好ましい。
【００２０】第６発明によれば、ヒーターを加熱プレー
トの裏面に形成した凹部に圧入するので、従来の鋳込み
タイプのように加熱プレートを厚くする必要がない。し
たがって、加熱プレートを、従来よりも熱応答性が良く
かつ軽量化が可能で、かつ外乱に強い厚さに製造するこ
とができる。
トの裏面に形成した凹部に圧入するので、従来の鋳込み
タイプのように加熱プレートを厚くする必要がない。し
たがって、加熱プレートを、従来よりも熱応答性が良く
かつ軽量化が可能で、かつ外乱に強い厚さに製造するこ
とができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面を参照して詳細に説明する。図１は、本発明が適用
されるＬＣＤ基板の塗布・現像処理システムを示す斜視
図である。
図面を参照して詳細に説明する。図１は、本発明が適用
されるＬＣＤ基板の塗布・現像処理システムを示す斜視
図である。
【００２２】この塗布・現像処理システムは、複数の基
板Ｇを収容するカセットＣを載置するカセットステーシ
ョン１と、基板Ｇにレジスト塗布および現像を含む一連
の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理部
２と、カセットステーション１上のカセットＣと処理部
２との間でＬＣＤ基板の搬送を行うための搬送機構３と
を備えている。そして、カセットステーション１におい
てカセットＣの搬入出が行われる。また、搬送機構３は
カセットの配列方向に沿って設けられた搬送路１２上を
移動可能な搬送アーム１１とを備え、この搬送アーム１
１によりカセットＣと処理部２との間で基板Ｇの搬送が
行われる。
板Ｇを収容するカセットＣを載置するカセットステーシ
ョン１と、基板Ｇにレジスト塗布および現像を含む一連
の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理部
２と、カセットステーション１上のカセットＣと処理部
２との間でＬＣＤ基板の搬送を行うための搬送機構３と
を備えている。そして、カセットステーション１におい
てカセットＣの搬入出が行われる。また、搬送機構３は
カセットの配列方向に沿って設けられた搬送路１２上を
移動可能な搬送アーム１１とを備え、この搬送アーム１
１によりカセットＣと処理部２との間で基板Ｇの搬送が
行われる。
【００２３】処理部２は、前段部２ａと後段部２ｂとに
分かれており、それぞれ中央に搬送路ユニット１５、１
６を有しており、これら搬送路の両側に各処理ユニット
が配設されている。そして、これらの間には中継部１７
が設けられている。
分かれており、それぞれ中央に搬送路ユニット１５、１
６を有しており、これら搬送路の両側に各処理ユニット
が配設されている。そして、これらの間には中継部１７
が設けられている。
【００２４】前段部２ａは、搬送路ユニット１５に沿っ
て移動可能な主搬送装置１８を備えており、搬送路１５
の一方側には、上下２段に積層されてなる２組の加熱処
理ユニット２１、ならびにそれに隣接して上下に設けら
れたアドヒージョン処理ユニット２２および冷却ユニッ
ト２３が配置されており、他方側には洗浄ユニット２４
および現像処理ユニット２５が配置されている。
て移動可能な主搬送装置１８を備えており、搬送路１５
の一方側には、上下２段に積層されてなる２組の加熱処
理ユニット２１、ならびにそれに隣接して上下に設けら
れたアドヒージョン処理ユニット２２および冷却ユニッ
ト２３が配置されており、他方側には洗浄ユニット２４
および現像処理ユニット２５が配置されている。
【００２５】一方、後段部２ｂは、搬送路ユニット１６
に沿って移動可能な主搬送装置１９を備えており、搬送
路ユニット１６の一方側には、二段積層されてなる３組
の加熱処理ユニット２８が配置されており、搬送路ユニ
ット１６の他方側には、レジスト塗布ユニット２６およ
び基板Ｇの周辺部のレジストを除去する周辺レジスト除
去ユニット２７が配置されている。加熱処理ユニット２
８は、レジストの安定化のためのプリベーク、露光後の
ポストエクスポージャーベーク、および現像後のポスト
ベーク処理を行うものである。なお、後段部２ｂの後端
には、露光装置（図示せず）との間で基板Ｇの受け渡し
を行うためのインターフェース部３０が設けられてい
る。
に沿って移動可能な主搬送装置１９を備えており、搬送
路ユニット１６の一方側には、二段積層されてなる３組
の加熱処理ユニット２８が配置されており、搬送路ユニ
ット１６の他方側には、レジスト塗布ユニット２６およ
び基板Ｇの周辺部のレジストを除去する周辺レジスト除
去ユニット２７が配置されている。加熱処理ユニット２
８は、レジストの安定化のためのプリベーク、露光後の
ポストエクスポージャーベーク、および現像後のポスト
ベーク処理を行うものである。なお、後段部２ｂの後端
には、露光装置（図示せず）との間で基板Ｇの受け渡し
を行うためのインターフェース部３０が設けられてい
る。
【００２６】中継部１７には、加熱処理ユニット２８に
隣接した位置に、二段積層されてなる冷却処理ユニット
２９が設けられており、冷却処理ユニット２９に対向す
る位置に、薬液供給ユニット８１および搬送装置進入路
８２が設けられている。
隣接した位置に、二段積層されてなる冷却処理ユニット
２９が設けられており、冷却処理ユニット２９に対向す
る位置に、薬液供給ユニット８１および搬送装置進入路
８２が設けられている。
【００２７】上記主搬送装置１８は、搬送機構３のアー
ム１１との間で基板Ｇの受け渡しを行うとともに、前段
部２ａの各処理ユニットに対する基板Ｇの搬入・搬出、
さらには中継部１７との間で基板Ｇの受け渡しを行う機
能を有している。また、主搬送装置１９は中継部１７と
の間で基板Ｇの受け渡しを行うとともに、後段部２ｂの
各処理ユニットに対する基板Ｇの搬入・搬出、さらには
インターフェース部３０との間の基板Ｇの受け渡しを行
う機能を有している。
ム１１との間で基板Ｇの受け渡しを行うとともに、前段
部２ａの各処理ユニットに対する基板Ｇの搬入・搬出、
さらには中継部１７との間で基板Ｇの受け渡しを行う機
能を有している。また、主搬送装置１９は中継部１７と
の間で基板Ｇの受け渡しを行うとともに、後段部２ｂの
各処理ユニットに対する基板Ｇの搬入・搬出、さらには
インターフェース部３０との間の基板Ｇの受け渡しを行
う機能を有している。
【００２８】このように各処理ユニットを集約して一体
化することにより、省スペース化および処理の効率化を
図ることができる。
化することにより、省スペース化および処理の効率化を
図ることができる。
【００２９】このように構成される塗布・現像処理シス
テムにおいては、カセットＣ内の基板Ｇが、処理部２に
搬送され、処理部２では、まず、洗浄ユニット２４によ
り洗浄処理され、加熱処理ユニット２１の一つで加熱乾
燥された後、レジストの定着性を高めるためにアドヒー
ジョン処理ユニット２２にて疎水化処理され、冷却ユニ
ット２３で冷却後、レジスト塗布ユニット２６でレジス
トが塗布され、周辺レジスト除去ユニット２７で基板Ｇ
の周縁の余分なレジストが除去される。その後、基板Ｇ
は、加熱処理ユニット２８の一つでプリベーク処理さ
れ、冷却ユニット２９で冷却された後、インターフェー
ス部３０を介して露光装置に搬送されてそこで所定のパ
ターンが露光される。そして、再びインターフェース部
３０を介して搬入され、加熱処理ユニット２８の一つで
ポストエクスポージャーベーク処理が施される。その
後、冷却ユニット２９で冷却された基板Ｇは、現像処理
ユニット２５で現像処理され、所定の回路パターンが形
成される。現像処理された基板Ｇは、主搬送装置１８お
よび搬送機構３によってカセットステーション１上の所
定のカセットに収容される。
テムにおいては、カセットＣ内の基板Ｇが、処理部２に
搬送され、処理部２では、まず、洗浄ユニット２４によ
り洗浄処理され、加熱処理ユニット２１の一つで加熱乾
燥された後、レジストの定着性を高めるためにアドヒー
ジョン処理ユニット２２にて疎水化処理され、冷却ユニ
ット２３で冷却後、レジスト塗布ユニット２６でレジス
トが塗布され、周辺レジスト除去ユニット２７で基板Ｇ
の周縁の余分なレジストが除去される。その後、基板Ｇ
は、加熱処理ユニット２８の一つでプリベーク処理さ
れ、冷却ユニット２９で冷却された後、インターフェー
ス部３０を介して露光装置に搬送されてそこで所定のパ
ターンが露光される。そして、再びインターフェース部
３０を介して搬入され、加熱処理ユニット２８の一つで
ポストエクスポージャーベーク処理が施される。その
後、冷却ユニット２９で冷却された基板Ｇは、現像処理
ユニット２５で現像処理され、所定の回路パターンが形
成される。現像処理された基板Ｇは、主搬送装置１８お
よび搬送機構３によってカセットステーション１上の所
定のカセットに収容される。
【００３０】次に、上述の塗布・現像処理システムに使
用される、本実施の形態に係る熱処理装置としての加熱
処理ユニット２１，２８について説明する。加熱処理ユ
ニット２１，２８は、図２に示すように、搬送路１６側
に面して開口部３１ａを有するケース３１と、ケース３
１内に収容された基板Ｇを加熱するホットプレート３２
と、ホットプレート３２との間に処理空間４０が形成さ
れた状態で、ケース３１の上部を覆うように配置された
排気カバー４１と、処理空間４０を取り囲むように配置
されかつ排気カバー４１に対して進退可能に設けられた
シャッタ５０とを具備する。そして、排気カバー４１の
天井部中央には、排気口４２が設けられている。
用される、本実施の形態に係る熱処理装置としての加熱
処理ユニット２１，２８について説明する。加熱処理ユ
ニット２１，２８は、図２に示すように、搬送路１６側
に面して開口部３１ａを有するケース３１と、ケース３
１内に収容された基板Ｇを加熱するホットプレート３２
と、ホットプレート３２との間に処理空間４０が形成さ
れた状態で、ケース３１の上部を覆うように配置された
排気カバー４１と、処理空間４０を取り囲むように配置
されかつ排気カバー４１に対して進退可能に設けられた
シャッタ５０とを具備する。そして、排気カバー４１の
天井部中央には、排気口４２が設けられている。
【００３１】ホットプレート３２は、例えばアルミニウ
ム合金等で形成されている。この例では、ホットプレー
ト３２の厚さは３０ｍｍである。ホットプレート３２の
裏面側には、ホットプレート３２を加熱するヒーター３
３が設けられている。ヒーター３３パイプ状をなし、図
３（ａ）に示すように、ホットプレート３２の裏面３２
ｄ側に形成された複数の凹部３２ａに圧入されることに
より、図３（ｂ）に示すように、ホットプレート３２に
埋設されている。
ム合金等で形成されている。この例では、ホットプレー
ト３２の厚さは３０ｍｍである。ホットプレート３２の
裏面側には、ホットプレート３２を加熱するヒーター３
３が設けられている。ヒーター３３パイプ状をなし、図
３（ａ）に示すように、ホットプレート３２の裏面３２
ｄ側に形成された複数の凹部３２ａに圧入されることに
より、図３（ｂ）に示すように、ホットプレート３２に
埋設されている。
【００３２】さらに、ホットプレート３２には、図示し
ない温度センサが設けられ、処理温度を図示しない制御
部にフィードバックし、例えば１２０〜１５０℃の所定
の処理温度に設定可能になっている。
ない温度センサが設けられ、処理温度を図示しない制御
部にフィードバックし、例えば１２０〜１５０℃の所定
の処理温度に設定可能になっている。
【００３３】ホットプレート３２には、例えば４つの貫
通孔３２ｂが設けられている。これらの貫通孔３２ｂに
は、それぞれ基板受け渡し時に基板Ｇを支持するための
支持ピン３４が貫挿されている。支持ピン３４は、ホッ
トプレート３２の下方に設けられた保持部材３５により
保持されている。保持部材３５は、昇降機構（図示せ
ず）に連結されている。したがって、昇降機構により保
持部材３５を昇降させることにより、支持ピン３４は、
ホットプレート３２の表面３２ｃに対して出没可能とな
っている。
通孔３２ｂが設けられている。これらの貫通孔３２ｂに
は、それぞれ基板受け渡し時に基板Ｇを支持するための
支持ピン３４が貫挿されている。支持ピン３４は、ホッ
トプレート３２の下方に設けられた保持部材３５により
保持されている。保持部材３５は、昇降機構（図示せ
ず）に連結されている。したがって、昇降機構により保
持部材３５を昇降させることにより、支持ピン３４は、
ホットプレート３２の表面３２ｃに対して出没可能とな
っている。
【００３４】なお、基板Ｇはホットプレート３２に載置
されてもよいし、また、支持ピン３４またはスペーサー
（図示せず）によりホットプレート３２に接触せずにそ
の上方に保持されるプロキシミティータイプであっても
よい。
されてもよいし、また、支持ピン３４またはスペーサー
（図示せず）によりホットプレート３２に接触せずにそ
の上方に保持されるプロキシミティータイプであっても
よい。
【００３５】熱処理装置２６のケース３１内には、ホッ
トプレート３２から放射された熱を反射する反射板６０
が設けられている。この反射板６０は、例えば図４に示
すように、ホットプレート３２の裏面３２ｄに対向しか
つ所定の間隔を隔てて配置された底面部６０ａと、ホッ
トプレート３２の側面３２ｅに対向しかつ所定の間隔を
隔てて配置された側壁部６０ｂとを有する。
トプレート３２から放射された熱を反射する反射板６０
が設けられている。この反射板６０は、例えば図４に示
すように、ホットプレート３２の裏面３２ｄに対向しか
つ所定の間隔を隔てて配置された底面部６０ａと、ホッ
トプレート３２の側面３２ｅに対向しかつ所定の間隔を
隔てて配置された側壁部６０ｂとを有する。
【００３６】反射板６０は、図２に示すように、ケース
３１の底面上に載置されたベース部材６３の上に載置さ
れる。さらに、図４に示すように、反射板６０の底面部
６０ａ上には、スペーサ６１を介してホットプレート３
２が載置される。これにより、ホットプレート３２およ
び反射板６０の底面部６０ａの間が離間されている。ホ
ットプレート３２および反射板６０の間の間隔は特に限
定されないが、ホットプレート３２の熱均一性が最も高
くなるように適宜選択することが好ましい。
３１の底面上に載置されたベース部材６３の上に載置さ
れる。さらに、図４に示すように、反射板６０の底面部
６０ａ上には、スペーサ６１を介してホットプレート３
２が載置される。これにより、ホットプレート３２およ
び反射板６０の底面部６０ａの間が離間されている。ホ
ットプレート３２および反射板６０の間の間隔は特に限
定されないが、ホットプレート３２の熱均一性が最も高
くなるように適宜選択することが好ましい。
【００３７】ホットプレート３２の表面３２ｃには、基
板Ｇの周囲を、若干の間隔をおいて取り囲むように外枠
６２が設けられている。外枠６２の高さは、特に限定さ
れないが、基板Ｇの表面の高さよりも高ければ良く、例
えば５ｍｍである。
板Ｇの周囲を、若干の間隔をおいて取り囲むように外枠
６２が設けられている。外枠６２の高さは、特に限定さ
れないが、基板Ｇの表面の高さよりも高ければ良く、例
えば５ｍｍである。
【００３８】シャッタ５０は、図５に示すように、角形
筒状の本体５０ａの上端に内向き水平片５０ｂを設けた
形状からなる。この本体５０ａの両側中央の下端部に
は、ブランケット５１がそれぞれ突設されている。ブラ
ンケット５１は、図６に示すように、ケース３１の底面
に立設されたガイド部材５２により昇降自在に保持され
ている。さらに、ブランケット５１は、昇降手段として
のエアシリンダ５３のピストンロッド５４に連結され、
エアシリンダ５３の駆動により昇降移動が可能に構成さ
れている。したがって、エアシリンダ５３により、シャ
ッタ５０を昇降させ、排気カバー４０に対して進退させ
ることができる。
筒状の本体５０ａの上端に内向き水平片５０ｂを設けた
形状からなる。この本体５０ａの両側中央の下端部に
は、ブランケット５１がそれぞれ突設されている。ブラ
ンケット５１は、図６に示すように、ケース３１の底面
に立設されたガイド部材５２により昇降自在に保持され
ている。さらに、ブランケット５１は、昇降手段として
のエアシリンダ５３のピストンロッド５４に連結され、
エアシリンダ５３の駆動により昇降移動が可能に構成さ
れている。したがって、エアシリンダ５３により、シャ
ッタ５０を昇降させ、排気カバー４０に対して進退させ
ることができる。
【００３９】ガイド部材５２の上端部には、ストッパー
５５が取り付けられている。このストッパー５５は、ブ
ランケット５１を上昇させた場合にブランケット５１を
係止し、シャッタ５０を所定の位置で停止するようにな
っている。シャッタ５０の上昇停止位置は、図７に示す
ように、シャッタ５０および排気カバー４１の間に、隙
間Ｄが設けられるように設定されている。
５５が取り付けられている。このストッパー５５は、ブ
ランケット５１を上昇させた場合にブランケット５１を
係止し、シャッタ５０を所定の位置で停止するようにな
っている。シャッタ５０の上昇停止位置は、図７に示す
ように、シャッタ５０および排気カバー４１の間に、隙
間Ｄが設けられるように設定されている。
【００４０】この加熱処理ユニット２６を用いた熱処理
では、シャッタ５０を最も上昇させて、処理空間４０
を、排気カバー４１およびシャッタ５０の間に隙間Ｄを
残して不完全に遮断された、いわゆるセミクローズド状
態として排気を行う。この際、図７に示すように、排気
によって、隙間Ｄを介して処理空間４０内に供給される
気流（以下、供給気流Ａという）と、ホットプレート３
２の側面３２ｅに沿って流れる気流（以下、側面気流Ｂ
という）が生じる。これらのうち、側面気流Ｂが多いと
ホットプレート３２の側面３２ｅの熱を過度に奪い、ホ
ットプレート３２の中心部と周辺部との間の温度差が大
きくなって熱均一性が損なわれ、結果として、基板Ｇの
処理温度の面内均一性が悪化する。
では、シャッタ５０を最も上昇させて、処理空間４０
を、排気カバー４１およびシャッタ５０の間に隙間Ｄを
残して不完全に遮断された、いわゆるセミクローズド状
態として排気を行う。この際、図７に示すように、排気
によって、隙間Ｄを介して処理空間４０内に供給される
気流（以下、供給気流Ａという）と、ホットプレート３
２の側面３２ｅに沿って流れる気流（以下、側面気流Ｂ
という）が生じる。これらのうち、側面気流Ｂが多いと
ホットプレート３２の側面３２ｅの熱を過度に奪い、ホ
ットプレート３２の中心部と周辺部との間の温度差が大
きくなって熱均一性が損なわれ、結果として、基板Ｇの
処理温度の面内均一性が悪化する。
【００４１】ところで、供給気流Ａおよび側面気流Ｂは
上述のように排気によって生じるので、排気が一定であ
れば、供給気流Ａを多くすると側面気流Ｂが少なくな
り、反対に、供給気流Ａを少なくすると側面気流Ｂが多
くなる関係にある。供給気流Ａの量は、排気カバー４１
およびシャッタ５０の間の隙間Ｄを変更することにより
増減できる。したがって、供給気流Ａを相対的に多くし
て、隙間Ｄを、この供給気流Ａにより側面気流Ｂを抑制
して、ホットプレート３２内の温度差が小さくなるよう
に設定する。具体的には、隙間Ｄを１５〜２０ｍｍに設
定する。
上述のように排気によって生じるので、排気が一定であ
れば、供給気流Ａを多くすると側面気流Ｂが少なくな
り、反対に、供給気流Ａを少なくすると側面気流Ｂが多
くなる関係にある。供給気流Ａの量は、排気カバー４１
およびシャッタ５０の間の隙間Ｄを変更することにより
増減できる。したがって、供給気流Ａを相対的に多くし
て、隙間Ｄを、この供給気流Ａにより側面気流Ｂを抑制
して、ホットプレート３２内の温度差が小さくなるよう
に設定する。具体的には、隙間Ｄを１５〜２０ｍｍに設
定する。
【００４２】なお、排気口４２には、図示しない排気手
段が接続され、処理空間４０内の雰囲気を外部に排気で
きるように構成されている。
段が接続され、処理空間４０内の雰囲気を外部に排気で
きるように構成されている。
【００４３】上記のように構成される加熱処理ユニット
２６は、ホットプレート３２から放射された熱を反射す
る反射板６０を有しているので、基板Ｇに対して熱処理
を施した際に、放射された熱はホットプレート３２に向
かって反射される。そして、反射板６０は、ホットプレ
ート３２の底面３２ｄおよび側面３２ｅにそれぞれ対向
して離間して設けられているので、熱の放射が多い底面
３２ｄおよび側面３２ｅに向かって熱を反射させること
ができる。これにより、ホットプレート３２の局所的な
温度低下、特にホットプレート３２の周辺部の温度低下
を抑制することができる。この結果、ホットプレート３
２の熱均一性を高めることができる。
２６は、ホットプレート３２から放射された熱を反射す
る反射板６０を有しているので、基板Ｇに対して熱処理
を施した際に、放射された熱はホットプレート３２に向
かって反射される。そして、反射板６０は、ホットプレ
ート３２の底面３２ｄおよび側面３２ｅにそれぞれ対向
して離間して設けられているので、熱の放射が多い底面
３２ｄおよび側面３２ｅに向かって熱を反射させること
ができる。これにより、ホットプレート３２の局所的な
温度低下、特にホットプレート３２の周辺部の温度低下
を抑制することができる。この結果、ホットプレート３
２の熱均一性を高めることができる。
【００４４】反射板６０の側壁部６０ｂおよびホットプ
レート３２の側面３２ｅは、図４に示すように、互いに
一部が重なり合うように配置することが、ホットプレー
ト３２の側面３２ｅからの放熱を適度に行わせることが
できるので好ましい。この場合に、両者の重なり合う高
さ（以下、重なり高さＨという）を、ホットプレート２
２の厚さ（この例では３０ｍｍ）の１／３〜１／２（こ
の例では１０〜１５ｍｍ）とすることが好ましい。重な
り高さＨが高すぎると、ホットプレート３２から放射さ
れた熱の反射によってホットプレート３２の周辺部の温
度が過度に高くなり、かえってホットプレート３２の熱
均一性が損ねられるからである。
レート３２の側面３２ｅは、図４に示すように、互いに
一部が重なり合うように配置することが、ホットプレー
ト３２の側面３２ｅからの放熱を適度に行わせることが
できるので好ましい。この場合に、両者の重なり合う高
さ（以下、重なり高さＨという）を、ホットプレート２
２の厚さ（この例では３０ｍｍ）の１／３〜１／２（こ
の例では１０〜１５ｍｍ）とすることが好ましい。重な
り高さＨが高すぎると、ホットプレート３２から放射さ
れた熱の反射によってホットプレート３２の周辺部の温
度が過度に高くなり、かえってホットプレート３２の熱
均一性が損ねられるからである。
【００４５】また、加熱処理ユニット２６では、ホット
プレート３２の表面３２ｃ内に、基板Ｇを取り囲むよう
に設けられた外枠６２が、基板Ｇの周囲に空気が入るの
を抑えるので、排気によって発生する空気の流れ、いわ
ゆる外乱によって基板Ｇの外側の温度が低下することを
防止することができ、この結果、基板Ｇの処理温度の面
内均一性を向上させることができる。
プレート３２の表面３２ｃ内に、基板Ｇを取り囲むよう
に設けられた外枠６２が、基板Ｇの周囲に空気が入るの
を抑えるので、排気によって発生する空気の流れ、いわ
ゆる外乱によって基板Ｇの外側の温度が低下することを
防止することができ、この結果、基板Ｇの処理温度の面
内均一性を向上させることができる。
【００４６】また、加熱処理ユニット２６では、熱処理
時にシャッタ５０を最も上昇させた場合の、排気カバー
４１およびシャッタ５０の間の隙間Ｄが、供給気流Ａに
より側面気流Ｂを抑制してホットプレート３２内の温度
差が小さくなるように設定されているので、急激な側面
気流Ｂによりホットプレート３２の側面３２ｅから急激
に熱が奪われることを防止し、ホットプレート３２の中
央部および周辺部の間の温度差を小さくすることができ
る。したがって、ホットプレート３２の熱均一性が向上
し、結果として、基板Ｇの処理温度の面内均一性が向上
する。この場合に、このような機能を発揮させるため
に、排気カバー４１とシャッタ５０との隙間を１５〜２
０ｍｍに設定することが好ましい。
時にシャッタ５０を最も上昇させた場合の、排気カバー
４１およびシャッタ５０の間の隙間Ｄが、供給気流Ａに
より側面気流Ｂを抑制してホットプレート３２内の温度
差が小さくなるように設定されているので、急激な側面
気流Ｂによりホットプレート３２の側面３２ｅから急激
に熱が奪われることを防止し、ホットプレート３２の中
央部および周辺部の間の温度差を小さくすることができ
る。したがって、ホットプレート３２の熱均一性が向上
し、結果として、基板Ｇの処理温度の面内均一性が向上
する。この場合に、このような機能を発揮させるため
に、排気カバー４１とシャッタ５０との隙間を１５〜２
０ｍｍに設定することが好ましい。
【００４７】さらに、ホットプレート３２は、ヒータ３
３を圧入により埋設させた、いわゆる圧入タイプである
ので、鋳込みタイプのように製造上の厚さの制約（４０
ｍｍ以上）がなく、より薄く製造することができる。し
たがって、ホットプレート３２を薄くして、熱応答性を
良くすることができるとともに、軽量化を達成すること
ができ、さらに加熱処理ユニット２６の高さを低減する
ことができる。このようにホットプレート３２の厚さ
は、装置小型化および熱応答性の観点からみると薄けれ
ば薄いほど好ましい。しかし、２５ｍｍ以下では外乱の
影響を受けやすくなるので、装置の小型化および熱均一
性の両方からみると、例えば３０ｍｍ程度の厚さが最適
である。
３を圧入により埋設させた、いわゆる圧入タイプである
ので、鋳込みタイプのように製造上の厚さの制約（４０
ｍｍ以上）がなく、より薄く製造することができる。し
たがって、ホットプレート３２を薄くして、熱応答性を
良くすることができるとともに、軽量化を達成すること
ができ、さらに加熱処理ユニット２６の高さを低減する
ことができる。このようにホットプレート３２の厚さ
は、装置小型化および熱応答性の観点からみると薄けれ
ば薄いほど好ましい。しかし、２５ｍｍ以下では外乱の
影響を受けやすくなるので、装置の小型化および熱均一
性の両方からみると、例えば３０ｍｍ程度の厚さが最適
である。
【００４８】以上説明した通り、本実施の形態に係る加
熱処理ユニット２６は上記種々の技術を組み合わせるこ
とにより、基板Ｇの処理温度の面内均一性を総合的に向
上させることができる。具体的には、８４０×６５０ｍ
ｍの著しく大型な基板Ｇについて、１．５℃のレンジで
熱均一性を達成することができる。しかしながら、上記
個々の技術またはこれらのうち少なくとも２以上の組み
合わせによっても、基板Ｇの処理温度の面内均一性の向
上を達成できることは言うまでもない。
熱処理ユニット２６は上記種々の技術を組み合わせるこ
とにより、基板Ｇの処理温度の面内均一性を総合的に向
上させることができる。具体的には、８４０×６５０ｍ
ｍの著しく大型な基板Ｇについて、１．５℃のレンジで
熱均一性を達成することができる。しかしながら、上記
個々の技術またはこれらのうち少なくとも２以上の組み
合わせによっても、基板Ｇの処理温度の面内均一性の向
上を達成できることは言うまでもない。
【００４９】なお、本発明は、上記実施の形態に限定さ
れず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形
態では、図６に示すように、ガイド部材４２にストッパ
ー４５を設けて、熱処理時における排気カバー４１およ
びシャッタ５０の間の隙間Ｄを調節しているが、図８に
示すように、シャッタ５０の内向き水平片５０ｂの上面
の四隅に、隙間設定用突起８０を突設して、この高さで
隙間Ｄを決定するようにしても良い。もちろん、隙間設
定用突起は、排気カバー４１の表面に設けても良い。
れず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形
態では、図６に示すように、ガイド部材４２にストッパ
ー４５を設けて、熱処理時における排気カバー４１およ
びシャッタ５０の間の隙間Ｄを調節しているが、図８に
示すように、シャッタ５０の内向き水平片５０ｂの上面
の四隅に、隙間設定用突起８０を突設して、この高さで
隙間Ｄを決定するようにしても良い。もちろん、隙間設
定用突起は、排気カバー４１の表面に設けても良い。
【００５０】さらに、本実施の形態では、本発明を、レ
ジスト塗布・現像ユニットに用いられる熱処理装置に適
用した例を示したが、これに限らず他の処理に適用して
も良い。また、上記実施の形態においては、基板として
ＬＣＤ基板を用いた場合について示したが、これに限ら
ず他の基板の処理の場合にも適用可能であることはいう
までもない。
ジスト塗布・現像ユニットに用いられる熱処理装置に適
用した例を示したが、これに限らず他の処理に適用して
も良い。また、上記実施の形態においては、基板として
ＬＣＤ基板を用いた場合について示したが、これに限ら
ず他の基板の処理の場合にも適用可能であることはいう
までもない。
【００５１】
【発明の効果】以上説明したように、第１発明によれ
ば、加熱プレートから放射した熱を加熱プレートに反射
させることができ、この反射板が、載置台の裏面に対向
して配置された底面部と、前記載置台の側面に対向して
設けられた側壁部を有しているので、放熱の多い部分に
熱を反射させることができ、反射板の側壁部および加熱
プレートの側面は、加熱プレートからの放熱を適度に行
わせるように一部が重なり合って配置されているので加
熱プレートからの放熱を適度に行わせることができる。
したがって、加熱プレートの熱均一性を高めることがで
きる。
ば、加熱プレートから放射した熱を加熱プレートに反射
させることができ、この反射板が、載置台の裏面に対向
して配置された底面部と、前記載置台の側面に対向して
設けられた側壁部を有しているので、放熱の多い部分に
熱を反射させることができ、反射板の側壁部および加熱
プレートの側面は、加熱プレートからの放熱を適度に行
わせるように一部が重なり合って配置されているので加
熱プレートからの放熱を適度に行わせることができる。
したがって、加熱プレートの熱均一性を高めることがで
きる。
【００５２】この場合に、第２発明のように、反射板の
側壁部を、加熱プレートの側面と、その厚さの１／３な
いし１／２の部分が重なり合うようにすることにより、
加熱プレートの周辺部での放熱による温度低下および反
射板により温度が高くなりすぎることの両方を防止する
ことができ、加熱プレートの熱均一性をさらに高めるこ
とができる。
側壁部を、加熱プレートの側面と、その厚さの１／３な
いし１／２の部分が重なり合うようにすることにより、
加熱プレートの周辺部での放熱による温度低下および反
射板により温度が高くなりすぎることの両方を防止する
ことができ、加熱プレートの熱均一性をさらに高めるこ
とができる。
【００５３】第３発明によれば、加熱プレートの被処理
体配置部分に被処理体を取り囲むように設けられた外枠
を有するので、外乱を抑え、被処理体の処理温度の面内
均一性を高めることができる。
体配置部分に被処理体を取り囲むように設けられた外枠
を有するので、外乱を抑え、被処理体の処理温度の面内
均一性を高めることができる。
【００５４】第４発明によれば、排気カバーおよびシャ
ッタの間の隙間を、その隙間を介して処理空間内に供給
される気流が前記加熱プレートの側面に沿って流れる気
流に対して相対的に多くなり、その隙間を介して被処理
空間内に供給される気流により、前記加熱プレートの側
面に沿って流れる気流を抑制して、加熱プレートの温度
ばらつきが小さくなるように設定しているので、加熱プ
レートの側面から熱が奪われることが抑制され、加熱プ
レートの熱均一性を向上させることができる。具体的に
は、装置設計にもよるが、第５発明のように、排気カバ
ーとシャッタとの間の隙間を１５〜２０ｍｍに設定する
ことが好ましい。
ッタの間の隙間を、その隙間を介して処理空間内に供給
される気流が前記加熱プレートの側面に沿って流れる気
流に対して相対的に多くなり、その隙間を介して被処理
空間内に供給される気流により、前記加熱プレートの側
面に沿って流れる気流を抑制して、加熱プレートの温度
ばらつきが小さくなるように設定しているので、加熱プ
レートの側面から熱が奪われることが抑制され、加熱プ
レートの熱均一性を向上させることができる。具体的に
は、装置設計にもよるが、第５発明のように、排気カバ
ーとシャッタとの間の隙間を１５〜２０ｍｍに設定する
ことが好ましい。
【００５５】第６発明によれば、ヒーターを加熱プレー
トの裏面に形成した凹部に圧入するので、従来の鋳込み
タイプのように加熱プレートを厚くする必要がない。し
たがって、加熱プレートを、従来よりも熱応答性が良く
かつ軽量化が可能で、かつ外乱に強い厚さに製造するこ
とができる。
トの裏面に形成した凹部に圧入するので、従来の鋳込み
タイプのように加熱プレートを厚くする必要がない。し
たがって、加熱プレートを、従来よりも熱応答性が良く
かつ軽量化が可能で、かつ外乱に強い厚さに製造するこ
とができる。
【図１】本発明が適用されるＬＣＤ基板の塗布・現像処
理システムを示す斜視図。
理システムを示す斜視図。
【図２】本発明の実施の形態に係る熱処理装置を示す断
面図。
面図。
【図３】ホットプレートに加熱ヒータを圧入する前後の
状態を示す断面図。
状態を示す断面図。
【図４】図１の熱処理装置のホットプレートを示す断面
斜視図。
斜視図。
【図５】図１の熱処理装置のシャッタを示す斜視図。
【図６】図１の熱処理装置のシャッタの昇降機構を示す
断面図。
断面図。
【図７】図１の熱処理装置での熱処理時のシャッタの状
態を示す断面図。
態を示す断面図。
【図８】排気カバーおよびシャッタ間の間隔調整手段の
変形例を示す断面図。
変形例を示す断面図。
【符号の説明】
２１，２８…加熱処理ユニット
３１…ケース
３２…ホットプレート
３３…加熱ヒータ
３４…支持ピン
３５…保持部材
４０…処理空間
４１…排気カバー
４２…排気口
５０…シャッタ
５１…ブランケット
５２…ガイド部材
５３…エアシリンダ
５４…ピストンロッド
５５…ストッパー
６０…反射板
６１…スペーサ
６２…外枠
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平８−313855（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−260408（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/027
H01L 21/324
Claims (6)
- 【請求項１】 その上または上方に被処理体が配置さ
れ、被処理体を加熱する加熱プレートと、 前記加熱プレートを加熱するヒーターと、 前記加熱プレートから放射された熱を反射する反射板と
を具備し、 前記反射板は、前記加熱プレートの裏面に対向して配置
された底面部と、前記加熱プレートの側面に対向して設
けられた側壁部とを有し、前記反射板の側壁部および前
記加熱プレートの側面は、加熱プレートからの放熱を適
度に行わせるように一部が重なり合って配置されている
ことを特徴とする熱処理装置。 - 【請求項２】 前記側壁部は、前記加熱プレートの側面
と、その厚さの１／３ないし１／２の部分が重なり合っ
ていることを特徴とする請求項１に記載の熱処理装置。 - 【請求項３】 前記加熱プレートの被処理体配置部分に
前記被処理体を取り囲むように設けられた外枠をさらに
具備することを特徴とする請求項１または請求項２に記
載の熱処理装置。 - 【請求項４】 前記加熱プレートの上方に処理空間を介
して配置されると共に排気口を有する排気カバーと、 前記処理空間を取り囲むように配置されかつ前記排気カ
バーに対して進退可能に設けられたシャッタとをさらに
具備し、 熱処理時の前記排気カバーおよび前記シャッタの隙間
を、前記排気口を介して排気を行った際に、前記隙間を
介して前記処理空間内に供給される気流が前記加熱プレ
ートの側面に沿って流れる気流に対して相対的に多くな
り、前記隙間を介して前記処理空間内に供給される気流
により前記加熱プレートの側面に沿って流れる気流が抑
制され、前記加熱プレートの温度ばらつきが小さくなる
ように設定したことを特徴とする請求項１から請求項３
のいずれか１項に記載の熱処理装置。 - 【請求項５】 熱処理時の前記排気カバーおよび前記シ
ャッタの隙間を１５〜２０ｍｍにしたことを特徴とする
請求項４に記載の熱処理装置。 - 【請求項６】 前記ヒーターは前記加熱プレートの裏面
に形成された凹部に圧入されていることを特徴とする請
求項１から請求項５のいずれか１項に記載の熱処理装
置。
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