JP3543887B2 - 基板処理装置 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハや液晶表示器用のガラス基板などの基板に対して、フォトリソグラフィ工程のうちの露光処理前後のレジスト塗布前ベークやレジスト塗布、プリベーク、露光後ベーク、現像、ポストベークなどの各種の基板処理を施すための基板処理装置に係り、特には、ホットプレートなどを備えた基板加熱処理部やクールプレートなどを備えた基板冷却処理部などが積層されたベーク処理用の熱処理部と、レジスト塗布用のスピンコーターや現像用のスピンデベロッパーなどを含む薬液処理部と、基板を支持して基板加熱処理部や基板冷却処理部、薬液処理部などの間で基板を搬送するための単数または複数箇所に設けられた基板搬送手段とを一体的にユニット化し、このユニット内にダウンフローで気流を流すように構成された基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のこの種の基板処理装置としては、例えば、ホットプレートなどを備えた基板加熱処理部とクールプレートなどを備えた基板冷却処理部が積層されたベーク処理用の熱処理部と、レジスト塗布用のスピンコーターや現像用のスピンデベロッパーなどを含む薬液処理部と、熱処理部と薬液処理部との間に設けられ、基板を支持して基板加熱処理部と基板冷却処理部と薬液処理部の間で基板を搬送するための基板搬送ロボットとを一体的にユニット化して構成されたもの（この構成の装置を以下では、第１の基板処理装置ともいう）がある。
【０００３】
また、上記熱処理部に、必要に応じて基板受渡し部を設け、熱処理部を挟んで熱処理部と薬液処理部との間に設けられた基板搬送ロボット（第１の基板搬送ロボット）と反対側に別の基板搬送ロボット（第２の基板搬送ロボット）を設け、第１の基板搬送ロボットが基板冷却処理部と薬液処理部の間で基板を搬送し（基板受渡し部を設けた場合にはこの基板受渡し部との間の基板の搬送も行う）、第２の基板搬送ロボットが基板冷却処理部と基板加熱処理部の間で基板を搬送し（基板受渡し部を設けた場合にはこの基板受渡し部との間の基板の搬送も行う）、第１の基板搬送ロボットと第２の基板搬送ロボットとの間の基板の受渡しを基板冷却処理部（および基板受渡し部）を介して行うように構成されたもの（この構成を以下では、第２の基板処理装置ともいう）もある。
【０００４】
上記第１、第２の基板処理装置では、予め決められた処理手順（例えば、レジスト塗布前ベーク、レジスト塗布、プリベーク、（露光）、露光後ベーク、現像、ポストベーク）に従って基板が処理される。レジスト塗布前ベーク、プリベーク、露光後ベーク、ポストベークなどのベーク処理は、基板を基板加熱処理部で所定温度に加熱する処理で、このベーク処理の後には、加熱された基板は基板冷却処理部で常温付近の所定温度に冷却される。レジスト塗布はスピンコーターで行われ、現像はスピンデベロッパーで行われる。また、露光処理自体は、本基板処理装置（ユニット）に付設された露光処理専用の露光ユニットで行われる。
【０００５】
従って、本基板処理装置（ユニット）内に基板が搬入されると、レジスト塗布前ベークのために、基板搬送ロボット（第２の基板処理装置では、第２の基板搬送ロボット）がその基板を基板加熱処理部に搬送し、そこで加熱処理が行われ、それが終了すると、基板搬送ロボット（第２の基板搬送ロボット）は加熱された基板を基板加熱処理部から基板冷却処理部へ搬送し、そこで冷却処理が行われる。冷却処理が終了すると、基板搬送ロボット（第１の基板搬送ロボット）は冷却された基板をスピンコーターに搬送し、そこでレジスト塗布が行われる。レジスト塗布後の基板は、プリベークのために基板加熱処理部に搬送され、それに続いて基板冷却処理部に搬送される。そして、プリベーク後の冷却処理が終了した基板は、露光ユニットに引き渡され、そこで露光処理が行われる。
【０００６】
露光後の基板を露光ユニットから受け取ると、その基板は、露光後ベークのために基板加熱処理部に搬送され、加熱処理後、基板冷却処理部へ搬送され、冷却処理後、スピンデベロッパーへ搬送され現像が行われる。そして、現像後、ポストベークのために基板加熱処理部へ搬送され、加熱処理後、基板冷却処理部へ搬送され、この冷却処理後の基板が本基板処理装置（ユニット）から搬出される。
【０００７】
また、この種の基板処理装置はクリーンルーム内に設置される。周知のように、クリーンルーム内には、温度や湿度などの雰囲気を一定に維持するなどのために所定条件の雰囲気がダウンフローで流されている。本基板処理装置（ユニット）内には、このクリーンルーム内のダウンフローの気流が導かれていて、図１６に示すように、そのクリーンルーム内のダウンフローの気流（図では白抜きの矢印で示す）によってユニット内の熱処理部１と薬液処理部２（図では、薬液処理部の一つであるスピンコーターＳＣを図示している）の間の基板搬送ロボット（第１の基板搬送ロボット）３の基板搬送路や、スピンデベロッパーの処理室内（図では表れていないがスピンコーターＳＣの奥手側に設けられている）、第２の基板処理装置ではさらに第２の基板搬送ロボットの基板搬送路（図示を省略しているが、熱処理部１の左側に設けられる）などの雰囲気をクリーンルーム内と同じに維持するとともに、スピンデベロッパーの処理室内や各基板搬送路に発生する粉塵（パーティクル）を下方に流下させて排除するようにしている。
【０００８】
ただし、レジスト塗布は、クリーンルーム内の雰囲気と異なる雰囲気内で行う必要があるので、スピンコーターＳＣの処理室ＳＣＲ内には、上記クリーンルーム内のダウンフローの気流とは別の、レジスト塗布に適した雰囲気がダウンフローで供給され、このダウンフローの気流（図では斜線の矢印で示す）によってスピンコーターＳＣの処理室ＳＣＲ内の雰囲気をレジスト塗布に適した雰囲気に維持するとともに、スピンコーターＳＣの処理室ＳＣＲ内に発生するパーティクルを下方に流下させて排除するようにもしている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、上記構成の基板処理装置で露光処理前後の各種の基板処理を実行させると、レジスト塗布工程で塗布されたレジストの膜厚が不均一になるという現象や、現像工程での現像処理に現像不良が生じ易いという現象などが起きていた。
【００１０】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、レジスト塗布、現像などを適正に行ない得る基板処理装置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記目的を達成するために、まず、レジスト塗布工程でのレジスト膜厚の不均一や現像工程での現像不良などの不都合の発生原因を調査した。その結果、上記不都合が以下のような原因で発生していたことを突き止めた。
【００１２】
すなわち、熱処理部を構成する基板加熱処理部では基板を１００℃以上に加熱するので、その際の熱気が上方に伝わり易く、例えば、基板冷却処理部を基板加熱処理部の上方に積層すると、基板加熱処理部からの熱気によって基板冷却処理部内の温度管理が適正に行えず、基板冷却処理部での冷却処理に時間がかかったり、目標温度に基板を冷却できないなどの不都合が起き易くなる。そのため、この種の熱処理部で基板加熱処理部と基板冷却処理部を積層するときには、図１６に示すように、基板冷却処理部１２を下段にし、その上に基板加熱処理部１１を積層している。
【００１３】
しかしながら、基板加熱処理部１１で基板Ｗを加熱する際の熱気は上方ばかりでなく側方にも伝わる。熱処理部１の周囲には外装カバーが設けられていて、基板加熱処理部１１から周囲への熱気の直接の拡散は防止されているが、基板加熱処理部１１で基板を加熱する際の側方への熱気によって薬液処理部２側の外装カバーも熱せられる。このときの薬液処理部２側の外装カバーの温度は４０℃前後である。従って、この常温よりも高い温度の外装カバーから基板搬送ロボット（第１の基板搬送ロボット）３の上方へ熱気が拡散されていて、この熱気が、基板搬送ロボット（第１の基板搬送ロボット）３の基板搬送路に流されているダウンフローの気流（白抜きの矢印で示す）に乗って図１６の二点鎖線の矢印のように降下し、基板搬送ロボット（第１の基板搬送ロボット）３に支持された基板Ｗの表面に当たり、基板Ｗに熱的影響を与えていたことが判明した。
【００１４】
薬液処理部２による処理（レジスト塗布や現像）などを適正に行うためには、基板Ｗ全体が、これら処理に適した常温付近の所定温度に保持されている必要がある。そのため、薬液処理部２による処理（レジスト塗布や現像）の前工程である基板冷却処理部１２での冷却処理では、薬液処理部２による処理（レジスト塗布や現像）などに適した常温付近の所定温度に基板Ｗ全体を冷却するようにしている。
【００１５】
しかしながら、基板搬送ロボット（第１の基板搬送ロボット）３による基板冷却処理部１２から薬液処理部２への基板Ｗの搬送の際に、上述したように基板Ｗの上方から降下している基板加熱処理部１１からの熱気に基板Ｗがさらされることで、基板冷却処理部１２で温調された基板Ｗの全体、あるいは、一部が適正温度より高くなり、そのような状態で基板Ｗが薬液処理部２（スピンコーターＳＣやスピンデベロッパー）などに搬送され、レジスト塗布や現像などが行われることになるので、塗布されたレジストの膜厚が不均一になったり、現像不良などが起きていたものと推定される。
【００１６】
そこで、本発明者らは、このように事実に基づき、以下のような発明をなし、その発明によって露光処理前後の各種の基板処理を行なってみたところ、レジスト塗布工程でのレジスト膜厚の不均一の発生や、現像工程での現像不良などを好適に防止できたことを確認した。
【００１７】
請求項１に記載の発明は、少なくとも基板を加熱する基板加熱処理部と基板を常温付近の所定温度に冷却する基板冷却処理部とが積層された熱処理部と、基板に薬液処理を施す薬液処理部と、前記熱処理部と前記薬液処理部との間に設けられ、基板を支持して、少なくとも前記基板冷却処理部と前記薬液処理部の間で基板を搬送するための第１の基板搬送手段と、前記熱処理部を挟んで前記第１の基板搬送手段と反対側に設けられ、基板を支持して、少なくとも前記基板冷却処理部と前記基板加熱処理部の間で基板を搬送するための第２の基板搬送手段とを一体的にユニット化し、前記ユニット内にダウンフローで気流を流すように構成された露光処理前後の各種の基板処理を行うための基板処理装置において、前記第１の基板搬送手段の基板搬送路の少なくとも上方にカバーを形成したことを特徴とするものである。
【００１８】
また、請求項２に記載の発明は、上記請求項１に記載の基板処理装置において、前記カバーは、前記第１の基板搬送手段の基板搬送路の上方および側方を含む前記基板搬送路の周囲を覆うように形成したことを特徴とするものである。
【００１９】
上記請求項１、２に記載の発明は、前述した第２の基板処理装置の構成のものに適用できるようにしたが、特に、請求項２に記載の発明は、第１の基板搬送手段の基板搬送路を薬液処理部の雰囲気に維持できるように工夫した。
【００２０】
【作用】
請求項１、２に記載の発明によれば、第１の基板搬送手段（第２の基板処理装置の第１の基板搬送ロボット）に支持された基板の上方から降下している基板加熱処理部からの熱気が、第１の基板搬送手段の基板搬送路の上方に形成されたカバーによって遮断され、基板は基板加熱処理部からの熱的影響を受けることなく、基板冷却処理部から薬液処理部へ搬送される。
【００２１】
また、請求項２に記載の発明によれば、カバーは、第１の基板搬送手段の基板搬送路の上方および側方を含む前記基板搬送路の周囲を覆うように形成し、その内側のトンネル内で基板が搬送されるので、カバーで形成されるトンネル内とトンネルの外部の雰囲気とが遮断され、このトンネル内の第１の基板搬送手段の基板搬送路が薬液処理部の雰囲気に維持される。
【００２２】
【発明の実施の形態】
参考実施の形態の概要を図１を参照して説明する。
図１に示すように、本参考実施の形態は、熱処理部１と薬液処理部２（図では薬液処理部２の一つであるスピンコーターＳＣを図示している）との間に設けられた基板搬送手段としての基板搬送ロボット３に支持される基板Ｗの少なくとも上方を覆う被覆手段としての天板３０をその基板搬送ロボット３に取り付けたことを特徴としている。
【００２３】
これにより、熱処理部１と薬液処理部２との間に設けられた基板搬送ロボット３に支持された基板Ｗの上方から降下している基板加熱処理部１１からの熱気が、この基板搬送ロボット３に取り付けられた天板３０によって遮断され、基板Ｗは基板加熱処理部１１からの熱的影響を受けることなく、基板冷却処理部１２から薬液処理部２（スピンコーターＳＣや図示していないスピンデベロッパー）へ搬送される。従って、基板Ｗは基板冷却処理部１２で温調された状態で薬液処理部２の処理室内にセットされ、そこで薬液処理（レジスト塗布や現像）が施されるので、基板加熱処理部１１からの熱的影響によるレジスト塗布工程でのレジスト膜厚の不均一の発生や現像工程での現像不良などが防止できる。
【００２４】
次に、請求項１、２に記載の発明の実施の形態の概要を図２を参照して説明する。
図２に示すように、請求項１、２に記載の発明は、熱処理部１と薬液処理部２との間に設けられる第１の基板搬送手段としての第１の基板搬送ロボット３の基板搬送路の上方にカバー５０を形成したことを特徴としている。
【００２５】
これにより、熱処理部１と薬液処理部２との間に設けられた第１の基板搬送ロボット３に支持された基板Ｗの上方から降下している基板加熱処理部１１からの熱気が、カバー５０によって遮断され、基板Ｗは基板加熱処理部１１からの熱的影響を受けることなく、基板冷却処理部１２から薬液処理部２へ搬送される。従って、基板Ｗは基板冷却処理部１２で温調された状態で薬液処理部２の処理室内にセットされ、そこで薬液処理が施されるので、基板加熱処理部１１からの熱的影響によるレジスト塗布工程でのレジスト膜厚の不均一の発生や現像工程での現像不良などが防止できる。
【００２６】
また、カバー５０の内側（下側）の第１の基板搬送ロボット３による基板Ｗの搬送路には、図２中の点線の矢印で示すように、薬液処理部２の処理室内の雰囲気（スピンコーターＳＣの処理室ＳＣＲ内の雰囲気やスピンデベロッパーの処理室内の雰囲気）が流れ込んでくる。請求項２に記載の発明では、第１の基板搬送ロボット３の基板搬送路の上方および側方を含む前記基板搬送路の周囲を覆うようにカバー５０を形成し、カバー５０で形成されるトンネル内の第１の基板搬送ロボット３による基板Ｗの搬送路の雰囲気と、カバー５０の外部の雰囲気とを完全に遮断したので、カバー５０で形成されるトンネル内の第１の基板搬送ロボット３による基板Ｗの搬送路の雰囲気を薬液処理部２の処理室内の雰囲気に維持することができ、ここで搬送される基板Ｗの温調の精度を向上させることができる。
【００２７】
なお、図１、図２中の白抜きの矢印、斜線の矢印、二点鎖線の矢印は、図１６と同様にそれぞれ、本基板処理装置（ユニット）内に取り込んだクリーンルーム内のダウンフローの気流（白抜きの矢印）、スピンコーターＳＣの処理室ＳＣＲ内の温度や湿度などの雰囲気を特別に管理するためのダウンフローの気流（斜線の矢印）、基板加熱処理部１１からの熱気の流れ（二点鎖線の矢印）を示す。
【００２８】
次に、各発明の具体的な実施例を説明する。なお、第３、第４実施例は請求項１、２に記載の発明に対する実施例である。
【００２９】
【実施例】
＜第１実施例＞
図３は、第１実施例に係る基板処理装置とインデクサの全体構成を示す一部省略斜視図であり、図４は、第１実施例に係る基板処理装置とインデクサとインターフェースユニット（ＩＦユニット）と露光ユニット（一部省略）の全体構成を示す平断面図である。
【００３０】
この第１実施例に係る基板処理装置５は、図示しないホットプレートなどを備えた基板加熱処理部１１と図示しないクールプレートなどを備えた基板冷却処理部１２が積層されたベーク処理用の熱処理部１と、レジスト塗布用のスピンコーターＳＣや現像用のスピンデベロッパーＳＤ（図では、第１、第２のスピンデベロッパーＳＤ１、ＳＤ２を備えている）からなる薬液処理部２と、熱処理部１と薬液処理部２との間に設けられ、基板Ｗを支持して基板加熱処理部１１と基板冷却処理部１２と薬液処理部２（スピンコーターＳＣやスピンデベロッパーＳＤ）の間で基板Ｗを搬送するための基板搬送ロボット３とを一体的にユニット化し、図１と同様に、ユニット内にダウンフローで気流を流すように構成されている。この第１実施例装置５は、平面視で薬液処理部２、基板搬送ロボット３、熱処理部１がその順で配列された、いわゆる３列構成の、従来技術で説明した第１の基板処理装置と同様の構成を有している。
【００３１】
基板搬送ロボット３は、図５に示すように、基板Ｗの外周縁を載置支持するアーム３１と、アーム３１を水平１軸方向に出退させるための駆動機構（図示せず）を内蔵したアーム支持部３２と、アーム支持部３２を支持する軸３３と、軸３３（アーム支持部３２およびアーム３１）を鉛直軸（Ｚ軸に平行な軸）回りに回転させる駆動機構（図示せず）や、軸３３（アーム支持部３２およびアーム３１）を図のＺ軸方向に昇降させるための駆動機構（図示せず）、軸３３（アーム支持部３２およびアーム３１）を図のＸ軸方向に移動させるための駆動機構（図示せず）、および、天板３０などで構成されている。
【００３２】
なお、図５中のＸ、Ｙ、Ｚ軸は、図１以下の各図中のＸ、Ｙ、Ｚ軸と同じ方向を示す。また、アーム３１の出退用の駆動機構や、軸３３の昇降やＸ軸方向への移動用の駆動機構は、ネジ軸やガイド軸、モータなどからなる周知の１軸方向駆動機構などで構成され、軸３３の鉛直軸回りの回転は、モータの回転などで実現されている。
【００３３】
天板３０は、アーム３１に載置支持された基板Ｗの上方を覆う状態で、支持部材３４を介してアーム支持部３２に取り付けられている。なお、天板３０は、例えばアルミニウムやステンレス鋼などで構成される。
【００３４】
上記構成を有する基板搬送ロボット３は、基板Ｗをアーム３１に載置支持し、このアーム３１のＸ軸方向、Ｚ軸方向への移動動作、アーム支持部３２を鉛直軸回りに回転させ、アーム３１の出退させる方向を熱処理部１（任意の基板加熱処理部１１や基板冷却処理部１２）または薬液処理部２（スピンコーターＳＣや任意のスピンデベロッパーＳＤ）に向ける動作、アーム３１を出退させる動作を適宜に組み合わせて、任意の基板加熱処理部１１、基板冷却処理部１２、スピンコーターＳＣ、スピンデベロッパーＳＤなどの間で基板Ｗを搬送するようにしている。なお、基板加熱処理部１１内や、基板冷却処理部１２内に対する基板Ｗの搬入／搬出は、熱処理部１の薬液処理部２側の外装カバーに設けられた搬入出口１１ａ、１２ａを介して行われ、スピンコーターＳＣやスピンデベロッパーＳＤの各処理室ＳＣＲ、ＳＤＲ内に対する基板Ｗの搬入／搬出は、各処理室ＳＣＲ、ＳＤＲの熱処理部１側の外囲に設けられた、搬入出口２ａを介して行われる。これら搬入出口１１ａ、１２ａ、２ａには図示しないシャッターが設けられ、基板Ｗが搬入／搬出されるときだけ開口されるようになっている。
【００３５】
インデクサ６は、複数枚の基板Ｗが収納される搬送用のキャリアＣを載置するための搬入出テーブル６１や、このキャリアＣと上記基板処理装置５内の基板搬送ロボット３との間で基板Ｗの受渡しを行うための基板搬入出ロボット６２などで構成される。
【００３６】
露光ユニット７は、露光処理を行うためのもので、縮小投影露光機（ステッパー）などの露光機や、露光機での露光の際の基板Ｗの位置合わせを行うアライメント機構、露光ユニット７内での基板Ｗの搬送を行う基板搬送ロボットなど（いずれも図示せず）を一体的にユニット化して構成されている。
【００３７】
ＩＦユニット８は、基板処理装置５と露光ユニット７との間で基板Ｗの受渡しを行うためのユニットで、基板処理装置５内の基板搬送ロボット３から受け取った露光前の基板Ｗを露光ユニット７内の基板搬送ロボットに引き渡したり、露光ユニット７内の基板搬送ロボットから受け取った露光済の基板Ｗを基板処理装置５内の基板搬送ロボット３に引き渡す基板受渡しロボット（図示せず）などを備えている。
【００３８】
これらインデクサ６、基板処理装置５、ＩＦユニット８、露光ユニット７の動作を以下に説明する。
【００３９】
基板処理装置５や露光ユニット７で行われるフォトリソグラフィ工程の各種の基板処理が行われる前の基板Ｗが複数枚収納されたキャリアＣは、図示しないキャリアの自動搬送装置（Auto Guided Vehicle ：以下、ＡＧＶという）によって前工程から搬送されてきてインデクサ６の搬入出テーブル６１に載置される。基板搬入出ロボット６２は、このキャリアＣから基板Ｗを１枚ずつ取り出し、基板処理装置５内の基板搬送ロボット３のアーム３１に順次引き渡していく。
【００４０】
ここでは、基板処理装置５で、露光処理前の基板処理として、例えば、レジスト塗布前ベーク、レジスト塗布、プリベークを行い、露光処理後の基板処理として、例えば、露光後ベーク、現像、ポストベークを行うものとする。
【００４１】
基板搬送ロボット３は、上記処理に従って基板Ｗを搬送する。すなわち、基板搬入出ロボット６２から基板Ｗを受け取ると、まず、レジスト塗布前ベークのためにその基板Ｗを基板加熱処理部１１に搬送し、そこで加熱処理を行わせる。加熱処理が終了すると、基板搬送ロボット３は、加熱された基板Ｗを基板加熱処理部１１から基板冷却処理部１２に搬送し、そこで、次工程のレジスト塗布に適した常温付近の所定温度までその基板Ｗ全体を冷却させる。冷却処理が終了すると、基板搬送ロボット３はその基板Ｗを基板冷却処理部１２からスピンコーターＳＣに搬送し、そこでレジスト塗布を行わせる。このとき、図１で説明したように、基板冷却処理部１２からスピンコーターＳＣに搬送される基板Ｗの上方から降下している基板加熱処理部１１からの熱気にその基板Ｗが直接されされるのが防止され、従って、基板冷却処理部１２で温調された状態でレジスト塗布でき、基板加熱処理部１１からの熱的影響によって起こっていた塗布されるレジスト膜の膜厚が不均一になるという不都合が解消される。
【００４２】
レジスト塗布が終了すると、プリベークのために基板搬送ロボット３は、スピンコーターＳＣから基板加熱処理部１１にレジスト塗布された基板Ｗを搬送し、そこで加熱処理を行わせ、それが終了すると、基板搬送ロボット３は、基板加熱処理部１１から基板冷却処理部１１に加熱された基板Ｗを搬送し、そこで冷却処理を行わせる。冷却処理が終了すると、基板搬送ロボット３は、その基板ＷをＩＦユニット８内の基板受渡しロボットに引き渡し、この基板受渡しロボットが露光ユニット７内の基板搬送ロボットにその基板Ｗを引渡し、露光ユニット７内で露光処理が行われる。
【００４３】
ここで、露光処理の場合も、露光処理に適した基板Ｗの温度があり、プリベークの後の冷却処理ではそのような温度に基板Ｗ全体を冷却し、そのように温調された状態で基板Ｗが露光ユニット７に搬送されることが望まれる。この基板冷却処理部１２から露光ユニット７への基板Ｗの搬送の際にも、基板搬送ロボット３に支持された冷却処理後の基板Ｗの上方より、基板加熱処理部１１からの熱気が降下しているが、この実施例では、上記基板冷却処理部１２からスピンコーターＳＣへの基板Ｗの搬送時と同様に、温調された基板Ｗは基板加熱処理部１１からの熱的影響を直接受けることなく、ＩＦユニット８を介して露光ユニット７へ搬送できる。なお、ＩＦユニット８や露光ユニット７内の温度や湿度などの雰囲気は適切に管理されていて、これらユニット８、７の搬送中に基板Ｗの温度が変動しないようにしている。従って、本実施例によれば、基板冷却処理部１２から露光ユニット７へ基板Ｗを搬送する際にも、露光に適した温度に温調された基板Ｗに対する基板加熱処理部１１からの熱的影響を防止することができ、温度変動に起因する露光処理時の露光ムラなどの不都合も防止することができる。
【００４４】
露光ユニット７での露光処理が終了すると、ＩＦユニット８を介して露光済の基板Ｗが基板処理装置５内の基板搬送ロボット３に渡される。基板搬送ロボット３は、露光後ベークのためにその露光済の基板Ｗを基板加熱処理部１１に搬送し、そこで加熱処理を行わせ、それが終了すると、基板搬送ロボット３は基板加熱処理部１１から基板冷却処理部１２にその加熱された基板Ｗを搬送し、そこで現像に適した温度に基板Ｗ全体を冷却させる。そして、その冷却処理が終了すると、基板搬送ロボット３は基板冷却処理部１２からスピンデベッパーＳＤにその温調された基板Ｗを搬送し、そこで現像を行わせる。この基板冷却処理部１２からスピンデベッパーＳＤへの基板Ｗの搬送においても、基板冷却処理部１２からスピンコーターＳＣへの基板Ｗの搬送時と同様に、基板搬送ロボット３に支持された温調された基板Ｗに対する基板加熱処理部１１からの熱的影響を回避でき、熱的影響に起因する現像不良などを防止できる。
【００４５】
現像処理が終了すると、基板搬送ロボット３はポストベークのためにスピンデベロッパーＳＤから基板加熱処理部１１へ現像後の基板Ｗを搬送し、そこで加熱処理を行わせ、加熱処理が終了すると、基板搬送ロボット３は基板加熱処理部１１から基板冷却処理部１２に加熱された基板Ｗを搬送し、そこで冷却処理を行わせる。この冷却処理が終了すると、基板搬送ロボット３は、その基板Ｗを基板冷却処理部１２から取り出し、インデクサ６の基板搬入出ロボット６２に引き渡す。基板搬入出ロボット６２は基板搬送ロボット３から受け取った、フォトリソグラフィ工程の各基板処理が終了した基板Ｗを搬入出テーブル６１に待機されている空のキャリアＣに順次収納していく。そして、フォトリソグラフィ工程の各基板処理が終了した基板Ｗが所定枚数キャリアＣに収納されると、そのキャリアＣはＡＧＶによってフォトリソグラフィ工程の後工程へと搬送されていく。
【００４６】
＜第２実施例＞
図６は、第２実施例に係る基板処理装置とインデクサの全体構成を示す一部省略斜視図であり、図７は、第２実施例に係る基板処理装置とインデクサとＩＦユニットと露光ユニット（一部省略）の全体構成を示す平断面図である。
【００４７】
この第２実施例に係る基板処理装置５は、平面視で薬液処理部２、第１の基板搬送手段としての第１の基板搬送ロボット３、熱処理部１、第２の基板搬送手段としての第２の基板搬送ロボット４がその順で配列された、いわゆる４列構成の、従来技術で説明した第２の基板処理装置と同様の構成を有している。
【００４８】
この第２実施例の薬液処理部２は、上記第１実施例の薬液処理部２と同様にスピンコーターＳＣ、スピンデベロッパーＳＤ（ＳＤ１、ＳＤ２）を備えて構成されている。
【００４９】
また、第２実施例の第１、第２の基板搬送ロボット３、４は、上記第１実施例の基板搬送ロボット３と同様の構成を有している。この実施例では、薬液処理部２（スピンコーターＳＣやスピンデベロッパーＳＤ）と熱処理部１の基板冷却処理部１２との間の基板Ｗの搬送を第１の基板搬送ロボット３が行い、熱処理部１の基板加熱処理部１１と基板冷却処理部１２との間の基板Ｗの搬送と、インデクサ６の基板搬入出ロボット６２との間の基板Ｗの受渡し、および、ＩＦユニット８内の基板受渡しロボットとの間の基板Ｗの受渡しを第２の基板搬送ロボット４が行うようにしている。また、第１の基板搬送ロボット３と第２の基板搬送ロボット４との間の基板Ｗの受渡しは基板冷却処理部１２を介して行われる。
【００５０】
第２実施例の熱処理部１は、上記第１実施例の熱処理部１と同様に基板加熱処理部１１と基板冷却処理部１２とが積層されて構成されているが、この第２実施例では、上述したように基板加熱処理部１１への基板Ｗの搬送は第２の基板搬送ロボット４のみが行うので、基板加熱処理部１１に対する基板Ｗの搬入／搬出のための外装カバーの搬入出口（図６では図面に表れていない）は第２の基板搬送ロボット４側にのみ設けられ、また、基板冷却処理部１２への基板Ｗの搬送は、第１、第２の基板搬送ロボット３、４の双方が行うので、基板冷却処理部１２に対する基板Ｗの搬入／搬出のための外装カバーの搬入出口１２ａ（図６では第１の基板搬送ロボット３側の搬入出口のみが図面に表れている）は第１、第２の基板搬送ロボット３、４の双方の側に設けられている。
【００５１】
その他の基板処理装置５の構成や、インデクサ６、露光ユニット７、ＩＦユニット８の構成は、上記第１実施例と同様であるので、その詳述は省略する。
【００５２】
インデクサ６、基板処理装置５、ＩＦユニット８、露光ユニット７でのフォトリソグラフィ工程の各種の基板処理を行う際の全体的な流れは上記第１実施例と同様であるのでその詳述は省略するが、基板処理装置５内での基板Ｗの搬送が第１実施例と若干相違するので、それを簡単に説明する。
【００５３】
第２の基板搬送ロボット４がインデクサ６の基板搬入出ロボット６２から、フォトリソグラフィ工程の各種の基板処理を受ける前の基板Ｗを受け取ると、レジスト塗布前ベークのためにその基板Ｗを基板加熱処理部１１に搬送し、そこで加熱処理を行わせ、加熱処理が終了すると、第２の基板搬送ロボット４が基板加熱処理部１１から基板冷却処理部１２に加熱された基板Ｗを搬送し、そこでレジスト塗布に適した常温付近の所定温度に基板Ｗ全体を冷却させる。
【００５４】
この冷却処理が終了すると、第１の基板搬送ロボット３が基板冷却処理部１２からスピンコーターＳＣにその基板Ｗを搬送し、そこでレジスト塗布を行わせる。この基板冷却処理部１２からスピンコーターＳＣへの基板Ｗの搬送時にも、上記第１実施例と同様に、レジスト塗布に適した温度に温調された基板Ｗに対する基板加熱処理部１１からの熱的影響を防止することができる。
【００５５】
レジスト塗布が終了すると、第１の基板搬送ロボット３は、スピンコーターＳＣから基板冷却処理部１２にレジスト塗布された基板Ｗを搬送するが、ここでは第１の基板搬送ロボット３から第２の基板搬送ロボット４への基板Ｗの受渡しのために、基板冷却処理部１２を用いているに過ぎないので、基板Ｗに対する冷却処理は行わない。次に、プリベークのために第２の基板搬送ロボット４が基板冷却処理部１２から基板加熱処理部１１にレジスト塗布された基板Ｗを搬送し、そこで加熱処理を行わせ、加熱処理が終了すると、第２の基板搬送ロボット４が基板加熱処理部１１から基板冷却処理部１２に加熱された基板Ｗを搬送し、そこで露光処理に適した常温付近の所定温度に基板Ｗ全体を冷却させる。
【００５６】
この冷却処理が終了すると、第２の基板搬送ロボット４は、その基板Ｗを基板冷却処理部１２から取り出し、ＩＦユニット８内の基板受渡しロボットに引き渡す。このとき、第２の基板搬送ロボット４にも天板３０を設けているので、露光処理に適した温度に温調された基板Ｗに対する基板加熱処理部１１からの熱的影響を防止することができる。なお、本実施例では、ＩＦユニット８内の基板受渡しロボットとの間の基板Ｗの受渡しを第２の基板搬送ロボット４が行うように構成したので、露光処理に適した温度に温調された基板Ｗに対する基板加熱処理部１１からの熱的影響を防止するのに、第２の基板搬送ロボット４に天板３０を設けたが、ＩＦユニット８内の基板受渡しロボットとの間の基板Ｗの受渡しを第１の基板搬送ロボット３が行うように構成すれば、第２の基板搬送ロボット４に天板３０を設けずとも、露光処理に適した温度に温調された基板Ｗに対する基板加熱処理部１１からの熱的影響を防止することができる。
【００５７】
ＩＦユニット８を介して露光ユニット７に基板Ｗは搬送されて露光処理が行われ、露光処理が終了すると、露光済の基板ＷはＩＦユニット８を介して、第２の基板搬送ロボット４に引き渡される。第２の基板搬送ロボット４は、露光後ベークのためにその露光済の基板Ｗを基板加熱処理部１１に搬送し、そこで加熱処理を行わせ、加熱処理が終了すると、第２の基板搬送ロボット４が基板加熱処理部１１から基板冷却処理部１２に加熱された基板Ｗを搬送し、そこで現像に適した常温付近の所定温度に基板Ｗ全体を冷却させる。
【００５８】
この冷却処理が終了すると、第１の基板搬送ロボット３が基板冷却処理部１２からスピンデベロッパーＳＤにその基板Ｗを搬送し、そこで現像を行わせる。この基板冷却処理部１２からスピンデベロッパーＳＤへの基板Ｗの搬送時にも、上記第１実施例と同様に、現像に適した温度に温調された基板Ｗに対する基板加熱処理部１１からの熱的影響を防止することができる。
【００５９】
現像が終了すると、第１の基板搬送ロボット３は、スピンデベロッパーＳＤから基板冷却処理部１２に現像済の基板Ｗを搬送する（ここでは、基板Ｗに対する冷却処理は行わない）。次に、ポストベークのために第２の基板搬送ロボット４が基板冷却処理部１２から基板加熱処理部１１に現像済の基板Ｗを搬送し、そこで加熱処理を行わせ、加熱処理が終了すると、第２の基板搬送ロボット４が基板加熱処理部１１から基板冷却処理部１２に加熱された基板Ｗを搬送し、そこで冷却処理を行わせる。
【００６０】
この冷却処理が終了すると、第２の基板搬送ロボット４は、その基板Ｗを基板冷却処理部１２から取り出し、インデクサ６内の基板搬入出ロボット６２に引き渡す。以降は第１実施例と同様であるのでその説明を省略する。
【００６１】
〔第１、第２実施例に対する変形例〕
（１） 第１、第２実施例では、アーム３１に載置支持された基板Ｗの上方のみを覆うような天板３０を基板搬送ロボット３、第１、第２の基板搬送ロボット３、４に設けたが、図８に示すように、アーム３１およびアーム３１に載置支持された基板Ｗを出退させるための開口部３０ａ以外、アーム３１に載置支持された基板Ｗの上方と側方を全て覆うような天板３０、側方カバー３０ｂを基板搬送ロボット３、第１、第２の基板搬送ロボット３、４（のアーム支持部３２）に取り付けてもよい。このように構成すれば、アーム３１に載置支持された基板Ｗの側方から回り込んでくる、基板加熱処理部１１からの熱気も好適に遮断することができる。
【００６２】
（２） 第１実施例において、図９に示すように、基板搬送ロボット３を複数台（図では２台であるが３台以上でもよい）設置し、基板加熱処理部１１、基板冷却処理部１２、薬液処理部２（スピンコーターＳＣ、スピンデベロッパーＳＤ）の間の基板Ｗの搬送と、インデクサ６内の基板搬入出ロボット６２との間の基板Ｗの受渡し、および、ＩＦユニット８内の基板受渡しロボットとの間の基板Ｗの受渡しを、これら基板搬送ロボット３が協働して行うように構成してもよい。この構成においては、複数台の基板搬送ロボット３が本発明における基板搬送手段に相当する。
【００６３】
（３） 第２実施例においても同様に、第１の基板搬送ロボット３、または／および、第２の基板搬送ロボット４を複数台設置してもよい。第１の基板搬送ロボット３を複数台設ける場合には、それら複数台の第１の基板搬送ロボット３が本発明における第１の基板搬送手段に相当し、第２の基板搬送ロボット４を複数台設ける場合には、それら複数台の第２の基板搬送ロボット４が本発明における第２の基板搬送手段に相当する。なお、図１０に示すように、第１の基板搬送ロボット３を３台設置し、スピンコーターＳＣとそれに対向する基板冷却処理部１２との間の基板Ｗの搬送、第１のスピンデベロッパーＳＤ１とそれに対向する基板冷却処理部１２との間の基板Ｗの搬送、第２のスピンデベロッパーＳＤ２とそれに対向する基板冷却処理部１２との間の基板Ｗの搬送を各々の第１の基板搬送ロボット３に分担させるように構成すれば、各々の第１の基板搬送ロボット３は、図のＸ軸方向へ移動自在に構成する必要もない。このとき、熱処理部１の図の左からＸ軸方向に配置された２列目、４列目、６列目に積層された基板加熱処理部１１などに対しては第２の基板搬送ロボット４のみが基板Ｗの搬送を行なえることになるので、これら２列目、４列目、６列目には基板加熱処理部１１のみを積層してもよいし、基板加熱処理部１１と基板冷却処理部１２を積層する場合であっても、この基板冷却処理部１２は第２の基板搬送ロボット４側にのみ搬入出口を設けるなどして第２の基板搬送ロボット４専用に構成すればよい。
【００６４】
（４） 第２実施例において、図１１に示すように、第１、第２の基板搬送ロボット３、４の間での基板Ｗの受渡しのための基板受渡し部１３を熱処理部１に別途設けてもよい。この場合、薬液処理部２での薬液処理の前には基板Ｗの冷却が行われるが、薬液処理の後すぐに冷却処理を行うことはないので、例えば、第１の基板搬送ロボット３から第２の基板搬送ロボット４への基板Ｗの受渡しをこの基板受渡し部１３を介して行わせ、また、第２の基板搬送ロボット４から第１の基板搬送ロボット３への基板Ｗの受渡しを基板冷却処理部１２を介して行わせるようにすれば、第１、第２の基板搬送ロボット３、４の間の双方向の基板Ｗの受渡しがスムーズに行なえる。なお、この基板受渡し部１３は、基板Ｗの搬入／搬出用の搬入出口１３ａを第１、第２の基板搬送ロボット３、４の双方の側に設け、また、例えば、基板Ｗを載置支持する複数本の基板支持ピン１３ｂを固定立設させて構成されている。第１の基板搬送ロボット３はこの基板支持ピン１３ｂの上に基板Ｗを載置させ、第２の基板搬送ロボット４がその基板Ｗを取り出すことで、第１、第２の基板搬送ロボット３、４の間の基板Ｗの受渡しが行われる。また、この構成においては、第１の基板搬送ロボット３は、薬液処理部２と基板冷却処理部１２と基板受渡し部１３との間で基板Ｗの搬送を行い、第２の基板搬送ロボット４は、基板加熱処理部１１と基板冷却処理部１２と基板受渡し部１３の間の基板Ｗの搬送と、インデクサ６の基板搬入出ロボット６２との間の基板Ｗの受渡し、および、ＩＦユニット８内の基板受渡しロボットとの間の基板Ｗの受渡しを行う。
【００６５】
（５） 第１、第２実施例では、薬液処理部２を１台のスピンコーターＳＣと２台のスピンデベロッパーＳＤ（ＳＤ１、ＳＤ２）とで構成したが、スピンコーターＳＣが複数台設けられた基板処理装置やスピンデベロッパーＳＤが１台または３台以上設けられた基板処理装置であっても同様に適用できる。
【００６６】
＜第３実施例＞
図１２は、第３実施例に係る基板処理装置とインデクサの全体構成を示す一部省略斜視図であり、図１３は、第３実施例に係る基板処理装置とインデクサとＩＦユニットと露光ユニット（一部省略）の全体構成を示す平断面図である。
【００６７】
この第３実施例に係る基板処理装置５の基本的な構成は、上記第２実施例と同じであるが、この第３実施例装置では、第１、第２の基板搬送ロボット３、４に天板３０を設ける代わりに、熱処理部１の下段に設けられた基板冷却処理部１２と、薬液処理部２（スピンコーターＳＣ、スピンデベロッパーＳＤ）との間の第１の基板搬送ロボット３の基板搬送路の周囲（上方と側方）を全体的に覆うように、アルミニウムやステンレス鋼などのカバー５０を設け、この第１の基板搬送ロボット３の基板搬送路と、基板加熱処理部１１の薬液処理部２側の側方空間とを上下に分離して構成した。
【００６８】
この第３実施例装置における動作は、上記第２実施例と同じである。この動作中の第１の基板搬送ロボット３による基板冷却処理部１１から薬液処理部２（スピンコーターＳＣ、スピンデベロッパーＳＤ）への基板Ｗの搬送においては、図２で説明したように、熱処理部１と薬液処理部２との間に設けられた第１の基板搬送ロボット３に支持された基板Ｗの上方から降下している基板加熱処理部１１からの熱気が、カバー５０によって遮断され、基板Ｗは基板加熱処理部１１からの熱的影響を受けることなく、基板冷却処理部１２から薬液処理部２へ搬送させることができ、基板加熱処理部１１からの熱的影響によるレジスト塗布工程でのレジスト膜厚の不均一の発生や現像工程での現像不良などが防止できる。
【００６９】
また、カバー５０で形成されるトンネル内は、薬液処理部２の処理室内の雰囲気に維持され（トンネル内のうち、スピンコーターＳＣ付近のトンネル内はスピンコーターＳＣの処理室ＳＣＲ内の雰囲気に維持され、スピンデべロッパーＳＤ付近のトンネル内はスピンデベロッパーＳＤの処理室ＳＤＲ内の雰囲気に維持され）、ここで搬送される基板Ｗは外部からの雰囲気から完全に遮断され、基板Ｗの温調の精度を向上させることもできる。
【００７０】
＜第４実施例＞
図１４は、第４実施例に係る基板処理装置とインデクサの全体構成を示す一部省略斜視図であり、図１５は、第４実施例に係る基板処理装置とインデクサとＩＦユニットと露光ユニット（一部省略）の全体構成を示す平断面図である。
【００７１】
この第４実施例に係る基板処理装置５の基本的な構成は、図１０で説明した第２実施例に対する変形例と同じであるが、この第４実施例装置では、第１、第２の基板搬送ロボット３、４に天板３０を設ける代わりに、各々の第１の基板搬送ロボット３（３ａ、３ｂ、３ｃ）の基板搬送路の周囲（上方と側方）を個別に覆うカバー５０を設けて構成している。
【００７２】
この第４実施例装置における動作は、基本的に上記第２実施例と同じであるが、この第４実施例装置では、スピンコーターＳＣとそれに対向する基板冷却処理部１２（１２ｂ）との間の基板Ｗの搬送をインデクサ６側の第１の基板搬送ロボット３（３ａ）が行い、第１のスピンデベロッパーＳＤ１とそれに対向する基板冷却処理部１２（１２ｃ）との間の基板Ｗの搬送を中央の第１の基板搬送ロボット３（３ｂ）が行い、第２のスピンデベロッパーＳＤ２とそれに対向する基板冷却処理部１２（１２ｄ）との間の基板Ｗの搬送をＩＦユニット８側の第１の基板搬送ロボット３（３ｃ）が行う。これら各々の第１の基板搬送ロボット３（３ａ、３ｂ、３ｃ）による基板搬送においても、第３実施例と同様の作用、効果が得られる。なお、この第４実施例では、インデクサ６側の第１の基板搬送ロボット３（３ａ）の基板搬送路（トンネル内）がスピンコーターＳＣの処理室ＳＣＲ内の雰囲気に、また、中央、および、ＩＦユニット８側の第１の基板搬送ロボット３（３ｂ、３ｃ）の基板搬送路（トンネル内）がスピンデベロッパーＳＤの処理室ＳＤＲ内の雰囲気に個別に維持させることができる。
【００７３】
〔第３、第４実施例に対する変形例〕
（１） 第３、第４実施例では、第１の基板搬送ロボット３（３ａ、３ｂ、３ｃ）の周囲（上方および側方を含む）の全てを覆うようにカバー５０を形成したが、カバー５０は、第１の基板搬送ロボット３（３ａ、３ｂ、３ｃ）の基板搬送路の少なくとも上方に形成されていれば、例えば、基板搬送路のインデクサ６側やＩＦユニット８側の側方が開口されていても温調された基板Ｗに対する基板加熱処理部１１からの熱的影響を防止することができる。
【００７４】
（２） 第３、第４実施例において、ＩＦユニット８内の基板受渡しロボットとの間の基板Ｗの受渡しを第２の基板搬送ロボット４が行う構成であると、第２の基板搬送ロボット４による基板冷却処理部１２からＩＦユニット８への、露光処理に適した温度に温調された基板Ｗの搬送の際に、その基板Ｗは基板加熱処理部１１からの熱的影響を受けることになるが、例えば、第２実施例のように第２の基板搬送ロボット４に天板３０を設けたり、第２の基板搬送ロボット４を図８の変形例の如く構成すれば、そのような不都合をも防止することができる。
【００７５】
（３） 第３、第４実施例においても、第１、第２の基板搬送ロボット３、４の間での基板Ｗの受渡しのための基板受渡し部１３を熱処理部１に別途設けてもよく、この場合には、図１１の如く基板冷却処理部１１と基板受渡し部１３を熱処理部１の下段に積層し、これら基板冷却処理部１１と基板受渡し部１３とを図２の基板加熱処理部１２で示すカバー５０の内側（下側）の位置に配置させ、これら基板冷却処理部１２および基板受渡し部１３と、薬液処理部２（スピンコーターＳＣ、スピンデベロッパーＳＤ）との間の第１の基板搬送ロボット３（３ａ、３ｂ、３ｃ）の基板搬送路の周囲を覆うようにカバー５０を設ければよい。
【００７６】
（４） 第３実施例においても上記第２実施例に対する変形例（３）と同様に、第１の基板搬送ロボット３、または／および、第２の基板搬送ロボット４を複数台設置してもよい。
【００７７】
（５） 第４実施例においても上記第２実施例に対する変形例（３）と同様に、第２の基板搬送ロボット４を複数台設置してもよい。
【００７８】
（６） 第４実施例では、第１、第２のスピンデベロッパーＳＤ１、ＳＤ２への基板搬送を別個の第１の基板搬送ロボット３ｂ、３ｃで行い、各第１の基板搬送ロボット３ｂ、３ｃの各基板搬送路の周囲を個別にカバー５０で覆うようにしたが、例えば、第１の基板搬送ロボット３を２台設置し、１台をスピンコーターＳＣへの基板搬送専用にし、他の１台を全てのスピンデべロッパーＳＤ（ＳＤ１、ＳＤ２）への基板搬送専用にし、これら各第１の基板搬送ロボット３の各基板搬送路の周囲を個別に覆うようにカバー５０を形成してもよい。
【００７９】
（７） 第３、第４実施例においても第１、第２実施例と同様にスピンコーターＳＣを複数台、あるいは、スピンデベロッパーＳＤを１台または３台以上設置してもよく、そのような基板処理装置であっても請求項１、２に記載の発明は同様に適用することができる。
【００８０】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、請求項１、２に記載の発明によれば、基板加熱処理部からの熱的影響を受けることなく、基板冷却処理部から薬液処理部へ基板を搬送することができるので、熱的影響によって発生していたレジスト塗布工程でのレジスト膜厚の不均一や現像工程での現像不良などを好適に防止することができるようになった。
【００８１】
また、請求項１、２に記載の発明は、平面視で薬液処理部、第１の基板搬送手段、熱処理部、第２の基板搬送手段がその順で配列されている、いわゆる４列構成の基板処理装置（従来技術で説明した第２の基板処理装置）に適用でき、特に、請求項２に記載の発明は第１の基板搬送手段の基板搬送路を薬液処理部の雰囲気に維持できるので、基板冷却処理部から薬液処理部への基板の搬送中の基板の温調精度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】参考実施の形態を説明するための図である。
【図２】請求項１、２に記載の発明の実施の形態を説明するための図である。
【図３】第１実施例に係る基板処理装置とインデクサの全体構成を示す一部省略斜視図である。
【図４】第１実施例に係る基板処理装置とインデクサとインターフェースユニット（ＩＦユニット）と露光ユニット（一部省略）の全体構成を示す平断面図である。
【図５】基板搬送ロボットの概略構成を示す斜視図である。
【図６】第２実施例に係る基板処理装置とインデクサの全体構成を示す一部省略斜視図である。
【図７】第２実施例に係る基板処理装置とインデクサとＩＦユニットと露光ユニット（一部省略）の全体構成を示す平断面図である。
【図８】第１、第２実施例の変形例の概略構成を示す斜視図である。
【図９】第１実施例に対する変形例の概略構成を示す平断面図である。
【図１０】第２実施例に対する変形例の概略構成を示す平断面図である。
【図１１】第２実施例に基板受渡し部を別途設けた変形例の概略構成を示す縦断面図である。
【図１２】第３実施例に係る基板処理装置とインデクサの全体構成を示す一部省略斜視図である。
【図１３】第３実施例に係る基板処理装置とインデクサとＩＦユニットと露光ユニット（一部省略）の全体構成を示す平断面図である。
【図１４】第４実施例に係る基板処理装置とインデクサの全体構成を示す一部省略斜視図である。
【図１５】第４実施例に係る基板処理装置とインデクサとＩＦユニットと露光ユニット（一部省略）の全体構成を示す平断面図である。
【図１６】従来例の問題点を説明するための図である。
【符号の説明】
１ … 熱処理部
２ … 薬液処理部
３ … 基板搬送ロボット、第１の基板搬送ロボット
４ … 第２の基板搬送ロボット
５ … 基板処理装置
１１ … 基板加熱処理部
１２ … 基板冷却処理部
３０ … 天板（被覆手段）
５０ … カバー
Ｗ … 基板
ＳＣ … スピンコーター
ＳＤ（ＳＤ１、ＳＤ２） … スピンデベロッパー

Claims (2)

1. 少なくとも基板を加熱する基板加熱処理部と基板を常温付近の所定温度に冷却する基板冷却処理部とが積層された熱処理部と、基板に薬液処理を施す薬液処理部と、前記熱処理部と前記薬液処理部との間に設けられ、基板を支持して、少なくとも前記基板冷却処理部と前記薬液処理部の間で基板を搬送するための第１の基板搬送手段と、前記熱処理部を挟んで前記第１の基板搬送手段と反対側に設けられ、基板を支持して、少なくとも前記基板冷却処理部と前記基板加熱処理部の間で基板を搬送するための第２の基板搬送手段とを一体的にユニット化し、前記ユニット内にダウンフローで気流を流すように構成された露光処理前後の各種の基板処理を行うための基板処理装置において、
   前記第１の基板搬送手段の基板搬送路の少なくとも上方にカバーを形成したことを特徴とする基板処理装置。
2. 請求項１に記載の基板処理装置において、
   前記カバーは、前記第１の基板搬送手段の基板搬送路の上方および側方を含む前記基板搬送路の周囲を覆うように形成したことを特徴とする基板処理装置。

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