JP2001015578A - 基板処理装置 - Google Patents

基板処理装置

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 効率よく基板を搬送することができる基板処
理装置を提供する。 【解決手段】 空間部２０を挟んで膜形成ユニット群１
５と現像処理ユニット群１６とを対向させ，膜形成ユニ
ット群１０と空間部２０との間に第１の搬送手段３０を
配置し，現像処理ユニット群１５と空間部２０との間に
第２の搬送手段４０を配置する。第１の搬送手段３０を
挟んで第１熱処理ユニット群５０と第２熱処理ユニット
群６０とを配置し，第２の搬送手段４０を挟んで第３熱
処理ユニット群７０と第４熱処理ユニット群８０とを配
置する。第１の搬送手段３０は第１の搬送経路３０Ａを
通じてウェハＷを搬送し，第２の搬送手段４０は第２の
搬送経路４０Ａを通じてウェハＷを搬送する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，例えば半導体ウェ
ハやＬＣＤ基板等の基板を処理する基板処理装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】例えば半導体デバイスの製造におけるリ
ソグラフィ技術では，基板処理装置にて半導体ウェハ
（以下，「ウェハ」という。）等の基板の表面にレジス
ト液を塗布してレジスト膜を形成した後に，ウェハを基
板処理装置とは別の露光装置に搬送して，露光装置にて
露光されたウェハを基板処理装置に再度搬送し，このウ
ェハに現像液を供給して現像処理するようにしている。
【０００３】ところで，基板処理装置にはウェハにレジ
スト液を塗布して処理するレジスト塗布処理ユニット，
レジスト塗布処理終了後のウェハや露光処理後のウェハ
を加熱処理する加熱処理ユニット，加熱処理後のウェハ
を冷却処理する冷却処理ユニット，ウェハに現像液を供
給して現像処理する現像処理ユニット等の種々の処理ユ
ニットが個別に備えられており，これらの処理ユニット
間におけるウェハの搬送，並びにウェハの搬入出は，搬
送手段によって行われている。そして，搬送手段は各種
処理ユニットに対して所定の順番でウェハを搬送するよ
うにしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来で
は，このようにウェハを搬送する順番については考慮さ
れていても，ウェハの搬送経路についてはあまり考慮さ
れていなかった。そのため，ウェハの搬送経路が複雑化
してしまう場合があり，必ずしもウェハを効率よく搬送
できるとは限らず，例えばウェハの搬送に遅れが生じる
等の弊害が発生するおそれがあった。
【０００５】そこで本発明は，搬送手段による基板の搬
送経路が複雑化せず，基板を効率よく搬送することので
きる新規な基板処理装置を提供して，上記課題を解決す
ることを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に，請求項１によれば，基板を１または２以上の処理ユ
ニットにて処理した後に別の処理装置で処理し，該別の
処理装置にて処理した基板を１または２以上の処理ユニ
ットにて処理する基板処理装置において，前記別の処理
装置で処理する前の基板を処理する１または２以上の処
理ユニットを第１の搬送経路に沿って配置し，前記別の
処理装置で処理した後の基板を処理する１または２以上
の処理ユニットを第２の搬送経路に沿って配置し，前記
第１の搬送経路に沿って配置された処理ユニット間で基
板を搬送し，前記第２の搬送経路に沿って配置された処
理ユニット間で基板を搬送する搬送手段を備えたことを
特徴とする，基板処理装置が提供される。
【０００７】請求項１に記載の基板処理装置によれば，
基板は別の処理装置，例えば露光装置に搬入されるまで
搬送手段によって第１の搬送経路を通じて搬送され，第
１の搬送経路に沿って配置する１または２以上の処理ユ
ニットにて処理される。次いで，基板は別の処理装置に
搬送されて処理された後に，搬送手段によって第１の搬
送経路とは別の第２の搬送経路を通じて搬送され，第２
の搬送経路に沿って配置する１または２以上の処理ユニ
ットにて処理される。このように，互いに独立した第１
の搬送経路と第２の搬送経路とを通じて各々基板を搬送
するので，第１の搬送経路および第２の搬送経路が複雑
化することを防止できる。
【０００８】請求項２に記載の発明は，請求項１に記載
の基板処理装置において，前記搬送手段は，前記別の処
理装置で処理する前の基板を処理する１または２以上の
処理ユニットに対して基板を搬送する第１の搬送手段
と，前記別の処理装置で処理した後の基板を処理する１
または２以上の処理ユニットに対して基板を搬送する第
２の搬送手段とからなることを特徴としている。
【０００９】請求項２に記載の基板処理装置によれば，
別の処理装置にて処理される前の基板は，第１の搬送経
路を通じて，第１の搬送手段によって搬送される。次い
で，基板は別の処理装置にて処理された後に，第２の搬
送経路を通じて，第２搬送手段によって搬送される。こ
のように，第１，第２の搬送手段によって基板の搬送を
それぞれ分担させるので，従来のように一の搬送手段で
基板を搬送する場合よりも，各搬送手段の基板を搬送す
る際の負担を減少させることができる。
【００１０】請求項３に記載の発明は，請求項１または
２に記載の基板処理装置において，前記第１の搬送経路
と，第２の搬送経路との間に，空間部が形成されたこと
を特徴としている。
【００１１】請求項３に記載の基板処理装置によれば，
例えば作業者が空間部に進入し，第１の搬送経路，第２
の搬送経路に沿って配置されている処理ユニットの点検
や整備を容易に行うことができる。
【００１２】請求項４に記載の発明は，請求項１，２ま
たは３に記載の基板処理装置において，前記処理ユニッ
トは，多段に積み重ねられたことを特徴としている。
【００１３】請求項４に記載の基板処理装置によれば，
処理ユニットを多く配置して基板の処理枚数の増加を図
れる。
【００１４】請求項５に記載の発明は，前記別の処理装
置で処理する前の基板を処理する１または２以上の処理
ユニットは，基板上に所定の膜を形成する膜形成ユニッ
トを備え，前記別の処理装置は，基板を露光処理する構
成であって，前記別の処理装置で処理した後の基板を処
理する１または２以上の処理ユニットは，前記別の処理
装置にて露光処理された前記基板を現像処理する現像処
理ユニットを備えていることを特徴としている。請求項
６に記載の発明は，前記別の処理装置で処理した後の基
板を処理する１または２以上の処理ユニットは，ユニッ
ト上部に配置されたケミカルフィルタと，ユニット内部
の空気を上方から下方へ流す機構とを備えていることを
特徴としている。請求項７に記載の発明は，前記別の処
理装置で処理した後の基板を処理する１または２以上の
処理ユニットは，ＨＥＰＡフィルタを備えていることを
特徴としている。
【００１５】請求項５〜７に記載の基板処理装置によれ
ば，装置内にケミカルフィルタやＨＥＰＡフィルタが設
けられていることにより，清浄な空気中で，膜形成処理
及び現像処理を行うことができ，高品質のパターニング
膜を得ることができる。
【００１６】請求項８に記載の発明は，前記別の処理装
置で処理する前の基板を処理する１または２以上の処理
ユニット内の温度及び湿度を調整する第１の調整機構
と，前記別の処理装置で処理した後の基板を処理する１
または２以上の処理ユニット内の温度を制御する第２の
調整機構とを備えていることを特徴としている。
【００１７】請求項８に記載の基板処理装置によれば，
第１の調整機構により，別の処理装置で処理する前の基
板を処理する１または２以上の処理ユニット内の温度及
び湿度を制御することでき，第２の調整機構により，別
の処理装置で処理した後の基板を処理する１または２以
上の処理ユニット内の温度を制御することができる。
【００１８】請求項９に記載の発明は，前記別の処理装
置で処理する前の基板を処理する１または２以上の処理
ユニットは，基板上に所定の膜を形成する前に所定の処
理を施す膜形成前処理ユニットと，前記膜形成前処理ユ
ニットに対して搬送される基板が載置される載置台とを
備え，前記膜形成前処理ユニットは，前記載置台から前
記膜形成前処理ユニットに対し，前記基板を受け渡すた
めの開口部を備えていることを特徴としている。
【００１９】請求項９に記載の基板処理装置によれば，
１または２以上の膜形成前処理ユニットに開口部を形成
し，基板の受け渡し場所を多数設ける。そうなると，基
板処理装置内の基板の処理状況に応じて，最適な基板の
受け渡し場所を決定することができ，スループットを向
上させることができる。
【００２０】請求項１０に記載の発明は，前記別の処理
装置で処理した後の基板を処理する１または２以上の処
理ユニットは，前記基板を現像処理した後に所定の処理
を施す現像後処理ユニットと，前記現像後処理ユニット
にて処理された前記基板が載置される載置台とを備え，
前記現像後処理ユニットは，前記現像後処理ユニットか
ら前記載置台に対し，前記基板を受け渡すための開口部
を備えていることを特徴としている。
【００２１】請求項１０に記載の基板処理装置によれ
ば，１または２以上の現像後処理ユニットに開口部を形
成し，基板の受け渡し場所を多数設ける。そうなると，
基板処理装置内の基板の処理状況に応じて，最適な基板
の受け渡し場所を決定することができ，スループットを
向上させることができる。
【００２２】請求項１１に記載の発明は，前記第１の搬
送経路の終わりに配置された第１の不良基板回収手段
と，前記第２の搬送経路の終わりに配置された第２の不
良基板回収手段とを備えていることを特徴としている。
請求項１２に記載の発明は，前記別の処理装置で処理す
る前の基板を処理する１または２以上の処理ユニットで
処理された基板を検査する第１の検査手段と，前記別の
処理装置で処理した後の基板を処理する１または２以上
の処理ユニットで処理された基板を検査する第２の検査
手段とを備えていることを特徴としている。請求項１３
に記載の発明は，前記第１の搬送経路の終わりに配置さ
れ，前記第１の検査手段にて不良と判断された基板を回
収する第１の不良基板回収手段と，前記第２の搬送経路
の終わりに配置され，前記第２の検査手段にて不良と判
断された基板を回収する第２の不良基板回収手段とを備
えていることを特徴としている。
【００２３】請求項１１〜１３に記載の基板処理装置に
よれば，まず請求項５の記載から，別の処理装置による
露光処理の前に行われる膜形成処理の搬送経路は，第１
の搬送経路となり，露光処理後に行われる現像処理の搬
送経路は，第２の搬送経路とな。このように，それぞれ
の処理の搬送経路が独立して設けられているため，第１
の搬送経路に第１の不良基板回収手段を，第２の搬送経
路に第２の不良基板回収手段をそれぞれ設置して，膜形
成処理による不良基板，現像処理による不良基板をそれ
ぞれ効率よく回収することができる。更に，第１の搬送
経路で行われた処理で不良と判断された基板は回収され
るので，別の処理装置に投入される基板は全て良品基板
となる。その結果，膜形成処理，露光処理，現像処理の
一連の処理工程を経て形成される基板のうち，不良基板
の占める割合が少なくなり，効率良く良品基板を製造す
ることができる。
【００２４】請求項１４によれば，基板を１または２以
上の処理ユニットにて処理した後に別の処理装置で処理
し，該別の処理装置にて処理した基板を１または２以上
の処理ユニットにて処理する基板処理装置において，前
記別の処理装置で処理する前の基板を処理する１または
２以上の処理ユニットを第１の搬送経路に沿って配置
し，前記別の処理装置で処理した後の基板を処理する１
または２以上の処理ユニットを第２の搬送経路に沿って
配置し，前記別の処理装置で処理する前の基板を処理す
る１または２以上の処理ユニットに対して基板を搬送す
る第１の搬送手段と，前記別の処理装置で処理した後の
基板を処理する１または２以上の処理ユニットに対して
基板を搬送する第２の搬送手段とを備え，第１の搬送経
路と前記第２の搬送経路とを略平行に配置して，該第１
の搬送経路と第２の搬送経路との間に空間部を形成した
ことを特徴とする，基板処理装置が提供される。
【００２５】請求項１４に記載の基板処理装置によれ
ば，基板は別の処理装置にて処理されるまで，第１の搬
送手段によって第１の搬送経路を通じて搬送されなが
ら，第１の搬送経路に沿って配置する１または２以上の
処理ユニットにて処理される。次いで，基板は別の処理
装置にて所定の処理が行われた後に，第２の搬送手段に
よって第２の搬送経路を通じて搬送されながら，第２の
搬送経路に沿って配置する１または２以上の処理ユニッ
トにて処理される。このように，第１，第２の搬送経路
が独立しているので，基板の搬送経路が複雑化すること
を防止できる。さらに，第１の搬送経路と第２の搬送経
路とを略平行に配置し，第１，第２の搬送経路の間に空
間部を形成するようにしたので，例えば空間部に進入し
た作業者が，第１の搬送経路，第２の搬送経路に沿って
配置する各種処理ユニットの点検や整備を容易に行うこ
とができる。
【００２６】請求項１５によれば，基板を１または２以
上の処理ユニットにて処理した後に別の処理装置で処理
し，該別の処理装置にて処理した基板を１または２以上
の処理ユニットにて処理する基板処理装置において，前
記別の処理装置で処理する前の基板を処理する１または
２以上の処理ユニットを第１の搬送経路に沿って配置
し，前記別の処理装置で処理した後の基板を処理する１
または２以上の処理ユニットを第２の搬送経路に沿って
配置し，前記別の処理装置で処理する前の基板を処理す
る１または２以上の処理ユニットは，基板上に所定の膜
を形成する膜形成ユニットを備え，前記別の処理装置で
処理した後の基板を処理する１または２以上の処理ユニ
ットは，前記別の処理装置で処理する前の基板を処理す
る１または２以上の処理ユニットにて処理された前記基
板を，露光処理した後，現像処理する現像処理ユニット
を備えていることを特徴とする，基板処理装置が提供さ
れる。
【００２７】請求項１５に記載の基板処理装置によれ
ば，請求項１４と同様に基板の搬送経路が複雑化するこ
とを防止できる。
【００２８】請求項１６によれば，基板を１または２以
上の処理ユニットにて処理した後に別の処理装置で処理
し，該別の処理装置にて処理した基板を１または２以上
の処理ユニットにて処理する基板処理装置において，前
記別の処理装置で処理する前の基板を処理する１または
２以上の処理ユニットを第１の搬送経路に沿って配置
し，前記別の処理装置で処理した後の基板を処理する１
または２以上の処理ユニットを第２の搬送経路に沿って
配置し，前記別の処理装置で処理する前の基板を処理す
る１または２以上の処理ユニットは，基板上に所定の膜
を形成する膜形成ユニットを備え，前記別の処理装置で
処理した後の基板を処理する１または２以上の処理ユニ
ットは，前記別の処理装置で処理する前の基板を処理す
る１または２以上の処理ユニットにて処理された前記基
板を，露光処理した後，現像処理する現像処理ユニット
と，ユニット上部に配置されたケミカルフィルタと，ユ
ニット内部の空気を上方から下方へ流す機構とを備えて
いることを特徴とする，基板処理装置が提供される。
【００２９】請求項１６に記載の基板処理装置によれ
ば，請求項１４，１５と同様に基板の搬送経路が複雑化
することを防止できる。また，清浄な空気中で，膜形成
処理及び現像処理を行うことができ，高品質のパターニ
ング膜を得ることができる。
【００３０】請求項１７によれば，基板を１または２以
上の処理ユニットにて処理した後に別の処理装置で処理
し，該別の処理装置にて処理した基板を１または２以上
の処理ユニットにて処理する基板処理装置において，前
記別の処理装置で処理する前の基板を処理する１または
２以上の処理ユニットを第１の搬送経路に沿って配置
し，前記別の処理装置で処理した後の基板を処理する１
または２以上の処理ユニットを第２の搬送経路に沿って
配置し，前記別の処理装置で処理する前の基板を処理す
る１または２以上の処理ユニットは，基板上に所定の膜
を形成する膜形成ユニットを備え，前記別の処理装置で
処理した後の基板を処理する１または２以上の処理ユニ
ットは，前記別の処理装置で処理する前の基板を処理す
る１または２以上の処理ユニットにて処理された前記基
板を，露光処理した後，現像処理する現像処理ユニット
を備え，前記第１の搬送経路の終わりに，不良と判断さ
れた基板を回収する第１の不良基板回収手段を配置し，
前記第２の搬送経路の終わりに，不良と判断された基板
を回収する第２の不良基板回収手段を配置したことを特
徴とする，基板処理装置が提供される。
【００３１】請求項１７に記載の基板処理装置によれ
ば，請求項１４〜１６と同様に基板の搬送経路が複雑化
することを防止できる。また，清浄な空気中で，膜形成
処理及び現像処理を行うことができ，高品質のパターニ
ング膜を得ることができる。また，不良基板を回収し
て，効率良く良品基板を製造することができる。
【００３２】
【発明の実施の形態】以下，添付図面に基づき，本発明
の実施の形態について説明する。図１は，本発明の第１
の実施の形態にかかる基板処理装置の概略的な平面図を
示している。
【００３３】基板処理装置１は，例えば２５枚のウェハ
Ｗをカセット単位で外部から基板処理装置１内に搬入出
し，カセットＣにウェハＷを搬入出するカセットステー
ション２と，ウェハＷに対して枚葉式に所定の処理を施
す各種の処理ユニットを多段に配置してなる処理ステー
ション３と，この処理ステーション３に隣接する露光装
置（図示せず）との間でウェハＷの受け渡しを行うイン
ターフェイス部４とを一体に接続した構成を有してい
る。
【００３４】カセットステーション２では，カセット載
置台５上にカセットＣが，ウェハＷの出入口を処理ステ
ーション３側に向けてＸ方向（図１中の上下方向）に沿
って載置自在である。そして，このカセットＣの配列方
向（Ｘ方向）およびカセットＣ内に収納されたウェハＷ
の配列方向（Ｚ方向；垂直方向）に移動可能なウェハ搬
送体６が搬送路７に沿って移動可能であり，カセットＣ
に対して各々選択的にアクセスできるようになってい
る。このウェハ搬送体６はθ方向にも回転自在に構成さ
れており，後述する第１熱処理ユニット群５０のエクス
テンションユニット５４や，第４熱処理ユニット群８０
のエクステンションクーリングユニット８２やエクステ
ンションユニット８３にアクセスできるように構成され
ている。
【００３５】処理ステーション３には正面側に膜形成ユ
ニット群１０と，背面側に現像処理ユニット群１５とが
それぞれ配置されている。
【００３６】膜形成ユニット群１０は，カップＣＰに収
容されたウェハＷ上に反射防止膜を形成する反射防止膜
形成ユニット１１と，カップＣＰに収容されたウェハＷ
上にレジスト膜を形成するレジスト塗布処理ユニット１
２とがそれぞれ３段に積み重ねられた状態で２列に配置
されている。そして，膜形成ユニット１０群の下部に
は，ウェハＷにレジスト液を供給するレジスト液供給タ
ンク（図示せず）等を収納可能なケミカルボックス（図
示せず）が設けられている。
【００３７】現像処理ユニット群１５は，カップＣＰに
収容されたウェハＷに現像液を供給して処理する現像処
理ユニット１６からなり，この現像処理ユニット１６が
２段に積み重ねられた状態で２列に配置されている。そ
して，現像処理ユニット群１５の下部には，ウェハＷに
現像液を供給する現像液供給タンク（図示せず）を収納
可能なケミカルボックス（図示せず）が設けられてい
る。
【００３８】処理ステーション３の中心部には空間部２
０が形成されており，空間部２０はインターフェイス部
４に設けられた開閉自在な後記の扉９６と連通してい
る。そして，空間部２０を挟んで膜形成ユニット群１０
と現像処理ユニット群１５とは対向配置しており，膜形
成ユニット群１０と空間部２０との間にはウェハＷを搬
送する第１の搬送手段３０が，現像処理ユニット群１５
と空間部２０との間にはウェハＷを搬送する第２の搬送
手段４０が対向配置している。
【００３９】第１の搬送手段３０は露光処理前のウェハ
Ｗを第１の搬送経路３０Ａを通じて搬送するようになっ
ており，第２の搬送手段４０は露光処理後のウェハＷを
第２の搬送経路４０Ａを通じて搬送するようになってい
る。そして，第１の搬送手段３０と第２の搬送手段４０
とは基本的に同一の構成を有しており，第１の搬送手段
３０の構成を図２に基づいて説明すると，第１の搬送手
段３０には，上端及び下端で相互に接続され対向する一
体の壁部３１，３２からなる筒状支持体３３の内側に，
上下方向（Ｚ方向）に昇降自在なウェハ搬送機構３４が
設けられている。筒状支持体３３はモータ３５の回転軸
に接続されており，このモータ３５によって，前記回転
軸を中心としてウェハ搬送機構３４と一体に回転するよ
うになっている。従って，ウェハ搬送機構３４はθ方向
に回転自在となっている。
【００４０】ウェハ搬送機構３４の搬送基台３６上に
は，ウェハＷを保持する３本のピンセット３７，３８，
３９が上中下にそれぞれ備えられている。これらのピン
セット３７，３８，３９は基本的に同様の構成を有して
おり，いずれも筒状支持体３３の側面開口部３３ａを通
過自在な形態及び大きさを有している。また，ピンセッ
ト３７，３８，３９は搬送基台３６に内蔵されたモータ
（図示せず）によって前後方向に移動自在となってい
る。なお，第２の搬送手段４０には，ピンセット３７，
３８，３９と同様の機能及び構成を有するピンセット４
７，４８，４９が上中下にそれぞれ備えられている。
【００４１】第１の搬送手段３０の両側には，膜形成前
処理ユニットを有する第１熱処理ユニット群５０及び第
２熱処理ユニット群６０が配置されており，第２の搬送
手段４０の両側には，第３熱処理ユニット群７０及び現
像後処理ユニットを有する第４熱処理ユニット群８０が
それぞれ配置されている。そして，第１熱処理ユニット
群５０および第４熱処理ユニット群８０はカセットステ
ーション２側に，第２熱処理ユニット群６０及び第３熱
処理ユニット群７０はインターフェイス部４側にそれぞ
れ配置されている。
【００４２】基板処理装置１において，第１の搬送経路
３０Ａに沿って，膜形成ユニット群１０，第１熱処理ユ
ニット群５０及び第２熱処理ユニット群６０が配置され
ている。第２の搬送経路４０Ａに沿って，現像処理ユニ
ット群１５，第３熱処理ユニット群７０及び第４熱処理
ユニット群８０が配置されている。
【００４３】ここで，カセットステーション２側から見
た処理ステーション３のＰ−Ｐ線断面図を示す図３に基
づいて第１熱処理ユニット群５０及び第４熱処理ユニッ
ト群８０の構成を説明すると，第１熱処理ユニット群５
０には，ウェハＷを冷却処理するクーリングユニット５
１，５１，ウェハＷの表面に疎水化処理を施すアドヒー
ジョンユニット５２，ウェハＷの位置合わせを行うアラ
イメントユニット５３，ウェハＷを待機させるエクステ
ンションユニット５４，レジスト塗布処理後のウェハＷ
を加熱処理するプリベーキングユニット５５，５５，５
５および現像処理後のウェハＷを加熱処理するポストベ
ーキングユニット５６，５６が下から順に１０段に積み
重ねられている。
【００４４】一方，第４熱処理ユニット群８０には，ク
ーリングユニット８１，待機したウェハＷを冷却するエ
クステンションクーリングユニット８２，エクステンシ
ョンユニット８３，クーリングユニット８４，露光処理
後のウェハＷを加熱処理するポストエクスポージャーベ
ーキングユニット８５，８５および現像処理後のウェハ
Ｗを加熱処理するポストベーキングユニット８６，８
６，８６，８６が下から順に１０段に積み重ねられてい
る。
【００４５】インターフェイス部４側から見た処理ステ
ーション３のＱ−Ｑ線断面図を示す図４に基づいて第２
熱処理ユニット群６０及び第３熱処理ユニット群７０の
構成を説明すると，第２熱処理ユニット群６０には，ク
ーリングユニット６１，エクステンションクーリングユ
ニット６２，エクステンションユニット６３，６３，ク
ーリングユニット６４，６４およびプリベーキングユニ
ット６５，６５，６５，６５が下から順に１０段に積み
重ねられている。
【００４６】一方，第３熱処理ユニット群７０には，ク
ーリングユニット７１，７１，エクステンションユニッ
ト７２，７２，ポストエクスポージャベーキングユニッ
ト７３，７３，７３およびポストベーキングユニット７
４，７４，７４が下から順に１０段に積み重ねられてい
る。
【００４７】インターフェイス部４には，ウェハＷの周
辺部を露光する周辺露光装置９０と，ウェハＷを収納可
能なカセット９１と，露光装置（図示せず）にて露光さ
れたウェハＷを載置して冷却する冷却載置台９２と，カ
セット９１，冷却載置台９２および露光装置（図示せ
ず）の間でウェハＷを搬送するウェハ搬送体９３と，第
２熱処理ユニット群６０のエクステンションユニット６
３，６３，周辺露光装置９０およびカセット９１の間で
ウェハＷを搬送するウェハ搬送体９４とが設けられてい
る。
【００４８】ウェハ搬送体９４を挟んで周辺露光装置９
０の反対側には副搬送体９５が設けられており，副搬送
体９５は，ウェハ搬送体９４の搬送するウェハＷを受け
取って，第３熱処理ユニット群７０のエクステンション
ユニット７２，７２にウェハＷを搬入することができる
ようになっている。また，インターフェイス部４には処
理ステーション３の空間部２０に連通する開閉自在な前
出の扉９６が設けられており，作業者は扉９６を開けて
インターフェイス部４から空間部２０に入り込むことが
できるように構成されている。
【００４９】本発明の第１の実施の形態にかかる基板処
理装置１は以上のように構成されている。次に，基板処
理装置１の作用効果について説明する。
【００５０】カセット載置台５に例えば２５枚の未処理
のウェハＷを収納したカセットＣが載置されると，ウェ
ハ搬送体６がカセットＣにアクセスして未処理のウェハ
Ｗを１枚取り出す。そして，このウェハＷは別の処理装
置としての露光装置（図示せず）に搬送されて露光され
るまで第１の搬送手段３０によって第１の搬送経路３０
Ａを通じて各種処理ユニットに対して順次搬送されて行
く。
【００５１】即ち，ウェハ搬送体６によって取り出され
たウェハＷは，第１熱処理ユニット群５０のエクステン
ションユニット５４に搬送される。更に，第１の搬送手
段３０によって，エクステンションユニット５４内のウ
ェハＷは取り出され，第１熱処理ユニット群５０のアラ
イメントユニット５３に搬送され，アライメントユニッ
ト５３にて所定の位置合わせが行われる。次いで，ウェ
ハＷは第１の搬送手段３０に装備されたピンセット３９
に保持された状態で，同じ第１熱処理ユニット群５０の
アドヒージョンユニット５２に搬送される。このアドヒ
ージョンユニット５２にて疎水化処理の行われたウェハ
Ｗはピンセット３９に保持されて，膜形成ユニット群１
０の反射防止膜形成ユニット１１に搬送される。
【００５２】反射防止膜形成ユニット１１にて反射防止
膜の形成されたウェハＷは，第１の搬送手段３０のピン
セット３８に保持された状態で，レジスト塗布処理ユニ
ット１２に搬送されて，反射防止膜の上面にレジスト膜
が形成される。次いで，ウェハＷは第１の搬送手段３０
のピンセット３７に保持された状態で，第２熱処理ユニ
ット群６０のプリベーキングユニット６５に搬送されて
加熱処理される。
【００５３】かかる加熱処理終了後のウェハＷは第１の
搬送手段３０のピンセット３９に保持された状態で，第
２熱処理ユニット群６０のエクステンションクーリング
ユニット６２に搬送されて，所定温度まで冷却処理され
た後に，その場で待機する。こうして，第１の搬送手段
３０による第１の搬送経路３０Ａを通じたウェハＷの搬
送が終了する。
【００５４】次いで，ウェハＷはエクステンションクー
リングユニット６２からウェハ搬送体９４によって搬出
されて，周辺露光装置９０に搬送される。この周辺露光
装置９０で周辺部の不要なレジスト膜が除去されたウェ
ハＷは，別の処理装置としての露光装置（図示せず）に
搬送されて露光される。
【００５５】露光後のウェハＷは，ウェハ搬送体９３に
よって冷却載置台９２に載置されて冷却された後，ウェ
ハ搬送体９４に受け渡されて搬送される。そして，この
ウェハＷはウェハ搬送体９４から副搬送体９５に受け渡
された後に副搬送装置９５によって第３熱処理ユニット
群７０のエクステンションユニット７２に搬送されて，
その場で待機する。その後，エクステンションユニット
７２にて待機しているウェハＷは第２の搬送手段４０に
よって第２の搬送経路４０Ａを通じて各種処理ユニット
に対して搬送されて行く。
【００５６】即ち，ウェハＷは第２の搬送手段４０によ
ってエクステンションユニット７２からポストエクスポ
ージャベーキングユニット７３に搬送され，その後この
ウェハＷに対する露光処理後の加熱処理が行われる。そ
して，露光処理後の加熱処理の終了したウェハＷは，第
２の搬送手段４０のピンセット４９に保持された状態
で，クーリングユニット７１に搬送されて冷却処理され
た後に，現像処理ユニット群１５の現像処理ユニット１
６に搬送されて現像処理される。
【００５７】そして，現像処理後のウェハＷはピンセッ
ト４７に保持された状態で，第４熱処理ユニット群８０
のポストベーキングユニット８６に搬送されて加熱処理
される。次いで，ポストベーキング処理後のウェハＷは
ピンセット４９に保持されて，第４熱処理ユニット群８
０のクーリングユニット８１に搬送されて冷却処理され
る。次いで，ウェハＷはクーリングユニット８１からエ
クステンションユニット８３に搬送されて，その場で待
機する。こうして，第２の搬送手段４０によって第２の
搬送経路４０Ａを通じたウェハＷの搬送が終了する。
【００５８】そして，ウェハＷはウェハ搬送体６によっ
てエクステンションユニット８３からカセット載置台５
上のカセットＣに搬送され収納される。こうして，ウェ
ハＷに対する一連の処理が終了する。
【００５９】本発明の第１の実施の形態にかかる基板処
理装置１では，ウェハＷは露光装置（図示せず）に搬送
されて処理されるまでの間，第１の搬送手段３０によっ
て第１の搬送経路３０Ａを通じて搬送される。即ち，ウ
ェハＷは第１熱処理ユニット群５０，膜形成ユニット群
１０，第２熱処理ユニット群６０の順に搬送され，その
後露光装置（図示せず）に搬送されて露光される。次い
で，露光の終了したウェハＷは，カセットＣに収納され
るまでの間，今度は第２の搬送手段４０によって第２の
搬送経路４０Ａを通じて搬送される。即ち，ウェハＷは
第３熱処理ユニット群７０，現像処理ユニット群１５，
第４熱処理ユニット群８０の順に搬送され，その後カセ
ットＣに収納されて一連の処理が終了する。
【００６０】このように，独立した第１の搬送経路３０
Ａと第２の搬送経路４０Ａとを通じてウェハＷが搬送さ
れるので，第１の搬送経路３０Ａと第２の搬送経路４０
Ａとが複雑化することを防止することができる。
【００６１】また，露光装置（図示せず）にて処理され
る前のウェハＷは第１の搬送手段３０によって搬送され
るようになっており，露光装置（図示せず）にて既に処
理されたウェハＷは第１の搬送手段３０とは別の第２の
搬送手段４０によって搬送されるようになっている。即
ち，ウェハＷの搬送を第１，第２の搬送手段３０，４０
によって分担しているので，従来のように一の搬送手段
でウェハＷを搬送する場合よりも，第１，第２の搬送手
段３０，４０によるウェハＷの搬送距離がそれぞれ短縮
化して，各搬送手段３０，４０のウェハＷを搬送する際
の負担が減少する。従って，この点からもウェハＷの搬
送経路が複雑化することを防止でき，効率よくウェハＷ
を搬送することが可能である。
【００６２】そして，第１の搬送経路３０Ａと第２の搬
送経路４０Ａとの間に扉９６と連通する空間部２０を処
理ステーション３の中心部に形成するようにしたので，
作業者が扉９６を開けて空間部２０に入り込み，各処理
ユニットの点検や整備を行うことができる。
【００６３】次に，本発明の第２の実施の形態にかかる
基板処理装置を説明する。
【００６４】この基板処理装置１００には図５に示すよ
うに，カセットステーション３に設けられた搬送レール
１０１上を往復移動自在であって，かつ第１の搬送経路
１０２に沿って配置する各種処理ユニットに対してウェ
ハＷを搬送する第１の搬送手段１０４と，搬送レール１
０１と対向する搬送レール１０５上を往復移動自在であ
って，かつ第２の搬送経路１０３に沿って配置する各種
処理ユニットに対してウェハＷを搬送する第２の搬送手
段１０６とが備えられている。そして，第１の搬送経路
１０２と第２の搬送経路１０３とは略平行となるように
形成されており，第１の搬送経路１０２と第２の搬送経
路１０３との間には，例えば作業者が開閉自在な扉９６
を開いてインターフェイス部４から進入することのでき
る空間部１０７が形成されている。
【００６５】かかる基板処理装置１００によれば，第１
の搬送経路１０２と第２の搬送経路１０３とが略平行に
配置されているので，露光処理前のウェハＷを処理する
各種処理ユニットと，露光処理後のウェハＷを処理する
各種処理ユニットとが略平行に配置される。従って，こ
れら第１，第２の搬送経路１０２，１０３の間に形成さ
れた空間部１０７に進入した作業者は，この空間部１０
７に沿って移動しながら，略平行に配置した各種処理ユ
ニットの点検，整備をより容易に実施することができ
る。
【００６６】次に，本発明の第３の実施の形態にかかる
基板処理装置について，図６を用いて説明する。第３の
実施の形態にかかる基板処理装置２００は，前記第１の
実施の形態にかかる基板処理装置１と比較し，ケミカル
フィルタなどの清浄機構が設けられている点で異なる
が，他の構造については同様のため，清浄機構について
のみ説明する。図中，処理ステーション２０３は，第１
の実施の形態では処理ステーション３に相当する。処理
ステーション２０３の中心部には，第１の実施の形態の
空間２０に相当する空間部２２０が形成されている。第
１熱処理ユニット群２５０は，第１の実施の形態の第１
熱処理ユニット５０に相当し，第４熱処理ユニット群２
８０は，第１の実施の形態の第４熱処理ユニット群８０
に相当する。膜形成ユニット群２１０は，第１の実施の
形態の膜形成ユニット群１０に相当し，現像処理ユニッ
ト群２１５は，第１の実施の形態の現像処理ユニット群
１５に相当する。反射防止膜形成ユニット２１１は，第
１の実施の形態の反射防止膜形成ユニット１１に相当
し，現像処理ユニット２１６は，第１の実施の形態の現
像処理ユニット１６に相当する。第１の実施の形態と同
様に，膜形成ユニット群２１０，第１熱処理ユニット２
５０，レジスト塗布処理ユニット，第２熱処理ユニット
群は，第１の搬送経路に沿って配置され，現像処理ユニ
ット群２１５，第４熱処理ユニット群２８０，第３熱処
理ユニットは，第２の搬送経路に沿って配置されてい
る。
【００６７】第３の実施の形態においては，処理ステー
ション２０３内は，第１の搬送経路に沿ってウェハＷ
（基板）が搬送される第１の領域２０５と，第２の搬送
経路に沿ってウェハＷ（基板）が搬送される第２の領域
２０６とに，空間的に分離されている。第１の領域２０
５は，側板２０７ａ，２０７ｂ，天板２０７ｅ，底板２
０７ｆで取り囲まれている。第２の領域２０６は，側板
２０７ｃ，２０７ｄ，天板２０７ｅ，底板２０７ｆで取
り囲まれている。第１の領域２０５内には，膜形成ユニ
ット群２１０，第１熱処理ユニット群２５０，レジスト
塗布処理ユニット，第２熱処理ユニット群が配置されて
いる。第２の領域２０６内には，現像処理ユニット群２
１５，第４熱処理ユニット群２８０，第３熱処理ユニッ
トが配置されている。第１の領域２０５及び第２の領域
２０６内は，それぞれ上部から下部に向けて領域内の空
気が流れるダウンフロー構造をそれぞれ有している。
【００６８】第１の領域２０５内には，側板２０７ａに
沿って，垂直ダクト２３０が形成されている。第１の領
域２０５内の上部には，空気清浄機構としてケミカルフ
ィルタ２３１が配置され，天板２０７ｅとケミカルフィ
ルタ２３１との間には上部空間２３２が形成されてい
る。この上部空間２３２は垂直ダクト２３０に連通して
いる。上部空間２３２には，ファン２３３が配置されて
いる。第１の領域２０５内の底部には多孔板２３４が配
置され，底板２０７ｆと多孔板２３４との間には下部空
間２３５が形成されている。多孔板２３４には多数の通
気孔が形成され，第１の領域２０５内のダウンフローエ
アが通気孔を通って下部空間２３５に流れ込むようにな
っている。
【００６９】底部２０７ｆには循環通路２３６に連通す
る排気口２３７が形成されており，循環通路２３６を介
して下部空間２３５内の空気が，第１の調整機構として
の温度・湿度制御部２３８に送られるようになってい
る。
【００７０】第１の領域２０５内から排出された空気
は，温度・湿度制御部２３８で空気の温度と湿度が制御
され，供給通路２３９を介して，垂直ダクト２３０及び
上部空間２３２を通って，第１の領域２０５内に再び供
給されるようになっている。再び供給された空気は，ケ
ミカルフィルタ２３１を通ることにより，アンモニアや
アミンなどが除去される。アンモニアやアミンなどが除
去された空気は，下方に向けて吹き出され，膜形成ユニ
ット群２１０，レジスト塗布処理ユニット群を通って，
下部空間２３５までに流れる。また，膜形成ユニット群
２１０やレジスト塗布処理ユニット群の各ユニット内に
は，各ユニット内の温度，湿度を検出するための制御セ
ンサが配置されている。制御センサによる検出結果は制
御部２４０に送られ，制御センサにより検出された結果
に基づいて温度・湿度制御部２３８を制御する。
【００７１】第２の領域２０６内には，側板２０７ｄに
沿って，垂直ダクト２６０が形成されている。第２の領
域２０６内の上部には，空気清浄機構としてのケミカル
フィルタ２６１，ＨＥＰＡフィルタ２６２が配置され，
天板２０７ｅとケミカルフィルタ２６１との間には上部
空間２６３が形成されている。この上部空間２６３は，
垂直ダクト２６０に連通している。上部空間２６３に
は，ファン２６４が配置されている。第２の領域２０６
内の底部には多孔板２６５が配置され，底板２０７ｆと
多孔板２６５との間には下部空間２６６が形成されてい
る。多孔板２６５には多数の通気孔が形成され，第２の
領域２０６内のダウンフローエアが通気孔を通って下部
空間２６６に流れ込むようになっている。
【００７２】底板２０７ｆには，循環通路２６７に連通
する排気口２６８が形成されており，循環通路２６７を
介して下部空間２６６内の空気が，第２の調整機構とし
ての温度制御部２６９に送られるようになっている。
【００７３】第２の領域２０６内から排出された空気
は，温度制御部２６９で空気の温度が制御され，供給通
路２７０を介して，垂直ダクト２６０及び上部空間２６
３を通って，第２の領域２０６内に再び供給されるよう
になっている。再び供給された空気は，ケミカルフィル
タ２６１を通ることにより，アンモニアやアミンなどが
除去される。更に，空気は，ＨＥＰＡフィルタ２６２に
より，パーティクルが除去される。その後，空気は，下
方に向けて吹き出され，現像処理ユニット群２１５の各
ユニットを通って，下部空間２６６までに流れる。ま
た，現像処理ユニット群２１５の各ユニット内には，各
ユニット内の温度を検出するための制御センサが配置さ
れている。制御センサによる検出結果は制御部２７１に
送られ，制御センサにより検出された結果に基づいて温
度制御部２６９を制御する。なお，図中における矢印は
空気の流れを示すものである。
【００７４】更に，露光処理後，ウェハＷが第２の領域
２０６内へ搬入されるまでの間に通るインターフェース
部の上部には，ケミカルフィルタが設けられている。
【００７５】図７に示すように，第１熱処理ユニット群
２５０には，ウェハＷを冷却処理するクーリングユニッ
ト２５１，２５１，ウェハＷの表面に疎水化処理を施す
アドヒージョンユニット２５２，ウェハＷの位置合わせ
を行うアライメントユニット２５３，ウェハＷを待機さ
せるエクステンションユニット２５４，レジスト塗布処
理後のウェハＷを加熱処理するプリベーキングユニット
２５５，２５５，２５５および現像処理後のウェハＷを
加熱処理するポストベーキングユニット２５６，２５６
が下から順に１０段に積み重ねられている。
【００７６】第３熱処理ユニット群２８０には，クーリ
ングユニット２８１，待機したウェハＷを冷却するエク
ステンションクーリングユニット２８２，エクステンシ
ョンユニット２８３，クーリングユニット２８４，露光
処理後のウェハＷを加熱処理するポストエクスポージャ
ーベーキングユニット２８５，２８５および現像処理後
のウェハＷを加熱処理するポストベーキングユニット２
８６，２８６，２８６，２８６が下から順に１０段に積
み重ねられている。
【００７７】第３の実施の形態では，ウェハＷ上に何ら
かの膜が形成されるユニットが配置される第１の領域２
０５及び露光後のウェハが配置されるインターフェース
部内には，ケミカルフィルタ２３１が配置され，現像処
理されるユニットが配置される第２の領域２０６内に
は，ケミカルフィルタ２６１に加え，ＨＥＰＡフィルタ
２６２が配置されている。尚，第１の領域２０５内に配
置されるフィルタとしてケミカルフィルタ２３１の他に
パーティクルを除去するＨＥＰＡフィルタを設けてもよ
い。また，ＨＥＰＡフィルタとケミカルフィルタの２種
類のフィルタを設ける場合，その配置順は限定されな
い。
【００７８】レジスト材として化学増幅型レジストを用
いる場合は，ウェハＷが露光処理後から現像処理終了ま
でに配置されるインターフェース部内と第２の領域２０
６内にケミカルフィルタを設けることが望ましく，ケミ
カルフィルタにより内部のアルカリ成分を除去すること
ができる。化学増幅型レジスト材は，レジスト中に感光
剤として酸発生剤，酸感応物質を含有してなり，露光処
理によって酸が発生する。そして，露光処理に続く加熱
処理によって，酸を触媒として酸感応物質が反応し，レ
ジストの溶解性を変化させる。従って，処理雰囲気中に
アンモニアやアミンといったアルカリ成分が存在する
と，これらアルカリ成分と酸とが中和してしまい，反応
が進まなくなる。このため，化学増幅側レジスト材を用
いる場合，露光処理後から現像処理終了までの間は，処
理雰囲気内からアルカリ成分を除去することが，反応が
速やかに行われるために重要となり，露光処理後から現
像処理終了までの間にウェハが配置される処理室内にケ
ミカルフィルタを配置することが望ましい。
【００７９】また，第３の実施の形態では，何らかの膜
が形成されるユニットが配置される第１の領域２０５内
に供給される空気について温度・湿度制御を行っている
が，現像処理ユニットが配置される第２の領域２０６内
に供給される空気については温度制御のみが行われてい
る。これは，何らかの膜をウェハＷ（基板）上に形成す
るときには，特に湿度の変化が膜厚に影響を及ぼすた
め，何らかの膜が形成されるユニット内に供給される空
気の湿度を調整する機構を設けることが望ましいためで
ある。
【００８０】このように第３の実施の形態においては，
基板処理装置２００内に，ケミカルフィルタ２３１，２
６１，ＨＥＰＡフィルタ２６２等が設けられていること
により，清浄な空気中で，膜形成処理及び現像処理を行
うことができ，高品質のパターニング膜を得ることがで
きる。
【００８１】次に，第４の実施の形態にかかる基板処理
装置について，図８を用いて説明する。第４の実施の形
態にかかる基板処理装置３０１は，第１の実施の形態に
かかる基板処理装置１と比較し，第１の搬送経路に沿っ
て処理された基板を検査する第１の検査装置と，第１の
検査装置によって不良と判断された基板を回収する第１
の不良基板回収手段と，第２の搬送経路に沿って処理さ
れた基板を検査する第２の検査装置と，第２の検査装置
によって不良と判断された基板を回収する第２の不良基
板回収手段とを更に有する点で異なる。他の構造につい
ては同様のため，同様の点については詳細な説明を省略
する。
【００８２】基板処理装置３０１は，例えば２５枚のウ
ェハＷをカセット単位で外部から基板処理装置３０１内
に搬入出し，カセットＣにウェハＷを搬入出するカセッ
トステーション３０２と，ウェハＷに対して枚葉式に所
定の処理を施す各種の処理ユニットを多段に配置してな
る処理ステーション３０３と，この処理ステーション３
０３に隣接する露光装置（図示せず）との間でウェハＷ
の受け渡しを行うインターフェイス部３０４とを一体に
接続した構成を有している。
【００８３】カセットステーション３０２では，カセッ
ト載置台３０５上にカセットＣが，ウェハＷの出入口を
処理ステーション３０３側に向けてＸ方向に沿って載置
自在である。そして，このカセットＣの配列方向（Ｘ方
向）およびカセットＣ内に収納されたウェハＷの配列方
向（Ｚ方向；垂直方向）に移動可能なウェハ搬送体３０
６が搬送路３０７に沿って移動可能であり，カセットＣ
に対して各々選択的にアクセスできるようになってい
る。このウェハ搬送体３０６はθ方向にも回転自在に構
成されており，後述する第１熱処理ユニット群３５０の
エクステンションユニット３５４，アライメントユニッ
ト３５３や，第４熱処理ユニット群３８０のエクステン
ションクーリングユニット３８２，エクステンションユ
ニット３８３，クーリングユニット３８１及び３８４に
アクセスできるように構成されている。
【００８４】また，カセット載置台３０５上には，後述
する第２の搬送経路３４０Ａの終わりに配置された第２
の不良基板回収手段としての第２の不良基板回収カセッ
ト３２４が載置されている。第２の搬送経路３４０Ａを
通って処理されたウェハＷ（基板）は，現像処理後のパ
ターニング膜の膜厚や膜質などを検査する第２の検査装
置３２３へ，ウェハ搬送体３０６により搬送され，検査
される。検査により，不良と判断されたものは，第２の
不良基板回収カセット３２４に回収される。
【００８５】処理ステーション３０３には，膜形成ユニ
ット群３１０と，現像処理ユニット群３１５とがそれぞ
れ配置されている。膜形成ユニット群３１０は，反射防
止膜形成ユニット３１１と，レジスト塗布処理ユニット
３１２とがそれぞれ３段に積み重ねられた状態で２列に
配置されている。現像処理ユニット群３１５は，現像処
理ユニット３１６が２段に積み重ねられた状態で２列に
配置されている。
【００８６】処理ステーション３０３の中心部には空間
部３２０が形成されており，空間部３２０はインターフ
ェイス部３０４に設けられた開閉自在な後記の扉３９６
と連通している。そして，空間部３２０を挟んで膜形成
ユニット群３１０と現像処理ユニット群３１５とは隙間
をもって対向配置しており，膜形成ユニット群３１０と
空間部３２０との間にはウェハＷを搬送する第１の搬送
手段３３０が，現像処理ユニット群３１５と空間部３２
０との間にはウェハＷを搬送する第２の搬送手段３４０
が対向配置している。
【００８７】第１の搬送手段３３０は露光処理前のウェ
ハＷを第１の搬送経路３３０Ａを通じて搬送するように
なっており，第２の搬送手段３４０は露光処理後のウェ
ハＷを第２の搬送経路３４０Ａを通じて搬送するように
なっている。そして，第１の搬送手段３３０と第２の搬
送手段３４０とは基本的に同一の構成を有しており，そ
れぞれウェハＷを保持するピンセット３３７，３４７を
有している。
【００８８】第１の搬送手段３３０の両側には，第１熱
処理ユニット群３５０及び第２熱処理ユニット群３６０
が配置されており，第２の搬送手段３４０の両側には，
第３熱処理ユニット群３７０及び第４熱処理ユニット群
３８０がそれぞれ配置されている。そして，第１熱処理
ユニット群３５０および第４熱処理ユニット群３８０は
カセットステーション３０２側に，第２熱処理ユニット
群３６０及び第３熱処理ユニット群３７０はインターフ
ェイス部３０４側にそれぞれ配置されている。
【００８９】ここで，図９を用いて，第１熱処理ユニッ
ト群３５０及び第４熱処理ユニット群３８０の構成を説
明する。
【００９０】第１熱処理ユニット群３５０には，ウェハ
Ｗを冷却処理するクーリングユニット３５１，３５１，
ウェハＷの表面に疎水化処理を施すアドヒージョンユニ
ット３５２，ウェハＷの位置合わせを行う膜形成前処理
ユニットとしてのアライメントユニット３５３，ウェハ
Ｗを待機させる膜形成前処理ユニットとしてのエクステ
ンションユニット３５４，レジスト塗布処理後のウェハ
Ｗを加熱処理するプリベーキングユニット３５５，３５
５，３５５および現像処理後のウェハＷを加熱処理する
ポストベーキングユニット３５６，３５６が下から順に
１０段に積み重ねられている。カセットステーション３
０２と第１熱処理ユニット群３５０とのウェハＷの受け
渡しは，アライメントユニット３５３に形成された開口
部４０１またはエクステンションユニット３５４に形成
された開口部４０２を介して行われる。
【００９１】第１の実施の形態の基板処理装置１におい
ては，カセット載置台５に載置されたウェハＷと第１熱
処理ユニット群５０とのウェハＷの受け渡しは，エクス
テンションユニット５４に設けられた開口部を介して行
われる。これに対し，第３の実施の形態の基板処理装置
３０１においては，エクステンションユニット３５４に
形成された開口部４０２に加え，アライメントユニット
３５３に形成された開口部４０１を介してもウェハＷの
受け渡しを行うことができる。従って，エクステンショ
ンユニット３５４を通らずに，アライメントユニット３
５３内にウェハＷを搬入することができ，基板処理装置
３０１内のウェハＷの処理状況に応じて，最適なウェハ
Ｗの搬入場所（受け渡し場所）を決定することができ，
スループットを向上させることができる。
【００９２】一方，第４熱処理ユニット群３８０には，
現像後処理ユニットとしてのクーリングユニット３８
１，待機したウェハＷを冷却する現像後処理ユニットと
してのエクステンションクーリングユニット３８２，エ
クステンションユニット３８３，クーリングユニット３
８４，露光処理後のウェハＷを加熱処理するポストエク
スポージャーベーキングユニット３８５，３８５および
現像処理後のウェハＷを加熱処理するポストベーキング
ユニット３８６，３８６，３８６，３８６が下から順に
１０段に積み重ねられている。カセットステーション３
０２と第４熱処理ユニット群３８０とのウェハＷの受け
渡しは，クーリングユニット３８１に形成された開口部
４０５，エクステンションクーリングユニット３８２に
形成された開口部４０６，エクステンションユニット３
８３に形成された開口部４０７，クーリングユニット３
８４に形成された開口部４０８を介して行われる。
【００９３】第１の実施の形態の基板処理装置１におい
ては，カセットステーション２と第４熱処理ユニット群
８０とのウェハＷの受け渡しは，エクステンションユニ
ット８３，エクステンションクーリングユニット８２に
形成された開口部を介して行われている。これに対し，
第３の実施の形態の基板処理装置３０１においては，エ
クステンションクーリングユニット３８２に形成された
開口部４０６，エクステンションユニット３８３に形成
された開口部４０７に加え，クーリングユニット３８１
に形成された開口部４０５，クーリングユニット３８４
に形成された開口部４０８を介してもウェハＷの受け渡
しを行うことができる。従って，エクステンションクー
リングユニット３８２，エクステンションユニット３８
３を通らずにウェハＷを搬送することができる。従っ
て，クーリングユニット３８１，３８４内からウェハＷ
を直接取り出すことができ，基板処理装置３０１内のウ
ェハＷの処理状況に応じて，最適なウェハＷの取り出し
場所（受け渡し場所）を決定することができ，スループ
ットを向上させることができる。
【００９４】インターフェイス部３０４には，ウェハＷ
の周辺部を露光する周辺露光装置３９０と，ウェハＷを
収納可能なカセット３９１と，露光装置（図示せず）に
て露光されたウェハＷを載置して冷却する冷却載置台３
９２と，カセット３９１，冷却載置台３９２および露光
装置（図示せず）の間でウェハＷを搬送するウェハ搬送
体３９３と，第２熱処理ユニット群３６０のエクステン
ションユニット，周辺露光装置３９０およびカセット３
９１の間でウェハＷを搬送するウェハ搬送体３９４とが
設けられている。
【００９５】更に，インターフェース部３０４には，第
１の搬送経路３３０Ａの終わりに配置された第１不良基
板回収手段としての第１の不良基板回収カセット３２２
が載置されている。第１の搬送経路３３０Ａを通って処
理されたウェハＷ（基板）は，成膜された膜の膜厚や膜
質などを検査する第１の検査装置３２１へ，ウェハ搬送
体３９４により搬送され，検査される。検査により，不
良と判断されたものは，第１の不良基板回収カセット３
２２に回収される。
【００９６】ウェハ搬送体３９４を挟んで周辺露光装置
３９０の反対側には副搬送体３９５が設けられており，
副搬送体３９５は，ウェハ搬送体３９４の搬送するウェ
ハＷを受け取って，第３熱処理ユニット群３７０のエク
ステンションユニットにウェハＷを搬入することができ
るようになっている。また，インターフェイス部３０４
には処理ステーション３０３の空間部３２０に連通する
開閉自在な前出の扉３９６が設けられており，作業者は
扉３９６を開けてインターフェイス部３０４から空間部
３２０に入り込むことができるように構成されている。
【００９７】第４の実施の形態にかかる基板処理装置３
０１においては，図示しない露光装置による露光処理の
前に行われる膜形成処理と，露光処理後に行われる現像
処理のそれぞれの処理の搬送経路が独立して設けられて
いるため，第１の搬送経路３３０Ａに不良基板回収カセ
ット３２２を，第２の搬送経路３４０Ａに不良基板回収
カセット３２４をそれぞれ設置して，膜形成処理による
不良基板，現像処理による不良基板をそれぞれ効率よく
回収することができる。更に，第１の搬送経路３３０Ａ
で行われた処理で不良と判断されたウェハＷ（基板）は
回収されるので，露光装置に投入されるウェハＷは全て
良品ウェハ（良品基板）となる。その結果，膜形成処
理，露光処理，現像処理の一連の処理工程を経て形成さ
れるウェハＷのうち，不良ウェハ（不良基板）の占める
割合が少なくなり，効率良く良品ウェハを製造すること
ができる。
【００９８】なお，前記実施の形態では基板にウェハＷ
を使用した例を挙げて説明したが，本発明に使用可能な
基板はウェハＷには限定されず，例えばＬＣＤ基板やＣ
Ｄ基板等であってもよい。
【００９９】以上説明した各実施の形態は，あくまでも
本発明の技術的内容を明らかにする意図のものにおい
て，本発明はそうした具体例にのみ限定して狭義に解釈
されるものではなく，本発明の精神とクレームに述べる
範囲で，いろいろと変更して実施することができるもの
である。
【０１００】
【発明の効果】請求項１〜１７に記載の発明では，基板
の搬送経路が複雑化しないので，基板を効率よく搬送す
ることができる。
【０１０１】特に請求項２，１４に記載の発明では，第
１の搬送手段と第２の搬送手段とで基板を分担して搬送
するので，第１の搬送手段および第２の搬送手段の基板
搬送時の負担が減少する。従って，基板の搬送経路が複
雑化することをより確実に防止することができる。
【０１０２】特に請求項３，４，１４に記載の発明で
は，処理ユニットの点検や整備をより容易に実施するこ
とができる。
【０１０３】請求項５〜７，１６，１７に記載の発明で
は，清浄な空気中で，膜形成処理及び現像処理を行うこ
とができ，高品質のパターニング膜を得ることができ
る。
【０１０４】請求項８に記載の発明では，処理ユニット
内の湿度や温度を制御することができる。
【０１０５】請求項９，１０に記載の発明では，板処理
装置内の基板の処理状況に応じて，最適な基板の受け渡
し場所を決定することができ，スループットを向上させ
ることができる。
【０１０６】請求項１１〜１３，１７に記載の発明で
は，不良基板を回収して，効率良く良品基板を製造する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態にかかる基板処理装
置の平面図である。
【図２】図１の基板処理装置に装備された第１の搬送手
段の構成を示す斜視図である。
【図３】図１の基板処理装置をカセットステーション側
から見た側面図である。
【図４】図１の基板処理装置をインターフェイス部側か
ら見た側面図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態にかかる基板処理装
置の平面図である。
【図６】本発明の第３の実施の形態にかかる基板処理装
置をカセットステーション側からみた側面図である。
【図７】図６の基板処理装置の第１熱処理ユニット群及
び第３熱処理ユニット群を拡大して示した側面図であ
る。
【図８】本発明の第４の実施の形態にかかる基板処理装
置の平面図である。
【図９】図８の基板処理装置のカセットステーション側
からみた第１熱処理ユニット群及び第３熱処理ユニット
群の斜視図である。
【符号の説明】
１ 基板処理装置 １０ 膜形成ユニット群 １５ 現像処理ユニット群 ２０ 空間部 ３０ 第１の搬送手段 ４０ 第２の搬送手段 ５０ 第１熱処理ユニット群 ６０ 第２熱処理ユニット群 ７０ 第３熱処理ユニット群 ８０ 第４熱処理ユニット群 ９６ 扉 Ｃ カセット Ｗ ウェハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H096 AA25 GA24 LA30 5F031 CA02 CA05 DA01 FA01 FA07 FA11 FA12 FA14 FA15 GA03 GA06 GA47 GA48 GA49 GA50 MA02 MA03 MA04 MA06 MA13 MA16 MA24 MA26 MA27 MA30 MA33 NA02 NA20 5F046 CD01 CD05 CD06 JA22 LA18

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板を１または２以上の処理ユニットに
    て処理した後に別の処理装置で処理し，該別の処理装置
    にて処理した基板を１または２以上の処理ユニットにて
    処理する基板処理装置において，前記別の処理装置で処
    理する前の基板を処理する１または２以上の処理ユニッ
    トを第１の搬送経路に沿って配置し，前記別の処理装置
    で処理した後の基板を処理する１または２以上の処理ユ
    ニットを第２の搬送経路に沿って配置し，前記第１の搬
    送経路に沿って配置された処理ユニット間で基板を搬送
    し，前記第２の搬送経路に沿って配置された処理ユニッ
    ト間で基板を搬送する搬送手段を備えたことを特徴とす
    る，基板処理装置。
  2. 【請求項２】 前記搬送手段は，前記別の処理装置で処
    理する前の基板を処理する１または２以上の処理ユニッ
    トに対して基板を搬送する第１の搬送手段と，前記別の
    処理装置で処理した後の基板を処理する１または２以上
    の処理ユニットに対して基板を搬送する第２の搬送手段
    とからなることを特徴とする，請求項１に記載の基板処
    理装置。
  3. 【請求項３】 前記第１の搬送経路と，第２の搬送経路
    との間に，空間部が形成されたことを特徴とする，請求
    項１または２に記載の基板処理装置。
  4. 【請求項４】 前記処理ユニットは，多段に積み重ねら
    れたことを特徴とする，請求項１，２または３に記載の
    基板処理装置。
  5. 【請求項５】 前記別の処理装置で処理する前の基板を
    処理する１または２以上の処理ユニットは，基板上に所
    定の膜を形成する膜形成ユニットを備え，前記別の処理
    装置は，基板を露光処理する構成であって，前記別の処
    理装置で処理した後の基板を処理する１または２以上の
    処理ユニットは，前記別の処理装置にて露光処理された
    前記基板を現像処理する現像処理ユニットを備えている
    ことを特徴とする，請求項１，２，３または４に記載の
    基板処理装置。
  6. 【請求項６】 前記別の処理装置で処理した後の基板を
    処理する１または２以上の処理ユニットは，ユニット上
    部に配置されたケミカルフィルタと，ユニット内部の空
    気を上方から下方へ流す機構とを備えていることを特徴
    とする，請求項１，２，３，４または５に記載の基板処
    理装置
  7. 【請求項７】 前記別の処理装置で処理した後の基板を
    処理する１または２以上の処理ユニットは，ＨＥＰＡフ
    ィルタを備えていることを特徴とする，請求項１，２，
    ３，４，５または６に記載の基板処理装置。
  8. 【請求項８】 前記別の処理装置で処理する前の基板を
    処理する１または２以上の処理ユニット内の温度及び湿
    度を調整する第１の調整機構と，前記別の処理装置で処
    理した後の基板を処理する１または２以上の処理ユニッ
    ト内の温度を制御する第２の調整機構とを備えているこ
    とを特徴とする，請求項１，２，３，４，５，６または
    ７に記載の基板処理装置。
  9. 【請求項９】 前記別の処理装置で処理する前の基板を
    処理する１または２以上の処理ユニットは，基板上に所
    定の膜を形成する前に所定の処理を施す膜形成前処理ユ
    ニットと，前記膜形成前処理ユニットに対して搬送され
    る基板が載置される載置台とを備え，前記膜形成前処理
    ユニットは，前記載置台から前記膜形成前処理ユニット
    に対し，前記基板を受け渡すための開口部を備えている
    ことを特徴とする，請求項５に記載の基板処理装置。
  10. 【請求項１０】 前記別の処理装置で処理した後の基板
    を処理する１または２以上の処理ユニットは，前記基板
    を現像処理した後に所定の処理を施す現像後処理ユニッ
    トと，前記現像後処理ユニットにて処理された前記基板
    が載置される載置台とを備え，前記現像後処理ユニット
    は，前記現像後処理ユニットから前記載置台に対し，前
    記基板を受け渡すための開口部を備えていることを特徴
    とする，請求項５または９に記載の基板処理装置。
  11. 【請求項１１】 前記第１の搬送経路の終わりに配置さ
    れた第１の不良基板回収手段と，前記第２の搬送経路の
    終わりに配置された第２の不良基板回収手段とを備えて
    いることを特徴とする，請求項１，２，３，４，５，
    ６，７，８，９または１０に記載の基板処理装置。
  12. 【請求項１２】 前記別の処理装置で処理する前の基板
    を処理する１または２以上の処理ユニットで処理された
    基板を検査する第１の検査手段と，前記別の処理装置で
    処理した後の基板を処理する１または２以上の処理ユニ
    ットで処理された基板を検査する第２の検査手段とを備
    えていることを特徴とする，請求項１，２，３，４，
    ５，６，７，８，９，１０または１１に記載の基板処理
    装置。
  13. 【請求項１３】 前記第１の搬送経路の終わりに配置さ
    れ，前記第１の検査手段にて不良と判断された基板を回
    収する第１の不良基板回収手段と，前記第２の搬送経路
    の終わりに配置され，前記第２の検査手段にて不良と判
    断された基板を回収する第２の不良基板回収手段とを備
    えていることを特徴とする，請求項１２に記載の基板処
    理装置。
  14. 【請求項１４】 基板を１または２以上の処理ユニット
    にて処理した後に別の処理装置で処理し，該別の処理装
    置にて処理した基板を１または２以上の処理ユニットに
    て処理する基板処理装置において，前記別の処理装置で
    処理する前の基板を処理する１または２以上の処理ユニ
    ットを第１の搬送経路に沿って配置し，前記別の処理装
    置で処理した後の基板を処理する１または２以上の処理
    ユニットを第２の搬送経路に沿って配置し，前記別の処
    理装置で処理する前の基板を処理する１または２以上の
    処理ユニットに対して基板を搬送する第１の搬送手段
    と，前記別の処理装置で処理した後の基板を処理する１
    または２以上の処理ユニットに対して基板を搬送する第
    ２の搬送手段とを備え，第１の搬送経路と前記第２の搬
    送経路とを略平行に配置して，該第１の搬送経路と第２
    の搬送経路との間に空間部を形成したことを特徴とす
    る，基板処理装置。
  15. 【請求項１５】 基板を１または２以上の処理ユニット
    にて処理した後に別の処理装置で処理し，該別の処理装
    置にて処理した基板を１または２以上の処理ユニットに
    て処理する基板処理装置において，前記別の処理装置で
    処理する前の基板を処理する１または２以上の処理ユニ
    ットを第１の搬送経路に沿って配置し，前記別の処理装
    置で処理した後の基板を処理する１または２以上の処理
    ユニットを第２の搬送経路に沿って配置し，前記別の処
    理装置で処理する前の基板を処理する１または２以上の
    処理ユニットは，基板上に所定の膜を形成する膜形成ユ
    ニットを備え，前記別の処理装置で処理した後の基板を
    処理する１または２以上の処理ユニットは，前記別の処
    理装置で処理する前の基板を処理する１または２以上の
    処理ユニットにて処理された前記基板を，露光処理した
    後，現像処理する現像処理ユニットを備えていることを
    特徴とする，基板処理装置。
  16. 【請求項１６】 基板を１または２以上の処理ユニット
    にて処理した後に別の処理装置で処理し，該別の処理装
    置にて処理した基板を１または２以上の処理ユニットに
    て処理する基板処理装置において，前記別の処理装置で
    処理する前の基板を処理する１または２以上の処理ユニ
    ットを第１の搬送経路に沿って配置し，前記別の処理装
    置で処理した後の基板を処理する１または２以上の処理
    ユニットを第２の搬送経路に沿って配置し，前記別の処
    理装置で処理する前の基板を処理する１または２以上の
    処理ユニットは，基板上に所定の膜を形成する膜形成ユ
    ニットを備え，前記別の処理装置で処理した後の基板を
    処理する１または２以上の処理ユニットは，前記別の処
    理装置で処理する前の基板を処理する１または２以上の
    処理ユニットにて処理された前記基板を，露光処理した
    後，現像処理する現像処理ユニットと，ユニット上部に
    配置されたケミカルフィルタと，ユニット内部の空気を
    上方から下方へ流す機構とを備えていることを特徴とす
    る，基板処理装置。
  17. 【請求項１７】 基板を１または２以上の処理ユニット
    にて処理した後に別の処理装置で処理し，該別の処理装
    置にて処理した基板を１または２以上の処理ユニットに
    て処理する基板処理装置において，前記別の処理装置で
    処理する前の基板を処理する１または２以上の処理ユニ
    ットを第１の搬送経路に沿って配置し，前記別の処理装
    置で処理した後の基板を処理する１または２以上の処理
    ユニットを第２の搬送経路に沿って配置し，前記別の処
    理装置で処理する前の基板を処理する１または２以上の
    処理ユニットは，基板上に所定の膜を形成する膜形成ユ
    ニットを備え，前記別の処理装置で処理した後の基板を
    処理する１または２以上の処理ユニットは，前記別の処
    理装置で処理する前の基板を処理する１または２以上の
    処理ユニットにて処理された前記基板を，露光処理した
    後，現像処理する現像処理ユニットを備え，前記第１の
    搬送経路の終わりに，不良と判断された基板を回収する
    第１の不良基板回収手段を配置し，前記第２の搬送経路
    の終わりに，不良と判断された基板を回収する第２の不
    良基板回収手段を配置したことを特徴とする，基板処理
    装置。
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