JP3495292B2 - 基板処理装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板に対して例え
ばレジスト塗布・現像処理のような処理を行う基板処理
装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば半導体デバイスの製造プロセスに
おいては、被処理基板例えば半導体ウエハに処理液例え
ばフォトレジスト液を塗布し、フォトリソグラフィ技術
を用いて回路パターン等を縮小してフォトレジスト膜を
露光し、これを現像処理する一連の処理工程がある。こ
の処理工程は、半導体デバイスの高集積化には極めて重
要なプロセスである。

【０００３】このような処理工程においては、洗浄処理
された半導体ウエハに対して、まずアドヒージョン処理
ユニットにて疎水化処理を施し、冷却処理ユニットにて
冷却した後、レジスト塗布ユニットにてフォトレジスト
膜を塗布形成する。このフォトレジスト膜が形成された
半導体ウエハに対し、ホットプレートユニットにてプリ
ベーク処理を施した後、冷却処理ユニットにて冷却し、
露光装置にて所定のパターンを露光する。引き続き、露
光後の半導体ウエハに対してポストエクスポージャーベ
ーク処理を施した後、冷却処理ユニットにて冷却し、現
像ユニットにて現像液を塗布して露光パターンを現像す
る。そして、最後に、ホットプレートユニットにてポス
トベーク処理を施す。

【０００４】このような一連の処理工程のうち、露光処
理を除く工程は、これらの処理ユニットを一体的に集約
したレジスト塗布・現像処理システムによって行われて
いる。このようなレジスト塗布・現像処理システムの一
つのタイプとして、垂直方向に延在された搬送路の周囲
に、上記の複数の処理機構が垂直方向に積層して配置さ
れ、この搬送路を垂直に移動し、水平方向に移動するア
ームを備えた搬送機構によって、半導体ウエハを各処理
機構に搬入・搬出するようにしたものが提案されている
（特開平４−８５８１２号公報）。このような処理シス
テムでは、複数の処理機構間で基板を搬送する際、基板
の搬送経路が短く、かつ装置の小型化が可能で、基板の
移載を短時間で行うことができ、装置効率を高くするこ
とができる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年、
半導体ウエハが大型化進み、３００ｍｍウエハの時代に
突入しようとしており、上記システムにおいてこのよう
な大型の半導体ウエハに対応しようとすると、装置のフ
ットプリントが大きくなってしまうとともに、ウエハを
搬送する際のアームの水平移動距離が大きくなって搬送
機構自体が極めて大掛かりなものとなってしまう。ま
た、上記従来技術では、メンテナンスをシステムの外側
から行わざるを得ず、メンテナンス性が悪いという問題
もある。

【０００６】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であって、装置のフットプリントが小さく、搬送機構が
大掛かりになることがなく、しかもメンテナンス性が高
い、大型基板の処理に適した基板処理装置を提供するこ
とを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、第１発明は、基板に対して複数工程からなる処理を
施す基板処理装置であって、前記複数の工程に対応して
各々基板に対して所定の処理を施す複数の処理機構と、
前記複数の処理機構のそれぞれに対して基板を搬入また
は搬出する搬送機構とを具備し、前記複数の処理機構
は、空間の周囲に放射状に配置され、前記搬送機構は、
前記空間に設けられるとともに、前記複数の処理機構の
それぞれの搬入出口を介してその中にアクセス可能なよ
うに前記空間に設けられたループ状をなすレールに沿っ
て移動することを特徴とする基板処理装置を提供する。

【０００８】第２発明は、基板に対して複数工程からな
る処理を施す基板処理装置であって、前記複数の工程に
対応して各々基板に対して所定の処理を施す複数の処理
機構が垂直方向に多段に積層してなる複数の処理部と、
前記複数の処理機構のそれぞれに対して基板を搬入また
は搬出する搬送機構とを具備し、前記複数の処理部は、
空間の周囲に放射状に配置され、前記搬送機構は、前記
空間に設けられるとともに基板を搬送する搬送体を有
し、前記複数の処理機構のそれぞれの搬入出口を介して
その中にアクセス可能なように、前記空間をループ状に
移動し、かつ前記搬送体が上下方向に移動することを特
徴とする基板処理装置を提供する。

【０００９】第３発明は、基板に対して複数工程からな
るレジスト処理を施す基板処理装置であって、前記レジ
スト処理のための複数の工程に対応して各々基板に対し
て所定の処理を施す複数の処理機構と、前記複数の処理
機構のそれぞれに対して基板を搬入または搬出する搬送
機構とを具備し、前記複数の処理機構は、空間の周囲に
放射状に配置され、基板にレジスト液を塗布する塗布処
理機構と、基板上のレジストを露光した後、現像処理を
施す現像処理機構と、基板に対して熱的処理を施す熱的
処理機構とを含み、前記搬送機構は、前記空間に設けら
れるとともに、前記複数の処理機構のそれぞれの搬入出
口を介してその中にアクセス可能なように前記空間をル
ープ状に移動することを特徴とする基板処理装置を提供
する。

【００１０】第４発明は、基板に対して複数工程からな
るレジスト処理を施す基板処理装置であって、前記レジ
スト処理のための複数の工程に対応して各々基板に対し
て所定の処理を施す複数の処理機構が垂直方向に多段に
積層してなる複数の処理部と、前記複数の処理機構のそ
れぞれに対して基板を搬入または搬出する搬送機構とを
具備し、前記複数の処理機構は、基板にレジスト液を塗
布する塗布処理機構と、基板上のレジストを露光した
後、現像処理を施す現像処理機構と、基板に対して熱的
処理を施す熱的処理機構とを含み、前記複数の処理部
は、空間の周囲に放射状に配置され、前記搬送機構は、
前記空間に設けられるとともに基板を搬送する搬送体を
有し、前記複数の処理機構のそれぞれの搬入出口を介し
てその中にアクセス可能なように、前記空間をループ状
に移動し、かつ前記搬送体が上下方向に移動することを
特徴とする基板処理装置を提供する。

【００１１】第１発明および第３発明によれば、複数の
処理機構を空間の周囲に放射状に配置し、この空間に搬
送機構を設けるとともに、搬送機構が複数の処理機構の
それぞれの搬入出口を介してその中にアクセス可能なよ
うに前記空間をループ状に移動するようにしたので、基
板が大型化しても搬送機構のアームの水平移動距離をさ
ほど長くすることなく、空間の周囲に多数の処理機構を
配置することができる。したがって、装置のフットプリ
ントを小さくすることができ、かつ搬送機構が大掛かり
になることを回避することができる。また、このように
搬送機構が空間をループ状に移動するようにしたので、
空間自体を大きくすることができ、その空間をメンテナ
ンス用のスペースとして用いることができ、メンテナン
ス性を高くすることができる。

【００１２】第２発明および第４発明によれば、複数の
工程に対応して各々基板に対して所定の処理を施す複数
の処理機構が垂直方向に多段に積層してなる複数の処理
部を、空間の周囲に放射状に配置し、この空間に搬送機
構を設けるとともに、搬送機構が複数の処理機構のそれ
ぞれの搬入出口を介してその中にアクセス可能なように
前記空間をループ状に移動し、かつ搬送体が上下方向に
移動するようにしたので、基板が大型化しても搬送機構
のアームの水平移動距離をさほど長くすることなく、空
間の周囲に極めて多数の処理機構を配置することができ
る。したがって、装置のフットプリントを一層小さくす
ることができ、かつ搬送機構が大掛かりになることを回
避することができる。また、第１発明および第２発明と
同様に、搬送機構が空間をループ状に移動するようにし
たので、空間自体を大きくすることができ、その空間を
メンテナンス用のスペースとして用いることができ、メ
ンテナンス性を高くすることができる。

【００１３】第１発明および第２発明の基板処理装置に
おいて、前記処理部の少なくとも一つが基板に対して熱
的処理を施す熱処理機構を有し、また他の少なくとも一
つが基板に対して液処理を施す液処理機構を有するよう
にすることができる。

【００１４】第４発明において、前記処理部の少なくと
も１つを基板にレジスト液を塗布する塗布処理機構およ
び／または露光後のレジストを現像処理する現像処理機
構を含む第１の処理部とし、少なくとも他の一つを基板
に対して熱的処理を施す処理機構を含む第２の処理部と
することができる。

【００１５】第３発明および第４発明の基板処理装置に
おいて、レジスト塗布後の基板に露光処理を施す露光装
置との間で基板の受け渡しを行うインターフェイス部を
さらに有するようにすることができ、インターフェイス
部は、前記空間の周囲の前記搬送機構がアクセス可能な
位置に設けられていることが好ましい。

【００１６】上記全ての基板処理装置において、処理前
の基板および／または処理後の基板を収納可能な収納容
器を載置する収納容器載置部をさらに具備するように構
成することができる。この場合に、前記収納容器載置部
は、前記収納容器を多段に載置可能であることが好まし
い。これにより、収納容器の載置数を多くすることがで
きる。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
の実施形態を図に基づいて説明する。図１は本発明の一
実施形態に係るレジスト塗布・現像処理システムを概略
的に示す水平断面図、図２はそのシステムを概略的に示
す斜視図である。

【００１８】このレジスト塗布・現像処理システム１
は、空間２の周囲に半導体ウエハ（以下、単にウエハと
記す）Ｗに対してレジスト塗布・現像に関する一連の処
理を施す複数の処理ユニットが多段に積層された第１な
いし第４の処理部Ｇ_１，Ｇ_２，Ｇ_３，Ｇ_４と、ウエハＷ
が複数枚例えば２５枚単位で搭載されるウエハカセット
ＣＲを載置する載置部を有する２つのカセットステーシ
ョン４，５と、露光装置４０との間でウエハＷの受け渡
しを行うためのインターフェイス部６と、洗浄装置５０
との間でウエハＷの受け渡しを行うためのインターフェ
イス部７とが設けられた構造を有している。そして、こ
れは筐体８に収容された状態となっている。

【００１９】第１および第２の処理部Ｇ_１，Ｇ_２、第３
および第４の処理部Ｇ_３，Ｇ_４ならびにカセットステー
ション４，５は、それぞれ隣接して設けられており、イ
ンターフェイス部６は処理部Ｇ_２とカセットステーショ
ン５との間、インターフェイス部７は処理部Ｇ_１とＧ_４
との間にそれぞれ設けられている。また処理部Ｇ_３とカ
セットステーション４とが隣接して配置されている。

【００２０】また、空間２内にはウエハ搬送機構１０が
設けられている。このウエハ搬送機構１０は、空間２の
底部近傍に設けられたループ状をなすレール３に沿って
移動可能となっており、後述するように、各処理部の処
理機構、カセットステーション４，５およびインターフ
ェイス部６，７のウエハ搬入出口にアクセス可能な搬送
体２０を備えている。

【００２１】さらに、図２に示すように、システム１の
筐体８の底部には、扉８０が設けられており、作業者が
この扉８０を開けて空間２に入ることができ、空間２を
メンテナンススペースとして使用することができる。な
お、空間２の適宜の位置にレジスト液等の薬液容器を配
置するこもできる。

【００２２】図２に示すように、第１の処理部Ｇ_１で
は、カップＣＰ内でウエハＷをスピンチャック（図示せ
ず）に載置して所定の処理を行う２台のスピナ型処理ユ
ニットが上下２段に配置されており、この実施形態にお
いては、ウエハＷにレジストを塗布するレジスト塗布ユ
ニット（ＣＯＴ）およびレジストのパターンを現像する
現像ユニット（ＤＥＶ）が下からこの順に２段に重ねら
れている。第２の処理部Ｇ_２も同様に、２台のスピナ型
処理ユニットとしてレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）お
よび現像ユニット（ＤＥＶ）が下からこの順に２段に重
ねられている。

【００２３】このようにレジスト塗布ユニット（ＣＯ
Ｔ）等を下段側に配置する理由は、レジスト液の廃液が
機構的にもメンテナンスの上でも現像液の廃液よりも本
質的に複雑であり、このように塗布ユニット（ＣＯＴ）
等を下段に配置することによりその複雑さが緩和される
からである。しかし、必要に応じてレジスト塗布ユニッ
ト（ＣＯＴ）等を上段に配置することも可能であり、レ
ジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）同士、または現像ユニッ
ト（ＤＥＶ）同士を上下に配置してもよい。

【００２４】第３の処理部Ｇ_３においては、図３に示す
ように、ウエハＷを載置台ＳＰに載せて所定の処理を行
うオーブン型の処理ユニットが多段に重ねられている。
すなわち冷却処理を行うクーリングユニット（ＣＯ
Ｌ）、レジストの定着性を高めるためのいわゆる疎水化
処理を行うアドヒージョンユニット（ＡＤ）、位置合わ
せを行うアライメントユニット（ＡＬＩＭ）、ウエハＷ
の搬入出を行うエクステンションユニット（ＥＸＴ）、
露光処理前や露光処理後、さらには現像処理後にウエハ
Ｗに対して加熱処理を行う４つのホットプレートユニッ
ト（ＨＰ）が下から順に８段に重ねられている。なお、
アライメントユニット（ＡＬＩＭ）の代わりにクーリン
グユニット（ＣＯＬ）を設け、クーリングユニット（Ｃ
ＯＬ）にアライメント機能を持たせてもよい。

【００２５】第４の処理部Ｇ_４も、オーブン型の処理ユ
ニットが多段に重ねられている。すなわち、クーリング
ユニット（ＣＯＬ）、クーリングプレートを備えたウエ
ハ搬入出部であるエクステンション・クーリングユニッ
ト（ＥＸＴＣＯＬ）、エクステンションユニット（ＥＸ
Ｔ）、クーリングユニット（ＣＯＬ）、および４つのホ
ットプレートユニット（ＨＰ）が下から順に８段に重ね
られている。

【００２６】このように処理温度の低いクーリングユニ
ット（ＣＯＬ）、エクステンション・クーリングユニッ
ト（ＥＸＴＣＯＬ）を下段に配置し、処理温度の高いホ
ットプレートユニット（ＨＰ）を上段に配置すること
で、ユニット間の熱的な相互干渉を少なくすることがで
きる。もちろん、ランダムな多段配置としてもよい。な
お、このようにスピナ型ユニットとオーブン型ユニット
とを別個の処理部に搭載することにより、スピナ型ユニ
ットに対する熱の影響を回避することができる。

【００２７】カセットステーション４，５は、図４に示
すように、それぞれ上下２段のカセット載置台４ａ，４
ｂ、および５ａ，５ｂを有しており、これらの上にそれ
ぞれ１個ずつ、合計４個のカセットがウエハＷの出入口
を空間２側に向けて載置可能となっている。ウエハカセ
ットＣＲにおいては複数のウエハＷが垂直方向（Ｚ方
向）に配列されている。そして、例えば、カセットステ
ーション４に載置されたカセットＣＲから処理前のウエ
ハＷが取り出され、カセットステーション５に載置され
たカセットＣＲへ処理済みのウエハが搬入されるように
する。

【００２８】インターフェイス部６は、露光装置４０が
取り付けられるようになっており、露光装置４０との間
でウエハＷの受け渡しを行う搬送装置（図示せず）を備
えている。また、このインターフェイス部６には、ピッ
クアップカセットおよびバッファーカセット（いずれも
図示せず）が載置され、さらにウエハＷ周縁の余分なレ
ジストを除去する周辺露光装置（図示せず）が設けられ
ている。さらに、周辺露光後ウエハＷを冷却するための
クーリングプレート（図示せず）も設けられている。

【００２９】インターフェイス部７は、ウエハを洗浄す
る洗浄装置５０が取り付けられるようになっており、洗
浄装置５０との間でウエハの受け渡しを行う搬送装置
（図示せず）を備えている。

【００３０】第３の処理部Ｇ_３のエクステンションユニ
ット（ＥＸＴ）には、搬送装置６１を介して膜厚測定装
置６０が接続可能になっており、そこに膜厚測定装置６
０を接続することにより、エクステンションユニット
（ＥＸＴ）に載置されたウエハＷを搬送装置６１により
膜厚測定装置６０に搬入してレジスト膜の膜厚測定を行
うことができる。

【００３１】第４の処理部Ｇ_４のエクステンションユニ
ット（ＥＸＴ）には、搬送装置７１を介してパーティク
ル測定装置７０が接続可能となっており、そこにパーテ
ィクル測定装置７０を接続することにより、エクステン
ションユニット（ＥＸＴ）に載置されたウエハＷを搬送
装置７１によりパーティクル測定装置７０に搬入してウ
エハ表面のパーティクル数を測定することができる。

【００３２】ウエハ搬送機構１０は、図５に示すよう
に、垂直方向に延在し、垂直壁１１ａ，１１ｂおよびそ
れらの間の側面開口部１１ｃを有する筒状支持体１１
と、その内側に筒状支持体１１に沿って垂直方向（Ｚ方
向）に昇降自在に設けられたウエハ搬送体２０とを有し
ている。筒状支持体１１はモータ１３の回転駆動力によ
って回転可能となっており、それにともなってウエハ搬
送体２０も一体的に回転されるようになっている。

【００３３】また、モータ１３の下には走行部材３０が
設けられており、この走行部材３０によりモータ１３お
よび筒状支持体１１が支持されている。この走行部材３
０は、ループ状のレール３に沿って走行するようになっ
ており、そのレール３に対応する部分に凹所３０ａを有
している。この凹所３０ａには複数の駆動ロール３１ａ
とガイドロール３１ｂとが設けられており、走行部材３
０の側部には駆動ロール３１ａを駆動するモータ３２が
取り付けられている。そして、モータ３２により駆動ロ
ール３１ａを駆動することにより、ガイドロール３１ｂ
にガイドされて搬送機構１０がレール３に沿って走行す
るようになっている。

【００３４】図５および図６に示すように、ウエハ搬送
体２０は、搬送基台２１と、搬送基台２１に沿って前後
に移動可能な３本のウエハ保持アーム２２，２３，２４
とを備えており、これらアーム２２，２３，２４は、筒
状支持体５１の側面開口部１１ｃを通過可能な大きさを
有している。このウエハ受け渡し部５２は、モータ１４
によってベルト１５を駆動させることにより昇降するよ
うになっている。なお、符号１６は駆動プーリー、１７
は従動プーリーである。

【００３５】ウエハ搬送体２０においては、アーム２
２，２３，２４が上から順に配置されており、図６に示
すように、アーム２２，２３は、それぞれＣ字状のウエ
ハ保持部２２ａ，２３ａを有している。また、アーム２
３には内側に延びるウエハ保持爪２３ｂが３箇所（図で
は２箇所のみ示す）に設けられており、保持爪２３ｂに
よってウエハＷを保持するようになっている。図６では
アーム２３に隠れているが、アーム２４もアーム２３と
同様に構成されている。これらアーム２２，２３，２４
は、搬送基台２１内に内蔵されたモータおよびベルト機
構により図６の矢印方向にそれぞれ独立して移動するこ
とが可能となっている。

【００３６】このように構成されるレジスト塗布現像処
理システムにおいては、まず、カセットステーション４
のウエハカセットＣＲからウエハ搬送機構１０のいずれ
かのアームにより一枚のウエハＷが取り出され、まず、
インターフェイス部７を介して洗浄装置５０に搬入さ
れ、そこでウエハＷがスクラバ洗浄される。洗浄後、ウ
エハＷはインターフェイス部６に戻され、ウエハ搬送機
構１０のいずれかのアームにより受け取られ、第３の処
理部Ｇ_３のアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）に搬送
され、そこでレジストの定着性を高めるための疎水化処
理（ＨＭＤＳ処理）が施される。この処理は加熱を伴う
ため、その後ウエハＷは、ウエハ搬送機構１０のいずれ
かのアームによりアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）
から取り出された後、同じアームで第３および第４の処
理部Ｇ_３、Ｇ_４のいずれかのクーリングユニット（ＣＯ
Ｌ）に搬送されて冷却される。

【００３７】引き続き、ウエハＷは主ウエハ搬送機構１
０のいずれかのアームによりレジスト塗布ユニット（Ｃ
ＯＴ）に搬送され、レジスト液を滴下しながらウエハＷ
を回転させるスピンコーティングによりレジスト膜が形
成される。

【００３８】塗布処理終了後、ウエハＷはウエハ搬送機
構１０により、第３または第４の処理部Ｇ_３，Ｇ_４のい
ずれかのホットプレートユニット（ＨＰ）にてプリベー
ク処理され、次いでウエハ搬送機構１０により、第３お
よび第４の処理部Ｇ_３，Ｇ_４のいずれかのクーリングプ
レート（ＣＯＬ）され、そこで冷却される。そして、必
要に応じて、ウエハＷを第３の処理部Ｇ_３のエクステン
ションユニット（ＥＸＴ）を介して膜厚測定装置６０に
搬送してレジスト膜の膜厚を測定する。また、必要に応
じて、ウエハＷを第４の処理部Ｇ_４のエクステンション
ユニット（ＥＸＴ）を介してパーティクル測定装置７０
に搬送してレジスト膜上のパーティクルを測定する。

【００３９】レジスト塗布後、冷却されたウエハＷは、
ウエハ搬送機構１１のいずれかのアームにより第３の処
理部Ｇ_３のアライメントユニット（ＡＬＩＭ）に搬送さ
れ、そこでアライメントされた後、再びウエハ搬送機構
１１のいずれかのアームによりインターフェイス部６に
搬送される。

【００４０】インターフェイス部６においては、搬送装
置（図示せず）により周辺露光装置（図示せず）に搬入
され、そこでウエハＷの周縁部が周辺露光されて余分な
レジストが除去された後、クーリングプレート（図示せ
ず）で冷却された後、露光装置４０に搬入され、所定の
パターンが露光される。

【００４１】露光後、ウエハＷは露光装置４０から搬送
装置によりインターフェイス部６に戻され、引き続きウ
エハ搬送機構１０により第３および第４の処理部Ｇ_３，
Ｇ_４のいずれかのホットプレートユニット（ＨＰ）でポ
ストエクスポージャーベーク処理が施される。次いで、
ウエハＷは第３および第４の処理部Ｇ_３、Ｇ_４のいずれ
かのクーリングユニット（ＣＯＬ）に搬送され、そこで
冷却される。

【００４２】その後、ウエハＷはウエハ搬送機構１０の
いずれかのアームにより、第１および第２の処理部
Ｇ_１，Ｇ_２のいずれかの現像ユニット（ＤＥＶ）に搬送
され、そこでウエハＷのレジスト膜に形成された露光パ
ターンを現像する。現像終了後、ウエハＷはウエハ搬送
機構１０により第３および第４の処理部Ｇ_３，Ｇ_４のい
ずれかのホットプレートユニット（ＨＰ）に搬送され、
そこでポストベーク処理が施される。次いで、ウエハＷ
はウエハ搬送機構１０により第３および第４の処理部Ｇ
_３，Ｇ_４のいずれかのクーリングユニット（ＣＯＬ）に
搬送され、そこで冷却される。そして、ウエハＷは、ウ
エハ搬送機構１０のいずれかのアームにより、カセット
ステーション５の所定のカセットＣＲに収容される。こ
れにより一連の処理が完了する。

【００４３】このような処理において、ウエハ搬送機構
１０は、空間２の周囲に放射状に配置された各ユニット
の搬入出口を介してその中にアクセス可能なように、ル
ープ状のレール３に沿って移動する。したがって、基板
が大型化してもウエハ搬送機構１０のアーム２２，２
３，２４の水平移動距離をさほど長くすることなく、ま
た、空間２の周囲に各ユニットを放射状に設けたので、
処理ユニットを含む多数のユニットを配置することがで
きる。したがって、装置のフットプリントを小さくする
ことができ、かつウエハ搬送機構が大掛かりになること
を回避することができる。また、このようにウエハ搬送
機構１０が空間２をループ状のレール３に沿って移動す
るようにしたので、空間２自体を大きくすることがで
き、その空間２をメンテナンス用のスペースとして用い
ることができるので、内側からのメンテナンスが可能と
なり、メンテナンス性を高くすることができる。さら
に、空間２の周囲に複数の処理ユニットを積層してなる
複数の処理部Ｇ_１，Ｇ_２，Ｇ_３，Ｇ_４を設け、ウエハ搬
送機構１０の搬送体２０を上下に移動可能にしたので、
空間２の周囲に極めて多数の処理ユニットを配置するこ
とができる。したがって、装置のフットプリントを極め
て小さくすることができる。

【００４４】さらに、インターフェイス部７や処理部Ｇ
_３，Ｇ_４のエクステンションユニット（ＥＸＴ）を介し
て所望の装置を接続することが可能であるから、装置の
拡張性が高く、装置仕様の自由度を高くすることができ
る。

【００４５】さらにまた、カセットステーション４，５
をウエハ搬送機構１０のアクセス可能な位置に設けたの
で、従来カセットステーションに設けられていた搬送機
構が不要となり装置効率を一層高めることができる。ま
た、カセットステーション４のカセット載置台を２段に
設けることにより、ウエハカセットＣＲの載置数を多く
することができ、処理効率を高めることができる

【００４６】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態
では、インターフェイス部７を介して洗浄装置５０を接
続したが、洗浄装置を外置きにして他のユニット、例え
ば処理部Ｇ_３またはＧ_４と類似の構成を有する処理部を
配置してもよい。また、エクステンションユニット（Ｅ
ＸＴ）を介して接続される装置も上記膜厚測定装置やパ
ーティクル測定装置に限らず、他の種々のものを接続す
ることもできる。さらに、上記実施の形態では、本発明
をレジスト液を塗布し現像するレジスト塗布・現像シス
テムに適用した場合について説明したが、このようなレ
ジスト塗布・現像システムに限らず、複数の処理機構に
より複数工程を行う処理装置であれば適用可能である。
さらにまた、基板として半導体ウエハを例にとって説明
したが、半導体ウエハ以外の他の基板、例えばＬＣＤ基
板の処理にも適用することができる。さらに、複数の処
理ユニットを多段に配置してなる複数の処理部を空間の
周囲に配置した例について示したが、必ずしも多段でな
くてもよい。

【００４７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
複数の処理機構を空間の周囲に放射状に配置し、この空
間に搬送機構を設けるとともに、搬送機構が複数の処理
機構のそれぞれの搬入出口を介してその中にアクセス可
能なように前記空間をループ状に移動するようにしたの
で、基板が大型化しても搬送機構のアームの水平移動距
離をさほど長くすることなく、空間の周囲に多数の処理
機構を配置することができる。したがって、装置のフッ
トプリントを小さくすることができ、かつ搬送機構が大
掛かりになることを回避することができる。また、この
ように搬送機構が空間をループ状に移動するようにした
ので、空間自体を大きくすることができ、その空間をメ
ンテナンス用のスペースとして用いることができ、メン
テナンス性を高くすることができる。

【００４８】また、複数の工程に対応して各々基板に対
して所定の処理を施す複数の処理機構が垂直方向に多段
に積層してなる複数の処理部を、空間の周囲に放射状に
配置し、この空間に搬送機構を設けるとともに、搬送機
構が複数の処理機構のそれぞれの搬入出口を介してその
中にアクセス可能なように前記空間をループ状に移動
し、かつ搬送体が上下方向に移動するようにしたので、
基板が大型化しても搬送機構のアームの水平移動距離を
さほど長くすることなく、空間の周囲に極めて多数の処
理機構を配置することができる。したがって、装置のフ
ットプリントを一層小さくすることができ、かつ搬送機
構が大掛かりになることを回避することができる。ま
た、搬送機構が空間をループ状に移動するようにしたの
で、空間自体を大きくすることができ、その空間をメン
テナンス用のスペースとして用いることができ、メンテ
ナンス性を高くすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態である半導体ウエハのレジ
スト塗布現像処理システムの全体構成を概略的に示す水
平断面図。

【図２】図１のレジスト塗布現像処理システムの全体構
成を概略的に示す斜視図。

【図３】図１のレジスト塗布現像処理システムにおける
熱的処理ユニットを備えた処理部を示す模式図。

【図４】図１のレジスト塗布現像処理システムにおける
カセットステーションを示す模式図。

【図５】図１のレジスト塗布現像処理システムにおける
ウエハ搬送機構を示す断面図。

【図６】図５のウエハ搬送機構のウエハ搬送体を示す概
略平面図。

【符号の説明】

１……レジスト塗布現像処理システム ２……空間 ３……レール ４，５……カセットステーション ６，７……インターフェイス部 １０……ウエハ搬送機構 Ｇ_１，Ｇ_２，Ｇ_３，Ｇ_４……処理部 ＣＯＴ……レジスト塗布ユニット ＤＥＶ……現像ユニット ＨＰ……ホットプレートユニット ＣＯＬ……クーリングユニット ＥＸＴ……エクステンションユニット Ｗ……半導体ウエハ（基板）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６７ ５６９Ｄ (56)参考文献 特開 平11−307609（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−261692（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−274143（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−321540（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−63414（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−13332（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−144763（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−270523（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 7/16 502 G03F 7/30 502 H01L 21/68

Claims (12)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板に対して複数工程からなる処理を施
   す基板処理装置であって、 前記複数の工程に対応して各々基板に対して所定の処理
   を施す複数の処理機構と、 前記複数の処理機構のそれぞれに対して基板を搬入また
   は搬出する搬送機構とを具備し、 前記複数の処理機構は、空間の周囲に放射状に配置さ
   れ、 前記搬送機構は、前記空間に設けられるとともに、前記
   複数の処理機構のそれぞれの搬入出口を介してその中に
   アクセス可能なように前記空間に設けられたループ状を
   なすレールに沿って移動することを特徴とする基板処理
   装置。
2. 【請求項２】 基板に対して複数工程からなる処理を施
   す基板処理装置であって、 前記複数の工程に対応して各々基板に対して所定の処理
   を施す複数の処理機構が垂直方向に多段に積層してなる
   複数の処理部と、 前記複数の処理機構のそれぞれに対して基板を搬入また
   は搬出する搬送機構とを具備し、 前記複数の処理部は、空間の周囲に放射状に配置され、 前記搬送機構は、前記空間に設けられるとともに基板を
   搬送する搬送体を有し、前記複数の処理機構のそれぞれ
   の搬入出口を介してその中にアクセス可能なように、前
   記空間をループ状に移動し、かつ前記搬送体が上下方向
   に移動することを特徴とする基板処理装置。
3. 【請求項３】 前記処理部の少なくとも一つが基板に対
   して熱的処理を施す熱処理機構を有し、また他の少なく
   とも一つが基板に対して液処理を施す液処理機構を有す
   ることを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
4. 【請求項４】 基板に対して複数工程からなるレジスト
   処理を施す基板処理装置であって、 前記レジスト処理のための複数の工程に対応して各々基
   板に対して所定の処理を施す複数の処理機構と、 前記複数の処理機構のそれぞれに対して基板を搬入また
   は搬出する搬送機構とを具備し、 前記複数の処理機構は、空間の周囲に放射状に配置さ
   れ、基板にレジスト液を塗布する塗布処理機構と、基板
   上のレジストを露光した後、現像処理を施す現像処理機
   構と、基板に対して熱的処理を施す熱的処理機構とを含
   み、 前記搬送機構は、前記空間に設けられるとともに、前記
   複数の処理機構のそれぞれの搬入出口を介してその中に
   アクセス可能なように前記空間をループ状に移動するこ
   とを特徴とする基板処理装置。
5. 【請求項５】 基板に対して複数工程からなるレジスト
   処理を施す基板処理装置であって、 前記レジスト処理のための複数の工程に対応して各々基
   板に対して所定の処理を施す複数の処理機構が垂直方向
   に多段に積層してなる複数の処理部と、 前記複数の処理機構のそれぞれに対して基板を搬入また
   は搬出する搬送機構とを具備し、 前記複数の処理機構は、基板にレジスト液を塗布する塗
   布処理機構と、基板上のレジストを露光した後、現像処
   理を施す現像処理機構と、基板に対して熱的処理を施す
   熱的処理機構とを含み、 前記複数の処理部は、空間の周囲に放射状に配置され、 前記搬送機構は、前記空間に設けられるとともに基板を
   搬送する搬送体を有し、前記複数の処理機構のそれぞれ
   の搬入出口を介してその中にアクセス可能なように、前
   記空間をループ状に移動し、かつ前記搬送体が上下方向
   に移動することを特徴とする基板処理装置。
6. 【請求項６】 前記処理部の少なくとも１つは、基板に
   レジスト液を塗布する塗布処理機構および／または露光
   後のレジストを現像処理する現像処理機構を含む第１の
   処理部であり、少なくとも他の一つは基板に対して熱的
   処理を施す処理機構を含む第２の処理部であることを特
   徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
7. 【請求項７】 レジスト塗布後の基板に露光処理を施す
   露光装置との間で基板の受け渡しを行うインターフェイ
   ス部をさらに有することを特徴とする請求項４ないし請
   求項６のいずれか１項に記載の基板処理装置。
8. 【請求項８】 前記インターフェイス部は、前記空間の
   周囲の前記搬送機構がアクセス可能な位置に設けられて
   いることを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。
9. 【請求項９】 前記搬送機構は、前記空間に設けられた
   ループ状をなすレールに沿って移動することを特徴とす
   る請求項２ないし請求項８のいずれか１項に記載の基板
   処理装置。
10. 【請求項１０】 前記搬送機構は、前記ループ状をなす
    レールに沿って移動する走行部材を有することを特徴と
    する請求項１ないし請求項９のいずれか１項に記載の基
    板処理装置。
11. 【請求項１１】 前記空間の周囲に、処理前の基板およ
    び／または処理後の基板を収納可能な収納容器を載置す
    る収納容器載置部をさらに具備し、前記搬送機構により
    前記収納容器に対する基板の搬送を行うことを特徴とす
    る請求項１ないし請求項１０のいずれか１項に記載の基
    板処理装置。
12. 【請求項１２】 前記収納容器載置部は、前記収納容器
    を多段に載置可能であることを特徴とする請求項１１に
    記載の基板処理装置。