JP2001005191A - 現像処理方法および現像処理装置 - Google Patents
現像処理方法および現像処理装置Info
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- JP2001005191A JP2001005191A JP17378199A JP17378199A JP2001005191A JP 2001005191 A JP2001005191 A JP 2001005191A JP 17378199 A JP17378199 A JP 17378199A JP 17378199 A JP17378199 A JP 17378199A JP 2001005191 A JP2001005191 A JP 2001005191A
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 現像液を振り切った後、リンスの際にレジス
トの難溶化層の発生を抑制することができる現像処理方
法および現像処理装置を提供すること。 【解決手段】 基板Ｗ上に形成されたレジスト膜を所定
パターンに露光した後、露光パターンを現像するにあた
り、基板Ｗ上の露光後のレジスト膜に現像液を塗布し、
塗布された現像液を静止させて現像を進行させて現像処
理を行った後、基板Ｗ上にリンス液を供給してリンスす
る。このリンスの初期段階において現像液とリンス液と
を基板Ｗ上に供給してリンスを行う。
トの難溶化層の発生を抑制することができる現像処理方
法および現像処理装置を提供すること。 【解決手段】 基板Ｗ上に形成されたレジスト膜を所定
パターンに露光した後、露光パターンを現像するにあた
り、基板Ｗ上の露光後のレジスト膜に現像液を塗布し、
塗布された現像液を静止させて現像を進行させて現像処
理を行った後、基板Ｗ上にリンス液を供給してリンスす
る。このリンスの初期段階において現像液とリンス液と
を基板Ｗ上に供給してリンスを行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ等の
基板上に形成されたレジスト膜を所定パターンに露光し
た後、露光パターンを現像する現像処理方法および現像
処理装置に関する。
基板上に形成されたレジスト膜を所定パターンに露光し
た後、露光パターンを現像する現像処理方法および現像
処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスのフォトリソグラフィー
工程においては、半導体ウエハにレジストを塗布し、こ
れにより形成されたレジスト膜を所定の回路パターンに
応じて露光し、この露光パターンを現像処理することに
よりレジスト膜に回路パターンが形成される。
工程においては、半導体ウエハにレジストを塗布し、こ
れにより形成されたレジスト膜を所定の回路パターンに
応じて露光し、この露光パターンを現像処理することに
よりレジスト膜に回路パターンが形成される。
【０００３】従来から、このような一連の工程を実施す
るために、レジスト塗布現像処理システムが用いられて
おり、現像処理はこのシステムに搭載された現像処理ユ
ニットにより行われる。
るために、レジスト塗布現像処理システムが用いられて
おり、現像処理はこのシステムに搭載された現像処理ユ
ニットにより行われる。
【０００４】この現像処理ユニットにおいては、所定の
パターンが露光されポストエクスポージャーベーク処理
および冷却処理されたウエハが現像処理ユニットに搬入
され、スピンチャックに装着される。現像液供給ノズル
から現像液が供給されて、ウエハの全面に例えば１ｍｍ
の厚みになるように塗布され、現像液パドルが形成され
る。この現像液パドルが形成された状態で所定時間静止
されて、自然対流により現像処理が進行される。その
後、ウエハがスピンチャックにより回転されて現像液が
振り切られ、次いで、洗浄液供給ノズルからリンス液が
吐出されてウエハ上に残存する現像液が洗い流される。
その後、スピンチャックが高速で回転され、ウエハ上に
残存する現像液およびリンス液が吹き飛ばされてウエハ
が乾燥される。これにより、一連の現像処理が終了す
る。
パターンが露光されポストエクスポージャーベーク処理
および冷却処理されたウエハが現像処理ユニットに搬入
され、スピンチャックに装着される。現像液供給ノズル
から現像液が供給されて、ウエハの全面に例えば１ｍｍ
の厚みになるように塗布され、現像液パドルが形成され
る。この現像液パドルが形成された状態で所定時間静止
されて、自然対流により現像処理が進行される。その
後、ウエハがスピンチャックにより回転されて現像液が
振り切られ、次いで、洗浄液供給ノズルからリンス液が
吐出されてウエハ上に残存する現像液が洗い流される。
その後、スピンチャックが高速で回転され、ウエハ上に
残存する現像液およびリンス液が吹き飛ばされてウエハ
が乾燥される。これにより、一連の現像処理が終了す
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな現像処理において、現像処理終了後、レジストの種
類によっては、レジストの難溶化層（残渣）が発生しや
すい場合がある。そして、現像液を振り切った後、単に
リンス液としての純水を供給すると、このような難溶化
層が多く発生する。このような難溶化層が一旦形成され
るとリンス液では除去することができず歩留まり低下の
原因となる。
うな現像処理において、現像処理終了後、レジストの種
類によっては、レジストの難溶化層（残渣）が発生しや
すい場合がある。そして、現像液を振り切った後、単に
リンス液としての純水を供給すると、このような難溶化
層が多く発生する。このような難溶化層が一旦形成され
るとリンス液では除去することができず歩留まり低下の
原因となる。
【０００６】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であって、現像液を振り切った後、リンスの際にレジス
トの難溶化層の発生を抑制することができる現像処理方
法および現像処理装置を提供することを目的とする。
であって、現像液を振り切った後、リンスの際にレジス
トの難溶化層の発生を抑制することができる現像処理方
法および現像処理装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、基板上に形成されたレジスト膜を所定パ
ターンに露光した後、露光パターンを現像する現像処理
方法であって、基板上の露光後のレジスト膜に現像液を
塗布する工程と、塗布された現像液を静止させて現像を
進行させる工程と、現像処理終了後、基板上にリンス液
を供給してリンスする工程とを有し、前記リンス工程
は、初期段階において現像液とリンス液とを基板上に供
給してリンスを行うことを特徴とする現像処理方法を提
供する。
に、本発明は、基板上に形成されたレジスト膜を所定パ
ターンに露光した後、露光パターンを現像する現像処理
方法であって、基板上の露光後のレジスト膜に現像液を
塗布する工程と、塗布された現像液を静止させて現像を
進行させる工程と、現像処理終了後、基板上にリンス液
を供給してリンスする工程とを有し、前記リンス工程
は、初期段階において現像液とリンス液とを基板上に供
給してリンスを行うことを特徴とする現像処理方法を提
供する。
【０００８】また、本発明は、基板上に形成されたレジ
スト膜を所定パターンに露光した後、露光パターンを現
像する現像処理装置であって、基板上の露光後のレジス
ト膜に現像液を塗布する現像液塗布機構と、現像処理終
了後、基板上をリンスするリンス機構と、前記リンス機
構を制御する制御手段とを具備し、前記リンス機構は、
基板に現像液を供給する現像液ノズルと、基板にリンス
液を供給するリンス液ノズルとを有し、前記制御手段に
より、リンスの初期段階において現像液とリンス液とを
基板上に供給するようにリンス機構を制御することを特
徴とする現像処理装置を提供する。
スト膜を所定パターンに露光した後、露光パターンを現
像する現像処理装置であって、基板上の露光後のレジス
ト膜に現像液を塗布する現像液塗布機構と、現像処理終
了後、基板上をリンスするリンス機構と、前記リンス機
構を制御する制御手段とを具備し、前記リンス機構は、
基板に現像液を供給する現像液ノズルと、基板にリンス
液を供給するリンス液ノズルとを有し、前記制御手段に
より、リンスの初期段階において現像液とリンス液とを
基板上に供給するようにリンス機構を制御することを特
徴とする現像処理装置を提供する。
【０００９】本発明によれば、リンス工程の初期段階に
おいて現像液とリンス液とを基板上に供給するので、現
像液の存在によりレジストの難溶化層の発生を抑制しつ
つリンスを行うことができる。
おいて現像液とリンス液とを基板上に供給するので、現
像液の存在によりレジストの難溶化層の発生を抑制しつ
つリンスを行うことができる。
【００１０】この場合に、現像液とリンス液とを基板上
に供給してリンスを行った後、リンス液のみに切り換え
てリンスを行えば、レジスト成分はある程度洗い流され
ていることからレジストの難溶化層の発生を少なくする
ことができる。
に供給してリンスを行った後、リンス液のみに切り換え
てリンスを行えば、レジスト成分はある程度洗い流され
ていることからレジストの難溶化層の発生を少なくする
ことができる。
【００１１】また、現像液とリンス液とを基板上に供給
してリンスを行う際に、現像液の割合を徐々に減少させ
るようにすれば、最初リンス液が少ないのでレジストの
難溶化層の発生を効果的に抑制することができ、また、
リンス液が徐々に増加することになり、リンス液による
難溶化層の発生を抑制しつつ迅速にリンスを行うことが
できる。特に、最初にほぼ現像液のみでリンスを行い、
現像液を０まで徐々に減少させることにより、このよう
な効果を一層確実なものとすることができる。
してリンスを行う際に、現像液の割合を徐々に減少させ
るようにすれば、最初リンス液が少ないのでレジストの
難溶化層の発生を効果的に抑制することができ、また、
リンス液が徐々に増加することになり、リンス液による
難溶化層の発生を抑制しつつ迅速にリンスを行うことが
できる。特に、最初にほぼ現像液のみでリンスを行い、
現像液を０まで徐々に減少させることにより、このよう
な効果を一層確実なものとすることができる。
【００１２】リンス工程において、具体的には、現像液
とリンス液とを個別的に供給し、これらを基板上で混合
するようにすることができる。
とリンス液とを個別的に供給し、これらを基板上で混合
するようにすることができる。
【００１３】さらに、前記リンス工程において、基板上
に界面活性剤を供給することにより、レジストの難溶化
層を一層有効に除去することができる。
に界面活性剤を供給することにより、レジストの難溶化
層を一層有効に除去することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発
明の実施の形態について詳細に説明する。図１は本発明
の液処理装置の一実施形態に係る現像処理ユニットが搭
載されたレジスト塗布現像処理システムを示す概略平面
図、図２はその正面図、図３はその背面図である。
明の実施の形態について詳細に説明する。図１は本発明
の液処理装置の一実施形態に係る現像処理ユニットが搭
載されたレジスト塗布現像処理システムを示す概略平面
図、図２はその正面図、図３はその背面図である。
【００１５】このレジスト塗布現像処理システム１は、
搬送ステーションであるカセットステーション１０と、
複数の処理ユニットを有する処理ステーション１１と、
処理ステーション１１と隣接して設けられる露光装置
（図示せず）との間でウエハＷを受け渡すためのインタ
ーフェイス部１２とを具備している。
搬送ステーションであるカセットステーション１０と、
複数の処理ユニットを有する処理ステーション１１と、
処理ステーション１１と隣接して設けられる露光装置
（図示せず）との間でウエハＷを受け渡すためのインタ
ーフェイス部１２とを具備している。
【００１６】上記カセットステーション１０は、被処理
体としての半導体ウエハＷ（以下、単にウエハと記す）
を複数枚例えば２５枚単位でウエハカセットＣＲに搭載
された状態で他のシステムからこのシステムへ搬入また
はこのシステムから他のシステムへ搬出したり、ウエハ
カセットＣＲと処理ステーション１１との間でウエハＷ
の搬送を行うためのものである。
体としての半導体ウエハＷ（以下、単にウエハと記す）
を複数枚例えば２５枚単位でウエハカセットＣＲに搭載
された状態で他のシステムからこのシステムへ搬入また
はこのシステムから他のシステムへ搬出したり、ウエハ
カセットＣＲと処理ステーション１１との間でウエハＷ
の搬送を行うためのものである。
【００１７】このカセットステーション１０において
は、図１に示すように、カセット載置台２０上に図中Ｘ
方向に沿って複数（図では４個）の位置決め突起２０ａ
が形成されており、この突起２０ａの位置にウエハカセ
ットＣＲがそれぞれのウエハ出入口を処理ステーション
１１側に向けて一列に載置可能となっている。ウエハカ
セットＣＲにおいてはウエハＷが垂直方向（Ｚ方向）に
配列されている。また、カセットステーション１０は、
ウエハカセット載置台２０と処理ステーション１１との
間に位置するウエハ搬送機構２１を有している。このウ
エハ搬送機構２１は、カセット配列方向（Ｘ方向）およ
びその中のウエハＷのウエハ配列方向（Ｚ方向）に移動
可能なウエハ搬送用アーム２１ａを有しており、この搬
送アーム２１ａによりいずれかのウエハカセットＣＲに
対して選択的にアクセス可能となっている。また、ウエ
ハ搬送用アーム２１ａは、θ方向に回転可能に構成され
ており、後述する処理ステーション１１側の第３の処理
ユニット群Ｇ３に属するアライメントユニット（ＡＬＩ
Ｍ）およびエクステンションユニット（ＥＸＴ）にもア
クセスできるようになっている。
は、図１に示すように、カセット載置台２０上に図中Ｘ
方向に沿って複数（図では４個）の位置決め突起２０ａ
が形成されており、この突起２０ａの位置にウエハカセ
ットＣＲがそれぞれのウエハ出入口を処理ステーション
１１側に向けて一列に載置可能となっている。ウエハカ
セットＣＲにおいてはウエハＷが垂直方向（Ｚ方向）に
配列されている。また、カセットステーション１０は、
ウエハカセット載置台２０と処理ステーション１１との
間に位置するウエハ搬送機構２１を有している。このウ
エハ搬送機構２１は、カセット配列方向（Ｘ方向）およ
びその中のウエハＷのウエハ配列方向（Ｚ方向）に移動
可能なウエハ搬送用アーム２１ａを有しており、この搬
送アーム２１ａによりいずれかのウエハカセットＣＲに
対して選択的にアクセス可能となっている。また、ウエ
ハ搬送用アーム２１ａは、θ方向に回転可能に構成され
ており、後述する処理ステーション１１側の第３の処理
ユニット群Ｇ３に属するアライメントユニット（ＡＬＩ
Ｍ）およびエクステンションユニット（ＥＸＴ）にもア
クセスできるようになっている。
【００１８】上記処理ステーション１１は、半導体ウエ
ハＷへ対して塗布・現象を行う際の一連の工程を実施す
るための複数の処理ユニットを備え、これらが所定位置
に多段に配置されており、これらにより半導体ウエハＷ
が一枚ずつ処理される。この処理ステーション１１は、
図１に示すように、中心部に搬送路２２ａを有し、この
中に主ウエハ搬送機構２２が設けられ、ウエハ搬送路２
２ａの周りに全ての処理ユニットが配置されている。こ
れら複数の処理ユニットは、複数の処理ユニット群に分
かれており、各処理ユニット群は複数の処理ユニットが
鉛直方向に沿って多段に配置されている。
ハＷへ対して塗布・現象を行う際の一連の工程を実施す
るための複数の処理ユニットを備え、これらが所定位置
に多段に配置されており、これらにより半導体ウエハＷ
が一枚ずつ処理される。この処理ステーション１１は、
図１に示すように、中心部に搬送路２２ａを有し、この
中に主ウエハ搬送機構２２が設けられ、ウエハ搬送路２
２ａの周りに全ての処理ユニットが配置されている。こ
れら複数の処理ユニットは、複数の処理ユニット群に分
かれており、各処理ユニット群は複数の処理ユニットが
鉛直方向に沿って多段に配置されている。
【００１９】主ウエハ搬送機構２２は、図３に示すよう
に、筒状支持体４９の内側に、ウエハ搬送装置４６を上
下方向（Ｚ方向）に昇降自在に装備している。筒状支持
体４９はモータ（図示せず）の回転駆動力によって回転
可能となっており、それにともなってウエハ搬送装置４
６も一体的に回転可能となっている。
に、筒状支持体４９の内側に、ウエハ搬送装置４６を上
下方向（Ｚ方向）に昇降自在に装備している。筒状支持
体４９はモータ（図示せず）の回転駆動力によって回転
可能となっており、それにともなってウエハ搬送装置４
６も一体的に回転可能となっている。
【００２０】ウエハ搬送装置４６は、搬送基台４７の前
後方向に移動自在な複数本の保持部材（ピンセット）４
８を備え、これらの保持部材４８によって各処理ユニッ
ト間でのウエハＷの受け渡しを実現している。
後方向に移動自在な複数本の保持部材（ピンセット）４
８を備え、これらの保持部材４８によって各処理ユニッ
ト間でのウエハＷの受け渡しを実現している。
【００２１】また、図１に示すように、この実施の形態
においては、４個の処理ユニット群Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，
Ｇ４がウエハ搬送路２２ａの周囲に実際に配置されてお
り、処理ユニット群Ｇ５は必要に応じて配置可能となっ
ている。
においては、４個の処理ユニット群Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，
Ｇ４がウエハ搬送路２２ａの周囲に実際に配置されてお
り、処理ユニット群Ｇ５は必要に応じて配置可能となっ
ている。
【００２２】これらのうち、第１および第２の処理ユニ
ット群Ｇ１，Ｇ２はシステム正面（図１において手前）
側に並列に配置され、第３の処理ユニット群Ｇ３はカセ
ットステーション１０に隣接して配置され、第４の処理
ユニット群Ｇ４はインターフェイス部１２に隣接して配
置されている。また、第５の処理ユニット群Ｇ５は背面
部に配置可能となっている。
ット群Ｇ１，Ｇ２はシステム正面（図１において手前）
側に並列に配置され、第３の処理ユニット群Ｇ３はカセ
ットステーション１０に隣接して配置され、第４の処理
ユニット群Ｇ４はインターフェイス部１２に隣接して配
置されている。また、第５の処理ユニット群Ｇ５は背面
部に配置可能となっている。
【００２３】この場合、図２に示すように、第１の処理
ユニット群Ｇ１では、カップＣＰ内でウエハＷをスピン
チャック（図示せず）に載置して所定の処理を行う２台
のスピナ型処理ユニットが上下２段に配置されており、
この実施形態においては、ウエハＷにレジストを塗布す
るレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）およびレジストのパ
ターンを現像する現像ユニット（ＤＥＶ）が下から順に
２段に重ねられている。第２の処理ユニット群Ｇ２も同
様に、２台のスピナ型処理ユニットとしてレジスト塗布
ユニット（ＣＯＴ）および現像ユニット（ＤＥＶ）が下
から順に２段に重ねられている。
ユニット群Ｇ１では、カップＣＰ内でウエハＷをスピン
チャック（図示せず）に載置して所定の処理を行う２台
のスピナ型処理ユニットが上下２段に配置されており、
この実施形態においては、ウエハＷにレジストを塗布す
るレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）およびレジストのパ
ターンを現像する現像ユニット（ＤＥＶ）が下から順に
２段に重ねられている。第２の処理ユニット群Ｇ２も同
様に、２台のスピナ型処理ユニットとしてレジスト塗布
ユニット（ＣＯＴ）および現像ユニット（ＤＥＶ）が下
から順に２段に重ねられている。
【００２４】このようにレジスト塗布ユニット（ＣＯ
Ｔ）を下段側に配置する理由は、レジスト液の廃液が機
構的にもメンテナンスの上でも現像液の廃液よりも本質
的に複雑であり、このようにレジスト塗布ユニット（Ｃ
ＯＴ）を下段に配置することによりその複雑さが緩和さ
れるからである。しかし、必要に応じてレジスト塗布ユ
ニット（ＣＯＴ）を上段に配置することも可能である。
Ｔ）を下段側に配置する理由は、レジスト液の廃液が機
構的にもメンテナンスの上でも現像液の廃液よりも本質
的に複雑であり、このようにレジスト塗布ユニット（Ｃ
ＯＴ）を下段に配置することによりその複雑さが緩和さ
れるからである。しかし、必要に応じてレジスト塗布ユ
ニット（ＣＯＴ）を上段に配置することも可能である。
【００２５】第３の処理ユニット群Ｇ３においては、図
３に示すように、ウエハＷを載置台ＳＰに載せて所定の
処理を行うオーブン型の処理ユニットが多段に重ねられ
ている。すなわち冷却処理を行うクーリングユニット
（ＣＯＬ）、レジストの定着性を高めるためのいわゆる
疎水化処理を行うアドヒージョンユニット（ＡＤ）、位
置合わせを行うアライメントユニット（ＡＬＩＭ）、ウ
エハＷの搬入出を行うエクステンションユニット（ＥＸ
Ｔ）、露光処理前や露光処理後、さらには現像処理後に
ウエハＷに対して加熱処理を行う４つのホットプレート
ユニット（ＨＰ）が下から順に８段に重ねられている。
なお、アライメントユニット（ＡＬＩＭ）の代わりにク
ーリングユニット（ＣＯＬ）を設け、クーリングユニッ
ト（ＣＯＬ）にアライメント機能を持たせてもよい。
３に示すように、ウエハＷを載置台ＳＰに載せて所定の
処理を行うオーブン型の処理ユニットが多段に重ねられ
ている。すなわち冷却処理を行うクーリングユニット
（ＣＯＬ）、レジストの定着性を高めるためのいわゆる
疎水化処理を行うアドヒージョンユニット（ＡＤ）、位
置合わせを行うアライメントユニット（ＡＬＩＭ）、ウ
エハＷの搬入出を行うエクステンションユニット（ＥＸ
Ｔ）、露光処理前や露光処理後、さらには現像処理後に
ウエハＷに対して加熱処理を行う４つのホットプレート
ユニット（ＨＰ）が下から順に８段に重ねられている。
なお、アライメントユニット（ＡＬＩＭ）の代わりにク
ーリングユニット（ＣＯＬ）を設け、クーリングユニッ
ト（ＣＯＬ）にアライメント機能を持たせてもよい。
【００２６】第４の処理ユニット群Ｇ４も、オーブン型
の処理ユニットが多段に重ねられている。すなわち、ク
ーリングユニット（ＣＯＬ）、クーリングプレートを備
えたウエハ搬入出部であるエクステンション・クーリン
グユニット（ＥＸＴＣＯＬ）、エクステンションユニッ
ト（ＥＸＴ）、クーリングユニット（ＣＯＬ）、および
４つのホットプレートユニット（ＨＰ）が下から順に８
段に重ねられている。
の処理ユニットが多段に重ねられている。すなわち、ク
ーリングユニット（ＣＯＬ）、クーリングプレートを備
えたウエハ搬入出部であるエクステンション・クーリン
グユニット（ＥＸＴＣＯＬ）、エクステンションユニッ
ト（ＥＸＴ）、クーリングユニット（ＣＯＬ）、および
４つのホットプレートユニット（ＨＰ）が下から順に８
段に重ねられている。
【００２７】このように処理温度の低いクーリングユニ
ット（ＣＯＬ）、エクステンション・クーリングユニッ
ト（ＥＸＴＣＯＬ）を下段に配置し、処理温度の高いホ
ットプレートユニット（ＨＰ）を上段に配置すること
で、ユニット間の熱的な相互干渉を少なくすることがで
きる。もちろん、ランダムな多段配置としてもよい。
ット（ＣＯＬ）、エクステンション・クーリングユニッ
ト（ＥＸＴＣＯＬ）を下段に配置し、処理温度の高いホ
ットプレートユニット（ＨＰ）を上段に配置すること
で、ユニット間の熱的な相互干渉を少なくすることがで
きる。もちろん、ランダムな多段配置としてもよい。
【００２８】上述したように、主ウエハ搬送機構２２の
背部側に第５の処理ユニット群Ｇ５を設けることができ
るが、第５の処理ユニット群Ｇ５を設ける場合には、案
内レール２５に沿って主ウエハ搬送機構２１から見て側
方へ移動できるようになっている。したがって、第５の
処理ユニット群Ｇ５を設けた場合でも、これを案内レー
ル２５に沿ってスライドすることにより空間部が確保さ
れるので、主ウエハ搬送機構２１に対して背後からメン
テナンス作業を容易に行うことができる。この場合に、
このような直線状の移動に限らず、回動させるようにし
ても同様にスペースの確保を図ることができる。なお、
この第５の処理ユニット群Ｇ５としては、基本的に第３
および第４の処理ユニット群Ｇ３，Ｇ４と同様、オープ
ン型の処理ユニットが多段に積層された構造を有してい
るものを用いることができる。
背部側に第５の処理ユニット群Ｇ５を設けることができ
るが、第５の処理ユニット群Ｇ５を設ける場合には、案
内レール２５に沿って主ウエハ搬送機構２１から見て側
方へ移動できるようになっている。したがって、第５の
処理ユニット群Ｇ５を設けた場合でも、これを案内レー
ル２５に沿ってスライドすることにより空間部が確保さ
れるので、主ウエハ搬送機構２１に対して背後からメン
テナンス作業を容易に行うことができる。この場合に、
このような直線状の移動に限らず、回動させるようにし
ても同様にスペースの確保を図ることができる。なお、
この第５の処理ユニット群Ｇ５としては、基本的に第３
および第４の処理ユニット群Ｇ３，Ｇ４と同様、オープ
ン型の処理ユニットが多段に積層された構造を有してい
るものを用いることができる。
【００２９】上記インターフェイス部１２は、奥行方向
（Ｘ方向）については、処理ステーション１１と同じ長
さを有している。図１、図２に示すように、このインタ
ーフェイス部１２の正面部には、可搬性のピックアップ
カセットＣＲと定置型のバッファカセットＢＲが２段に
配置され、背面部には周辺露光装置２３が配設され、中
央部には、ウエハ搬送機構２４が配設されている。この
ウエハ搬送機構２４はウエハ搬送用アーム２４ａを有し
ており、このウエハ搬送用アーム２４ａはＸ方向、Ｚ方
向に移動して両カセットＣＲ，ＢＲおよび周辺露光装置
２３にアクセス可能となっている。また、このウエハ搬
送用アーム２４ａは、θ方向に回転可能であり、処理ス
テーション１１の第４の処理ユニット群Ｇ４に属するエ
クステンションユニット（ＥＸＴ）や、さらには隣接す
る露光装置側のウエハ受け渡し台（図示せず）にもアク
セス可能となっている。
（Ｘ方向）については、処理ステーション１１と同じ長
さを有している。図１、図２に示すように、このインタ
ーフェイス部１２の正面部には、可搬性のピックアップ
カセットＣＲと定置型のバッファカセットＢＲが２段に
配置され、背面部には周辺露光装置２３が配設され、中
央部には、ウエハ搬送機構２４が配設されている。この
ウエハ搬送機構２４はウエハ搬送用アーム２４ａを有し
ており、このウエハ搬送用アーム２４ａはＸ方向、Ｚ方
向に移動して両カセットＣＲ，ＢＲおよび周辺露光装置
２３にアクセス可能となっている。また、このウエハ搬
送用アーム２４ａは、θ方向に回転可能であり、処理ス
テーション１１の第４の処理ユニット群Ｇ４に属するエ
クステンションユニット（ＥＸＴ）や、さらには隣接す
る露光装置側のウエハ受け渡し台（図示せず）にもアク
セス可能となっている。
【００３０】このように構成されるレジスト塗布現像処
理システム１においては、まず、カセットステーション
１０において、ウエハ搬送機構２１のウエハ搬送用アー
ム２１ａがカセット載置台２０上の未処理のウエハＷを
収容しているウエハカセットＣＲにアクセスして、その
カセットＣＲから一枚のウエハＷを取り出し、第３の処
理ユニット群Ｇ３のエクステンションユニット（ＥＸ
Ｔ）に搬送する。
理システム１においては、まず、カセットステーション
１０において、ウエハ搬送機構２１のウエハ搬送用アー
ム２１ａがカセット載置台２０上の未処理のウエハＷを
収容しているウエハカセットＣＲにアクセスして、その
カセットＣＲから一枚のウエハＷを取り出し、第３の処
理ユニット群Ｇ３のエクステンションユニット（ＥＸ
Ｔ）に搬送する。
【００３１】ウエハＷは、このエクステンションユニッ
ト（ＥＸＴ）から、主ウエハ搬送機構２２のウエハ搬送
装置４６により、処理ステーション１１に搬入される。
そして、第３の処理ユニット群Ｇ３のアライメントユニ
ット（ＡＬＩＭ）によりアライメントされた後、アドヒ
ージョン処理ユニット（ＡＤ）に搬送され、そこでレジ
ストの定着性を高めるための疎水化処理（ＨＭＤＳ処
理）が施される。この処理は加熱を伴うため、その後ウ
エハＷは、ウエハ搬送装置４６により、クーリングユニ
ット（ＣＯＬ）に搬送されて冷却される。
ト（ＥＸＴ）から、主ウエハ搬送機構２２のウエハ搬送
装置４６により、処理ステーション１１に搬入される。
そして、第３の処理ユニット群Ｇ３のアライメントユニ
ット（ＡＬＩＭ）によりアライメントされた後、アドヒ
ージョン処理ユニット（ＡＤ）に搬送され、そこでレジ
ストの定着性を高めるための疎水化処理（ＨＭＤＳ処
理）が施される。この処理は加熱を伴うため、その後ウ
エハＷは、ウエハ搬送装置４６により、クーリングユニ
ット（ＣＯＬ）に搬送されて冷却される。
【００３２】アドヒージョン処理が終了し、クーリング
ユニット（ＣＯＬ）で冷却さたウエハＷは、引き続き、
ウエハ搬送装置４６によりレジスト塗布ユニット（ＣＯ
Ｔ）に搬送され、そこで塗布膜が形成される。塗布処理
終了後、ウエハＷは処理ユニット群Ｇ３，Ｇ４のいずれ
かのホットプレートユニット（ＨＰ）内でプリベーク処
理され、その後いずれかのクーリングユニット（ＣＯ
Ｌ）にて冷却される。
ユニット（ＣＯＬ）で冷却さたウエハＷは、引き続き、
ウエハ搬送装置４６によりレジスト塗布ユニット（ＣＯ
Ｔ）に搬送され、そこで塗布膜が形成される。塗布処理
終了後、ウエハＷは処理ユニット群Ｇ３，Ｇ４のいずれ
かのホットプレートユニット（ＨＰ）内でプリベーク処
理され、その後いずれかのクーリングユニット（ＣＯ
Ｌ）にて冷却される。
【００３３】冷却されたウエハＷは、第３の処理ユニッ
ト群Ｇ３のアライメントユニット（ＡＬＩＭ）に搬送さ
れ、そこでアライメントされた後、第４の処理ユニット
群Ｇ ４のエクステンションユニット（ＥＸＴ）を介して
インターフェイス部１２に搬送される。
ト群Ｇ３のアライメントユニット（ＡＬＩＭ）に搬送さ
れ、そこでアライメントされた後、第４の処理ユニット
群Ｇ ４のエクステンションユニット（ＥＸＴ）を介して
インターフェイス部１２に搬送される。
【００３４】インターフェイス部１２では、周辺露光装
置２３により周辺露光されて余分なレジストが除去さ
れ、その後ウエハＷはインターフェイス部１２に隣接し
て設けられた露光装置（図示せず）に搬送され、そこで
所定のパターンに従ってウエハＷのレジスト膜に露光処
理が施される。
置２３により周辺露光されて余分なレジストが除去さ
れ、その後ウエハＷはインターフェイス部１２に隣接し
て設けられた露光装置（図示せず）に搬送され、そこで
所定のパターンに従ってウエハＷのレジスト膜に露光処
理が施される。
【００３５】露光後のウエハＷは、再びインターフェイ
ス部１２に戻され、ウエハ搬送体２４により、第４の処
理ユニット群Ｇ４に属するエクステンションユニット
（ＥＸＴ）に搬送される。そして、ウエハＷは、ウエハ
搬送装置４６により、いずれかのホットプレートユニッ
ト（ＨＰ）に搬送されてポストエクスポージャーベーク
処理が施され、次いで、クーリングユニット（ＣＯＬ）
により冷却される。
ス部１２に戻され、ウエハ搬送体２４により、第４の処
理ユニット群Ｇ４に属するエクステンションユニット
（ＥＸＴ）に搬送される。そして、ウエハＷは、ウエハ
搬送装置４６により、いずれかのホットプレートユニッ
ト（ＨＰ）に搬送されてポストエクスポージャーベーク
処理が施され、次いで、クーリングユニット（ＣＯＬ）
により冷却される。
【００３６】その後、ウエハＷは現像ユニット（ＤＥ
Ｖ）に搬送され、そこで露光パターンの現像が行われ
る。現像終了後、ウエハＷはいずれかのホットプレート
ユニット（ＨＰ）に搬送されてポストベーク処理が施さ
れ、次いで、クーリングユニット（ＣＯＬ）により冷却
される。このような一連の処理が終了した後、第３処理
ユニット群Ｇ３のエクステンションユニット（ＥＸＴ）
を介してカセットステーション１０に戻され、いずれか
のウエハカセットＣＲに収容される。
Ｖ）に搬送され、そこで露光パターンの現像が行われ
る。現像終了後、ウエハＷはいずれかのホットプレート
ユニット（ＨＰ）に搬送されてポストベーク処理が施さ
れ、次いで、クーリングユニット（ＣＯＬ）により冷却
される。このような一連の処理が終了した後、第３処理
ユニット群Ｇ３のエクステンションユニット（ＥＸＴ）
を介してカセットステーション１０に戻され、いずれか
のウエハカセットＣＲに収容される。
【００３７】次に、本実施の形態に係る現像処理ユニッ
ト（ＤＥＶ）について説明する。図４および図５は、現
像処理ユニット（ＤＥＶ）の全体構成を示す略断面図お
よび略平面図である。
ト（ＤＥＶ）について説明する。図４および図５は、現
像処理ユニット（ＤＥＶ）の全体構成を示す略断面図お
よび略平面図である。
【００３８】この現像処理ユニット（ＤＥＶ）の中央部
には環状のカップＣＰが配置され、カップＣＰの内側に
はスピンチャック５２が配置されている。スピンチャッ
ク５２は真空吸着によってウエハＷを固定保持した状態
で駆動モータ５４によって回転駆動される。駆動モータ
５４は、ユニット底板５０の開口に昇降移動可能に配置
され、たとえばアルミニウムからなるキャップ状のフラ
ンジ部材５８を介してたとえばエアシリンダからなる昇
降駆動手段６０および昇降ガイド手段６２と結合されて
いる。駆動モータ５４の側面にはたとえばステンレス鋼
（ＳＵＳ）からなる筒状の冷却ジャケット６４が取り付
けられ、フランジ部材５８は、この冷却ジャケット６４
の上半部を覆うように取り付けられている。
には環状のカップＣＰが配置され、カップＣＰの内側に
はスピンチャック５２が配置されている。スピンチャッ
ク５２は真空吸着によってウエハＷを固定保持した状態
で駆動モータ５４によって回転駆動される。駆動モータ
５４は、ユニット底板５０の開口に昇降移動可能に配置
され、たとえばアルミニウムからなるキャップ状のフラ
ンジ部材５８を介してたとえばエアシリンダからなる昇
降駆動手段６０および昇降ガイド手段６２と結合されて
いる。駆動モータ５４の側面にはたとえばステンレス鋼
（ＳＵＳ）からなる筒状の冷却ジャケット６４が取り付
けられ、フランジ部材５８は、この冷却ジャケット６４
の上半部を覆うように取り付けられている。
【００３９】現像液塗布時、フランジ部材５８の下端
は、ユニット底板５０の開口の外周付近でユニット底板
５０に密着し、これによりユニット内部が密閉される。
スピンチャック５２と主ウエハ搬送機構２２との間でウ
エハＷの受け渡しが行われる時は、昇降駆動機構６０が
駆動モータ５４ないしスピンチャック５２を上方へ持ち
上げることでフランジ部材５８の下端がユニット底板５
０から浮くようになっている。なお、現像処理ユニット
（ＤＥＶ）の筐体には、ウエハ保持部材４８が侵入する
ための窓７０が形成されている。
は、ユニット底板５０の開口の外周付近でユニット底板
５０に密着し、これによりユニット内部が密閉される。
スピンチャック５２と主ウエハ搬送機構２２との間でウ
エハＷの受け渡しが行われる時は、昇降駆動機構６０が
駆動モータ５４ないしスピンチャック５２を上方へ持ち
上げることでフランジ部材５８の下端がユニット底板５
０から浮くようになっている。なお、現像処理ユニット
（ＤＥＶ）の筐体には、ウエハ保持部材４８が侵入する
ための窓７０が形成されている。
【００４０】ウエハＷの表面に現像液を供給するための
現像液供給ノズル８６は、長尺状をなしその長手方向を
水平にして配置され、現像液供給管８８を介して現像液
供給部８９に接続されている。この現像液供給ノズル８
６はノズルスキャンアーム９２の先端部に着脱可能に取
り付けられている。このノズルスキャンアーム９２は、
ユニット底板５０の上に一方向（Ｙ方向）に敷設された
ガイドレール９４上で水平移動可能な垂直支持部材９６
の上端部に取り付けられており、Ｙ軸駆動機構１１１に
よって垂直支持部材９６と一体的にＹ方向に移動するよ
うになっている。また、現像液供給ノズル８６は、Ｚ軸
駆動機構１１２によって上下方向（Ｚ方向）に移動可能
となっている。現像処理ユニット（ＤＥＶ）の駆動機
構、すなわち、駆動モータ５４、ならびに、Ｙ軸駆動機
構１１１およびＺ軸駆動機構１１２は、制御部１１０に
よって制御されるようになっている。
現像液供給ノズル８６は、長尺状をなしその長手方向を
水平にして配置され、現像液供給管８８を介して現像液
供給部８９に接続されている。この現像液供給ノズル８
６はノズルスキャンアーム９２の先端部に着脱可能に取
り付けられている。このノズルスキャンアーム９２は、
ユニット底板５０の上に一方向（Ｙ方向）に敷設された
ガイドレール９４上で水平移動可能な垂直支持部材９６
の上端部に取り付けられており、Ｙ軸駆動機構１１１に
よって垂直支持部材９６と一体的にＹ方向に移動するよ
うになっている。また、現像液供給ノズル８６は、Ｚ軸
駆動機構１１２によって上下方向（Ｚ方向）に移動可能
となっている。現像処理ユニット（ＤＥＶ）の駆動機
構、すなわち、駆動モータ５４、ならびに、Ｙ軸駆動機
構１１１およびＺ軸駆動機構１１２は、制御部１１０に
よって制御されるようになっている。
【００４１】現像液供給ノズル８６は、Ｚ軸駆動機構１
１２によって上下方向（Ｚ方向）に移動可能となってい
る。現像液供給ノズル８６は、図６に示すように、その
下面に複数の吐出口８７を有しており、吐出された現像
液が全体として帯状になるようになっている。そして、
現像液の塗布の際には、ウエハＷの上方に位置する現像
液供給ノズル８６から現像液を帯状に吐出させながら、
ウエハＷを１／２回転以上、例えば１回転させることに
より、現像液がウエハＷ全面に塗布される。また、現像
液吐出の際には、ウエハＷを回転させずに現像液供給ノ
ズル８６をガイドレール９４に沿ってスキャンさせても
よい。
１２によって上下方向（Ｚ方向）に移動可能となってい
る。現像液供給ノズル８６は、図６に示すように、その
下面に複数の吐出口８７を有しており、吐出された現像
液が全体として帯状になるようになっている。そして、
現像液の塗布の際には、ウエハＷの上方に位置する現像
液供給ノズル８６から現像液を帯状に吐出させながら、
ウエハＷを１／２回転以上、例えば１回転させることに
より、現像液がウエハＷ全面に塗布される。また、現像
液吐出の際には、ウエハＷを回転させずに現像液供給ノ
ズル８６をガイドレール９４に沿ってスキャンさせても
よい。
【００４２】また、現像処理ユニット（ＤＥＶ）は、図
５に示すように、現像後のリンスのためのリンス機構１
２０を有している、リンス機構１２０は、リンス用ノズ
ルアーム１２１を有しており、このリンス用ノズルアー
ム１２１の先端部は二股に分かれており、それぞれの先
端には、例えば純水等のリンス液を吐出するリンス液吐
出ノズル１２２および現像液を吐出する現像液吐出ノズ
ル１２３を有している。リンス液吐出ノズル１２２は、
リンス液供給管１２５を介してリンス液供給部１２４に
接続されている。また、現像液吐出ノズル１２３は、現
像液供給管１２６を介して上述の現像液供給部８９に接
続されている。リンス用ノズルアーム１２１は、ガイド
レール９４上をＹ方向に移動可能に設けられており、現
像液による現像処理の終了後、ウエハＷ上に移動して、
ウエハＷ上に現像液およびリンス液を吐出してリンス処
理を行うようになっている。リンス用ノズルアーム１２
１に取り付けられたリンス液吐出ノズル１２２および現
像液を吐出する現像液吐出ノズル１２３は、図７に示す
ように、いずれも内側に向いており、ウエハＷ上で現像
液とリンス液とを混合することが可能となっている。
５に示すように、現像後のリンスのためのリンス機構１
２０を有している、リンス機構１２０は、リンス用ノズ
ルアーム１２１を有しており、このリンス用ノズルアー
ム１２１の先端部は二股に分かれており、それぞれの先
端には、例えば純水等のリンス液を吐出するリンス液吐
出ノズル１２２および現像液を吐出する現像液吐出ノズ
ル１２３を有している。リンス液吐出ノズル１２２は、
リンス液供給管１２５を介してリンス液供給部１２４に
接続されている。また、現像液吐出ノズル１２３は、現
像液供給管１２６を介して上述の現像液供給部８９に接
続されている。リンス用ノズルアーム１２１は、ガイド
レール９４上をＹ方向に移動可能に設けられており、現
像液による現像処理の終了後、ウエハＷ上に移動して、
ウエハＷ上に現像液およびリンス液を吐出してリンス処
理を行うようになっている。リンス用ノズルアーム１２
１に取り付けられたリンス液吐出ノズル１２２および現
像液を吐出する現像液吐出ノズル１２３は、図７に示す
ように、いずれも内側に向いており、ウエハＷ上で現像
液とリンス液とを混合することが可能となっている。
【００４３】現像液供給部８９およびリンス液供給部１
２４からの現像液およびリンス液の供給は、駆動系と同
様に、上述した制御部１１０により制御されるようにな
っている。
２４からの現像液およびリンス液の供給は、駆動系と同
様に、上述した制御部１１０により制御されるようにな
っている。
【００４４】なお、現像液供給ノズル８６は、ノズル待
機部１１５（図５）に待機されるようになっており、こ
の待機部１１５にはノズル８６を洗浄するノズル洗浄機
構１３０が設けられている。
機部１１５（図５）に待機されるようになっており、こ
の待機部１１５にはノズル８６を洗浄するノズル洗浄機
構１３０が設けられている。
【００４５】次に、このように構成された現像処理ユニ
ット（ＤＥＶ）における現像処理の動作を図８の工程図
を参照しながら説明する。所定のパターンが露光されポ
ストエクスポージャーベーク処理および冷却処理された
ウエハＷが、主ウエハ搬送機構２２によってカップＣＰ
の真上まで搬送され、昇降駆動機構６０によって上昇さ
れたスピンチャック５２に真空吸着される（ＳＴＥＰ
１）。
ット（ＤＥＶ）における現像処理の動作を図８の工程図
を参照しながら説明する。所定のパターンが露光されポ
ストエクスポージャーベーク処理および冷却処理された
ウエハＷが、主ウエハ搬送機構２２によってカップＣＰ
の真上まで搬送され、昇降駆動機構６０によって上昇さ
れたスピンチャック５２に真空吸着される（ＳＴＥＰ
１）。
【００４６】次いで、現像液供給ノズル８６がウエハＷ
の上方に移動し、この現像液供給ノズル８６から現像液
が帯状に吐出されながら、ウエハＷが１／２回転以上、
例えば１回転されることにより、現像液がウエハＷ全面
に例えば１．２ｍｍの厚みになるように塗布される（Ｓ
ＴＥＰ２）。また、現像液供給ノズル８６をガイドレー
ル９４に沿ってスキャンしながら吐出してもよい。
の上方に移動し、この現像液供給ノズル８６から現像液
が帯状に吐出されながら、ウエハＷが１／２回転以上、
例えば１回転されることにより、現像液がウエハＷ全面
に例えば１．２ｍｍの厚みになるように塗布される（Ｓ
ＴＥＰ２）。また、現像液供給ノズル８６をガイドレー
ル９４に沿ってスキャンしながら吐出してもよい。
【００４７】このようにして現像液をウエハＷ上に塗布
した状態で静止させることにより現像を進行させる（Ｓ
ＴＥＰ３）。この際に、リンス機構１２０のリンス用ノ
ズルアーム１２１が移動されて、リンス液吐出ノズル１
２２および現像液吐出ノズル１２３がウエハＷの上方に
位置される（ＳＴＥＰ４）。
した状態で静止させることにより現像を進行させる（Ｓ
ＴＥＰ３）。この際に、リンス機構１２０のリンス用ノ
ズルアーム１２１が移動されて、リンス液吐出ノズル１
２２および現像液吐出ノズル１２３がウエハＷの上方に
位置される（ＳＴＥＰ４）。
【００４８】所定時間経過後、ウエハＷがスピンチャッ
ク５２により回転されて現像液が振り切られ（ＳＴＥＰ
５）、それとほぼ同時に、ウエハＷを所定の回転数で回
転させながらリンス工程が実施されるのであるが、その
初期段階においては、リンス液吐出ノズル１２２および
現像液吐出ノズル１２３から、それぞれリンス液および
現像液が所定の流量で吐出される（ＳＴＥＰ６）。この
場合に、図７に示すように、ウエハＷ上で現像液とリン
ス液とが混合される。所定時間経過後、現像液の供給が
停止され、リンス液のみのリンスが行われる（ＳＴＥＰ
７）。ＳＴＥＰ６およびＳＴＥＰ７における、リンス液
および現像液の供給・停止、その供給割合、ならびにウ
エハＷの回転数はは制御部１１０により制御される。
ク５２により回転されて現像液が振り切られ（ＳＴＥＰ
５）、それとほぼ同時に、ウエハＷを所定の回転数で回
転させながらリンス工程が実施されるのであるが、その
初期段階においては、リンス液吐出ノズル１２２および
現像液吐出ノズル１２３から、それぞれリンス液および
現像液が所定の流量で吐出される（ＳＴＥＰ６）。この
場合に、図７に示すように、ウエハＷ上で現像液とリン
ス液とが混合される。所定時間経過後、現像液の供給が
停止され、リンス液のみのリンスが行われる（ＳＴＥＰ
７）。ＳＴＥＰ６およびＳＴＥＰ７における、リンス液
および現像液の供給・停止、その供給割合、ならびにウ
エハＷの回転数はは制御部１１０により制御される。
【００４９】このようにしてリンス液によりウエハＷ上
に残存する現像液が洗い流された後、スピンチャック５
２が高速で回転され、ウエハＷ上に残存する洗浄液が吹
き飛ばされてウエハＷが乾燥される（ＳＴＥＰ８）。こ
れにより、一連の現像処理が終了する。
に残存する現像液が洗い流された後、スピンチャック５
２が高速で回転され、ウエハＷ上に残存する洗浄液が吹
き飛ばされてウエハＷが乾燥される（ＳＴＥＰ８）。こ
れにより、一連の現像処理が終了する。
【００５０】このように、本実施形態においては、リン
ス工程の初期段階のＳＴＥＰ６において現像液とリンス
液とがウエハＷ上に供給されるので、現像液の存在によ
りレジストの難溶化層の発生を抑制しつつリンスを行う
ことができる。そして、ＳＴＥＰ７において、リンス液
のみに切り換えてリンスを行う際には、レジスト成分は
ある程度洗い流されていることからレジストの難溶化層
の発生を少なくすることができる。
ス工程の初期段階のＳＴＥＰ６において現像液とリンス
液とがウエハＷ上に供給されるので、現像液の存在によ
りレジストの難溶化層の発生を抑制しつつリンスを行う
ことができる。そして、ＳＴＥＰ７において、リンス液
のみに切り換えてリンスを行う際には、レジスト成分は
ある程度洗い流されていることからレジストの難溶化層
の発生を少なくすることができる。
【００５１】また、ＳＴＥＰ６において、制御部１１０
により、現像液の割合を徐々に減少させるようにすれ
ば、初期段階でリンス液が少ないのでレジストの難溶化
層の発生を効果的に抑制することができ、また、リンス
液が徐々に増加することになり、リンス液による難溶化
層の発生を抑制しつつ迅速にリンスを行うことができ
る。特に、最初にほぼ現像液のみでリンスを行い、現像
液を０まで徐々に減少させることにより、このような効
果を一層確実なものとすることができる。
により、現像液の割合を徐々に減少させるようにすれ
ば、初期段階でリンス液が少ないのでレジストの難溶化
層の発生を効果的に抑制することができ、また、リンス
液が徐々に増加することになり、リンス液による難溶化
層の発生を抑制しつつ迅速にリンスを行うことができ
る。特に、最初にほぼ現像液のみでリンスを行い、現像
液を０まで徐々に減少させることにより、このような効
果を一層確実なものとすることができる。
【００５２】次に、現像処理ユニット（ＤＥＶ）の他の
実施形態について説明する。図９は他の実施形態に係る
現像処理ユニットを示す平面図である。この実施形態で
は、リンス機構１２０’は、リンス液吐出ノズル１２２
および現像液吐出ノズル１２３の他に界面活性剤吐出ノ
ズル１２８を有するリンス用ノズルアーム１２１’を有
しており、界面活性剤供給部１２７から界面活性剤供給
管１２９を介して界面活性剤がノズル１２８から吐出さ
れるようになっている。界面活性剤供給部１２７からの
界面活性剤の供給も制御部１１０により制御されるよう
になっている。
実施形態について説明する。図９は他の実施形態に係る
現像処理ユニットを示す平面図である。この実施形態で
は、リンス機構１２０’は、リンス液吐出ノズル１２２
および現像液吐出ノズル１２３の他に界面活性剤吐出ノ
ズル１２８を有するリンス用ノズルアーム１２１’を有
しており、界面活性剤供給部１２７から界面活性剤供給
管１２９を介して界面活性剤がノズル１２８から吐出さ
れるようになっている。界面活性剤供給部１２７からの
界面活性剤の供給も制御部１１０により制御されるよう
になっている。
【００５３】このようなリンス機構１２０’により現像
後のリンスを行う際には、リンス液および現像液の他に
適宜の時期に界面活性剤をウエハＷ上に供給することに
より、レジストの難溶化層の形成を一層効果的に防止す
ることができる。
後のリンスを行う際には、リンス液および現像液の他に
適宜の時期に界面活性剤をウエハＷ上に供給することに
より、レジストの難溶化層の形成を一層効果的に防止す
ることができる。
【００５４】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態
では、本発明を半導体ウエハの現像処理に適用したが、
これに限らず、液晶表示装置（ＬＣＤ）用基板等、他の
基板の現像処理にも適用することができる。
ず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態
では、本発明を半導体ウエハの現像処理に適用したが、
これに限らず、液晶表示装置（ＬＣＤ）用基板等、他の
基板の現像処理にも適用することができる。
【００５５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
リンス工程の初期段階において現像液とリンス液とを基
板上に供給するので、現像液の存在によりレジストの難
溶化層の発生を抑制しつつリンスを行うことができる。
リンス工程の初期段階において現像液とリンス液とを基
板上に供給するので、現像液の存在によりレジストの難
溶化層の発生を抑制しつつリンスを行うことができる。
【００５６】この場合に、現像液とリンス液とを基板上
に供給してリンスを行った後、リンス液のみに切り換え
てリンスを行えば、レジスト成分はある程度洗い流され
ていることからレジストの難溶化層の発生を少なくする
ことができる。
に供給してリンスを行った後、リンス液のみに切り換え
てリンスを行えば、レジスト成分はある程度洗い流され
ていることからレジストの難溶化層の発生を少なくする
ことができる。
【００５７】また、現像液とリンス液とを基板上に供給
してリンスを行う際に、現像液の割合を徐々に減少させ
るようにすれば、最初リンス液が少ないのでレジストの
難溶化層の発生を効果的に抑制することができ、また、
リンス液が徐々に増加することになり、リンス液による
難溶化層の発生を抑制しつつ迅速にリンスを行うことが
できる。
してリンスを行う際に、現像液の割合を徐々に減少させ
るようにすれば、最初リンス液が少ないのでレジストの
難溶化層の発生を効果的に抑制することができ、また、
リンス液が徐々に増加することになり、リンス液による
難溶化層の発生を抑制しつつ迅速にリンスを行うことが
できる。
【図１】本発明が適用される現像処理ユニットを備えた
半導体ウエハのレジスト塗布現像処理システムの全体構
成を示す平面図。
半導体ウエハのレジスト塗布現像処理システムの全体構
成を示す平面図。
【図２】本発明が適用される現像処理ユニットを備えた
半導体ウエハのレジスト塗布現像処理システムの全体構
成を示す正面図。
半導体ウエハのレジスト塗布現像処理システムの全体構
成を示す正面図。
【図３】本発明が適用される現像処理ユニットを備えた
半導体ウエハのレジスト塗布現像処理システムの全体構
成を示す背面図。
半導体ウエハのレジスト塗布現像処理システムの全体構
成を示す背面図。
【図４】本発明が適用される現像処理ユニットの全体構
成を示す断面図。
成を示す断面図。
【図５】本発明が適用される現像処理ユニットを示す平
面図。
面図。
【図６】上記現像処理ユニットに用いられる現像液供給
ノズルを示す斜視図。
ノズルを示す斜視図。
【図７】上記現像処理ユニットに用いられるリンス機構
によるリンス動作を示す模式図。
によるリンス動作を示す模式図。
【図８】本発明に係る現像処理方法の一実施形態を説明
する工程図。
する工程図。
【図９】他の実施形態に係る現像処理ユニットを示す平
面図。
面図。
５２……スピンチャック ５４……駆動モータ ８６……現像液供給ノズル ８９……現像液供給部 １１０……制御部 １２０……リンス機構 １２１……リンス用ノズルアーム １２２……リンス液吐出ノズル １２３……現像液吐出ノズル １２４……リンス液供給部 ＤＥＶ……現像処理ユニット Ｗ……半導体ウエハ（基板）
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Claims (9)
- 【請求項１】 基板上に形成されたレジスト膜を所定パ
ターンに露光した後、露光パターンを現像する現像処理
方法であって、 基板上の露光後のレジスト膜に現像液を塗布する工程
と、 塗布された現像液を静止させて現像を進行させる工程
と、 現像処理終了後、基板上にリンス液を供給してリンスす
る工程とを有し、 前記リンス工程は、初期段階において現像液とリンス液
とを基板上に供給してリンスを行うことを特徴とする現
像処理方法。 - 【請求項２】 前記リンス工程は、現像液とリンス液と
を基板上に供給してリンスを行った後、リンス液のみに
切り換えてリンスを行うことを特徴とする請求項１に記
載の現像処理方法。 - 【請求項３】 前記リンス工程は、現像液とリンス液と
を基板上に供給してリンスを行う際に現像液の割合を徐
々に減少させることを特徴とする請求項１または請求項
２に記載の現像処理方法。 - 【請求項４】 前記リンス工程において、現像液とリン
ス液とは個別的に供給され、基板上で混合されることを
特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記
載の現像処理方法。 - 【請求項５】 前記リンス工程において、基板上に界面
活性剤を供給することを特徴とする請求項１ないし請求
項４のいずれか１項に記載の現像処理方法。 - 【請求項６】 基板上に形成されたレジスト膜を所定パ
ターンに露光した後、露光パターンを現像する現像処理
装置であって、 基板上の露光後のレジスト膜に現像液を塗布する現像液
塗布機構と、 現像処理終了後、基板上をリンスするリンス機構と、 前記リンス機構を制御する制御手段とを具備し、 前記リンス機構は、基板に現像液を供給する現像液ノズ
ルと、基板にリンス液を供給するリンス液ノズルとを有
し、前記制御手段により、リンスの初期段階において現
像液とリンス液とを基板上に供給するようにリンス機構
を制御することを特徴とする現像処理装置。 - 【請求項７】 前記制御手段は、現像液とリンス液とを
基板上に供給してリンスを行った後、リンス液のみに切
り換えることを特徴とする請求項６に記載の現像処理装
置。 - 【請求項８】 前記制御手段は、現像液とリンス液とを
基板上に供給してリンスを行う際に現像液の割合を徐々
に減少させるようにリンス機構を制御することを特徴と
する請求項６または請求項７に記載の現像処理装置。 - 【請求項９】 前記リンス機構は、基板上に界面活性剤
を供給する界面活性剤供給機構を有し、基板上をリンス
する際に界面活性剤を供給することを特徴とする請求項
６ないし請求項８のいずれか１項に記載の現像処理装
置。
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|---|---|---|---|
| JP17378199A JP3479613B2 (ja) | 1999-06-21 | 1999-06-21 | 現像処理方法および現像処理装置 |
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|---|---|---|---|
| JP17378199A JP3479613B2 (ja) | 1999-06-21 | 1999-06-21 | 現像処理方法および現像処理装置 |
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| JP2001005191A true JP2001005191A (ja) | 2001-01-12 |
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| JP17378199A Expired - Fee Related JP3479613B2 (ja) | 1999-06-21 | 1999-06-21 | 現像処理方法および現像処理装置 |
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1999
- 1999-06-21 JP JP17378199A patent/JP3479613B2/ja not_active Expired - Fee Related
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