JP2000288458A - 塗布膜形成方法および塗布装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高揮発性の溶剤を用いた場合であっても、塗
布液の塗布に先立ち溶剤により基板表面を濡らすいわゆ
るプリウエット処理を確実に行えるとともに、塗布膜の
膜厚の低下を抑えることができる塗布膜形成方法および
塗布装置を提供すること。 【解決手段】 シンナーノズル１０１をウエハＷの中心
に位置させてシンナーを吐出した後、シンナーノズル１
０１の位置とレジストノズル８６位置とをレジストのズ
ル８６がウエハＷの中心に位置するようにシフトする一
方、このシフト時間（Ｔｅ）の間、吐出したシンナーを
ウエハＷ上で放置し、このシフト時間（Ｔｅ）の後、所
定の微少時間（Ｔｓ）の間に、ウエハＷを低速度で回転
して、ウエハＷ上のシンナーを径方向に拡散し、この微
少時間（Ｔｓ）の後、レジストノズル８６からレジスト
液をウエハＷに吐出してレジスト膜を成膜する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハや液
晶表示装置（ＬＣＤ）基板等の基板の表面上に例えばレ
ジスト膜のような塗布膜を形成する塗布膜形成方法およ
び塗布装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば半導体デバイスの製造プロセスに
おけるフォトリソグラフィー工程においては、半導体ウ
エハの表面にレジスト膜を形成するレジスト塗布処理
と、レジスト塗布後の半導体ウエハに対して所定パター
ンの露光処理を行った後にそのパターンを現像する現像
処理とが行われている。このレジスト塗布処理において
は、半導体ウエハ表面にレジスト液を均一に塗布するた
めの方法としてスピンコーティング法等が多用されてい
る。

【０００３】図１７は、このスピンコーティング法を利
用した従来の塗布処理ユニットの概要を示すものであ
る。例えばスピンチャック１４１により真空吸着によっ
てウエハＷを固定保持した状態で、図示しない回転駆動
手段によりスピンチャック１４１と共にウエハＷを回転
させ、ウエハＷの上方に配置されたレジストノズル１４
２からウエハＷ表面の略中央にレジスト液を滴下する。
滴下されたレジスト液は、遠心力によってウエハＷの径
方向外方に向かって広がり、その後レジスト液の滴下は
停止し、半導体ウエハを所定速度で回転させて、残余の
レジストを振り切るとともに乾燥させている。これによ
り、半導体ウエハ上に所定の膜厚を有するレジスト膜が
形成される。

【０００４】最近では、製造コストの削減等の理由によ
りレジスト消費量を減らすことが要望されており、その
ため、各ウエハに対するレジスト液の滴下量を減らすこ
とが試みられている。このレジストの滴下量を減らす一
手法として、レジストの塗布に先立ってシンナー等の溶
剤でウエハの表面全体を濡らす、いわゆるプリウエット
処理がある。このプリウエット処理により、レジストが
拡散しやすくなり、結果として少量のレジスト液量で均
一なレジスト膜を形成することができ、レジストの消費
量を削減することができる。

【０００５】このプリウエット処理を行うためのシンナ
ーノズルは、通常レジストノズルと同じノズルアームに
設けられており、そのため、まずシンナーノズルを半導
体ウエハの中央に配置してシンナーをウエハの略中央に
吐出した後、ノズルアームを駆動してシンナーノズルお
よびレジストノズルをシフトさせ、レジストノズルをウ
エハの略中央に位置させる一方、このシフト時間（例え
ば、約１秒）の間に、ウエハを回転してシンナーを径方
向に拡散している。すなわち、従来は、シンナー吐出
後、上記シフト時間に、シンナーの拡散も並行して行
い、その後に、レジスト液をウエハに吐出している。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
なプリウエット処理を行う際、シンナー等の溶剤とし
て、酢酸ブチル等の揮発性の高い高揮発性シンナーを用
いることがあるが、この高揮発性シンナーは、その乾燥
が著しく速いため、上記のように、例えば１秒間に、両
ノズルのシフトとシンナーの拡散とを並行して行い、そ
の後、レジスト液をウエハに吐出する場合には、レジス
ト液を吐出した時点で、高揮発性シンナーの乾燥が既に
進行し、半導体ウエハ周辺部にレジスト液が到達した時
には、高揮発性シンナーが既に揮発してしまっているこ
とがある。

【０００７】このような場合には、プリウエットの効果
を十分に発揮することができず、レジスト消費量の削減
を十分に図ることができない。加えて、高揮発性シンナ
ーの乾燥時における気化熱により半導体ウエハの温度、
特にウエハ周辺部の温度が低下し、この外周部の膜厚が
低下してしまう。

【０００８】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であって、高揮発性の溶剤を用いた場合であっても、塗
布液の塗布に先立ち溶剤により基板表面を濡らすいわゆ
るプリウエット処理を確実に行えるとともに、塗布膜の
膜厚の低下を抑えることができる塗布膜形成方法および
塗布装置を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の第１の観点によれば、処理容器内に収容さ
れた基板の表面上に、塗布液を吐出して塗布膜を形成す
る塗布膜形成方法であって、溶剤吐出ノズルを基板上の
吐出位置に位置させて基板へ溶剤を吐出する工程と、こ
の溶剤吐出ノズルの位置と塗布液吐出ノズルの位置とを
基板上でシフトさせて塗布液吐出ノズルを基板上の吐出
位置に位置させる一方、このシフトの間、吐出した溶剤
を基板上で放置する工程と、基板を低速度で回転して、
基板上の溶剤を径方向に拡散する工程と、その後、基板
を高速度に切り換えて回転させながら、塗布液吐出ノズ
ルから塗布液を基板上に吐出して、基板上に塗布膜を形
成する工程とを具備することを特徴とする塗布膜形成方
法が提供される。

【００１０】本発明の第２の観点によれば、処理容器内
に収容された基板の表面上に、塗布液を吐出して塗布膜
を形成する塗布膜形成方法であって、基板の回転を停止
している時に、溶剤吐出ノズルを基板の略中央に移動し
た後、この溶剤吐出ノズルから溶剤を基板上に吐出する
工程と、溶剤の吐出後、この溶剤吐出ノズルの位置と塗
布液吐出ノズルの位置とを基板上でシフトさせて塗布液
吐出ノズルを基板上の吐出位置に位置させる一方、この
シフト時間（Ｔｅ）の間、吐出した溶剤を基板上で放置
する工程と、このシフト時間（Ｔｅ）が終了後、所定の
微少時間（Ｔｓ）の間に、基板を低速度で回転して基板
上の溶剤を径方向に拡散する工程と、この微少時間（Ｔ
ｓ）の後、基板を高速度に切り換えて回転させながら、
塗布液吐出ノズルから塗布液を基板上に吐出して、基板
上に塗布膜を形成する工程とを具備することを特徴とす
る塗布膜形成方法が提供される。この場合に、前記所定
の微少時間（Ｔｓ）は、前記シフト時間（Ｔｅ）に比べ
て十分に短い時間に設定することが好ましい。

【００１１】本発明の第３の観点によれば、基板の面上
に塗布液を吐出して塗布膜を形成する塗布膜形成方法で
あって、溶剤吐出ノズルを前記基板上の吐出位置に位置
させ、前記溶剤吐出ノズルから基板面上に溶剤を吐出す
る工程と、前記基板を回転させて前記基板面上に吐出さ
れた溶剤を拡散する工程と、塗布液吐出ノズルを前記基
板上の前記吐出位置に位置させ、前記溶剤が気化する前
に、前記基板を回転させながら前記塗布液吐出ノズルか
ら基板面上へ前記塗布液を吐出して塗布膜を形成する工
程とを具備することを特徴とする塗布膜形成方法が提供
される。

【００１２】本発明の第４の観点によれば、処理容器内
に収容された基板の表面上に、塗布液を吐出して塗布膜
を形成する塗布装置であって、基板を速度可変で回転さ
せる回転手段と、塗布液の塗布に先立ってその表面を濡
らすための溶剤を吐出する溶剤吐出ノズルと、この溶剤
吐出ノズルに溶剤を供給するための溶剤供給部と、基板
に塗布液を吐出するための塗布液吐出ノズルと、この塗
布液吐出ノズルに塗布液を供給するための塗布液供給部
と、溶剤吐出ノズルおよび塗布液吐出ノズルを保持し、
移動させるためのノズルアームと、前記回転手段、前記
ノズルアーム、前記溶剤供給部、および前記塗布液供給
部を制御する制御手段とを具備し、前記制御手段は、前
記溶剤吐出ノズルを基板上の吐出位置に位置させて基板
へ溶剤を吐出させ、その後ノズルアームを制御して、前
記塗布液吐出ノズルを基板上の吐出位置に位置させると
ともに、その間に基板を回転停止させ、次いで回転手段
を制御して、基板を低速度で回転させて基板上の溶剤を
径方向に拡散させ、その後、基板を高速度に切り換えて
回転させながら、塗布液吐出ノズルから塗布液を基板上
に吐出させることを特徴とする塗布装置が提供される。

【００１３】本発明の第５の観点によれば、基板を速度
可変で回転させる回転手段と、基板の面上に溶剤を吐出
する溶剤吐出ノズルと、前記溶剤吐出ノズルに溶剤を供
給する溶剤供給部と、前記基板の面上に塗布液を吐出す
る塗布液吐出ノズルと、前記塗布液吐出ノズルに塗布液
を供給する塗布液供給部と、前記溶剤吐出ノズルおよび
前記塗布液吐出ノズルを保持し、移動させるノズルアー
ムと、前記回転手段、前記ノズルアーム、前記溶剤供給
部および前記塗布液供給部を制御する制御手段とを具備
し、前記制御手段は、前記ノズルアームを制御して前記
溶剤吐出ノズルを基板上の吐出位置に位置させ、前記溶
剤供給部を制御して前記基板面上へ前記溶剤吐出ノズル
から前記溶剤を吐出させ、ノズルアームを制御して前記
塗布液吐出ノズルを基板上の前記吐出位置に位置させる
とともに、前記回転手段を制御して前記基板を回転させ
て前記溶剤を拡散させ、前記塗布液供給部を制御して、
前記溶剤が気化する前に前記基板面上へ前記塗布液吐出
ノズルから前記塗布液を吐出させ、前記回転手段を制御
して前記基板を回転させて前記塗布液を拡散させること
を特徴とする塗布装置が提供される。

【００１４】本発明によれば、溶剤吐出ノズルを基板上
の吐出位置に位置させて基板へ溶剤を吐出させた後、溶
剤吐出ノズルの位置と塗布液吐出ノズルの位置とを基板
上でシフトさせた後に基板を回転させて溶剤を拡散させ
ること、また、これらのノズルのシフトが終了する直前
に基板を回転させて溶剤を拡散させること等により、塗
布液の吐出直前に溶剤を拡散するので、溶剤として高揮
発性シンナーを用いた場合であっても、塗布液の吐出時
点では溶剤の乾燥は殆ど進行しておらず、基板周辺部に
塗布液が到達した時にも、高揮発性シンナーは基板上を
十分に濡らしており、プリウエット処理の効果を十分に
発揮することができる。また、溶剤が基板から揮発して
しまう前に塗布液を塗布することができるので、溶剤の
気化熱による基板の温度、特に基板周辺部の温度の低下
が少なく、基板外周部の膜厚の低下を抑制することがで
きる。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発
明の実施の形態について具体的に説明する。図１ないし
図３は、各々本発明の実施の形態が適用される半導体ウ
エハ（以下、「ウエハ」という）のレジスト塗布現像処
理システム１の全体構成の図であって、図１は平面、図
２は正面、図３は背面をそれぞれ示している。

【００１６】この塗布現像処理システム１は、図１に示
すように、被処理基板としてウエハＷをウエハカセット
ＣＲで複数枚、例えば２５枚単位で外部からシステムに
搬入したり、あるいはシステムから搬出したり、ウエハ
カセットＣＲに対してウエハＷを搬入・搬出したりする
ためのカセットステーション１０と、塗布現像工程の中
で１枚ずつウエハＷに所定の処理を施す枚葉式の各種処
理ユニットを所定位置に多段配置してなる処理ステーシ
ョン１１と、この処理ステーション１１に隣接して設け
られる露光装置（図示せず）との間でウエハＷを受け渡
しするためのインターフェイス部１２とを一体に接続し
た構成を有している。

【００１７】前記カセットステーション１０では、図１
に示すように、カセット載置台２０上の位置決め突起２
０ａの位置に、複数個例えば４個までのウエハカセット
ＣＲが、夫々のウエハ出入口を処理ステーション１１側
に向けてＸ方向に一列に載置され、このカセット配列方
向（Ｘ方向）およびウエハカセットＣＲ内に収納された
ウエハのウエハ配列方向（Ｚ方向：垂直方向）に移動可
能なウエハ搬送体２１が各ウエハカセットＣＲに選択的
にアクセスするようになっている。

【００１８】さらにこのウエハ搬送体２１は、θ方向に
回転自在に構成されており、後述するように処理ステー
ション１１側の第３の処理ユニット群Ｇ_３の多段ユニッ
ト部に属するアライメントユニット（ＡＬＩＭ）および
イクステンションユニット（ＥＸＴ）にもアクセスでき
るようになっている。

【００１９】前記処理ステーション１１には、図１に示
すように、ウエハ搬送装置を備えた垂直搬送型の主ウエ
ハ搬送機構２２が設けられ、その周りに全ての処理ユニ
ットが複数の組に亘って多段に配置されている。

【００２０】主ウエハ搬送機構２２は、図３に示すよう
に、筒状支持体４９の内側に、ウエハ搬送装置４６を上
下方向（Ｚ方向）に昇降自在に装備している。筒状支持
体４９はモータ（図示せず）の回転軸に接続されてお
り、このモータの回転駆動力によって、前記回転軸を中
心としてウエハ搬送装置４６と一体に回転し、それによ
りこのウエハ搬送装置４６は、θ方向に回転自在となっ
ている。なお筒状支持体４９は前記モータによって回転
される別の回転軸（図示せず）に接続するように構成し
てもよい。

【００２１】ウエハ搬送装置４６は、搬送基台４７の前
後方向に移動自在な複数本の保持部材４８を備え、これ
らの保持部材４８によって各処理ユニット間でのウエハ
Ｗの受け渡しを実現している。

【００２２】また、図１に示すように、この例では、５
つの処理ユニット群Ｇ_１、Ｇ_２、Ｇ _３、Ｇ_４、Ｇ_５が配
置可能な構成であり、第１および第２の処理ユニット群
Ｇ_１、Ｇ_２の多段ユニットは、システム正面（図１にお
いて手前）側に配置され、第３の処理ユニット群Ｇ_３の
多段ユニットはカセットステーション１０に隣接して配
置され、第４の処理ユニット群Ｇ_４の多段ユニットはイ
ンターフェイス部１２に隣接して配置され、第５の処理
ユニット群Ｇ_５の多段ユニットは背面側に配置されるこ
とが可能である。

【００２３】図２に示すように、第１の処理ユニット群
Ｇ_１では、カップＣＰ内でウエハＷをスピンチャックに
載せて所定の処理を行う２台のスピンナ型処理ユニッ
ト、例えばレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）および
現像ユニット（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ねられて
いる。第２の処理ユニット群Ｇ_２でも、２台のスピンナ
型処理ユニット、例えばレジスト塗布処理ユニット（Ｃ
ＯＴ）および現像ユニット（ＤＥＶ）が下から順に２段
に重ねられている。これらレジスト塗布処理ユニット
（ＣＯＴ）は、レジスト液の排液が機械的にもメンテナ
ンスの上でも面倒であることから、このように下段に配
置するのが好ましい。しかし、必要に応じて適宜上段に
配置することももちろん可能である。

【００２４】図３に示すように、第３の処理ユニット群
Ｇ_３では、ウエハＷを載置台ＳＰに載せて所定の処理を
行うオーブン型の処理ユニット、例えば冷却処理を行う
クーリングユニット（ＣＯＬ）、レジストの定着性を高
めるためのいわゆる疎水化処理を行うアドヒージョンユ
ニット（ＡＤ）、位置合わせを行うアライメントユニッ
ト（ＡＬＩＭ）、イクステンションユニット（ＥＸ
Ｔ）、露光処理前の加熱処理を行うプリベーキングユニ
ット（ＰＲＥＢＡＫＥ）および露光処理後の加熱処理を
行うポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が、下
から順に例えば８段に重ねられている。

【００２５】第４の処理ユニット群Ｇ_４でも、オーブン
型の処理ユニット、例えばクーリングユニット（ＣＯ
Ｌ）、イクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴ
ＣＯＬ）、イクステンションユニット（ＥＸＴ）、クー
リングユニット（ＣＯＬ）、プリベーキングユニット
（ＰＲＥＢＡＫＥ）およびポストベーキングユニット
（ＰＯＢＡＫＥ）が下から順に、例えば８段に重ねられ
ている。

【００２６】前記インターフェイス部１２は、図１に示
すように、奥行方向（Ｘ方向）については、前記処理ス
テーション１１と同じ寸法を有するが、幅方向について
はより小さなサイズに設定されている。そしてこのイン
ターフェイス部１２の正面部には、可搬性のピックアッ
プカセットＣＲと、定置型のバッファカセットＢＲが２
段に配置され、他方、背面部には周辺露光装置２３が配
置され、さらに、中央部には、ウエハ搬送体２４が設け
られている。このウエハ搬送体２４は、Ｘ方向、Ｚ方向
に移動して両カセットＣＲ、ＢＲおよび周辺露光装置２
３にアクセスするようになっている。前記ウエハ搬送体
２４は、θ方向にも回転自在となるように構成されてお
り、前記処理ステーション１１側の第４の処理ユニット
群Ｇ_４の多段ユニットに属するイクステンションユニッ
ト（ＥＸＴ）や、さらには隣接する露光装置側のウエハ
受け渡し台（図示せず）にもアクセスできるようになっ
ている。

【００２７】また前記塗布現像処理システム１では、図
１に示すように、既述の如く主ウエハ搬送機構２２の背
面側にも破線で示した第５の処理ユニット群Ｇ_５の多段
ユニットが配置できるようになっているが、この第５の
処理ユニット群Ｇ_５の多段ユニットは、案内レール２５
に沿って主ウエハ搬送機構２２からみて、側方へシフト
できるように構成されている。したがって、この第５の
処理ユニット群Ｇ_５の多段ユニットを図示の如く設けた
場合でも、前記案内レール２５に沿ってスライドするこ
とにより、空間部が確保されるので、主ウエハ搬送機構
２２に対して背後からメンテナンス作業が容易に行える
ようになっている。なお第５の処理ユニット群Ｇ_５の多
段ユニットは、そのように案内レール２５に沿った直線
状のスライドシフトに限らず、図１中の一点鎖線の往復
回動矢印で示したように、システム外方へと回動シフト
させるように構成しても、主ウエハ搬送機構２２に対す
るメンテナンス作業のスペース確保が容易である。

【００２８】このようなレジスト塗布現像処理システム
においては、カセットステーション１０において、ウエ
ハ搬送体２１によりウエハカセットＣＲから一枚のウエ
ハＷが取り出され、処理ユニット群Ｇ_３のイクステンシ
ョンユニット（ＥＸＴ）に搬送される。そして、ウエハ
Ｗは、主ウエハ搬送機構２２のウエハ搬送装置４６によ
り、まず、アドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）におい
て、レジストの定着性を高めるための疎水化処理（ＨＭ
ＤＳ処理）が施される。この処理は加熱を伴うため、そ
の後ウエハＷは、ウエハ搬送装置４６により、クーリン
グユニット（ＣＯＬ）に搬送されて冷却される。引き続
き、ウエハＷは、ウエハ搬送装置４６によりレジスト塗
布ユニット（ＣＯＴ）に搬送され、後述するようにして
塗布膜が形成される。

【００２９】塗布処理終了後、ウエハＷはプリベーキン
グユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）にてプリベーク処理さ
れ、その後クーリングユニット（ＣＯＬ）にて冷却され
る。冷却されたウエハＷは、アライメントユニット（Ａ
ＬＩＭ）に搬送され、そこでアライメントされた後、処
理ユニット群Ｇ_４のイクステンションユニット（ＥＸ
Ｔ）に搬送される。

【００３０】その後、ウエハＷはウエハ搬送体２４によ
りインターフェース部１２に搬送去れ、周辺露光装置２
３により周辺露光されて余分なレジストが除去された
後、インターフェース部１２に隣接して設けられた図示
しない露光装置により所定のパターンに露光される。

【００３１】露光後のウエハＷは、再びインターフェー
ス部１２に戻され、ウエハ搬送体２４により、イクステ
ンションユニット（ＥＸＴ）に搬送される。そして、ウ
エハＷは、ウエハ搬送装置４６により、いずれかのポス
トベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）に搬送されてポ
ストエクスポージャーベーク処理が施され、次いで、ク
ーリングユニット（ＣＯＬ）により冷却される。

【００３２】その後、ウエハＷは現像ユニット（ＤＥ
Ｖ）に搬送され、そこで露光パターンを現像する。現像
終了後、ウエハＷはいずれかのポストベーキングユニッ
ト（ＰＯＢＡＫＥ）に搬送されてポストベーク処理が施
され、次いで、クーリングユニット（ＣＯＬ）により冷
却される。このような一連の処理が終了後、処理ユニッ
ト群Ｇ_３のイクステンションユニット（ＥＸＴ）を介し
てカセットステーション１０に戻され、いずれかのカセ
ットＣＲに収容される。

【００３３】次に、本実施形態に用いられるレジスト塗
布処理ユニット（ＣＯＴ）の第１の例について説明す
る。図４および図５は、第１の例のレジスト塗布処理ユ
ニット（ＣＯＴ）の全体構成を示す略断面図および略平
面図である。

【００３４】このレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）
の中央部には環状のカップＣＰが配置され、カップＣＰ
の内側にはスピンチャック５２が配置されている。スピ
ンチャック５２は真空吸着によってウエハＷを固定保持
した状態で駆動モータ５４によって回転駆動される。駆
動モータ５４は、ユニット底板５０に設けられた開口５
０ａに昇降移動可能に配置され、たとえばアルミニウム
からなるキャップ状のフランジ部材５８を介してたとえ
ばエアシリンダからなる昇降駆動手段６０および昇降ガ
イド手段６２と結合されている。駆動モータ５４の側面
にはたとえばＳＵＳからなる筒状の冷却ジャケット６４
が取り付けられ、フランジ部材５８は、この冷却ジャケ
ット６４の上半部を覆うように取り付けられている。

【００３５】レジスト塗布時、フランジ部材５８の下端
５８ａは、開口５０ａの外周付近でユニット底板５０に
密着し、これによってユニット内部が密閉される。スピ
ンチャック５２と主ウエハ搬送機構２２の保持部材４８
との間でウエハＷの受け渡しが行われる時は、昇降駆動
手段６０が駆動モータ５４ないしスピンチャック５２を
上方へ持ち上げることでフランジ部材５８の下端がユニ
ット底板５０から浮くようになっている。

【００３６】ウエハＷの表面にレジスト液を吐出するた
めのレジストノズル８６は、レジスト供給管８８に接続
されており、このレジスト供給管８８には、エアーオペ
バルブ１３０およびサックバックバルブ１３１が接続さ
れている。このレジストノズル８６はレジストノズルス
キャンアーム９２の先端部にノズルアーム１００を介し
て着脱可能に取り付けられている。このレジストノズル
スキャンアーム９２は、ユニット底板５０の上に一方向
（Ｙ方向）に敷設されたガイドレール９４上で水平移動
可能な垂直支持部材９６の上端部に取り付けられてお
り、図示しないＹ方向駆動機構によって垂直支持部材９
６と一体にＹ方向に移動するようになっている。

【００３７】また、レジストノズルスキャンアーム９２
は、レジストノズル待機部９０でレジストノズル８６を
選択的に取り付けるためにＹ方向と直角なＸ方向にも移
動可能であり、図示しないＸ方向駆動機構によってＸ方
向にも移動するようになっている。

【００３８】さらに、レジストノズル待機部９０でレジ
ストノズル８６の吐出口が溶媒雰囲気室の口９０ａに挿
入され、中で溶媒の雰囲気に晒されることで、ノズル先
端のレジスト液が固化または劣化しないようになってい
る。また、複数本のレジストノズル８６が設けられ、例
えばレジスト液の種類に応じてそれらのノズルが使い分
けられるようになっている。

【００３９】レジストノズルスキャンアーム９２の先端
部（ノズルアーム１００）には、ウエハ表面へのレジス
ト液の吐出に先立ってウエハ表面にウエハ表面を濡らす
ための溶剤例えばシンナーを吐出するシンナーノズル１
０１が取り付けられている。このシンナーノズル１０１
は図示しない溶剤供給管を介してシンナー供給部に接続
されている。シンナーノズル１０１とレジストノズル８
６はレジストノズルスキャンアーム９２のＹ移動方向に
沿う直線上に各々の吐出口が位置するように取り付けら
れている。

【００４０】ガイドレール９４上には、レジストノズル
スキャンアーム９２を支持する垂直支持部材８６だけで
なく、リンスノズルスキャンアーム１２０を支持しＹ方
向に移動可能な垂直支持部材も設けられている。このリ
ンスノズルスキャンアーム１２０の先端部にはサイドリ
ンス用のリンスノズル１２２が取り付けられている。Ｙ
方向駆動機構（図示せず）によってリンスノズルスキャ
ンアーム１２０およびリンスノズル１２２はカップＣＰ
の側方に設定されたリンスノズル待機位置（実線の位
置）とスピンチャック５２に設置されているウエハＷの
周辺部の真上に設定されたリンス液吐出位置（点線の位
置）との間で並進または直線移動するようになってい
る。

【００４１】図６は、レジスト塗布処理ユニット（ＣＯ
Ｔ）の制御系の構成を示す図である。塗布処理ユニット
のコントローラ１３３は、レジスト塗布処理ユニット
（ＣＯＴ）内の各部を制御するものであり、例えば、ウ
エハＷを回転するための駆動モータ５４、レジスト液の
供給と停止とを切り換えるエアーオペバルブ１３０、レ
ジスト液をサックバックするサックバックバルブ１３
１、およびシンナーを供給または停止するためのシンナ
ー供給部１３２を制御するようになっている。

【００４２】このように構成されたレジスト塗布処理ユ
ニット（ＣＯＴ）においては、以下に示す第１および第
２の塗布プロセスによりレジスト液の塗布が行われる。
ここでは、シンナーによりいわゆるプリウエットを行っ
て従来よりも少ないレジスト量でレジスト膜を形成す
る。

【００４３】第１の塗布プロセスにおいては、まず、レ
ジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）内のカップＣＰの真
上までウエハＷが搬入され、その後、ウエハＷは、スピ
ンチャック５２によって真空吸着され、続いて表１に示
すようにレジスト塗布の一連の処理（ステップ１−１〜
１−１４）が実行される。ここでは、ウエハＷの裏面が
スピンチャックにより吸着された状態で、ウエハＷの表
面にレジスト液が塗布される。

【００４４】

【表１】

【００４５】表１に示すように、ステップ１−１では、
ノズルアーム１００の移動が開始され、図７の（ａ）に
示すように、シンナーノズル１０１の吐出口がウエハＷ
の中心に移動される。この時、ウエハＷの回転は、停止
されている。

【００４６】次に、ステップ１−２では、シンナーノズ
ル１０１からシンナー（酢酸ブチル等の揮発性の高い高
揮発性シンナー）がウエハＷに吐出される。この時も、
ウエハＷの回転は、停止されている。

【００４７】ステップ１−３では、図７の（ｂ）に示す
ように、ノズルアーム１００が移動されて、レジストノ
ズル８６の吐出口がウエハＷの中心に位置し、シンナー
ノズル１０１がウエハＷの中心から外れるように、これ
らノズル位置をシフトさせる。この際の所定のシフト時
間（Ｔｅ）の間（ここでは１．０秒間）、吐出されたシ
ンナーは、ウエハＷ上に放置されている。

【００４８】ステップ１−４では、前記ステップ１−３
におけるノズル位置のシフトの直後に所定の微少時間
（Ｔｓ）の間（ここでは０．１秒間）に、ウエハＷが回
転され、ウエハ上のシンナーが径方向に拡散される。こ
の工程おけるウエハＷの回転は、第１の速度として低回
転速度（ここでは１０００ｒｐｍ）で行われる。これに
より、レジスト液の塗布に先立ってシンナーでウエハＷ
表面の表面全体を濡らす、いわゆるプリウエット処理を
行う。ここで、シンナー拡散時のウエハＷの回転は、後
のレジスト塗布時のウエハＷの回転速度よりも低い回転
速度で行われるので、シンナーの乾燥はほとんど進行し
ない。

【００４９】ステップ１−５では、ウエハＷの回転速度
を第２の回転速度としての高速度（４０００ｒｐｍ）に
切り換える。この時、レジストノズル８６からレジスト
液がウエハＷに吐出させる。ウエハＷ上に供給されたレ
ジストは、遠心力によりウエハＷの中心から周辺に向け
て拡散され、これによりウエハＷ上にレジスト膜が形成
される。

【００５０】このように、第１の塗布プロセスでは、両
ノズル８６，１０１のシフト時間（Ｔｅ）（ここでは
１．０秒）の間、吐出したシンナーがウエハＷ上で放置
され、その後の微少時間（Ｔｓ）の間（ここでは０．１
秒）に、ウエハＷ上のシンナーが拡散され、このシンナ
ーの拡散後、即座に、レジスト液が吐出されているの
で、レジスト液の吐出直前（ここでは０．１秒前）にシ
ンナーを拡散していることとなる。これにより、レジス
ト液の吐出時点では、このように高揮発性シンナーを使
用した場合でもその乾燥は殆ど進行しておらず、特に、
ウエハＷ周辺部にレジスト液が到達した時にも、高揮発
性シンナーはウエハＷ上を十分に濡らしており、プリウ
エット処理を十分に行うことができる。また、高揮発性
シンナーの乾燥前にレジスト液を塗布することができる
ため、シンナーの気化熱によるウエハＷの温度、特にウ
エハＷ周辺部の温度の低下が小さく、ウエハ外周部の膜
厚の低下を抑制することができる。

【００５１】なお、上記微少時間（Ｔｓ）は、シンナー
の揮発を極力防止する観点からできる限り短いほうが良
く、この例のように０．１秒間程度に十分に短い時間に
設定するのが好ましいがシンナーの種類に応じて適宜調
節することが可能である。

【００５２】ステップ１−６では、レジスト液の滴下終
了後に、１秒間、ウエハＷの回転速度を減速させ、２０
００ｒｐｍの回転速度にてウエハＷを回転させる。この
減速により、塗布したレジスト液は、ウエハＷの外周部
にも中央部と同様に溜まることになり、レジスト膜をウ
エハＷ全域にわたって均一で且つ所定の厚みに分布させ
ることができる。また、各ウエハＷへのレジスト液の滴
下量を少なくした場合であっても、塗布した膜の膜厚を
均一でかつ所定の厚みに調整することができる。

【００５３】ステップ１−７では、前記ステップ１−６
の減速工程の後、ウエハＷの回転速度を加速して（３０
００ｒｐｍ）２５秒間回転させ、残余のレジスト液を振
り切る。この時、ノズルアーム１００がホームポジショ
ンに戻される。

【００５４】ステップ１−８では、ウエハＷの回転速度
を減速して（１５００ｒｐｍ）、この回転速度でウエハ
Ｗを５秒間回転させる。この時、サイドリンスノズル
（図示略）をウエハＷの外縁より１ｍｍだけ内側の位置
に移動させる。

【００５５】ステップ１−９では、ウエハＷの回転速度
を変えずに、ウエハＷを回転させた状態で、１秒間、サ
イドリンスノズルからリンス液を吐出させて、ウエハＷ
の外縁部を洗浄する。

【００５６】ステップ１−１０では、ウエハＷの回転速
度を変えずに、ウエハＷを回転させた状態で、５秒間、
サイドリンスノズルおよびバックサイドリンスノズル
（図示略）からリンス液を吐出させ、ウエハＷの外縁を
洗浄する。この際、サイドリンスノズルは、リンス液を
吐出しながら、ウエハＷの外縁部より２ｍｍだけ内側の
位置に移動する。また、バックサイドリンスノズルは、
ウエハＷの裏面側の外縁部から２ｍｍ内側に位置され
る。

【００５７】図８は、リンス液による洗浄前のウエハＷ
の外縁部の部分拡大図を示す。図８に示すように、レジ
スト液の拡散後にはウエハＷの外縁部の裏側までレジス
ト液が回り込んだ状態となっている。さらに、ウエハＷ
の外縁部でのレジスト膜の膜厚はウエハＷの中央部に塗
布されているレジスト膜の膜厚よりも厚く盛り上がった
状態となっている。ステップ１−９、１−１０、後述す
るステップ１−１１で、このウエハＷの表面の外縁部の
盛り上がったレジスト膜は、サイドリンスノズル３０５
から吐出されるリンス液により除去される。また、ステ
ップ１−１０で、ウエハＷの裏面の外縁部の盛り上がっ
たレジスト膜は、バックサイドリンスノズル３０４から
吐出されるリンス液により除去される。

【００５８】ステップ１−１１では、サイドリンスノズ
ルからリンス液を吐出しながら、ウエハＷの回転速度を
変えずにウエハＷを回転させた状態で、１秒間、ウエハ
Ｗの外縁部を洗浄する。この際、サイドリンスノズル
は、ウエハＷの外縁部から１ｍｍだけ内側に戻される。
この間、バックサイドリンスノズルからのリンス液の吐
出は停止されている。

【００５９】その後、ステップ１−１２では、サイドリ
ンスノズルからのリンス液の吐出は停止される。この
際、ウエハＷの回転速度は変化せず、１秒間、ウエハＷ
は回転する。

【００６０】ステップ１−１３では、ウエハＷの回転速
度を加速させ、２０００ｒｐｍの回転速度でウエハＷを
５秒間回転させる。この間に、サイドリンスノズルはホ
ームポジションに戻される。このように、サイドリンス
ノズルをホームポジションに戻す前に、リンス液の吐出
を停止する段階を設けているため、サイドリンスノズル
からのリンス液が不用意にウエハＷにかかるといったこ
とを効果的に防止することができる。また、このステッ
プ１−１３においては、サイドリンスノズルのホームポ
ジションへの戻りと同時に、ウエハＷの回転速度を加速
させることにより、バックサイドリンスおよびサイドリ
ンスのリンス液が振り切られる。

【００６１】これらの工程が全て終了後、ステップ１−
１４において、ウエハＷの回転が減速され、停止され
て、塗布処理工程が終了する。

【００６２】次に、上記のレジスト塗布処理ユニット
（ＣＯＴ）における第２の塗布プロセスについて説明す
る。前記第１の塗布プロセスでは、前記ステップ１−３
に示したように、前記レジスト液吐出ノズルの移動中に
ウエハＷは回転させず、シンナーはウエハＷ上に放置さ
れた状態となっており、前記レジスト液吐出ノズルの移
動終了後、前記ステップ１−４に示すように、ウエハＷ
を低速で回転させてシンナーを拡散している。これに対
して、第２の塗布プロセスでは、前記塗布液吐出ノズル
の移動中にウエハＷを低速で回転させるものであり、こ
の点が前記第１の塗布プロセスと相違する。以下、第２
の塗布プロセスについて表２を参照しながら説明する。

【００６３】

【表２】

【００６４】表２に示すように、ステップ２−１では、
第１の塗布プロセスのステップ１−１と同様に、ノズル
アーム１００の移動が開始され、図７の（ａ）に示すよ
うに、シンナーノズル１０１の吐出口がウエハＷの中心
に移動される。この時、ウエハＷの回転は、停止されて
いる。

【００６５】次に、ステップ２−２では、第１の塗布プ
ロセスのステップ１−２と同様に、シンナーノズル１０
１からシンナー（酢酸ブチル等の揮発性の高い高揮発性
シンナー）がウエハＷに吐出される。この時も、ウエハ
Ｗの回転は、停止されている。

【００６６】ステップ２−３では、図７の（ｂ）に示す
ように、ノズルアーム１００を移動させて、レジストノ
ズル８６の吐出口がウエハＷの中心に位置し、シンナー
ノズル１０１がウエハＷの中心から外れるように、これ
らノズル位置のシフトを開始する。この工程は、ウエハ
Ｗの回転を停止したままの状態で行い、ノズル位置のシ
フトに要する所定のシフト時間（Ｔｅ、ここでは１．０
秒間）の途中までの大部分の時間（ここでは最初の０．
９秒間）でこの工程を行う。この工程の間、吐出された
シンナーは、ウエハＷ上放置されている。

【００６７】次に、ノズル位置のシフトが終了する直
前、すなわち、シフト時間（Ｔｅ、ここでは１．０秒
間）のうちの最後の微少時間（ここでは最後の０．１秒
間）において、ステップ２−４として、ウエハＷが所定
の低速度（ここでは１０００ｒｐｍ）で回転され、ウエ
ハＷ上のシンナーが径方向に拡散されて、プリウエット
処理が行われる。このように、第２の塗布プロセスで
は、ノズルアームの移動と平行してシンナーの拡散も行
われるので、ノズルアームの移動が終了した後に溶剤の
拡散を行う第１の塗布プロセスと比較して、全体的な処
理時間を短縮することができる。

【００６８】ステップ２−５では、前記第１の塗布プロ
セスと同様に、ウエハＷを高速回転（４０００ｒｐｍ）
に切り換えて回転させながら、レジストノズル８６から
レジスト液をウエハＷに吐出させる。ウエハＷ上に供給
されたレジストは、遠心力によりウエハＷの中心から周
辺に向けて拡散され、これによりウエハＷ上にレジスト
膜が形成される。

【００６９】このように、第２の塗布プロセスでは、
１．０秒の両ノズル８６，１０１のシフト時間（Ｔｅ）
のうち、最後の０．１秒の間にシンナーが拡散され、こ
のシンナーの拡散後、即座にレジスト液が吐出される。
すなわち、レジスト液吐出の直前（０．１秒前）にシン
ナーの拡散が行われるので、高揮発性シンナーを使用し
た場合であっても、レジスト液を吐出する時点ではその
乾燥はほとんど進行していない。特に、ウエハＷ周辺部
にレジスト液が到達した時にも、高揮発性シンナーはウ
エハＷ上を十分に濡らしており、プリウエット処理を十
分に行うことができる。また、高揮発性シンナーの乾燥
前にレジスト液を塗布することができるため、シンナー
の気化熱によるウエハＷの温度、特にウエハＷ周辺部の
温度の低下が小さく、ウエハ外周部の膜厚の低下を抑制
することができる。

【００７０】なお、シンナーの拡散を行う時間は、シン
ナーの揮発を極力防止する観点からできる限り短いほう
が良く、この例のように０．１秒間程度に十分に短い時
間に設定するのが好ましいがシンナーの種類に応じて適
宜調節することが可能である。

【００７１】ステップ２−６では、前記第１の塗布プロ
セスのステップ１−６と同様に、レジスト液の滴下終了
後に、ウエハＷの回転速度を１秒間減速させ、２０００
ｒｐｍの回転速度にてウエハＷを回転させる。この減速
により、塗布したレジスト液は、ウエハＷの外周部にも
中央部と同様に溜まることになり、レジスト膜をウエハ
Ｗ全域にわたって均一で且つ所定の厚みに分布させるこ
とができる。また、各ウエハＷへのレジスト液の滴下量
を少なくした場合であっても、塗布した膜の膜厚を均一
でかつ所定の厚みに調整することができる。

【００７２】ステップ２−７では、前記第１の塗布プロ
セスのステップ１−７と同様に、前記ステップ２−６の
減速工程の後、ウエハＷの回転速度を３０００ｒｐｍま
で加速して、ウエハＷを２５秒間回転させる。これによ
り、残余のレジスト液が振り切られる。この時、ノズル
アーム１００がホームポジションに戻される。

【００７３】ステップ２−８では、前記第１の塗布プロ
セスのステップ１−８と同様に、ウエハＷの回転速度を
１５００ｒｐｍまで減速させ、５秒間回転させる。この
時、サイドリンスノズル（図示略）をウエハＷの外縁よ
り１ｍｍだけ内側の位置に移動させる。

【００７４】ステップ２−９では、前記第１の塗布プロ
セスのステップ１−９と同様に、ウエハＷの回転速度を
変えずに、ウエハＷを回転させた状態で、１秒間、サイ
ドリンスノズルからリンス液を吐出させて、ウエハＷの
外縁部を洗浄する。

【００７５】ステップ２−１０では、前記第１の塗布プ
ロセスのステップ１−１０と同様に、ウエハＷの回転速
度を変えずに、ウエハＷを回転させた状態で、５秒間、
サイドリンスノズルおよびバックサイドリンスノズル
（図示略）からリンス液を吐出させ、ウエハＷの外縁部
を洗浄する。この際、サイドリンスノズルは、リンス液
を吐出しながら、ウエハＷの外縁より２ｍｍだけ内側の
位置に移動する。また、バックサイドリンスノズル（図
示略）は、ウエハＷの裏面側の外縁から２ｍｍ内側に位
置される。

【００７６】ステップ２−１１では、前記第１の塗布プ
ロセスのステップ１−１１と同様に、サイドリンスノズ
ルからリンス液を吐出しながら、ウエハＷの回転速度を
変えずにウエハＷを回転させた状態で、１秒間、ウエハ
Ｗの周辺部を洗浄する。この際、サイドリンスノズル
は、ウエハＷの外縁から１ｍｍだけ内側に戻される。こ
の間、バックサイドリンスノズルからのリンス液の吐出
は停止されている。

【００７７】その後、ステップ２−１２では、前記第１
の塗布プロセスのステップ１−１２と同様に、サイドリ
ンスノズルからのリンス液の吐出が停止される。この
際、ウエハＷの回転速度は変化させず、１秒間、ウエハ
Ｗは回転する。

【００７８】ステップ２−１３では、前記第１の塗布プ
ロセスのステップ１−１３と同様に、ウエハＷの回転速
度を加速させ、２０００ｒｐｍの回転速度にてウエハＷ
を５秒間回転させる。この間に、サイドリンスノズルは
ホームポジションに戻される。このように、サイドリン
スノズルをホームポジションに戻す前に、リンス液の吐
出を停止する工程を設けているため、サイドリンスノズ
ルからのリンス液が不用意にウエハＷにかかるといった
ことを効果的に防止することができる。また、このステ
ップ２−１３においては、サイドリンスノズルのホーム
ポジションへの戻りと同時に、ウエハＷの回転速度を加
速させることにより、バックサイドリンスおよびサイド
リンスのリンス液が振り切られる。

【００７９】これらの工程が全て終了後、ステップ２−
１４において、ウエハＷの回転が減速され、停止され
て、塗布処理工程が終了する。

【００８０】次に、レジスト塗布処理ユニット（ＣＯ
Ｔ）の第２の例について説明する。図９（ａ）、（ｂ）
は、このレジスト塗布処理ユニットの略断面図であっ
て、図９（ａ）はウエハＷ上にシンナーを供給する工程
を行っている状態を、図９（ｂ）はウエハＷ上に供給さ
れたシンナーを拡散させる工程を行っている状態を示し
ている。このレジスト塗布処理ユニットは、前記第１の
例のレジスト塗布処理ユニットとは大部分の構成が共通
するが、一部の構成が異なっている。以下、第１の例と
相違する部分を中心に説明し、共通する部分については
説明を省略する。

【００８１】図９に示すように、このレジスト塗布処理
ユニットは、前記第１の例と同様の構成に加えて、ウエ
ハＷの外縁部に向けてＮ_２ガスを吹き付けるＮ_２ガス供
給手段２０１がさらに配置された構造となっている。

【００８２】このＮ_２ガス供給手段２０１は、図９
（ａ）に示すようにシンナーがウエハＷ上に供給される
際には停止されており、図９（ｂ）に示すようにウエハ
Ｗを回転させてシンナーを拡散させる際（前記第１の例
のレジスト塗布処理ユニットにおける第１の塗布プロセ
スのステップ１−４、および第２の塗布プロセスのステ
ップ２−４に対応）に作動され、ウエハＷの外縁部へＮ
_２ガスを吹き付ける。これにより、特にシンナーの気化
の進行が著しいウエハＷの周辺部において、ウエハＷが
乾燥することを遅らせることができる。したがって、ウ
エハＷの周辺部にレジスト液が到達したときにも、高揮
発性シンナーはウエハＷ上を十分に濡らしており、プリ
ウエット処理を十分に行うことができる。

【００８３】次に、レジスト塗布処理ユニット（ＣＯ
Ｔ）の第３の例について説明する。図１０は、このレジ
スト塗布処理ユニットの略断面図である。このレジスト
塗布処理ユニットは、前記第１の例のレジスト塗布処理
ユニットとは大部分の構成が共通するが、一部の構成が
異なっている。以下、第１の例と相違する部分を中心に
説明し、共通する部分については説明を省略する。

【００８４】図１０に示すように、このレジスト塗布処
理ユニットは、前記第１のレジスト塗布処理ユニットと
同様の構成に加えて、ウエハＷを囲むように加熱手段２
０２が配置されていて、前記加熱手段２０２はレジスト
塗布処理ユニット内の温度を例えば２３℃としたとき
に、ウエハＷの周辺部をこの温度よりも１〜２℃高く加
熱することができるように設定されている。この加熱手
段２０２は、少なくともシンナーの拡散時（前記第１の
例のレジスト塗布処理ユニットにおける第１の塗布プロ
セスのステップ１−４、および第２の塗布プロセスのス
テップ２−４に対応）に作動させ、ウエハＷ周辺部の加
熱を行う。

【００８５】ウエハＷの周辺部は、特にシンナーの揮発
が著しいため、シンナーの気化熱による温度低下が起こ
りやすく、これによりレジスト膜厚の面内均一性が低く
なるという傾向にある。これに対して、前記加熱手段２
０２を配置し、シンナーの拡散時にウエハＷの周辺部を
加熱することにより、このようなシンナーの気化による
温度低下を更に抑制することができ、レジスト膜厚の面
内均一性を向上させることができる。

【００８６】次に、レジスト塗布処理ユニット（ＣＯ
Ｔ）の第４の例について説明する。図１１は、このレジ
スト塗布処理ユニットの平面図である。また、図１２
（ａ）、（ｂ）は、それぞれこのレジスト塗布処理ユニ
ットの一部を示す模式図であって、図１２（ａ）はウエ
ハＷ上にシンナーを供給している状態、図１２（ｂ）は
ウエハＷのリンスを行っている状態を示している。この
レジスト塗布処理ユニットは、前記第１の例のレジスト
塗布処理ユニットとは大部分の構成が共通するが、一部
の構成が異なっている。以下、第１の例と相違する部分
を中心に説明し、共通する部分については説明を省略す
る。

【００８７】図１１、図１２（ａ）、（ｂ）に示すよう
に、このレジスト塗布処理ユニットのレジストノズル３
８６およびサイドリンスノズル３０２は、それぞれレジ
ストノズルアーム３００上に配置されていて、前記レジ
ストノズル３８６と前記サイドリンスノズル３０２との
間にはウエハＷの略半径分の間隔が設けられている。ま
た、前記レジストノズルアーム３００の前記レジストノ
ズル３８６とは反対側の端部にはシンナーノズル３０１
が取り付けられている。前記レジストノズルアーム３０
０は、レジストノズルスキャンアーム３９２に取り付け
られている。

【００８８】前記レジストノズルスキャンアーム３９２
は、ユニット底板５０の上に一方向（Ｙ方向）に敷設さ
れたガイドレール９４上で水平移動可能な垂直支持部材
９６の上端部に取り付けられており、図示しないＹ方向
駆動機構によって前記垂直支持部材９６と一体にＹ方向
に移動するようになっている。すなわち、前記Ｙ方向駆
動機構によって前記垂直支持部材９６、前記レジストノ
ズルスキャンアームおよび前記レジストノズルアーム３
００は一体に移動し、これにより前記レジストノズル３
８６、前記サイドリンスノズル３０２、および前記シン
ナーノズル３０１を連動してウエハＷ上を移動させるこ
とができる。

【００８９】以上のように、このレジスト塗布処理ユニ
ットでは、前記レジストノズル３８６と、前記シンナー
ノズル３０１および前記リンスノズル３０２とを、ウエ
ハＷの略半径分の間隔で配置するとともに、これらのノ
ズルを連動可能に構成しているのでノズルの移動時間を
短縮し、塗布処理動作の所要時間を短縮することができ
る。

【００９０】また、このレジスト塗布処理ユニットのウ
エハＷの裏面側には、バックサイドリンスノズル３０４
が配置されている。前記バックサイドリンスノズル３０
４は、図示しない駆動手段により、ウエハＷの背面下部
とウエハＷの外側との間を移動可能に構成されている。

【００９１】このレジスト塗布処理ユニットにおいて
は、以下に示す塗布プロセスによりレジスト液の塗布が
行われる。ここでは、ウエハＷの裏面がスピンチャック
により吸着された状態で、表３に示すレジスト塗布の一
連の処理（ステップ３−１〜３−１４）が実行され、こ
れによりウエハＷの表面にレジスト液が塗布される。

【００９２】

【表３】

【００９３】表３に示すように、ステップ３−１では、
ノズルアーム３００の移動が開始され、図１２の（ａ）
に示すように、シンナーノズル３０１の吐出口がウエハ
Ｗの略中心に位置するように移動される。この時、ウエ
ハＷの回転は、停止されている。バックサイドリンスノ
ズル３０４はホーム位置に位置している。

【００９４】次に、ステップ３−２では、図１２（ａ）
に示すように、シンナーノズル３０１からシンナー、例
えば酢酸ブチル等の揮発性の高い高揮発性シンナーがウ
エハＷに吐出される。この時も、ウエハＷの回転は、停
止されている。

【００９５】ステップ３−３では、ノズルアーム３００
とウエハＷとの位置関係が図１２（ｂ）に示す状態とな
るようにノズルアーム３００がシフトされ、これにより
レジストノズル８６の吐出口がウエハＷの略中心に移動
され、また、シンナーノズル３０１およびサイドリンス
ノズル３０２がウエハＷの周辺部付近に移動される。具
体的には、サイドリンスノズル３０２はウエハ外縁から
１ｍｍ程度の内側に位置される。また、この工程におけ
るノズルアーム３００のシフト時間（Ｔｅ）の間（ここ
では１．０秒間）、前記ステップ３−２において吐出さ
れたシンナーはウエハＷ上に放置されている。

【００９６】ステップ３−４では、前記ステップ３−３
におけるノズルアーム３００のシフト直後に、所定の微
少時間（ここでは、０．１秒間）、ウエハＷが所定の低
回転速度（ここでは１０００ｒｐｍ）で回転され、前記
ステップ３−２において吐出されたシンナーがウエハＷ
上に拡散される。これにより、レジスト液の塗布に先立
ってシンナーでウエハＷの表面全体を濡らす、いわゆる
プリウエット処理を行う。

【００９７】ステップ３−５では、ウエハＷを高速回転
（４０００ｒｐｍ）に切り換えて回転させながら、ウエ
ハＷの略中心に位置しているレジストノズル３８６から
レジスト液をウエハＷに吐出させる。この工程でウエハ
Ｗ上に供給されたレジストは、遠心力によりウエハＷの
中心から周辺に向けて拡散され、これによりウエハＷ上
にレジスト膜が形成される。

【００９８】ステップ３−６では、レジスト液の滴下終
了後に、ウエハＷの回転速度を１秒間だけ減速させ、２
０００ｒｐｍの回転速度にてウエハＷを回転させる。こ
の減速により、塗布したレジスト液は、ウエハＷの外周
部にも中央部と同様に溜まることになり、レジスト膜を
ウエハＷ全域にわたって均一で且つ所定の厚みに分布さ
せることができ、各ウエハＷへのレジスト液の滴下量を
少なくした場合であっても、塗布した膜の膜厚を均一で
かつ所定の厚みに調整することができる。

【００９９】ステップ３−７では、前記ステップ３−６
の減速工程の後、ウエハＷの回転速度を３０００ｒｐｍ
に加速して、ウエハＷを２５秒間回転させる。これによ
り、残余のレジスト液が振り切られる。この時、バック
サイドリンスノズル３０４が、ウエハＷと図１２（ｂ）
に示す位置関係になるように移動される。

【０１００】ステップ３−８では、ウエハＷの回転速度
を１５００ｒｐｍまで減速させて、２秒間回転させる。
さらに、予め前記ステップ３−３において図１２（ｂ）
に示す位置に配置されたサイドリンスノズル３０２から
ウエハＷの外縁部に向けてリンス液が吐出される。この
時、バックサイドリンスノズル３０４は、予め前記ステ
ップ３−７において図１２（ｂ）に示す位置に配置済み
である。ここで、サイドリンスノズル３０２とレジスト
ノズル３８６とは、互いにウエハＷの略半径分の間隔を
なすように配置され、レジストノズルアーム３００によ
り連動して移動するように構成されているので、前記ス
テップ３におけるレジストノズルアーム３００のシフト
により、レジストノズル３８６をウエハＷ中心のレジス
ト液吐出位置に配置すると同時に、サイドリンスノズル
３０１をウエハＷ周辺側のサイドリンス液吐出位置に配
置することができる。したがって、レジスト液の塗布お
よび拡散後、直ちにサイドリンスノズル３０１からリン
ス液を吐出することができ、サイドリンスノズル３０１
の移動時間を必要としないので、全体的な処理時間を短
縮することができる。

【０１０１】ステップ３−９では、ウエハＷの回転速度
を変えずに、ウエハＷを回転させた状態で、５秒間、サ
イドリンスノズル３０１およびバックサイドリンスノズ
ル３０４からリンス液を吐出させて、ウエハＷの外縁部
を洗浄する。この際、サイドリンスノズル３０１は、ウ
エハＷの外縁部から２ｍｍだけ内側の位置に移動する。
また、バックサイドリンスノズル３０４は、ウエハＷの
裏面側の外縁部から２ｍｍ内側の位置に移動される。

【０１０２】ステップ３−１０では、サイドリンスノズ
ル３０１からリンス液を吐出させながら、ウエハＷの回
転速度を変えずにウエハＷを回転させた状態で、１秒
間、ウエハＷの周辺部を洗浄する。この際、サイドリン
スノズル３０１は、ウエハＷの外縁部から１ｍｍだけ内
側の位置に戻される。この間、バックサイドリンスノズ
ル３０４からのリンス液の吐出は停止されている。

【０１０３】その後、ステップ３−１１では、サイドリ
ンスノズルからのリンス液の吐出が停止される。この
際、ウエハＷの回転速度は変化せず、１秒間、ウエハＷ
は回転する。また、ノズルアーム３００はホーム位置に
向けて移動を開始する。

【０１０４】ステップ３−１２では、ウエハＷの回転速
度を加速させ、２０００ｒｐｍの回転速度でウエハＷを
５秒間回転させる。このようにウエハＷの回転速度を加
速させることにより、バックサイドリンスおよびサイド
リンスのリンス液が振り切られる。

【０１０５】これらの工程が全て終了後、ステップ３−
１３において、ウエハＷの回転が減速され、停止され
て、塗布処理工程が終了する。

【０１０６】次に、レジスト液の消費量をさらに低減す
ることができる塗布プロセスについて説明する。ここで
は、ウエハＷの裏面がスピンチャックにより吸着された
状態で、表４に示すレジスト塗布の一連の処理（ステッ
プ４−１〜４−１４）が実行され、これによりウエハＷ
の表面にレジスト液が塗布される。

【０１０７】

【表４】

【０１０８】表４に示すように、ステップ４−１では、
ウエハＷの回転を停止した状態でノズルアーム１００の
移動が開始され、シンナーノズル１０１の吐出口がウエ
ハＷの中心に移動される。

【０１０９】次に、ステップ４−２では、シンナーノズ
ル１０１からシンナー（酢酸ブチル等の揮発性の高い高
揮発性シンナー）がウエハＷに吐出される。この時も、
ウエハＷの回転は、停止されている。

【０１１０】ステップ４−３では、ノズルアーム１００
が移動されて、レジストノズル８６の吐出口がウエハＷ
の中心に位置し、シンナーノズル１０１がウエハＷの中
心から外れるように、これらノズル位置をシフトさせ
る。この間、吐出されたシンナーは、ウエハＷ上に放置
されている。

【０１１１】ステップ４−４では、前記ステップ４−３
におけるノズル位置のシフトの直後に所定の微少時間の
間（ここでは０．１秒間）に、ウエハＷが回転され、ウ
エハ上のシンナーが径方向に拡散される。この工程おけ
るウエハＷの回転は低回転速度（ここでは１０００ｒｐ
ｍ）で行われ、プリウエット処理を行う。

【０１１２】次いで、ステップ４−５およびステップ４
−６でレジスト液の吐出を行う。このステップ４−５お
よびステップ４−６は、前述した第１の例のレジスト処
理システムにおける第１の塗布プロセスのステップ１−
５に対応し、このステップ１−５を２つに分割したもの
である。この塗布プロセスでは、まず、ステップ４−５
においてウエハＷを比較的低速の一次回転速度５０ｒｐ
ｍで０．５秒間回転させながらレジストノズルよりレジ
スト液を吐出し、次に、ステップ４−６においてウエハ
Ｗの回転速度を比較的高速の２０００〜４０００ｒｐｍ
で１．０秒間回転させながらレジスト液の吐出を行う。
このようにレジスト液の吐出を行うことにより、さらに
少量のレジスト液で均一なレジスト膜を形成することが
できる。その理由は以下の通りである。

【０１１３】図１３はウエハＷ表面にレジスト液を吐出
した当初のレジスト液Ｒの状態を示す略平面図、図１４
は同略断面図である。図１３に示すように、吐出された
当初のレジスト液ＲはウエハＷの中央に溜まっていて
（以下、この吐出直後におけるレジスト液の溜まりをレ
ジスト液の核と称する）、このレジスト液の核は図１４
に示すように中央部分が盛り上がった状態にある。

【０１１４】図１４に示したようにレジスト液の核の中
央にレジスト液が偏って存在している状態で、直ちに高
速回転が加えられてレジスト液が拡散された場合、図１
５に示すようにレジスト液Ｒが星形に拡がってしまい、
ウエハＷ表面に均一なレジスト膜が形成できなくなる。
これは、レジスト液の核の外周側にレジスト液が少ない
状態で拡散しようとすることが原因である。このような
レジスト液が均一に拡散しない問題は、特に、少量のレ
ジスト液でレジスト膜を形成しようとした場合に生じや
すい。

【０１１５】一方、レジスト液吐出の初期段階でウエハ
Ｗを低速で回転させると、レジスト液の核の中央に存在
していたレジスト液は弱い遠心力によりレジスト液の核
の外周側へ移動する。図１６に、この場合のレジスト液
の核の断面図を示す。図１６に示すように、レジスト液
吐出の初期段階でウエハＷを低速で回転させることによ
り、レジスト液の核の外周側に存在するレジスト液の量
が増大するので、その後にウエハＷの回転速度を加速し
てレジスト液を拡げれば、レジスト液が星形に拡がるこ
とを防止することができる。

【０１１６】上記のようにしてレジスト液の吐出を行う
効果を確認するため、表４に示したステップ４−１から
ステップ４−４を行った後、表５に示す回転速度と所要
時間で上記ステップ４−５および上記ステップ４−６に
相当する工程を行い、その後表４に示したステップ４−
７からステップ４−１５を行うことによりレジスト膜を
形成する実験を行い、得られたレジスト膜を評価（良＝
○、不良＝×）した。結果を表５に併せて示す。

【０１１７】

【表５】

【０１１８】また、プリウエット処理を行わない場合の
塗布プロセスと、前記第１の例のレジスト塗布処理シス
テムにおける第１の塗布プロセスおよび第２の塗布プロ
セスと、前記第１の塗布プロセスおよび第２の塗布プロ
セスと同等のプロセスとの、それぞれの塗布プロセスに
おいて、レジスト液を吐出する当初のウエハＷの回転速
度を５０ｒｐｍとし、次いでウエハＷの回転速度を２０
００〜４０００ｒｐｍとし、表６に示したレジスト総吐
出量でレジスト塗布処理工程を行う実験を行い、得られ
たレジスト膜を評価（良＝○、不良＝×）した。結果を
表６に併せて示す。

【０１１９】

【表６】

【０１２０】表５および表６より、上記のようにしてレ
ジスト液の吐出を行うことにより、上記の効果が得られ
ることが確認された。また、表５および表６より、上記
の効果を得るためには前記ステップ４−５におけるウエ
ハＷの回転速度を５０〜１００ｒｐｍとし、次いで前記
ステップ４−６におけるウエハＷの回転速度を２０００
〜４０００ｒｐｍとすることが好ましいことが分かる。
また、前記ステップ４−５およびステップ４−６は全体
で１．５秒しかないので、レジスト液を基板Ｗ全体に有
効に拡げるためには、前記ステップ４−５の所要時間を
レジスト液を吐出する時間全体（ここでは１．５秒）の
１／３〜１／２とすることが好ましい。

【０１２１】次いで、ステップ４−７では、レジスト液
の滴下終了後に、１秒間、ウエハＷの回転速度を減速さ
せ、２０００ｒｐｍの回転速度にてウエハＷを回転さ
せ、レジスト膜をウエハＷ全域にわたって均一で且つ所
定の厚みに分布させる。

【０１２２】ステップ４−８では、前記ステップ４−７
の減速工程の後、ウエハＷの回転速度を加速して（３０
００ｒｐｍ）２５秒間回転させ、残余のレジスト液を振
り切る。この時、ノズルアーム１００がホームポジショ
ンに戻される。

【０１２３】ステップ４−９では、ウエハＷの回転速度
を減速して（１５００ｒｐｍ）、この回転速度でウエハ
Ｗを５秒間回転させ、サイドリンスノズルをウエハＷの
外縁より１ｍｍだけ内側の位置に移動させる。

【０１２４】ステップ４−１０では、ウエハＷの回転速
度を変えずに、ウエハＷを回転させた状態で、１秒間、
サイドリンスノズルからリンス液を吐出させて、ウエハ
Ｗの外縁部を洗浄する。

【０１２５】ステップ４−１１では、ウエハＷの回転速
度を変えずに、ウエハＷを回転させた状態で、５秒間、
サイドリンスノズルおよびバックサイドリンスノズルか
らリンス液を吐出させ、ウエハＷの外縁を洗浄する。こ
の際、サイドリンスノズルは、リンス液を吐出しなが
ら、ウエハＷの外縁部より２ｍｍだけ内側の位置に移動
する。また、バックサイドリンスノズルは、ウエハＷの
裏面側の外縁部から２ｍｍ内側に位置される。

【０１２６】ステップ４−１２では、サイドリンスノズ
ルからリンス液を吐出しながら、ウエハＷの回転速度を
変えずにウエハＷを回転させた状態で、１秒間、ウエハ
Ｗの外縁部を洗浄する。この際、サイドリンスノズル
は、ウエハＷの外縁部から１ｍｍだけ内側に戻される。
この間、バックサイドリンスノズルからのリンス液の吐
出は停止されている。

【０１２７】その後、ステップ４−１３では、サイドリ
ンスノズルからのリンス液の吐出は停止される。この
際、ウエハＷの回転速度は変化せず、１秒間、ウエハＷ
は回転する。

【０１２８】ステップ４−１４では、ウエハＷの回転速
度を加速させ、２０００ｒｐｍの回転速度でウエハＷを
５秒間回転させる。この間に、サイドリンスノズルはホ
ームポジションに戻される。また、このステップ４−１
４においては、サイドリンスノズルのホームポジション
への戻りと同時に、ウエハＷの回転速度を加速させるこ
とにより、バックサイドリンスおよびサイドリンスのリ
ンス液が振り切られる。

【０１２９】これらの工程が全て終了後、ステップ４−
１５において、ウエハＷの回転が減速され、停止され
て、塗布処理工程が終了する。

【０１３０】なお、表４に示した塗布プロセスでは、前
記第１の例の塗布処理システムの第１の塗布プロセスに
適用した例を示したが、前述したいずれの塗布プロセス
においても、上記ステップ４−５および４−６に示した
ようにレジスト液の吐出を行うことによって、より少な
いレジスト液で良好なレジスト膜を形成することができ
る。

【０１３１】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態
では、半導体ウエハにレジスト液を塗布する塗布装置に
ついて説明したが、半導体ウエハ以外の他の被処理基
板、例えばＬＣＤ基板にレジスト液を塗布する場合にも
本発明を適用することができる。また、塗布膜としても
レジスト膜に限らずポリイミド膜等、他の膜であっても
よい。

【０１３２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
基板へ溶剤を吐出させた後、ノズル位置を基板上でシフ
トさせて塗布液吐出ノズルを基板上の吐出位置に位置さ
せる一方、このシフトの間、吐出した溶剤を基板上で放
置し、次いで基板を低速度で回転して、基板上の溶剤を
径方向に拡散し、その後塗布液を吐出するので、塗布液
の吐出直前に溶剤を拡散することとなり、溶剤として高
揮発性シンナーを用いた場合であっても、塗布液の吐出
時点では溶剤の乾燥は殆ど進行しておらず、基板周辺部
に塗布液が到達した時にも、高揮発性シンナーは基板上
を十分に濡らしており、プリウエット処理の効果を十分
に発揮することができる。また、溶剤が基板から揮発し
てしまう前に塗布液を塗布することができるので、溶剤
の気化熱による基板の温度、特に基板周辺部の温度の低
下が少なく、基板外周部の膜厚の低下を抑制することが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態である半導体ウエハの塗
布現像処理システムの全体構成を示す平面図。

【図２】図１に示す塗布現像処理システムの正面図。

【図３】図１に示す塗布現像処理システムの背面図。

【図４】図１に示した塗布現像処理システムに装着した
レジスト塗布処理ユニットの全体構成を示す断面図。

【図５】図４に示したレジスト塗布処理ユニットの平面
図。

【図６】図４および図５に示したレジスト塗布処理ユニ
ットの制御系の構成を示す図。

【図７】シンナーノズルからシンナーを吐出している状
態、およびレジストノズルからレジスト液を吐出してい
る状態を示す模式図。

【図８】リンス液による洗浄前のウエハＷの外縁部の部
分拡大図。

【図９】Ｎ_２ガス供給手段を備えたレジスト塗布処理ユ
ニットの部分的な略断面図。

【図１０】加熱手段を備えたレジスト塗布処理ユニット
の部分的な略断面図。

【図１１】別のレジスト塗布処理ユニットの全体構成を
示す平面図。

【図１２】図１１に示したレジスト塗布処理ユニットの
一部を示す模式図。

【図１３】ウエハＷ表面にレジスト液を吐出した当初の
レジスト液の状態を示す略平面図。

【図１４】図１３の略断面図。

【図１５】ウエハＷ上でレジスト液が星形に拡がった状
態を示す平面図。

【図１６】レジスト液の核の断面図。

【図１７】従来のレジスト塗布装置の概略構成図。

【符号の説明】

５２……スピンチャック（回転手段） ８６……レジストノズル（塗布液吐出ノズル） ８８……レジスト供給管（塗布液供給管） １００……ノズルアーム １３０……エアーオペバルブ １３１……サックバックバルブ １３２……シンナー供給部（溶剤供給部） １３３……ユニットコントローラ（制御手段） Ｗ……半導体ウエハ（基板）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０３Ｆ 7/16 ５０２ Ｇ０３Ｆ 7/16 ５０２ Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６４Ｃ Ｆターム(参考） 2H025 AA18 AB16 EA05 4D075 AA54 AA63 AA83 BB69X CA13 CA48 DA08 DB14 DC22 EA07 4F041 AA06 AB02 BA23 BA53 BA57 CA16 4F042 AA07 DA03 DF09 DF32 EB05 EB12 EB18 EB25 EB29 5F046 JA01

Claims (24)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 処理容器内に収容された基板の表面上
   に、塗布液を吐出して塗布膜を形成する塗布膜形成方法
   であって、 溶剤吐出ノズルを基板上の吐出位置に位置させて基板へ
   溶剤を吐出する工程と、 この溶剤吐出ノズル位置と塗布液吐出ノズル位置とを基
   板上でシフトさせて塗布液吐出ノズルを基板上の吐出位
   置に位置させる一方、このシフトの間、吐出した溶剤を
   基板上で放置する工程と、 基板を低速度で回転して、基板上の溶剤を径方向に拡散
   する工程と、 その後、基板を高速度に切り換えて回転させながら、塗
   布液吐出ノズルから塗布液を基板上に吐出して、基板上
   に塗布膜を形成する工程とを具備することを特徴とする
   塗布膜形成方法。
2. 【請求項２】 処理容器内に収容された基板の表面上
   に、塗布液を吐出して塗布膜を形成する塗布膜形成方法
   であって、 基板の回転を停止している時に、溶剤吐出ノズルを基板
   の略中央に移動した後、この溶剤吐出ノズルから溶剤を
   基板上に吐出する工程と、 溶剤の吐出後、この溶剤吐出ノズルの位置と塗布液吐出
   ノズルの位置とを基板上でシフトさせて塗布液吐出ノズ
   ルを基板上の略中央に位置させる一方、このシフト時間
   （Ｔｅ）の間、吐出した溶剤を基板上で放置する工程
   と、 このシフト時間（Ｔｅ）が終了後、所定の微少時間（Ｔ
   ｓ）の間に、基板を低速度で回転して基板上の溶剤を径
   方向に拡散する工程と、 この微少時間（Ｔｓ）の後、基板を高速度に切り換えて
   回転させながら、塗布液吐出ノズルから塗布液を基板上
   に吐出して、基板上に塗布膜を形成する工程とを具備す
   ることを特徴とする塗布膜形成方法。
3. 【請求項３】 前記所定の微少時間（Ｔｓ）は、前記シ
   フト時間（Ｔｅ）に比べて十分に短い時間に設定するこ
   とを特徴とする請求項２に記載の塗布膜形成方法。
4. 【請求項４】 基板の面上に塗布液を吐出して塗布膜を
   形成する塗布膜形成方法であって、溶剤吐出ノズルを前
   記基板上の吐出位置に位置させ、前記溶剤吐出ノズルか
   ら基板面上に溶剤を吐出する工程と、前記基板を回転さ
   せて前記基板面上に吐出された溶剤を拡散する工程と、
   塗布液吐出ノズルを前記基板上の前記吐出位置に位置さ
   せ、前記溶剤が気化する前に、前記基板を回転させなが
   ら前記塗布液吐出ノズルから基板面上へ前記塗布液を吐
   出して塗布膜を形成する工程とを具備することを特徴と
   する塗布膜形成方法。
5. 【請求項５】 前記溶剤を拡散する工程は前記基板を第
   １の速度で回転させ、前記塗布膜を形成する工程では前
   記第１の速度よりも速い第２の速度で前記基板を回転さ
   せることを特徴とする請求項４に記載の塗布膜形成方
   法。
6. 【請求項６】 さらに、前記溶剤を吐出する工程の後で
   あって、前記溶剤を拡散するステップの前に、前記基板
   上の溶剤を放置する工程を具備し、前記基板を第１の速
   度で回転させる時間は、前記溶剤を放置する時間に比べ
   て十分に短い時間に設定されていることを特徴とする請
   求項５に記載の塗布膜形成方法。
7. 【請求項７】 さらに、前記溶剤を吐出する工程の後で
   あって、前記溶剤を拡散するステップの前に、前記基板
   上の溶剤を放置する工程を具備することを特徴とする請
   求項４に記載の塗布膜形成方法。
8. 【請求項８】 前記溶剤を拡散する工程の間に、前記塗
   布液吐出ノズルを前記吐出位置に移動させることを特徴
   とする請求項４に記載の塗布膜形成方法。
9. 【請求項９】 前記溶剤を拡散する工程で、基板表面の
   外縁部に窒素ガスを吹き付けることを特徴とする請求項
   １から請求項８のいずれか１項に記載の塗布膜形成方
   法。
10. 【請求項１０】 前記溶剤を拡散する工程で、基板表面
    の外縁部を加熱することを特徴とする請求項１から請求
    項９のいずれか１項に記載の塗布膜形成方法。
11. 【請求項１１】 前記溶剤を拡散する工程で、基板表面
    の外縁部を処理室内の空気よりも１〜２℃高い温度に加
    熱することを特徴とする請求項１０に記載の塗布膜形成
    方法。
12. 【請求項１２】 さらに、前記塗布膜を形成する工程の
    後に、前記基板の外縁部へリンス液吐出ノズルからリン
    ス液を吐出する工程を具備し、前記塗布液吐出ノズルと
    前記リンス液吐出ノズルとは前記基板の略半径分の間隔
    をもちながら前記基板上を移動することを特徴とする請
    求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の塗布膜形
    成方法。
13. 【請求項１３】 前記塗布液吐出ノズルと前記リンス液
    吐出ノズルとは連動して前記基板上を移動することを特
    徴とする請求項１から請求項１２のいずれか１項に記載
    の塗布膜形成方法。
14. 【請求項１４】 前記塗布膜を形成する工程は、前記基
    板を相対的に低い回転速度で回転させながら前記塗布液
    の吐出を開始し、その後、前記基板を相対的に高い回転
    速度で回転させながら前記塗布液の吐出を行うことを特
    徴とする請求項１から請求項１３のいずれか１項に記載
    の塗布膜形成方法。
15. 【請求項１５】 処理容器内に収容された基板の表面上
    に、塗布液を吐出して塗布膜を形成する塗布装置であっ
    て、 基板を速度可変で回転させる回転手段と、 塗布液の塗布に先立ってその表面を濡らすための溶剤を
    吐出する溶剤吐出ノズルと、 この溶剤吐出ノズルに溶剤を供給するための溶剤供給部
    と、 基板に塗布液を吐出するための塗布液吐出ノズルと、 この塗布液吐出ノズルに塗布液を供給するための塗布液
    供給部と、 溶剤吐出ノズルおよび塗布液吐出ノズルを保持し、移動
    させるためのノズルアームと、 前記回転手段、前記ノズルアーム、前記溶剤供給部、お
    よび前記塗布液供給部を制御する制御手段とを具備し、 前記制御手段は、前記溶剤吐出ノズルを基板上の吐出位
    置に位置させて基板へ溶剤を吐出させ、その後ノズルア
    ームを制御して、前記塗布液吐出ノズルを基板上の吐出
    位置に位置させるとともに、その間に基板を回転停止さ
    せ、次いで回転手段を制御して、基板を低速度で回転さ
    せて基板上の溶剤を径方向に拡散させ、その後、基板を
    高速度に切り換えて回転させながら、塗布液吐出ノズル
    から塗布液を基板上に吐出させることを特徴とする塗布
    装置。
16. 【請求項１６】 基板を速度可変で回転させる回転手段
    と、 前記基板の面上に溶剤を吐出する溶剤吐出ノズルと、 前記溶剤吐出ノズルに溶剤を供給する溶剤供給部と、 前記基板の面上に塗布液を吐出する塗布液吐出ノズル
    と、 前記塗布液吐出ノズルに塗布液を供給する塗布液供給部
    と、 前記溶剤吐出ノズルおよび前記塗布液吐出ノズルを保持
    し、移動させるノズルアームと、 前記回転手段、前記ノズルアーム、前記溶剤供給部およ
    び前記塗布液供給部を制御する制御手段とを具備し、 前記制御手段は、 前記ノズルアームを制御して前記溶剤吐出ノズルを基板
    上の吐出位置に位置させ、 前記溶剤供給部を制御して前記基板面上へ前記溶剤吐出
    ノズルから前記溶剤を吐出させ、 ノズルアームを制御して前記塗布液吐出ノズルを基板上
    の前記吐出位置に位置させるとともに、前記回転手段を
    制御して前記基板を回転させて前記溶剤を拡散させ、 前記塗布液供給部を制御して、前記溶剤が気化する前に
    前記基板面上へ前記塗布液吐出ノズルから前記塗布液を
    吐出させ、 前記回転手段を制御して前記基板を回転させて前記塗布
    液を拡散させることを特徴とする塗布装置。
17. 【請求項１７】 前記制御手段は、前記基板を相対的に
    低速な第１の回転速度で回転させて前記溶剤を拡散さ
    せ、前記基板を相対的に高速な第２の回転速度で回転さ
    せて前記溶剤を拡散させることを特徴とする請求項１６
    に記載の塗布処理装置。
18. 【請求項１８】 前記制御手段は、前記塗布液吐出ノズ
    ルを基板上の前記吐出位置に位置させた後に、前記回転
    手段を制御して前記基板を回転させて前記溶剤を拡散さ
    せることを特徴とする請求項１６または請求項１７に記
    載の塗布装置。
19. 【請求項１９】 前記制御手段は、前記塗布液吐出ノズ
    ルを基板上の前記吐出位置へ移動させながら、前記回転
    手段を制御して前記基板を回転させて前記溶剤を拡散さ
    せることを特徴とする請求項１６または請求項１７に記
    載の塗布装置。
20. 【請求項２０】 さらに、前記基板の外縁部に窒素ガス
    を吹き付ける窒素ガス供給手段を具備することを特徴と
    する請求項１５から請求項１９のいずれか１項に記載の
    塗布装置。
21. 【請求項２１】 さらに、前記基板の外縁部を加熱する
    加熱手段を具備することを特徴とする請求項１５から請
    求項２０のいずれか１項に記載の塗布装置。
22. 【請求項２２】 さらに、前記基板を収容する処理室を
    具備し、前記加熱手段は、前記基板の外縁部を処理室内
    の温度よりも１〜２℃高い温度に加熱することを特徴と
    する請求項２１に記載の塗布装置。
23. 【請求項２３】 さらに、前記基板の外縁部へリンス液
    を供給するリンスノズルを具備し、前記溶剤吐出ノズル
    と前記リンスノズルとは前記基板の略半径分の間隔をな
    すように前記ノズルアームにより保持されることを特徴
    とする請求項１５から請求項２２のいずれか１項に記載
    の塗布装置。
24. 【請求項２４】 前記制御手段は、前記基板を相対的に
    低い回転速度で回転させながら前記塗布液吐出ノズルか
    らの前記塗布液の吐出を開始し、次いで、前記基板を相
    対的に高い回転速度で回転させながら前記塗布液吐出ノ
    ズルからの前記塗布液の吐出を行うことを特徴とする請
    求項１５から請求項２３のいずれか１項に記載の塗布装
    置。