JP2001276715A - 塗布装置及び塗布方法 - Google Patents
塗布装置及び塗布方法Info
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
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- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D3/00—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
- B05D3/02—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by baking
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウエハＷ上に面内で膜厚が均一な塗布膜を形
成することができる塗布装置を提供することを目的とし
ている。 【解決手段】 ウエハＷが載置されるスピンチャック５
２は、径方向に同心円状に複数の領域Ｈ１〜Ｈ４に分割
され、外周部から中心部に向かって次第に温度が上昇す
るように各領域毎に異なる温度設定がなされている。こ
のスピンチャック５２上にウエハＷを配置し、ウエハ上
に処理液を塗布して遠心力により広げることにより、ウ
エハ外周部に広がる処理液の溶媒の蒸発が抑制され、ウ
エハ面内での処理液の乾燥のタイミングを均一化するこ
とができる。従って、面内で均一な膜厚の塗布膜を得る
ことができる。
成することができる塗布装置を提供することを目的とし
ている。 【解決手段】 ウエハＷが載置されるスピンチャック５
２は、径方向に同心円状に複数の領域Ｈ１〜Ｈ４に分割
され、外周部から中心部に向かって次第に温度が上昇す
るように各領域毎に異なる温度設定がなされている。こ
のスピンチャック５２上にウエハＷを配置し、ウエハ上
に処理液を塗布して遠心力により広げることにより、ウ
エハ外周部に広がる処理液の溶媒の蒸発が抑制され、ウ
エハ面内での処理液の乾燥のタイミングを均一化するこ
とができる。従って、面内で均一な膜厚の塗布膜を得る
ことができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板、例えば特に
半導体ウエハやＬＣＤ用基板等にレジストなどの処理液
を塗布する塗布装置及び塗布方法に関する。
半導体ウエハやＬＣＤ用基板等にレジストなどの処理液
を塗布する塗布装置及び塗布方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば半導体デバイスの製造プロセスに
おけるフォトリソグラフィー工程においては、半導体ウ
エハ（以下、「ウエハ」という）の表面にレジスト膜を
形成するレジスト塗布処理と、レジスト塗布後のウエハ
に対し露光処理を挟んで現像処理が行われる。
おけるフォトリソグラフィー工程においては、半導体ウ
エハ（以下、「ウエハ」という）の表面にレジスト膜を
形成するレジスト塗布処理と、レジスト塗布後のウエハ
に対し露光処理を挟んで現像処理が行われる。
【０００３】レジスト塗布処理について注目すると、ウ
エハ表面にレジスト液を均一に塗布するための方法とし
てスピンコーティング法などが多用されている。このス
ピンコーティング法によるレジスト塗布は、ウエハをス
ピンチャックにて真空吸着した状態で回転させ、その回
転中心の真上からウエハ表面にレジスト液を滴下・供給
し、遠心力によってウエハ中心からその周囲全域にレジ
スト液を広げることによって行われる。この種のレジス
ト塗布装置では、スピンチャック（ウエハ）の回転数に
よりレジスト膜厚の制御を行うことができる。即ち、回
転数を上げればそれだけ薄いレジスト膜が得られる。
エハ表面にレジスト液を均一に塗布するための方法とし
てスピンコーティング法などが多用されている。このス
ピンコーティング法によるレジスト塗布は、ウエハをス
ピンチャックにて真空吸着した状態で回転させ、その回
転中心の真上からウエハ表面にレジスト液を滴下・供給
し、遠心力によってウエハ中心からその周囲全域にレジ
スト液を広げることによって行われる。この種のレジス
ト塗布装置では、スピンチャック（ウエハ）の回転数に
よりレジスト膜厚の制御を行うことができる。即ち、回
転数を上げればそれだけ薄いレジスト膜が得られる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ウエハ
Ｗを回転し、遠心力を用いてレジスト液を広げる際、ウ
エハＷ外周部に広がったレジスト液は、ウエハＷ中心部
にあるレジスト液と比較して、溶媒の蒸発が早く、外周
部からレジスト液が硬化していく傾向にある。このた
め、ウエハＷ面内で膜厚が不均一なレジスト膜が形成さ
れてしまうという問題があった。特に薄膜のレジスト膜
を得る場合にはこのような問題は顕著であった。
Ｗを回転し、遠心力を用いてレジスト液を広げる際、ウ
エハＷ外周部に広がったレジスト液は、ウエハＷ中心部
にあるレジスト液と比較して、溶媒の蒸発が早く、外周
部からレジスト液が硬化していく傾向にある。このた
め、ウエハＷ面内で膜厚が不均一なレジスト膜が形成さ
れてしまうという問題があった。特に薄膜のレジスト膜
を得る場合にはこのような問題は顕著であった。
【０００５】本発明はかかる課題を解決するためになさ
れもので、ウエハＷ上に面内で膜厚が均一な塗布膜を形
成することができる塗布装置を提供することを目的とし
ている。
れもので、ウエハＷ上に面内で膜厚が均一な塗布膜を形
成することができる塗布装置を提供することを目的とし
ている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の塗布装置は、基
板を水平に保持する基板保持部材と、前記基板を回転駆
動する回転手段と、前記基板に対し、前記基板の外周部
から中心部に向かって次第に温度が上昇するように温度
制御を行う温度制御手段と、前記基板の表面に処理液を
供給する処理液供給手段とを具備することを特徴とす
る。
板を水平に保持する基板保持部材と、前記基板を回転駆
動する回転手段と、前記基板に対し、前記基板の外周部
から中心部に向かって次第に温度が上昇するように温度
制御を行う温度制御手段と、前記基板の表面に処理液を
供給する処理液供給手段とを具備することを特徴とす
る。
【０００７】本発明のこのような構成によれば、基板上
に処理液を塗布し、基板を回転し処理液を遠心力により
基板上に広げる際、基板は外周部から中心部に向かって
次第に温度が上昇するような温度分布に設定されている
ため、基板外周部に広がる処理液の溶媒の蒸発が抑制さ
れ、基板面内での処理液の乾燥のタイミングをほぼ均一
化することができる。従って、面内で均一な膜厚の塗布
膜を得ることができる。
に処理液を塗布し、基板を回転し処理液を遠心力により
基板上に広げる際、基板は外周部から中心部に向かって
次第に温度が上昇するような温度分布に設定されている
ため、基板外周部に広がる処理液の溶媒の蒸発が抑制さ
れ、基板面内での処理液の乾燥のタイミングをほぼ均一
化することができる。従って、面内で均一な膜厚の塗布
膜を得ることができる。
【０００８】本発明の塗布装置は、基板を保持しつつ回
転し、該基板を保持する面が領域に応じて異なる温度に
設定された基板保持部材と、前記基板の表面に処理液を
供給する処理液供給手段とを具備することを特徴とす
る。
転し、該基板を保持する面が領域に応じて異なる温度に
設定された基板保持部材と、前記基板の表面に処理液を
供給する処理液供給手段とを具備することを特徴とす
る。
【０００９】本発明のこのような構成によれば、基板を
面内で異なる温度に設定することができるので、基板上
に処理液を塗布し基板を回転させて処理液を基板上に広
げる際、処理液の溶媒の蒸発が顕著な領域を低い温度に
設定することにより、基板面内での処理液の乾燥のタイ
ミングをほぼ均一化することができる。従って、面内で
均一な膜厚の塗布膜を得ることができる。
面内で異なる温度に設定することができるので、基板上
に処理液を塗布し基板を回転させて処理液を基板上に広
げる際、処理液の溶媒の蒸発が顕著な領域を低い温度に
設定することにより、基板面内での処理液の乾燥のタイ
ミングをほぼ均一化することができる。従って、面内で
均一な膜厚の塗布膜を得ることができる。
【００１０】本発明の塗布方法は、基板を、該基板の外
周部から中心部に向かって次第に温度が上昇するように
温度制御を行う工程と、前記温度制御を行った状態で前
記基板を回転しつつ該基板上に処理液を供給し、該処理
液を基板上に広げる工程とを具備することを特徴とす
る。
周部から中心部に向かって次第に温度が上昇するように
温度制御を行う工程と、前記温度制御を行った状態で前
記基板を回転しつつ該基板上に処理液を供給し、該処理
液を基板上に広げる工程とを具備することを特徴とす
る。
【００１１】本発明のこのような構成によれば、基板上
に処理液を塗布し、基板を回転し処理液を遠心力により
基板上に広げる際、基板は外周部から中心部に向かって
次第に温度が上昇するような温度分布に設定されている
ため、基板外周部に広がる処理液の溶媒の蒸発が抑制さ
れ、基板面内での処理液の乾燥のタイミングをほぼ均一
化することができる。従って、面内で均一な膜厚の塗布
膜を得ることができる。
に処理液を塗布し、基板を回転し処理液を遠心力により
基板上に広げる際、基板は外周部から中心部に向かって
次第に温度が上昇するような温度分布に設定されている
ため、基板外周部に広がる処理液の溶媒の蒸発が抑制さ
れ、基板面内での処理液の乾燥のタイミングをほぼ均一
化することができる。従って、面内で均一な膜厚の塗布
膜を得ることができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、半導体ウエハにレジスト液
を塗布し、現像するレジスト塗布現像システムに本発明
を適用した実施形態を図面に基づき説明する。
を塗布し、現像するレジスト塗布現像システムに本発明
を適用した実施形態を図面に基づき説明する。
【００１３】図１はこの実施形態に係るレジスト塗布現
像システムの平面図、図２は図１に示したレジスト塗布
現像システムの正面図、図３は図１に示したレジスト塗
布現像システムの背面図である。
像システムの平面図、図２は図１に示したレジスト塗布
現像システムの正面図、図３は図１に示したレジスト塗
布現像システムの背面図である。
【００１４】図１に示すように、このレジスト塗布現像
システム１は、カセットステーション１０、処理ステー
ション１１及びインターフェイス部１２を一体に接続し
た構成を有している。カセットステーション１０では、
ウエハＷがカセットＣ単位で複数枚、例えば２５枚単位
で外部からレジスト塗布現像システム１に搬入され、ま
たレジスト塗布現像システム１から外部に搬出される。
また、カセットＣに対してウエハＷが搬出・搬入され
る。処理ステーション１１では、塗布現像処理工程の中
で１枚ずつウエハＷに所定の処理を施す枚葉式の各種処
理ユニットが所定位置に多段に配置されている。インタ
ーフェイス部１２では、このレジスト塗布現像システム
１に隣接して設けられる露光装置１３との間でウエハＷ
が受け渡される。
システム１は、カセットステーション１０、処理ステー
ション１１及びインターフェイス部１２を一体に接続し
た構成を有している。カセットステーション１０では、
ウエハＷがカセットＣ単位で複数枚、例えば２５枚単位
で外部からレジスト塗布現像システム１に搬入され、ま
たレジスト塗布現像システム１から外部に搬出される。
また、カセットＣに対してウエハＷが搬出・搬入され
る。処理ステーション１１では、塗布現像処理工程の中
で１枚ずつウエハＷに所定の処理を施す枚葉式の各種処
理ユニットが所定位置に多段に配置されている。インタ
ーフェイス部１２では、このレジスト塗布現像システム
１に隣接して設けられる露光装置１３との間でウエハＷ
が受け渡される。
【００１５】カセットステーション１０では、カセット
載置台２０上の位置決め突起２０ａの位置に複数個、例
えば４個のカセットＣが、それぞれのウエハＷ出入口を
処理ステーション１１側に向けてＸ方向（図１中の上下
方向）一列に載置される。このカセットＣ配列方向（Ｘ
方向）およびカセットＣ内に収容されたウエハＷのウエ
ハＷ配列方向（Ｚ方向；垂直方向）に移動可能なウエハ
搬送装置２１が、搬送路２１ａに沿って移動自在であ
り、各カセットＣに選択的にアクセスする。
載置台２０上の位置決め突起２０ａの位置に複数個、例
えば４個のカセットＣが、それぞれのウエハＷ出入口を
処理ステーション１１側に向けてＸ方向（図１中の上下
方向）一列に載置される。このカセットＣ配列方向（Ｘ
方向）およびカセットＣ内に収容されたウエハＷのウエ
ハＷ配列方向（Ｚ方向；垂直方向）に移動可能なウエハ
搬送装置２１が、搬送路２１ａに沿って移動自在であ
り、各カセットＣに選択的にアクセスする。
【００１６】ウエハ搬送装置２１は、θ方向に回転自在
に構成されており、後述するように処理ステーション１
１側の第３の処理装置群Ｇ３の多段ユニット部に属する
アライメントユニット（ＡＬＩＭ）およびエクステンシ
ョンユニット（ＥＸＴ）にもアクセスできるようになっ
ている。
に構成されており、後述するように処理ステーション１
１側の第３の処理装置群Ｇ３の多段ユニット部に属する
アライメントユニット（ＡＬＩＭ）およびエクステンシ
ョンユニット（ＥＸＴ）にもアクセスできるようになっ
ている。
【００１７】処理ステーション１１では、図１に示すよ
うに、その中心部には垂直搬送型の搬送装置２２が設け
られ、その周りに処理室としての各種処理ユニットが１
組または複数の組に亙って多段集積配置されて処理ユニ
ット群を構成している。このレジスト塗布現像システム
１においては、５つの処理ユニット群Ｇ１、Ｇ２、Ｇ
３、Ｇ４、Ｇ５が配置可能な構成であり、第１および第
２の処理ユニット群Ｇ１、Ｇ２はシステム正面側に配置
され、第３の処理ユニット群Ｇ３はカセットステーショ
ン１０に隣接して配置され、第４の処理ユニット群Ｇ４
はインターフェイス部１２に隣接して配置され、さらに
破線で示した第５の処理ユニット群Ｇ５を背面側に配置
することが可能となっている。搬送装置２２は、θ方向
に回転自在でＺ方向に移動可能に構成されており、各処
理ユニットとの間でウエハＷの受け渡しが可能とされて
いる。
うに、その中心部には垂直搬送型の搬送装置２２が設け
られ、その周りに処理室としての各種処理ユニットが１
組または複数の組に亙って多段集積配置されて処理ユニ
ット群を構成している。このレジスト塗布現像システム
１においては、５つの処理ユニット群Ｇ１、Ｇ２、Ｇ
３、Ｇ４、Ｇ５が配置可能な構成であり、第１および第
２の処理ユニット群Ｇ１、Ｇ２はシステム正面側に配置
され、第３の処理ユニット群Ｇ３はカセットステーショ
ン１０に隣接して配置され、第４の処理ユニット群Ｇ４
はインターフェイス部１２に隣接して配置され、さらに
破線で示した第５の処理ユニット群Ｇ５を背面側に配置
することが可能となっている。搬送装置２２は、θ方向
に回転自在でＺ方向に移動可能に構成されており、各処
理ユニットとの間でウエハＷの受け渡しが可能とされて
いる。
【００１８】第１の処理ユニット群Ｇ１では、図２に示
すように、カップＣＰ内でウエハＷをスピンチャックに
載せて所定の処理を行う２台のスピンナ型処理ユニッ
ト、例えばレジスト塗布装置（ＣＯＴ）６１および現像
処理ユニット（ＤＥＶ）６０が下から順に２段に重ねら
れている。そして第１の処理ユニット群Ｇ１と同様に、
第２の処理ユニット群Ｇ２においても、２台のスピンナ
型処理ユニット、例えばレジスト塗布装置（ＣＯＴ）６
３及び現像処理ユニット（ＤＥＶ）６２が下から順に２
段に重ねられている。
すように、カップＣＰ内でウエハＷをスピンチャックに
載せて所定の処理を行う２台のスピンナ型処理ユニッ
ト、例えばレジスト塗布装置（ＣＯＴ）６１および現像
処理ユニット（ＤＥＶ）６０が下から順に２段に重ねら
れている。そして第１の処理ユニット群Ｇ１と同様に、
第２の処理ユニット群Ｇ２においても、２台のスピンナ
型処理ユニット、例えばレジスト塗布装置（ＣＯＴ）６
３及び現像処理ユニット（ＤＥＶ）６２が下から順に２
段に重ねられている。
【００１９】第３の処理ユニット群Ｇ３では、図３に示
すように、ウエハＷを載置台（図示せず）に載せて所定
の処理を行うオーブン型の処理ユニット、例えば冷却処
理を行う冷却処理ユニット（ＣＯＬ）、レジストの定着
性を高めるためのいわゆる疎水化処理を行うアドヒージ
ョン処理ユニット（ＡＤ）、位置合わせを行うアライメ
ントユニット（ＡＬＩＭ）、エクステンションユニット
（ＥＸＴ）、プリベークを行う加熱処理ユニット（ＰＲ
ＥＢＡＫＥ）及びポストベークを行う加熱処理ユニット
（ＰＯＢＡＫＥ）が下から順に、例えば８段に重ねられ
ている。
すように、ウエハＷを載置台（図示せず）に載せて所定
の処理を行うオーブン型の処理ユニット、例えば冷却処
理を行う冷却処理ユニット（ＣＯＬ）、レジストの定着
性を高めるためのいわゆる疎水化処理を行うアドヒージ
ョン処理ユニット（ＡＤ）、位置合わせを行うアライメ
ントユニット（ＡＬＩＭ）、エクステンションユニット
（ＥＸＴ）、プリベークを行う加熱処理ユニット（ＰＲ
ＥＢＡＫＥ）及びポストベークを行う加熱処理ユニット
（ＰＯＢＡＫＥ）が下から順に、例えば８段に重ねられ
ている。
【００２０】同様に、第４の処理ユニット群Ｇ４では、
ウエハＷを載置台に載せて所定の処理を行うオーブン型
の処理ユニット、例えば冷却処理を行う冷却処理ユニッ
ト（ＣＯＬ）、冷却処理も兼ねたエクステンション・冷
却処理ユニット（ＥＸＴＣＯＬ）、エクステンションユ
ニット（ＥＸＴ）、アドヒージョン処理ユニット（Ａ
Ｄ）、プリベークを行う加熱処理ユニット（ＰＲＥＢＡ
ＫＥ）及びポストベークを行う加熱処理ユニット（ＰＯ
ＢＡＫＥ）が下から順に、例えば８段に重ねられてい
る。
ウエハＷを載置台に載せて所定の処理を行うオーブン型
の処理ユニット、例えば冷却処理を行う冷却処理ユニッ
ト（ＣＯＬ）、冷却処理も兼ねたエクステンション・冷
却処理ユニット（ＥＸＴＣＯＬ）、エクステンションユ
ニット（ＥＸＴ）、アドヒージョン処理ユニット（Ａ
Ｄ）、プリベークを行う加熱処理ユニット（ＰＲＥＢＡ
ＫＥ）及びポストベークを行う加熱処理ユニット（ＰＯ
ＢＡＫＥ）が下から順に、例えば８段に重ねられてい
る。
【００２１】インターフェイス部１２では、図１に示す
ように、奥行き方向（Ｘ方向）については、上記処理ス
テーション１１と同じ寸法を有するが、幅方向について
はより小さなサイズに設定されている。図１及び図２に
示すように、このインターフェイス部１２の正面側に
は、可搬性のピックアップカセットＣＲと、定置型のバ
ッファカセットＢＲが２段に配置され、他方背面部には
周辺露光装置２４が配設されている。
ように、奥行き方向（Ｘ方向）については、上記処理ス
テーション１１と同じ寸法を有するが、幅方向について
はより小さなサイズに設定されている。図１及び図２に
示すように、このインターフェイス部１２の正面側に
は、可搬性のピックアップカセットＣＲと、定置型のバ
ッファカセットＢＲが２段に配置され、他方背面部には
周辺露光装置２４が配設されている。
【００２２】インターフェイス部１２の中央部には、ウ
エハ搬送装置２５が設けられている。ウエハ搬送装置２
５は、Ｘ方向、Ｚ方向（垂直方向）に移動して両カセッ
トＣＲ、ＢＲ及び周辺露光装置２４にアクセスできるよ
うになっている。ウエハ搬送装置２５は、θ方向にも回
転自在となるように構成されており、処理ステーション
１１側の第４の処理ユニット群Ｇ４に属するエクステン
ションユニット（ＥＸＴ）や、さらには隣接する露光装
置側のウエハ受け渡し台（図示せず）にもアクセスでき
るようになっている。
エハ搬送装置２５が設けられている。ウエハ搬送装置２
５は、Ｘ方向、Ｚ方向（垂直方向）に移動して両カセッ
トＣＲ、ＢＲ及び周辺露光装置２４にアクセスできるよ
うになっている。ウエハ搬送装置２５は、θ方向にも回
転自在となるように構成されており、処理ステーション
１１側の第４の処理ユニット群Ｇ４に属するエクステン
ションユニット（ＥＸＴ）や、さらには隣接する露光装
置側のウエハ受け渡し台（図示せず）にもアクセスでき
るようになっている。
【００２３】図４は搬送装置２２の外観を示した斜視図
であり、この搬送装置２２は上端及び下端で相互に接続
され対向する一対の壁部２５、２６からなる筒状支持体
２７の内側に、上下方向（Ｚ方向）に昇降自在なウエハ
搬送装置３０を装備している。筒状支持体２７はモータ
３１の回転軸に接続されており、このモータ３１の回転
駆動力によって、前記回転軸を中心としてウエハ搬送装
置３０と一体に回転する。従って、ウエハ搬送装置３０
はθ方向に回転自在となっている。このウエハ搬送装置
３０の搬送基台４０上にはピンセットが例えば３本備え
られている。これらのピンセット４１、４２、４３は、
いずれも筒状支持体２７の両壁部２５、２６間の側面開
口部４４を通過自在な形態及び大きさを有しており、Ｘ
方向に沿って前後移動が自在となるように構成されてい
る。そして、搬送装置２２はピンセット４１、４２、４
３をその周囲に配置された処理ステーションにアクセス
してこれら処理ステーションとの間でウエハＷの受け渡
しを行う。
であり、この搬送装置２２は上端及び下端で相互に接続
され対向する一対の壁部２５、２６からなる筒状支持体
２７の内側に、上下方向（Ｚ方向）に昇降自在なウエハ
搬送装置３０を装備している。筒状支持体２７はモータ
３１の回転軸に接続されており、このモータ３１の回転
駆動力によって、前記回転軸を中心としてウエハ搬送装
置３０と一体に回転する。従って、ウエハ搬送装置３０
はθ方向に回転自在となっている。このウエハ搬送装置
３０の搬送基台４０上にはピンセットが例えば３本備え
られている。これらのピンセット４１、４２、４３は、
いずれも筒状支持体２７の両壁部２５、２６間の側面開
口部４４を通過自在な形態及び大きさを有しており、Ｘ
方向に沿って前後移動が自在となるように構成されてい
る。そして、搬送装置２２はピンセット４１、４２、４
３をその周囲に配置された処理ステーションにアクセス
してこれら処理ステーションとの間でウエハＷの受け渡
しを行う。
【００２４】図５は上述した本発明に係るレジスト塗布
装置（ＣＯＴ）６１（６３）の全体構成を示す略断面
図、図６はその略平面図である。図７はスピンチャック
の略平面図、図８はスピンチャックの面内における温度
分布を示す図である。
装置（ＣＯＴ）６１（６３）の全体構成を示す略断面
図、図６はその略平面図である。図７はスピンチャック
の略平面図、図８はスピンチャックの面内における温度
分布を示す図である。
【００２５】図５、図６に示すように、このレジスト塗
布装置（ＣＯＴ）６１（６３）では、ユニット底の中央
部に環状のカップＣＰが配設され、その内側にスピンチ
ャック５２が配置されている。カップＣＰは開口部ＤＲ
を有する処理室５０内に配置されている。処理室５０に
は開口部ＤＲの開閉を行うための昇降可能なシャッタ部
材１４０が設けられている。レジスト液塗布時には、シ
ャッタ部材１４０が下降し、開口部ＤＲを閉じて密閉空
間が形成され、ウエハＷの搬入及び搬出時には、シャッ
タ部材１４０が上昇し、開口部ＤＲを介して搬送装置２
２のピンセット４１〜４３が処理室５０内に出入りする
ように構成されている。また、シャッタ部材１４０の下
降により形成される密閉空間内へは、処理室５０の天井
部に設置された溶媒ガス導入手段である導入管６５から
レジスト液の溶媒が気化してなるガスであるシンナーや
蒸気等が導入され、レジスト液塗布時には、処理室５０
内はガスの導入により加圧状態となっている。本実施形
態においては、レジスト液塗布時の処理室内の圧力は常
圧より高く、例えば１．１×１０５Paに設定され、高圧
に設定することによりレジスト液の溶媒の蒸発を抑制す
ることができ、またレジスト膜の薄膜化が可能となる。
また、レジスト液塗布時の処理室内は溶媒雰囲気となっ
ており、処理室内の温度は、レジスト液塗布時に、例え
ば２３．０℃に設定されている。
布装置（ＣＯＴ）６１（６３）では、ユニット底の中央
部に環状のカップＣＰが配設され、その内側にスピンチ
ャック５２が配置されている。カップＣＰは開口部ＤＲ
を有する処理室５０内に配置されている。処理室５０に
は開口部ＤＲの開閉を行うための昇降可能なシャッタ部
材１４０が設けられている。レジスト液塗布時には、シ
ャッタ部材１４０が下降し、開口部ＤＲを閉じて密閉空
間が形成され、ウエハＷの搬入及び搬出時には、シャッ
タ部材１４０が上昇し、開口部ＤＲを介して搬送装置２
２のピンセット４１〜４３が処理室５０内に出入りする
ように構成されている。また、シャッタ部材１４０の下
降により形成される密閉空間内へは、処理室５０の天井
部に設置された溶媒ガス導入手段である導入管６５から
レジスト液の溶媒が気化してなるガスであるシンナーや
蒸気等が導入され、レジスト液塗布時には、処理室５０
内はガスの導入により加圧状態となっている。本実施形
態においては、レジスト液塗布時の処理室内の圧力は常
圧より高く、例えば１．１×１０５Paに設定され、高圧
に設定することによりレジスト液の溶媒の蒸発を抑制す
ることができ、またレジスト膜の薄膜化が可能となる。
また、レジスト液塗布時の処理室内は溶媒雰囲気となっ
ており、処理室内の温度は、レジスト液塗布時に、例え
ば２３．０℃に設定されている。
【００２６】スピンチャック５２は真空吸着によってウ
エハＷを固定保持した状態で、駆動モータ５４の回転駆
動力で回転するように構成されている。駆動モータ５４
は図示を省略したシリンダーによって昇降移動可能に配
置され、これによりスピンチャック５２が昇降可能とさ
れている。またカップＣＰの中は、廃液用のドレイン口
５５と排気用のドレイン口５６が別個に設けられてい
る。
エハＷを固定保持した状態で、駆動モータ５４の回転駆
動力で回転するように構成されている。駆動モータ５４
は図示を省略したシリンダーによって昇降移動可能に配
置され、これによりスピンチャック５２が昇降可能とさ
れている。またカップＣＰの中は、廃液用のドレイン口
５５と排気用のドレイン口５６が別個に設けられてい
る。
【００２７】ウエハＷのウエハ表面に処理液としてのレ
ジスト液を供給するためのレジスト液供給ノズル８６
は、レジスト液供給管８８を介してレジスト液供給部
（図示せず）に接続されている。レジスト供給ノズル８
６は、カップＣＰの外側に配設されたノズル待機部９０
でノズルスキャンアーム９２の先端部に着脱可能に取り
付けられ、スピンチャック５２の上方に設定された所定
の溶液液吐出位置まで移送されるようになっている。ノ
ズルスキャンアーム９２は、処理部５０内部に一方向
（Ｙ方向）に敷設されたガイドレール９４上で水平移動
可能な垂直支持部材９６の上端部に取り付けられてお
り、図示しないＹ方向駆動機構によって垂直支持部材９
６と一体にＹ方向で移動するようになっている。
ジスト液を供給するためのレジスト液供給ノズル８６
は、レジスト液供給管８８を介してレジスト液供給部
（図示せず）に接続されている。レジスト供給ノズル８
６は、カップＣＰの外側に配設されたノズル待機部９０
でノズルスキャンアーム９２の先端部に着脱可能に取り
付けられ、スピンチャック５２の上方に設定された所定
の溶液液吐出位置まで移送されるようになっている。ノ
ズルスキャンアーム９２は、処理部５０内部に一方向
（Ｙ方向）に敷設されたガイドレール９４上で水平移動
可能な垂直支持部材９６の上端部に取り付けられてお
り、図示しないＹ方向駆動機構によって垂直支持部材９
６と一体にＹ方向で移動するようになっている。
【００２８】ノズルスキャンアーム９２は、ノズル待機
部９０でレジスト液供給ノズル８６を選択的に取り付け
るためにＹ方向と直角なＸ方向にも移動可能であり、図
示しないＸ方向駆動機構によってＸ方向にも移動するよ
うになっている。
部９０でレジスト液供給ノズル８６を選択的に取り付け
るためにＹ方向と直角なＸ方向にも移動可能であり、図
示しないＸ方向駆動機構によってＸ方向にも移動するよ
うになっている。
【００２９】またノズル待機部９０でレジスト液供給ノ
ズル８６の吐出口が溶媒雰囲気室の口９０ａに挿入さ
れ、中で溶媒の雰囲気に晒されることで、ノズル先端の
溶液が固化または劣化しないようになっている。
ズル８６の吐出口が溶媒雰囲気室の口９０ａに挿入さ
れ、中で溶媒の雰囲気に晒されることで、ノズル先端の
溶液が固化または劣化しないようになっている。
【００３０】更にカップＣＰとノズル待機部９０との間
には、ドレインカップ１３０が設けられており、この位
置においてウエハＷに対するレジスト液の供給に先立ち
レジスト液供給ノズル８６の洗浄が行われるようになっ
ている。
には、ドレインカップ１３０が設けられており、この位
置においてウエハＷに対するレジスト液の供給に先立ち
レジスト液供給ノズル８６の洗浄が行われるようになっ
ている。
【００３１】スピンチャック５２は、図７に示すよう
に、ウエハＷとほぼ同じ大きさの円形を有しており、中
心部はウエハ回転駆動時の中心と一致している。スピン
チャック５２には例えば複数の吸引口５１が設けられ、
吸引口５１を介してスピンチャック５２上にウエハＷを
吸着保持する。なお、吸引口５１は1箇所であってもよ
い。更に、スピンチャック５２は、径方向に同心円状に
複数の領域、例えば四つの領域Ｈ１〜Ｈ４に分割されて
いる。
に、ウエハＷとほぼ同じ大きさの円形を有しており、中
心部はウエハ回転駆動時の中心と一致している。スピン
チャック５２には例えば複数の吸引口５１が設けられ、
吸引口５１を介してスピンチャック５２上にウエハＷを
吸着保持する。なお、吸引口５１は1箇所であってもよ
い。更に、スピンチャック５２は、径方向に同心円状に
複数の領域、例えば四つの領域Ｈ１〜Ｈ４に分割されて
いる。
【００３２】図８に示すように、スピンチャック５２の
各領域Ｈ１〜Ｈ４にはそれぞれ独立したヒートパイプHP
１〜HP４が埋め込まれており、各ヒートパイプHP１〜HP
４の直下にはそれぞれ温度センサーS１〜S４とヒータH
Ｔ１〜HＴ４が配置されている。そして、図示を省略し
た制御部が各温度センサーS１〜S４により検出された温
度に基づいて各ヒータHＴ１〜HＴ４への電力供給を制御
する。
各領域Ｈ１〜Ｈ４にはそれぞれ独立したヒートパイプHP
１〜HP４が埋め込まれており、各ヒートパイプHP１〜HP
４の直下にはそれぞれ温度センサーS１〜S４とヒータH
Ｔ１〜HＴ４が配置されている。そして、図示を省略し
た制御部が各温度センサーS１〜S４により検出された温
度に基づいて各ヒータHＴ１〜HＴ４への電力供給を制御
する。
【００３３】図９は、かかる制御によるスピンチャック
５２の温度分布の一例を示す図であり、縦軸が温度、横
軸がスピンチャック５２の直径に沿った位置を示す。図
９に示すように、本実施形態においては、領域Ｈ１の温
度は２３．５℃、領域Ｈ２の温度は２３．０℃、領域Ｈ
３の温度は２２．５℃、領域Ｈ４の温度は２２．０℃に
設定されている。また、ウエハＷの外周部に相当する領
域Ｈ４の温度は、少なくともレジスト液の溶媒の蒸発が
抑制される温度であることが望ましく、外周部における
溶媒の蒸発が抑制される。尚、本実施形態では、レジス
ト液の溶媒として、沸点が常厚時に１２０℃程度のシン
ナを用いている。ウエハＷに対する温度制御手段による
温度設定は、溶媒の蒸発する温度、処理室内の圧力、処
理室内の雰囲気、処理室内の温度、レジスト液の温度な
どにより、適宜調整すればよい。
５２の温度分布の一例を示す図であり、縦軸が温度、横
軸がスピンチャック５２の直径に沿った位置を示す。図
９に示すように、本実施形態においては、領域Ｈ１の温
度は２３．５℃、領域Ｈ２の温度は２３．０℃、領域Ｈ
３の温度は２２．５℃、領域Ｈ４の温度は２２．０℃に
設定されている。また、ウエハＷの外周部に相当する領
域Ｈ４の温度は、少なくともレジスト液の溶媒の蒸発が
抑制される温度であることが望ましく、外周部における
溶媒の蒸発が抑制される。尚、本実施形態では、レジス
ト液の溶媒として、沸点が常厚時に１２０℃程度のシン
ナを用いている。ウエハＷに対する温度制御手段による
温度設定は、溶媒の蒸発する温度、処理室内の圧力、処
理室内の雰囲気、処理室内の温度、レジスト液の温度な
どにより、適宜調整すればよい。
【００３４】このように、ウエハＷの外周部から中心部
に向かって次第に温度が上昇するようにスピンチャック
５２は温度制御が行われているので、このスピンチャッ
ク５２上に保持されたウエハＷは、外周部から中心部に
向かって次第に温度が上昇するような温度分布を有する
こととなる。これにより、ウエハＷ上に、レジスト液が
スピンコーティング法により広げられて塗布される際、
外周部に広がるレジスト液の溶媒の蒸発が抑制され、ウ
エハＷ面内でのレジスト液の乾燥のタイミングを均一化
することができる。
に向かって次第に温度が上昇するようにスピンチャック
５２は温度制御が行われているので、このスピンチャッ
ク５２上に保持されたウエハＷは、外周部から中心部に
向かって次第に温度が上昇するような温度分布を有する
こととなる。これにより、ウエハＷ上に、レジスト液が
スピンコーティング法により広げられて塗布される際、
外周部に広がるレジスト液の溶媒の蒸発が抑制され、ウ
エハＷ面内でのレジスト液の乾燥のタイミングを均一化
することができる。
【００３５】次に、以上のレジスト塗布装置（ＣＯＴ）
６１（６３）の動作について図５〜図７を用いて説明す
る。
６１（６３）の動作について図５〜図７を用いて説明す
る。
【００３６】ウエハＷが搬送される前、処理室５０内の
温度は常温に保たれている。処理室５０内のスピンチャ
ック５２は、駆動モータ５４の上昇とともにカップＣＰ
外へ移動する。次に、搬送装置２２のピンセット４１〜
４３のいずれか１つにより保持されたウエハＷは、開口
部ＤＲを介して処理室５０内へ搬送され、スピンチャッ
ク５２上に載置される。ウエハＷはスピンチャック５２
に吸引保持され、スピンチャック５２の下降とともにカ
ップＣＰ内のレジスト液塗布位置まで移動する。また、
開口部ＤＲはシャッタ部材１４０により閉じられる。
温度は常温に保たれている。処理室５０内のスピンチャ
ック５２は、駆動モータ５４の上昇とともにカップＣＰ
外へ移動する。次に、搬送装置２２のピンセット４１〜
４３のいずれか１つにより保持されたウエハＷは、開口
部ＤＲを介して処理室５０内へ搬送され、スピンチャッ
ク５２上に載置される。ウエハＷはスピンチャック５２
に吸引保持され、スピンチャック５２の下降とともにカ
ップＣＰ内のレジスト液塗布位置まで移動する。また、
開口部ＤＲはシャッタ部材１４０により閉じられる。
【００３７】ウエハＷが処理室５０へ搬入された後、処
理室５０内へ導入管６５を介してレジスト液の溶媒を気
化したガスを導入し、処理室５０内を溶媒雰囲気とする
とともに、処理室５０内の圧力を１．１×１０５Ｐａと
する。また、処理室５０内の温度は２３．０℃に設定す
る。溶媒としては例えばシンナが用いられる。ウエハＷ
は、スピンチャックに設けられた温度制御手段により、
外周部から中心部に向かって次第に温度が上昇するよう
な温度分布を有するように設定される。ここで、処理室
５０内を溶媒雰囲気下とすることにより、レジスト液の
溶媒の蒸発を抑制することができる。また、処理室５０
内の圧力を常圧より高くすることにより、溶媒の蒸発を
更に抑制するとともに、レジスト膜の薄膜化が容易とな
る。
理室５０内へ導入管６５を介してレジスト液の溶媒を気
化したガスを導入し、処理室５０内を溶媒雰囲気とする
とともに、処理室５０内の圧力を１．１×１０５Ｐａと
する。また、処理室５０内の温度は２３．０℃に設定す
る。溶媒としては例えばシンナが用いられる。ウエハＷ
は、スピンチャックに設けられた温度制御手段により、
外周部から中心部に向かって次第に温度が上昇するよう
な温度分布を有するように設定される。ここで、処理室
５０内を溶媒雰囲気下とすることにより、レジスト液の
溶媒の蒸発を抑制することができる。また、処理室５０
内の圧力を常圧より高くすることにより、溶媒の蒸発を
更に抑制するとともに、レジスト膜の薄膜化が容易とな
る。
【００３８】次に、ウエハＷの中心部に液供給ノズル８
６が移動し、ウエハＷを２０００ｒｐｍの速度にて回転
させながら、レジスト液供給ノズル８６からレジスト液
をウエハＷに対して供給する。ウエハＷ上に供給された
レジスト液は遠心力によりウエハＷ上に広がり、ウエハ
Ｗ上には塗布膜が形成される。この際、ウエハＷは外周
部から中心部に向かって次第に温度が上昇するような温
度分布に設定されているため、ウエハＷ外周部に広がる
レジスト液の溶媒の蒸発が抑制され、ウエハＷ面内での
レジスト液の乾燥のタイミングを均一化することができ
る。従って、面内で均一な膜厚の塗布膜を得ることがで
き、例えば膜厚が１００ｎｍの薄膜であっても、面内で
均一な膜厚の塗布膜を形成することができる。
６が移動し、ウエハＷを２０００ｒｐｍの速度にて回転
させながら、レジスト液供給ノズル８６からレジスト液
をウエハＷに対して供給する。ウエハＷ上に供給された
レジスト液は遠心力によりウエハＷ上に広がり、ウエハ
Ｗ上には塗布膜が形成される。この際、ウエハＷは外周
部から中心部に向かって次第に温度が上昇するような温
度分布に設定されているため、ウエハＷ外周部に広がる
レジスト液の溶媒の蒸発が抑制され、ウエハＷ面内での
レジスト液の乾燥のタイミングを均一化することができ
る。従って、面内で均一な膜厚の塗布膜を得ることがで
き、例えば膜厚が１００ｎｍの薄膜であっても、面内で
均一な膜厚の塗布膜を形成することができる。
【００３９】次に、処理室５０内の加圧状態を解除し、
処理室５０内の温度を常温にした後、シャッタ部材１４
０を上昇させるとともに、ウエハＷを上昇させる。そし
て、搬送装置２２のピンセット４１〜４３のいずれか１
つが、開口部ＤＲを介して処理室５０内に挿入し、塗布
膜が形成されたウエハを処理室５０外へ搬出し、レジス
ト塗布工程が終了する。
処理室５０内の温度を常温にした後、シャッタ部材１４
０を上昇させるとともに、ウエハＷを上昇させる。そし
て、搬送装置２２のピンセット４１〜４３のいずれか１
つが、開口部ＤＲを介して処理室５０内に挿入し、塗布
膜が形成されたウエハを処理室５０外へ搬出し、レジス
ト塗布工程が終了する。
【００４０】尚、スピンチャック５２の構造について
は、図１０に示すように、各ヒートパイプHP１〜HP４の
間隙に断熱材２０１を介挿するようにしてもよい。これ
により各領域間の熱的干渉を防止でき、より精密な温度
制御が可能となる。
は、図１０に示すように、各ヒートパイプHP１〜HP４の
間隙に断熱材２０１を介挿するようにしてもよい。これ
により各領域間の熱的干渉を防止でき、より精密な温度
制御が可能となる。
【００４１】また、図１１に示すように、ウエハＷの膜
厚プロファイルをとり、ウエハＷ上の各位置における膜
厚に応じてスピンチャック５２上の各位置の温度を個々
的に制御してもよい。例えば図１１に示したＡ，Ｂ，Ｃ
に相当する温調部については温度を下げるように制御す
ればよい。
厚プロファイルをとり、ウエハＷ上の各位置における膜
厚に応じてスピンチャック５２上の各位置の温度を個々
的に制御してもよい。例えば図１１に示したＡ，Ｂ，Ｃ
に相当する温調部については温度を下げるように制御す
ればよい。
【００４２】更に、上述の実施形態において、処理室内
の温度を調整する冷熱により溶媒が結露としてレジスト
液供給ノズルに付着する場合、例えばノズルにヒータな
どの温度調整手段を設置しても良い。
の温度を調整する冷熱により溶媒が結露としてレジスト
液供給ノズルに付着する場合、例えばノズルにヒータな
どの温度調整手段を設置しても良い。
【００４３】上記実施形態では、本発明を半導体ウエハ
にレジスト液を塗布する装置に適用したものについて説
明したが、半導体ウエハ以外の基板、例えばＬＣＤ基板
にレジスト液を塗布する装置にも本発明は適用できる。
にレジスト液を塗布する装置に適用したものについて説
明したが、半導体ウエハ以外の基板、例えばＬＣＤ基板
にレジスト液を塗布する装置にも本発明は適用できる。
【００４４】また、本発明は、処理液としてレジスト液
を被処理基板に塗布する装置について説明したが、その
他の処理液を被処理基板に塗布する塗布装置であれば、
どのような処理液を用いた塗布装置にも適用でき、基板
面内で均一な膜厚の塗布膜を形成することができる。
を被処理基板に塗布する装置について説明したが、その
他の処理液を被処理基板に塗布する塗布装置であれば、
どのような処理液を用いた塗布装置にも適用でき、基板
面内で均一な膜厚の塗布膜を形成することができる。
【００４５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
基板上に処理液を塗布し、処理液を遠心力により基板上
に広げる際、基板は外周部から中心部に向かって次第に
温度が上昇するような温度分布に設定されているため、
基板外周部に広がる処理液の溶媒の蒸発が抑制され、基
板面内での処理液の乾燥のタイミングを均一化すること
ができる。従って、面内で均一な膜厚の塗布膜を得るこ
とができる。
基板上に処理液を塗布し、処理液を遠心力により基板上
に広げる際、基板は外周部から中心部に向かって次第に
温度が上昇するような温度分布に設定されているため、
基板外周部に広がる処理液の溶媒の蒸発が抑制され、基
板面内での処理液の乾燥のタイミングを均一化すること
ができる。従って、面内で均一な膜厚の塗布膜を得るこ
とができる。
【図１】 本発明の一実施形態に係るレジスト塗布現像
システムの平面図である。
システムの平面図である。
【図２】 図１に示したレジスト塗布現像システムの正
面図である。
面図である。
【図３】 図１に示したレジスト塗布現像システムの背
面図である。
面図である。
【図４】 図１に示したレジスト塗布現像システムにお
ける搬送装置の斜視図である。
ける搬送装置の斜視図である。
【図５】 本発明の実施の形態に係るレジスト塗布装置
の全体構成を示す断面図である。
の全体構成を示す断面図である。
【図６】 図５に示したレジスト塗布装置の平面図であ
る。
る。
【図７】 スピンチャックの概平面図である。
【図８】 図７に示したスピンチャックの概断面図であ
る。
る。
【図９】 図８に示したスピンチャックの温度分布の一
例を示す図である。
例を示す図である。
【図１０】 スピンチャックの他の例を示す図である。
【図１１】 更に別実施形態を説明するための図であ
る。
る。
Ｗ…ウエハ Ｈ１〜Ｈ４…領域 ５０…処理室 ５２…スピンチャック ５４…駆動モータ ６１、６３…レジスト塗布装置 ６５…導入管 １４０…シャッタ部材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６４Ｃ (72)発明者 北野 淳一 山梨県韮崎市穂坂町三ツ沢650 東京エレ クトロン株式会社山梨事業所内 Ｆターム(参考） 2H025 AB16 AB17 EA05 4D075 AC64 AC79 AC96 BB23X BB56Y CA48 DA08 DB11 DB13 DC22 EA05 EA45 4F042 AA07 DA09 EB09 EB29 EB30 5F046 CD01 CD05 CD06 JA02 JA07 JA10 JA22 JA24
Claims (9)
- 【請求項１】 基板を水平に保持する基板保持部材と、 前記基板を回転駆動する回転手段と、 前記基板に対し、前記基板の外周部から中心部に向かっ
て次第に温度が上昇するように温度制御を行う温度制御
手段と、 前記基板の表面に処理液を供給する処理液供給手段とを
具備することを特徴とする塗布装置。 - 【請求項２】 前記基板保持部材は、前記温度制御手段
を有することを特徴とすう請求項１記載の塗布装置。 - 【請求項３】 前記温度制御手段は、前記基板保持部材
を前記回転駆動時の中心部から同心円状に複数の領域に
分割し、それぞれの前記領域に異なる温度設定がされて
なることを特徴とする請求項２に記載の塗布装置。 - 【請求項４】 前記基板を配置する処理室と、 前記処理室内を加圧する加圧手段とを具備することを特
徴とする請求項１または請求項２に記載の塗布装置。 - 【請求項５】 前記処理室内は、前記処理液の溶媒から
なる雰囲気に設定されてなることを特徴とする請求項１
から請求項４のいずれか一項に記載の塗布装置。 - 【請求項６】 基板を保持しつつ回転し、該基板を保持
する面が領域に応じて異なる温度に設定された基板保持
部材と、 前記基板の表面に処理液を供給する処理液供給手段とを
具備することを特徴とする塗布装置。 - 【請求項７】 前記基板保持部材の基板保持面の温度
は、前記基板を外周部から中心部に向かって次第に温度
が上昇するように設定されていることを特徴とする請求
項６に記載の塗布装置。 - 【請求項８】 前記基板保持部材の基板保持面の温度
は、中心部から同心円状に複数の温度領域に分割され、
それぞれの前記温度領域が異なる温度に設定されている
ことを特徴とする請求項６または請求項７に記載の塗布
装置。 - 【請求項９】 基板を、該基板の外周部から中心部に向
かって次第に温度が上昇するように温度制御を行う工程
と、 前記温度制御を行った状態で前記基板を回転しつつ該基
板上に処理液を供給し、該処理液を基板上に広げる工程
とを具備することを特徴とする塗布方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000098430A JP2001276715A (ja) | 2000-03-31 | 2000-03-31 | 塗布装置及び塗布方法 |
| SG200101812A SG104267A1 (en) | 2000-03-31 | 2001-03-23 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| KR1020010015486A KR20010095006A (ko) | 2000-03-31 | 2001-03-24 | 기판처리장치 및 기판처리방법 |
| TW090107416A TW497124B (en) | 2000-03-31 | 2001-03-28 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| US09/820,748 US20030205196A1 (en) | 2000-03-31 | 2001-03-30 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000098430A JP2001276715A (ja) | 2000-03-31 | 2000-03-31 | 塗布装置及び塗布方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001276715A true JP2001276715A (ja) | 2001-10-09 |
Family
ID=18612912
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000098430A Pending JP2001276715A (ja) | 2000-03-31 | 2000-03-31 | 塗布装置及び塗布方法 |
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|---|---|
| US (1) | US20030205196A1 (ja) |
| JP (1) | JP2001276715A (ja) |
| KR (1) | KR20010095006A (ja) |
| SG (1) | SG104267A1 (ja) |
| TW (1) | TW497124B (ja) |
Cited By (3)
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