JPH05136042A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH05136042A JPH05136042A JP29332391A JP29332391A JPH05136042A JP H05136042 A JPH05136042 A JP H05136042A JP 29332391 A JP29332391 A JP 29332391A JP 29332391 A JP29332391 A JP 29332391A JP H05136042 A JPH05136042 A JP H05136042A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- resist
- resist film
- temperature
- substrate
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- Pending
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- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】半導体基板表面上にレジスト膜を形成する、集
積回路製造プロセスにおいて半導体基板外周部のレジス
ト膜が厚くなる問題を抑制する。 【構成】レジスト液を塗布する際に、中央部と周辺部と
を独立に温度を制御できるチャッキングテーブル６に半
導体基板２を乗せ、半導体基板外周部のみ低温状態に
し、その後レジスト液を滴下し半導体基板２を回転させ
レジスト膜を形成する。 【効果】上述した構成による製造プロセスを採用するこ
とにより、半導体基板全面にわたって均一なレジスト膜
を得ることができ、歩留りの安定、向上ができた。
積回路製造プロセスにおいて半導体基板外周部のレジス
ト膜が厚くなる問題を抑制する。 【構成】レジスト液を塗布する際に、中央部と周辺部と
を独立に温度を制御できるチャッキングテーブル６に半
導体基板２を乗せ、半導体基板外周部のみ低温状態に
し、その後レジスト液を滴下し半導体基板２を回転させ
レジスト膜を形成する。 【効果】上述した構成による製造プロセスを採用するこ
とにより、半導体基板全面にわたって均一なレジスト膜
を得ることができ、歩留りの安定、向上ができた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に関し、特に半導体基板上にレジスト液を塗布する技術
の改良に関する。
に関し、特に半導体基板上にレジスト液を塗布する技術
の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体基板上にレジスト液を塗布
する際には、半導体基板を一定温度に制御して、レジス
ト液を半導体基板に滴下したのち半導体基板を回転させ
て、レジスト液の塗布を行っていた。
する際には、半導体基板を一定温度に制御して、レジス
ト液を半導体基板に滴下したのち半導体基板を回転させ
て、レジスト液の塗布を行っていた。
【０００３】図２は、従来の方法による半導体装置の断
面図である。
面図である。
【０００４】図において、１はレジスト液滴下用ノズ
ル、２は半導体基板、３はスピンモーター、４はコータ
ーカップ、５はチャッキングテーブル、である。
ル、２は半導体基板、３はスピンモーター、４はコータ
ーカップ、５はチャッキングテーブル、である。
【０００５】本製造方法は、現在の一般的な半導体プロ
セスにおける、一般的なレジスト液の塗布方法であるの
で簡単な説明にとどめておく。
セスにおける、一般的なレジスト液の塗布方法であるの
で簡単な説明にとどめておく。
【０００６】まず、半導体基板２をコーターカップ４内
のチャッキングテーブル５上にセットする。その後レジ
スト液滴下用ノズル１より半導体基板２上にレジスト液
を滴下し、スピンモーター３により半導体基板２を回転
させ、半導体基板２上にレジスト膜を形成する。
のチャッキングテーブル５上にセットする。その後レジ
スト液滴下用ノズル１より半導体基板２上にレジスト液
を滴下し、スピンモーター３により半導体基板２を回転
させ、半導体基板２上にレジスト膜を形成する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記図２の従来例の製
造方法における問題点として、次のような事がし適され
る。
造方法における問題点として、次のような事がし適され
る。
【０００８】従来の製造方法では、半導体基板を回転さ
せ、レジスト液を半導体基板外周端より振り切りながら
所定の膜厚を得るために、半導体基板最外周部のみレジ
スト膜厚が特に厚くなる傾向にあった。近年、ドライエ
ッチング時になるべくレジスト膜がエッチングされない
ようにしたり、ドライエッチング時の高温状態によりレ
ジスト膜が変形しないようにする目的で、ドライエッチ
ング前にレジスト膜をｕｖ光を照射しながら高温のベー
キングを行う、通称ｕｖキュアーと呼ばれる工程の導入
が進んでいる。このｕｖキュアー工程では、レジスト膜
の表面をｕｖ光により硬化させながら高温ベーキングを
おこなうため、とくにレジスト膜が厚い場合、レジスト
膜中の残存溶剤が多く、これが高温によりガス膨張をお
こす。ところがレジスト表面はｕｖ光により硬化されて
いるために逃げ道がなく、最終的に破裂にいたる現象が
発生する。すなわち従来の方法にてレジスト膜を形成し
た半導体基板にｕｖキュアー工程を適用すると、最外周
部のレジスト膜の厚い領域にて、脱ガスによるレジスト
膜の破裂が生じ、ごみの発生源となり歩留りを低下させ
るといった問題があった。
せ、レジスト液を半導体基板外周端より振り切りながら
所定の膜厚を得るために、半導体基板最外周部のみレジ
スト膜厚が特に厚くなる傾向にあった。近年、ドライエ
ッチング時になるべくレジスト膜がエッチングされない
ようにしたり、ドライエッチング時の高温状態によりレ
ジスト膜が変形しないようにする目的で、ドライエッチ
ング前にレジスト膜をｕｖ光を照射しながら高温のベー
キングを行う、通称ｕｖキュアーと呼ばれる工程の導入
が進んでいる。このｕｖキュアー工程では、レジスト膜
の表面をｕｖ光により硬化させながら高温ベーキングを
おこなうため、とくにレジスト膜が厚い場合、レジスト
膜中の残存溶剤が多く、これが高温によりガス膨張をお
こす。ところがレジスト表面はｕｖ光により硬化されて
いるために逃げ道がなく、最終的に破裂にいたる現象が
発生する。すなわち従来の方法にてレジスト膜を形成し
た半導体基板にｕｖキュアー工程を適用すると、最外周
部のレジスト膜の厚い領域にて、脱ガスによるレジスト
膜の破裂が生じ、ごみの発生源となり歩留りを低下させ
るといった問題があった。
【０００９】本発明は、このような従来の半導体装置の
製造方法の問題点を解決するものでその目的とするとこ
ろは、より簡単な方法で半導体基板上に膜厚の一定した
レジスト膜を形成することのできる半導体装置の製造方
法を提供することにある。
製造方法の問題点を解決するものでその目的とするとこ
ろは、より簡単な方法で半導体基板上に膜厚の一定した
レジスト膜を形成することのできる半導体装置の製造方
法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造方法は、半導体基板表面上にレジスト液を塗布する際
に、半導体基板中央部にたいして外周部の温度を低温に
制御しながら半導体基板を回転させ、レジスト液を塗布
することを特徴とする。
造方法は、半導体基板表面上にレジスト液を塗布する際
に、半導体基板中央部にたいして外周部の温度を低温に
制御しながら半導体基板を回転させ、レジスト液を塗布
することを特徴とする。
【００１１】
【実施例】図１は、本発明の実施例における半導体装置
の断面図である。
の断面図である。
【００１２】以下、工程順にしたがって説明する。ま
ず、半導体基板２をコーターカップ４内の中央部と周辺
部と各々独立に温度制御ができるチャッキングテーブル
６上にセットする。このチャッキングテーブル６は、中
央部と周辺部と独立に温度制御できる構造になってお
り、中央部と周辺部は断熱部７により熱的にへだてられ
ている。この時、チャッキングテーブル６中央部の温度
にたいして、周辺部の温度を低温に設定しておく。その
後、レジスト滴下用ノズル１より半導体基板２上にレジ
スト液を滴下し、スピンモーター３により半導体基板２
を回転させ、半導体基板２上に均一なレジスト膜を形成
する。
ず、半導体基板２をコーターカップ４内の中央部と周辺
部と各々独立に温度制御ができるチャッキングテーブル
６上にセットする。このチャッキングテーブル６は、中
央部と周辺部と独立に温度制御できる構造になってお
り、中央部と周辺部は断熱部７により熱的にへだてられ
ている。この時、チャッキングテーブル６中央部の温度
にたいして、周辺部の温度を低温に設定しておく。その
後、レジスト滴下用ノズル１より半導体基板２上にレジ
スト液を滴下し、スピンモーター３により半導体基板２
を回転させ、半導体基板２上に均一なレジスト膜を形成
する。
【００１３】ところで、レジスト膜厚を決める要因とし
ては、レジスト液の粘度、レジスト液滴下後の半導体基
板の回転速度、回転時のレジストからの溶剤の蒸発速度
の３つが考えられる。本実施例においては、チャッキン
グテーブル６周辺部の温度を低温にすることにより、レ
ジスト塗布時の半導体基板外周部が低温状態になり、半
導体基板回転時のレジストからの溶剤の蒸発速度を中央
部に比較して遅くすることができる。溶剤の蒸発速度が
遅ければレジスト膜は薄くなるので、チャッキングテー
ブル６周辺部の温度を制御することにより、半導体基板
外周部のレジスト膜厚を独立に制御することが可能にな
る。すなわち従来の製造方法で半導体基板外周部のみレ
ジスト膜が厚くなるのを、チャッキングテーブル６周辺
部の温度を低温に制御することにより防ぐことができ
る。
ては、レジスト液の粘度、レジスト液滴下後の半導体基
板の回転速度、回転時のレジストからの溶剤の蒸発速度
の３つが考えられる。本実施例においては、チャッキン
グテーブル６周辺部の温度を低温にすることにより、レ
ジスト塗布時の半導体基板外周部が低温状態になり、半
導体基板回転時のレジストからの溶剤の蒸発速度を中央
部に比較して遅くすることができる。溶剤の蒸発速度が
遅ければレジスト膜は薄くなるので、チャッキングテー
ブル６周辺部の温度を制御することにより、半導体基板
外周部のレジスト膜厚を独立に制御することが可能にな
る。すなわち従来の製造方法で半導体基板外周部のみレ
ジスト膜が厚くなるのを、チャッキングテーブル６周辺
部の温度を低温に制御することにより防ぐことができ
る。
【００１４】本発明によれば、レジスト滴下時に半導体
基板２外周部を低温に制御することにより、外周部のみ
レジスト膜があつくなることを防ぐことができ、半導体
基板２全面にて均一なレジスト膜厚をえることが可能に
なる。
基板２外周部を低温に制御することにより、外周部のみ
レジスト膜があつくなることを防ぐことができ、半導体
基板２全面にて均一なレジスト膜厚をえることが可能に
なる。
【００１５】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、半導
体基板外周部でレジスト膜が厚くなるのを、レジスト液
滴下時に半導体基板外周部を低温に制御することにより
防ぐことが可能になり、uvキュアー時のレジスト膜の破
裂を防止でき、歩留りの安定、向上が期待される。
体基板外周部でレジスト膜が厚くなるのを、レジスト液
滴下時に半導体基板外周部を低温に制御することにより
防ぐことが可能になり、uvキュアー時のレジスト膜の破
裂を防止でき、歩留りの安定、向上が期待される。
【図１】本発明による実施例の半導体装置の断面図であ
る。
る。
【図２】従来の半導体装置の断面図である。
１ レジスト滴下用ノズル ２ 半導体基板 ３ スピンモーター ４ コーターカップ ５ 従来のチャッキングテーブル ６ 温調機能付きチャッキングテーブル ７ 断熱部
Claims (1)
- 【請求項１】半導体基板表面上にレジスト液を塗布する
際に、半導体基板中央部に対して外周部の温度を低温に
制御しながら、半導体基板を回転させ、レジスト液を塗
布することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29332391A JPH05136042A (ja) | 1991-11-08 | 1991-11-08 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29332391A JPH05136042A (ja) | 1991-11-08 | 1991-11-08 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05136042A true JPH05136042A (ja) | 1993-06-01 |
Family
ID=17793347
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29332391A Pending JPH05136042A (ja) | 1991-11-08 | 1991-11-08 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05136042A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02152966A (ja) * | 1988-12-05 | 1990-06-12 | Otsuka Pharmaceut Co Ltd | ４−ヒドロキシカルボスチリル誘導体 |
| JPH06163388A (ja) * | 1992-11-18 | 1994-06-10 | Sekisui Finechem Co Ltd | レジスト材の塗布方法 |
| US6506453B2 (en) | 1999-12-15 | 2003-01-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Deposition method, deposition apparatus, and pressure-reduction drying apparatus |
| SG104267A1 (en) * | 2000-03-31 | 2004-06-21 | Tokyo Electron Ltd | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| JP2008132449A (ja) * | 2006-11-29 | 2008-06-12 | Seiko Epson Corp | パターン形成方法、パターン形成装置及び回路基板 |
| JP2011096817A (ja) * | 2009-10-29 | 2011-05-12 | Toppan Printing Co Ltd | 基板加熱装置 |
| JP2018505043A (ja) * | 2015-01-15 | 2018-02-22 | エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー | 基材をコーティングするための方法及び装置 |
-
1991
- 1991-11-08 JP JP29332391A patent/JPH05136042A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02152966A (ja) * | 1988-12-05 | 1990-06-12 | Otsuka Pharmaceut Co Ltd | ４−ヒドロキシカルボスチリル誘導体 |
| JPH06163388A (ja) * | 1992-11-18 | 1994-06-10 | Sekisui Finechem Co Ltd | レジスト材の塗布方法 |
| US6506453B2 (en) | 1999-12-15 | 2003-01-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Deposition method, deposition apparatus, and pressure-reduction drying apparatus |
| US6719844B2 (en) | 1999-12-15 | 2004-04-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Deposition method, deposition apparatus, and pressure-reduction drying apparatus |
| SG104267A1 (en) * | 2000-03-31 | 2004-06-21 | Tokyo Electron Ltd | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| JP2008132449A (ja) * | 2006-11-29 | 2008-06-12 | Seiko Epson Corp | パターン形成方法、パターン形成装置及び回路基板 |
| JP2011096817A (ja) * | 2009-10-29 | 2011-05-12 | Toppan Printing Co Ltd | 基板加熱装置 |
| JP2018505043A (ja) * | 2015-01-15 | 2018-02-22 | エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー | 基材をコーティングするための方法及び装置 |
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