JP3825126B2 - 膜形成装置および膜形成方法 - Google Patents
膜形成装置および膜形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3825126B2 JP3825126B2 JP07154297A JP7154297A JP3825126B2 JP 3825126 B2 JP3825126 B2 JP 3825126B2 JP 07154297 A JP07154297 A JP 07154297A JP 7154297 A JP7154297 A JP 7154297A JP 3825126 B2 JP3825126 B2 JP 3825126B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solution
- semiconductor wafer
- dropping
- film
- film forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハ上に溶液を滴下して膜を形成する膜形成装置および膜形成方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来より、半導体ウエハ上にSOG膜等の膜を形成するにあたり、回転塗布法を採用した膜形成装置が知られている。
図2は、従来の膜形成装置を示す図である。
膜形成装置50は、半導体ウエハを水平に固定する半導体ウエハ固定部11を備えている。この半導体ウエハ固定部11は吸引口(図示せず)を有しており、この吸引口で半導体ウエハを吸引することにより、図2に示すように半導体ウエハ12を水平に固定する。また半導体ウエハ固定部11の下部には垂直に回転軸13が取り付けられており、回転軸13の下部には、この回転軸13を回転させるモータ14が取り付けられている。このモータ14により回転軸13が回転すると、半導体ウエハ固定部11が水平に回転し、半導体ウエハ12が水平に回転する。また、回転塗布装置50は、半導体ウエハ上に滴下される溶液の入った溶液タンク19を有している。この溶液タンク19内の溶液は配管20を流れ溶液吐出部21に送られる。この溶液吐出部21は、配管20とは別のもう一つの配管22につながれており、また、溶液吐出部21は、溶液吐出制御器(図示せず)に接続されている。この溶液吐出制御器は、溶液吐出部21から配管22に溶液を吐出するか否かを表す信号を溶液吐出部21に送るものであり、溶液を吐出する旨を表わす信号が溶液吐出部21に送られると、溶液吐出部21から配管22に溶液が吐出される。配管22に吐出された溶液はこの配管22を流れ、配管22の先端に取りつけられたノズル23から半導体ウエハ12上に滴下される。また半導体ウエハ固定部11の周囲には処理カップ15が設けられている。この処理カップ15の底部には、半導体ウエハ周囲を排気する排気装置(図示せず)につながる排気口16が設けられ、また処理カップ15は、半導体ウエハに滴下される溶液に含まれる溶剤の蒸発により生じる気流を調整する気流調整板17を有しており、この気流調整板17で気流調整を行なうことにより、半導体ウエハ12上に形成される膜の厚さの均一化を図っている。また、処理カップ15の下部には、半導体ウエハ上に溶液を滴下した時に周囲に飛散する溶液を排出する排出口18が設けられている。
【0003】
このように構成された回転塗布装置50を用いて半導体ウエハ上に膜を形成する手順を以下に示す。
先ず、図2に示すように半導体ウエハ固定部11に半導体ウエハ12を固定し、排気装置で半導体ウエハ12の周囲を排気する。
次に、ノズル23から一定量の溶液を半導体ウエハ12上に滴下し、半導体ウエハ固定部11を回転させる。このように半導体ウエハ固定部11を回転させることにより遠心力が発生し、半導体ウエハ12上に溶液の膜が形成される。このように溶液の膜が形成された半導体ウエハを400℃程度の温度で焼成することにより半導体ウエハ12上に膜が形成される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
上述した回転塗布装置50では、半導体ウエハ12に膜厚の薄い膜を形成する場合、ノズル23から滴下される溶液の滴下量を少量にするが、このように、半導体ウエハ上に滴下される溶液の滴下量が少ないと、溶液に含まれる溶剤の量も少ないため、滴下された溶液が膜状に成形される間にほとんどの溶剤が蒸発してしまい、半導体ウエハ上に形成される膜の厚さが膜の部位によってばらつき、均一な厚さを有する膜を形成することは難しいという問題がある。
【0005】
このような問題を解決する方法として特開平5−243140号公報や特開平6−326014号公報では、溶液の滴下に先立って、この溶液に含まれている溶剤と同一の溶剤を半導体ウエハ上に滴下する方法が開示されているが、このように溶剤を滴下すると、半導体ウエハ上に滴下された溶液が局所的に薄まってしまい、半導体ウエハに形成される膜の厚さが膜の部位によってやはりばらついてしまうという問題がある。
【0006】
また、特開平2−122615号公報や特開平3−257920号公報では、半導体ウエハ自体を冷却して半導体ウエハの温度を下げ、半導体ウエハ上に滴下された溶液に含まれる溶剤の蒸発速度を遅くすることにより均一な厚さの膜を形成する方法が開示されているが、冷却された半導体ウエハの温度が半導体ウエハの部位によって異なってしまうため、それぞれの部位によって溶剤の蒸発速度が異なり、均一な膜厚の膜を形成することはやはり難しいという問題がある。
【0007】
また、配線パターンが形成された半導体ウエハ上に溶液を滴下して膜を形成する場合、その配線パターンに疎密の部分があると、半導体ウエハに滴下された溶液は、配線パターンの疎の部分では薄くたまり、配線パターンの密の部分では厚くたまる性質があり、配線パターンの疎密により、やはり膜の厚さがばらつくという問題や、配線間の間隔が狭くなると、配線間に溶液が入り込みにくく、配線間に膜を形成することが難しいという問題もある。
【0008】
このような問題を解決するため、特開平6−170315号公報や特開平7−227568号公報に、回転カップ式の膜形成装置が開示されている。この装置は、内部に半導体ウエハ固定部を有するカップを備えており、このカップは蓋をすることにより内部が密閉され、半導体ウエハ固定部およびカップは、水平に回転する。この回転カップ式の装置は、半導体ウエハ固定部に半導体ウエハを固定した後、蓋をしてカップ内部を密閉し、半導体ウエハ固定部とカップとを回転させることにより、半導体ウエハ上に膜を形成する。この装置を用いると、配線パターンが形成された半導体ウエハに溶液を滴下して膜を形成する場合、この配線パターンが疎密の部分を有するものであっても、均一な厚さを有する膜を形成することができる。
【0009】
ところが、この回転カップ式の装置は、半導体ウエハに滴下できる溶液の種類が限定されてしまうという問題がある。また、回転カップ式の装置は、カップ内の温度等を調整する調整ユニットが必要であり、コストがかかるという問題がある。
本発明は、上記事情に鑑み、製造コストの削減が図られ、かつ均一な厚さの膜が形成され、半導体ウエハ上に、例えば配線間隔の狭い配線パターンを形成することにより半導体ウエハに凹凸の曲面が形成された場合、配線により形成された凹部を埋め込むように膜が形成されるなど、凹部の埋込み性に優れた膜形成装置および膜形成方法を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成する本発明の膜形成装置は、
半導体ウエハ上に溶液を滴下して膜を形成する膜形成装置において、
(1)半導体ウエハを水平に固定する半導体ウエハ固定部
(2)この半導体ウエハ固定部を水平に回転させる回転手段
(3)所定の温度を有する溶液を、上記半導体ウエハ固定部に固定された半導体ウエハ上に滴下する第1の溶液滴下手段
(4)上記溶液と同一の溶液であって、かつ上記所定の温度よりも高い温度を有する溶液を、前記半導体ウエハ上に滴下する第2の溶液滴下手段
(5)上記半導体ウエハに上記第1の溶液滴下手段による溶液の滴下が終了した後に、上記第2の溶液滴下手段による溶液の滴下が開始されるように、溶液の滴下順序を制御する溶液滴下制御器
を備えたことを特徴とする。
【0011】
第1の溶液滴下手段により滴下される溶液は、この溶液の温度が第2の溶液滴下手段により滴下される溶液の温度よりも低いため、第2の溶液滴下手段により滴下される溶液と比較して、溶液中の溶剤は蒸発しにくい。従って、第1の溶液滴下手段により滴下される溶液の温度を低く設定することにより、粘性の低い溶液を滴下することができる。本発明の膜形成装置は、溶液滴下制御器により、初めに第1の溶液滴下手段により溶液を滴下するため、例えば配線間隔の狭い配線パターンが形成された半導体ウエハに溶液を滴下する場合、第1の溶液滴下手段により滴下される溶液の温度を低い温度に設定することにより、この半導体基板上には粘性の低い溶液が滴下される。従って、この溶液は配線間に入り込みやすく、半導体ウエハを回転させることにより、この粘性の低い溶液は配線間を埋め込むように膜状に成形される。この膜状に成形された溶液が十分溶剤を含んでいる間に第2の溶液滴下手段により溶液を滴下すると、この溶液は、膜状に成形された溶液中に含まれる溶剤により、膜状に広がりやすい。従って、均一の厚さを有し、配線間を埋込むような膜が形成される。
【0012】
また、本発明の膜形成装置は、半導体ウエハ周囲の温度等を調整する調整ユニットは不要であり、コストの削減が図られる。
ここで本発明の膜形成装置が備える第1の溶液滴下手段および第2の溶液滴下手段により滴下される溶液が、いずれも、レジスト溶液、SOG溶液、およびポリイミド溶液のうちのいずれかの溶液であると、半導体ウエハ上にレジスト膜、SOG膜、およびポリイミド膜のうちのいずれかの膜を均一な厚さを有するように形成することができる。
【0013】
また、上記目的を達成する本発明の膜形成装置は、
(1)半導体ウエハ上に溶液を滴下して膜を形成する膜形成方法において、半導体ウエハを水平に保持して水平に回転させ、かつ所定の温度を有する溶液を滴下する第1の工程
(2)上記第1の工程が終了した後、上記半導体ウエハを水平に保持して水平に回転させたまま、上記溶液と同一の溶液であって、かつ上記所定の温度よりも高い温度を有する溶液を滴下する第2の工程
を備えたことを特徴とする。
【0014】
ここで、本発明の膜形成方法の第1の工程および第2の工程が、いずれもレジスト溶液、SOG溶液、およびポリイミド溶液のうちいずれかの溶液を滴下する工程であってもよい。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について説明する。
図1は、本発明の膜形成装置の一実施形態を示す図である。
図2に示す膜形成装置50と同一の構成要素には同一番号を付して示し、膜形成装置50との相違点のみについて説明する。
【0016】
図1に示す膜形成装置10を構成する溶液タンク24には10℃の温度に保温されているSOG溶液が入っている。この溶液タンク24は10℃の温度に保温された配管25,26とつながっており、溶液タンク24内の溶液は、配管25,26を流れる。この配管25,26を流れる溶液は、それぞれ溶液吐出部27,28に送られる。この溶液吐出部27,28は、それぞれ配管29,30につながれており、溶液吐出部27,28は、いずれも溶液吐出制御器(図示せず)に接続されている。この溶液吐出制御器は、溶液吐出部27から配管29に溶液を吐出するか否かを表わす信号を溶液吐出部27に送り、また、溶液吐出部28から配管30に溶液を吐出するか否かを表わす信号を溶液吐出部28に送るものであり、溶液を吐出する旨を表わす信号が溶液吐出部27,28に送られると、配管29,30に溶液が吐出される。
【0017】
配管29,30は、それぞれ温度10℃、23℃に保温されており、配管29,30を流れる溶液は、この配管29の先端に取り付けられたノズル31に到達し、このノズル31からは温度10℃の溶液が滴下される。一方、配管30を流れる溶液は、この配管30の先端に取り付けられたノズル32に到達するまでに温度23℃の溶液となり、ノズル32からは温度23℃の溶液が滴下される。また、この膜形成装置10は、ノズル31から溶液が滴下されて、この溶液が膜状に成形された後に、ノズル32から滴液が滴下されるように、溶液の滴下順序を制御する制御器(図示せず)を備えている。
【0018】
このように構成された回転塗布装置10を用いて、半導体ウエハ上にSOG膜を形成する際の手順を以下に説明する。
先ず、図1に示すように半導体ウエハ固定部11に半導体ウエハ12を固定し、排気装置で半導体ウエハ12の周囲を排気する。
次に、半導体ウエハ12上にノズル31からSOG溶液を滴下し、モータ14で半導体ウエハ固定部11を2000rpmで回転させて、半導体ウエハ12上に溶液の膜を形成する。
【0019】
次に、半導体ウエハ固定部11を2000rpmで回転させたまま、上記の溶液の膜が乾燥する前にノズル32から上記の溶液の膜にSOG溶液を滴下し、溶液の膜を形成する。このように、異なる温度の溶液を滴下して半導体ウエハ上に溶液の膜を形成する。
次に、このようにして形成された溶液の膜を乾燥させて窒素雰囲気中で温度80℃、150℃、250℃の順に、それぞれの温度で60秒間ベーキングを行なった後に、さらに温度400℃で1時間焼成する。
【0020】
このようにして半導体ウエハ上にSOG膜が形成される。
この膜形成装置10では、先ずノズル31から温度10℃の溶液が滴下されるため、例えば配線パターンが形成された半導体ウエハにSOG膜を形成する場合、その配線パターンの配線間隔は狭くても、最初にノズル31から滴下された溶液は粘度が低いため配線間に容易に入り込む。また、ノズル31から溶液が滴下されて形成された溶液の膜が乾燥する前に、ノズル32から溶液が滴下されるため、ノズル32から滴下された溶液は膜状に広がりやすく、均一の厚さを有し、埋込み性に優れたSOG膜が形成される。
【0021】
また、この膜形成装置10は、従来の技術の欄で説明した回転カップ式の膜形成装置と比較して、半導体ウエハの周囲の温度等を調整する調整ユニットは不要であり、コストの削減が図られる。
尚、本実施形態では、SOG膜を形成する手順について述べたが、SOG膜の代わりに、例えばポリイミド膜を形成する場合であっても、上述した手順により、平坦性の優れたポリイミド膜を形成することができる。
【0022】
また、本実施形態では、ノズル31,32から滴下される溶液の温度は、それぞれ10℃、23℃であるが、ノズル31から滴下される溶液の温度は、この溶液が配線間に入り込む程度に低い粘度を有するのであれば何℃でもよく、また、ノズル32から滴下される溶液の温度は、ノズル31から滴下される溶液の温度よりも高い温度であって、ノズル32から滴下される溶液が配線を覆うように成膜される程度に高い粘度を有するのであれば何℃でもよい。
【0023】
また、本実施形態では、半導体ウエハを2000rpmで回転させているが、半導体ウエハの回転数は、半導体ウエハ上に滴下された溶液が膜状に成形されるのであれば、何回転数でもよく、また、本実施形態では、ノズル31から溶液を滴下した後、半導体ウエハを回転させて膜を形成しているが、先に半導体ウエハを回転させて、その後ノズル31から溶液を滴下してもよい。
【0024】
また、本実施形態では、溶液を滴下するノズルは2つであるが、ノズルは3つ以上備えていてもよく、このように、3つ以上のノズルを備え、それぞれのノズルから滴下される溶液の温度を異なる温度にすることにより、半導体ウエハの表面の凹凸が更に複雑であっても、均一の厚さを有する膜を形成することができる。
【0025】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の膜形成装置および膜形成方法によれば、均一な厚さを有し、かつ凹部を埋め込む状態に膜が形成される。また膜を形成する際にかかるコストを削減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の膜形成装置を示す図である。
【図2】従来の膜形成装置を示す図である。
【符号の説明】
10 膜形成装置
11 半導体ウエハ固定部
12 半導体ウエハ
13 回転軸
14 モータ
15 処理カップ
16 排気口
17 気流調整板
18 排出口
24 溶液タンク
25,26,29,30 配管
27,28 溶液吐出部
31,32 ノズル
Claims (4)
- 半導体ウエハ上に溶液を滴下して膜を形成する膜形成装置において、
半導体ウエハを水平に固定する半導体ウエハ固定部と、
該半導体ウエハ固定部を水平に回転させる回転手段と、
所定の温度を有する溶液を、前記半導体ウエハ固定部に固定された半導体ウエハ上に滴下する第1の溶液滴下手段と、
前記溶液と同一の溶液であって、かつ前記所定の温度よりも高い温度を有する溶液を、前記半導体ウエハ上に滴下する第2の溶液滴下手段と、
前記半導体ウエハに上記第1の溶液滴下手段による溶液の滴下が終了した後に、前記第2の溶液滴下手段による溶液の滴下が開始されるように、溶液の滴下順序を制御する溶液滴下制御器とを備えたことを特徴とする膜形成装置。 - 前記第1の溶液滴下手段および第2の溶液滴下手段により滴下される溶液が、いずれも、レジスト溶液、SOG溶液、およびポリイミド溶液のうちのいずれかの溶液であることを特徴とする請求項1記載の膜形成装置。
- 半導体ウエハ上に溶液を滴下して膜を形成する膜形成方法において、
半導体ウエハを水平に保持して水平に回転させ、かつ所定の温度を有する溶液を滴下する第1の工程と、
前記第1の工程が終了した後、前記半導体ウエハを水平に保持して水平に回転させたまま、前記溶液と同一の溶液であって、かつ前記所定の温度よりも高い温度を有する溶液を滴下する第2の工程とを備えたことを特徴とする膜形成方法。 - 前記第1の工程および第2の工程が、いずれも、レジスト溶液、SOG溶液、およびポリイミド溶液のうちいずれかの溶液を滴下する工程であることとを特徴とする請求項3記載の膜形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP07154297A JP3825126B2 (ja) | 1997-03-25 | 1997-03-25 | 膜形成装置および膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP07154297A JP3825126B2 (ja) | 1997-03-25 | 1997-03-25 | 膜形成装置および膜形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10263455A JPH10263455A (ja) | 1998-10-06 |
JP3825126B2 true JP3825126B2 (ja) | 2006-09-20 |
Family
ID=13463743
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP07154297A Expired - Fee Related JP3825126B2 (ja) | 1997-03-25 | 1997-03-25 | 膜形成装置および膜形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3825126B2 (ja) |
-
1997
- 1997-03-25 JP JP07154297A patent/JP3825126B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH10263455A (ja) | 1998-10-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5985363A (en) | Method of providing uniform photoresist coatings for tight control of image dimensions | |
JP3792986B2 (ja) | 膜形成方法及び膜形成装置 | |
US5371046A (en) | Method to solve sog non-uniformity in the VLSI process | |
JP3825126B2 (ja) | 膜形成装置および膜形成方法 | |
JP2007275697A (ja) | スピンコート装置およびスピンコート方法 | |
JP3029767B2 (ja) | 薄膜形成装置 | |
JPH08264412A (ja) | 半導体装置製造工程における塗布液の塗布方法 | |
JP2000119874A (ja) | 基板処理装置 | |
JP3273754B2 (ja) | 塗布膜形成装置 | |
US5763329A (en) | Method for making semiconductor device by coating an SOG film in amine gas atmosphere | |
JPH10261579A (ja) | レジスト塗布装置及びレジスト塗布方法 | |
JPH1197437A (ja) | 半導体装置の製造方法および製造装置 | |
JP2975140B2 (ja) | 回転処理装置 | |
JP3554381B2 (ja) | 塗布膜の形成方法および回転塗布装置 | |
JP2901211B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH09134909A (ja) | 薄膜形成用回転塗布装置、半導体装置、及び薄膜の形成方法 | |
KR100297152B1 (ko) | 반도체장치의제조방법및그제조방법에사용되는장치 | |
JP2736769B2 (ja) | 塗布装置 | |
KR100807048B1 (ko) | 에스오지막 형성 방법 | |
JPH08330206A (ja) | フォトレジスト塗布方法、およびそれを用いた半導体集積回路装置の製造方法、ならびにフォトレジスト塗布装置 | |
KR100366367B1 (ko) | 감광액 도포장치 및 이를 이용한 감광막 형성 방법 | |
JP3225220B2 (ja) | 塗布膜形成方法 | |
JP4073309B2 (ja) | レジスト膜の形成方法 | |
JPH05259062A (ja) | 半導体基板のスピンコーティング方法 | |
JP2527682Y2 (ja) | 回転塗布装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040323 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060619 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060627 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060629 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090707 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100707 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110707 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110707 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120707 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |