JPH08330206A

JPH08330206A - フォトレジスト塗布方法、およびそれを用いた半導体集積回路装置の製造方法、ならびにフォトレジスト塗布装置

Info

Publication number: JPH08330206A
Application number: JP13041295A
Authority: JP
Inventors: Takashi Yamagami; 孝山上; Shoji Kanai; 昭司金井; Yoichiro Tamiya; 洋一郎田宮; Shinya Okane; 信哉大金; Masashige Harashima; 正成原島; Masahiro Ishiuchi; 正宏石内; Masayoshi Kanematsu; 雅義兼松; Keizo Kuroiwa; 慶造黒岩
Original assignee: Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd; Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd; Renesas Eastern Japan Semiconductor Inc
Priority date: 1995-05-29
Filing date: 1995-05-29
Publication date: 1996-12-13
Anticipated expiration: 2019-09-22
Also published as: JP3567195B2

Abstract

(57)【要約】【目的】高回転でフォトレジストを滴下してフォトレ
ジストの使用量を低減するとともに、基板（ウェハ）上
へのフォトレジストの成膜において高精度の面内膜厚精
度を得ることができるフォトレジスト塗布技術を提供す
る。【構成】ウェハ上にフォトレジストを滴下し、このウ
ェハを回転させることにより所定の膜厚にフォトレジス
トを成膜する塗布装置であって、フォトレジストをウェ
ハ上に回転塗布する際に、ウェハをフォトレジストの成
膜回転数ＲＬより高い回転数ＲＨで回転させながらフォ
トレジストを滴下してウェハの全面に広げた後、ウェハ
の回転数を減速して乱流発生回転数ＲＲより低い所定の
膜厚になる成膜回転数ＲＬでフォトレジストの成膜を行
うようにウェハ回転数を制御する塗布方法となってい
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路の製造
工程などで使用されるフォトリソグラフィ技術に関し、
特に半導体ウェハなどの基板にフォトレジストを少量で
塗布する場合に好適なフォトレジスト塗布方法、および
それを用いた半導体集積回路装置の製造方法、ならびに
フォトレジスト塗布装置に適用して有効な技術に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】たとえば、発明者が検討した技術とし
て、通常、フォトレジストをウェハに塗布する場合、基
板を回転させることにより成膜を行うスピン塗布方法と
呼ばれる方法が実用化されている。このスピン塗布方法
は、たとえばＳｉｌｉｃｏｎＰｒｏｃｅｓｓｉｎｇ
ｆｏｒｔｈｅＶＬＳＩＥｒａ（１９８６）Ｐ
４３０〜Ｐ４３２などに記載されている。

【０００３】このスピン塗布方法では、ウェハを５００
０ｒｐｍ程度まで回転可能なスピンナにウェハを真空吸
着保持させて、このウェハを静止またはウェハ上に形成
される所定のフォトレジスト膜厚になる成膜回転数以下
で回転させながら、フォトレジストを滴下し、その後、
前記成膜回転数まで回転数を上昇させて回転させ続けて
フォトレジストを引き延ばし、その回転数で飽和される
所定の膜厚を得ている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところが、前記のよう
なスピン塗布方法においては、たとえば８インチ対応の
直径がφ２００ウェハなどの大口径ウェハでは、この成
膜回転を４０００ｒｐｍ程度以上などの高回転で行うと
ウェハの外周部に空気の乱流が発生し、塗布の膜厚精度
が悪化するという不具合が生じている。

【０００５】このため、フォトレジストの粘度を低くし
て、４０００ｒｐｍ程度以下などの低回転で塗布成膜を
行う場合、レジスト滴下回転数も低回転化させるために
滴下レジストのウェハ全体への広がり時間が増加し、成
膜に必要なレジスト量が増加するという問題が考えられ
る。

【０００６】そこで、本発明の目的は、高回転でフォト
レジストを滴下してフォトレジストの使用量を低減する
とともに、基板上へのフォトレジストの成膜において高
精度の面内膜厚精度を得ることができるフォトレジスト
塗布方法、およびそれを用いた半導体集積回路装置の製
造方法、ならびにフォトレジスト塗布装置を提供するこ
とにある。

【０００７】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【０００９】すなわち、本発明のフォトレジスト塗布方
法は、基板上にフォトレジストを滴下し、この基板を回
転させることによりフォトレジストによる塗布膜を所定
の膜厚に成膜する塗布方法に適用されるものであり、前
記フォトレジストを基板上に回転塗布する際に、基板を
フォトレジストの成膜回転数より高い回転数で回転させ
ながらフォトレジストを滴下して基板の全面に広げた
後、基板の回転数を減速して所定の膜厚になる成膜回転
数でフォトレジストの成膜を行うものである。

【００１０】この場合に、前記フォトレジストを滴下す
る際、基板を成膜回転数以上の回転数に加速中にフォト
レジストを滴下し、このフォトレジストの滴下終了直後
に成膜回転数に減速したり、予め基板を成膜回転数以上
の回転数に回転させた後、この成膜回転数以上の回転数
から減速中にフォトレジストを滴下し、そのまま成膜回
転数に減速したり、または成膜回転数以上で回転してい
る基板にフォトレジストを滴下し、そのまま成膜回転数
以上で回転しながら所定の膜厚になった時点で基板の回
転を停止して所定の膜厚を得るようにしたものである。

【００１１】さらに、前記基板上にフォトレジストを滴
下した後、このフォトレジストの塗布膜の形成を塗布確
認手段によって確認した直後に回転数を減速して所定の
膜厚になる回転数で成膜を行うようにしたものである。

【００１２】また、本発明の半導体集積回路装置の製造
方法は、前記基板を半導体ウェハとし、この半導体ウェ
ハ上にフォトレジストによる塗布膜を成膜した後、露
光、現像などのフォトリソグラフィ工程を行い、さらに
以降の半導体集積回路の製造工程を経て半導体集積回路
装置を形成するものである。

【００１３】さらに、本発明のフォトレジスト塗布装置
は、フォトレジストを基板の回転数に対応させて所定の
タイミングで滴下する滴下制御手段と、基板をフォトレ
ジストの滴下に対応させて所定の回転数で回転させる回
転制御手段とを有するものである。

【００１４】この場合に、前記基板の外周部近傍にフォ
トレジストの塗布確認手段を設け、滴下制御手段によっ
てフォトレジストを滴下した後、塗布確認手段がフォト
レジストの塗布膜を確認した直後に回転制御手段によっ
て回転数を減速して所定の膜厚になる回転数で成膜を行
うようにしたものである。

【００１５】

【作用】前記したフォトレジスト塗布方法、およびそれ
を用いた半導体集積回路装置の製造方法、ならびにフォ
トレジスト塗布装置によれば、フォトレジストを滴下
し、基板の全面に広げるまでを成膜回転数、すなわちそ
の回転数で所定の膜厚に飽和される回転数以上の高回転
で行い、滴下終了後すぐに成膜回転数まで落として成膜
を行うことにより、レジストの滴下および基板全面へ広
げる時は、基板を高速で回転させているために少量のフ
ォトレジストで基板全面にフォトレジストによる塗布膜
を形成することができる。

【００１６】また、基板全面にフォトレジストが広がる
場合に、所定の膜厚に達する前に成膜回転数まで減速す
るため、高速回転でフォトレジストを滴下しながら成膜
回転数で所定の厚膜を得ることができる。

【００１７】さらに、成膜回転数による塗布膜の成膜時
は、基板の回転が低速のために空気の乱流による影響を
受けず、これによって基板上へのフォトレジストの成膜
において面内膜厚の悪化を防止することができる。

【００１８】特に、塗布膜厚精度に悪影響を及ぼす乱流
発生回転数、すなわち成膜回転数より高い回転数で基板
を回転させている時間を短くすることで、より一層、膜
厚精度を向上させることができる。

【００１９】この場合に、基板の外周部近傍にフォトレ
ジストの塗布確認手段が設けられることにより、塗布確
認手段によって基板上にフォトレジストが広がったこと
を確認した後に成膜回転数まで減速できるので、フォト
レジストの滴下時間、滴下量などの変動に対しても安定
させて成膜を行うことができる。

【００２０】これにより、基板、特に半導体ウェハ上に
フォトレジストによる塗布膜を成膜する場合などにおい
て、フォトレジストの使用量を低減するとともに、成膜
時におけるフォトレジストの高精度な面内膜厚精度を得
ることができる。

【００２１】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。

【００２２】（実施例１）図１は本発明の実施例１であ
るフォトレジスト塗布装置の処理部におけるウェハ周辺
を示す正面図、図２は本実施例のフォトレジスト塗布装
置の処理部において、ウェハ回転数の経時シーケンスを
示すタイミング図である。

【００２３】まず、図１により本実施例のフォトレジス
ト塗布装置の処理部の構成を説明する。

【００２４】本実施例のフォトレジスト塗布装置は、た
とえば半導体ウェハ上にフォトレジストを滴下し、この
半導体ウェハを回転させることによりフォトレジストに
よる塗布膜を所定の膜厚に成膜する塗布装置とされ、こ
の塗布装置の塗布処理部１は、ウェハ２（基板）を所定
の回転数で回転可能に保持するためのスピンチャック３
と、ウェハ２の上方に配置され、このウェハ２上にフォ
トレジスト４を滴下するための吐出ノズル５などから構
成されている。

【００２５】このスピンチャック３にはスピンモータ６
が連結され、さらにこのスピンモータ６は回転制御部７
（回転制御手段）に接続されており、この回転制御部７
によってウェハ２へのフォトレジスト４の滴下に対応さ
せてスピンモータ６、さらにこのスピンモータ６に連結
されたスピンチャック３に真空吸着保持されるウェハ２
が所定の回転数で回転されるように制御されている。

【００２６】また、吐出ノズル５は滴下制御部８（滴下
制御手段）に接続され、この滴下制御部８によってウェ
ハ２の回転数に対応させてフォトレジスト４が所定のタ
イミングで滴下されるように制御されている。

【００２７】次に、本実施例の作用について、図２に示
すウェハ回転数の経時シーケンスに基づいて、実際にウ
ェハ２上にフォトレジスト４による塗布膜を成膜する場
合の塗布方法を説明する。

【００２８】この図２は、経過時間［ｓｅｃ］に対する
スピンナ回転数［ｒｐｍ］を表しており、経過時間およ
びスピンナ回転数の目盛りはこれに限定されるものでは
なく、一例としてφ２００ウェハの場合を例にして示し
ている。なお、スピンナとはスピンチャック３、スピン
モータ６などを含めた総称である。

【００２９】また、ここに示す各回転数において、レジ
スト滴下回転数は少ない量でフォトレジスト４が広がり
易い回転数、乱流発生回転数は空気の乱流が発生する回
転数、成膜回転数は所定の膜厚に飽和される回転数がそ
れぞれ設定されている。

【００３０】まず、スピンチャック３に吸着保持された
ウェハ２を、スピンモータ６によりレジスト滴下回転数
ＲＨ、たとえば７０００ｒｐｍ程度で回転させる。この
レジスト滴下回転数ＲＨまでには、たとえば1.０ｓｅｃ
程度の時間が必要である。この回転したウェハ２にレジ
スト滴下時間Ｔａ、たとえば0.５ｓｅｃ程度の間だけフ
ォトレジスト４を滴下する。

【００３１】このフォトレジスト４の滴下終了後、ウェ
ハ２の全面にフォトレジスト４が広がるまでの時間Ｔ
ｂ、たとえば0.５ｓｅｃ程度の間、ウェハ２をレジスト
滴下回転数ＲＨの回転数のまま維持する。その後、乱流
発生回転数ＲＲ、たとえば４０００ｒｐｍ程度以下の成
膜回転数ＲＬ、たとえば３０００ｒｐｍ程度まで減速
し、その回転数で膜厚が変化しなくなるまで回転させて
成膜する。この減速による成膜回転数ＲＬまでには、た
とえば0.４ｓｅｃ程度の時間が必要である。

【００３２】なお、この経時シーケンスのなかで、ウェ
ハ２の全面にフォトレジスト４が広がるまでの時間Ｔｂ
が終了した後、乱流発生回転数ＲＲ以下までの減速する
時間をＴｃとすると、この減速するまでの時間Ｔｃは極
力短くすることが膜厚精度を得る上で有効であり、ここ
ではたとえば0.３ｓｅｃ程度となっている。

【００３３】従って、本実施例のフォトレジスト塗布装
置における塗布方法によれば、フォトレジスト４を滴下
する時、さらにウェハ２の全面にフォトレジスト４を広
げる時はウェハ２を高速で回転させているため、少量の
フォトレジスト４でウェハ２の全面に塗布膜を形成する
ことができる。

【００３４】また、ウェハ２の全面にフォトレジスト４
が広がるが、所定の膜厚に達する前に成膜回転数ＲＬま
で減速するため、高速回転でフォトレジスト４を滴下し
ながら所定の厚膜を得ることができる。

【００３５】さらに、成膜時はウェハ２の回転が低速の
ため、乱流の影響を受けずに面内膜厚の悪化が防止され
る。

【００３６】（実施例２）図３は本発明の実施例２であ
るフォトレジスト塗布装置の処理部において、ウェハ回
転数の経時シーケンスを示すタイミング図である。

【００３７】本実施例のフォトレジスト塗布装置は、前
記実施例１と同様にウェハ２（基板）上にフォトレジス
ト４を滴下し、このウェハ２を回転させることによりフ
ォトレジスト４による塗布膜を所定の膜厚に成膜する塗
布装置とされ、この塗布方法における実施例１との相違
点は、乱流発生回転数ＲＲ以上の回転数ＲＨに加速中に
フォトレジスト４を滴下する点である。

【００３８】すなわち、図３に示すように、ウェハ２を
回転数ＲＨの７０００ｒｐｍ程度まで増速する途中、た
とえば３０００ｒｐｍ程度の回転数でフォトレジスト４
を滴下し始め、レジスト滴下時間Ｔａ、たとえば回転数
ＲＨに達する0.５ｓｅｃ程度の間だけフォトレジスト４
を滴下する。

【００３９】このフォトレジスト４の滴下終了直後に、
成膜回転数ＲＬの３０００ｒｐｍ程度まで減速し、その
回転数で膜厚が変化しなくなるまで回転させて成膜する
ようにしたものである。この減速による成膜回転数ＲＬ
までには、たとえば0.４ｓｅｃ程度の時間が必要であ
る。

【００４０】なお、この経時シーケンスのなかで、フォ
トレジスト４が滴下し始めてウェハ２が乱流発生回転数
ＲＲ以上の回転数で回転されている時間をＴｒとする
と、この時間Ｔｒを極力短くすることが膜厚精度を得る
上で有効であり、ここではたとえば0.７５ｓｅｃ程度と
なっている。

【００４１】従って、本実施例のフォトレジスト塗布装
置における塗布方法によれば、前記実施例１と同様に、
少量のフォトレジスト４でウェハ２の全面に塗布膜が形
成でき、高速回転でフォトレジスト４を滴下しながら所
定の厚膜が得られ、かつ乱流の影響を受けずに面内膜厚
の悪化が防止できるという効果を得られるとともに、塗
布膜厚精度に悪影響を及ぼす乱流発生回転数ＲＲ以上で
ウェハ２を回転させている時間Ｔｒを短くすることで、
より一層膜厚精度を向上させることができる。

【００４２】（実施例３）図４は本発明の実施例３であ
るフォトレジスト塗布装置の処理部において、ウェハ回
転数の経時シーケンスを示すタイミング図である。

【００４３】本実施例のフォトレジスト塗布装置は、前
記実施例１および２と同様にウェハ２（基板）上にフォ
トレジスト４を滴下し、このウェハ２を回転させること
によりフォトレジスト４による塗布膜を所定の膜厚に成
膜する塗布装置とされ、この塗布方法における前記実施
例１および２との相違点は、乱流発生回転数ＲＲ以上の
回転数ＲＨから減速中にフォトレジスト４を滴下する点
である。

【００４４】すなわち、図４に示すように、ウェハ２を
回転数ＲＨの７０００ｒｐｍ程度で回転させた後、この
回転数ＲＨからの減速開始からフォトレジスト４を滴下
し始め、レジスト滴下時間Ｔａ、たとえば成膜回転数Ｒ
Ｌの３０００ｒｐｍ程度に達する0.５ｓｅｃ程度の間だ
けフォトレジスト４を滴下する。この成膜回転数ＲＬで
膜厚が変化しなくなるまで回転させて成膜するようにし
たものである。

【００４５】なお、この経時シーケンスのなかで、フォ
トレジスト４が滴下し始めてウェハ２が乱流発生回転数
ＲＲ以上の回転数で回転されている時間をＴｒとする
と、この時間Ｔｒを極力短くすることが膜厚精度を得る
上で有効であり、ここではたとえば0.４ｓｅｃ程度とな
っている。

【００４６】従って、本実施例のフォトレジスト塗布装
置における塗布方法によれば、前記実施例１および２と
同様に、少量のフォトレジスト４でウェハ２の全面に塗
布膜が形成でき、高速回転でフォトレジスト４を滴下し
ながら所定の厚膜が得られ、かつ乱流の影響を受けずに
面内膜厚の悪化が防止できるという効果を得られるとと
もに、滴下中に常時高速の回転数ＲＨになっていないた
め、フォトレジスト４の滴下量は前記実施例１よりやや
増加するものの、塗布膜厚精度に悪影響を及ぼす乱流発
生回転数ＲＲ以上にウェハ２を回転させている時間Ｔｒ
を前記実施例２に比べてさらに短くすることができるの
で、より一層膜厚精度を向上させることができる。

【００４７】（実施例４）図５は本発明の実施例４であ
るフォトレジスト塗布装置の処理部において、ウェハ回
転数の経時シーケンスを示すタイミング図である。

【００４８】本実施例のフォトレジスト塗布装置は、前
記実施例１〜３と同様にウェハ２（基板）上にフォトレ
ジスト４を滴下し、このウェハ２を回転させることによ
りフォトレジスト４による塗布膜を所定の膜厚に成膜す
る塗布装置とされ、この塗布方法における前記実施例１
〜３との相違点は、成膜回転数ＲＬ以上の回転数ＲＨで
ウェハ２を回転させながらフォトレジスト４を滴下し、
所定の膜厚になる時間Ｔｘで回転を停止させる点であ
る。

【００４９】すなわち、図５に示すように、ウェハ２を
回転数ＲＨの７０００ｒｐｍ程度で回転させている途中
で、この回転数ＲＨに達した時間からレジスト滴下時間
Ｔａ、たとえば0.５ｓｅｃ程度の間だけフォトレジスト
４を滴下する。その後、この回転数ＲＨの状態で、所定
の膜厚になる時間Ｔｘ、たとえば1.５ｓｅｃ程度の時間
経過した後にウェハ２の回転を停止させて成膜するよう
にしたものである。

【００５０】従って、本実施例のフォトレジスト塗布装
置における塗布方法によれば、前記実施例１〜３のよう
に成膜時はウェハ２の回転が低速でないために乱流の影
響による面内膜厚の悪化防止が期待できないものの、使
用するレジスト量を低減して少量のフォトレジスト４で
ウェハ２の全面に塗布膜が形成でき、かつ高速回転でフ
ォトレジスト４を滴下しながら所定の厚膜を得ることが
できる。

【００５１】（実施例５）図６は本発明の実施例５であ
るフォトレジスト塗布装置の処理部におけるウェハ周辺
を示す正面図である。

【００５２】本実施例のフォトレジスト塗布装置は、前
記実施例１〜４と同様にウェハ２（基板）上にフォトレ
ジスト４を滴下し、このウェハ２を回転させることによ
りフォトレジスト４による塗布膜を所定の膜厚に成膜す
る塗布装置とされ、この塗布方法における前記実施例１
〜４との相違点は、ウェハ２の外周部近傍に塗布膜の形
成を確認するセンサ９（塗布確認手段）を設ける点であ
る。

【００５３】すなわち、本実施例のフォトレジスト塗布
装置の塗布処理部１ａは、図６に示すように、ウェハ２
の外周部の上方にセンサ９が設置され、このセンサ９で
ウェハ２上にフォトレジスト４が広がったことを検知
し、この検知信号でウェハ２の回転を成膜回転数ＲＬま
で減速し、この回転数で膜厚が変化しなくなるまで回転
させて成膜するようにしたものである。

【００５４】従って、本実施例のフォトレジスト塗布装
置における塗布方法によれば、前記実施例１〜４と同様
に、少量のフォトレジスト４でウェハ２の全面に塗布膜
が形成でき、高速回転でフォトレジスト４を滴下しなが
ら所定の厚膜が得られ、かつ乱流の影響を受けずに面内
膜厚の悪化が防止できるという効果を得られるととも
に、フォトレジスト４の滴下時間Ｔａ、滴下量などの変
動によっても安定して前記のような効果を得ることがで
き、また常に乱流発生回転数ＲＲより高回転である時間
Ｔｒを最短時間にすることができる。

【００５５】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例１〜５に基づき具体的に説明したが、本発明は前記
実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しな
い範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

【００５６】たとえば、前記実施例のフォトレジスト塗
布装置については、一例として８インチ対応のφ２００
ウェハに適用した場合について説明したが、本発明は前
記実施例に限定されるものではなく、φ２００以下の６
インチ対応のφ１５０ウェハなど、またこれからの大口
径化に伴うφ２００以上のウェハなどについても広く適
用可能である。

【００５７】また、この場合の各回転数についても、レ
ジスト滴下回転数ＲＨを７０００ｒｐｍ、乱流発生回転
数ＲＲを４０００ｒｐｍ、成膜回転数ＲＬを３０００ｒ
ｐｍに設定する場合に限られず、ウェハ径に対応して種
々の変形が可能であることはいうまでもない。

【００５８】以上の説明では、主として本発明者によっ
てなされた発明をその利用分野である半導体製造におけ
るフォトレジストの塗布技術に適用した場合について説
明したが、これに限定されるものではなく、ＳＯＧ、Ｐ
ＩＱなどの各種絶縁膜のスピン塗布方法や、半導体ウェ
ハ以外の液晶表示装置基板や半導体集積回路のパターン
露光に用いるマスクの製造などについても広く適用可能
である。

【００５９】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００６０】(1).基板をフォトレジストの成膜回転数よ
り高い回転数で回転させながらフォトレジストを滴下し
て基板の全面に広げた後、基板の回転数を減速して所定
の膜厚になる成膜回転数でフォトレジストの成膜を行う
ことにより、フォトレジストの滴下および基板全面へ広
げる時は基板を高速で回転させることができるので、少
量のフォトレジストで基板全面にフォトレジストによる
塗布膜の形成が可能となる。

【００６１】(2).基板全面にフォトレジストが広がる場
合に、所定の膜厚に達する前に成膜回転数まで減速する
ことができるので、高速回転でフォトレジストを滴下し
ながら成膜回転数で所定の厚膜を得ることが可能とな
る。

【００６２】(3).成膜回転数による塗布膜の成膜時は基
板の回転を低速にすることができるので、空気の乱流に
よる影響を受けずに、基板上へのフォトレジストの成膜
において面内膜厚の悪化防止が可能となる。

【００６３】(4).塗布膜厚精度に悪影響を及ぼす成膜回
転数より高い回転数で基板を回転させている時間を短く
することができるので、より一層、膜厚精度の向上が可
能となる。

【００６４】(5).基板の外周部近傍にフォトレジストの
塗布確認手段を設けることにより、この塗布確認手段に
よって基板上にフォトレジストが広がったことを確認し
た後に成膜回転数まで減速することができるので、フォ
トレジストの滴下時間、滴下量などの変動に対しても安
定した成膜が可能となる。

【００６５】(6).半導体ウェハ、さらにマスク用基板、
液晶表示装置基板などへのフォトレジスト塗布におい
て、高回転でフォトレジストを滴下してフォトレジスト
使用量を低減するとともに、高精度な面内膜厚精度を得
ることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１であるフォトレジスト塗布装
置の処理部におけるウェハ周辺を示す正面図である。

【図２】実施例１のフォトレジスト塗布装置の処理部に
おいて、ウェハ回転数の経時シーケンスを示すタイミン
グ図である。

【図３】本発明の実施例２であるフォトレジスト塗布装
置の処理部において、ウェハ回転数の経時シーケンスを
示すタイミング図である。

【図４】本発明の実施例３であるフォトレジスト塗布装
置の処理部において、ウェハ回転数の経時シーケンスを
示すタイミング図である。

【図５】本発明の実施例４であるフォトレジスト塗布装
置の処理部において、ウェハ回転数の経時シーケンスを
示すタイミング図である。

【図６】本発明の実施例５であるフォトレジスト塗布装
置の処理部におけるウェハ周辺を示す正面図である。

【符号の説明】

１，１ａ塗布処理部２ウェハ（基板）３スピンチャック４フォトレジスト５吐出ノズル６スピンモータ７回転制御部（回転制御手段）８滴下制御部（滴下制御手段）９センサ（塗布確認手段）

フロントページの続き (72)発明者田宮洋一郎東京都青梅市藤橋３丁目３番地２日立東京エレクトロニクス株式会社内 (72)発明者大金信哉東京都青梅市藤橋３丁目３番地２日立東京エレクトロニクス株式会社内 (72)発明者原島正成東京都青梅市藤橋３丁目３番地２日立東京エレクトロニクス株式会社内 (72)発明者石内正宏東京都青梅市藤橋３丁目３番地２日立東京エレクトロニクス株式会社内 (72)発明者兼松雅義東京都青梅市藤橋３丁目３番地２日立東京エレクトロニクス株式会社内 (72)発明者黒岩慶造東京都小平市上水本町５丁目20番１号株式会社日立製作所半導体事業部内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上にフォトレジストを滴下し、この
基板を回転させることにより前記フォトレジストによる
塗布膜を所定の膜厚に成膜する塗布方法であって、前記
フォトレジストを前記基板上に回転塗布する際に、前記
基板を前記フォトレジストの成膜回転数より高い回転数
で回転させながら前記フォトレジストを滴下して前記基
板の全面に広げた後、前記基板の回転数を減速して所定
の膜厚になる前記成膜回転数で前記フォトレジストの成
膜を行うことを特徴とするフォトレジスト塗布方法。
【請求項２】請求項１記載のフォトレジスト塗布方法
であって、前記フォトレジストを滴下する際に、前記基
板を前記成膜回転数以上の回転数に加速中に前記フォト
レジストを滴下し、このフォトレジストの滴下終了直後
に前記成膜回転数に減速して所定の膜厚を得ることを特
徴とするフォトレジスト塗布方法。
【請求項３】請求項１記載のフォトレジスト塗布方法
であって、前記フォトレジストを滴下する際に、予め前
記基板を前記成膜回転数以上の回転数に回転させた後、
この成膜回転数以上の回転数から減速中に前記フォトレ
ジストを滴下し、そのまま前記成膜回転数に減速して所
定の膜厚を得ることを特徴とするフォトレジスト塗布方
法。
【請求項４】請求項１記載のフォトレジスト塗布方法
であって、前記フォトレジストを塗布する際に、前記成
膜回転数以上で回転している前記基板に前記フォトレジ
ストを滴下し、そのまま前記成膜回転数以上で回転しな
がら所定の膜厚になった時点で前記基板の回転を停止し
て所定の膜厚を得ることを特徴とするフォトレジスト塗
布方法。
【請求項５】請求項１、２、３または４記載のフォト
レジスト塗布方法であって、前記基板上に前記フォトレ
ジストを滴下した後、このフォトレジストの塗布膜の形
成を塗布確認手段によって確認した直後に回転数を減速
して所定の膜厚になる回転数で成膜を行うことを特徴と
するフォトレジスト塗布方法。
【請求項６】請求項１、２、３、４または５記載のフ
ォトレジスト塗布方法を用いた半導体集積回路装置の製
造方法であって、前記基板を半導体ウェハとし、この半
導体ウェハ上に前記フォトレジストによる塗布膜を成膜
した後、露光、現像などのフォトリソグラフィ工程を行
い、さらに以降の半導体集積回路の製造工程を経て半導
体集積回路装置を形成することを特徴とする半導体集積
回路装置の製造方法。
【請求項７】基板上にフォトレジストを滴下し、この
基板を回転させることにより前記フォトレジストによる
塗布膜を所定の膜厚に成膜する塗布装置であって、前記
フォトレジストを前記基板の回転数に対応させて所定の
タイミングで滴下する滴下制御手段と、前記基板を前記
フォトレジストの滴下に対応させて所定の回転数で回転
させる回転制御手段とを有し、前記回転制御手段によっ
て前記基板を前記フォトレジストの成膜回転数より高い
回転数で回転させながら、前記滴下制御手段によって前
記フォトレジストを滴下して前記基板の全面に広げた
後、前記回転制御手段によって前記基板の回転数を減速
して所定の膜厚になる前記成膜回転数で前記フォトレジ
ストの成膜を行うことを特徴とするフォトレジスト塗布
装置。
【請求項８】請求項７記載のフォトレジスト塗布装置
であって、前記基板の外周部近傍に前記フォトレジスト
の塗布確認手段を設け、前記滴下制御手段によって前記
フォトレジストを滴下した後、前記塗布確認手段が前記
フォトレジストの塗布膜を確認した直後に前記回転制御
手段によって回転数を減速して所定の膜厚になる回転数
で成膜を行うことを特徴とするフォトレジスト塗布装
置。