JP3512511B2 - 回転塗布装置および回転塗布方法 - Google Patents

回転塗布装置および回転塗布方法

Info

Publication number
JP3512511B2
JP3512511B2 JP07575695A JP7575695A JP3512511B2 JP 3512511 B2 JP3512511 B2 JP 3512511B2 JP 07575695 A JP07575695 A JP 07575695A JP 7575695 A JP7575695 A JP 7575695A JP 3512511 B2 JP3512511 B2 JP 3512511B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
solvent
coating
rotation speed
coating liquid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP07575695A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH08274012A (ja
Inventor
昌宏 美作
実信 松永
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Screen Holdings Co Ltd
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Screen Holdings Co Ltd
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Screen Holdings Co Ltd, Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Screen Holdings Co Ltd
Priority to JP07575695A priority Critical patent/JP3512511B2/ja
Publication of JPH08274012A publication Critical patent/JPH08274012A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3512511B2 publication Critical patent/JP3512511B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェハ、液晶表
示パネル用のガラス基板、半導体製造用のマスク基板な
どの基板(以下、単に「基板」という)を水平に支持し
つつ回転させて、基板の表面にフォトレジスト液などの
塗布液を塗布する回転塗布装置および回転塗布方法に関
する。
【0002】
【従来の技術】従来の回転塗布装置では、水平なスピン
チャック上に基板を載置し、さらにその基板の表面中央
部にフォトレジスト液などの塗布液を供給した後、その
基板を搭載した状態のままでスピンチャックを回転させ
ることによって塗布液を拡張離散させて、均一な薄膜を
基板表面に形成していた。
【0003】しかしながら、従来の回転塗布方法におい
ては、基板の表面全体に渡って均一な薄膜を形成するこ
とができず、また比較的多くの塗布液が必要となるとい
う問題を有していた。
【0004】そこで、従来よりフォトレジスト液の溶媒
(以下「主溶媒」という)を塗布液の回転塗布に先立っ
て基板の表面に回転塗布しておき、その回転塗布処理の
完了後、基板にフォトレジスト液を供給し、回転塗布す
る方法が例えば特開昭61−150332号公報,特開
平5−123632号公報,特開平5−243140号
公報,特開平5−259052号公報などにおいて提案
されている。すなわち、フォトレジスト液の主溶媒、例
えば従来より高い頻度で使用されているエチレングリコ
ールモノエチルエーテルアセテート(ECA)をフォト
レジスト液の回転塗布前に回転塗布することで基板とフ
ォトレジスト液とのぬれ性を高めている。
【0005】なお、以下、説明の便宜から、このように
塗布液の回転塗布前に溶媒を基板に塗布しておく処理
を、特に「前塗布」と称する。また、前塗布段階におい
て、基板表面に塗布する溶媒を「前塗布溶媒」と称す
る。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】これらの提案例によれ
ば、前塗布を行わない従来の回転塗布方法に比べて、使
用する塗布液の量を削減することができる。しかしなが
ら、基板表面に形成される薄膜の膜厚の均一性をみた場
合、基板の周辺部の膜厚が、基板の中心部と比較して、
特に顕著に薄くなり、均一な薄膜を得ることができず、
均一な薄膜を形成することができる回転塗布方法および
回転塗布装置が望まれている。また、前塗布溶媒の塗布
位置や乾燥条件によっては、塗布ムラ、特にストリエー
ションと呼ばれる放射状の塗布ムラが発生しやすいとい
う問題がある。なお、この塗布ムラは特にウェハ周辺部
に発生しやすい。
【0007】また、従来よりフォトレジスト液の主溶媒
としてECAを高い頻度で使用していたのは、ECAが
フォトレジスト液などの塗布液の主溶媒として優れた溶
解性と蒸発性を備えているという理由からであるが、近
年になって催奇形性や流産率との関係を考慮してECA
に代わってメチル−2−n−アミルケトン(MAK)な
どを主溶媒として代替使用する傾向にある。しかしなが
ら、MAKはECAよりも沸点が低く蒸発性が高いた
め、このMAKを前塗布溶媒として使用するとともに、
MAKを主溶媒とする塗布液を回転塗布した場合、基板
表面に形成される薄膜の膜厚基板の周辺部において顕著
に厚くなり、不均一になっている。
【0008】本発明は、上記課題に鑑み、エチレングリ
コールモノエチルエーテルアセテート(ECA)よりも
低い沸点を有する溶媒を主溶媒とする塗布液を、優れた
膜厚均一性で基板の表面に回転塗布することができる回
転塗布方法および回転塗布装置を提供することを目的と
する。
【0009】
【0010】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、基板
を水平に支持しつつ鉛直軸周りに回転させてエチレング
リコールモノエチルエーテルアセテートよりも低い沸点
を有する溶媒を主溶媒とする塗布液を塗布する回転塗布
方法であって、上記目的を達成するため、(a)基板を制
止した状態でまたは第1の回転数で回転させた状態で、
前記基板の表面中央部もしくはその近傍に前記主溶媒よ
りも高い沸点を有する溶媒を前塗布溶媒として供給する
工程と、(b)前記基板を第2の回転数で回転させて前記
基板上の前塗布溶媒を基板表面全体に広げる工程と、
(c)前記工程(b)を実行した後、前記基板の表面中央部へ
の塗布液の吐出と、第3の回転数での基板の回転とによ
り、前記塗布液を基板表面に供給し、基板表面全体に広
げる工程と、(d)前記基板を第4の回転数で回転させて
工程(c)で基板表面全体に広げた塗布液の膜厚を調整す
る工程と、を含んでいる。
【0011】請求項2の発明は、基板を回転させてエチ
レングリコールモノエチルエーテルアセテートよりも低
い沸点を有する溶媒を主溶媒とする塗布液を塗布する回
転塗布装置であって、基板を水平に支持しつつ鉛直軸周
りに回転させる回転支持手段と、前記回転支持手段に支
持された基板の表面中央部もしくはその近傍に前記主溶
媒よりも高い沸点を有する溶媒を前塗布溶媒として供給
する溶媒供給手段と、前記回転支持手段に支持された基
板の表面中央部もしくはその近傍に前記塗布液を供給す
る塗布液供給手段と、前記回転支持手段、前記溶媒供給
手段および前記塗布液供給手段を制御して、基板を制止
した状態でまたは第1の回転数で回転させた状態で、前
記基板の表面中央部もしくはその近傍に前記前塗布溶媒
を供給し、当該基板を第2の回転数で回転させることで
基板表面全体に広げた後、前記基板の表面中央部への塗
布液の吐出と、第3の回転数での基板の回転とにより、
前記塗布液を基板表面に供給し、基板表面全体に広げ、
さらに第4の回転数で基板を回転させて前記塗布液の膜
厚を調整する制御手段と、を備えている。
【0012】
【0013】
【0014】
【作用】この発明にかかる態様では、エチレングリコー
ルモノエチルエーテルアセテートよりも低い沸点を有す
る溶媒を主溶媒とする塗布液と、その主溶媒よりも高い
沸点を有する溶媒とが準備され、塗布液の供給に先立っ
て、当該溶媒が前塗布溶媒として基板表面に回転塗布さ
れ、溶媒の蒸発の度合いが抑えられて薄膜の膜厚均一性
を改善する。
【0015】
【0016】
【実施例】
A.第1実施例 図1は、この発明にかかる回転塗布装置の第1実施例を
示す図である。この回転塗布装置はスピンチャック11
を備えており、このスピンチャック11の上面で基板W
を水平に吸着保持することができるようになっている。
また、スピンチャック11の回転軸12はモータ13に
連結されている。このため、モータ13を作動させる
と、スピンチャック11上に支持された基板Wがスピン
チャック11と一体的に回転軸12を中心として鉛直軸
回りに回転する。このように、この実施例では、スピン
チャック11およびモータ13により、基板Wを水平に
支持しつつ鉛直軸周りに回転させる回転支持手段10が
構成されている。
【0017】このスピンチャック11の周囲には、カッ
プ20が配置されており、後述するようにしてスピンチ
ャック11上の基板Wに前塗布溶媒およびフォトレジス
ト液(塗布液)を回転塗布する際に飛散する余分の溶媒
やフォトレジスト液を補集し、所定のドレンタンク(図
示省略)に回収する。
【0018】この回転塗布装置では、塗布液供給ノズル
31と塗布液供給部32とで基板Wにフォトレジスト液
を供給するための塗布液供給手段30が構成されてい
る。すなわち、ノズル31は塗布液供給部32と接続さ
れており、塗布液供給部32からフォトレジスト液を送
り出すと、ノズル31の先端部からフォトレジスト液が
吐出される。また、このノズル31は駆動部33と連結
されており、駆動部33を作動させることで、スピンチ
ャック11の上方位置とカップ20外の退避位置との間
で往復移動する。このため、図1に示すように、ノズル
31をスピンチャック11の上方位置に位置決めする
と、ノズル31の先端部がスピンチャック11上の基板
Wのほぼ表面中央部に対向し、この状態で塗布液供給部
32からフォトレジスト液を送り出すと、ノズル31か
ら基板Wに向けてフォトレジスト液が吐出され、基板W
の中央部に供給される。
【0019】また、この実施例では、塗布液供給手段3
0と同様に構成された溶媒供給手段40が設けられてい
る。すなわち、溶媒供給手段40は、スピンチャック1
1の上方位置とカップ20外の退避位置との間で往復自
在な溶媒供給ノズル41と、当該ノズル41に接続され
た溶媒供給部42とで構成されており、図1に示すよう
に、駆動部43を作動させてノズル41をスピンチャッ
ク11の上方位置に位置決めした後、溶媒供給部42か
ら前塗布溶媒としての溶媒を送り出すことで、ノズル4
1から基板Wに向けて溶媒が吐出され、基板Wの中央部
に供給される。
【0020】モータ13、塗布液供給部32、駆動部3
3、溶媒供給部42および駆動部43には、制御部50
が電気的に接続されており、制御部50から各部に信号
が与えれて、後述する手順でフォトレジスト液の薄膜が
基板W上に形成される。以下、図2を参照しつつ、この
装置における回転塗布方法について説明する。
【0021】図2は、この発明にかかる回転塗布方法の
第1実施例を示すタイミングチャートである。
【0022】(1)基板Wの保持 まず、スピンチャック11上に基板(例えばφ8インチ
の半導体ウエハ)Wを載置した後、図示を省略する吸引
源からの吸引により基板Wを吸着保持する。それに続い
て、モータ13を作動させて基板Wの回転を開始する。
【0023】(2)基板Wへの前塗布溶媒の供給 そして、回転数が第1の回転数N1、例えば500rp
mに達すると(時刻t1)、その回転数N1を維持したま
まで、予めスピンチャック11の上方位置に位置決めさ
れている溶媒供給ノズル41から前塗布溶媒を基板Wの
表面中央部に所定量だけ供給する。ここで、前塗布溶媒
としては、例えばフォトレジスト液(塗布液)の主溶媒
として従来より使用されているECAを用いることがで
き、例えばφ8インチの半導体ウエハの前塗布を行う場
合、約1.5ミリリットル供給する。また、前塗布溶媒
の供給位置は基板Wの表面中央部に行うのが好適である
が、これに限定されるものではなく、ノズル41の位置
決め位置を基板Wの中心から30mm以内だけずらして
基板中央部の近傍に供給するようにしてもよい。さら
に、基板Wを制止したままで前塗布溶媒を供給してもよ
い。
【0024】なお、前塗布溶媒の供給の間、溶媒供給ノ
ズル41との干渉を避けるために、塗布液供給ノズル3
1については退避位置に退避させている。
【0025】(3)前塗布溶媒の拡張離散および部分揮発 基板Wへの前塗布溶媒の供給が完了すると、基板Wの回
転数を第2の回転数N2、例えば2500rpmにまで
増加させ(時刻t2)、所定時間だけこの第2の回転数
N2を維持する。これによって、基板Wに供給された前
塗布溶媒は基板表面全体に広がるとともに、余分な溶媒
が揮発する。なお、必要以上に長時間回転させておく
と、溶媒が揮発によって除去されてしまい、前塗布によ
る効果が得られないので、この点を考慮して第2の回転
数N2および上記処理時間(=t3−t2)を設定する必
要がある。特に、第2の回転数N2は前塗布溶媒の揮発
の度合いを制御する上で比較的重要な要素である。とい
うのも、揮発の度合いを処理時間(=t3−t2)で制御
する場合、全体の処理時間が変わる、特に長くなるのは
好ましくないので、この回転数N2で制御するのが好適
であり、500rpmないし3000rpmの範囲で設
定するのが望ましい。
【0026】なお、この実施例では、上記処理を行うの
と並行して、溶媒供給ノズル41をカップ20外に退避
させるとともに、塗布液供給ノズル31をスピンチャッ
ク11の上方位置に移動させる。これにより、次のフォ
トレジスト液の供給をスムーズに行うことができる。
【0027】(4)フォトレジスト液の供給及び拡布 上記所定時間が経過して時刻t3になると、基板Wの回
転数を第3の回転数N3、例えば4000rpmに増加
させると同時に、塗布液供給ノズル31から基板Wにフ
ォトレジスト液を供給する。例えば、φ8インチの半導
体ウエハにフォトレジスト液を塗布する場合、約0.4
〜1.0ミリリットルのフォトレジスト液を約1秒程度
吐出させて基板Wに供給する。
【0028】ところで、フォトレジスト液の供給態様に
ついては、上記のように基板Wを回転させながらフォト
レジスト液を供給する態様に限定されるものではなく、
時刻t3で一旦基板Wの回転を停止させ、基板Wへのフ
ォトレジスト液の供給を開始した後、所定量の供給を完
了する前に基板Wを第3の回転数N3で回転させたり、
あるいは所定量の供給を完了した後で基板Wを第3の回
転数N3で回転させるようにしてもよい。すなわち、基
板Wの表面へのフォトレジスト液(塗布液)の吐出と、
第3の回転数N3での基板Wの回転とを組み合わせてフ
ォトレジスト液を基板Wの表面全体に広げればよい。
【0029】ここで、この発明において重要な点は、第
3の回転数N3をどのように設定するかという点であ
り、この実施例では、フォトレジスト液の供給及び基板
表面全体への拡布に続いて行う処理(フォトレジスト液
の膜厚調整)での基板Wの回転数N4以上に設定してい
る。なお、その理由および具体例については、後で説明
する。
【0030】(5)フォトレジスト液(塗布液)の膜厚調
整 基板Wへのフォトレジスト液の供給及び基板表面全体へ
の拡布が完了する(時刻t4)と、基板Wの回転数を第
4の回転数N4、例えば3000rpmに調整し、所定
時間(=t5−t4)の間、当該回転数N4で基板Wを回
転させる。この実施例では、上記のように第3の回転数
N3を第4の回転数N4以上に設定しているため、必然的
に時刻t4で回転数を維持あるいは減少させることにな
る。
【0031】この第4の回転数N4での基板Wの回転に
よって、すでに基板表面全体に広げられたフォトレジス
ト液の膜厚調整がなされ、基板Wの表面に所定膜厚のレ
ジスト薄膜が形成される。
【0032】上記のように、この実施例では、フォトレ
ジスト液の供給に際して第3の回転数で基板Wを回転さ
せているので、基板Wの中心部から外周方向へ行くに従
って溶媒の蒸発の度合いが大きくなるような状態を生じ
させることができる。このため、従来技術において問題
となっていた基板の周辺部の膜厚が、基板の中心部と比
較して、特に顕著に薄くなるという、膜厚の不均一が解
消される。また、フォトレジスト液の供給及び基板表面
全体への拡布時の回転数(第3の回転数N3)が非常に
高いので、従来例よりもさらに少量のフォトレジスト液
(塗布液)で基板表面全体に薄膜を形成することができ
る。
【0033】次に、フォトレジスト液の供給及び基板表
面全体への拡布時の回転数(第3の回転数N3)とフォ
トレジスト液の膜厚調整時の回転数(第4の回転数N
4)との関係について、具体例を示しながら説明する。
なお、ここでは、第1、第2および第4の回転数N1,
N2,N4をそれぞれ500rpm、3000rpmおよ
び3000rpmに設定する一方、第3の回転数N3に
ついては3000rpm、4000rpm、5000r
pm、5500rpmおよび6000rpmと異なる条
件を設定して、ECAを主溶媒とするフォトレジスト液
をφ8インチの半導体ウエハに回転塗布した。その結
果、図3ないし図7に示す膜厚面内分布を得た。
【0034】これら図3ないし図7(および後の図8な
いし図11)において、横軸は半導体ウエハ(基板)の
中心からの距離(mm)を示し、縦軸は中心からの各距
離での膜厚(オングストローム)を示している。また、
得られたデータから膜厚面内分布を計算すると、次の結
果が得られた。
【0035】 ・第3の回転数N3=3000rpmのとき、 平均膜厚:11790.0(オングストローム) 標準偏差:79.6(オングストローム) ・第3の回転数N3=4000rpmのとき、 平均膜厚:11853.6(オングストローム) 標準偏差:48.3(オングストローム) ・第3の回転数N3=5000rpmのとき、 平均膜厚:11895.2(オングストローム) 標準偏差:12.3(オングストローム) ・第3の回転数N3=5500rpmのとき、 平均膜厚:11923.0(オングストローム) 標準偏差:5.3(オングストローム) ・第3の回転数N3=6000rpmのとき、 平均膜厚:11941.0(オングストローム) 標準偏差:24.7(オングストローム) これらの計算結果および図3ないし図7から明らかなよ
うに、第3の回転数N3を第4の回転数N4以上に設定す
ることで従来例よりも良好な均一性をもって半導体ウエ
ハ(基板)にレジスト薄膜を形成することができる。ま
た、これらの結果から、第3の回転数N3については5
000rpmないし6000rpmの範囲で設定するの
が好適であることがわかる。
【0036】なお、上記実施例においては、前塗布溶媒
としてフォトレジスト液の主溶媒と同一の溶媒を用いて
いるが、主溶媒と別種類の溶媒を前塗布溶媒と使用する
ことも可能である。例えば、ECAを主溶媒とする場
合、前塗布溶媒として乳酸エチル、プロピレングリコー
ルモノメチルエーテルアセテート、メチル−2−n−ア
ミルケトン、メチル−3−メトキシプロピオネート、エ
チル−3−エトキシプロピオネート、ピルビン酸エチ
ル、酢酸ブチルおよびこれら数種の混合液などを使用す
ることができる。
【0037】B.第2実施例 上記第1実施例では、第3の回転数N3をフォトレジス
ト液の膜厚調整の際の基板Wの回転数N4以上に設定す
ることで膜厚均一性の向上を図っているが、フォトレジ
スト液の主溶媒がECAよりも低い沸点を有する溶媒で
ある場合には、その主溶媒よりも高い沸点を有する別種
類の溶媒を前塗布溶媒として使用することにより、膜厚
均一性の向上を図ることができる。以下、具体例を挙げ
て説明する。
【0038】ECAよりも低い沸点を有する溶媒として
例えばMAKがあるが、これを前塗布溶媒として上記第
1実施例にかかる回転塗布方法にしたがってMAKを主
溶媒とするフォトレジスト液を回転塗布した場合、EC
Aを主溶媒および前塗布溶媒とした場合(第1実施例に
おける具体例)に比べて膜厚均一性が低い。これに対
し、MAKよりも高い沸点を有するエチル−3−エトキ
シプロピオネート(EEP)を前塗布溶媒として用いて
MAKを主溶媒とするフォトレジスト液を回転塗布する
と、良好な結果が得られた。ここでは、第1、第2およ
び第4の回転数N1,N2,N4をそれぞれ500rp
m、3000rpmおよび3000rpmに設定する一
方、第3の回転数N3については3000rpm、35
00rpm、4000rpmおよび5000rpmと異
なる条件を設定して、前塗布溶媒「EEP」−主溶媒
「MAK」の溶媒組合せでフォトレジスト液をφ8イン
チの半導体ウエハに回転塗布して、図8ないし図11に
示す結果(膜厚面内分布)を得た。
【0039】また、得られたデータから膜厚面内分布を
計算すると、次の結果が得られた。
【0040】 ・第3の回転数N3=3000rpmのとき、 平均膜厚:11470.4(オングストローム) 標準偏差:42.7(オングストローム) ・第3の回転数N3=3500rpmのとき、 平均膜厚:11516.2(オングストローム) 標準偏差:23.1(オングストローム) ・第3の回転数N3=4000rpmのとき、 平均膜厚:11524.7(オングストローム) 標準偏差:6.8(オングストローム) ・第3の回転数N3=5000rpmのとき、 平均膜厚:11571.0(オングストローム) 標準偏差:36.2(オングストローム) これらの計算結果および図8ないし図11から明らかな
ように、前塗布溶媒として主溶媒(MAK)よりも沸点
の高い溶媒(EEP)を採用したことで、溶媒の蒸発が
抑制されるため、良好な均一性をもって半導体ウエハ
(基板)にレジスト薄膜を形成することができる。ま
た、これらの結果から、第3の回転数N3については3
500rpmないし4500rpmの範囲で設定するの
が好適であることがわかる。
【0041】なお、主溶媒と前塗布溶媒との組み合わせ
は、上記組み合わせ(MAK,EEP)に限定されるも
のではなく、フォトレジスト液(塗布液)の沸点がEC
Aのそれよりも低く、しかも前塗布溶媒の沸点が主溶媒
のそれよりも高いという条件を満足する限り特に限定さ
れるものではなく、任意である。
【0042】なお、上記第1および第2実施例では、フ
ォトレジスト液を基板Wに回転塗布してレジスト膜を形
成する場合について説明したが、この発明はSOG膜や
ポリイミド膜を形成する回転塗布方法や回転塗布装置に
適用することができる。
【0043】
【発明の効果】以上のように、請求項1およびの発明
によれば、エチレングリコールモノエチルエーテルアセ
テートよりも低い沸点を有する溶媒を主溶媒とする塗布
液を基板に回転塗布する回転塗布装置および回転塗布処
理において、塗布液の供給に先立って、主溶媒よりも高
い沸点を有する溶媒を前塗布溶媒として基板表面に回転
塗布しているので、当該塗布液を優れた膜厚均一性で基
板の表面に回転塗布することができる。
【0044】
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明にかかる回転塗布装置の第1実施例を
示す図である。
【図2】この発明にかかる回転塗布方法の第1実施例を
示すタイミングチャートである。
【図3】第1実施例にかかる回転塗布方法により基板上
に薄膜を形成したときの膜厚面内分布を示すグラフであ
る。
【図4】第1実施例にかかる回転塗布方法により基板上
に薄膜を形成したときの膜厚面内分布を示すグラフであ
る。
【図5】第1実施例にかかる回転塗布方法により基板上
に薄膜を形成したときの膜厚面内分布を示すグラフであ
る。
【図6】第1実施例にかかる回転塗布方法により基板上
に薄膜を形成したときの膜厚面内分布を示すグラフであ
る。
【図7】第1実施例にかかる回転塗布方法により基板上
に薄膜を形成したときの膜厚面内分布を示すグラフであ
る。
【図8】第2実施例にかかる回転塗布方法により基板上
に薄膜を形成したときの膜厚面内分布を示すグラフであ
る。
【図9】第2実施例にかかる回転塗布方法により基板上
に薄膜を形成したときの膜厚面内分布を示すグラフであ
る。
【図10】第2実施例にかかる回転塗布方法により基板
上に薄膜を形成したときの膜厚面内分布を示すグラフで
ある。
【図11】第2実施例にかかる回転塗布方法により基板
上に薄膜を形成したときの膜厚面内分布を示すグラフで
ある。
【符号の説明】
10 回転支持手段 30 塗布液供給手段 40 溶媒供給手段 50 制御部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI H01L 21/30 564D (56)参考文献 特開 平6−326014(JP,A) 特開 昭61−150332(JP,A) 特開 昭58−207631(JP,A) 特開 昭64−90530(JP,A) 特開 平2−156626(JP,A) 特開 平8−51061(JP,A) 特開 平5−243140(JP,A) 特開 平5−259052(JP,A) 特開 平5−123632(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/027 B05C 11/08 G03F 7/16 502

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板を水平に支持しつつ鉛直軸周りに回
    転させてエチレングリコールモノエチルエーテルアセテ
    ートよりも低い沸点を有する溶媒を主溶媒とする塗布液
    を塗布する回転塗布方法において、 (a)基板を制止した状態でまたは第1の回転数で回転さ
    せた状態で、前記基板の表面中央部もしくはその近傍に
    前記主溶媒よりも高い沸点を有する溶媒を前塗布溶媒と
    して供給する工程と、 (b)前記基板を第2の回転数で回転させて前記基板上の
    前塗布溶媒を基板表面全体に広げる工程と、 (c)前記工程(b)を実行した後、前記基板の表面中央部へ
    の塗布液の吐出と、第3の回転数での基板の回転とによ
    り、前記塗布液を基板表面に供給し、基板表面全体に広
    げる工程と、 (d)前記基板を第4の回転数で回転させて工程(c)で基板
    表面全体に広げた塗布液の膜厚を調整する工程と、 を含むことを特徴とする回転塗布方法。
  2. 【請求項2】 基板を回転させてエチレングリコールモ
    ノエチルエーテルアセテートよりも低い沸点を有する溶
    媒を主溶媒とする塗布液を塗布する回転塗布装置におい
    て、 基板を水平に支持しつつ鉛直軸周りに回転させる回転支
    持手段と、 前記回転支持手段に支持された基板の表面中央部もしく
    はその近傍に前記主溶媒よりも高い沸点を有する溶媒を
    前塗布溶媒として供給する溶媒供給手段と、 前記回転支持手段に支持された基板の表面中央部もしく
    はその近傍に前記塗布液を供給する塗布液供給手段と、 前記回転支持手段、前記溶媒供給手段および前記塗布液
    供給手段を制御して、基板を制止した状態でまたは第1
    の回転数で回転させた状態で、前記基板の表面中央部も
    しくはその近傍に前記前塗布溶媒を供給し、当該基板を
    第2の回転数で回転させることで基板表面全体に広げた
    後、前記基板の表面中央部への塗布液の吐出と、第3の
    回転数での基板の回転とにより、前記塗布液を基板表面
    に供給し、基板表面全体に広げ、さらに第4の回転数で
    基板を回転させて前記塗布液の膜 厚を調整する制御手段
    と、 を備えたことを特徴とする回転塗布装置。
JP07575695A 1995-03-31 1995-03-31 回転塗布装置および回転塗布方法 Expired - Fee Related JP3512511B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP07575695A JP3512511B2 (ja) 1995-03-31 1995-03-31 回転塗布装置および回転塗布方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP07575695A JP3512511B2 (ja) 1995-03-31 1995-03-31 回転塗布装置および回転塗布方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH08274012A JPH08274012A (ja) 1996-10-18
JP3512511B2 true JP3512511B2 (ja) 2004-03-29

Family

ID=13585407

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP07575695A Expired - Fee Related JP3512511B2 (ja) 1995-03-31 1995-03-31 回転塗布装置および回転塗布方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3512511B2 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3065041B2 (ja) 1998-10-29 2000-07-12 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 半導体デバイスの成膜方法及び成膜装置
CN103871815A (zh) * 2012-12-11 2014-06-18 旺宏电子股份有限公司 半导体处理装置及处理半导体晶圆的方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH08274012A (ja) 1996-10-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6117486A (en) Photoresist coating method and apparatus
US5985363A (en) Method of providing uniform photoresist coatings for tight control of image dimensions
JP3276449B2 (ja) 回転塗布方法
EP0556784B1 (en) Film forming method in producing of semiconductor device
JP3315608B2 (ja) 塗布液塗布方法
JPH09246173A (ja) 塗布方法
US20120238106A1 (en) Coating method and coating apparatus
US20090191720A1 (en) Coating process and equipment for reduced resist consumption
US6440218B1 (en) Coating solution applying method and apparatus
JP3512511B2 (ja) 回転塗布装置および回転塗布方法
JPH1092726A (ja) レジスト塗布装置及びレジスト塗布方法
US20020160319A1 (en) Method for forming resist film
JPH1092734A (ja) レジスト材料の塗布方法
JPH10151406A (ja) 塗布液塗布方法
US20030003760A1 (en) Photoresist coating method and apparatus
JPH10154650A (ja) 塗布液塗布方法
JPH05259063A (ja) 半導体基板のスピンコーティング方法
JPH0656832B2 (ja) レジスト塗布方法
JPH05123632A (ja) 液状塗布物質の塗布方法
JP3315609B2 (ja) 塗布液塗布方法
WO2021002269A1 (ja) 塗布方法及び塗布装置
KR100272521B1 (ko) 반도체 소자의 포토레지스트 도포 방법
JPH08330206A (ja) フォトレジスト塗布方法、およびそれを用いた半導体集積回路装置の製造方法、ならびにフォトレジスト塗布装置
JP3230891B2 (ja) 塗布装置
JPH05259049A (ja) 半導体基板のスピンコーティング方法

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20040106

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20040107

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090116

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090116

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100116

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110116

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110116

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120116

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120116

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130116

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130116

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140116

Year of fee payment: 10

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees