JPH05234869A - 塗布装置 - Google Patents
塗布装置Info
- Publication number
- JPH05234869A JPH05234869A JP1739192A JP1739192A JPH05234869A JP H05234869 A JPH05234869 A JP H05234869A JP 1739192 A JP1739192 A JP 1739192A JP 1739192 A JP1739192 A JP 1739192A JP H05234869 A JPH05234869 A JP H05234869A
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- JP
- Japan
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- film thickness
- wafer
- coating
- coater
- film
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】薬液の塗布装置において、塗布中の膜厚の安定
化手段を設けることによって塗布装置周辺の環境温度，
湿度の変化による膜厚の変化を制御する。 【構成】ウェハース４上にノズル１から塗布液を滴下し
ウェハース４を回転させて所望の膜厚の膜を形成する塗
布装置において、膜形成直後に非接触膜厚測定装置７を
用いて膜厚を測定する手段と、測定した膜厚と所望の膜
厚との差異を求め、次に塗布するウェハースの設定回転
数を変更する手段とから構成されている。
化手段を設けることによって塗布装置周辺の環境温度，
湿度の変化による膜厚の変化を制御する。 【構成】ウェハース４上にノズル１から塗布液を滴下し
ウェハース４を回転させて所望の膜厚の膜を形成する塗
布装置において、膜形成直後に非接触膜厚測定装置７を
用いて膜厚を測定する手段と、測定した膜厚と所望の膜
厚との差異を求め、次に塗布するウェハースの設定回転
数を変更する手段とから構成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造に用いる各種
薬液の塗布装置に関する。
薬液の塗布装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の塗布装置は、図３の断面図に示す
ように、ウェハース４を固定しスピンモーター６により
回転するウェハーチャック５と、薬液の飛散を防ぐ塗布
用カップ（上蓋）２および塗布用カップ（下蓋）３と、
薬液を滴下するノズル１を有している。
ように、ウェハース４を固定しスピンモーター６により
回転するウェハーチャック５と、薬液の飛散を防ぐ塗布
用カップ（上蓋）２および塗布用カップ（下蓋）３と、
薬液を滴下するノズル１を有している。
【０００３】次に塗布装置の動作について説明する。塗
布予定のウェハース４は、まずウェハーチャック５上に
搬送され、ウェハーチャック５に真空吸着で固定され
る。次に、ノズル１から所望の薬液がウェハース４上に
適量滴下される。滴下が終了するとウェハース４は、所
望の膜厚を得るために回転する。一定時間回転させ、回
転終了後、高温でベーキングし溶剤を気化させ膜を形成
する。
布予定のウェハース４は、まずウェハーチャック５上に
搬送され、ウェハーチャック５に真空吸着で固定され
る。次に、ノズル１から所望の薬液がウェハース４上に
適量滴下される。滴下が終了するとウェハース４は、所
望の膜厚を得るために回転する。一定時間回転させ、回
転終了後、高温でベーキングし溶剤を気化させ膜を形成
する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の塗布装
置では、膜厚の安定化機構を有していないため塗布装置
周辺の環境温度，温度の変化による膜厚の変化を制御す
ることができず、フォトレジスト塗布の場合にはパター
ン寸法の変動や露光時にパターン側壁での定在波の発生
という問題点があった。
置では、膜厚の安定化機構を有していないため塗布装置
周辺の環境温度，温度の変化による膜厚の変化を制御す
ることができず、フォトレジスト塗布の場合にはパター
ン寸法の変動や露光時にパターン側壁での定在波の発生
という問題点があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の塗布装置は、回
転するウェハースの上方に設置した非接触膜厚測定装置
により、薬液塗布後の膜厚を測定し、目標膜厚と比較し
次に塗布するウェハースの設定回転数を変更する手段を
備えている。
転するウェハースの上方に設置した非接触膜厚測定装置
により、薬液塗布後の膜厚を測定し、目標膜厚と比較し
次に塗布するウェハースの設定回転数を変更する手段を
備えている。
【０００６】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の実施例１の塗布装置を説明する図で
ある。まず、図１（ａ）の断面図に示すように、ウェハ
ーチャック５上にウェハース４を真空吸着により固定さ
せる。次に滴下ノズル１からウェハース４上に薬液を適
量滴下する。滴下終了後、所望の膜厚を得ることができ
る回転数（１０００〜６０００ｒｐｍ）でウェハース４
を１０〜２０秒間回転させる。回転終了後、非接触膜厚
測定器７で塗布後のウェハース４の塗布膜厚を測定す
る。
る。図１は本発明の実施例１の塗布装置を説明する図で
ある。まず、図１（ａ）の断面図に示すように、ウェハ
ーチャック５上にウェハース４を真空吸着により固定さ
せる。次に滴下ノズル１からウェハース４上に薬液を適
量滴下する。滴下終了後、所望の膜厚を得ることができ
る回転数（１０００〜６０００ｒｐｍ）でウェハース４
を１０〜２０秒間回転させる。回転終了後、非接触膜厚
測定器７で塗布後のウェハース４の塗布膜厚を測定す
る。
【０００７】ここで図１（ｂ）の流れ図に示すように、
測定した膜厚を目標とする膜厚と比較しその差異を求
め、膜厚が目標よりも薄い場合には設定回転数を下げ、
膜厚が目標よりも厚い場合には設定回転数を上げて次の
ウェハースの塗布を行う。通常、塗布回転数５０００ｒ
ｐｍ前後の場合、回転数に対する膜厚変化率はほぼ直線
近似ができ、１．０〜１．５オングストローム／ｒｐｍ
程度であるが、薬液の種類，粘度の違いにより異なる場
合がある。変更する回転数は、膜厚差÷膜厚変化率（オ
ングストローム／ｒｐｍ）で計算でき、膜厚変化率（オ
ングストローム／ｒｐｍ）は使用薬液により異なる。従
って実施例１では、１枚毎に塗布膜厚を測定し、目標膜
厚との差異を次に塗布するウェハースの回転数にフィー
ドバックし、回転数を自動変更しているため、塗布装置
周辺の環境温度，湿度が変化しても回転数を調整するこ
とにより塗布膜厚を一定に保持できる。
測定した膜厚を目標とする膜厚と比較しその差異を求
め、膜厚が目標よりも薄い場合には設定回転数を下げ、
膜厚が目標よりも厚い場合には設定回転数を上げて次の
ウェハースの塗布を行う。通常、塗布回転数５０００ｒ
ｐｍ前後の場合、回転数に対する膜厚変化率はほぼ直線
近似ができ、１．０〜１．５オングストローム／ｒｐｍ
程度であるが、薬液の種類，粘度の違いにより異なる場
合がある。変更する回転数は、膜厚差÷膜厚変化率（オ
ングストローム／ｒｐｍ）で計算でき、膜厚変化率（オ
ングストローム／ｒｐｍ）は使用薬液により異なる。従
って実施例１では、１枚毎に塗布膜厚を測定し、目標膜
厚との差異を次に塗布するウェハースの回転数にフィー
ドバックし、回転数を自動変更しているため、塗布装置
周辺の環境温度，湿度が変化しても回転数を調整するこ
とにより塗布膜厚を一定に保持できる。
【０００８】次に実施例２について説明する。図２は本
発明実施例２の塗布装置を説明する図である。まず、図
２（ａ）の断面図に示すように、ウェハーチャック５上
にウェハース４を真空吸着により固定させる。次に薬液
滴下ノズル１からウェハース４上に薬液を適量滴下す
る。薬液滴下後、所望の膜厚を得ることができる回転数
（１０００〜６０００ｒｐｍ）でウェハース４を回転さ
せる。このとき同時に膜厚変化モニター８により膜厚の
変化を検出しておき、膜厚変化がほとんど無くなった時
点（図２（ｂ）の膜厚安定点）で回転を止める（一般
に、塗布膜厚はある一定時間以上回転させると膜厚変化
がほとんど無くなり、それ以上回転を続ける必要はな
い）。
発明実施例２の塗布装置を説明する図である。まず、図
２（ａ）の断面図に示すように、ウェハーチャック５上
にウェハース４を真空吸着により固定させる。次に薬液
滴下ノズル１からウェハース４上に薬液を適量滴下す
る。薬液滴下後、所望の膜厚を得ることができる回転数
（１０００〜６０００ｒｐｍ）でウェハース４を回転さ
せる。このとき同時に膜厚変化モニター８により膜厚の
変化を検出しておき、膜厚変化がほとんど無くなった時
点（図２（ｂ）の膜厚安定点）で回転を止める（一般
に、塗布膜厚はある一定時間以上回転させると膜厚変化
がほとんど無くなり、それ以上回転を続ける必要はな
い）。
【０００９】ここで使用する膜厚変化モニター８とは、
Ｈｅ−Ｎｅレーザをウェハース４に照射し、その反射光
と照射光との干渉光の強度を検出する装置であり、干渉
光の強度は回転時間に対し図２（ｂ）のような変化を示
す。回転終了後、実施例１と同様非接触膜厚測定器７
で、塗布後のウェハース４の塗布膜厚を測定する。ここ
で、測定した膜厚を目標とする膜厚と比較しその差異を
求め、膜厚が目標よりも薄い場合には設定回転数を下
げ、膜厚が目標よりも厚い場合には設定回転数を上げて
次のウェハースの塗布を行う。
Ｈｅ−Ｎｅレーザをウェハース４に照射し、その反射光
と照射光との干渉光の強度を検出する装置であり、干渉
光の強度は回転時間に対し図２（ｂ）のような変化を示
す。回転終了後、実施例１と同様非接触膜厚測定器７
で、塗布後のウェハース４の塗布膜厚を測定する。ここ
で、測定した膜厚を目標とする膜厚と比較しその差異を
求め、膜厚が目標よりも薄い場合には設定回転数を下
げ、膜厚が目標よりも厚い場合には設定回転数を上げて
次のウェハースの塗布を行う。
【００１０】実施例１と比較し、実施例２は回転中に膜
厚変化をモニターしており、膜厚が安定した時点で回転
を終了させることができ、不要な回転時間を削除できる
ためスループットが向上するという利点を有する。
厚変化をモニターしており、膜厚が安定した時点で回転
を終了させることができ、不要な回転時間を削除できる
ためスループットが向上するという利点を有する。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ウェハー
スを１枚塗布する毎に非接触膜厚測定器により所望の膜
厚を測定し、その膜厚が目標膜厚よりも薄い場合には設
定回転数を下げ、目標膜厚よりも厚い場合には設定回転
数を上げて次のウェハースを塗布できるため、塗布装置
周辺の環境温度，湿度が変化しても回転数を調整するこ
とにより塗布膜厚を一定に保持できるという効果を有す
る。
スを１枚塗布する毎に非接触膜厚測定器により所望の膜
厚を測定し、その膜厚が目標膜厚よりも薄い場合には設
定回転数を下げ、目標膜厚よりも厚い場合には設定回転
数を上げて次のウェハースを塗布できるため、塗布装置
周辺の環境温度，湿度が変化しても回転数を調整するこ
とにより塗布膜厚を一定に保持できるという効果を有す
る。
【図１】本発明の実施例１を示す図で、同図（ａ）は塗
布装置の断面図、同図（ｂ）は膜厚制御のための流れ図
である。
布装置の断面図、同図（ｂ）は膜厚制御のための流れ図
である。
【図２】本発明の実施例２を示す図で、同図（ａ）は塗
布装置の断面図、同図（ｂ）は膜厚変化モニターの回転
時間と干渉光強度の関係を示す図である。
布装置の断面図、同図（ｂ）は膜厚変化モニターの回転
時間と干渉光強度の関係を示す図である。
【図３】従来の塗布装置の断面図である。
１ 薬液滴下ノズル ２ スピンナー用カップ（上蓋） ３ スピンナー用カップ（下蓋） ４ ウェハース ５ ウェハーチャック ６ スピンモータ ７ 非接触膜厚測定器
Claims (2)
- 【請求項１】 ウェハース上にノズルから塗布液を滴下
しウェハースを回転させて所望の膜厚の膜を形成する塗
布装置において、膜形成直後に非接触膜厚測定装置を用
いて膜厚を測定する手段と、測定した膜厚と所望の膜厚
との差異を求め、次に塗布するウェハースの設定回転数
を変更する手段とを有することを特徴とする塗布装置。 - 【請求項２】 前記ウェハースの回転中に塗布膜厚の変
化をモニターして膜厚変化が無くなった時点で回転を止
める手段を有する請求項１記載の塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1739192A JPH05234869A (ja) | 1992-02-03 | 1992-02-03 | 塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1739192A JPH05234869A (ja) | 1992-02-03 | 1992-02-03 | 塗布装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05234869A true JPH05234869A (ja) | 1993-09-10 |
Family
ID=11942701
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1739192A Withdrawn JPH05234869A (ja) | 1992-02-03 | 1992-02-03 | 塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05234869A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007048836A (ja) * | 2005-08-08 | 2007-02-22 | Tokyo Electron Ltd | 塗布膜のむら検出方法、塗布処理装置および塗布膜のむら検出用プログラム |
| JP2010060385A (ja) * | 2008-09-02 | 2010-03-18 | Shibaura Mechatronics Corp | 液膜厚の測定装置及び測定方法 |
| JP2010062259A (ja) * | 2008-09-02 | 2010-03-18 | Shibaura Mechatronics Corp | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| JP2012074554A (ja) * | 2010-09-29 | 2012-04-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
| US8318247B2 (en) | 2007-09-27 | 2012-11-27 | Tokyo Electron Limited | Coating treatment method, coating treatment apparatus, and computer-readable storage medium |
| JP2015000376A (ja) * | 2013-06-14 | 2015-01-05 | 東ソー株式会社 | 重金属処理剤の必要量決定装置 |
-
1992
- 1992-02-03 JP JP1739192A patent/JPH05234869A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007048836A (ja) * | 2005-08-08 | 2007-02-22 | Tokyo Electron Ltd | 塗布膜のむら検出方法、塗布処理装置および塗布膜のむら検出用プログラム |
| US8318247B2 (en) | 2007-09-27 | 2012-11-27 | Tokyo Electron Limited | Coating treatment method, coating treatment apparatus, and computer-readable storage medium |
| JP2010060385A (ja) * | 2008-09-02 | 2010-03-18 | Shibaura Mechatronics Corp | 液膜厚の測定装置及び測定方法 |
| JP2010062259A (ja) * | 2008-09-02 | 2010-03-18 | Shibaura Mechatronics Corp | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| JP2012074554A (ja) * | 2010-09-29 | 2012-04-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP2015000376A (ja) * | 2013-06-14 | 2015-01-05 | 東ソー株式会社 | 重金属処理剤の必要量決定装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990518 |