JPH02271519A - レジスト塗布装置 - Google Patents
レジスト塗布装置Info
- Publication number
- JPH02271519A JPH02271519A JP9381689A JP9381689A JPH02271519A JP H02271519 A JPH02271519 A JP H02271519A JP 9381689 A JP9381689 A JP 9381689A JP 9381689 A JP9381689 A JP 9381689A JP H02271519 A JPH02271519 A JP H02271519A
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- JP
- Japan
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- resist
- temperature
- viscosity
- wafer
- sensor
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- Pending
Links
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- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 20
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Landscapes
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
レジスト塗布装置（スピンナー）の改善に関し、ロフト
間のレジスト厚さのバラツキを減少させることを目的と
し、 レジスト液滴下アームの先端部分に粘度センサーと温度
センサーとを設け、該粘度センサーと温度センサーによ
ってそれぞれ粘度と温度を検知して、該粘度と温度との
モニター値から所定厚さに塗布するためのウェハー回転
数を計算し、該ウェハー回転数を出力するように構成す
る。
間のレジスト厚さのバラツキを減少させることを目的と
し、 レジスト液滴下アームの先端部分に粘度センサーと温度
センサーとを設け、該粘度センサーと温度センサーによ
ってそれぞれ粘度と温度を検知して、該粘度と温度との
モニター値から所定厚さに塗布するためのウェハー回転
数を計算し、該ウェハー回転数を出力するように構成す
る。
本発明はりソグラフィ技術に用いられるレジスト塗布装
置（スピンナー；スピンコーター）の改善に関する。
置（スピンナー；スピンコーター）の改善に関する。
半導体装置を製造する際、ウェハープロセスにおいては
りソグラフイ技術が必須の技術となっており、ウェハー
にレジスト膜パターンを塗布するための回転式塗布装置
（スピンナー； ５ｐｉｎｎｅｒ）が使用されている。
りソグラフイ技術が必須の技術となっており、ウェハー
にレジスト膜パターンを塗布するための回転式塗布装置
（スピンナー； ５ｐｉｎｎｅｒ）が使用されている。
しかし、そのスピンナーでのレジスト膜の塗布は必ずし
も一定した膜厚に塗布されないという問題があり、本発
明はその対策に関している。
も一定した膜厚に塗布されないという問題があり、本発
明はその対策に関している。
第３図はレジスト塗布装置の機構部概要図を示しており
、ｌはウェハー（被塗布基板）、２はウェハーを真空チ
ャッキングして回転する基板ステージ、３は先端に滴下
ノズルを有するレジスト液ンプである。
、ｌはウェハー（被塗布基板）、２はウェハーを真空チ
ャッキングして回転する基板ステージ、３は先端に滴下
ノズルを有するレジスト液ンプである。
操作はウェハー１を真空チャック方式で基板ステージ２
に吸着保持した後、所要量のレジスト液をレジスト液タ
ンク６からポンプ８によってレジスト液滴下アーム３に
送り出し、そのレジスト液滴下アーム３からウェハー１
面にレジスト液を滴下し、次いで、基板ステージ２を次
第に回転速度を速めて一定回転数で回転させて、レジス
ト液をウェハー１面に一定の厚さに塗布している。この
時、余分のレジスト液はウェハー１より側方に振り飛ば
してウェハー上から除去し、外囲器５の底部に設けた排
出口から排出させている。
に吸着保持した後、所要量のレジスト液をレジスト液タ
ンク６からポンプ８によってレジスト液滴下アーム３に
送り出し、そのレジスト液滴下アーム３からウェハー１
面にレジスト液を滴下し、次いで、基板ステージ２を次
第に回転速度を速めて一定回転数で回転させて、レジス
ト液をウェハー１面に一定の厚さに塗布している。この
時、余分のレジスト液はウェハー１より側方に振り飛ば
してウェハー上から除去し、外囲器５の底部に設けた排
出口から排出させている。
ところで、このようなレジスト塗布装置において、基板
ステージの回転数がレジストの塗布厚さを左右しており
、そのレジストの厚さに関係するのがレジスト液の粘度
で、更に、その粘度は温度によって変化するために、現
在、レジスト液タンク６を恒温槽７に収容してレジスト
液の温度を一定に保つ温度制御方式が採られている。
ステージの回転数がレジストの塗布厚さを左右しており
、そのレジストの厚さに関係するのがレジスト液の粘度
で、更に、その粘度は温度によって変化するために、現
在、レジスト液タンク６を恒温槽７に収容してレジスト
液の温度を一定に保つ温度制御方式が採られている。
かくすれば、数十枚で構成するロッ） （Ｌｏｔ）内で
の各々のウェハーのレジスト厚さを一定に保って、しか
も、１枚のウェハー面内でのレジスト厚さの分布を均一
にすることができる。
の各々のウェハーのレジスト厚さを一定に保って、しか
も、１枚のウェハー面内でのレジスト厚さの分布を均一
にすることができる。
しかし、このレジスト液タンク６の温度制御だけではロ
フト間のレジスト厚さのバラツキを制御することができ
ないことが判ってきた。それはレジスト塗布装置が置か
れている作業室の環境、即ち、室内温度、湿度などがロ
フト間のバラツキに微妙に影響しており、本発明はその
ようなレジスト塗布装置の環境条件を監視して、ロフト
間のレジスト厚さのバラツキを減少させることを可能に
するレジスト塗布装置を提案するものである。
フト間のレジスト厚さのバラツキを制御することができ
ないことが判ってきた。それはレジスト塗布装置が置か
れている作業室の環境、即ち、室内温度、湿度などがロ
フト間のバラツキに微妙に影響しており、本発明はその
ようなレジスト塗布装置の環境条件を監視して、ロフト
間のレジスト厚さのバラツキを減少させることを可能に
するレジスト塗布装置を提案するものである。
その課題は、レジスト液滴下アームの先端部分に粘度セ
ンサーと温度センサーとを設け、該粘度センサーと温度
センサーによってそれぞれ粘度と温度を検知して、該粘
度と温度のモニター（ｗｏｎ ｉ ｔｏｒ；監視）値か
ら所定厚さに塗布するためのウェハー回転数を計算し、
該ウェハー回転数を出力するように構成したレジスト塗
布装置によって解決される。
ンサーと温度センサーとを設け、該粘度センサーと温度
センサーによってそれぞれ粘度と温度を検知して、該粘
度と温度のモニター（ｗｏｎ ｉ ｔｏｒ；監視）値か
ら所定厚さに塗布するためのウェハー回転数を計算し、
該ウェハー回転数を出力するように構成したレジスト塗
布装置によって解決される。
即ち、本発明は、レジスト液滴下アーム３における滴下
ノズルに近接した先端部分に粘度センサーと温度センサ
ーを付設し、その値を絶えず測定して、予め電子計算機
に与えたそれらの値からウェハー回転数を計算して、そ
の回転数によって基板ステージを回転させる。そのとき
、粘度だけでなく、温度のモニター値を必要とするのは
、レジスト液の溶剤が必ずしも温度に正比例して蒸発す
るのではないからである。
ノズルに近接した先端部分に粘度センサーと温度センサ
ーを付設し、その値を絶えず測定して、予め電子計算機
に与えたそれらの値からウェハー回転数を計算して、そ
の回転数によって基板ステージを回転させる。そのとき
、粘度だけでなく、温度のモニター値を必要とするのは
、レジスト液の溶剤が必ずしも温度に正比例して蒸発す
るのではないからである。
そのように、作業室内の環境条件を加味してレジスト塗
布装置の回転数を指示すれば、ロフト間のバラツキをも
減少させることができる。
布装置の回転数を指示すれば、ロフト間のバラツキをも
減少させることができる。
以下、図面を参照しながら実施例によって詳細に説明す
る。
る。
第１図（ａ）〜（Ｃ）は本発明に係わりある６回転数の
調整のための関係図を示しており、第１図（ａ）はレジ
スト温度（レジスト液滴下アームの先端部分におけるレ
ジスト温度）とレジスト厚さとの関係図。
調整のための関係図を示しており、第１図（ａ）はレジ
スト温度（レジスト液滴下アームの先端部分におけるレ
ジスト温度）とレジスト厚さとの関係図。
同図（ｂ）はレジスト粘度とレジスト厚さとの関係図。
同図（Ｃ）は回転数とレジスト厚さとの関係図である。
第１図（ａ）、 （ｂ）は回転数４００Ｏｒｐｍにおけ
るデータ例であるが、この回転数を変化させた複数のデ
ータを作成し、これを電子計算機に入力して付加してお
く。第１図（ａ）から判るように、レジスト液の溶剤の
蒸発温度が一定しておらず、３０°Ｃに近づくと急に蒸
発速度が速くなる。また、一定温度においても時間の経
過とともに溶剤が蒸発して粘度が変化する。従って、こ
の温度と粘度との両方のデータから係数を算出して計算
し、それによって回転数を修正して、第１図（Ｃ）に示
すレジスト厚さと回転数との関係図を基にして所定厚さ
（例えば、厚さ１．２μｍ）のレジスト膜を得るための
回転数を電子計算機から出力する。そして、そのウェハ
ー回転数をモータに与える。
るデータ例であるが、この回転数を変化させた複数のデ
ータを作成し、これを電子計算機に入力して付加してお
く。第１図（ａ）から判るように、レジスト液の溶剤の
蒸発温度が一定しておらず、３０°Ｃに近づくと急に蒸
発速度が速くなる。また、一定温度においても時間の経
過とともに溶剤が蒸発して粘度が変化する。従って、こ
の温度と粘度との両方のデータから係数を算出して計算
し、それによって回転数を修正して、第１図（Ｃ）に示
すレジスト厚さと回転数との関係図を基にして所定厚さ
（例えば、厚さ１．２μｍ）のレジスト膜を得るための
回転数を電子計算機から出力する。そして、そのウェハ
ー回転数をモータに与える。
第２図は本発明にかかるレジスト塗布装置の回転数の制
御系を示すシステム図であり、３はレジスト液滴下アー
ム、４はモータ、１１は粘度センサ、１２は温度センサ
ー、 １３．１４はＡＤ変換器、１５゜１６は増幅器、
１７は電子計算機、１８はモータ制御部である。図のよ
うに、粘度センサー１１および温度センサー１２をレジ
スト液滴下アーム３の先端部分に付設し、その測定値を
それぞれＡＤ変換器１３゜１４と増幅器１５．１６を経
て電子計算機１７に入力する。
御系を示すシステム図であり、３はレジスト液滴下アー
ム、４はモータ、１１は粘度センサ、１２は温度センサ
ー、 １３．１４はＡＤ変換器、１５゜１６は増幅器、
１７は電子計算機、１８はモータ制御部である。図のよ
うに、粘度センサー１１および温度センサー１２をレジ
スト液滴下アーム３の先端部分に付設し、その測定値を
それぞれＡＤ変換器１３゜１４と増幅器１５．１６を経
て電子計算機１７に入力する。
そして、電子計算機１７によって所定厚さのレジスト膜
を得るための適切な回転数を求め、それを出力してモー
タ制御部１８からモータ４に入力する。
を得るための適切な回転数を求め、それを出力してモー
タ制御部１８からモータ４に入力する。
かようにすれば、従来のロフト（Ｌｏｔ）内でのレジス
ト厚さの均一化に加えて、ロット間のレジスト厚さの変
化を減少させる効果が得られ、リングラフィ技術におけ
るレジスト膜パターンの品質を向上させることができる
。
ト厚さの均一化に加えて、ロット間のレジスト厚さの変
化を減少させる効果が得られ、リングラフィ技術におけ
るレジスト膜パターンの品質を向上させることができる
。
〔発明の効果］
上記の説明から明らかなように、本発明によれば従来の
塗布装置に比べて、絶えずレジスト厚みを一定に揃えた
高品質なレジスト膜パターンが得られ、ＩＣ，ＬＳＩな
ど半導体装置の品質、信頼性の向上に役立つものである
。
塗布装置に比べて、絶えずレジスト厚みを一定に揃えた
高品質なレジスト膜パターンが得られ、ＩＣ，ＬＳＩな
ど半導体装置の品質、信頼性の向上に役立つものである
。
第１図は本発明に係わりある回転数の調整のための関係
図、 第２図は本発明にかかるレジスト塗布装置の回転数の制
御系を示すシステム図、 第３図はレジスト塗布装置の機構部概要図である。 図において、 ３はレジスト液滴下アーム、 ４はモータ、 ５は外囲器、 ６はレジスト液タンク、７は恒温層または恒温部、８は
ポンプ、 １１は粘度センサー １２は温度センサー１３、１
４はＡＤ変換器、 １５．１６は増幅器、１７は電子計
算機、 １８はモータ制御部を示している。 ｊ１ｇ２図
図、 第２図は本発明にかかるレジスト塗布装置の回転数の制
御系を示すシステム図、 第３図はレジスト塗布装置の機構部概要図である。 図において、 ３はレジスト液滴下アーム、 ４はモータ、 ５は外囲器、 ６はレジスト液タンク、７は恒温層または恒温部、８は
ポンプ、 １１は粘度センサー １２は温度センサー１３、１
４はＡＤ変換器、 １５．１６は増幅器、１７は電子計
算機、 １８はモータ制御部を示している。 ｊ１ｇ２図
Claims (1)
- レジスト液滴下アームの先端部分に粘度センサーと温度
センサーとを設け、該粘度センサーと温度センサーによ
つてそれぞれ粘度と温度を検知して、該粘度と温度のモ
ニター値から所定厚さに塗布するためのウェハー回転数
を計算し、該ウェハー回転数を出力するように構成した
ことを特徴とするレジスト塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9381689A JPH02271519A (ja) | 1989-04-12 | 1989-04-12 | レジスト塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9381689A JPH02271519A (ja) | 1989-04-12 | 1989-04-12 | レジスト塗布装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02271519A true JPH02271519A (ja) | 1990-11-06 |
Family
ID=14092925
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9381689A Pending JPH02271519A (ja) | 1989-04-12 | 1989-04-12 | レジスト塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02271519A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH038469A (ja) * | 1989-06-05 | 1991-01-16 | Tokyo Electron Ltd | 塗布装置 |
| WO2001071425A3 (en) * | 2000-03-20 | 2002-04-04 | Silicon Valley Group | Method for two dimensional adaptive process control of critical dimensions during spin coating process |
-
1989
- 1989-04-12 JP JP9381689A patent/JPH02271519A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH038469A (ja) * | 1989-06-05 | 1991-01-16 | Tokyo Electron Ltd | 塗布装置 |
| WO2001071425A3 (en) * | 2000-03-20 | 2002-04-04 | Silicon Valley Group | Method for two dimensional adaptive process control of critical dimensions during spin coating process |
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