JPH01207164A - 回転塗布装置 - Google Patents
回転塗布装置Info
- Publication number
- JPH01207164A JPH01207164A JP3207588A JP3207588A JPH01207164A JP H01207164 A JPH01207164 A JP H01207164A JP 3207588 A JP3207588 A JP 3207588A JP 3207588 A JP3207588 A JP 3207588A JP H01207164 A JPH01207164 A JP H01207164A
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- JP
- Japan
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- substrate
- wafer
- arithmetic control
- gas
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- Pending
Links
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- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 9
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- 239000007921 spray Substances 0.000 claims 1
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
- B05C11/02—Apparatus for spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to a surface ; Controlling means therefor; Control of the thickness of a coating by spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to the coated surface
- B05C11/08—Spreading liquid or other fluent material by manipulating the work, e.g. tilting
Landscapes
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、基板上に薬液を回転塗布する装置、特に半導
体製造過程におけるリソグラフィー工程のフォトレジス
トを半導体基板（以下ウェハーと称す）に回転塗布する
装置に関する。
体製造過程におけるリソグラフィー工程のフォトレジス
トを半導体基板（以下ウェハーと称す）に回転塗布する
装置に関する。
従来のこの種の塗布装置を第３図を用いて説明する０図
において、カップ１内にスピンナー２が設定され、ウェ
ハー３は、スピンナー２に真空吸着され、デイスペンサ
ー６より定量のレジストがウェハー３の上に滴下される
。スピンナー２は、モータ５により低速回転から、高速
回転迄シーゲンシャルに回転する。
において、カップ１内にスピンナー２が設定され、ウェ
ハー３は、スピンナー２に真空吸着され、デイスペンサ
ー６より定量のレジストがウェハー３の上に滴下される
。スピンナー２は、モータ５により低速回転から、高速
回転迄シーゲンシャルに回転する。
レジストはウェハー３の上に滴下され、レジストは遠心
力作用を受けて、外周方向に拡がり、ウェハー３上に薄
膜として塗布される。
力作用を受けて、外周方向に拡がり、ウェハー３上に薄
膜として塗布される。
上述した従来の回転塗布装置においては、レジ 。
スト膜厚の制御はレジスト粘度、滴下量、スピンナー回
転のシーケンス制御、カップの排気量などを制御項目と
して行っていた。
転のシーケンス制御、カップの排気量などを制御項目と
して行っていた。
しかし、プロセス中のレジスト膜厚を直接モニターして
はいないため、上述した制御項目の要素が変化すると、
直ちにレジスト膜厚に影響を与えるものであった。
はいないため、上述した制御項目の要素が変化すると、
直ちにレジスト膜厚に影響を与えるものであった。
また回転の中心部と外周部とでは遠心力が太きく異なる
ため、ウェハー面内でのレジスト膜厚め均一性も十分な
ものではなかった。しかるに最近要求される最小加工線
１１がサブミクロンへと一段と厳しくなっており、従来
技術で得られるレジスト膜厚の均一性には満足できない
ものとなってきた。ここに、均一性とはウェハー面内、
ウェハー間、バッチ間の全てを含むものである。これら
不均一性は直接加工線中のバラツキに影響し、ひいては
製品歩留りを悪くするという欠点があった。
ため、ウェハー面内でのレジスト膜厚め均一性も十分な
ものではなかった。しかるに最近要求される最小加工線
１１がサブミクロンへと一段と厳しくなっており、従来
技術で得られるレジスト膜厚の均一性には満足できない
ものとなってきた。ここに、均一性とはウェハー面内、
ウェハー間、バッチ間の全てを含むものである。これら
不均一性は直接加工線中のバラツキに影響し、ひいては
製品歩留りを悪くするという欠点があった。
本発明の目的は上記問題点を解消した塗布装置を提供す
ることにある。
ることにある。
〔発明の従来技術に対する相違点」
上述した従来の回転塗布装置は目゛的とするレジスト膜
の均一塗布に際し、そのセンシング手段を有せず、他の
代用プロセス条件で制御を行うため、いわば開ループ制
御であった。これに対し、本発明は、レジスト膜厚めイ
ンプロセスモニターを設置し、この信号によってウェハ
ー中心、外周の均一性、又目的とする膜厚からの偏差を
入力し、吹き付はガス流量やスピンナーの回転数へフィ
ードバック制御を行う閉ループ制御を行うという相違点
を有する。
の均一塗布に際し、そのセンシング手段を有せず、他の
代用プロセス条件で制御を行うため、いわば開ループ制
御であった。これに対し、本発明は、レジスト膜厚めイ
ンプロセスモニターを設置し、この信号によってウェハ
ー中心、外周の均一性、又目的とする膜厚からの偏差を
入力し、吹き付はガス流量やスピンナーの回転数へフィ
ードバック制御を行う閉ループ制御を行うという相違点
を有する。
上記目的を達成するため、本発明に係る、基板を吸着回
転するスピンナー部と、該基板表面に薬液を滴下するデ
ィスペンサー部と、これらスピンナー部及び基板を覆う
カップ部とを備えた回転塗布装置においては、基板表面
の薬液の厚さを測定する計測手段と、基板の回転中心部
分にガスを吹きつけるガスノズルと、計測手段からの厚
さ信号により基板回転の回転数制御あるいはガス吹き出
し流量制御を行う演算制御部とを有するものである。
転するスピンナー部と、該基板表面に薬液を滴下するデ
ィスペンサー部と、これらスピンナー部及び基板を覆う
カップ部とを備えた回転塗布装置においては、基板表面
の薬液の厚さを測定する計測手段と、基板の回転中心部
分にガスを吹きつけるガスノズルと、計測手段からの厚
さ信号により基板回転の回転数制御あるいはガス吹き出
し流量制御を行う演算制御部とを有するものである。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
（実施例１）
第１図は本発明の実施例１の縦断面模式図である。
図において、カップ１はスピンナー２を覆うもので、下
部に排気とレジストドレイン共用のドレイン口４が設け
である。スピンナー２はモータ５で駆動されウェハー３
を真空吸着し、低速回転から高速回転迄シーケンシャル
に回転するものである。デイスペンサー６は、カップ１
内に挿入され、定量ポンプより送られてきた一定菫のレ
ジストをウェハー上に滴下させるノズルである。ガス吹
き出しノズル７はカップ１内に臨ませてウェハー３の直
上に向き合せて設置され、ガス流量制御器８から供給さ
れた不活性ガスをウェハー３の中央部へ吹き付けるため
のものである。レジスト膜厚測定用センサー９．１０は
それぞれウェハー３の中央部と、外周部との膜厚を測定
するもので、各々対応する位置にセットしである。
部に排気とレジストドレイン共用のドレイン口４が設け
である。スピンナー２はモータ５で駆動されウェハー３
を真空吸着し、低速回転から高速回転迄シーケンシャル
に回転するものである。デイスペンサー６は、カップ１
内に挿入され、定量ポンプより送られてきた一定菫のレ
ジストをウェハー上に滴下させるノズルである。ガス吹
き出しノズル７はカップ１内に臨ませてウェハー３の直
上に向き合せて設置され、ガス流量制御器８から供給さ
れた不活性ガスをウェハー３の中央部へ吹き付けるため
のものである。レジスト膜厚測定用センサー９．１０は
それぞれウェハー３の中央部と、外周部との膜厚を測定
するもので、各々対応する位置にセットしである。
１１はウェハー３の裏面にレジストが回り込むことを防
止するため、ウェハー３の周辺の下方から斜上に向けて
空気を吹き出すノズルである。
止するため、ウェハー３の周辺の下方から斜上に向けて
空気を吹き出すノズルである。
演算制御部１２はセンサ９，１０からの信号、すなわち
ウェハー３の中央部と、外周部との膜厚の差及びそれぞ
れ目的とする膜厚からの偏差とを信号として入力する。
ウェハー３の中央部と、外周部との膜厚の差及びそれぞ
れ目的とする膜厚からの偏差とを信号として入力する。
演算制御部１２では、この入力信号に基き、一定のアル
ゴリズムにて、ガス流量についてはガス流量制御器８に
、スピンナーの回転数については、モータ５に対し各々
制御出力を行うものである。
ゴリズムにて、ガス流量についてはガス流量制御器８に
、スピンナーの回転数については、モータ５に対し各々
制御出力を行うものである。
（実施例２）
第２図に本発明の実施例２の縦断面模式図を示す０図に
おいて、その構成は実施例１と基本的に同じであるが、
カップ１の構造が異なっている。
おいて、その構成は実施例１と基本的に同じであるが、
カップ１の構造が異なっている。
すなわち、本実施例ではカップ１はウェハー３の上方を
全て覆う構造となっており、その一部にガス吹き出しノ
ズル７が開口されている。
全て覆う構造となっており、その一部にガス吹き出しノ
ズル７が開口されている。
ドレイン口４からの排気量すなわち、カップ上方から流
れ込む大気の量が、レジスト膜厚の均一性に重大に関与
することは一般に知られているが、本実施例では、ウェ
ハー３の上方に開口が無いため、ガス流量制御器８によ
って送り込まれるガス量に依存し、大気の影響は受けに
くく、より一層レジスト膜厚の均一性が得られるという
利点がある。
れ込む大気の量が、レジスト膜厚の均一性に重大に関与
することは一般に知られているが、本実施例では、ウェ
ハー３の上方に開口が無いため、ガス流量制御器８によ
って送り込まれるガス量に依存し、大気の影響は受けに
くく、より一層レジスト膜厚の均一性が得られるという
利点がある。
以上説明したように本発明によれば、目的とするレジス
ト膜均一塗布を測定する手段を有し、これによって均一
性に特に大きく影響するプロセスパラメータをフィード
バック制御することにより常に均一なレジスト塗布膜を
得ることができる。
ト膜均一塗布を測定する手段を有し、これによって均一
性に特に大きく影響するプロセスパラメータをフィード
バック制御することにより常に均一なレジスト塗布膜を
得ることができる。
すなわち、本発明によれば要求する膜厚のレジスト膜と
面内均一にさらにウェハー間、バッチ間にバラツキのき
わめて少ない状態で得ることができる。
面内均一にさらにウェハー間、バッチ間にバラツキのき
わめて少ない状態で得ることができる。
さらに、要求膜厚変更、あるいはレジストそのものの変
更といった場合でも、プロセスの条件出しにごく短時間
で実施できるという効果がある。
更といった場合でも、プロセスの条件出しにごく短時間
で実施できるという効果がある。
第１図は本発明の実施例１の縦断面模式図、第２図は本
発明の実施例２の縦断面模式図、第３図は従来例の縦断
面模式図である。 ｌ・・・カップ ２・・・スピンナー３・・
・ウェハー ４・・・ドレイン口５・・・モー
タ ６・・・デイスペンサー７・・・ガス吹
き出しノズル ８・・・ガス流量制御器 ９．１０・・・センサー１
１・・・エアノズル １２・・・演算制御部特許
出願人 日本電気株式会社 代 理 人 弁理士 菅 野 中 、
・。 ・−ノ ゛・経・矛 ）１２演算制郡萄 第１図 第２図
発明の実施例２の縦断面模式図、第３図は従来例の縦断
面模式図である。 ｌ・・・カップ ２・・・スピンナー３・・
・ウェハー ４・・・ドレイン口５・・・モー
タ ６・・・デイスペンサー７・・・ガス吹
き出しノズル ８・・・ガス流量制御器 ９．１０・・・センサー１
１・・・エアノズル １２・・・演算制御部特許
出願人 日本電気株式会社 代 理 人 弁理士 菅 野 中 、
・。 ・−ノ ゛・経・矛 ）１２演算制郡萄 第１図 第２図
Claims (1)
- １、基板を吸着回転するスピンナー部と、該基板表面に
薬液を滴下するディスペンサー部と、これらスピンナー
部及び基板を覆うカップ部とを備えた回転塗布装置にお
いて、基板表面の薬液の厚さを測定する計測手段と、基
板の回転中心部分にガスを吹き付けるガスノズルと、計
測手段からの厚さ信号により基板回転の回転数制御ある
いはガス吹き出し流量制御を行う演算制御部とを有する
ことを特徴とする回転塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3207588A JPH01207164A (ja) | 1988-02-15 | 1988-02-15 | 回転塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3207588A JPH01207164A (ja) | 1988-02-15 | 1988-02-15 | 回転塗布装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01207164A true JPH01207164A (ja) | 1989-08-21 |
Family
ID=12348759
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3207588A Pending JPH01207164A (ja) | 1988-02-15 | 1988-02-15 | 回転塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01207164A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0595749A2 (en) * | 1992-10-30 | 1994-05-04 | International Business Machines Corporation | In situ resist control during spray and spin in vapor |
| EP1271245A2 (en) * | 2001-06-14 | 2003-01-02 | Nec Corporation | Applying apparatus and method of controlling film thickness for enabling uniform thickness |
| JP2008060462A (ja) * | 2006-09-01 | 2008-03-13 | Tokyo Electron Ltd | 塗布処理方法、プログラム、コンピュータ読み取り可能な記録媒体及び塗布処理装置 |
| JP2013000641A (ja) * | 2011-06-15 | 2013-01-07 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 基板収容装置 |
| JP2017107919A (ja) * | 2015-12-07 | 2017-06-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布膜形成方法、塗布膜形成装置及び記憶媒体 |
| CN107051831A (zh) * | 2015-11-16 | 2017-08-18 | 东京毅力科创株式会社 | 涂敷膜形成方法和涂敷膜形成装置 |
| CN110673445A (zh) * | 2019-09-24 | 2020-01-10 | 浙江集迈科微电子有限公司 | 一种超厚胶膜的平坦化处理方法 |
-
1988
- 1988-02-15 JP JP3207588A patent/JPH01207164A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0595749A2 (en) * | 1992-10-30 | 1994-05-04 | International Business Machines Corporation | In situ resist control during spray and spin in vapor |
| EP0595749A3 (en) * | 1992-10-30 | 1994-07-13 | Ibm | In situ resist control during spray and spin in vapor |
| EP1271245A2 (en) * | 2001-06-14 | 2003-01-02 | Nec Corporation | Applying apparatus and method of controlling film thickness for enabling uniform thickness |
| EP1271245A3 (en) * | 2001-06-14 | 2003-01-22 | Nec Corporation | Applying apparatus and method of controlling film thickness for enabling uniform thickness |
| JP2008060462A (ja) * | 2006-09-01 | 2008-03-13 | Tokyo Electron Ltd | 塗布処理方法、プログラム、コンピュータ読み取り可能な記録媒体及び塗布処理装置 |
| JP2013000641A (ja) * | 2011-06-15 | 2013-01-07 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 基板収容装置 |
| TWI568502B (zh) * | 2011-06-15 | 2017-02-01 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Substrate storage device |
| CN107051831A (zh) * | 2015-11-16 | 2017-08-18 | 东京毅力科创株式会社 | 涂敷膜形成方法和涂敷膜形成装置 |
| US10672606B2 (en) | 2015-11-16 | 2020-06-02 | Tokyo Electron Limited | Coating film forming method, coating film forming apparatus, and storage medium |
| JP2017107919A (ja) * | 2015-12-07 | 2017-06-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布膜形成方法、塗布膜形成装置及び記憶媒体 |
| CN110673445A (zh) * | 2019-09-24 | 2020-01-10 | 浙江集迈科微电子有限公司 | 一种超厚胶膜的平坦化处理方法 |
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