JPH0325938A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造装置Info
- Publication number
- JPH0325938A JPH0325938A JP16154589A JP16154589A JPH0325938A JP H0325938 A JPH0325938 A JP H0325938A JP 16154589 A JP16154589 A JP 16154589A JP 16154589 A JP16154589 A JP 16154589A JP H0325938 A JPH0325938 A JP H0325938A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- temperature
- base body
- etching
- holding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 44
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 34
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半桿体装置の製造装置に関し、特に半導体基板
表面へエッチング液を墳霧しパターン加工を行なう半導
体装置の製造装置に関する。
表面へエッチング液を墳霧しパターン加工を行なう半導
体装置の製造装置に関する。
従来、この種の半導体装置の製造装置、例えばスピン処
理機構は、半導体基板が真空吸着され支持された基体を
回転させて、ある温度に温調されたエッチング液をこの
半導体基板表面に噴出あるいは噴霧し、パターン加工を
行なっていた。
理機構は、半導体基板が真空吸着され支持された基体を
回転させて、ある温度に温調されたエッチング液をこの
半導体基板表面に噴出あるいは噴霧し、パターン加工を
行なっていた。
上記エッチング液は、液供給源からの配管により温調部
を介してエッチング室内のノズルへと送られるようにな
っている。
を介してエッチング室内のノズルへと送られるようにな
っている。
上述した従来のスピン処理機構の半導体装置の製造装置
は、半導体基板表面に滴下された薬液が半導体基板との
温度差により、又は半導体基板面への広がり状態によっ
て温度不均一を生じ、半導体基板上のエツチレートばら
つきを誘発させ、面内パターン均一性が悪くなり、半導
体装置の歩留り低下を招くという欠点がある。
は、半導体基板表面に滴下された薬液が半導体基板との
温度差により、又は半導体基板面への広がり状態によっ
て温度不均一を生じ、半導体基板上のエツチレートばら
つきを誘発させ、面内パターン均一性が悪くなり、半導
体装置の歩留り低下を招くという欠点がある。
本発明は、液供給源から温調器を経由してエッチング室
に設けられたノズルに配管し、このノズルからエッチン
グ液を噴出させて半導体基板のエッチングを行う半導体
装置の製造装置において、半導体基板を保持する基体内
部に半導体基板の温度を均一化するための温調手段を設
けた半導体装置の製造装置である。
に設けられたノズルに配管し、このノズルからエッチン
グ液を噴出させて半導体基板のエッチングを行う半導体
装置の製造装置において、半導体基板を保持する基体内
部に半導体基板の温度を均一化するための温調手段を設
けた半導体装置の製造装置である。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例の断面図である．本発明
の半導体装置の製造装置は、選択的にエッチング処理加
工を行う装置であり、半導体基板を真空吸着する基体４
を有し、この基体４内部に、半導体基板１の表面温度を
一定に保つための温調部２を備え、これは外部の温調器
３へと接続されており、温度コントロールされる。
の半導体装置の製造装置は、選択的にエッチング処理加
工を行う装置であり、半導体基板を真空吸着する基体４
を有し、この基体４内部に、半導体基板１の表面温度を
一定に保つための温調部２を備え、これは外部の温調器
３へと接続されており、温度コントロールされる。
更に、基体４は回転運動するためにモーター６へ接続さ
れており、半導体基板ｌの上方部には、半導体基板１表
面にパターン加工する為のエッチング液を噴出させるノ
ズル７を有し、ノズル７は液温調整の温調器３を通り液
供給源５へと接続されている。エッチング室内は、上蓋
８及び下蓋９を備えており、上蓋８には前述したノズル
７を配置し下蓋９には排液口１０が備えられている。
れており、半導体基板ｌの上方部には、半導体基板１表
面にパターン加工する為のエッチング液を噴出させるノ
ズル７を有し、ノズル７は液温調整の温調器３を通り液
供給源５へと接続されている。エッチング室内は、上蓋
８及び下蓋９を備えており、上蓋８には前述したノズル
７を配置し下蓋９には排液口１０が備えられている。
又、基体４は回転するため、温調部２と温調器３との間
に回転リングとブラシを設け、電気的接続を行う．更に
、半導体基板１を保持する基体４には熱伝導性の良い保
持板（図示せず）を配置し、その内部に温調部２を配置
してある。
に回転リングとブラシを設け、電気的接続を行う．更に
、半導体基板１を保持する基体４には熱伝導性の良い保
持板（図示せず）を配置し、その内部に温調部２を配置
してある。
第２図は本発明の第２の実施例の断面図である．基体４
内の温調部は、周辺部の温調部２ａと中央部の温調部２
ｂとに分かれ、それぞれ温調器３ａ．３ｂへとつながっ
ており、温度コントロールされている．この実施例では
、第１の実施例と比べ、更に半導体基板１の表面の温度
を細かく管理することができ、半導体基板１の面内のパ
ターン加工精度を向上できる利点がある。
内の温調部は、周辺部の温調部２ａと中央部の温調部２
ｂとに分かれ、それぞれ温調器３ａ．３ｂへとつながっ
ており、温度コントロールされている．この実施例では
、第１の実施例と比べ、更に半導体基板１の表面の温度
を細かく管理することができ、半導体基板１の面内のパ
ターン加工精度を向上できる利点がある。
以上説明したように本発明は、半導体基板表面に滴下さ
れた薬液の温度不均一による面内パターン均一性の低下
を防ぐ為、半導体基板を保持する基体内部に配置される
温調機構により半導体基板表面全体の温度を均一に保つ
ことで、結果的に滴下されるエッチング液の温度の均一
性も良くなる為に、半導体基板のエッチングによる加工
精度の面内均一性が良好になり、半導体装置の製造にお
ける歩留り向上への効果が期待できる。
れた薬液の温度不均一による面内パターン均一性の低下
を防ぐ為、半導体基板を保持する基体内部に配置される
温調機構により半導体基板表面全体の温度を均一に保つ
ことで、結果的に滴下されるエッチング液の温度の均一
性も良くなる為に、半導体基板のエッチングによる加工
精度の面内均一性が良好になり、半導体装置の製造にお
ける歩留り向上への効果が期待できる。
第１図は本発明の第１の実施例の断面図、第２図は本発
明の第２の実施例の断面図である。 １・・・半導体基板、２．２ａ．２ｂ・・・温調部、３
．３ａ，３ｂ・・・温調器、４・・・基体、５・・・液
供給源、６・・・モーター ７・・・ノズル、８・・・
上蓋、９・・・下蓋、１０・・・排液口．
明の第２の実施例の断面図である。 １・・・半導体基板、２．２ａ．２ｂ・・・温調部、３
．３ａ，３ｂ・・・温調器、４・・・基体、５・・・液
供給源、６・・・モーター ７・・・ノズル、８・・・
上蓋、９・・・下蓋、１０・・・排液口．
Claims (1)
- 液供給源から温調器を経由してエッチング室に設けられ
たノズルに配管し、このノズルからエッチング液を噴出
させて半導体基板のエッチングを行う半導体装置の製造
装置において、半導体基板を保持する基体内部に半導体
基板の温度を均一化するための温調手段を設けたことを
特徴とする半導体装置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16154589A JPH0325938A (ja) | 1989-06-23 | 1989-06-23 | 半導体装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16154589A JPH0325938A (ja) | 1989-06-23 | 1989-06-23 | 半導体装置の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0325938A true JPH0325938A (ja) | 1991-02-04 |
Family
ID=15737143
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16154589A Pending JPH0325938A (ja) | 1989-06-23 | 1989-06-23 | 半導体装置の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0325938A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005015913A (ja) * | 2003-06-03 | 2005-01-20 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板のエッチング処理方法およびエッチング処理装置 |
| WO2006103773A1 (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-05 | Mimasu Semiconductor Industry Co., Ltd. | スピン処理方法及び装置 |
| JP2007149986A (ja) * | 2005-11-28 | 2007-06-14 | Hitachi High-Technologies Corp | 基板処理装置、基板処理方法、及び基板の製造方法 |
| JP2010062288A (ja) * | 2008-09-03 | 2010-03-18 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 基板処理装置及びシリコン基板の不純物分析方法 |
| JP2010067819A (ja) * | 2008-09-11 | 2010-03-25 | Shibaura Mechatronics Corp | 基板の処理装置及び処理方法 |
-
1989
- 1989-06-23 JP JP16154589A patent/JPH0325938A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005015913A (ja) * | 2003-06-03 | 2005-01-20 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板のエッチング処理方法およびエッチング処理装置 |
| WO2006103773A1 (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-05 | Mimasu Semiconductor Industry Co., Ltd. | スピン処理方法及び装置 |
| JP2007149986A (ja) * | 2005-11-28 | 2007-06-14 | Hitachi High-Technologies Corp | 基板処理装置、基板処理方法、及び基板の製造方法 |
| JP4557872B2 (ja) * | 2005-11-28 | 2010-10-06 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 基板処理装置、基板処理方法、及び基板の製造方法 |
| JP2010062288A (ja) * | 2008-09-03 | 2010-03-18 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 基板処理装置及びシリコン基板の不純物分析方法 |
| JP2010067819A (ja) * | 2008-09-11 | 2010-03-25 | Shibaura Mechatronics Corp | 基板の処理装置及び処理方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100696025B1 (ko) | Ｃｍｐ의 균일성을 개선시키는 방법 및 장치 | |
| KR101047821B1 (ko) | 향상된 웨이퍼 세정 방법 | |
| JP5839523B2 (ja) | 枚葉式ウェハエッチング装置 | |
| US20020063169A1 (en) | Wafer spray configurations for a single wafer processing apparatus | |
| JP3958106B2 (ja) | 基板エッチング方法および基板エッチング装置 | |
| JP3194037B2 (ja) | 枚葉回転処理方法及びその装置 | |
| JPH05243191A (ja) | ドライエッチング装置 | |
| JP2008523983A (ja) | 独立型カセット回転を用いたバッチスプレイ処理における改善された均一性 | |
| JPH0325938A (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
| JPH01207164A (ja) | 回転塗布装置 | |
| JPH0610194A (ja) | めっき装置 | |
| JPS63133526A (ja) | レジスト塗布方法 | |
| JPH0462831A (ja) | ホトレジスト塗布方法 | |
| JPH04379B2 (ja) | ||
| JPH1154482A (ja) | 半導体装置の製造方法および装置ならびにワークの処理方法 | |
| US11398391B2 (en) | Substrate processing apparatus and method for processing substrate | |
| JP2003037097A (ja) | 表面処理装置及び表面処理方法 | |
| JPH08279484A (ja) | 半導体ウェハのエッチング方法及び装置 | |
| JP2002105647A (ja) | 基板処理装置 | |
| KR19990031425U (ko) | 반도체 화학기상증착장비 | |
| JPS6036676A (ja) | 板状物処理装置 | |
| JPH02134813A (ja) | レジストの塗布方法 | |
| KR100253088B1 (ko) | 반도체장치 제조용 건식식각장치 | |
| JPH0453223A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP3939209B2 (ja) | ウェハー用めっき方法 |