JPH0610194A - めっき装置 - Google Patents

めっき装置

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Publication number
JPH0610194A
JPH0610194A JP17222592A JP17222592A JPH0610194A JP H0610194 A JPH0610194 A JP H0610194A JP 17222592 A JP17222592 A JP 17222592A JP 17222592 A JP17222592 A JP 17222592A JP H0610194 A JPH0610194 A JP H0610194A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
inner tank
plating
wafer
jig
plating solution
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP17222592A
Other languages
English (en)
Inventor
Mariko Kato
真理子 加藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPH0610194A publication Critical patent/JPH0610194A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】 【目的】ウェーハ3のマスク面より露出する多数の下地
金属のそれぞれを均一な厚さにめっきする。 【構成】外槽1内の供給口7aと内槽5の噴出口7bと
を柔軟な可撓配管である可撓断手で連結し、外槽1内で
内槽5が水平移動出来るようにし、この内槽5を周期的
に押す板カム10とこの板カムを回転させる回転軸11
とを設け、ポンプ6によって生ずるめっき液の盛上り形
状を変えない程度で内槽5を周期的に移動させ、ウェー
ハ3の全面にめっき液を一様に接触させ、面内にある多
数の下地金属に均一にめっきする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板(以下単に
ウェーハと呼ぶ)の絶縁膜より露出する下地金属にめっ
き液を噴流させ所望の金属を披着するめっき装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】図3は従来の一例を示すめっき装置の模
式断面図である。従来、この種のめっき装置は、例え
ば、図3に示すように、被めっき物であるウェーハ3を
吸着し陰極22である治具4と、ウェーハ3に噴流する
めっき液を更新しながら貯える内槽5と、内槽内に配置
される鋼状の陽極21と、噴流して内槽5よりオーバー
フローするめっき液2を貯える外槽1と、この外槽1の
排出口からのめっき液を更新させ内槽5の供給口7のよ
りめっき液2を圧送するポンプ6とで構成されていた。
【0003】このようなめっき装置を使用してウェーハ
に形成された半導体集積回路におけるバンプ電極をめっ
きする場合は、まず、ウェーハ3をめっき液2に対して
素子形成面を向けて治具4に取付ける。次に、めっき液
2をポンプ6の動作により、噴流させる。これと同時に
陰極22である治具4と鋼状陽極21との間に電流を流
し、めっき液2の噴流を維持しながら、バンプ電極に金
などの金属を被覆させる。
【0004】このようにウェーハのフォトレジスト膜に
多数のバンプ電極を露出している場合は、めっき層を形
成させるのに、一様に金属層を被着させることが出来、
かつ生産性が優れていることから、パンプめっきはバン
プ電極形成には主に用いられてきた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】従来の金属めっき装置
では、めっき液を噴流させ液面に盛上りを形成し、ウェ
ーハに全面に接触させているものの、噴出で盛上る液面
レベルの中央部に金属イオンが集中することや噴出力が
変動し、ウェーハの周辺部にめっき液が、接触しないこ
とがしばしば起る。このため、ウェーハの中央部にある
ハンプ電極には厚く、周辺部では薄くなる。
【0006】この対策としてめっき時間を長くし、周辺
部の膜厚を所定の厚さにすると、周辺部以外のウェーハ
表面では、膜厚が更に厚さを増し、パターンニングした
フォトレジスト膜の膜厚よりも、金メッキ膜の膜厚のほ
うが厚くなり、フォトレジスト膜より突出したバンプ電
極がはみ出し、互いに連結され短絡するといった問題が
あった。さらに、バンプ電極の高さのばらつきを生じさ
せ、リードとの接続の際に、接続不良をも起すといった
問題があった。
【0007】本発明の目的はウェーハ面内にあるバンプ
電極に一様なめっき膜を被着することの出来るめっき装
置を提供することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明のめっき装置は、
めっき液を貯える内槽と、内槽よりオーバフローする前
記めっき液を収納する外槽と、この外槽により回収され
る前記めっき液を更新し前記内槽に戻す循環ポンプと、
こと循環ポンプによって生ずる前記内槽の液面の盛上部
に半導体基板の被めっき面を接触させこの半導体基板を
保持する治具を有するめっき装置において、この治具と
前記液面の盛上り部とを水平面内で相対的に周期的移動
させる移動機構を備えている。また、前記移動機構の一
例は、前記外槽の液供給口と前記内槽の噴流行とを可撓
管で継ぎ、前記内槽を前記外槽内で水平移動させる機構
である。さらに他の前記移動機構は、前記治具を偏芯し
て取付ける水平回転板と、この水平回転板を回転させる
手段と、前記治具を自転させる手段とを備えている。
【0009】
【実施例】次に、本発明にいて図面を参照して説明す
る。
【0010】図1(a)〜(c)は、本発明のめっき装
置の一実施例を示す装置の模式断面図及び平面図であ
る。このめっき装置は、図1(a)に示すように、外槽
1の供給口7aと内槽5の噴出口7bとを可撓継手9で
連結し、内槽5が外槽1のめっき液2に浮び可撓継手9
の可撓範囲内で移動出来るようにし、一端に板カム10
を取付ける回転軸11を設け、回転軸11の回転により
板カム10の側面を内槽5の外槽に接触させ内槽5を揺
動させることである。
【0011】ここで、可撓継手9は単にフレィシブルホ
ースを使用しても、蛇腹状のホースでも良い。要は内槽
5の液面が内槽5の移動によって上下しないようにする
ことである。また、可撓な継手管だけでは、内槽5の原
位置に戻る復帰力がない場合は、必要に応じて復帰用の
スプリング12を設けてもよい。
【0012】次に、このめっき装置の動作を説明する。
まず、従来例で説明したと同じように、治具4にウェー
ハ3を取付け、めっき液2をポンプ6で噴流させるとと
もに陰極22と陽極21との間に電流を流す。このと
き、回転軸11を回転させ、板カム10を図1(b)〜
図1(c)に示すように内槽5の外槽を周期的に押し、
内槽5を外槽1内で揺動させる。このことより噴出口7
より噴流してくるめっき液2の噴流による盛上りが一様
にウェーハ3の面と接触し、ウェーハ3の下地金属であ
る多数のパンプに均一にめっき層が形成される。ここ
で、この周期的な移動速度は均一性を決定づけるもので
あるから、液面の盛上り形状が移動によって変形しない
程度にする必要がある。例えば、この実施例では、1分
間に内槽が一回だけ移動するといった遅い速度にするこ
とである。これはめっき液の比重及び表面張力から設定
されるものである。
【0013】このように、めっきの膜厚ばらつきを低減
させることによりメッキ膜厚が厚くなった場合に隣接し
た金メッキ膜と接触を起こすことを防止するためにフォ
トレジスト膜を厚くする必要がなくなるので微細なパタ
ーンの形成が可能になるという効果を有する。
【0014】図2は本発明のめっき装置の他の実施例を
示す模式断面図である。このめっき装置は、図2に示す
ように、ウェーハ3の直径の約2倍程度の開口を有する
内槽5aと、この内槽5aの開口よりやや小さい直径の
回転板10aと、回転板10aを回転する回転軸11a
と、回転板10aに偏心して取付けられるウェーハ3吸
着用治具4aを回転させるモータ13とを設けたことで
ある。すなわち、内槽5aを移動させずに固定し、ポン
プ6に生ずる液面の盛上り形状を安定させ、ウェーハ3
を遊量運動させてめっき液2と接触する速度を早めたこ
とである。
【0015】次に、このめっき装置の動作を説明する。
このめっき装置は、前述の実施例で説明したように、ウ
ェーハ3にめっき液2の盛上りを一様に接触させるため
に、ウェーハ3自身を回転させながら、内槽5内を公転
させ、ウェーハ3に局所的に接触することを無くしたこ
とである。
【0016】この実施例は、前述の実施例に比べ、設備
コストが高くなるものの盛上り形状を安定させて相対移
動する速度を早めること、になり、より短時間でめっき
厚が一様になるという利点がある。
【0017】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、下部側
からの噴流によって局所的に盛上るめっき液面にめっき
面が一様に接触させるために、被めっき物であるウェー
ハを盛上るめっき液面に盛上り形状が変形しない程度で
相対的に周期移動させる機構を設けることによって、め
っき液と安定した接触を得て、ウェーハのマスク膜よい
露出する複数の下地金属に均一なめっき膜を形成出来る
という効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のめっき装置の一実施例を示す模式断面
図及び平面図である。
【図2】本発明のめっき装置の他の実施例を示す模式断
面図である。
【図3】従来のめっき装置の一例を示す模式断面図であ
る。
【符号の説明】
1 外槽 2 めっき液 3 ウェーハ 4,4a 治具 5,5a 内槽 6 ポンプ 7a 供給口 7b 噴出口 8 排出口 9 可撓断手 10 板カム 10a 回転板 11,11a 回転軸 21 陽極 22 陰極

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 めっき液を貯える内槽と、内槽よりオー
    バフローする前記めっき液を収納する外槽と、この外槽
    により回収される前記めっき液を更新し前記内槽に戻す
    循環ポンプと、こと循環ポンプによって生ずる前記内槽
    の液面の盛上部に半導体基板の被めっき面を接触させこ
    の半導体基板を保持する治具を有するめっき装置におい
    て、この治具と前記液面の盛上り部とを水平面内で相対
    的に周期的移動させる移動機構を備えることを特徴とす
    るめっき装置。
  2. 【請求項2】 前記移動機構は、前記外槽の液供給口と
    前記内槽の噴流行とを可撓管で継ぎ、前記内槽を前記外
    槽内で水平移動させる機構であることを特徴とする請求
    項1記載のめっき装置。
  3. 【請求項3】 前記移動機構は、前記治具を偏芯して取
    付ける水平回転板と、この水平回転板を回転させる手段
    と、前記治具を自転させる手段とを備えることを特徴と
    する請求項1記載のめっき装置。
JP17222592A 1992-06-30 1992-06-30 めっき装置 Withdrawn JPH0610194A (ja)

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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 19990831