JPH0617291A - 金属めっき装置 - Google Patents
金属めっき装置Info
- Publication number
- JPH0617291A JPH0617291A JP17633592A JP17633592A JPH0617291A JP H0617291 A JPH0617291 A JP H0617291A JP 17633592 A JP17633592 A JP 17633592A JP 17633592 A JP17633592 A JP 17633592A JP H0617291 A JPH0617291 A JP H0617291A
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- JP
- Japan
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- cup
- plating
- semiconductor substrate
- plating solution
- metal
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Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体基板の被めっき面における下地金属部に
均一の厚さでめっきを施す。 【構成】半導体基板４をその開口に被せめっき液６を貯
えるカップ１と、このカップ１とめっき液６を供給する
配管７との継手部を施回可能の球体９を保持する軸受１
０と、陰電極５を回転させる機構と、カップ１の端部を
上昇下降させるシリンダ８ａ，８ｂとを設け、噴出口２
における噴出流によって生ずるめっき液の盛上り部をカ
ップ１の揺動で接触させ、半導体基板４を回転させなが
らめっき液を被めっき面の全面に一様に接触させる。
均一の厚さでめっきを施す。 【構成】半導体基板４をその開口に被せめっき液６を貯
えるカップ１と、このカップ１とめっき液６を供給する
配管７との継手部を施回可能の球体９を保持する軸受１
０と、陰電極５を回転させる機構と、カップ１の端部を
上昇下降させるシリンダ８ａ，８ｂとを設け、噴出口２
における噴出流によって生ずるめっき液の盛上り部をカ
ップ１の揺動で接触させ、半導体基板４を回転させなが
らめっき液を被めっき面の全面に一様に接触させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板に噴流によ
り液面が盛上るめっき液と接触させ、半導体基板表面よ
り露出する下地金属に金属を被着させる金属めっき装置
に関する。
り液面が盛上るめっき液と接触させ、半導体基板表面よ
り露出する下地金属に金属を被着させる金属めっき装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来の金属めっき装置の一例にお
ける構成を示す模式断面図である。従来、この種の金属
めっき装置は、例えば、図３に示すように、底部にめっ
き液を噴出させる噴出口２をもつとともに上面に開口を
有するカップ１と、カップ１の開口を履うように半導体
基板４を配置し保持するとともに電源の陰極部と接続す
る陰電電極５を有している。
ける構成を示す模式断面図である。従来、この種の金属
めっき装置は、例えば、図３に示すように、底部にめっ
き液を噴出させる噴出口２をもつとともに上面に開口を
有するカップ１と、カップ１の開口を履うように半導体
基板４を配置し保持するとともに電源の陰極部と接続す
る陰電電極５を有している。
【０００３】この金属めっき装置を使用して、たとえば
マスク膜より露呈する半導体基板４のバンプ電極に金属
めっきを施す場合は、まず、半導体基板４のめっきを施
す面をめっき液面に向け、陰電極５に接触させる。次
に、真空吸着させて半導体基板４を陰電極に固定する。
次に、めっき液を噴流ポンプで配管７を通じて噴出口２
よりカップ１に供給し、カップ１にめっき液６を充たす
とともに液面に噴琉による盛上りを形成する。そして、
このめっき液の盛上り部に半導体基板４の被めっき面に
接触させ、カップ１の開口よりめっき液をオーバフロー
させる。次に、この状態で半導体基板４を回転させなが
ら電極間に電流を流してめっきを行い半導体基板の表面
に露呈するバンプ電極にめっき膜を形成する。オーバフ
ローしためっき液は外槽（図示せず）に一時的に貯えら
れ、更新され再びバンプ電極にポンプによりカップしに
供給される。
マスク膜より露呈する半導体基板４のバンプ電極に金属
めっきを施す場合は、まず、半導体基板４のめっきを施
す面をめっき液面に向け、陰電極５に接触させる。次
に、真空吸着させて半導体基板４を陰電極に固定する。
次に、めっき液を噴流ポンプで配管７を通じて噴出口２
よりカップ１に供給し、カップ１にめっき液６を充たす
とともに液面に噴琉による盛上りを形成する。そして、
このめっき液の盛上り部に半導体基板４の被めっき面に
接触させ、カップ１の開口よりめっき液をオーバフロー
させる。次に、この状態で半導体基板４を回転させなが
ら電極間に電流を流してめっきを行い半導体基板の表面
に露呈するバンプ電極にめっき膜を形成する。オーバフ
ローしためっき液は外槽（図示せず）に一時的に貯えら
れ、更新され再びバンプ電極にポンプによりカップしに
供給される。
【０００４】このような金属めっき装置は、めっきを施
す部分のみめっき液に浸し、めっき厚を均一により早く
めっきすることが出来ることから、半導体装置における
バンプ電極形成に用いられてきた。
す部分のみめっき液に浸し、めっき厚を均一により早く
めっきすることが出来ることから、半導体装置における
バンプ電極形成に用いられてきた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図４（ａ）及び（ｂ）
は噴流によるめっき液の盛上りの半導体基板の接触状態
を示す図である。上述した従来の金属めっき装置では、
図４に示すように、めっき液の盛上りと半導体基板の全
面と接触しながら、めっきするものの、例えば、図４
（ａ）に示すように、盛上り６ａが、初期の段階あるい
はポンプの変動により、めっき液が半導体基板４の周辺
部と接触しなかったり、または、図４（ｂ）に示すよう
に電解された金属イオンが流れにより中央部における下
地金属に厚く、周辺部では薄くめっきされ、めっき厚に
ばらつきが生ずるという問題がある。特に半導体装置に
おいては、このめっき厚のばらつきとなり、バンプ電解
とリードとの接合する際に、接続不良を引き起すことに
なる。
は噴流によるめっき液の盛上りの半導体基板の接触状態
を示す図である。上述した従来の金属めっき装置では、
図４に示すように、めっき液の盛上りと半導体基板の全
面と接触しながら、めっきするものの、例えば、図４
（ａ）に示すように、盛上り６ａが、初期の段階あるい
はポンプの変動により、めっき液が半導体基板４の周辺
部と接触しなかったり、または、図４（ｂ）に示すよう
に電解された金属イオンが流れにより中央部における下
地金属に厚く、周辺部では薄くめっきされ、めっき厚に
ばらつきが生ずるという問題がある。特に半導体装置に
おいては、このめっき厚のばらつきとなり、バンプ電解
とリードとの接合する際に、接続不良を引き起すことに
なる。
【０００６】本発明の目的は、被めっき面における下地
金属に均一の厚さでめっきを施すこのとの出来る金属め
っき装置を提供することである。
金属に均一の厚さでめっきを施すこのとの出来る金属め
っき装置を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の金属めっき装置
は、上面に開口を有し底部にめっき液の噴出口をもつカ
ップと、このカップにめっき液を前記噴出口を介して供
給するめっき液供給手段と、前記カップの開口を塞ぐよ
うに半導体基板を保持するとともに回転させる陰電極と
を有する金属めっき装置において、前記カップの噴出口
と前記めっき液供給手段とを連結する配管に前記カップ
が施回し得る軸受と、前記カップを周期的に傾斜運動さ
せる機能とを備えている。
は、上面に開口を有し底部にめっき液の噴出口をもつカ
ップと、このカップにめっき液を前記噴出口を介して供
給するめっき液供給手段と、前記カップの開口を塞ぐよ
うに半導体基板を保持するとともに回転させる陰電極と
を有する金属めっき装置において、前記カップの噴出口
と前記めっき液供給手段とを連結する配管に前記カップ
が施回し得る軸受と、前記カップを周期的に傾斜運動さ
せる機能とを備えている。
【０００８】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【０００９】図１は本発明の一実施例を示す金属めっき
装置の模式断面図である。この金属めっき装置は、図１
に示すように、カップ１の底部にある噴出口２をもつ配
管７との接続構造を、配管７の失端部に球体９を取付
け、この球体９に水密に保持する軸受１０をカップ１の
底部に取付け、カップ１を揺動させるためにカップ１の
両端を交互に昇降させるシリンダ８ａ及び８ｂを設けた
ことである。
装置の模式断面図である。この金属めっき装置は、図１
に示すように、カップ１の底部にある噴出口２をもつ配
管７との接続構造を、配管７の失端部に球体９を取付
け、この球体９に水密に保持する軸受１０をカップ１の
底部に取付け、カップ１を揺動させるためにカップ１の
両端を交互に昇降させるシリンダ８ａ及び８ｂを設けた
ことである。
【００１０】図２（ａ）及び（ｂ）は図１のめっき装置
の動作を説明するための図である。次に、このめっき装
置の動作を説明する。まず、２本のシリンダ８ａ，８ｂ
を原位置にし、カップ１を水平状態にする（図２のＩ
Ｉ）。次に、配管７の噴出口２よりめっき液を供給し、
カップ１にめっき液を貯えるとともにめっき液を盛上り
を形成し、オーバフローさせる。次に、シリンダ８ａを
加工させる。このことよりめっき液の噴流盛上り部は、
右方向に移動する（図２のＩ）。次に、シリンダ８ａを
上昇させながらシリンダ８ｂを下降させる。このことよ
り、めっき液の盛上り部は紙面に対して左側へ移動する
（図２のＩＩＩ）。次にシリンダ８ｂを上昇させながら
シリンダ８ａを下降させカップ１を水平状態にする。勿
論、このカップ１の揺動運動している間は、陰電極５は
回転し、半導体基板４とめっき液との接触速度を上げて
いる。このように初期状態ＩＩから１へＩからＩＩＩの
状態を繰り返しながら、通電しめっきを行なうことで、
めっき液の噴流により盛上り部の中心部分は半導体基板
４の被メッキ面の一点に固定されることなく移動するの
で、めっき液は半導体基板４の被メッキ面に一様に接触
し、金属イオンを均等に供給でき、均一なめっき膜厚で
形成することが出来る。
の動作を説明するための図である。次に、このめっき装
置の動作を説明する。まず、２本のシリンダ８ａ，８ｂ
を原位置にし、カップ１を水平状態にする（図２のＩ
Ｉ）。次に、配管７の噴出口２よりめっき液を供給し、
カップ１にめっき液を貯えるとともにめっき液を盛上り
を形成し、オーバフローさせる。次に、シリンダ８ａを
加工させる。このことよりめっき液の噴流盛上り部は、
右方向に移動する（図２のＩ）。次に、シリンダ８ａを
上昇させながらシリンダ８ｂを下降させる。このことよ
り、めっき液の盛上り部は紙面に対して左側へ移動する
（図２のＩＩＩ）。次にシリンダ８ｂを上昇させながら
シリンダ８ａを下降させカップ１を水平状態にする。勿
論、このカップ１の揺動運動している間は、陰電極５は
回転し、半導体基板４とめっき液との接触速度を上げて
いる。このように初期状態ＩＩから１へＩからＩＩＩの
状態を繰り返しながら、通電しめっきを行なうことで、
めっき液の噴流により盛上り部の中心部分は半導体基板
４の被メッキ面の一点に固定されることなく移動するの
で、めっき液は半導体基板４の被メッキ面に一様に接触
し、金属イオンを均等に供給でき、均一なめっき膜厚で
形成することが出来る。
【００１１】ここで、このカップ１を揺動させる傾斜角
は、形状寸法で設定されるが、めっき液の比重及び表面
張力のデータから、めっき液の盛上り形状が変形しない
ように考慮すべきてある。また、このめっき液の盛上り
形状を変えるもう一つの要図として揺動速度がある。し
かしこの実施例では半導体基板を回転させているところ
から、接触速度が十分得られるとして揺動速度を小さ
く、半導体基板４に全面に接触させるために傾斜角を出
来るだけ大きくし、例えば３０°程度とし、揺動速度は
１分間に数サイクル以下が効果的であった。
は、形状寸法で設定されるが、めっき液の比重及び表面
張力のデータから、めっき液の盛上り形状が変形しない
ように考慮すべきてある。また、このめっき液の盛上り
形状を変えるもう一つの要図として揺動速度がある。し
かしこの実施例では半導体基板を回転させているところ
から、接触速度が十分得られるとして揺動速度を小さ
く、半導体基板４に全面に接触させるために傾斜角を出
来るだけ大きくし、例えば３０°程度とし、揺動速度は
１分間に数サイクル以下が効果的であった。
【００１２】
【発明の効果】以上説明した様に本発明は、半導体基板
をその開口に被せめっき液を貯えるカップを揺動させる
機構と、前記カップのめっき液の液面レベルを盛上げる
めっき液噴流機構と、前記半導体基板を回転させる回転
機構とを設け、半導体基板を回転させながらめっき液の
盛上り部を移動させ被めっき面の全面に接触させること
によって、被めっき面にめっき液を一様に接触させて均
一なめっき厚でめっきが出来るという効果がある。
をその開口に被せめっき液を貯えるカップを揺動させる
機構と、前記カップのめっき液の液面レベルを盛上げる
めっき液噴流機構と、前記半導体基板を回転させる回転
機構とを設け、半導体基板を回転させながらめっき液の
盛上り部を移動させ被めっき面の全面に接触させること
によって、被めっき面にめっき液を一様に接触させて均
一なめっき厚でめっきが出来るという効果がある。
【図１】本発明の一実施例を示す金属めっき装置の模式
断面図である。
断面図である。
【図２】図１の金属めっき装置の動作を説明するための
図である。
図である。
【図３】従来の一例を示す金属めっき装置の模式断面図
である。
である。
【図４】噴流によるめっき液の盛上りと半導体基板との
接触状態を示す図である。
接触状態を示す図である。
１ カップ ２ 噴出口 ３ 陽電極 ４ 半導体基板 ５ 陰電極 ６ めっき液 ６ａ，６ｂ 盛上り ７ 配管 ８ａ，８ｂ シリンダ ９ 球体 １０ 軸受
Claims (1)
- 【請求項１】 上面に開口を有し底部にめっき液の噴出
口をもつカップと、このカップにめっき液を前記噴出口
を介して供給するめっき液供給手段と、前記カップの開
口を塞ぐように半導体基板を保持するとともに回転させ
る陰電極とを有する金属めっき装置において、前記カッ
プの噴出口と前記めっき液供給手段とを連結する配管に
前記カップが施回し得る軸受と、前記カップを周期的に
傾斜運動させる機能とを備えることを特徴とする金属め
っき装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17633592A JPH0617291A (ja) | 1992-07-03 | 1992-07-03 | 金属めっき装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17633592A JPH0617291A (ja) | 1992-07-03 | 1992-07-03 | 金属めっき装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0617291A true JPH0617291A (ja) | 1994-01-25 |
Family
ID=16011791
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17633592A Withdrawn JPH0617291A (ja) | 1992-07-03 | 1992-07-03 | 金属めっき装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0617291A (ja) |
Cited By (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1992
- 1992-07-03 JP JP17633592A patent/JPH0617291A/ja not_active Withdrawn
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