JP2737416B2 - めっき処理装置 - Google Patents
めっき処理装置Info
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- JP2737416B2 JP2737416B2 JP3032113A JP3211391A JP2737416B2 JP 2737416 B2 JP2737416 B2 JP 2737416B2 JP 3032113 A JP3032113 A JP 3032113A JP 3211391 A JP3211391 A JP 3211391A JP 2737416 B2 JP2737416 B2 JP 2737416B2
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- tank
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体基板のメタライズ
工程において、めっき液を噴流させてめっき処理を行う
めっき処理装置の構造に関する。
工程において、めっき液を噴流させてめっき処理を行う
めっき処理装置の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のめっき装置においては、
図４（Ａ），（Ｂ）、図６に示すように、カップ状槽２
に、めっき液導入口３とアノード電極５と半導体基板支
持部１８とが設けられ、カップ状槽２は外槽１と一体化
されており、ポンプ９によって温調されためっき液１１
をフィルタ８に通してめっき液導入口３よりカップ状槽
２内に供給し、そのめっき液１１をアノード電極５を通
して噴流させている。又、前記カップ状槽２の上方開口
部に近接して、半導体基板６が処理すべき面を下にして
半導体基板支持部１８に保持されている。半導体基板６
へのコンタクト及びセット時のため上下機構部１７を有
するヘッド部１０を上下機構部１７によって下降させ、
ヘッド部１０に取付けた板ばね状のカソード電極４ｅを
半導体基板６の裏面に押しつけることによってコンタク
トさせ、アノード電極５をカソード電極４ｅ間に電位差
を与えることによって、めっき処理を行う構造となって
いた。
図４（Ａ），（Ｂ）、図６に示すように、カップ状槽２
に、めっき液導入口３とアノード電極５と半導体基板支
持部１８とが設けられ、カップ状槽２は外槽１と一体化
されており、ポンプ９によって温調されためっき液１１
をフィルタ８に通してめっき液導入口３よりカップ状槽
２内に供給し、そのめっき液１１をアノード電極５を通
して噴流させている。又、前記カップ状槽２の上方開口
部に近接して、半導体基板６が処理すべき面を下にして
半導体基板支持部１８に保持されている。半導体基板６
へのコンタクト及びセット時のため上下機構部１７を有
するヘッド部１０を上下機構部１７によって下降させ、
ヘッド部１０に取付けた板ばね状のカソード電極４ｅを
半導体基板６の裏面に押しつけることによってコンタク
トさせ、アノード電極５をカソード電極４ｅ間に電位差
を与えることによって、めっき処理を行う構造となって
いた。
【０００３】又、他の例としては、図５に示すようにピ
ン状のカソード電極４ｆをばねの弾力によって押付けて
コンタクトさせ、アノード電極５とカソード電極４ｆ間
に電位差を与えることによってめっき処理を行なう構造
となっていた。
ン状のカソード電極４ｆをばねの弾力によって押付けて
コンタクトさせ、アノード電極５とカソード電極４ｆ間
に電位差を与えることによってめっき処理を行なう構造
となっていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のめっき
処理装置では、カソード側コンタクト部がばねの弾力を
利用したカソード電極であり、ばねの弾力を均等にもた
せることは困難であり、ばね状のカソード電極と半導体
基板とのコンタクト部の抵抗がばらつき、この状態でめ
っき処理を行えば、コンタクト抵抗の小さい付近にめっ
き厚が厚くつき、コンタクト抵抗の大きい部分はめっき
厚が薄くつき、半導体基板の被めっき面のめっき厚さが
ばらつくという問題があった。又、カソード電極がコン
タクトしている部分の被めっき面は、めっきが厚くつく
という傾向があり、めっき厚さがばらつくという問題が
あった。
処理装置では、カソード側コンタクト部がばねの弾力を
利用したカソード電極であり、ばねの弾力を均等にもた
せることは困難であり、ばね状のカソード電極と半導体
基板とのコンタクト部の抵抗がばらつき、この状態でめ
っき処理を行えば、コンタクト抵抗の小さい付近にめっ
き厚が厚くつき、コンタクト抵抗の大きい部分はめっき
厚が薄くつき、半導体基板の被めっき面のめっき厚さが
ばらつくという問題があった。又、カソード電極がコン
タクトしている部分の被めっき面は、めっきが厚くつく
という傾向があり、めっき厚さがばらつくという問題が
あった。
【０００５】本発明の目的は、めっき厚のばらつきをな
くしためっき処理装置を提供することにある。
くしためっき処理装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係るめっき処理装置は、アジャスト機構を
有し、カップ状槽の底部よりめっき液を噴流させ、前記
槽に近接して処理すべき面を下にして設置された半導体
基板の上方よりカソード側コンタクトをとって処理する
めっき処理装置であって、 前記アジャスト機構は、半導
体基板に対する、カップ状槽のオーバーフロー面とカソ
ード電極との水平出しを行うものである。
め、本発明に係るめっき処理装置は、アジャスト機構を
有し、カップ状槽の底部よりめっき液を噴流させ、前記
槽に近接して処理すべき面を下にして設置された半導体
基板の上方よりカソード側コンタクトをとって処理する
めっき処理装置であって、 前記アジャスト機構は、半導
体基板に対する、カップ状槽のオーバーフロー面とカソ
ード電極との水平出しを行うものである。
【０００７】また前記アジャスト機構は、カップ状槽の
オーバーフロー面を水平に調節する第１のアジャスト機
構と、カソード電極の底面を水平に調節する第２のアジ
ャスト機構とを含むものである。
オーバーフロー面を水平に調節する第１のアジャスト機
構と、カソード電極の底面を水平に調節する第２のアジ
ャスト機構とを含むものである。
【０００８】また前記カソード電極は、コンタクト面に
真空吸着溝を有し、該真空吸着溝を真空引きして半導体
基板を真空吸着するものである。
真空吸着溝を有し、該真空吸着溝を真空引きして半導体
基板を真空吸着するものである。
【０００９】
【作用】２つのアジャスト機構１３と１４とにより、カ
ソード電極４と半導体基板６との水平出しを行い、カソ
ード電極４を半導体基板６に均圧でもってコンタクトさ
せるものである。
ソード電極４と半導体基板６との水平出しを行い、カソ
ード電極４を半導体基板６に均圧でもってコンタクトさ
せるものである。
【００１０】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。 （実施例１）図１，図３は、本発明の実施例１を示す図
である。図において、めっき液１１を外槽１に満し、加
熱ヒータ７にて所定の温度にて温調し、ポンプ９により
温調されためっき液１１がめっき液導入口３よりカッブ
状槽２内に導入され、カップ槽２内に設けられているア
ノード電極５を通して噴流させている。このとき、半導
体基板６は、被処理面を下向きにカップ状槽２に近接し
て半導体基板支持部１８に支持されており、上方よりカ
ソード電極４が設けられているヘッド部１０を上下機構
部１７によって降下させ、カソード電極４を、半導体基
板６の裏面にコンタクトさせ、アノード電極５とカソー
ド電極４間に電位差を与えている。
る。 （実施例１）図１，図３は、本発明の実施例１を示す図
である。図において、めっき液１１を外槽１に満し、加
熱ヒータ７にて所定の温度にて温調し、ポンプ９により
温調されためっき液１１がめっき液導入口３よりカッブ
状槽２内に導入され、カップ槽２内に設けられているア
ノード電極５を通して噴流させている。このとき、半導
体基板６は、被処理面を下向きにカップ状槽２に近接し
て半導体基板支持部１８に支持されており、上方よりカ
ソード電極４が設けられているヘッド部１０を上下機構
部１７によって降下させ、カソード電極４を、半導体基
板６の裏面にコンタクトさせ、アノード電極５とカソー
ド電極４間に電位差を与えている。
【００１１】図１，図３に示すように、本実施例におい
て、カップ状槽２と外槽１とは独立して設けられてお
り、外槽１はカップ状槽２を設ける位置の開口縁に環状
の立上げ部１ａを有している。一方、カップ状槽２は、
その外周に立上げ部１ａより大径の環状スカート部２ａ
を垂下して設けてある。カップ状槽２の底部には、カッ
プ状槽２のオーバーフロー面を水平に調整するアジャス
ト機構１３が設けてある。又、カソード電極４は、ブッ
シング部１５によって上下動が可能に支持されたヘッド
部１０に支持され、ヘッド部１０を降下させることによ
りカソード電極４自体の自重を半導体基板６にかけるこ
とが可能となっている。又、ヘッド部１０を支持してい
るブッシング部１５は、アジャスト機構１４を有してお
り、カソード電極４と、カップ状槽２に支持されている
半導体基板６との水平を出すことによって、半導体基板
６にかかる荷重を均等にすることが可能になる。また、
１６はベース板である。図１に示すように、カソード電
極４は、半導体基板６の片面と同程度の面積をもち、そ
の複数の突起をもつゴム例えばフッ素ゴム等からなる弾
性体４ｂと、たとえばＰｔメッシュ等からなり弾性体４
ｂの突起をもつ下面に張付けられたメッシュ状のカソー
ド電極４ａとを有しており、メッシュ状のカソード電極
４ａは半導体基板６の全面と均等にコンタントが可能と
なる。
て、カップ状槽２と外槽１とは独立して設けられてお
り、外槽１はカップ状槽２を設ける位置の開口縁に環状
の立上げ部１ａを有している。一方、カップ状槽２は、
その外周に立上げ部１ａより大径の環状スカート部２ａ
を垂下して設けてある。カップ状槽２の底部には、カッ
プ状槽２のオーバーフロー面を水平に調整するアジャス
ト機構１３が設けてある。又、カソード電極４は、ブッ
シング部１５によって上下動が可能に支持されたヘッド
部１０に支持され、ヘッド部１０を降下させることによ
りカソード電極４自体の自重を半導体基板６にかけるこ
とが可能となっている。又、ヘッド部１０を支持してい
るブッシング部１５は、アジャスト機構１４を有してお
り、カソード電極４と、カップ状槽２に支持されている
半導体基板６との水平を出すことによって、半導体基板
６にかかる荷重を均等にすることが可能になる。また、
１６はベース板である。図１に示すように、カソード電
極４は、半導体基板６の片面と同程度の面積をもち、そ
の複数の突起をもつゴム例えばフッ素ゴム等からなる弾
性体４ｂと、たとえばＰｔメッシュ等からなり弾性体４
ｂの突起をもつ下面に張付けられたメッシュ状のカソー
ド電極４ａとを有しており、メッシュ状のカソード電極
４ａは半導体基板６の全面と均等にコンタントが可能と
なる。
【００１２】したがって、アジャスト機構１３によりカ
ップ状槽２上の半導体基板６の水平出しを行い、かつア
ジャスト機構１４によりカソード電極４の水平出しを行
い、カソード電極４が半導体基板６の全面に均等に接触
し荷重が基板６に均一に付加された状態でカソード電極
４が半導体基板６にコンタクトすることができる。
ップ状槽２上の半導体基板６の水平出しを行い、かつア
ジャスト機構１４によりカソード電極４の水平出しを行
い、カソード電極４が半導体基板６の全面に均等に接触
し荷重が基板６に均一に付加された状態でカソード電極
４が半導体基板６にコンタクトすることができる。
【００１３】（実施例２）図２（Ａ）は、本発明の実施
例２を示す側面断面図、（Ｂ）は、チャック部の底面図
である。本実施例では、半導体基板６と同程度の面積を
もち、コンタクト表面に半導体基板６を真空チャックす
るための真空吸着溝４ｄを有し、平坦仕上げされた導電
性のある真空チャック状カソード電極４ｃを備えてお
り、半導体基板６上にヘッド部１０（図３参照）の上下
機構部１７（図３参照）によって降下させ、真空チャッ
ク状カソード電極４ｃ内に設けられた真空配管系を通じ
て半導体基板６を真空吸着させる。カップ状槽２とチャ
ック状カソード電極４ｃのブッシング部１５（図３参
照）に設けたアジャスト機構１４（図３参照）によって
水平を出すことにより、チャック状カソード電極４ｃは
半導体基板６のほぼ全面と均等にコンタクトが可能とな
る。１２は陽圧全周溝である。又、この場合、チャック
状カソード電極４ｃが、半導体基板６のほぼ全面と均等
にコンタクトできたかどうかは、真空配管系に真空スイ
ッチを設けることによって容易に確認することができ、
信頼性が向上できるという利点を有する。
例２を示す側面断面図、（Ｂ）は、チャック部の底面図
である。本実施例では、半導体基板６と同程度の面積を
もち、コンタクト表面に半導体基板６を真空チャックす
るための真空吸着溝４ｄを有し、平坦仕上げされた導電
性のある真空チャック状カソード電極４ｃを備えてお
り、半導体基板６上にヘッド部１０（図３参照）の上下
機構部１７（図３参照）によって降下させ、真空チャッ
ク状カソード電極４ｃ内に設けられた真空配管系を通じ
て半導体基板６を真空吸着させる。カップ状槽２とチャ
ック状カソード電極４ｃのブッシング部１５（図３参
照）に設けたアジャスト機構１４（図３参照）によって
水平を出すことにより、チャック状カソード電極４ｃは
半導体基板６のほぼ全面と均等にコンタクトが可能とな
る。１２は陽圧全周溝である。又、この場合、チャック
状カソード電極４ｃが、半導体基板６のほぼ全面と均等
にコンタクトできたかどうかは、真空配管系に真空スイ
ッチを設けることによって容易に確認することができ、
信頼性が向上できるという利点を有する。
【００１４】図７はめっき処理を行ったときのめっき厚
分布を示した図である。図７（Ａ）は、従来のめっき処
理装置にてめっき処理を行なったときのものであり、カ
ソード電極のコンクト抵抗のばらつきのため、めっき厚
のばらつきが大きい。図７（Ｂ）は本発明におけるめっ
き処理装置にてめっき処理を行ったときのものであり、
めっき厚のばらつきが低減されている。
分布を示した図である。図７（Ａ）は、従来のめっき処
理装置にてめっき処理を行なったときのものであり、カ
ソード電極のコンクト抵抗のばらつきのため、めっき厚
のばらつきが大きい。図７（Ｂ）は本発明におけるめっ
き処理装置にてめっき処理を行ったときのものであり、
めっき厚のばらつきが低減されている。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、半導体基
板に対する、カップ状槽のオーバーフロー面とカソード
電極との水平出しを行うアジャスト機構を有することに
よって、半導体基板コンタクト面でのコンタクト抵抗の
ばらつきを低減することによって、半導体基板被めっき
面のめっき厚さのばらつきを低減でき、高精度のめっき
処理が可能となる。
板に対する、カップ状槽のオーバーフロー面とカソード
電極との水平出しを行うアジャスト機構を有することに
よって、半導体基板コンタクト面でのコンタクト抵抗の
ばらつきを低減することによって、半導体基板被めっき
面のめっき厚さのばらつきを低減でき、高精度のめっき
処理が可能となる。
【図１】本発明の実施例１を示す側面断面図である。
【図２】本発明の実施例２を示す図であって、（Ａ）は
側面断面図、（Ｂ）はチャック部底面図である。
側面断面図、（Ｂ）はチャック部底面図である。
【図３】本発明の実施例１を示す全体構成図である。
【図４】従来例を示す図であって、（Ａ）は側面断面
図、（Ｂ）はカソード電極を示す正面図である。
図、（Ｂ）はカソード電極を示す正面図である。
【図５】従来例を示す側面断面図である。
【図６】従来例を示す全体構成図である。
【図７】めっき厚分布を示す図であり、（Ａ）は本発明
のめっき処理装置にてめっき処理を行ったときのめっき
厚分布を示す図、（Ｂ）は従来のめっき処理装置にてめ
っき処理を行ったときのめっき厚分布を示す図である。
のめっき処理装置にてめっき処理を行ったときのめっき
厚分布を示す図、（Ｂ）は従来のめっき処理装置にてめ
っき処理を行ったときのめっき厚分布を示す図である。
１ 外槽 ２ カップ状槽 ４ カソード電極 ４ａ メッシュ状カソード電極 ４ｂ 弾性体 ４ｃ 真空チャック状カソード電極 ４ｄ 真空吸着溝 ５ アノード電極 ６ 半導体基板 １０ ヘッド １１ めっき液 １３ カップ状槽アジャスト機構 １４ カソード電極アジャスト機構 １５ ブッシング部
Claims (3)
- 【請求項１】 アジャスト機構を有し、カップ状槽の底
部よりめっき液を噴流させ、前記槽に近接して処理すべ
き面を下にして設置された半導体基板の上方よりカソー
ド側コンタクトをとって処理するめっき処理装置であっ
て、 前記アジャスト機構は、半導体基板に対する、カップ状
槽のオーバーフロー面とカソード電極との水平出しを行
うものである ことを特徴とするめっき処理装置。 - 【請求項２】 前記アジャスト機構は、カップ状槽のオ
ーバーフロー面を水平に調節する第１のアジャスト機構
と、カソード電極の底面を水平 調節する第２のアジャ
スト機構とを含むものであることを特徴とする請求項１
に記載のめっき処理装置。 - 【請求項３】 前記カソード電極は、コンタクト面に真
空吸着溝を有し、該真空吸着溝を真空引きして半導体基
板を真空吸着するものであることを特徴とする請求項１
又は２に記載のめっき処理装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3032113A JP2737416B2 (ja) | 1991-01-31 | 1991-01-31 | めっき処理装置 |
| US07/823,158 US5228966A (en) | 1991-01-31 | 1992-01-21 | Gilding apparatus for semiconductor substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3032113A JP2737416B2 (ja) | 1991-01-31 | 1991-01-31 | めっき処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04246199A JPH04246199A (ja) | 1992-09-02 |
| JP2737416B2 true JP2737416B2 (ja) | 1998-04-08 |
Family
ID=12349850
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3032113A Expired - Fee Related JP2737416B2 (ja) | 1991-01-31 | 1991-01-31 | めっき処理装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5228966A (ja) |
| JP (1) | JP2737416B2 (ja) |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6375741B2 (en) * | 1991-03-06 | 2002-04-23 | Timothy J. Reardon | Semiconductor processing spray coating apparatus |
| JP2786787B2 (ja) * | 1992-12-02 | 1998-08-13 | 株式会社東芝 | 噴射メッキ装置及び噴射メッキ方法 |
| SE500333C2 (sv) * | 1993-03-17 | 1994-06-06 | Herman Georg Grimmeiss | Anordning för elektrolytisk oxidation av kiselskivor |
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| US6022465A (en) * | 1998-06-01 | 2000-02-08 | Cutek Research, Inc. | Apparatus and method utilizing an electrode adapter for customized contact placement on a wafer |
| US6251251B1 (en) | 1998-11-16 | 2001-06-26 | International Business Machines Corporation | Anode design for semiconductor deposition |
| US6113759A (en) * | 1998-12-18 | 2000-09-05 | International Business Machines Corporation | Anode design for semiconductor deposition having novel electrical contact assembly |
| US6261426B1 (en) | 1999-01-22 | 2001-07-17 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for enhancing the uniformity of electrodeposition or electroetching |
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| US7316063B2 (en) * | 2004-01-12 | 2008-01-08 | Micron Technology, Inc. | Methods of fabricating substrates including at least one conductive via |
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|---|---|---|---|---|
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