JPH02205697A - バンプメッキ装置 - Google Patents
バンプメッキ装置Info
- Publication number
- JPH02205697A JPH02205697A JP2551089A JP2551089A JPH02205697A JP H02205697 A JPH02205697 A JP H02205697A JP 2551089 A JP2551089 A JP 2551089A JP 2551089 A JP2551089 A JP 2551089A JP H02205697 A JPH02205697 A JP H02205697A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- wafer
- cup
- plating liquid
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000007747 plating Methods 0.000 title claims abstract description 86
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 15
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000009429 electrical wiring Methods 0.000 description 3
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 2
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体製造装置に関し、特にバンズ形成工程に
おいて使用されるバングメッキ装置に関する。
おいて使用されるバングメッキ装置に関する。
従来のバンプメッキ装置としては、ウェーハをメッキカ
ップ上にフェースダウンの状態でセットし、メッキ液を
噴流させてウェーハ表面とメッキ液を接触させ、ウェー
ハとメッキカップ中取付けた電極とに電流を流して、ウ
ェーハ上にメッキ処理を行うメッキ液噴流方式のバンプ
メッキ装置がある。
ップ上にフェースダウンの状態でセットし、メッキ液を
噴流させてウェーハ表面とメッキ液を接触させ、ウェー
ハとメッキカップ中取付けた電極とに電流を流して、ウ
ェーハ上にメッキ処理を行うメッキ液噴流方式のバンプ
メッキ装置がある。
上述した従来のバンプメッキ装置はメッキカップ上にウ
ェーハをフェースダウンの状態でセットし、メッキ処理
を行うなめ、メッキ処理中に発生するガス及びメッキ液
の噴流中に発生ずる気泡がウェーハ上に付着し、ウェー
ハの一部にメッキが促進されない部分が発生し、ウェー
ハ面内のメッキ膜厚のバラツキが大きくなるという欠点
がある。
ェーハをフェースダウンの状態でセットし、メッキ処理
を行うなめ、メッキ処理中に発生するガス及びメッキ液
の噴流中に発生ずる気泡がウェーハ上に付着し、ウェー
ハの一部にメッキが促進されない部分が発生し、ウェー
ハ面内のメッキ膜厚のバラツキが大きくなるという欠点
がある。
本発明の目的は前記課題を解決したバンプメッキ装置を
提供することにある。
提供することにある。
上述した従来のバンプメッキ装置に対し、本発明はメッ
キカップの中に、ウェーハをフェースアップ状態でセッ
トし、メッキ処理を行うという相違点を有する。
キカップの中に、ウェーハをフェースアップ状態でセッ
トし、メッキ処理を行うという相違点を有する。
前記目的を達成するため、本発明に係るバンプメッキ装
置は、ウェーハをメッキ用カップ内に表面を上にした状
態で保持する手段と、該カップ内に下方からメッキ液を
噴流させて、メッキ処理を行う手段とを有するものであ
る。
置は、ウェーハをメッキ用カップ内に表面を上にした状
態で保持する手段と、該カップ内に下方からメッキ液を
噴流させて、メッキ処理を行う手段とを有するものであ
る。
以下、本発明の一実施例を図により説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す縦断面図である。
図において、１はメッキ上カップ固定カバー２はメッキ
上カップ、３は電極用電気配線、４はメッキ用電極、５
はウェーハ、６はウェーハチャックである。７はスライ
ドウェーハホルダ、８はメッキ用電極、９はメッキ下カ
ップ、１０はメッキ液槽、１１はメッキ用電極である。
上カップ、３は電極用電気配線、４はメッキ用電極、５
はウェーハ、６はウェーハチャックである。７はスライ
ドウェーハホルダ、８はメッキ用電極、９はメッキ下カ
ップ、１０はメッキ液槽、１１はメッキ用電極である。
また、１２はメッキ液噴流口、１３は電極用電気配線、
１４はバキュームライン、１５はテフロンシールである
。
１４はバキュームライン、１５はテフロンシールである
。
ウェーハチャック６上にウェーハ５をセットする。ウェ
ーハチャック６とメッキ用電極８は同じ高さにあるため
、ウェーハ５をウェーハチャック６上にセットした時点
で、メッキ用電極８とのコンタクトはとれる０次に、ウ
ェーハ５がウェーハチャック６上にセ・ソトされると、
スライドウェーハホルダ７が動作し・、ウェーハ５をホ
ールドする。
ーハチャック６とメッキ用電極８は同じ高さにあるため
、ウェーハ５をウェーハチャック６上にセットした時点
で、メッキ用電極８とのコンタクトはとれる０次に、ウ
ェーハ５がウェーハチャック６上にセ・ソトされると、
スライドウェーハホルダ７が動作し・、ウェーハ５をホ
ールドする。
ウェーハ５とスライドウェーハホルダ７どの接点はテフ
ンシール１５になっており、内部にメッキ液が浸透する
のを防ぐ６次に、メッキ上カップ固定カバー１が下降し
、メッキ下カップ２とメッキ下カップ９を接合させる０
次に、メッキ液をメッキ液噴流口１２より、メッキカッ
プ２内に噴流させる。
ンシール１５になっており、内部にメッキ液が浸透する
のを防ぐ６次に、メッキ上カップ固定カバー１が下降し
、メッキ下カップ２とメッキ下カップ９を接合させる０
次に、メッキ液をメッキ液噴流口１２より、メッキカッ
プ２内に噴流させる。
メッキ液がメッキ下カップ２よりオーバーフローした後
、メッキ用電極４．８に電流を流し、メッキ処理が開始
する。メッキ中に発生するガス及び噴流時に発生する気
泡はメッキ液噴流の流れ１６に乗じてメッキ上カップ２
の外に流出するため、ウェーハ５上に付着してメッキの
妨げとなることがなく、ウェーハ５の一部がメッキ未処
理、又はウェーハ内のメッキ膜厚のバラツキを抑えるこ
とが可能となる。
、メッキ用電極４．８に電流を流し、メッキ処理が開始
する。メッキ中に発生するガス及び噴流時に発生する気
泡はメッキ液噴流の流れ１６に乗じてメッキ上カップ２
の外に流出するため、ウェーハ５上に付着してメッキの
妨げとなることがなく、ウェーハ５の一部がメッキ未処
理、又はウェーハ内のメッキ膜厚のバラツキを抑えるこ
とが可能となる。
次に、メッキ処理終了と同時に、メッキ電極４゜８への
電流供給が停止する０次に、メッキ液の噴流が停止し、
メッキ液の液面がスライドウェーハホルダ７より低くな
った時点で、メッキ上カップ固定カバー１が上昇する０
次に、スライドウェーハホルダ７が開き、ウェーハ５を
取り出し、次にメッキ処理を行うウェーハ５をセットす
る。
電流供給が停止する０次に、メッキ液の噴流が停止し、
メッキ液の液面がスライドウェーハホルダ７より低くな
った時点で、メッキ上カップ固定カバー１が上昇する０
次に、スライドウェーハホルダ７が開き、ウェーハ５を
取り出し、次にメッキ処理を行うウェーハ５をセットす
る。
以上説明したように本発明はメッキ用カップ内にウェー
ハをフェースアップ状態でセットし、メッキ処理を行う
ことにより、メッキ中に発生するガス及びメッキ液噴流
中に発生する泡がウェーハ上に付着することを防ぐこと
が可能であるため、ウェーハ上のメッキが促進されない
という部分が除去され、ウェーハ内でのメッキ膜厚めバ
ラツキを低減させることができる効果がある。
ハをフェースアップ状態でセットし、メッキ処理を行う
ことにより、メッキ中に発生するガス及びメッキ液噴流
中に発生する泡がウェーハ上に付着することを防ぐこと
が可能であるため、ウェーハ上のメッキが促進されない
という部分が除去され、ウェーハ内でのメッキ膜厚めバ
ラツキを低減させることができる効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す縦断面図である。
１・・・メッキ上カップ固定カバー
２・・・メッキ上カップ ３・・・電極用電気配線４
・・・メッキ用型［ｉ５・・・ウェーハ６・・・ウェー
ハチャック ７・・・スライドウェーハホルダ ８・・・メッキ用電極 １０・・・メッキ液槽 １２・・・メッキ液噴流口 １４・・・バキュームライン
・・・メッキ用型［ｉ５・・・ウェーハ６・・・ウェー
ハチャック ７・・・スライドウェーハホルダ ８・・・メッキ用電極 １０・・・メッキ液槽 １２・・・メッキ液噴流口 １４・・・バキュームライン
Claims (1)
- （１）ウェーハをメッキ用カップ内に表面を上にした状
態で保持する手段と、該カップ内に下方からメッキ液を
噴流させて、メッキ処理を行う手段とを有することを特
徴とするバンプメッキ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2551089A JPH02205697A (ja) | 1989-02-03 | 1989-02-03 | バンプメッキ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2551089A JPH02205697A (ja) | 1989-02-03 | 1989-02-03 | バンプメッキ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02205697A true JPH02205697A (ja) | 1990-08-15 |
Family
ID=12168059
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2551089A Pending JPH02205697A (ja) | 1989-02-03 | 1989-02-03 | バンプメッキ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02205697A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04181760A (ja) * | 1990-11-16 | 1992-06-29 | Yamaha Corp | リードの半田メッキ装置 |
| US6599402B2 (en) | 1998-04-21 | 2003-07-29 | Applied Materials, Inc. | Electro-chemical deposition cell for face-up processing of single semiconductor substrates |
-
1989
- 1989-02-03 JP JP2551089A patent/JPH02205697A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04181760A (ja) * | 1990-11-16 | 1992-06-29 | Yamaha Corp | リードの半田メッキ装置 |
| US6599402B2 (en) | 1998-04-21 | 2003-07-29 | Applied Materials, Inc. | Electro-chemical deposition cell for face-up processing of single semiconductor substrates |
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