JPH01255684A - 半導体ウェハーの製造装置 - Google Patents
半導体ウェハーの製造装置Info
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- JPH01255684A JPH01255684A JP8149488A JP8149488A JPH01255684A JP H01255684 A JPH01255684 A JP H01255684A JP 8149488 A JP8149488 A JP 8149488A JP 8149488 A JP8149488 A JP 8149488A JP H01255684 A JPH01255684 A JP H01255684A
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- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 52
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- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
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- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体ウェハー（以下ウェハーという）の製造
装置、特にウェハーを金メッキ処理する半導体ウェハー
の製造装置に関する。
装置、特にウェハーを金メッキ処理する半導体ウェハー
の製造装置に関する。
従来、この種の製造装置としては第４図および第５図に
示すごとき構成の金メッキ装置が使用されている。すな
わち、この金メッキ装置は、金メッキ処理槽１内に設け
られた噴水口２より流出される金メッキ液をウェハー４
の表面に接触させ、カソード・チャック３とアノード板
６とにメッキ用電源装置５から電圧を印加して金メッキ
する構成をとるものである。ここで、７および８はそれ
ぞれ真空ポンプおよび圧送ポンプを示している。
示すごとき構成の金メッキ装置が使用されている。すな
わち、この金メッキ装置は、金メッキ処理槽１内に設け
られた噴水口２より流出される金メッキ液をウェハー４
の表面に接触させ、カソード・チャック３とアノード板
６とにメッキ用電源装置５から電圧を印加して金メッキ
する構成をとるものである。ここで、７および８はそれ
ぞれ真空ポンプおよび圧送ポンプを示している。
しかしながら、上述した従来の金メッキ装置は、第５図
に示すようにウェハー４の表面を下に向けてその下部よ
り金メッキ液を接触させるので、ウェハー裏面への液の
回り込みによるメッキネ良や吸着不良などが発生し、ま
た、メッキ液内に循環時に発生する気泡がウェハー表面
に付着してメッキネ良を起こす。特にウェハーが大口緑
化すると、ウェハーの中心部と周辺部のメッキ厚の均−
性をコントロールするのは非常にむずかしいといった種
々の問題点がある。
に示すようにウェハー４の表面を下に向けてその下部よ
り金メッキ液を接触させるので、ウェハー裏面への液の
回り込みによるメッキネ良や吸着不良などが発生し、ま
た、メッキ液内に循環時に発生する気泡がウェハー表面
に付着してメッキネ良を起こす。特にウェハーが大口緑
化すると、ウェハーの中心部と周辺部のメッキ厚の均−
性をコントロールするのは非常にむずかしいといった種
々の問題点がある。
本発明の目的は、上記の問題点に鑑み、ウェハー裏面へ
の金メッキ液の回り込みおよび気泡によるメッキネ良の
発生を押上し得る半導体ウェハーの製造装置を提供する
ことである。
の金メッキ液の回り込みおよび気泡によるメッキネ良の
発生を押上し得る半導体ウェハーの製造装置を提供する
ことである。
本発明によれば、半導体ウェハー面を金メッキ処理する
半導体ウェハーの製造装置は、前記半導体ウェハーの裏
面を吸着してウェハー全体を回転させるカソード・チャ
ックと、金メッキ液を前記半導体ウェハーの表面に流下
せしめるアノード・ノズルと、前記カソード・チャック
およびアノード・ノズル間にメッキ用電圧を印加する電
源装置とを備えることを含んで構成される。
半導体ウェハーの製造装置は、前記半導体ウェハーの裏
面を吸着してウェハー全体を回転させるカソード・チャ
ックと、金メッキ液を前記半導体ウェハーの表面に流下
せしめるアノード・ノズルと、前記カソード・チャック
およびアノード・ノズル間にメッキ用電圧を印加する電
源装置とを備えることを含んで構成される。
以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図および第２図はそれぞれ本発明装置の一実施例を
示すブロック構成図およびその要部拡大図である。本実
施例によれば、本発明半導体ウェハーの製造装置のカソ
ード・チャック３は、真空吸着孔３ａを備えてモーター
１１の出力軸に直結され、メッキ液回収カバー１２内で
垂直姿勢に回転可能に支持される。また、カソード・チ
ャック３の真空吸着孔３ａには真空ポンプ７が接続され
る。更に、カソード・チャック３の真上には、アノード
・ノズル１０が下向きに設置され、このアノード・ノズ
ル１０は圧送ポンプ８を介して貯液槽９に接続される。
示すブロック構成図およびその要部拡大図である。本実
施例によれば、本発明半導体ウェハーの製造装置のカソ
ード・チャック３は、真空吸着孔３ａを備えてモーター
１１の出力軸に直結され、メッキ液回収カバー１２内で
垂直姿勢に回転可能に支持される。また、カソード・チ
ャック３の真空吸着孔３ａには真空ポンプ７が接続され
る。更に、カソード・チャック３の真上には、アノード
・ノズル１０が下向きに設置され、このアノード・ノズ
ル１０は圧送ポンプ８を介して貯液槽９に接続される。
またカソード・チャック３とアノードノズル１０との間
はメッキ用電源装置５に接続される。また回収カバー１
２の底部にはメッキ液回収管１２ａが設けられ、下方の
貯液槽９に連通される。
はメッキ用電源装置５に接続される。また回収カバー１
２の底部にはメッキ液回収管１２ａが設けられ、下方の
貯液槽９に連通される。
本実施例によれば、第２図に示すように半導体ウェハー
４の裏面はカソード・チャック３により吸着され、モー
ター１１の駆動により設定回転数を以って回転される。
４の裏面はカソード・チャック３により吸着され、モー
ター１１の駆動により設定回転数を以って回転される。
このように半導体ウェハー４を回転させつつアノード・
ノズル１０からメッキ液がウェハー４の表面に流下され
る。この状態でカソード・チャック３とアノード・ノズ
ル１０との間にメッキ用電源装置５からメッキ用電圧が
印加され、金メッキ処理が行われる。
ノズル１０からメッキ液がウェハー４の表面に流下され
る。この状態でカソード・チャック３とアノード・ノズ
ル１０との間にメッキ用電源装置５からメッキ用電圧が
印加され、金メッキ処理が行われる。
第３図は本発明製造装置の他の実施例を示すブロック構
成図である。本実施例によれば、ロード・カセット１４
より取出された半導体ウェハー４は、搬送ベルト１６に
て搬送されカソード・チャック３にセラＩ・された後、
メッキ液の循環が開始される。メッキ処理終了後、水洗
用切換バルブ１７ａ、１７ｂが開になり、又メッキ用切
換バルブ１８ａ、１８ｂが閉となり、水洗が開始される
。水洗終了後は、カソード・チャック３を高速に回転さ
せウェハーの乾燥を行なった後、アンロード・カセット
１５ヘウエハーを収納する。この実施例では、メッキ処
理、水洗及び乾燥が自動で処理できる為合理化に資する
効果は大である。
成図である。本実施例によれば、ロード・カセット１４
より取出された半導体ウェハー４は、搬送ベルト１６に
て搬送されカソード・チャック３にセラＩ・された後、
メッキ液の循環が開始される。メッキ処理終了後、水洗
用切換バルブ１７ａ、１７ｂが開になり、又メッキ用切
換バルブ１８ａ、１８ｂが閉となり、水洗が開始される
。水洗終了後は、カソード・チャック３を高速に回転さ
せウェハーの乾燥を行なった後、アンロード・カセット
１５ヘウエハーを収納する。この実施例では、メッキ処
理、水洗及び乾燥が自動で処理できる為合理化に資する
効果は大である。
以上詳細に説明したように、本発明によれば、ウェハー
を回転状態にて上部よりメッキ液を流下させるため、メ
ッキ液が遠心力で外側に飛散し、ウェハー裏面へのメッ
キ液の回り込みを防止できるとともに、メッキ液の循環
時発生しウェハー表面に付着する気泡を除去することが
できる。又、ウェハーが大口径化した場合でも、ノズル
の数及びウェハーへメッキ液を流下させる位置を変える
ことにより、ウェハー内の膜厚の均一性を得ることがで
きる。以上のように本発明によれば、メッキネ良、吸着
不良、膜厚の不均一性を大幅に低減できるので、歩留り
向上等大きな効果を奏し得る。
を回転状態にて上部よりメッキ液を流下させるため、メ
ッキ液が遠心力で外側に飛散し、ウェハー裏面へのメッ
キ液の回り込みを防止できるとともに、メッキ液の循環
時発生しウェハー表面に付着する気泡を除去することが
できる。又、ウェハーが大口径化した場合でも、ノズル
の数及びウェハーへメッキ液を流下させる位置を変える
ことにより、ウェハー内の膜厚の均一性を得ることがで
きる。以上のように本発明によれば、メッキネ良、吸着
不良、膜厚の不均一性を大幅に低減できるので、歩留り
向上等大きな効果を奏し得る。
第１図および第２図はそれぞれ本発明装置の一実施例を
示すブロック構成図およびその要部拡大図、第３図は本
発明装置の他の実施例を示すブロック構成図、第４図お
よび第５図はそれぞれ従来の半導体ウェハー金メッキ装
置の概略を示すブロック図およびその要部拡大図である
。 １・・・メッキ処理槽、２・・・噴水口、３・・・カソ
ード・チャック、４・・・半導体ウェハー、５・・・メ
ッキ用電源装置、６・・・アノード板、７・・・真空ポ
ンプ、８・・・圧送ポンプ、９・・・貯液槽、１０・・
・アノード・ノズル、１１・・・チャック回転用モータ
ー、１２・・・回収カバー、１２ａ・・・回収管、１３
・・・チャック上下用シリンダー、１４・・・ロード・
カセット、１５・・・アンロード・カセット、１６・・
・ウェハー搬送ベルト、１７ａ、１７ｂ・・・水洗用切
換バルブ、１８ａ、１８ｂ・・・メッキ用切換バルブ。
示すブロック構成図およびその要部拡大図、第３図は本
発明装置の他の実施例を示すブロック構成図、第４図お
よび第５図はそれぞれ従来の半導体ウェハー金メッキ装
置の概略を示すブロック図およびその要部拡大図である
。 １・・・メッキ処理槽、２・・・噴水口、３・・・カソ
ード・チャック、４・・・半導体ウェハー、５・・・メ
ッキ用電源装置、６・・・アノード板、７・・・真空ポ
ンプ、８・・・圧送ポンプ、９・・・貯液槽、１０・・
・アノード・ノズル、１１・・・チャック回転用モータ
ー、１２・・・回収カバー、１２ａ・・・回収管、１３
・・・チャック上下用シリンダー、１４・・・ロード・
カセット、１５・・・アンロード・カセット、１６・・
・ウェハー搬送ベルト、１７ａ、１７ｂ・・・水洗用切
換バルブ、１８ａ、１８ｂ・・・メッキ用切換バルブ。
Claims (1)
- 半導体ウェハー面を金メッキ処理する半導体ウェハー
の製造装置において、前記半導体ウェハーの裏面を吸着
してウェハー全体を回転させるカソード・チャックと、
金メッキ液を前記半導体ウェハーの表面に流下せしめる
アノード・ノズルと、前記カソード・チャックおよびア
ノード・ノズル間にメッキ用電圧を印加する電源装置と
を備えることを特徴とする半導体ウェハーの製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8149488A JPH01255684A (ja) | 1988-04-01 | 1988-04-01 | 半導体ウェハーの製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8149488A JPH01255684A (ja) | 1988-04-01 | 1988-04-01 | 半導体ウェハーの製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01255684A true JPH01255684A (ja) | 1989-10-12 |
Family
ID=13747942
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8149488A Pending JPH01255684A (ja) | 1988-04-01 | 1988-04-01 | 半導体ウェハーの製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01255684A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0428897A (ja) * | 1990-05-25 | 1992-01-31 | Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd | ウエハ処理装置 |
| JPH11238704A (ja) * | 1998-02-23 | 1999-08-31 | Ideya:Kk | 半導体基板の配線溝メッキ方法およびメッキ装置 |
| US6001235A (en) * | 1997-06-23 | 1999-12-14 | International Business Machines Corporation | Rotary plater with radially distributed plating solution |
| WO1999054920A3 (en) * | 1998-04-21 | 2000-04-06 | Applied Materials Inc | Electro-chemical deposition cell for face-up processing of single semiconductor substrates |
| JP2007048877A (ja) * | 2005-07-15 | 2007-02-22 | V Technology Co Ltd | 電子回路基板の配線パターン補修方法及び配線パターン補修装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5964794A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-12 | Electroplating Eng Of Japan Co | メツキ装置 |
| JPS6039164A (ja) * | 1983-08-10 | 1985-02-28 | Shinku Lab:Kk | 表面処理装置 |
| JPS6280292A (ja) * | 1985-10-02 | 1987-04-13 | Hitachi Ltd | めつき方法及びその装置 |
-
1988
- 1988-04-01 JP JP8149488A patent/JPH01255684A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5964794A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-12 | Electroplating Eng Of Japan Co | メツキ装置 |
| JPS6039164A (ja) * | 1983-08-10 | 1985-02-28 | Shinku Lab:Kk | 表面処理装置 |
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Cited By (7)
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| WO1999054920A3 (en) * | 1998-04-21 | 2000-04-06 | Applied Materials Inc | Electro-chemical deposition cell for face-up processing of single semiconductor substrates |
| US6416647B1 (en) | 1998-04-21 | 2002-07-09 | Applied Materials, Inc. | Electro-chemical deposition cell for face-up processing of single semiconductor substrates |
| JP2007048877A (ja) * | 2005-07-15 | 2007-02-22 | V Technology Co Ltd | 電子回路基板の配線パターン補修方法及び配線パターン補修装置 |
| JP4701036B2 (ja) * | 2005-07-15 | 2011-06-15 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 電子回路基板の配線パターン補修方法及び配線パターン補修装置 |
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