JPH02189917A - 処理装置 - Google Patents

処理装置

Info

Publication number
JPH02189917A
JPH02189917A JP911989A JP911989A JPH02189917A JP H02189917 A JPH02189917 A JP H02189917A JP 911989 A JP911989 A JP 911989A JP 911989 A JP911989 A JP 911989A JP H02189917 A JPH02189917 A JP H02189917A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cup
temperature
wafer
liquid
processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP911989A
Other languages
English (en)
Inventor
Osamu Hirakawa
修 平河
Noriyuki Anai
穴井 徳行
Masami Akumoto
飽本 正己
Yoshio Kimura
義雄 木村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Tokyo Electron Kyushu Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Tokyo Electron Kyushu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd, Tokyo Electron Kyushu Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP911989A priority Critical patent/JPH02189917A/ja
Publication of JPH02189917A publication Critical patent/JPH02189917A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は、処理装置に関する。
(従来の技術) 一般に、半導体集積回路のパターン形成工程において被
処理体例えば半導体ウェハ全面が一様に被着される工程
、例えばフォトレジスト膜の現像装置としては1、工程
の無人化、連続処理等の見地からウェハを1枚ずつ処理
する枚葉式のスピン現像装置が使用されている。
この枚葉式のスピン現像装置においては、通常、液吐出
ノズル或いはスプレー等により現像液をウェハ表面に滴
下して液盛りするのであるが、表面張力の作用によりウ
ェハ表面に盛り得る液量には限界があり、また、ノズル
やスプレーにて液吐出した場合、ウェハ表面での液むら
や吐出液のウェハの衝撃は防ぎ得ない。
また、近年使用されるようになった現像液として、解像
度を向上させるために界面活性剤を添加したものや表面
張力の低い液が使用される傾向があり、ウェハ表面に表
面張力の作用のみにより必要量の現像液を盛ることが困
難となったため、浸漬式の現像装置が望まれていた。
上記の点を考慮した装置が、例えば実開昭60−526
22号公報等に開示されている。この装置は、ウェハの
下面周辺部と、ウェハホルダ内面に設けられた段部を液
密に接触させて、上記ウェハ表面に現像液を盛って浸漬
処理を行なうものである。
(発明が解決しようとする課題) しかしながら上記従来の技術では、ウェハホルダの内側
に設けられた段部に現像液を盛るため、現像後ウェハを
高速回転しウェハ表面にリンス液を吹きつけてウェハを
洗浄する際に、飛び散ったリンス液等が段部に付着し現
像液と混ざり、現像むらが生しやすい。この現像むらを
なくす手段としては、現像液量を増やすことが考えられ
るが、現像液の消費量が増大してコス1へが高くなって
しまう問題があった。また、回転乾燥する際に」二層段
部とウェハ間のクリアランスを小さくし、リンス液を同
時に振り切ってしまう手段が考えられるが、この時のリ
ンス液の気化熱により上記段部の温度が低下し、この低
下に伴なって」−記段部と接触しているウェハの周辺部
の温度が低下してウェハ周辺部の現像速度が変化してし
まい、均一性がなくなる問題があった。また更に、現像
処理を行なう以前に、上記段部に細首しているリンス液
を現像液の供給により除去する手段が考えられるが、こ
れも現像液の消費量が増大してコス1〜が高くなってし
まう問題があった。
本発明は−1−配点に対処してなされたもので、被処理
体の処理をむらなく均一・に行なうことができ、且つ、
処理液の消費量を低減させることが可能な処理装置を提
供しようとするものである。
〔発明の構成〕
(課題を缶′決するための手段) 本発明は、被処理体の裏面周縁部を支持する支持体を有
した第]のカップと、この第1のカップと液密に接触し
側壁を構成する第2のカップにより処理槽を形成し、こ
の処理槽内て上記被処理体を浸漬処理する処理装置にお
いて、上記第1のカップに、このカップを所定温度に温
調する温調機構を設けたことを特徴とする処理装置を得
るものである。
(作用効果) 即ち、本発明は、被処理体の裏面周縁部を支持する支持
体をイJした第4のカップと、この第1のカップと液密
に接触し側壁を構成する第2のカップにより処理槽を形
成し、この処理槽内て上記被処理体を浸漬処理する処理
装置において、」二層第1のカップに、このカップを所
定温度に温調する温調機構を設けている。このことによ
り、回転乾燥する際に上記支持体と被処理体間のクリア
ランスを小さくし、リンス液を同時に振り切ってしまう
手段で、処理液とリンス液が混合することによる処理む
らの発生を抑止させても、」二層温調機構により被処理
体周縁部を所定温度に設定しておくことで、上記リンス
液の気化熱による被処理体周縁部の温度低下を防止する
ことが可能となる。そのため、低いランニングコス1−
で処理むらの発生を抑止し、均一な処理を行なうことが
できる。
更に、現像液量を増やす手段や、現像処理を行なう以前
に支持体に付着しているリンス液を処理液の供給により
除去する手段を使用せずに処理むらを抑止できるため、
処理液の消費量を低減させることができる。
(実施例) 以下、本発明装置を半導体ウェハの現像処理に適用した
一実施例につき、図面を参照して説明する。
まず、現像装置の構成を説明する。
被処理体例えは半導体ウェハ(1)を搬送する場合及び
回転処理する場合に、適宜使用する保持体例えばスピン
チャック■が設けられている。このスピンチャック■は
、上端が上記ウェハωの口径より小さい面積の平板状で
断面が7字型に構成されており、この平板状の]二端部
において上記ウェハ(1)を裏面から保持する如く保持
機構例えば吸着保持機構(図示せず)が備えられている
。また、このスピンチャック■は、下端部に回転駆動機
構例えばスピンモータ■が連設し、これにより所定の回
転数及び加速度で回転が可能とされている。このスピン
チャック■及びスピンモータ(3)は、図示しない昇降
機構例えばエアシリンダーにより昇降が可能とさ汎てい
る。この昇降により、」二層ウェハ(1)を外部装置と
受は渡しするための搬送位置、及び」二層ウェハ(1)
を保持して回転処理する際の回転処理位置、及びに記つ
ェハ(1)を後述する支持体に受は渡してウェハ(])
と非接触状態とする待機位置に、上記スピンチャック■
を夫々設置可能としている。
また、上記スピンチャック(2)をほぼ中央部に貫通さ
せた状態の円筒形の第1のカップ例えば内カップ(4)
及びこの内カップ(4)の下部に接続した下カップ0に
より処理容器が構成されている。上記内カップ(イ)の
上端には、上記ウェハ(1)の裏面周縁部を保持し設置
する設置台例えば円環状のチャックリング0が設けられ
ている。このチャックリング0は、熱伝導率の良い例え
ば金属に疎水性表面処理例えば四弗化樹脂コートされて
おり、外周部はテーパー状に形成されている。このチャ
ックリング(0の上面には上記ウェハ(υを吸着保持す
るための溝■が形成されており、この溝■に図示しない
真空機構が連設し、上記ウェハ■の保持を可能としてい
る。このチャックリング(へ)の内側には裏面洗浄ノズ
ル0が配置され、ウェハ■の裏面へ洗浄液例えば純水を
供給することで洗浄を可能としている。上記内カップ(
イ)内例えば上記チャックリング■直下には、温調機構
例えば所定温度に温調された温調水を流導する流路0が
形成されている。
このような内カップ0)の下部に、上記した下カップ(
ハ)が固定接続されている。この下カップ0の側壁近辺
は下方に突出した形状で、この突出した内部に廃液を回
収する廃液溝(11)が形成されている。
更に、上記下カップ0の内側には、均一に排気を行なう
ための複数の整流孔(図示せず)が形成された円環状の
仕切りリング(12)が設けられている。
この仕切りリング(12)の内側の上記内カップ(イ)
底部には、図示しない排気口が設けられ、排気が可能と
されている。このような下カップ(ハ)は上記内カップ
0)に接続しているが、上記スピンチャック■と内カッ
プ(へ)の空間から上記排気が外部にリークしないよう
に、上記空間には排気リーク防止プレーh(13)が設
けられている。この排気リーク防止プレート(13)の
下端部には昇降板(14)がねじ(15)止め等により
固定されており、この昇降板(14)は図示しない昇降
機構例えばエアシリンダーに連設しているシャフト(1
6)と接続し、上記内カップ(4)及び下カップ0を一
体的に昇降可能とじている。ここで、上記排気リーク防
止プレーh(13)は高さ調整ねじ(17)により高さ
が調整可能であり、これにより上記内カップ(イ)の高
さ及びウェハ■との平行度を調整できるようになってい
る。このように構成された内カップに)は、上方に固定
されている第2のカップ例えば外カップ(18)と当接
可能となっている。
上記外カップ(18)は、処理液の付着による溶出。
腐食を防ぐために樹脂例えば弗素樹脂或はPVcにより
円環状に形成布れている。この円環状の外と対応する逆
テーパー形状と成っており、上記内カップ(へ)と液密
に接触することで、上記ウェハ■の処理を行なう処理部
例えば処理槽(19)の側壁を構成するように成ってい
る。この処理槽(19)の液密を保持するために、上記
外カップ(18)の上記内カップ(イ)当接部には弾性
体例えば二1〜リルゴム或は弗素樹脂から成るシール部
材(21)が設けられている。このシール部材(21)
より上方の外カップ(18)内壁即ち上記処理槽(19
)側壁には処理液例えば現像液供給孔(22)が、上記
外カップ(18)内壁に沿ってほぼ等間隔で複数個形成
されている。この現像液供給孔(22)は、外部の図示
しない現像液供給源に連設し、上記処理槽(19)内に
所定量の現像液を供給可能としている。この現像液供給
孔(22)から上記処理槽(19)内へ供給する現像液
を所定温度に保つために、上記外カップ(18)内には
温調機構例えば上記外カップ(18)内に形成された流
路(23)内を外部の温調器により所定温度に温調され
た温調水が循環する如く構成された温調機構が設けられ
ている。また、上記外カップ(18)の下面外周部には
、この外カップ(18)を構成する円環状のメカ−1〜
リング(24)が下方に突設されている。このスカート
リング(24)は、二重リング構造で、内側リング(2
4a)及び外側リング(24b)を有している。
この内側リング(24a)の上端は上記外カップ(18
)に接続され、また、外側リング(24b)は上記内側
リング(24a)と多少の隙間を開けて並設され、この
外側リング(24b)と内側リング(24a)の夫々下
端部が封止されている。そして、上記外側リング(24
b)の上端部が、例えばベースプレーh(25)に取付
けられ、固定されている。これにより」1記外カップ(
18)が固定されている。このような構造のスカー1−
リンク(24)内、即ち、 内側リング(24a)と外
側リング(24b)との間に挿入可能とさ才した壁体例
えば上カップ(26)が設けられている。この」二カッ
プ(26)は、上記処理容器から処理液等が周囲へ飛散
することを防止するために筒状構造で、図示しない昇降
機構により昇降が可能とされている。
また、」二層スカー1へリング(24)の外面と、−1
−、記処理容器の側壁即ち下カップ(ハ)側壁の内面と
は、接触或いは非接触状態で常に1−分に重なり合った
状態で相対的に昇降が可能とされている。これにより内
部の処理液等が外部に流出することを防止している。上
記型なり合った部分は、図示はしないが摺動可能なシー
ル部材を介在させてもよい。このようにして現像装置が
構成されている。
次に、」二連した現像装置の動作作用及びウェハ(1)
の現像方法を説明する。
まず、スピンチャック■及びスピンモータ■を図示しな
い昇降機構により」−昇させ、旧つ−1−カップ(26
)を下降させ、」−記スピンチャツク(2)の−11面
を搬送位置に設定する。この搬送位置とは、このスピン
チャック(2)と外部装置との間てウェハ(1)を受け
&しする位置で、この受は渡しに障害とならないように
、外カップ(1,8)1面より高い位置となっている。
この時、内カップC)及びこの内カップ0)に固定され
ている下カップ0及び上カップ(26)は、下降させた
状態としておく。そして、図示しない搬送機構例えばハ
ンドアー11により、ウェハ(1)を」1記スピンチャ
ック(2)上に搬送し、このスピンチャック(2)の回
転中心とウェハ(1)の回転中心が合わせられた状態で
、上記スピンチャック■上面にウェハ(1)を設置し、
このウェハ0)を保持例えば吸着保持する(第2図)。
そして、」1記スピンチャック(2)及びスピンモータ
(3)を下降させ、ウェハ(1)を回転処理位置に設定
する(第3図)。 この回転処理位置とは、上記ウェハ
(1)を保持して回転処理する位置で、このウェハ(1
)表面の延長部が外カップ(I8)の逆テーパー形状の
内壁面と交わる位置となっている。この時、上記内カッ
プ(イ)及びこの内カップ(4)に固定されている下カ
ップ(10)は、l” I降したままの状態としておき
、また、」二記」二カップ(26)は」二Mさせる。そ
して、」二記スピンモータ(3)によりスピンチャック
■を介してウェハ(1)を所定の回転速度で回転させ。
このウェハ(1)の上方に配置されたスプレー(図示せ
ず)より現像液を噴出して」二記ウェハ0)をプリウエ
ッ1〜する。
そして、」−記内力ノブ(4)及びこれに固定されてい
る下カップ0を図示しない昇降機構により」1昇させる
ことにより、上記スピンチャック(2)に設置されてい
るウェハ(1)をチャックリング(6)上に受は渡す。
また、」二層内カップ0)はチャックリング0のテーパ
ー形状の周縁部と、上記外カップ(18)内周に設けら
れているシール部材(21)を当接させ、液密な処理槽
(19)を形成する。この処理槽(19)を液密とする
如く内カップO)を外カップ(18)に当接させるため
に、ベースプレー1〜(25)に設しプた図示しない高
さ調整ねじにより予め上記外カップ(18)の高さを調
整しておく。また、上記チャックリング0に設置したウ
ェハ(1)を、溝ωに連設した真空機構により吸着保持
する。この時、上記上カップ(26)は、」1昇させた
ままとしておく。
そして、」1記外カップ(18)内周に複数個設けられ
ている現像液供給孔(22)から所定量の現像液(30
)を例えば3〜6 Q /mjnの速度で上記処理槽(
19)内に供給し、貯留する(第4図)。 これによリ
ウエハ(1)表面に現像液(30)が貯留され、ウェハ
(1)の浸漬式現像処理が行なわれる。この時、」−記
現像液供給孔(22)から供給される現像液は、−J二
記外カップ(18)内部に形成されている流路(23)
に所定温度例えば常温に温調制御された温調水が循環し
ていることにより、」二記常温にされてウェハ(1)表
面に供給される。このことにより、ウェハ(1)の現像
むらの発生を防止し、均一な現像処理を行なうことを可
能としている。
所定時間経過後、」二層内カップ(4)を下降させるこ
とにより、上記ウェハ(1)の保持をチャックリング(
へ)からスピンチャツタ(2)に切り換え、このウエハ
■を回転処理位置に設定する(第3図)。 この場合も
、上記上カップ(26)は上昇した状態としておく。こ
の時、上記ウェハ(1)表面、即ち、処理槽(19)に
貯留されて現像処理に使用された現像廃液は、上記内カ
ップ(イ)が下降し、上記処理槽(19)の液密を解除
した時点で、テーパー形状の内カップ(へ)外周部に沿
って下カップ(ハ)の廃液溝(11)に、速やかに除去
される。ここで、上記スピンモータ(3)によりスピン
チャック■を介してウェハ■を所定の回転速度で回転さ
せ、この回転状態で上記ウェハ■上方に配置された図示
しないリンスノズルから、リンス液例えば純水を供給し
てウェハ(1表面を洗浄する。同時に、上記内カップ(
イ)の内周に設けられている裏面洗浄ノズル(8)から
、上記ウェハ■裏面周縁部に洗浄液を供給してウェハ■
裏面を洗浄する。ここで、この裏面洗浄ノズル(8)か
ら供給された洗浄液は、上記ウェハ(1)の裏面とチャ
ックリング(0表面との間を通過して、上記ウェハ■の
裏面を洗浄した後、上記内カップ(へ)のテーパー形状
の外周に沿って廃液溝(11)に流れ、外部に排出され
る。この場合、上記チャックリング0表面に付着した洗
浄液を同時に除去するため、上記回転させるウェハ■と
チャックリング0の隙間を例えば0.5〜2 +n+n
と設定し、 上記ウェハ(υの回転により発生する気流
により上記洗浄液を除去する。
この時、上記ウェハ(Dの裏面とチャックリング0表面
との隙間を通過する洗浄液の一部が気化する。
この時の洗浄液の気化熱により上記チャックリング0が
吸熱され、温度が低下しやすくなる。しかし、上記チャ
ックリング0の下部、即ち、内カップ0)内部には、こ
の内カップ(4)及びチャックリング(0を所定温度例
えば常温に温調するための温調水を流感する流路(9)
が形成され、上記温度に温調しているため、上記チャッ
クリング0が冷却されることはない。このことにより、
上記チャックリング0にウェハ■を設置する際に、この
ウェハ■を冷却させることはなく、現像むらの発生や、
現像均一性及び現像速度の低下等を防止することができ
、歩留まり及びスループッ1−の向上が可能となる。
そして、上記ウェハ(ト)を更に高速回転させて、この
ウェハ■の表裏に付着しているリンス液及び洗浄液をウ
ェハ■の遠心力により飛散させ、乾燥させる。また、各
動作中に、必要に応じて仕切りリング(12)を介して
図示しない排気し1から排気制御する。
上記一連の動作が終了した後、上記スピンチャック■及
びスピンモータ■を上昇させ、また、上カップ(26)
を下降させて上記ウェハ(ト)を搬送位置に設定し、外
部装置へ搬送する。
上記実施例では、内カップ@)及び外カップ(18)を
温調する媒体を液体である温調水で説明したが、これに
限定するものではなく、例えばヘリウム等の気体でもよ
く、また、温調機構は流路に限定せず、電気的な温調例
えばヒーターや、ペルチェ効果素子を使用しても同様な
効果が得られる。
また、上記実施例では、外カップ(18)を固定し、内
カップ(イ)を昇降可能としたが、夫々相対的に昇降が
可能であれば、何れでもよい。
以上述べたようにこの実施例によれば、被処理体の裏面
周縁部を支持する支持体を有した第1のカップと、この
第1のカップに液密に接触し側壁を構成する第2のカッ
プにより処理槽を形成し、この処理槽内で上記被処理体
を浸漬処理する処理装置において、上記第1のカップに
、このカップを所定温度に温調する温調機構を設けてい
る。このことにより、回転乾燥する際に上記支持体と被
処理体間のクリアランスを小さくし、リンス液。
裏面洗浄液を同時に振り切ってしまう手段で、処理液と
リンス液が混合することによる処理むらの発生を抑止さ
せても、上記温調機構により被処理体周縁部を所定温度
に設定しておくことで、上記リンス液の気化熱による被
処理体周縁部の温度低下を防止することが可能となる。
そのため低いランニングコス1〜で処理むらの発生を抑
止し、均一な処理を行なうことができる。
更に、現像液量を増やす手段や、現像処理を行なう以前
に支持体に付着しているリンス液を処理液の供給により
除去する手段を使用せずに処理むらを抑止できるため、
現像液の消費量を低減させることかできる。
【図面の簡単な説明】
第1−図は本発明装置の一実施例を説明するための現像
装置の構成図、第2図、第3図、第4図は第1図現像装
置の動作説明図である。。 1 ウェハ     2 スピンチャック4・内カップ
    5 下カップ 6・チャックリング 18  外カップ19  処理槽
     21  シール部材26・・−にカップ 特許出願人  東京エレクI−ロン株式会社同  チル
九州株式会社

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 被処理体の裏面周縁部を支持する支持体を有した第1の
    カップと、この第1のカップと液密に接触し側壁を構成
    する第2のカップにより処理槽を形成し、この処理槽内
    で上記被処理体を浸漬処理する処理装置において、上記
    第1のカップに、このカップを所定温度に温調する温調
    機構を設けたことを特徴とする処理装置。
JP911989A 1989-01-18 1989-01-18 処理装置 Pending JPH02189917A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP911989A JPH02189917A (ja) 1989-01-18 1989-01-18 処理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP911989A JPH02189917A (ja) 1989-01-18 1989-01-18 処理装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH02189917A true JPH02189917A (ja) 1990-07-25

Family

ID=11711749

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP911989A Pending JPH02189917A (ja) 1989-01-18 1989-01-18 処理装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH02189917A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6257778B1 (en) * 1998-02-04 2001-07-10 Tokyo Electron Limited Method for developing front surface of substrate with improved developing function of developing solution and apparatus thereof
US6732065B1 (en) 1999-04-29 2004-05-04 Silicon Graphics, Incorporated Noise estimation for coupled RC interconnects in deep submicron integrated circuits

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6257778B1 (en) * 1998-02-04 2001-07-10 Tokyo Electron Limited Method for developing front surface of substrate with improved developing function of developing solution and apparatus thereof
US6732065B1 (en) 1999-04-29 2004-05-04 Silicon Graphics, Incorporated Noise estimation for coupled RC interconnects in deep submicron integrated circuits

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3587723B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
US6921466B2 (en) Revolution member supporting apparatus and semiconductor substrate processing apparatus
KR102008061B1 (ko) 기판 세정 장치, 기판 처리 장치, 기판 세정 방법 및 기판 처리 방법
US7404407B2 (en) Substrate processing apparatus
KR100666357B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JPH07132262A (ja) 浸漬式の液処理装置
JP7250868B2 (ja) 洗浄ジグ、これを含む基板処理装置、そして基板処理装置の洗浄方法
JP2008013851A (ja) 回転保持装置及び半導体基板処理装置
JP2001232250A (ja) 膜形成装置
JP2017183576A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JPH08124846A (ja) 処理方法及び処理装置
JP3326656B2 (ja) 回転式半導体基板処理装置及び回転式半導体基板処理方法
JP2024113023A (ja) 洗浄方法、塗布装置及び洗浄用治具
JPH02189917A (ja) 処理装置
JPH11207250A (ja) 膜形成方法
JP3703281B2 (ja) 基板処理装置
JP2986300B2 (ja) 塗布装置及び塗布方法
JPS63152123A (ja) 浸漬式の液処理装置
JPH01255684A (ja) 半導体ウェハーの製造装置
JPH0262549A (ja) スピンデベロッパ、レジスト処理装置及びレジスト処理方法
JP2820422B2 (ja) 回転処理装置
TW200409182A (en) Solution treatment unit
JP2001319919A5 (ja)
JPH11128813A (ja) 塗布処理方法および塗布処理装置
JPH1022191A (ja) ウエハの薬液処理装置およびその方法