JP7250868B2 - 洗浄ジグ、これを含む基板処理装置、そして基板処理装置の洗浄方法 - Google Patents

洗浄ジグ、これを含む基板処理装置、そして基板処理装置の洗浄方法 Download PDF

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Description

本発明は基板処理装置に関り、さらに詳細には、液処理ユニットに提供されたカップ洗浄が可能な基板処理装置に係る。
半導体素子を製造するためには洗浄、蒸着、写真、蝕刻、そしてイオン注入等のような多様な工程が遂行される。このような工程の中で写真工程は塗布、露光、そして現象現像段階を順次的に遂行する。塗布工程は基板の表面にレジストのような感光液を塗布する工程である。露光工程は感光膜が形成された基板上に回路パターンを露光する工程である。現像工程には基板の露光処理された領域を選択的に現像する工程である。
一般的に塗布工程及び現像工程は基板を液処理する工程であって、基板上に処理液を供給する工程が遂行される。基板の液処理工程は処理容器で遂行され、使用された処理液は処理容器を通じて回収される。
工程に応じて様々な処理液が処理容器を通じて回収されるので、処理容器には処理液が付いている。処理容器に付している処理液は今後ヒュームとして作用するか、又は基板を汚染させる主要原因になる。
図１には液処理ユニットが図示された。
図１を参照すれば、液処理ユニット１は基板処理空間を提供するカップ２、カップ２の内部に基板が置かれる支持板４、支持板４の上部に位置され、処理液を基板３に向かって吐出するノズルユニット５を含む。
基板に供給された処理液はカップ２を通じて回収される。工程に応じて様々な処理液がカップ２を通じて回収されるので、カップ２には処理液が付着されるようになる。カップ２に付けていた処理液６は今後ヒュームとして作用するか、又は基板に跳ねることができる。
したがって、周期的にカップ２を洗浄するか、又は他の種類の処理液で基板を処理する前にカップ２を洗浄することが好ましい。
従来には円板形状の洗浄ジグを使用した。カップ２と洗浄ジグの相対高さが固定された状態ではカップ２の内部に様々な高さに分布された洗浄物を均一に洗浄するのが難しかった。
日本国特許公開第２０１４３０９３５号公報
本発明の一目的はカップ洗浄を効率的に遂行することができる洗浄ジグ及びこれを有する基板処理装置そして基板処理装置の洗浄方法を提供することにあり。
また、本発明の一目的は様々な高さでカップの内側面を洗浄することができる洗浄ジグ及びこれを有する基板処理装置そして基板処理装置の洗浄方法を提供することにある。
また、本発明の一目的は空間活用が容易である洗浄ジグ及びこれを有する基板処理装置を提供することにある。
本発明の目的はここに制限されなく、言及されないその他の目的は下の記載から当業者に明確に理解されるべきである。
本発明の一側面によれば、回転可能なスピンヘッドと、前記スピンヘッドを囲むように提供されるカップと、前記スピンヘッドに安着され、前記スピンヘッドの回転によって洗浄液を前記カップに向かって吐出する洗浄ジグと、前記洗浄ジグの上部に位置して洗浄液を前記洗浄ジグの上面中央に供給するノズルユニットと、を含み、前記洗浄ジグは前記ノズルユニットから提供された洗浄液が回転による遠心力で前記カップに向かって飛散されるように陰刻で形成された飛散誘導溝を含む基板処理装置が提供されることができる。
また、前記飛散誘導溝は前記洗浄ジグの中心で円周方向に沿って曲線形状に提供されることができる。
また、前記飛散誘導溝の曲線は前記洗浄ジグでの洗浄液流れ、方向に対応される方向に曲がれることができる。
また、前記飛散誘導溝の曲線は前記洗浄ジグでの洗浄液流れ、方向に反対になる方向に曲がれることができる。
また、前記飛散誘導溝は前記洗浄ジグの中心で一定の距離を有する同心円上に等間隔に提供されることができる。
また、前記飛散誘導溝は底面の中で高さが最も低い低点を基準に前記洗浄ジグの外側に向かう第１底面が前記洗浄ジグの内側に向かう第２底面の勾配より緩やかな勾配を有することができる。
また、前記飛散誘導溝は底面の中で高さが最も低い低点を基準に洗浄液が飛散される方向の第１底面がその反対方向の第２底面より傾斜が緩やかな勾配を有することができる。
また、前記飛散誘導溝は前記第１底面の勾配が異なるように提供されることができる。
また、前記ノズルユニットに洗浄液を供給する供給部と、前記洗浄ジグに供給される洗浄液供給量を一定周期に増加及び減少されるように前記供給部を制御する制御部と、を含むことができる。
また、前記制御部は前記洗浄ジグに洗浄液が供給される間に前記スピンヘッドの回転速度が加速と減速を反復するように前記スピンヘッドを制御することができる。
また、前記洗浄ジグの底面に洗浄液を噴射するバックノズルをさらに含み、前記洗浄ジグはエッジ部底面に下方突出された飛散誘導突起をさらに含むことができる。
本発明の他の側面によれば、所定の厚さを有する円形プレート形状のジグボディーを有し、前記ジグボディーはノズルユニットから洗浄液が供給される中央領域と、前記中央領域を囲む縁領域と、を含み、前記縁領域には洗浄液が回転による遠心力で飛散されるように陰刻で形成された飛散誘導溝が提供される洗浄ジグが提供されることができる。
また、前記飛散誘導溝は前記ジグボディーの第１同心円に沿って配列される第１グループの飛散誘導溝と、前記第１同心円より大きい第２同心円に沿って配列される第２グループの飛散誘導溝と、を含むことができる。
また、前記第１グループの飛散誘導溝と前記第２グループの飛散誘導溝はその長さが異なるように形成されることができる。
また、前記飛散誘導溝は前記洗浄ジグの中心で円周方向に沿って曲線形状に提供されることができる。
また、前記飛散誘導溝は前記ジグボディーの中心で一定の距離を有する同心円上に等間隔に提供されることができる。
また、前記飛散誘導溝は底面の中で高さが最も低い低点を基準に前記洗浄ジグの外側に向かう第１底面が前記洗浄ジグの内側に向かう第２底面の勾配より緩やかな勾配を有することができる。
また、前記飛散誘導溝は底面の中で高さが最も低い低点を基準に洗浄液が飛散される方向の第１底面がその反対方向の第２底面より傾斜が緩やかな勾配を有することができる。
また、前記洗浄ジグはエッジ部底面に下方突出された飛散誘導突起をさらに含むことができる。
本発明のその他の側面によれば、スピンヘッドに洗浄ジグを安着させる段階と、スピンヘッドを回転させる段階と、回転する前記洗浄ジグの上面に洗浄液を供給して、洗浄液が前記洗浄ジグの上面に形成された飛散誘導溝に沿って飛散されるようにする供給段階と、を含み、
前記洗浄ジグに供給される洗浄液はその供給量が一定周期に増加及び減少されるようにする基板処理装置の洗浄方法を提供することができる。
また、前記洗浄ジグに洗浄液が供給される間に前記スピンヘッドの回転速度が加速と減速を反復することができる。
本発明の実施形態によれば、洗浄ジグを通じてカップの内部に様々な高さに洗浄液を飛散させてカップの洗浄効率を高めることがきる。
本発明の実施形態によれば、支持板を上下移動させなくとも、洗浄液供給量調節を通じて洗浄効率を高めることがきる。
本発明の実施形態によれば、陰刻加工を通じて様々な角度に洗浄液を飛散させることができ、ジグ全体の厚さ減少を通じて空間活用（洗浄ジグの保管等）が優れた格別な効果を有する。
本発明の効果が上述した効果によって限定されることはなく、言及されなかった効果は本明細書及び添付された図面から本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に明確に理解されることができる。
一般的な液処理ユニットの断面図である。 本発明の第１実施形態に係る基板処理設備の平面図である。 図２の設備をＡ－Ａ方向から見た断面図である。 図２の設備をＢ－Ｂ方向から見た断面図である。 図２の設備をＣ－Ｃ方向から見た断面図である。 図２の基板処理装置を示す断面図である。 図６に図示された基板処理装置の洗浄に使用される洗浄ジグの斜視図である。 図７に図示された洗浄ジグの平面図である。 図８に表示されたＡ－Ａ線に沿って切断した断面図である。 洗浄ジグを利用した処理容器の洗浄過程を説明するための図面である。 洗浄ジグの第１変形例を示す斜視図である。 図１１に表示されたＢ－Ｂ線に沿って切断した断面図である。 洗浄ジグの第２変形例を示す図面である。 洗浄ジグの第３変形例を示す底面斜視図である。 図１４に図示された洗浄ジグの断面図である。 図１４に図示された洗浄ジグを利用した処理容器洗浄を説明するための図面である。
以下、本発明の実施形態を添付された図面を参照してさらに詳細に説明する。本発明の実施形態は様々な形態に変形することができ、本発明の範囲が以下の実施形態に限定されることして解釈されてはならない。本実施形態は当業界で平均的な知識を有する者に本発明をさらに完全に説明するために提供されることである。したがって、図面での要素の形状はより明確な説明を強調するために誇張及び縮小されたことである。
本実施形態の設備は半導体ウエハ又は平板表示パネルのような基板に対してフォトリソグラフィー工程を遂行するのに使用されることができる。特に本実施形態の設備は露光装置に連結されて基板に対して塗布工程及び現像工程を遂行するのに使用されることができる。以下では基板にウエハが使用された場合を例として説明する。
以下、図２乃至図１６を通じて本発明の基板処理設備を説明する。
図２は基板処理設備を上部から見た図面であり、図３は図２の設備をＡ－Ａ方向から見た図面であり、図４は図２の設備をＢ－Ｂ方向から見た図面であり、図５は図２の設備をＣ－Ｃ方向から見た図面である。
図２乃至図５を参照すれば、基板処理設備１はロードポート１００、インデックスモジュール２００、第１バッファモジュール３００、塗布及び現像モジュール４００、第２バッファモジュール５００、露光前後処理モジュール６００、そしてインターフェイスモジュール７００を含む。ロードポート１００、インデックスモジュール２００、第１バッファモジュール３００、塗布及び現像モジュール４００、第２バッファモジュール５００、露光前後処理モジュール６００、そしてインターフェイスモジュール７００は順次的に一方向に一列に配置される。
以下、ロードポート１００、インデックスモジュール２００、第１バッファモジュール３００、塗布及び現像モジュール４００、第２バッファモジュール５００、露光前後処理モジュール６００、そしてインターフェイスモジュール７００が配置された方向を第１方向１２と称し、上部から見る時、第１方向１２と垂直になる方向を第２方向１４と称し、第１方向１２及び第２方向１４と各々垂直になる方向を第３方向１６と称する。
基板Ｗはカセット２０内に収納された状態に移動される。この時、カセット２０は外部から密閉されることができる構造を有する。例えば、カセット２０としては前方にドアを有する前面開放一体式ポッド（Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎ Ｕｎｉｆｉｅｄ Ｐｏｄ；ＦＯＵＰ）が使用されることができる。
以下では、ロードポート１００、インデックスモジュール２００、第１バッファモジュール３００、塗布及び現像モジュール４００、第２バッファモジュール５００、露光前後処理モジュール６００、そしてインターフェイスモジュール７００に対して詳細に説明する。
ロードポート１００は基板がＷが収納されたカセット２０が置かれる載置台１２０を有する。載置台１２０は複数が提供され、載置台２００は第２方向１４に沿って一列に配置される。図２では４つの載置台１２０が提供されている。
インデックスモジュール２００はロードポート１００の載置台１２０に置かれるカセット２０と第１バッファモジュール３００との間に基板Ｗを移送する。インデックスモジュール２００はフレーム２１０、インデックスロボット２２０、そしてガイドレール２３０を有する。フレーム２１０は大体に内部が空いている直方体の形状に提供され、ロードポート１００と第１バッファモジュール３００との間に配置される。インデックスモジュール２００のフレーム２１０は後述する第１バッファモジュール３００のフレーム３１０より低い高さに提供されることができる。インデックスロボット２２０とガイドレール２３０はフレーム２１０内に配置される。インデックスロボット２２０は基板Ｗを直接ハンドリングするハンド２２１が第１方向１２、第２方向１４、第３方向１６に移動可能であり、回転されるように４軸駆動が可能な構造を有する。インデックスロボット２２０はハンド２２１、アーム２２２、支持台２２３、そして台座２２４を有する。ハンド２２１はアーム２２２に固定設置される。アーム２２２は伸縮可能な構造及び回転可能な構造で提供される。支持台２２３はその長さ方向が第３方向１６に沿って配置される。アーム２２２は支持台２２３に沿って移動可能するように支持台２２３に結合される。支持台２２３は台座２２４に固定結合される。ガイドレール２３０はその長さ方向が第２方向１４に沿って配置されるように提供される。台座２２４はガイドレール２３０に沿って直線移動可能するようにガイドレール２３０に結合される。また、図示されなかったが、フレーム２１０にはカセット２０のドアを開閉するドアアオープナーがさらに提供される。
第１バッファモジュール３００はフレーム３１０、第１バッファ３２０、第２バッファ３３０、冷却チャンバー３５０、そして第１バッファロボット３６０を有する。フレーム３１０は内部が空いている直方体の形状に提供され、インデックスモジュール２００と塗布及び現像モジュール４００との間に配置される。第１バッファ３２０、第２バッファ３３０、冷却チャンバー３５０、そして第１バッファロボット３６０はフレーム３１０内に位置される。冷却チャンバー３５０、第２バッファ３３０、そして第１バッファ３２０は順次的に下から第３方向１６に沿って配置される。第１バッファ３２０は後述する塗布及び現像モジュール４００の塗布モジュール４０１と対応される高さに位置され、第２バッファ３３０と冷却チャンバー３５０は後述する塗布及び現像モジュール４００の現像モジュール４０２と対応される高さに位置される。第１バッファロボット３６０は第２バッファ３３０、冷却チャンバー３５０、そして第１バッファ３２０と第２方向１４に一定距離離隔されるように位置される。
第１バッファ３２０と第２バッファ３３０は各々複数の基板がＷを一時的に保管する。第２バッファ３３０はハウジング３３１と複数の支持台３３２を有する。支持台３３２はハウジング３３１内に配置され、相互間に第３方向１６に沿って離隔されるように提供される。各々の支持台３３２には１つの基板Ｗが置かれる。ハウジング３３１はインデックスロボット２２０、第１バッファロボット３６０、そして後述する現像モジュール４０２の現像部ロボット４８２がハウジング３３１内の支持台３３２に基板Ｗを搬入又は搬出できるようにインデックスロボット２２０が提供された方向、第１バッファロボット３６０が提供された方向、そして現像部ロボット４８２が提供された方向に開口（図示せず）を有する。第１バッファ３２０は第２バッファ３３０と大体に類似な構造を有する。但し、第１バッファ３２０のハウジング３２１には第１バッファロボット３６０が提供された方向及び後述する塗布モジュール４０１に位置された塗布部ロボット４３２が提供された方向に開口を有する。第１バッファ３２０に提供された支持台３２２の数と第２バッファ３３０に提供された支持台３３２の数は同一であるか、或いは異なることができる。一例によれば、第２バッファ３３０に提供された支持台３３２の数は第１バッファ３２０に提供された支持台３２２の数より多いことができる。
第１バッファロボット３６０は第１バッファ３２０と第２バッファ３３０との間に基板Ｗを移送させる。第１バッファロボット３６０はハンド３６１、アーム３６２、そして支持台３６３を有する。ハンド３６１はアーム３６２に固定設置される。アーム３６２は伸縮可能な構造で提供されて、ハンド３６１が第２方向１４に沿って移動可能するようにする。アーム３６２は支持台３６３に沿って第３方向１６に直線移動可能するように支持台３６３に結合される。支持台３６３は第２バッファ３３０に対応される位置から第１バッファ３２０に対応される位置まで延長された長さを有する。支持台３６３はがより上又は下方向にさらに長く提供されることができる。第１バッファロボット３６０は単純にハンド３６１が第２方向１４及び第３方向１６に沿う２軸のみで駆動されるように提供されることができる。
冷却チャンバー３５０は各々基板Ｗを冷却する。冷却チャンバー３５０はハウジング３５１と冷却プレート３５２を有する。冷却プレート３５２は基板Ｗが置かれる上面及び基板Ｗを冷却する冷却手段３５３を有する。冷却手段３５３としては冷却水による冷却や熱電素子を利用した冷却等の様々な方式が使用されることができる。また、冷却チャンバー３５０には基板Ｗを冷却プレート３５２上に位置させるリフトピンアセンブリ（図示せず）が提供されることができる。ハウジング３５１はインデックスロボット２２０及び後述する現像モジュール４０２に提供された現像部ロボット４８２が冷却プレート３５２に基板Ｗを搬入又は搬出できるようにインデックスロボット２２０が提供された方向及び現像部ロボット４８２が提供された方向に開口（図示せず）を有する。また、冷却チャンバー３５０には上述した開口を開閉するドア（図示せず）が提供されることができる。
塗布及び現像モジュール４００は露光工程前に基板Ｗ上にフォトレジストを塗布する工程及び露光工程後に基板Ｗを現像する工程を遂行する。塗布及び現像モジュール４００は大体に直方体の形状を有する。塗布及び現像モジュール４００は塗布モジュール４０１と現像モジュール４０２を有する。塗布モジュール４０１と現像モジュール４０２は相互間に層で区画されるように配置される。一例によれば、塗布モジュール４０１は現像モジュール４０２の上部に位置される。
塗布モジュール４０１は基板Ｗに対してフォトレジストのような感光液を塗布する工程及びレジスト塗布工程前後に基板Ｗに対して加熱及び冷却のような熱処理工程を含む。塗布モジュール４０１はレジスト塗布チャンバー４１０、ベークチャンバー４２０、そして搬送チャンバー４３０を有する。レジスト塗布チャンバー４１０、ベークチャンバー４２０、そして搬送チャンバー４３０は第２方向１４に沿って順次的に配置される。したがって、レジスト塗布チャンバー４１０とベークチャンバー４２０は搬送チャンバー４３０を介して第２方向１４に互いに離隔されるように位置される。レジスト塗布チャンバー４１０は複数が提供され、第１方向１２及び第３方向１６に各々複数ずつ提供される。図面では６つのレジスト塗布チャンバー４１０が提供された例が図示されている。ベークチャンバー４２０は第１方向１２及び第３方向１６に各々複数ずつ提供される。図面では６つのベークチャンバー４２０が提供された例が図示されている。しかし、これと異なりにベークチャンバー４２０はさらに多い数に提供されることができる。
搬送チャンバー４３０は第１バッファモジュール３００の第１バッファ３２０と第１方向１２と平行に位置される。搬送チャンバー４３０内には塗布部ロボット４３２とガイドレール４３３が位置される。搬送チャンバー４３０は大体に長方形の形状を有する。塗布部ロボット４３２はベークチャンバー４２０、レジスト塗布チャンバー４１０、第１バッファモジュール３００の第１バッファ３２０、そして後述する第２バッファモジュール５００の第１冷却チャンバー５２０との間に基板Ｗを移送する。ガイドレール４３３はその長さ方向が第１方向１２と平行するように配置される。ガイドレール４３３は塗布部ロボット４３２が第１方向１２に直線移動されるように案内する。塗布部ロボット４３２はハンド４３４、アーム４３５、支持台４３６、そして台座４３７を有する。ハンド４３４はアーム４３５に固定設置される。アーム４３５は伸縮可能な構造で提供されてハンド４３４が水平方向に移動可能するようにする。支持台４３６はその長さ方向が第３方向１６に沿って配置されるように提供される。アーム４３５は支持台４３６に沿って第３方向１６に直線移動可能するように支持台４３６に結合される。支持台４３６は台座４３７に固定結合され、台座４３７はガイドレール４３３に沿って移動可能するようにガイドレール４３３に結合される。
レジスト塗布チャンバー４１０は全て同一な構造を有する。但し、各々のレジスト塗布チャンバー４１０で使用されるフォトレジストの種類は互いに異なることができる。一例のフォトレジストとしては化学増幅型レジスト（ｃｈｅｍｉｃａｌ ａｍｐｌｉｆｉｃａｔｉｏｎ ｒｅｓｉｓｔ）が使用されることができる。レジスト塗布チャンバー４１０は基板Ｗ上にフォトレジストを塗布する基板処理装置として提供される。基板処理装置８００は液塗布工程が遂行され、これに対する詳細な説明は次の図６乃至図７を参考して説明する。
再び図２乃至図５を参照すれば、ベークチャンバー４２０は基板Ｗを熱処理する。例えば、ベークチャンバー４２０はフォトレジストを塗布する前に基板Ｗを所定の温度に加熱して基板Ｗ表面の有機物や水分を除去するプリベーク（ｐｒｅｂａｋｅ）工程やフォトレジストを基板Ｗ上に塗布した後に行うソフトベーク（ｓｏｆｔｂａｋｅ）工程等を遂行し、各々の加熱工程の後に基板Ｗを冷却する冷却工程等を遂行する。ベークチャンバー４２０は冷却プレート４２１又は加熱プレート４２２を有する。冷却プレート４２１には冷却水又は熱電素子のような冷却手段４２３が提供される。また、加熱プレート４２２には熱線又は熱電素子のような加熱手段４２４が提供される。冷却プレート４２１と加熱プレート４２２は１つのベークチャンバー４２０内に各々提供されることができる。選択的にベークチャンバー４２０の中で一部は冷却プレート４２１のみを具備し、他の一部は加熱プレート４２２のみを具備することができる。
現像モジュール４０２は基板Ｗ上にパターンを得るために現像液を供給してフォトレジストの一部を除去する現像工程、及び現像工程前後に基板Ｗに対して遂行される加熱及び冷却のような熱処理工程を含む。現象モジュール４０２は現像チャンバー４６０、ベークチャンバー４７０、そして搬送チャンバー４８０を有する。現像チャンバー４６０、ベークチャンバー４７０、そして搬送チャンバー４８０は第２方向１４に沿って順次的に配置される。したがって、現像チャンバー４６０とベークチャンバー４７０は搬送チャンバー４８０を介して第２方向１４に互いに離隔されるように位置される。現像チャンバー４６０は複数が提供され、第１方向１２及び第３方向１６に各々複数ずつ提供される。図面では６つの現像チャンバー４６０が提供された例が図示されている。ベークチャンバー４７０は第１方向１２及び第３方向１６に各々複数ずつ提供される。図面では６つのベークチャンバー４７０が提供された例が図示されている。しかし、これと異なりにベークチャンバー４７０はさらに多い数に提供されることができる。
搬送チャンバー４８０は第１バッファモジュール３００の第２バッファ３３０と第１方向１２と平行に位置される。搬送チャンバー４８０内には現像部ロボット４８２とガイドレール４８３が位置される。搬送チャンバー４８０は大体に長方形の形状を有する。現像部ロボット４８２はベークチャンバー４７０、現像チャンバー４６０、第１バッファモジュール３００の第２バッファ３３０と冷却チャンバー３５０、そして第２バッファモジュール５００の第２冷却チャンバー５４０の間に基板Ｗを移送する。ガイドレール４８３はその長さ方向が第１方向１２と平行するように配置される。ガイドレール４８３は現像部ロボット４８２が第１方向１２に直線移動されるように案内する。現像部ロボット４８２はハンド４８４、アーム４８５、支持台４８６、そして台座４８７を有する。ハンド４８４はアーム４８５に固定設置される。アーム４８５は伸縮可能な構造で提供されてハンド４８４が水平方向に移動可能するようにする。支持台４８６はその長さ方向が第３方向１６に沿って配置されるように提供される。アーム４８５は支持台４８６に沿って第３方向１６に直線移動可能するように支持台４８６に結合される。支持台４８６は台座４８７に固定結合される。台座４８７はガイドレール４８３に沿って移動可能するようにガイドレール４８３に結合される。
現像チャンバー４６０は全て同一な構造を有する。但し、各々の現像チャンバー４６０で使用される現像液の種類は互いに異なることができる。現像チャンバー４６０は基板Ｗ上のフォトレジストの中で光が照射された領域を除去する。この時、保護膜の中で光が照射された領域も共に除去される。選択的に使用されるフォトレジストの種類に応じてフォトレジスト及び保護膜の領域の中で光が照射されない領域のみが除去されることができる。
現像チャンバー４６０は容器４６１、支持プレート４６２、そしてノズル４６３を有する。容器４６１は上部が開放されたカップ形状を有する。支持プレート４６２は容器４６１内に位置され、基板Ｗを支持する。支持プレート４６２は回転可能に提供される。ノズル４６３は支持プレート４６２に置かれる基板Ｗ上に現像液を供給する。ノズル４６３は円形の管形状を有し、基板Ｗの中心に現像液供給することができる。選択的にノズル４６３は基板Ｗの直径に相応する長さを有し、ノズル４６３の吐出口はスリットで提供されることができる。また、現像チャンバー４６０には追加的に現像液が供給された基板Ｗ表面を洗浄するために脱イオン水のような洗浄液を供給するノズル４６４がさらに提供されることができる。
ベークチャンバー４７０は基板Ｗを熱処理する。例えば、ベークチャンバー４７０は現像工程が遂行される前に基板Ｗを加熱するポストベーク工程及び現像工程が遂行された後に基板Ｗを加熱するハードベーク工程及び各々のベーク工程の後に加熱されたウエハを冷却する冷却工程等を遂行する。ベークチャンバー４７０は冷却プレート４７１又は加熱プレート４７２を有する。冷却プレート４７１には冷却水又は熱電素子のような冷却手段４７３が提供される。又は加熱プレート４７２には熱線又は熱電素子のような加熱手段４７４が提供される。冷却プレート４７１と加熱プレート４７２は１つのベークチャンバー４７０内に各々提供されることができる。選択的にベークチャンバー４７０の中で一部は冷却プレート４７１のみを具備し、他の一部は加熱プレート４７２のみを具備することができる。
上述したように塗布及び現像モジュール４００で塗布モジュール４０１と現像モジュール４０２は相互間に分離されるように提供される。また、上部から見る時、塗布モジュール４０１と現像モジュール４０２は同一なチャンバー配置を有することができる。
第２バッファモジュール５００は塗布及び現像モジュール４００と露光前後処理モジュール６００との間に基板Ｗが運搬される通路として提供される。また、第２バッファモジュール５００は基板Ｗに対して冷却工程やエッジ露光工程等のような所定の工程を遂行する。第２バッファモジュール５００はフレーム５１０、バッファ５２０、第１冷却チャンバー５３０、第２冷却チャンバー５４０、エッジ露光チャンバー５５０、そして第２バッファロボット５６０を有する。フレーム５１０は直方体の形状を有する。バッファ５２０、第１冷却チャンバー５３０、第２冷却チャンバー５４０、エッジ露光チャンバー５５０、そして第２バッファロボット５６０はフレーム５１０内に位置される。バッファ５２０、第１冷却チャンバー５３０、そしてエッジ露光チャンバー５５０は塗布モジュール４０１に対応する高さに配置される。第２冷却チャンバー５４０は現像モジュール４０２に対応する高さに配置される。バッファ５２０、第１冷却チャンバー５３０、そして第２冷却チャンバー５４０は順次的に第３方向１６に沿って一列に配置される。上部から見る時、バッファ５２０は塗布モジュール４０１の搬送チャンバー４３０と第１方向１２に沿って配置される。エッジ露光チャンバー５５０はバッファ５２０又は第１冷却チャンバー５３０と第２方向１４に一定距離離隔されるように配置される。
第２バッファロボット５６０はバッファ５２０、第１冷却チャンバー５３０、そしてエッジ露光チャンバー５５０との間に基板Ｗを運搬する。第２バッファロボット５６０はエッジ露光チャンバー５５０とバッファ５２０との間に位置される。第２バッファロボット５６０は第１バッファロボット３６０と類似な構造で提供されることができる。第１冷却チャンバー５３０とエッジ露光チャンバー５５０は塗布モジュール４０１で工程が遂行されたウエハＷに対して後続工程を遂行する。第１冷却チャンバー５３０は塗布モジュール４０１で工程が遂行された基板Ｗを冷却する。第１冷却チャンバー５３０は第１バッファモジュール３００の冷却チャンバー３５０と類似な構造を有する。エッジ露光チャンバー５５０は第１冷却チャンバー５３０で冷却工程が遂行されたウエハＷに対してその縁を露光する。バッファ５２０はエッジ露光チャンバー５５０で工程が遂行された基板がＷが後述する前処理モジュール６０１に運搬される前に基板Ｗを一時的に保管する。第２冷却チャンバー５４０は後述する後処理モジュール６０２で工程が遂行されたウエハＷが現像モジュール４０２に運搬される前にウエハＷを冷却する。第２バッファモジュール５００は現像モジュール４０２と対応される高さに追加されたバッファをさらに有することができる。この場合、後処理モジュール６０２で工程が遂行されたウエハＷは追加されたバッファに一時的に保管された後、現像モジュール４０２に運搬されることができる。
露光前後処理モジュール６００は、露光装置１０００が液浸露光工程を遂行する場合、液浸露光の時に基板Ｗに塗布されたフォトレジスト膜を保護する保護膜を塗布する工程を処理することができる。また、露光前後処理モジュール６００は露光の後に基板Ｗを洗浄する工程を遂行することができる。また、化学増幅型レジストを使用して塗布工程が遂行された場合、露光前後処理モジュール６００は露光後ベーク工程を処理することができる。
露光前後処理モジュール６００は前処理モジュール６０１と後処理モジュール６０２を有する。前処理モジュール６０１は露光工程遂行前に基板Ｗを処理する工程を遂行し、後処理モジュール６０２は露光工程の後に基板Ｗを処理する工程を遂行する。前処理モジュール６０１と後処理モジュール６０２は相互間に層で区画されるように配置される。一例によれば、前処理モジュール６０１は後処理モジュール６０２の上部に位置される。前処理モジュール６０１は塗布モジュール４０１と同一な高さに提供される。後処理モジュール６０２は現像モジュール４０２と同一な高さに提供される。前処理モジュール６０１は保護膜塗布チャンバー６１０、ベークチャンバー６２０、そして搬送チャンバー６３０を有する。保護膜塗布チャンバー６１０、搬送チャンバー６３０、そしてベークチャンバー６２０は第２方向１４に沿って順次的に配置される。したがって、保護膜塗布チャンバー６１０とベークチャンバー６２０は搬送チャンバー６３０を介して第２方向１４に互いに離隔されるように位置される。保護膜塗布チャンバー６１０は複数が提供され、互いに層をなすように第３方向１６に沿って配置される。選択的に保護膜塗布チャンバー６１０は第１方向１２及び第３方向１６に各々複数ずつ提供されることができる。ベークチャンバー６２０は複数が提供され、互いに層をなすように第３方向１６に沿って配置される。選択的にベークチャンバー６２０は第１方向１２及び第３方向１６に各々複数ずつ提供されることができる。
搬送チャンバー６３０は第２バッファモジュール５００の第１冷却チャンバー５３０と第１方向１２と平行に位置される。搬送チャンバー６３０内には前処理ロボット６３２が位置される。搬送チャンバー６３０は大体に正方形又は長方形の形状を有する。前処理ロボット６３２は保護膜塗布チャンバー６１０、ベークチャンバー６２０、第２バッファモジュール５００のバッファ５２０、そして後述するインターフェイスモジュール７００の第１バッファ７２０との間に基板Ｗを移送する。前処理ロボット６３２はハンド６３３、アーム６３４、そして支持台６３５を有する。ハンド６３３はアーム６３４に固定設置される。アーム６３４は伸縮可能な構造及び回転可能な構造で提供される。アーム６３４は支持台６３５に沿って第３方向１６に直線移動可能するように支持台６３５に結合される。
保護膜塗布チャンバー６１０は液浸露光の時にレジスト膜を保護する保護膜を基板Ｗ上に塗布する。保護膜塗布チャンバー６１０はハウジング６１１、支持プレート６１２、そしてノズル６１３を有する。ハウジング６１１は上部が開放されたカップ形状を有する。支持プレート６１２はハウジング６１１内に位置され、基板Ｗを支持する。支持プレート６１２は回転可能に提供される。ノズル６１３は支持プレート６１２に置かれる基板Ｗ上に保護膜を形成するための保護液を供給する。ノズル６１３は円形の管形状を有し、基板Ｗの中心に保護液を供給することができる。選択的にノズル６１３は基板Ｗの直径に相応する長さを有し、ノズル６１３の吐出口はスリットで提供されることができる。この場合、支持プレート６１２は固定された状態に提供されることができる。保護液は発泡性材料を含む。保護液はフォトレジスター及び水との親和力が低い材料が使用されることができる。例えば、保護液は弗素系の溶剤を含むことができる。保護膜塗布チャンバー６１０は支持プレート６１２に置かれる基板Ｗを回転させながら、基板Ｗの中心領域に保護液を供給する。
ベークチャンバー６２０は保護膜が塗布された基板Ｗを熱処理する。ベークチャンバー６２０は冷却プレート６２１又は加熱プレート６２２を有する。冷却プレート６２１には冷却水又は熱電素子のような冷却手段６２３が提供される。又は加熱プレート６２２には熱線又は熱電素子のような加熱手段６２４が提供される。加熱プレート６２２と冷却プレート６２１は１つのベークチャンバー６２０内に各々提供されることができる。選択的にベークチャンバー６２０の中で一部は加熱プレート６２２のみを具備し、他の一部は冷却プレート６２１のみを具備することができる。
後処理モジュール６０２は洗浄チャンバー６６０、露光後ベークチャンバー６７０、そして搬送チャンバー６８０を有する。洗浄チャンバー６６０、搬送チャンバー６８０、そして露光後ベークチャンバー６７０は第２方向１４に沿って順次的に配置される。したがって、洗浄チャンバー６６０と露光後ベークチャンバー６７０は搬送チャンバー６８０を介して第２方向１４に互いに離隔されるように位置される。洗浄チャンバー６６０は複数が提供され、互いに層をなすように第３方向１６に沿って配置されることができる。選択的に洗浄チャンバー６６０は第１方向１２及び第３方向１６に各々複数ずつ提供されることができる。露光後ベークチャンバー６７０は複数が提供され、互いに層をなすように第３方向１６に沿って配置されることができる。選択的に露光後ベークチャンバー６７０は第１方向１２及び第３方向１６に各々複数ずつ提供されることができる。
搬送チャンバー６８０は上部から見る時、第２バッファモジュール５００の第２冷却チャンバー５４０と第１方向１２と平行に位置される。搬送チャンバー６８０は大体に正方形又は長方形の形状を有する。搬送チャンバー６８０内には後処理ロボット６８２が位置される。後処理ロボット６８２は洗浄チャンバー６６０、露光後ベークチャンバー６７０、第２バッファモジュール５００の第２冷却チャンバー５４０、そして後述するインターフェイスモジュール７００の第２バッファ７３０との間に基板Ｗを運搬する。後処理モジュール６０２に提供された後処理ロボット６８２は前処理モジュール６０１に提供された前処理ロボット６３２と同一な構造で提供されることができる。
洗浄チャンバー６６０は露光工程の後に基板Ｗを洗浄する。洗浄チャンバー６６０はハウジング６６１、支持プレート６６２、そしてノズル６６３を有する。ハウジング６６１は上部が開放されたカップ形状を有する。支持プレート６６２はハウジング６６１内に位置され、基板Ｗを支持する。支持プレート６６２は回転可能に提供される。ノズル６６３は支持プレート６６２に置かれる基板Ｗ上に洗浄液を供給する。洗浄液としては脱イオン水のような水が使用されることができる。洗浄チャンバー６６０は支持プレート６６２に置かれる基板Ｗを回転させながら基板Ｗの中心領域に洗浄液を供給する。選択的に基板Ｗが回転される間にノズル６６３は基板Ｗの中心領域で縁領域まで直線移動又は回転移動することができる。
露光後のベークチャンバー６７０は遠紫外線を利用して露光工程が遂行された基板Ｗを加熱する。露光後ベーク工程は基板Ｗを加熱して露光によってフォトレジストに生成された酸（ａｃｉｄ）を増幅させてフォトレジストの性質変化を完成させる。露光後のベークチャンバー６７０は加熱プレート６７２を有する。加熱プレート６７２には熱線又は熱電素子のような加熱手段６７４が提供される。露光後のベークチャンバー６７０はその内部に冷却プレート６７１をさらに具備することができる。冷却プレート６７１には冷却水又は熱電素子のような冷却手段６７３が提供される。また、選択的に冷却プレート６７１のみを有するベークチャンバーがさらに提供されることができる。
上述したように露光前後処理モジュール６００で前処理モジュール６０１と後処理モジュール６０２は相互間に完全に分離されるように提供される。また、前処理モジュール６０１の搬送チャンバー６３０と後処理モジュール６０２の搬送チャンバー６８０は同一なサイズで提供されて、上部から見る時、相互間に完全に重畳されるように提供されることができる。また、保護膜塗布チャンバー６１０と洗浄チャンバー６６０は互いに同一なサイズで提供されて上部から見る時、相互間に完全に重畳されるように提供されることができる。また、ベークチャンバー６２０と露光後ベークチャンバー６７０は同一なサイズで提供されて、上部から見る時、相互間に完全に重畳されるように提供されることができる。
インターフェイスモジュール７００は露光前後処理モジュール６００、及び露光装置１０００との間に基板Ｗを移送する。インターフェイスモジュール７００はフレーム７１０、第１バッファ７２０、第２バッファ７３０、そしてインターフェイスロボット７４０を有する。第１バッファ７２０、第２バッファ７３０、そしてインターフェイスロボット７４０はフレーム７１０内に位置される。第１バッファ７２０と第２バッファ７３０は相互間に一定距離離隔され、互いに積層されるように配置される。第１バッファ７２０は第２バッファ７３０より高く配置される。第１バッファ７２０は前処理モジュール６０１と対応される高さに位置され、第２バッファ７３０は後処理モジュール６０２に対応される高さに配置される。上部から見る時、第１バッファ７２０は前処理モジュール６０１の搬送チャンバー６３０と第１方向１２に沿って一列に配置し、第２バッファ７３０は後処理モジュール６０２の搬送チャンバー６３０と第１方向１２に沿って一列に配置されるように位置される。
インターフェイスロボット７４０は第１バッファ７２０及び第２バッファ７３０と第２方向１４に離隔されるように位置される。インターフェイスロボット７４０は第１バッファ７２０、第２バッファ７３０、そして露光装置１０００との間に基板Ｗを運搬する。インターフェイスロボット７４０は第２バッファロボット５６０と大体に類似な構造を有する。
第１バッファ７２０は前処理モジュール６０１で工程が遂行された基板がＷが露光装置１０００に移動される前にこれらを一時的に保管する。そして、第２バッファ７３０は露光装置１０００で工程が完了された基板がＷが後処理モジュール６０２に移動される前にこれらを一時的に保管する。第１バッファ７２０はハウジング７２１と複数の支持台７２２を有する。支持台７２２はハウジング７２１内に配置され、相互間に第３方向１６に沿って離隔されるように提供される。各々の支持台７２２には１つの基板Ｗが置かれる。ハウジング７２１はインターフェイスロボット７４０及び前処理ロボット６３２がハウジング７２１内に支持台７２２に基板Ｗを搬入又は搬出できるようにインターフェイスロボット７４０が提供された方向及び前処理ロボット６３２が提供された方向に開口（図示せず）を有する。第２バッファ７３０は第１バッファ７２０と大体に類似な構造を有する。但し、第２バッファ７３０のハウジング４５３１にはインターフェイスロボット７４０が提供された方向及び後処理ロボット６８２が提供された方向に開口（図示せず）を有する。インターフェイスモジュールにはウエハに対して所定の工程を遂行するチャンバーの提供無しで上述したようにバッファ及びロボットのみが提供されることができる。
レジスト塗布チャンバー４１０は以下説明された基板Ｗ上にフォトレジストを塗布する基板処理装置として提供されることができる。
図６は図２の基板処理装置を示す断面図である。
図６を参照すれば、基板処理装置８００は基板Ｗ上にフォトレジストを塗布する装置である。基板処理装置８００はハウジング８１０、基板支持ユニット８３０、処理容器８５０、昇降ユニット８４０、液供給ユニット８９０、そして制御部８８０を含むことができる。
ハウジング８１０は内部に処理空間８１２を有する長方形の筒形状に提供される。ハウジング８１０の一側には開口（図示せず）が形成される。開口は基板Ｗが搬出入される入口として機能する。開口にはドアが設置され、ドアは開口を開閉する。ドアは基板処理工程が進行されれば、開口を遮断してハウジング８１０の処理空間８１２を密閉する。ハウジング８１０の下部面には内側排気口８１４及び外側排気口８１６が形成される。ハウジング８１０内に形成された気流は内側排気口８１４及び外側排気口８１６を通じて外部に排気される。一例によれば、処理容器８５０内に提供された気流は内側排気口８１４を通じて排気され、処理容器８５０の外側に提供された気流は外側排気口８１６を通じて排気されることができる。
基板支持ユニット８３０はハウジング８１０の処理空間８１２で基板Ｗを支持する。基板支持ユニット８３０は基板Ｗを回転させる。基板支持ユニット８３０はスピンチャック８３２、回転軸８３４、そして駆動器８３６を含む。スピンチャック８３２は基板を支持する基板支持部材８３２として提供される。スピンチャック８３２は円形の板形状を有するように提供される。スピンチャック８３２の上面には基板Ｗが接触する。スピンチャック８３２は基板Ｗより小さい直径を有するように提供される。一例によれば、スピンチャック８３２は基板Ｗを真空吸引して基板Ｗをチャッキングすることができる。選択的に、スピンチャック８３２は静電気を利用して基板Ｗをチャッキングする静電チャックに提供されることができる。また、スピンチャック８３２は基板Ｗを物理的な力でチャッキングすることができる。
一方、スピンチャック８３２には処理容器８５０の洗浄工程の時洗浄ジグ９００が安着されることができる。
回転軸８３４及び駆動器８３６はスピンチャック８３２を回転させる回転駆動部材８３４、８３６で提供される。回転軸８３４はスピンチャック８３２の下でスピンチャック８３２を支持する。回転軸８３４はその長さ方向が上下方向に向かうように提供される。回転軸８３４はその中心軸を中心に回転可能するように提供される。駆動器８３６は回転軸８３４が回転されるように駆動力を提供する。例えば、駆動器８３６は回転軸の回転速度を可変可能なモーターであり得る。回転駆動部材８３４、８３６は基板処理段階に応じてスピンチャック８３２を互いに異なる回転速度に回転させることができる。
処理容器８５０は内部に現像工程が遂行される処理空間８１２を提供する。処理容器８５０は基板支持ユニット８３０を囲むように提供する。処理容器８５０は上部が開放されたカップ形状を有するように提供される。処理容器８５０は内側カップ８５２及び外側カップ８６２を含む。
内側カップ８５２は回転軸８３４を囲む円形のカップ形状に提供される。上部から見る時、内側カップ８５２は内側排気口８１４と重畳されるように位置される。上部から見る時、内側カップ８５２の上面はその外側領域と内側領域の各々が互いに異なる角度に傾くように提供される。一例によれば、内側カップ８５２の外側領域は基板支持ユニット８３０から遠くなるほど、下方傾いた方向に向かい、内側領域は基板支持ユニット８３０から遠くなるほど、上向傾いた方向に向かうように提供される。内側カップ８５２の外側領域と内側領域が互いに出会う地点は基板Ｗの側端部と上下方向に対応するように提供される。内側カップ８５２の上面外側領域はラウンドになるように提供される。内側カップ８５２の上面外側領域は下に凹に提供される。内側カップ８５２の上面外側領域は処理液が流れる領域で提供されることができる。
外側カップ８６２は基板支持ユニット８３０及び内側カップ８５２を囲むカップ形状を有するように提供される。外側カップ８６２は底壁８６４、側壁８６６、上壁８７０、そして傾斜壁８７０を有する。底壁８６４は中空を有する円形の板形状を有するように提供される。底壁８６４には回収ライン８６５が形成される。回収ライン８６５は基板Ｗ上に供給された処理液を回収する。回収ライン８６５によって回収された処理液は外部の液再生システムによって再使用されることができる。側壁８６６は基板支持ユニット８３０を囲む円形の筒形状を有するように提供される。側壁８６６は底壁８６４の側端から垂直になる方向に延長される。側壁８６６は底壁８６４から上に延長される。
傾斜壁８７０は側壁８６６の上端から外側カップ８６２の内側方向に延長される。傾斜壁８７０は上に行くほど、基板支持ユニット８３０に近くなるように提供される。傾斜壁８７０はリング形状を有するように提供される。傾斜壁８７０の上端は基板支持ユニット８３０に支持された基板Ｗより高く位置される。
昇降ユニット８４０は内側カップ８５２及び外側カップ８６２を各々昇降移動させる。昇降ユニット８４０は内側移動部材８４２及び外側移動部材８４４を含む。内側移動部材８４２は内側カップ８５２を昇降移動させ、外側移動部材８４４は外側カップ８６２を昇降移動させる。
液供給ユニット８９０は基板Ｗ上に多様な種類の処理流体を選択的に供給することができる。
一例として、液供給ユニット８９０は基板Ｗに処理液を供給するノズル８９２及びノズル移動部材８９３を含むことができる。ノズル８９２は複数に提供されることができる。ノズル８９２が複数に提供された場合、ノズル８９２の各々には処理液供給ラインが連結される。複数のノズル８９２の中で基板上に処理液を吐出するためにノズル移動部材８９３によってホールディング（Ｈｏｌｄｉｎｇ）されたノズルを除いたノズル８９２は溝ポート（図示せず）で待機する。複数のノズル８９２の中で１つはノズル移動部材８９３によって工程位置及び待機位置に移動可能である。ここで、工程位置はノズル８９２がスピンチャック８３２に置かれる基板Ｗと対向された位置である。待機位置はノズル８９２がホームポート（図示せず）に待機される位置である。例えば、処理液はフォトレジストのような感光液又は処理容器の洗浄に使用される洗浄液であり得る。
一方、制御部８８０は液供給ユニット８９０に洗浄液を供給する供給部８９６を制御する。制御部８８０は処理容器８５０の洗浄工程の時、洗浄ジグ９００（図１０参照）に供給される洗浄液供給量を可変させて洗浄効率を高めることがきる。一例として、制御部８８０は洗浄液供給量を一定周期に増加及び減少されるようにすることができる。
制御部８８０は洗浄ジグ９００に洗浄液が供給される間にスピンヘッド８３２の回転速度が加速と減速を反復するように駆動器８３６を制御することができる。
図７は図６に図示された基板処理装置の洗浄に使用される洗浄ジグの斜視図であり、図８は図７に図示された洗浄ジグの平面図であり、図９は図８に表示されたＡ－Ａ線に沿って切断した断面図である。
図７乃至図９を参照すれば、洗浄ジグ９００は所定の厚さを有する円形プレート形状に成されることができる。洗浄ジグ９００はその直径が基板と概ね同一であることができる。
洗浄ジグ９００のジグボディー９１０は中央領域９０２と縁領域９０４に区画することができる。中央領域９０２はノズル８９２から吐出される洗浄液が供給される領域であり、縁領域９０４は洗浄液が飛散される領域であり得る。
縁領域９０４には洗浄液が回転による遠心力で飛散されるように陰刻で形成された飛散誘導溝９２０を有する。
飛散誘導溝９２０は第１グループの飛散誘導溝９２０－１と第２グループの第２飛散誘導溝９２０－２を含むことができる。第２グループの飛散誘導溝９２０－２はジグボディーの第１同心円に沿って等間隔に配列され、第１グループの飛散誘導溝９２０－１は第１同心円より大きい第２同心円に沿って等間隔に配列されることができる。しかし、飛散誘導溝９２０－１、９２０－２の配列はこれに限定されることではない。例えば、飛散誘導溝は１つ又は２つ以上の同心円上に配列されるように形成されることができるのは勿論である。
一方、第１グループの飛散誘導溝９２０－１と第２グループの飛散誘導溝９２０－２はその長さが異なるように形成されることができる。
飛散誘導溝９２０は洗浄ジグ９００の中心で円周方向（洗浄液の流れ方向）に沿って曲線形状に提供されることができる。
第１グループの飛散誘導溝９２０－１と第２グループの飛散誘導溝９２０－２はその長さのみが異なるだけで、同一な構成で形成されることができる。第１グループの飛散誘導溝９２０－１（又は第２グループの飛散誘導溝）は底面の中で高さが最も低い低点Ｐを基準に洗浄ジグ９００の外側に向かう第１底面９２２が洗浄ジグ９００の内側に向かう第２底面９２４の勾配より緩やかな勾配を有することが好ましい。
言い換えれば、第１グループの飛散誘導溝９２０－１は底面の中で高さが最も低い低点Ｐを基準に洗浄液が飛散される方向の第１底面９２２がその反対方向の第２底面９２４より傾斜が緩やかな勾配を有する。
前記のような構造を有する洗浄ジグ９００で中央に供給された洗浄液が遠心力によって長く描いて中心から外側方向に流れるようになる（図８で表示された矢印方向）。そして、飛散誘導溝９２０－１、９２０－２を通過する洗浄液は第１底面９２２の傾斜に沿って上方向に飛散される。第１グループの飛散誘導溝９２０－１で飛散される洗浄液Ｌ２の洗浄領域と第２グループの飛散誘導溝９２０－２で飛散される洗浄液Ｌ３の洗浄領域は互いに異なることができる。
即ち、洗浄ジグ９００は第１底面９２２の傾斜に応じて洗浄液の飛散される角度を調節することができる。例えば、第１グループの飛散誘導溝９２０－１の第１底面９２２を互いに異なる勾配に加工すれば、洗浄液が様々な角度（広い範囲）に飛散されながら、処理容器の洗浄領域を広く、洗浄を効率的に遂行することができる。
前述のように、飛散誘導溝の底面傾斜は洗浄範囲によって決定されることができる。
図示しなかったが、飛散誘導溝９２０の幅方向の断面形状は半円断面形、上部一部が開放された真円断面形、上部が開放されたＵ字断面形、上部が開放された四角断面形、上部が開放されたＶ字断面形、傾いた四角断面形等の様々な形状に提供されることができる。
図１０は洗浄ジグを利用した処理容器の洗浄過程を説明するための図面である。
図１０に示したように、洗浄ジグ９００はスピンヘッド８３２に安着される。洗浄ジグ９００が安着されたスピンヘッド８３２は既設定された速度に回転される。ノズル８９２は回転する洗浄ジグ９００の上面に洗浄液を供給する。洗浄ジグ９００の上面に供給された洗浄液は遠心力によって中央から縁に円弧を描いて流れ、その中で一部洗浄液は洗浄ジグ９００の上面に形成された飛散誘導溝９２０－１、９２０－２に沿って上方向に飛散され、残りの洗浄液は洗浄ジグ９００の平らな上面に沿って概ね平らな方向に飛散される。
図８及び図１０に表示されたＬ１は洗浄ジグ９００の平らな上面から飛散される洗浄液の飛散方向を示し、Ｌ２は第１グループの飛散誘導溝９２０－１で飛散される洗浄液の飛散方向を示し、Ｌ３は第２グループの飛散誘導溝９２０－２で飛散される洗浄液の飛散方向を示す。
したがって、洗浄ジグ９００は広い範囲に洗浄液が飛散されることによって、カップ洗浄を効率的に遂行することができる。
洗浄ジグ９００を利用した処理容器の洗浄過程で洗浄液は一定の流量に供給されることよりは可変流量に供給することが好ましい。例えば、洗浄ジグ９００に洗浄液を過剰供給すれば、洗浄ジグ９００から飛散される流量より洗浄ジグ上面に残留する流量が多くなり、洗浄液は飛散誘導溝９２０－１、９２０－２に満たされるようになる。その後、洗浄液の供給量を減少（供給の一時中断）させれば、飛散誘導溝９２０－１、９２０－２にいっぱい満たされた洗浄液は遠心力によって処理容器８５０に飛散されることができる。このように、洗浄ジグ９００に供給される洗浄液は供給量が一定周期に増加及び減少（又は過剰供給及び不足供給／供給中断）されるパターンに洗浄ジグに供給されることができる。
洗浄ジグ９００を利用した処理容器８５０の洗浄過程で、洗浄液が供給される間にスピンヘッド８３２の回転速度は可変されることができる。例えば、洗浄液が過剰供給する時には速度を減少させ、不足供給する時には速度を増加させることがきる。
図１１は洗浄ジグの第１変形例を示す斜視図であり、図１２は図１１に表示されたＢ－Ｂ線に沿って切断した断面図である。
図１１及び図１２に示したように、洗浄ジグ９００ａは飛散誘導溝９２０ａ－１、９２０ａ－２が形成されたジグボディー９１０ａを含むことができ、これらは図７に図示された洗浄ジグ９００と大体に類似な構成と機能で提供されるので、以下では、本実施形態との相違点を主に変形例を説明する。
第１変形例で、飛散誘導溝９２０ａ－１、９２０ａ－２はジグボディー９１０の中心で一定の距離を有する同心円に沿って等間隔に提供されることにその特徴がある。飛散誘導溝９２０ａ－１、９２０ａ－２は底面の中で高さが最も低い低点Ｐを基準に洗浄ジグ９００ａの外側に向かう第１底面９２２ａが洗浄ジグ９００ａの内側に向かう第２底面９２４ａの勾配より緩やかな勾配を有することができる。
図１３は洗浄ジグの第２変形例を示す斜視図である。
図１３に示している、洗浄ジグ９００ｂは飛散誘導溝９２０ｂ－１、９２０ｂ－２が形成されたジグボディー９１０ｂを含むことができ、これらは図７に図示された洗浄ジグ９００と大体に類似な構成と機能で提供されるので、以下では、本実施形態との相違点を主に変形例を説明する。
第２変形例で、飛散誘導溝９２０ｂ－１、９２０ｂ－２は洗浄ジグ９００ｂの中心で円周方向に沿って曲線形状に提供され、飛散誘導溝９２０ｂ－１、９２０ｂ－２の曲線方向は洗浄ジグでの洗浄液流れ方向（回転方向；矢印で表示）に反対になる方向に曲げるのにその特徴がある。
図１４は洗浄ジグの第３変形例を示す底面斜視図であり、図１５は図１４に図示された洗浄ジグの断面図であり、図１６は図１４に図示された洗浄ジグを利用した処理容器洗浄を説明するための図面である。
図１４乃至図１６に示したように、洗浄ジグ９００ｃは底面９３０に固定用突起９３４及び飛散誘導突起９３２を有するのにその特徴がある。飛散誘導突起９３２はジグボディー９１０ｃのエッジ部底面９３０に下方突出される。固定用突起９３４は底面９３０から下方突出され、洗浄ジグ９００ｃがスピンヘッド８３２に安着される時、スピンヘッドの外側を囲むように配置されて流動を防止するようになる。
基板処理装置の洗浄工程の時、スピンヘッド８３２下に位置したバックノズル８２０から噴射される洗浄液は洗浄ジグ９００ｃの底面に沿って外側に移動するようになる。そして、洗浄液は飛散誘導突起９３２にぶつかりながら、内側カップ８５２の上面を洗浄することになる。
以上の詳細な説明は本発明を例示するものである。また、前述した内容は本発明の好ましい実施形態を例として説明することであり、本発明は多様な他の組合、変更、及び環境で使用することができる。即ち、本明細書に開示された発明の概念の範囲、前述した開示内容と均等な範囲、及び／又は当業界の技術又は知識の範囲内で変更又は修正が可能である。前述した実施形態は本発明の技術的思想を具現するための最善の状態を説明することであり、本発明の具体的な適用分野及び用途で要求される多様な変更も可能である。したがって、以上の発明の詳細な説明は開示された実施状態に本発明を制限しようとする意図ではない。添付された請求の範囲は他の実施状態も含むことと解析されなければならない。
８１０ ハウジング
８３０ 基板支持ユニット
８９０ 液供給ユニット
８５０ 処理容器
８８０ 制御部
９００ 洗浄ジグ

Claims (20)

  1. 回転可能なスピンヘッドと、
    前記スピンヘッドを囲むように提供されるカップと、
    前記スピンヘッドに安着され、前記スピンヘッドの回転によって洗浄液を前記カップに向かって吐出する洗浄ジグと、
    前記洗浄ジグの上部に位置して洗浄液を前記洗浄ジグの上面中央に供給するノズルユニットと、
    を含み、
    前記洗浄ジグは、前記ノズルユニットから提供された洗浄液が回転による遠心力で前記カップに向かって飛散されるように陰刻で形成された飛散誘導溝を含む、
    基板処理装置。
  2. 前記飛散誘導溝は、前記洗浄ジグの中心で円周方向に沿って曲線形状に提供される、請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記飛散誘導溝の曲線は、前記洗浄ジグでの洗浄液流れ方向に対応される方向に曲がれる、請求項２に記載の基板処理装置。
  4. 前記飛散誘導溝の曲線は、前記洗浄ジグでの洗浄液流れ方向に反対になる方向に曲がれる、請求項２に記載の基板処理装置。
  5. 前記飛散誘導溝は、前記洗浄ジグの中心で一定の距離を有する同心円上に等間隔に提供される、請求項１に記載の基板処理装置。
  6. 前記飛散誘導溝は、底面の中で高さが最も低い低点を基準に前記洗浄ジグの外側に向かう第１底面が前記洗浄ジグの内側に向かう第２底面の勾配より緩やかな勾配を有する、請求項１に記載の基板処理装置。
  7. 前記飛散誘導溝は、底面の中で高さが最も低い低点を基準に洗浄液が飛散される方向の第１底面がその反対方向の第２底面より傾斜が緩やかな勾配を有する、請求項１に記載の基板処理装置。
  8. 前記飛散誘導溝は、前記第１底面の勾配が異なるように提供される、請求項６又は請求項７に記載の基板処理装置。
  9. 前記ノズルユニットに洗浄液を供給する供給部と、
    前記洗浄ジグに供給される洗浄液供給量を一定周期に増加及び減少されるように前記供給部を制御する制御部と、
    を含む、請求項１に記載の基板処理装置。
  10. 前記制御部は、前記洗浄ジグに洗浄液が供給される間に前記スピンヘッドの回転速度が加速と減速を反復するように前記スピンヘッドを制御し、
    前記スピンヘッドの回転速度は、洗浄液が過剰供給する時には減少し、不足供給する時には増加する、
    請求項９に記載の基板処理装置。
  11. 前記洗浄ジグの底面に洗浄液を噴射するバックノズルをさらに含み、
    前記洗浄ジグは、エッジ部底面に下方突出された飛散誘導突起をさらに含む、
    請求項１に記載の基板処理装置。
  12. 洗浄ジグにおいて、
    所定の厚さを有する円形プレート形状のジグボディーを有し、
    前記ジグボディーは、
    ノズルユニットから洗浄液が供給される中央領域と、
    前記中央領域を囲む縁領域と、
    を含み、
    前記縁領域には洗浄液が回転による遠心力で飛散されるように陰刻で形成された飛散誘導溝が提供される、
    洗浄ジグ。
  13. 前記飛散誘導溝は、
    前記ジグボディーの第１同心円に沿って配列される第１グループの飛散誘導溝、及び
    前記第１同心円より大きい第２同心円に沿って配列される第２グループの飛散誘導溝
    を含む、請求項１２に記載の洗浄ジグ。
  14. 前記第１グループの飛散誘導溝と前記第２グループの飛散誘導溝は、その長さが異なるように形成される、請求項１３に記載の洗浄ジグ。
  15. 前記飛散誘導溝は、前記洗浄ジグの中心で円周方向に沿って曲線形状に提供される、請求項１２又は請求項１３に記載の洗浄ジグ。
  16. 前記飛散誘導溝は、前記ジグボディーの中心で一定の距離を有する同心円上に等間隔に提供される、請求項１２又は請求項１３に記載の洗浄ジグ。
  17. 前記飛散誘導溝は、底面の中で高さが最も低い低点を基準に前記洗浄ジグの外側に向かう第１底面が前記洗浄ジグの内側に向かう第２底面の勾配より緩やかな勾配を有する、請求項１２に記載の洗浄ジグ。
  18. 前記飛散誘導溝は、底面の中で高さが最も低い低点を基準に洗浄液が飛散される方向の第１底面がその反対方向の第２底面より傾斜が緩やかな勾配を有する、請求項１２に記載の洗浄ジグ。
  19. 前記洗浄ジグは、エッジ部底面に下方突出された飛散誘導突起をさらに含む、請求項１２に記載の洗浄ジグ。
  20. 基板処理装置でカップを洗浄する方法において、
    スピンヘッドに洗浄ジグを安着させる段階と、
    スピンヘッドを回転させる段階と、
    回転する前記洗浄ジグの上面に洗浄液を供給して、洗浄液が前記洗浄ジグの上面に形成された飛散誘導溝に沿って飛散されるようにする供給段階と、
    を含み、
    前記洗浄ジグに供給される洗浄液は、その供給量が一定周期に増加及び減少され、
    前記洗浄ジグに洗浄液が供給される間に前記スピンヘッドの回転速度が加速と減速を反復し、
    前記スピンヘッドの回転速度は、洗浄液が過剰供給する時には減少し、不足供給する時には増加する、
    基板処理装置の洗浄方法。
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