CN114171430A - 清洁夹具、包括清洁夹具的基板处理设备、基板处理设备的清洁方法 - Google Patents

清洁夹具、包括清洁夹具的基板处理设备、基板处理设备的清洁方法 Download PDF

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Abstract

本发明实施方式涉及一种基板处理设备，并且可以包括一种基板处理设备。所述基板处理设备包括：可旋转的旋转头；杯子，其围绕所述旋转头；清洁夹具，其位于所述旋转头上，并通过所述旋转头的旋转朝向所述杯子排放清洁液；以及喷嘴单元，其位于所述清洁夹具的上部部分处，并将所述清洁液供应到所述清洁夹具的上表面的中心，并且所述清洁夹具包括飞溅导向槽，所述飞溅导向槽被形成为凹陷的，以使得从所述喷嘴单元提供的所述清洁液利用由于所述旋转头的旋转引起的离心力朝向所述杯子飞溅。

Description

清洁夹具、包括清洁夹具的基板处理设备、基板处理设备的清 洁方法
技术领域
本文描述的实施例涉及一种基板处理设备，更具体地涉及一种可以清洁设置在液体处理单元中的杯子的基板处理设备。
背景技术
执行诸如清洁、沉积、拍摄、蚀刻和离子注入的各种处理来制造半导体器件。在这些处理中，在拍摄处理中，依次执行涂敷、曝光和显影步骤。涂敷过程是将诸如抗蚀剂的光敏液体涂敷到基板表面上的过程。曝光过程是在其中形成光敏膜的基板上曝光电路图案的过程。显影过程是选择性地显影基板的曝光区域的过程。
通常，涂敷过程和显影过程是用于液体处理的过程，并且执行将处理液体供应到基板上的过程。在处理容器中进行基板的液体处理过程，并且通过处理容器回收用过的处理液体。
因为通过处理容器根据过程回收各种处理液体，所以处理液体粘附在处理容器上。粘附在处理容器上的处理液体随后产生废气，或者成为污染基板的主要原因。
图1示出了液体处理单元。
参考图1，液体处理单元1包括：杯子2，其提供基板处理过程；支撑板4，该支撑板在杯子2的内部，基板放置在其上；以及喷嘴单元5，其位于支撑板4上方以朝向基板3排放处理液体。
供应到基板的处理液体通过杯子2回收。因为通过杯子2根据过程回收各种处理液体，所以处理液体粘附在杯子2上。粘附在杯子2上的处理液体6随后产生废气，或者可能再次飞溅到基板上。
因此，优选定期清洁杯子2，或者在用另一种处理液体处理基板之前清洁杯子2。
传统上，使用盘形清洁夹具。在其中杯子2和清洁夹具之间的相对高度固定的状态下，很难均匀地清洁分布在杯子2内部的不同高度处的待清洁物体。
发明内容
本发明实施例提供了一种可以有效清洁杯子的清洁夹具、一种具有该清洁夹具的基板处理设备以及一种用于清洁基板处理设备的方法。
本发明实施例还提供了一种可以在不同高度处清洁杯子的清洁夹具、一种具有该清洁夹具的基板处理设备以及一种用于清洁基板处理设备的方法。
本发明实施例又提供了一种可以容易地利用空间的清洁夹具以及具有该清洁夹具的基板处理设备。
本发明构思的方面不限于此，并且本领域技术人员可以从以下描述中清楚地理解本发明的其他未提及的方面。
根据本发明构思的方面，基板处理设备包括：可旋转的旋转头；杯子，其围绕旋转头；清洁夹具，其位于旋转头上并通过旋转头的旋转朝向杯子排放清洁液；以及喷嘴单元，其位于清洁夹具的上部部分处、并将清洁液供应到清洁夹具的上表面的中心，并且清洁夹具包括飞溅导向槽，其被形成为凹陷的，以使得从喷嘴单元提供的清洁液利用由于旋转头的旋转引起的离心力朝向杯子飞溅。
此外，飞溅导向槽可以形成为沿着清洁夹具的周向方向从清洁夹具的中心弯曲。
此外，飞溅导向槽的弯曲部可以在清洁夹具中沿与清洁液的流动方向相对应的方向弯曲。
此外，飞溅导向槽的弯曲部可以在清洁夹具中沿与清洁液的流动方向相反的方向弯曲。
此外，飞溅导向槽可以形成在同心圆上，同心圆以相等间隔按特定距离远离清洁夹具的中心。
此外，飞溅导向槽中的每一个飞溅导向槽可以配置成使得：每个飞溅导向槽面对清洁夹具外部的第一底表面相对于该每个飞溅导向槽底表面的底部点的倾斜度比该每个飞溅导向槽面对清洁夹具内部的第二底表面的倾斜度更平缓，该底部点的高度是最低的。
此外，飞溅导向槽中的每一个飞溅导向槽可以配置成使得：每个飞溅导向槽在其中清洁液飞溅的方向上的第一底表面相对于该每个飞溅导向槽底表面的底部点比第二底表面在相反方向上的倾斜度更平缓，该底部点的高度是最低的。
此外，飞溅导向槽的第一底表面的倾斜度可以不同。
此外，基板处理设备还可以包括：供应单元，其将清洁液供应到喷嘴单元，以及控制器，其控制供应单元使得供应到清洁夹具的清洁液的量在特定周期增加和减少。
此外，控制器可以控制旋转头，使得旋转头的旋转速度重复地加快和降低，同时将清洁液供应到清洁夹具。
此外，基板处理设备还可以包括后喷嘴，其将清洁液喷射到清洁夹具的底表面，并且清洁夹具还可以包括从其边缘的底表面向下突出的飞溅导向凸台。
根据本发明构思的另一方面，清洁夹具包括具有特定厚度的圆板形状的夹具主体，夹具主体包括中心区域和围绕中心区域的边缘区域，清洁液从喷嘴单元供应到该中心区域，并且飞溅导向槽在边缘区域中形成为凹陷的，使得清洁液利用由于旋转头的旋转引起的离心力飞溅。
此外，飞溅导向槽可以包括沿着夹具主体的第一同心圆布置的第一组飞溅导向槽，以及沿着大于第一同心圆的第二同心圆布置的第二组飞溅导向槽。
此外，第一组飞溅导向槽的长度可以不同于第二组飞溅导向槽的长度。
此外，飞溅导向槽可以形成为沿着清洁夹具的周向方向从清洁夹具的中心弯曲。
此外，飞溅导向槽可以形成在同心圆上，同心圆以特定距离远离夹具主体的中心。
此外，飞溅导向槽中的每一个可以配置成使得其面对清洁夹具外部的第一底表面相对于其底表面的底部点的倾斜度比其面对清洁夹具内部的第二底表面的倾斜度更平缓，该底部点的高度是最低的。
此外，飞溅导向槽中的每一个可以配置成使得其在其中清洁液飞溅的方向上的第一底表面相对于其底表面的底部点比第二底表面在相反方向上的倾斜度更平缓，该底部点的高度是最低的。
此外，清洁夹具还可以包括从其边缘的底表面向下突出的飞溅导向凸台。
根据本发明构思的又一方面，一种用基板处理设备清洁杯子的方法包括：将清洁夹具安置在旋转头上；使旋转头旋转；并且将清洁液供应到清洁夹具的上表面，该清洁夹具旋转以使得清洁液沿着形成在清洁夹具的上表面上的飞溅导向槽飞溅，供应到清洁夹具的清洁液的量在特定的周期增加和减少，并且在将清洁液供应到清洁夹具的同时，旋转头的旋转速度重复地加快和降低。
此外，旋转头的旋转速度重复地加快和降低，同时将清洁液供应到清洁夹具。
附图说明
根据以下参考附图的描述，上述和其他目的和特征将变得显而易见，其中，除非另有说明，否则相同附图标记在各个附图中是指相同部分，并且其中：
图1是示出一般液体处理单元的横截面视图；
图2是根据本发明构思的实施例的基板处理系统的平面图；
图3是沿图2的线A-A截取的图2的系统的横截面视图；
图4是沿图1的线B-B截取的图2的系统的横截面视图；
图5是沿图2的线C-C截取的图2的系统的横截面视图；
图6是示出图2的基板处理设备的横截面视图；
图7是用于清洁图6所示的基板处理设备的清洁夹具的透视图；
图8是图7所示的清洁夹具的平面图；
图9是沿图8的线A-A截取的横截面视图；
图10是示出通过使用清洁夹具清洁处理容器的过程的视图；
图11是示出清洁夹具的第一变型的透视图；
图12是沿图11的线B-B截取的横截面视图；
图13是示出清洁夹具的第二变型的透视图；
图14是示出清洁夹具的第三变型的底部透视图；
图15是图14所示的清洁夹具的横截面视图；以及
图16是示出使用图14所示的清洁夹具清洁处理容器的视图。
具体实施方式
在下文中，将参考附图更详细地描述本发明构思的示例性实施例。可以以各种形式修改本发明的实施例，并且本发明概念的范围不应被解释为限于以下实施例。提供本发明构思的实施例是为了更全面地为本领域普通技术人员描述本发明。因此，放大或缩小附图中部件的形状，以强调对其更清楚的描述。
本发明的本实施例的系统可以用于在诸如半导体基板或平面显示面板的基板上执行拍摄处理。具体地，本实施例的系统可以连接到曝光设备，以在基板上执行涂敷处理和显影处理。在下文中，可以将使用基板作为基板的情况描述为示例。
在下文中，将参考图2至图16描述本发明构思的基板处理系统。
图2是当从顶部观察时的基板处理系统的视图。图3是沿图2的线A-A截取的图2的系统的横截面视图。图4是沿图1的线B-B截取的图2的系统的横截面视图。图5是沿图1的线C-C截取的图2的系统的横截面视图。
参考图2至图5，基板处理系统1包含装载端口100、索引模块200、第一缓冲器模块300、涂覆/显影模块400、第二缓冲器模块500、曝光前/后处理模块600以及接口模块700。装载端口100、索引模块200、第一缓冲器模块300、涂覆/显影模块400、第二缓冲器模块500、曝光前/后处理模块600以及接口模块700在一个方向上依序布置成行。
在下文中，将其中布置装载端口100、索引模块200、第一缓冲器模块300、涂覆/显影模块400、第二缓冲器模块500、曝光前/后处理模块600和接口模块700的方向称为第一方向12，并且将从顶部观察时垂直于第一方向12的方向称为第二方向14，并且将垂直于第一方向12和第二方向14的方向称为第三方向16。
在被接收在盒20中的同时移动基板“W”。然后，盒20具有从外部密封的结构。例如，前开式晶圆传送盒(FOUP)可以用作盒20，前开式晶圆传送盒在前侧具有门。
在下文中，将详细描述装载端口100、索引模块200、第一缓冲器模块300、涂覆/显影模块400、第二缓冲器模块500、曝光前/后处理模块600以及接口模块700。
装载端口100具有载体120，其上定位有盒20，盒中容纳基板“W”。设置多个载体120，并且在第二方向14上布置成行。在图2中，提供四个载体120。
索引模块200在置于装载端口100的载体120上的盒20与第一缓冲器模块300之间进给基板“W”。索引模块200具有框架210、索引机械手220以及导轨230。框架210具有基本上矩形平行六面体形状，其具有空的内部，并且该框架设置在装载端口100与第一缓冲器模块300之间。索引模块200的框架210的高度可以低于第一缓冲器模块300的框架310的高度，这将在下面描述。索引机械手220和导轨230设置在框架210中。索引机械手220具有4轴驱动结构，使得直接处置基板“W”的手221可在第一方向12、第二方向14以及第三方向16上移动和旋转。索引机械手220具有手221、臂222、支撑件223以及支柱224。手221固定地安装臂222上。臂222具有柔性且可旋转的结构。支撑件223配置成使得沿第三方向16设置其长度方向。臂222联接到支撑件223，以便可沿着支撑件223移动。支撑件223固定地联接到支柱224。导轨230设置成使得沿第二方向14设置其长度方向。支柱224联接到导轨230，从而可沿着导轨230线性移动。尽管未示出，但是框架210还设置有开门器，其打开和关闭盒20的门。
第一缓冲器模块300具有框架310、第一缓冲器320、第二缓冲器330、冷却室350以及第一缓冲器机械手360。框架310具有矩形平行六面体形状，其具有空的内部，并且该框架设置在索引模块200与涂覆/显影模块400之间。第一缓冲器320、第二缓冲器330、冷却室350以及第一缓冲器机械手360位于框架310内。冷却室350、第二缓冲器330和第一缓冲器320沿着第三方向16从底部顺序布置。第一缓冲器320位于对应于以下将描述的涂覆/显影模块400的涂覆模块401的高度处，并且第二缓冲器330和冷却室350位于对应于以下将描述的涂覆/显影模块400的显影模块402的高度处。第一缓冲器机械手360在第二方向14上与第二缓冲器330、冷却室350和第一缓冲器320间隔开预定距离。
第一缓冲器320和第二缓冲器330临时地保存多个基板“W”。第二缓冲器330具有外壳331和多个支撑件332。支撑件332设置在外壳331内且沿着第三方向16彼此间隔开。一个基板“W”定位在支撑件332中的每一个上。外壳331在其上设置索引机械手220的一侧、其上设置第一缓冲器机械手360的一侧以及其上设置显影机械手482的一侧具有开口(未示出)，使得索引机械手220、第一缓冲器机械手360和将在下面描述的显影模块402的显影机械手482将基板“W”放入到外壳331中的支撑件332中或从其取出基板。第一缓冲器320的结构基本上类似于第二缓冲器330的结构。同时，第一缓冲器320的外壳321在其上设置第一缓冲器机械手360的一侧和其上设置有将在下面描述的位于涂覆模块401中的涂覆机械手432的一侧具有开口。为第一缓冲器320提供的支撑件322的数量和为第二缓冲器330提供的支撑件332的数量可以相同或不同。根据实施例，为第二缓冲器330提供的支撑件332的数量可以大于为第一缓冲器320提供的支撑件322的数量。
第一缓冲器机械手360在第一缓冲器320与第二缓冲器330之间进给基板“W”。第一缓冲器机械手360具有手361、臂362以及支撑件363。手361固定地安装臂362上。臂362具有柔性结构，并使得手361能够沿第二方向14移动。臂362联接到支撑件363，以沿着支撑件363在第三方向16上线性移动。支撑件363具有从对应于第二缓冲器330的位置延伸到对应于第一缓冲器320的位置的长度。支撑件363可以设置成向上或向下延伸更长。第一缓冲器机械手360可以设置成使得手361仅简单地沿着第二方向14和第三方向16进行2轴驱动。
冷却室350冷却基板“W”。冷却室350具有外壳351和冷却板352。冷却板352具有冷却单元353，该冷却单元冷却其上放置有基板“W”的其上表面和基板“W”。各种类型，诸如使用冷却水的冷却类型和使用热电元件的冷却类型，可以用作冷却单元353。将基板“W”定位在冷却板352上的提升销组件(未示出)可以设置在冷却室350中。外壳351在其上设置索引机械手220的一侧和其上设置显影机械手482的一侧具有开口(未示出)，使得索引机械手220和将在下面描述的为显影机械手402设置的显影机械手482将基板“W”放入冷却板352中或从冷却板中取出。打开和关闭前述开口的门(未示出)可以设置在冷却室350中。
涂覆/显影模块400执行在曝光处理之前将光致抗蚀剂涂覆到基板“W”上的过程和在曝光处理之后显影基板“W”的过程。涂覆/显影模块400具有基板上矩形平行六面体形状。涂覆/显影模块400具有涂覆模块401和显影模块402。涂覆模块401和显影模块402可以布置成在不同的层中彼此分开。根据示例，涂覆模块401位于显影模块402上。
涂覆模块401执行将诸如光致抗蚀剂的光敏液体涂覆到基板“W”上的过程，以及例如在抗蚀剂涂覆过程之前和之后加热和冷却基板“W”的热处理过程。涂覆模块401具有抗蚀剂涂覆室410、烘烤室420以及传送室430。抗蚀剂涂覆室410、烘烤室420以及传送室430沿着第二方向14依序布置。因此，抗蚀剂涂覆室410和烘烤室420在第二方向14上彼此间隔开，而传送室430插入其间。可以提供多个抗蚀剂涂覆室410，并且可以在第一方向12和第三方向16中的每一个方向上提供多个抗蚀剂涂覆室410。在附图中，示出了6个抗蚀剂涂覆室410作为示例。可以在第一方向12和第三方向16中的每一个方向上提供多个烘烤室420。在附图中，示出了6个烘烤室420作为示例。然而，与此不同，可以提供更多数量的烘烤室420。
传送室430在第一方向12上平行于第一缓冲器模块300的第一缓器320定位。涂覆机械手432和导轨433可以位于传送室430中。传送室430具有大致矩形的形状。涂覆机械手432在烘烤室420、抗蚀剂涂敷室410、第一缓冲器模块300的第一缓冲器320和第二缓冲器模块500的第一冷却室520之间进给基板“W”。导轨433设置成使得其长度方向平行于第一方向12。导轨433引导涂覆机械手432，使得涂覆机械手432线性移动。涂覆机械手432具有手434、臂435、支撑件436和支柱437。手434固定地安装臂435上。臂435具有柔性结构，使得手434可水平移动。支撑件436设置成使得沿第三方向16设置其长度方向。臂435联接到支撑件436，以沿着支撑件436在第三方向16上线性移动。支撑件436固定地联接到支柱437，并且支柱437联接到导轨433以可沿着导轨433移动。
抗蚀剂涂覆室410具有相同的结构。然而，抗蚀剂涂覆室410中使用的光致抗蚀剂的类型可以不同。例如，光致抗蚀剂可以是化学放大抗蚀剂。将抗蚀剂涂覆室410设置用于基板处理设备，该基板处理设备将光致抗蚀剂涂覆到基板“W”上。基板处理设备800执行液体涂覆过程，并且将如下参考图6至图7描述其详细说明。
返回参考图2至图5，烘烤室420对基板“W”进行热处理。例如，烘烤室420通过在涂覆光致抗蚀剂之前在预定温度下加热基板“W”来执行去除基板“W”表面上的有机物质和水分的预烘烤过程，或者在将光致抗蚀剂涂覆到基板“W”之后执行软烘烤过程，并且在加热过程之后执行冷却基板“W”的冷却过程。烘烤室420具有冷却板421和加热板422。冷却板421设置有冷却单元423，诸如冷却水或热电元件。加热板422设置有加热单元424，诸如电热丝或热电元件。冷却板421和加热板422可以设置在一个烘烤室420中。可选地，烘烤室420中的一些烘烤室可以仅包括冷却板421，以及烘烤室420中的一些烘烤室可以仅包括加热板422。
显影模块402包括通过提供显影液体以在基板“W”上获得图案来去除光致抗蚀剂的过程，以及在显影过程之前和之后在基板“W”上执行诸如加热和冷却的热处理过程。显影模块402具有显影室460、烘烤室470和传送室480。显影室460、烘烤室470以及传送室480沿着第二方向14依序布置。因此，显影室460和烘烤室470在第二方向14上彼此间隔开，而传送室480插入其间。可以提供多个显影室460，并且可以在第一方向12和第三方向16中的每一个方向上提供多个显影室460。在附图中，示出了6个显影室460作为示例。可以在第一方向12和第三方向16中的每一个方向上提供多个烘烤室470。在附图中，示出了6个烘烤室470作为示例。然而，与此不同，可以提供更多数量的烘烤室470。
传送室480在第一方向12上平行于第一缓冲器模块300的第二缓器330定位。显影机械手482和导轨483可以位于传送室480中。传送室480具有大致矩形的形状。显影机械手482在烘烤室470、显影室460、第一缓冲器模块300的第二缓冲器330和冷却室350以及第二缓冲器模块500的第二冷却室540之间传送基板W。导轨483设置成使得其长度方向平行于第一方向12。导轨483引导显影机械手482，使得显影机械手482在第一方向12上线性移动。显影机械手482具有手484、臂485、支撑件486和支柱487。手484固定地安装臂485上。臂485具有柔性结构，使得手484可水平移动。支撑件486设置成使得沿第三方向16设置其长度方向。臂485联接到支撑件486，以沿着支撑件486在第三方向16上线性移动。支撑件486固定地联接到支柱487。支柱487联接到导轨483，从而可沿着导轨483线性移动。
显影室460具有相同的结构。然而，显影室460中使用的显影液体的类型可以不同。显影室460去除了基板“W”上的光照射到其上的光致抗蚀剂区域。然后，保护膜的光照射到其上的区域被一起去除。可选地，根据所使用的光致抗蚀剂的类型，可以仅去除光致抗蚀剂和保护膜的光未照射到其上的区域。
显影室460具有容器461、支撑板462和喷嘴463。容器461具有顶部开口的杯子形状。支撑板462位于容器461中，并支撑基板W。支撑板462可以设置成可旋转的。喷嘴463将显影液体供应到位于支撑板462上的基板“W”上。喷嘴463可以具有圆管形状，并且可以向基板“W”的中心供应显影液体。可选地，喷嘴463可以具有对应于基板“W”的直径的长度，并且喷嘴463的排放孔可以是狭缝。显影室460还可以设置有喷嘴464，该喷嘴供应清洁液，诸如去离子水，以清洁其上附加地供应有显影液体的基板“W”的表面。
{烘烤室470热处理基板“W”。例如，烘烤室470可以在显影过程之前执行加热基板“W”的后烘烤过程，在显影过程之后执行加热基板“W”的硬烘烤过程，以及在烘烤过程之后执行冷却加热的晶片的冷却过程。烘烤室470具有冷却板471和加热板472。冷却板471设置有冷却单元473，诸如冷却水或热电元件。加热板472设置有加热单元474，诸如电热丝或热电元件。冷却板471和加热板472可以设置在一个烘烤室470中。可选地，烘烤室470中的一些烘烤室可以仅包括冷却板471，以及烘烤室470中的一些烘烤室可以仅包括加热板472。
如上所述，涂覆/显影模块400提供成使得涂覆模块401和显影模块402分离。当从顶部观察时，涂覆模块401和显影模块402可以具有相同的室布置。
第二缓冲器模块500设置为通道，通过该通道在涂覆/显影模块400和曝光前/后模块600之间传送基板W。此外，第二缓冲器模块500在基板“W”上执行过程，诸如冷却过程或边缘曝光过程。第二缓冲器模块500具有框架510、缓冲器520、第一冷却室530、第二冷却室540、边缘曝光室550和第二缓冲器机械手560。框架510具有矩形的平行六面体形状。缓冲器520、第一冷却室530、第二冷却室540、边缘曝光室550和第二缓冲器机械手560位于框架510中。缓冲器520、第一冷却室530和边缘曝光室550设置在对应于涂覆模块401的高度处。第二冷却室540设置在对应于显影模块402的高度处。缓冲器520、第一冷却室530和第二冷却室540沿着第三方向16成行布置。当从顶部观察时，缓冲器520在第一方向12上沿着涂覆模块401的传送室430设置。边缘曝光室550在第二方向14上与缓冲器520或第一冷却室530隔开预定距离。
第二缓冲器机械手560在缓冲器520、第一冷却室530和边缘曝光室550之间传送基板W。第二缓冲器机械手560位于边缘曝光室550和缓冲器520之间。第二缓冲器机械手560的结构可以类似于第一缓冲器机械手360的结构。第一冷却室530和边缘曝光室550在晶片“W”上执行后续过程，涂覆模块401已经在该晶片上执行了过程。第一冷却室530冷却基板“W”，涂覆模块401已经在该基板上执行了过程。第一冷却室530的结构类似于第一缓冲器模块300的冷却室350的结构。边缘曝光室550露出晶片“W”的外围，第一冷却室530已经在该晶片上执行了冷却过程。在将边缘曝光室550已经在其上执行了过程的基板“W”传送到将在下面描述的前处理模块601之前，缓冲器520暂时保存基板“W”。在将后处理模块602(将在下面描述)已经在其上执行了过程的晶片“W”传送到显影模块402之前，第二冷却室540冷却晶片“W”。第二缓冲器模块500还可以在对应于显影模块402的高度处具有缓冲器。在这种情况下，可以在临时保存在添加的缓冲器中之后将后处理模块602已经在其上执行过程的晶片“W”传送到显影模块402。
在曝光设备1000执行浸没/曝光过程时，曝光前/后模块600可以执行涂覆保护膜的过程，其保护在浸没/曝光过程期间涂覆到基板“W”的光致抗蚀剂膜。曝光前/后模块600可以在曝光过程之后执行清洁基板“W”的过程。此外，当通过使用化学放大抗蚀剂来执行涂覆过程时，曝光前/后模块600可以在曝光过程之后执行烘烤过程。
曝光前/后模块600具有前处理模块601和后处理模块602。前处理模块601在曝光过程之前执行处理基板“W”的过程，以及后处理模块602在曝光过程之后执行处理基板“W”的过程。前处理模块601和后处理模块602可以设置成在不同的层中彼此分开。根据示例，前处理模块601位于后处理模块602上。前处理模块601的高度与涂覆模块401的高度相同。后处理模块602的高度与显影模块402的高度相同。前处理模块601具有保护膜涂覆室610、烘烤室620和传送室630。保护膜涂覆室610、传送室630和烘烤室620沿着第二方向14依序设置。因此，保护膜涂覆室610和烘烤室620在第二方向14上彼此间隔开，而传送室630插入其间。提供多个保护膜涂覆室610，并且多个保护膜涂覆室610沿着第三方向16设置以形成不同的层。可选地，可以在第一方向12和第三方向16中的每一个方向上提供多个保护膜涂覆室610。提供多个烘烤室620，并且多个烘烤室620沿着第三方向16设置以形成不同的层。可选地，可以在第一方向12和第三方向16中的每一个方向上提供多个烘烤室620。
传送室630在第一方向12上平行于第二缓冲器模块500的第一冷却室530定位。前处理机械手632位于传送室630中。传送室630具有基本上方形或矩形的形状。前处理机械手632在保护膜涂覆室610、烘烤室620、第二缓冲器模块500的缓冲器520以及接口模块700的第一缓冲器720(以下将描述)之间进给基板W。前处理机械手632具有手633、臂634以及支撑件635。手633固定地安装臂634上。臂634具有柔性且可旋转的结构。臂634联接到支撑件635，以沿着支撑件635在第三方向16上线性移动。
保护膜涂覆室610将保护膜涂覆到基板“W”上，该保护膜在浸没/曝光过程中保护抗蚀剂膜。保护膜涂覆室610具有外壳611、支撑板612和喷嘴613。外壳611具有顶部开口的杯子形状。支撑板612位于外壳611中，并支撑基板“W”。支撑板612可以设置成可旋转的。喷嘴613将用于形成保护膜的保护液体供应到放置在支撑板612上的基板W上。喷嘴613具有圆管形状，并且可以向基板“W”的中心供应保护液体。可选地，喷嘴613可以具有对应于基板“W”的直径的长度，并且喷嘴613的排放孔可以是狭缝。在这种情况下，可以以固定状态提供支撑板612。保护液体包括可膨胀材料。保护液体可以是对光致抗蚀剂和水具有低亲和力的材料。例如，保护液体可以包括氟基溶剂。保护膜涂覆室610在旋转位于支撑板612上的基板“W”的同时将保护液体供应到基板“W”的中心区域上。
烘烤室620对其上涂覆有保护膜的基板“W”进行热处理。烘烤室620具有冷却板621和加热板622。冷却板621设置有冷却单元623，诸如冷却水或热电元件。加热板622设置有加热单元624，诸如电热丝或热电元件。加热板622和冷却板621可以设置在一个烘烤室620中。可选地，烘烤室620中的一些烘烤室可以仅包括加热板622，以及烘烤室620中的一些烘烤室可以仅包括冷却板621。
后处理模块602具有清洁室660、曝光后烘烤室670和传送室680。清洁室660、传送室680以及曝光后烘烤室670沿着第二方向14依序布置。因此，清洁室660和曝光后烘烤室670在第二方向14上彼此间隔开，而传送室680插入其间。提供多个清洁室660，并且多个清洁室660沿着第三方向16设置以形成不同的层。可选地，可以在第一方向12和第三方向16中的每一个方向上提供多个清洁室660。提供多个曝光后烘烤室670，并且多个曝光后烘烤室670沿着第三方向16设置以形成不同的层。可选地，可以在第一方向12和第三方向16中的每一个方向上提供多个曝光后烘烤室670。
当从顶部观察时，传送室680在第一方向12上平行于第二缓冲器模块500的第二冷却室540定位。传送室680具有基本上方形或矩形的形状。后处理机械手682位于传送室680中。后处理机械手682在清洁室660、曝光后烘烤室670、第二缓冲器模块500的第二冷却室540以及接口模块700的第二缓冲器730(以下将描述)之间传送基板W。后处理模块602中提供的后处理机械手682的结构可以与前处理模块601中提供的前处理机械手632的结构相同。
清洁室660在曝光过程之后清洁基板“W”。清洁室660具有外壳661、支撑板662和喷嘴663。外壳661具有顶部开口的杯子形状。支撑板662位于外壳661中，并支撑基板“W”。支撑板662可以设置成可旋转的。喷嘴663将清洁液供应到位于支撑板662上的基板“W”上。清洁液可以是水，诸如去离子水。清洁室660在旋转位于支撑板662上的基板“W”的同时将清洁液供应到基板“W”的中心区域上。可选地，喷嘴663可以从基板“W”的中心区域线性移动或旋转到边缘区域，同时基板“W”旋转。
在曝光过程之后，烘烤室670通过使用远红外线加热已经在其上执行了曝光过程的基板“W”。在曝光过程之后，在烘烤过程中，通过放大光致抗蚀剂在曝光过程中产生的酸，加热基板“W”以完成光致抗蚀剂的性质改变。在曝光过程之后，烘烤室670具有加热板672。加热板672设置有加热单元674，诸如电热丝或热电元件。在曝光过程之后，烘烤室670还可以在其内部设置有冷却板671。冷却板671设置有冷却单元673，诸如冷却水或热电元件。可选地，还可以提供仅具有冷却板671的烘烤室。
如上所述，提供曝光前/后模块600，使得前处理模块601和后处理模块602彼此完全分离。前处理模块601的传送室630和后处理模块602的传送室680可以具有相同的尺寸，并且当从顶部观察时可以完全彼此重叠。保护膜涂覆室610和清洁室660可以具有相同的尺寸，并且当从顶部观察时可以完全彼此重叠。烘烤室620和曝光后烘烤室670可以具有相同的尺寸，并且当从顶部观察时可以完全彼此重叠。
接口模块700在曝光前/后模块600和曝光设备1000之间进给基板“W”。接口模块700具有框架710、第一缓冲器720、第二缓冲器730和接口机械手740。第一缓冲器720、第二缓冲器730和接口机械手740位于框架710内。第一缓冲器720和第二缓冲器730彼此间隔预定距离,并且可以堆叠。第一缓冲器720设置在比第二缓冲器730更高的位置处。第一缓冲器720位于对应于前处理模块601的高度，以及第二缓冲器730位于对应于后处理模块602的高度。当从顶部观察时，第一缓冲器720沿着第一方向12设置，同时与前处理模块601的传送室630成行，并且第二缓冲器730沿着第一方向12设置，从而与后处理模块602的传送室630成行。
接口机械手740定位成在第二方向14上与第一缓冲器720和第二缓冲器730间隔开。接口机械手740在第一缓冲器720、第二缓冲器730和曝光设备1000之间传送基板“W”。接口机械手740的结构基本上类似于第二缓冲器机械手560的结构。
第一缓冲器720在将预处理模块601已经在其上执行了过程的基板“W”移动到曝光设备1000之前暂时保存基板“W”。第二缓冲器730在将曝光设备1000已经在其上完全执行了过程的基板“W”移动到后处理模块602之前暂时保存基板“W”。第一缓冲器720具有外壳721和多个支撑件722。支撑件722设置在外壳721内且沿着第三方向16彼此间隔开。一个基板“W”定位在支撑件722中的每一个上。外壳721在其上设置接口机械手740的一侧和其上设置前处理机械手721的一侧具有开口(未示出)，使得接口机械手740和前处理机械手632将基板“W”放入支撑板722中或从支撑板中取出。第二缓冲器730的结构基本上类似于第一缓冲器720的结构。同时，第二缓冲器730的外壳4531在其上设置接口机械手740的一侧和其上设置后处理机械手682的一侧具有开口。如上所述，接口模块可以仅设置有缓冲器和机械手，而不设置在晶片上执行特定过程的室。
抗蚀剂涂覆室410可以设置用于基板处理设备，该基板处理设备将光致抗蚀剂涂覆到基板“W”上，这将在下面描述。
图6是示出图2的基板处理设备的剖视图。
参考图6，基板处理设备800是将光致抗蚀剂涂覆到基板“W”上的设备。基板处理设备800包括外壳810、基板支撑单元830、处理容器850、提升单元840、液体供应单元890和控制器880。
外壳810具有矩形桶形状，其中在其内部具有处理空间812。开口(未示出)形成在外壳810的一侧上。开口起到端口的作用，通过该端口放入和取出基板“W”。门安装在开口中，并且门打开和关闭开口。如果执行基板处理过程，门中断开口并关闭外壳810的处理空间812。内出口814和外出口816形成在外壳810的下表面上。外壳810中的空气通过内出口814和外出口816排出到外部。根据示例，为处理容器850提供的空气可以通过内出口814排出，以及为处理容器850外部提供的空气可以通过外出口816排出。
基板支撑单元830将基板“W”支撑在外壳810的处理空间812中。基板支撑单元830旋转基板“W”。基板支撑单元830包括旋转卡盘832、旋转轴834和驱动器836。旋转卡盘832提供用于支撑基板的基板支撑构件832。旋转卡盘832具有圆盘形状。基板“W”与旋转卡盘832的上表面接触。旋转卡盘832的直径小于基板“W”的直径。根据示例，旋转卡盘832可以真空抽吸基板“W”并卡盘夹紧基板“W”。可选地，旋转卡盘832可以设置用于静电卡盘，该静电卡盘通过使用静电来卡盘夹紧基板“W”。旋转卡盘832可以通过物理力卡盘夹紧基板“W”。
同时，在处理容器850的清洁过程中，清洁夹具900可以位于旋转卡盘832上。
旋转轴834和驱动器836提供用于旋转旋转卡盘832的旋转驱动构件834和836。旋转轴834在旋转卡盘832下方支撑旋转卡盘832。旋转轴834设置成使得其长度方向面向上侧和下侧。旋转轴834设置成可围绕其中心轴线旋转。驱动器836提供驱动力，使得旋转轴834旋转。例如，驱动器836可以是改变旋转轴的转速的电机。旋转驱动构件834和836可以根据基板处理步骤以不同的旋转速度旋转旋转卡盘832。
处理容器850在其内部具有处理空间812，在该处理空间中执行显影过程。处理容器850可以配置成围绕基板支撑单元830。处理容器850具有顶部开口的杯子形状。处理容器850包括内杯852和外杯862。
内杯852具有围绕旋转轴834的圆形杯子形状。当从顶部观察时，内杯852定位成与内出口814重叠。内杯852的上表面设置成使得当从顶部观察时，其外部区域和内部区域具有不同的角度。根据示例，内杯852的外部区域随着其远离基板支撑单元830而向下倾斜，并且内杯852的内部区域随着其远离基板支撑单元830而向上倾斜。其中内杯852的外部区域和内部区域相遇的点设置成竖直对应于基板“W”的侧端。内杯852的上表面的外部区域是圆形的。内杯852的上表面的外部区域是凹入的。内杯852的上表面的外部区域可以设置为处理液体通过其流过的区域。
外杯862具有围绕基板支撑单元830和内杯852的杯子形状。外杯862具有底壁864、侧壁866、上壁和倾斜壁870。底壁864具有中空圆盘形状。回收管线865形成在底壁864中。回收管线865回收供应到基板“W”上的处理液体。由回收管线865回收的处理液体可以由外部液体再循环系统再利用。侧壁866具有围绕基板支撑单元830的圆形桶形状。侧壁866从底壁864的侧端沿垂直于底壁864的方向延伸。侧壁866从底壁864向上延伸。
倾斜壁870从侧壁866的上端朝向外杯862的内部延伸。倾斜壁870设置成随着其向上移动而变得更近。倾斜壁870具有环形形状。倾斜壁870的上端高于由基板支撑单元830支撑的基板“W”。
提升单元840提升内杯852和外杯862。提升单元840包括内部可移动构件842和外部可移动构件844。内部可移动构件842提升内杯852，以及外部可移动构件844提升外杯862。
液体供应单元890可以选择性地向基板“W”供应各种处理流体。
例如，液体供应单元890可以包括喷嘴892和喷嘴移动构件893，该喷嘴向基板“W”供应处理液体。可以提供多个喷嘴892。当设置多个喷嘴892时，处理液供应管线分别连接到喷嘴892。在多个喷嘴892中，除了由喷嘴移动构件893保持以将处理液排放到基板上的喷嘴之外，喷嘴892在原始端口(未示出)中等待。多个喷嘴892中的一个喷嘴可以通过喷嘴移动构件893移动到处理位置和待机位置。这里，处理位置是其中喷嘴892面对位于旋转卡盘832上的基板“W”的位置。待机位置是其中喷嘴892在原始端口900中等待的位置。例如，处理液体可以是诸如光致抗蚀剂的光敏液体，或用于清洁处理容器的清洁液。
同时，控制器880控制供应单元896，其向液体供应单元890供应清洁液。控制器880可以通过在处理容器850的清洁过程期间改变供应到清洁夹具900(见图10)的清洁液的量来提高清洁效率。作为示例，控制器880可以在特定周期增加和减少供应的清洁液的量。
控制器880可以控制驱动器836，使得旋转头832的旋转速度重复地加速和减速，同时将清洁液供应到清洁夹具900。
图7是用于清洁图6所示的基板处理设备的清洁夹具的透视图。图8是图7所示的清洁夹具的平面图。图9是沿着图8的线A-A截取的横截面视图。
参考图7至图9，清洁夹具900可以具有圆形板形状，其具有特定的厚度。清洁夹具900的直径可以基本上与基板的直径相同。
可以将清洁夹具900的夹具主体910分成中心区域902和边缘区域904。中心区域902可以是从喷嘴892排出的清洁液供应到其的区域，以及边缘区域904可以是其中清洁液飞溅的区域。
飞溅导向槽920在边缘区域904中形成为凹陷的，以使得清洁液利用由于旋转头832的旋转引起的离心力飞溅。
飞溅导向槽920可以包括第一组第一飞溅导向槽920-1和第二组第二飞溅导向槽920-2。可以沿夹具主体的第一同心圆以相等的间隔布置第二组飞溅导向槽920-2，以及可以沿大于第一同心圆的第二同心圆以相等的间隔布置第一组飞溅导向槽920-1。然而，飞溅导向槽920-1和920-2的布置不限于此。例如，很明显的是，飞溅导向槽可以布置在一个或两个或更多个同心圆上。
同时，第一组飞溅导向槽920-1和第二组飞溅导向槽920-2的长度可以不同。
飞溅导向槽920可以形成为从清洁夹具900的中心沿着周向方向(清洁液的流动方向)弯曲。
第一组飞溅导向槽920-1和第二组飞溅导向槽920-2可以具有不同的长度，但是可以具有相同的构造。优选的是，第一组飞溅导向槽920-1(或第二组飞溅导向槽920-2)中的每一个飞溅导向槽被配置成使得：每个飞溅导向槽面对清洁夹具900外部的第一底表面922相对于该每个飞溅导向槽底表面的底部点“P”的倾斜度比该每个飞溅导向槽面对清洁夹具900内部的第二底表面924的倾斜度平缓，该底部点的高度是最低的。
也就是说，第一组飞溅导向槽920-1的第一底表面922在清洁液飞溅的方向上相对于该飞溅导向槽底表面的最低点“P”比该飞溅导向槽第二底表面924在相反方向上的倾斜度平缓，该底部点的高度是最低的。
供应到具有上述结构的清洁夹具900的中心的清洁液从中心流向外部，同时利用离心力画出长弧(图8中所示的箭头方向)。此外，穿过飞溅导向槽920-1和920-2的清洁液沿着第一底表面922的倾斜度向上飞溅。飞溅在第一组飞溅导向槽920-1中的清洁液L2的清洁区域、和飞溅在第二组飞溅导向槽920-2中的清洁液L3的清洁区域可以不同。
也就是说，清洁夹具900可以根据第一底表面922的倾斜度来调节其中清洁液飞溅的角度。例如，当第一组飞溅导向槽920-1的第一底表面922加工成不同的倾斜度时，处理容器的清洁区域可以变宽，并且可以在清洁液以各种角度飞溅(也就是说，在更宽的范围内)的同时有效地执行清洁。
如上所述，可以根据清洁范围来确定飞溅导向槽的底表面的倾斜度。
虽然未示出，但是飞溅导向槽920的横向横截面可以具有各种形式，诸如半圆形截面形状、其中上部部分局部地敞开的真圆形截面形状、其中上部部分敞开的U形截面形状、其中上部部分敞开的四边形截面形状、其中上部部分敞开的V形截面形状和倾斜的四边形截面形状。
图10是示出通过使用清洁夹具清洁处理容器的过程的视图。
如图10所示，清洁夹具900位于旋转头832上。清洁夹具900位于其上的旋转头832以预设速度旋转。喷嘴892向清洁夹具900的上表面供应清洁液。供应到清洁夹具900的上表面的清洁液流动，同时利用离心力从清洁夹具900的中心朝向边缘划出弧形，并且清洁液的一部分沿着形成在清洁夹具900的上表面上的飞溅导向槽920-1和920-2向上飞溅，并且清洁液的剩余部分沿着清洁夹具900的平坦上表面在基本水平的方向上飞溅。
图8至图10中所示的附图标记L1表示从清洁夹具900的平坦上表面飞溅的清洁液的飞溅方向，附图标记L2表示在第一组飞溅导向槽920-1中飞溅的清洁液的飞溅方向，以及附图标记L3表示在第二组飞溅导向槽920-2中飞溅的清洁液的飞溅方向。
因此，在清洁夹具900中，清洁液在大范围内飞溅，使得可以有效地清洗杯子。
优选的是，在使用清洁夹具900的处理容器的清洁过程中，以可变流速而不是特定流速供应清洁液。例如，在清洁液被过度供应到清洁夹具900时，从清洁夹具900飞溅的清洁液的量变得大于驻留在清洁夹具的上表面上的清洁液的量，并且将清洁液填充在飞溅导向槽920-1和920-2中。此后，当供应的清洁液的量减少时(或者暂时停止清洁液的供应)，完全填充在飞溅导向槽920-1和920-2中的清洁液可以利用离心力飞溅到处理容器850。以这种方式，供应到清洁夹具900的清洁液可以以此模式供应到清洁夹具，其中供应的清洁液的量在特定周期增加和减少(或者过度供应和供应不足/停止供应)。
在使用清洁夹具900清洁处理容器850的过程中，可以在供应清洁液的同时改变旋转头832的旋转速度。例如，当过量供应清洁液时，旋转速度可能降低，而当清洁液供应不足时，旋转速度可能加快。
图11是示出清洁夹具的第一变型的透视图。图12是沿图11的线B-B截取的横截面视图。
如图11和图12所示，清洁夹具900a可以包括夹具主体910a，该夹具主体具有飞溅槽920a-1和920a-2，并且它们具有与图7所示的清洁夹具900的飞溅槽基本相同的构造和功能，因此，将主要描述与变型和本实施例的区别。
第一变型的特征在于，飞溅导向槽920a-1和920a-2沿着同心圆形成，这些同心圆以相等间隔按特定距离远离夹具主体910的中心。飞溅导向槽中的每一个飞溅导向槽可以被配置成使得：该每个飞溅导向槽面对清洁夹具900a外部的第一底表面922a相对于高度最低的底表面的底部点“P”的倾斜度比该每个飞溅导向槽面对清洁夹具900a内部的第二底表面924a的倾斜度更平缓。
图13是示出清洁夹具的第二变型的透视图。
如图13所示，清洁夹具900b可以包括夹具主体910b，具该夹具主体有飞溅槽920b-1和920b-2，并且它们具有与图7所示的清洁夹具900的飞溅槽基本相同的构造和功能，因此，将主要描述与变型和本实施例的区别。
在第二变型中，飞溅导向槽920b-1和920b-2形成为从清洁夹具900b的中心沿着周向方向弯曲，但是飞溅导向槽920b-1和920b-2的弯曲方向沿着与清洁液的流动方向(旋转方向，由箭头指示)相反的方向弯曲。
图14是示出清洁夹具的第三变型的底部透视图。图15是图14所示的清洁夹具的横截面视图。图16是示出使用图14所示的清洁夹具清洁处理容器的视图。
如图14至图16所示，清洁夹具900c在其底表面930上具有固定凸台和飞溅导向凸台932。飞溅导向凸台932从夹具主体910c的底表面930的边缘部分向下突出。固定凸台934从底表面930向下突出，并且定位成围绕旋转头的外侧，以防止当清洁夹具900c位于旋转头832上时清洁液的流动。
在基板处理设备的清洁过程中，从位于旋转头832下方的后喷嘴820喷射的清洁液沿着清洁夹具900c的底表面流到外部。此外，清洁液在与飞溅导向凸台932碰撞的同时清洁内杯852的上表面。
根据本发明构思的实施例，通过允许清洁水通过清洁夹具飞溅到杯子内部的不同高度处，可以提高杯子的清洁效率。
根据本发明构思的实施例，即使支撑板没有上下移动，也可以通过调节供应的清洁液的量来提高清洁效率。
根据本发明构思的实施例，清洗液体可以通过凹陷以各种角度飞溅，并且可以很好地利用空间(保持清洗夹具)。
本发明构思的效果不限于上述效果，并且其中本发明构思所属领域的技术人员可从说明书和附图中清楚地理解未提及的效果。
以上详细描述例示了发明构思。此外，以上提及的内容描述本发明构思的示范性实施例，且本发明构思可用于各种其他组合、改变和环境。也就是说，可在不脱离说明书中所公开的本发明构思的范围、书面公开的等效范围、和/或本领域技术人员的技术或知识范围的情况下修改并纠正本发明构思。书面实施例描述用于实施本发明构思的技术精神的最佳状态，且可以作出本发明构思的详述的应用领域和目的所需的各种改变。因此，发明构思的详细描述并不意图限制在所公开的实施例状态下的发明构思。此外，应理解，所附权利要求书包括其他实施例。

Claims (20)

1.一种基板处理设备，包括：
可旋转的旋转头；
杯子，其被配置成围绕所述旋转头；
清洁夹具，其位于所述旋转头上，并且被配置成通过所述旋转头的旋转朝向所述杯子排放清洁液；以及
喷嘴单元，其位于所述清洁夹具的上部部分，并且被配置成将所述清洁液供应到所述清洁夹具的上表面的中心，
其中所述清洁夹具包括：
飞溅导向槽，其被形成为凹陷的，以使得从所述喷嘴单元提供的所述清洁液利用由于所述旋转头的旋转引起的离心力朝所述杯子飞溅。
2.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中所述飞溅导向槽被形成为从所述清洁夹具的所述中心沿着所述清洁夹具的周向方向弯曲。
3.根据权利要求2所述的基板处理设备，其中所述飞溅导向槽的弯曲部在与所述清洁夹具中的所述清洁液的流动方向相对应的方向上弯曲。
4.根据权利要求2所述的基板处理设备，其中所述飞溅导向槽的弯曲部在与所述清洁夹具中的所述清洁液的流动方向相反的方向上弯曲。
5.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中所述飞溅导向槽被形成在同心圆上，所述同心圆以相等间隔按特定距离远离所述清洁夹具的所述中心。
6.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中所述飞溅导向槽中的每个飞溅导向槽被配置成使得：该飞溅导向槽面对所述清洁夹具外部的第一底表面相对于该飞溅导向槽的底表面的底部点的倾斜度比该飞溅导向槽面对所述清洁夹具内部的第二底表面的倾斜度平缓，所述底部点的高度是最低的。
7.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中所述飞溅导向槽中的每个飞溅导向槽被配置成使得：该飞溅导向槽在所述清洁液飞溅的方向上的第一底表面相对于该飞溅导向槽底表面的底部点比第二底表面在相反方向上的倾斜度平缓，所述底部点的高度是最低的。
8.根据权利要求6或7所述的基板处理设备，其中所述飞溅导向槽的所述第一底表面的所述倾斜度不同。
9.根据权利要求1所述的基板处理设备，还包括：
供应单元，其配置成向所述喷嘴单元供应所述清洁液；以及
控制器，其配置成控制所述供应单元，以使得供应到所述清洁夹具的所述清洁液的量以特定周期增加和减少。
10.根据权利要求9所述的基板处理设备，其中所述控制器控制所述旋转头，以使得所述旋转头的旋转速度重复地加快和降低，同时将所述清洁液供应到所述清洁夹具。
11.根据权利要求1所述的基板处理设备，还包括：
后喷嘴，其被配置成将所述清洁液喷射到所述清洁夹具的底表面，
其中所述清洁夹具还包括：
飞溅导向凸台，所述飞溅导向凸台从其边缘的底表面向下突出。
12.一种清洁夹具，包括：
夹具主体，所述夹具主体是圆形板形状的，其具有特定厚度，
其中所述夹具主体包括：
中心区域，清洁液从喷嘴单元被供应到所述中心区域；以及
边缘区域，其围绕所述中心区域，
其中形成在所述边缘区域中的所述飞溅导向槽是凹陷的，以使得所述清洁液利用由于所述旋转头的旋转引起的离心力飞溅。
13.根据权利要求12所述的清洁夹具，其中所述飞溅导向槽包括：
第一组飞溅导向槽，其沿着所述夹具主体的第一同心圆设置；以及
第二组飞溅导向槽，其沿着大于所述第一同心圆的第二同心圆设置。
14.根据权利要求13所述的清洁夹具，其中所述第一组飞溅导向槽的长度不同于所述第二组飞溅导向槽的长度。
15.根据权利要求12或13所述的清洁夹具，其中所述飞溅导向槽形成为从所述清洁夹具的所述中心沿着所述清洁夹具的周向方向弯曲。
16.根据权利要求12或13所述的清洁夹具，其中所述飞溅导向槽形成在同心圆上，所述同心圆按特定距离远离所述夹具主体的所述中心。
17.根据权利要求12所述的清洁夹具，其中所述飞溅导向槽中的每个飞溅导向槽被配置成使得：该飞溅导向槽面对所述清洁夹具外部的第一底表面相对于该飞溅导向槽底表面的底部点的倾斜度比该飞溅导向槽面对所述清洁夹具内部的第二底表面的倾斜度平缓，所述底部点的高度是最低的。
18.根据权利要求12所述的清洁夹具，其中所述飞溅导向槽中的每个飞溅导向槽被配置成使得：该飞溅导向槽在所述清洁液飞溅的方向上的第一底表面相对于该飞溅导向槽底表面的底部点比第二底表面在相反方向上的倾斜度平缓，所述底部点的高度是最低的。
19.根据权利要求12所述的清洁夹具，其中所述清洁夹具还包括：
飞溅导向凸台，所述飞溅导向凸台从其边缘的底表面向下突出。
20.一种用基板处理设备清洁杯子的方法，所述方法包括：
将清洁夹具安置在旋转头上；
旋转所述旋转头；以及
向旋转的所述清洁夹具的上表面供应清洁液，使得所述清洁液沿着形成在所述清洁夹具的上表面上的所述飞溅导向槽飞溅，
其中被供应到所述清洁夹具的所述清洁液的量以特定周期增加和减少，以及
其中所述旋转头的旋转速度重复地加快和降低，同时将所述清洁液供应到所述清洁夹具。
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