KR20230099777A - 처리액 공급 노즐 및 기판 처리 장치 - Google Patents

처리액 공급 노즐 및 기판 처리 장치 Download PDF

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KR20230099777A
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김도연
이태훈
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세메스 주식회사
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Abstract

본 발명의 실시예는 기판을 액 처리하는 장치 및 방법을 제공한다. 기판 처리 장치는 기판을 지지하는 기판 지지 유닛; 및 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 감광액을 도포하는 액 공급 유닛을 포함하되, 상기 액 공급 유닛은 감광액을 공급하는 도포 노즐; 일측 단부에 상기 도포 노즐이 위치되는 노즐 암; 및 상기 노즐 암의 타측 단부에 위치되어 상기 노즐 암을 이동 시키는 구동 부재를 포함하며, 상기 도포 노즐은 상기 노즐 암에 지지되는 노즐 바디; 상기 노즐 바디에 연결되고, 감광액이 토출되는 내부 유로를 가지는 그리고 정전기 제거가 가능한 대전방지 표면을 갖는 노즐팁; 상기 노즐 팁이 상기 노즐 바디에 고정되도록 상기 노즐 바디의 나사산에 체결되고, 상기 노즐 팁과 접촉되는 노즐 너트 부재; 일단은 상기 노즐 너트 부재와 접촉되고, 타단은 상기 노즐 암을 통하여 접지되는 접지 부재를 포함할 수 있다.

Description

처리액 공급 노즐 및 기판 처리 장치{Nozzle for supplying treatment liquid and substrate treating apparatus}
본 발명은 기판을 액 처리하는 장치에 관한 것이다.
반도체 소자를 제조하기 위한 반도체 제조 공정 중 사진 공정(photo-lithography process)은 웨이퍼 상에 원하는 패턴을 형성시키는 공정이다. 사진 공정은 보통 노광 설비가 연결되어 도포공정, 노광 공정, 그리고 현상 공정을 연속적으로 처리하는 스피너(spinner local) 설비에서 진행된다. 이러한 스피너 설비는 HMDS(Hexamethyl disilazane) 공정, 도포공정, 베이크 공정, 그리고 현상 공정을 순차적 또는 선택적으로 수행한다.
여기서 도포공정은 기판의 표면에 감광액을 도포하는 공정으로써, 감광액을 도포하는 노즐에 정전기가 발생된 경우, 극성 오염 물질에 의해 노즐이 오염되기 용이하므로 노즐 세척 주기가 짧아지고, 감광액에 정전기가 유도되어 기판에 직접 파티클이 흡착되기 용이하다.
본 발명은 처리액을 분사하는 노즐의 정전기를 제거할 수 있는 장치 및 방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급된 과제로 제한되지 않는다. 언급되지 않은 다른 기술적 과제들은 이하의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 노즐 바디; 상기 노즐 바디에 연결되고, 처리액이 토출되는 내부 유로를 가지는 노즐팁을 포함하되; 상기 노즐 팁은 정전기 제거가 가능한 대전방지 표면을 갖는 처리액 공급 노즐이 제공될 수 있다.
또한, 상기 노즐 팁은 석백 확인이 가능하도록 투명한 소재로 제공되고, 상기 대전방지 표면은 이온주입 처리된 표면일 수 있다.
또한, 상기 투명한 소재는 PFA(perfluoroalkoxy)를 포함할 수 있다.
또한, 상기 노즐 팁은 석백 확인이 가능하도록 투명한 소재로 제공되고, 상기 대전방지 표면은 이온빔으로 표면 처리되어 표면 저항값이 106 ~109Ω의 도전성을 가질 수 있다.
또한, 상기 노즐 팁이 상기 노즐 바디에 고정되도록 상기 노즐 바디의 나사산에 체결되고, 상기 노즐 팁과 접촉되는 노즐 너트 부재를 더 포함하되; 상기 노즐 너트 부재는 전도성 소재 또는 상기 이온빔으로 표면 처리된 도전성 표면을 가질 수 있다.
또한, 일단은 상기 노즐 너트 부재와 접촉되고, 타단은 상기 노즐 바디가 지지되는 노즐 암을 통하여 접지되는 접지 부재를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 접지 부재는 상기 노즐 체결 부재와 상기 노즐 암에 각각 접속되는 링형 터미널을 갖는 접지선을 포함할 수 있다.
또한, 상기 접지 부재는 상기 노즐 바디로부터 상기 상기 노즐 암까지 연결되는 도전성 테이프 또는 도전성 패턴을 포함할 수 있다.
또한, 상기 대전방지 표면은 상기 노즐 팁의 외주면과 상기 내부 유로의 일부 영역을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 기판을 지지하는 기판 지지 유닛; 및 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 감광액을 도포하는 액 공급 유닛을 포함하되, 상기 액 공급 유닛은 감광액을 공급하는 도포 노즐; 일측 단부에 상기 도포 노즐이 위치되는 노즐 암; 및 상기 노즐 암의 타측 단부에 위치되어 상기 노즐 암을 이동 시키는 구동 부재를 포함하며, 상기 도포 노즐은 상기 노즐 암에 지지되는 노즐 바디; 상기 노즐 바디에 연결되고, 감광액이 토출되는 내부 유로를 가지는 그리고 정전기 제거가 가능한 대전방지 표면을 갖는 노즐팁을 포함하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.
또한, 상기 노즐 팁은 석백 확인이 가능하도록 투명한 소재로 제공되고, 상기 대전방지 표면은 이온주입 처리된 표면일 수 있다.
또한, 상기 투명한 소재는 PFA(perfluoroalkoxy)를 포함하고, 상기 대전방지 표면은 표면 저항값이 106 ~109Ω의 도전성을 가질 수 있다.
또한, 상기 노즐 팁이 상기 노즐 바디에 고정되도록 상기 노즐 바디의 나사산에 체결되고, 상기 노즐 팁과 접촉되는 노즐 너트 부재를 더 포함하되; 상기 노즐 너트 부재는 전도성 소재 또는 상기 이온빔으로 표면 처리된 도전성 표면을 가질 수 있다.
또한, 일단은 상기 노즐 너트 부재와 접촉되고, 타단은 상기 노즐 바디가 지지되는 노즐 암을 통하여 접지되는 접지 부재를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 접지 부재는 상기 노즐 체결 부재와 상기 노즐 암에 각각 접속되는 링형 터미널을 갖는 접지선을 포함할 수 있다.
또한, 상기 접지 부재는 상기 노즐 바디로부터 상기 상기 노즐 암까지 연결되는 도전성 테이프 또는 도전성 패턴을 포함할 수 있다.
또한, 상기 대전방지 표면은 상기 노즐 팁의 외주면과 상기 내부 유로의 일부 영역을 포함하고, 상기 액 공급 유닛은 전처리액을 도포하는 전처리 노즐을 더 포함하며, 상기 도포 노즐은 복수 개로 제공되고, 상기 도포 노즐들과 상기 전처리 노즐은 상부에서 바라볼 때 일 방향으로 배열되도록 상기 노즐 바디에 지지될 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 기판을 지지하는 기판 지지 유닛; 및 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 감광액을 도포하는 액 공급 유닛을 포함하되, 상기 액 공급 유닛은 감광액을 공급하는 도포 노즐; 일측 단부에 상기 도포 노즐이 위치되는 노즐 암; 및 상기 노즐 암의 타측 단부에 위치되어 상기 노즐 암을 이동 시키는 구동 부재를 포함하며, 상기 도포 노즐은 상기 노즐 암에 지지되는 노즐 바디; 상기 노즐 바디에 연결되고, 감광액이 토출되는 내부 유로를 가지는 그리고 정전기 제거가 가능한 대전방지 표면을 갖는 노즐팁; 상기 노즐 팁이 상기 노즐 바디에 고정되도록 상기 노즐 바디의 나사산에 체결되고, 상기 노즐 팁과 접촉되는 노즐 너트 부재; 일단은 상기 노즐 너트 부재와 접촉되고, 타단은 상기 노즐 암을 통하여 접지되는 접지 부재를 포함하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.
또한, 상기 노즐 팁은 석백 확인이 가능하도록 투명한 소재로 제공되고, 상기 대전 방지 표면은 이온빔으로 표면 처리되어 표면이 도전성을 가질 수 있다.
또한, 상기 접지 부재는 상기 노즐 체결 부재와 상기 노즐 암에 각각 접속되는 링형 터미널을 갖는 접지선 또는 상기 노즐 바디로부터 상기 상기 노즐 암까지 연결되는 도전성 테이프 또는 도전성 패턴을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 합성 수지로 이루어진 노즐 팁 표면을 이온주입 처리하여 전도성을 갖도록 함으로써, 접지 부재를 통해 노즐 팁에 발생된 정전기를 용이하게 제거할 수 있다, 따라서 노즐 팁에 정전기가 존재하는 것으로 인하여 발생할 수 있는 노즐 팁 부재의 오염, 처리 유체의 오염 등의 문제를 방지할 수 있다.
본 발명의 효과는 상술한 효과들로 제한되지 않는다. 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비의 평면도이다.
도 2는 도 1의 설비를 A-A 방향에서 바라본 단면도이다.
도 3은 도 1의 설비를 B-B 방향에서 바라본 단면도이다.
도 4는 도 1의 설비를 C-C 방향에서 바라본 단면도이다.
도 5는 도 1의 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다.
도 6은 도 1의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 7은 도 6의 노즐 부재를 확대해 보여주는 도면이다.
도 8은 도 7에 도시된 노즐 부재를 보여주는 측면도이다.
도 9는 도 7에 도시된 도포 노즐을 설명하기 위한 단면도이다.
도 10은 도 9에 도시된 도포 노즐의 분해 사시도이다.
도 11은 노즐팁의 단면 사시도이다.
도 12는 접지 부재의 다른 예를 보여주는 도면이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
본 실시예의 설비는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 특히 본 실시예의 설비는 노광장치에 연결되어 기판에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 아래에서는 기판으로 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다.
이하 도 1 내지 도 12를 통해 본 발명의 기판 처리 설비를 설명한다.
도 1은 기판 처리 설비를 상부에서 바라본 도면이고, 도 2는 도 1의 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이고, 도 3은 도 1의 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이고, 도 4는 도 1의 설비를 C-C 방향에서 바라본 도면이다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)을 포함한다.
로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다.
이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제 1 방향(12)이라 칭하고, 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 칭하고, 제 1 방향(12) 및 제 2 방향(14)과 각각 수직한 방향을 제 3 방향(16)이라 칭한다.
기판(W)은 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 이때 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 예컨대, 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다.
이하에서는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)에 대해 상세히 설명한다.
로드 포트(100)는 기판들(W)이 수납된 카세트(20)가 놓여지는 재치대(120)를 가진다. 재치대(120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(200)은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 4개의 재치대(120)가 제공되었다.
인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 제 1 버퍼 모듈(300) 간에 기판(W)을 이송한다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 가진다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(100)와 제 1 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 제 1 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 기판(W)을 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제 1 방향(12), 제 2 방향(14), 제 3 방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 4축 구동이 가능한 구조를 가진다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 가진다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.
제 1 버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)을 가진다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(200)과 도포 및 현상 모듈(400) 사이에 배치된다. 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)은 프레임(310) 내에 위치된다. 냉각 챔버(350), 제 2 버퍼(330), 그리고 제 1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 제 1 버퍼(320)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 위치된다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼(320)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다.
제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330)는 각각 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대들(332)을 가진다. 지지대들(332)은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(331)은 인덱스 로봇(220), 제 1 버퍼 로봇(360), 그리고 후술하는 현상 모듈(402)의 현상부 로봇(482)이 하우징(331) 내 지지대(332)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향, 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향, 그리고 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 1 버퍼(320)는 제 2 버퍼(330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 1 버퍼(320)의 하우징(321)에는 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향 및 후술하는 도포 모듈(401)에 위치된 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수와 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수보다 많을 수 있다.
제 1 버퍼 로봇(360)은 제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330) 간에 기판(W)을 이송시킨다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 가진다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제 2 방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제 2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 위 또는 아래 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 단순히 핸드(361)가 제 2 방향(14) 및 제 3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다.
냉각 챔버(350)는 각각 기판(W)을 냉각한다. 냉각 챔버(350)는 하우징(351)과 냉각 플레이트(352)를 가진다. 냉각 플레이트(352)는 기판(W)이 놓이는 상면 및 기판(W)을 냉각하는 냉각 수단(353)을 가진다. 냉각 수단(353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 기판(W)을 냉각 플레이트(352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 하우징(351)은 인덱스 로봇(220) 및 후술하는 현상 모듈(402)에 제공된 현상부 로봇(482)이 냉각 플레이트(352)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향 및 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들(도시되지 않음)이 제공될 수 있다.
도포 및 현상 모듈(400)은 노광 공정 전에 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 공정 및 노광 공정 후에 기판(W)을 현상하는 공정을 수행한다. 도포 및 현상 모듈(400)은 대체로 직육면체의 형상을 가진다. 도포 및 현상 모듈(400)은 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)을 가진다. 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 도포 모듈(401)은 현상 모듈(402)의 상부에 위치된다.
도포 모듈(401)은 기판(W)에 대해 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 기판(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 도포 모듈(401)은 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)를 가진다. 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 레지스트 도포 챔버(410)와 베이크 챔버(420)는 반송 챔버(430)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 레지스트 도포 챔버(410)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 레지스트 도포 챔버(410)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(420)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(420)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(420)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.
반송 챔버(430)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(430) 내에는 도포부 로봇(432)과 가이드 레일(433)이 위치된다. 반송 챔버(430)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 도포부 로봇(432)은 베이크 챔버들(420), 레지스트 도포 챔버들(400), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320), 그리고 후술하는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(520) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(433)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(433)은 도포부 로봇(432)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 도포부 로봇(432)은 핸드(434), 아암(435), 지지대(436), 그리고 받침대(437)를 가진다. 핸드(434)는 아암(435)에 고정 설치된다. 아암(435)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(434)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(436)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(435)은 지지대(436)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(436)에 결합된다. 지지대(436)는 받침대(437)에 고정 결합되고, 받침대(437)는 가이드 레일(433)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(433)에 결합된다.
레지스트 도포 챔버들(410)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 레지스트 도포 챔버(410)에서 사용되는 포토 레지스트의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일 예로서 포토 레지스트로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. 레지스트 도포 챔버(410)는 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 기판 처리 장치로 제공된다. 기판 처리 장치(800)는 액 도포 공정이 수행된다.
도 5는 도 1의 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이고, 도 6은 도 1의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 기판 처리 장치(800)는 하우징(810), 기류 제공 유닛(820), 기판 지지 유닛(830), 처리 용기(850), 승강 유닛(890), 액 공급 유닛(840), 그리고 제어기(880)를 포함한다.
하우징(810)은 내부에 처리 공간(812)을 가지는 직사각의 통 형상으로 제공된다. 하우징(810)의 일측에는 개구(미도시)가 형성된다. 개구는 기판(W)이 반출입되는 입구로 기능한다. 개구에는 도어(미도시)가 설치되며, 도어는 개구를 개폐한다. 도어는 기판 처리 공정이 진행되면, 개구를 차단하여 하우징(810)의 처리 공간(812)을 밀폐한다. 하우징(810)의 하부면에는 내측 배기구(814) 및 외측 배기구(816)가 형성된다. 하우징(810) 내에 형성된 기류는 내측 배기구(814) 및 외측 배기구(816)를 통해 외부로 배기된다. 일 예에 의하면, 처리 용기(850) 내에 유입된 기류는 내측 배기구(814)를 통해 배기되고, 처리 용기(850)의 외측에 제공된 기류는 외측 배기구(816)를 통해 배기될 수 있다.
기류 제공 유닛(820)은 하우징(810)의 처리 공간(812)에 하강 기류를 형성한다. 기류 제공 유닛(820)은 기류 공급 라인(822), 팬(824), 그리고 필터(826)를 포함한다. 기류 공급 라인(822)은 하우징(810)에 연결된다. 기류 공급 라인(822)은 외부의 청정 에어를 하우징(810)에 공급한다. 필터(826)는 기류 공급 라인(822)으로부터 제공되는 청정 에어를 필터링 한다. 필터(826)는 에어에 포함된 불순물을 제거한다. 팬(824)은 하우징(810)의 상부면에 설치된다. 팬(824)은 하우징(810)의 상부면에서 중앙 영역에 위치된다. 팬(824)은 하우징(810)의 처리 공간(812)에 하강 기류를 형성한다. 기류 공급 라인(822)으로부터 팬(824)에 청정 에어가 공급되면, 팬(824)은 아래 방향으로 청정 에어를 공급한다. 일 예에 의하면, 팬(824)은 기판 처리 단계에 따라 서로 상이한 유속의 기류를 처리 공간에 공급할 수 있다.
기판 지지 유닛(830)은 하우징(810)의 처리 공간(812)에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(830)은 기판(W)을 회전시킨다. 기판 지지 유닛(830)은 스핀척(832), 회전축(834), 그리고 구동기(836)를 포함한다. 스핀척(832)은 기판을 지지하는 기판 지지 부재(832)로 제공된다. 스핀척(832)은 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 스핀척(832)의 상면에는 기판(W)이 접촉한다. 스핀척(832)은 기판(W)보다 작은 직경을 가지도록 제공된다. 일 예에 의하면, 스핀척(832)은 기판(W)을 진공 흡입하여 기판(W)을 척킹할 수 있다. 선택적으로, 스핀척(832)은 정전기를 이용하여 기판(W)을 척킹하는 정전척으로 제공될 수 있다. 또한 스핀척(832)은 기판(W)을 물리적 힘으로 척킹할 수 있다.
회전축(834) 및 구동기(836)는 스핀척(832)을 회전시키는 회전 구동 부재(834,836)로 제공된다. 회전축(834)은 스핀척(832)의 아래에서 스핀척(832)을 지지한다. 회전축(834)은 그 길이방향이 상하방향을 향하도록 제공된다. 회전축(834)은 그 중심축을 중심으로 회전 가능하도록 제공된다. 구동기(836)는 회전축(834)이 회전되도록 구동력을 제공한다. 예컨대, 구동기(836)는 회전축의 회전 속도를 가변 가능한 모터일 수 있다. 회전 구동 부재(834,836)는 기판 처리 단계에 따라 스핀척(832)을 서로 상이한 회전 속도로 회전시킬 수 있다.
처리 용기(850)는 하우징(810)의 처리 공간(812)에 위치된다. 처리 용기(850)는 기판 지지 유닛(830)을 감싸도록 제공한다. 처리 용기(850)는 상부가 개방된 컵 형상을 가지도록 제공된다. 처리 용기(850)는 내측 컵(852) 및 외측 컵(862)을 포함한다.
내측 컵(852)은 회전축(834)을 감싸는 원형의 컵 형상으로 제공된다. 상부에서 바라볼 때 내측 컵(852)은 내측 배기구(814)와 중첩되도록 위치된다. 상부에서 바라볼 때 내측 컵(852)의 상면은 그 외측 영역과 내측 영역 각각이 서로 상이한 각도로 경사지도록 제공된다. 일 예에 의하면, 내측 컵(852)의 외측 영역은 기판 지지 유닛(830)으로부터 멀어질수록 하향 경사진 방향을 향하며, 내측 영역은 기판 지지 유닛(830)으로부터 멀어질수록 상향 경사진 방향을 향하도록 제공된다. 내측 컵(852)의 외측 영역과 내측 영역이 서로 만나는 지점은 기판(W)의 측단부와 상하 방향으로 대응되게 제공된다. 내측 컵(852)의 상면 외측 영역은 라운드지도록 제공된다. 내측 컵(852)의 상면 외측 영역은 아래로 오목하게 제공된다. 내측 컵(852)의 상면 외측 영역은 처리액이 흐르는 영역으로 제공될 수 있다.
외측 컵(862)은 기판 지지 유닛(830) 및 내측 컵(852)을 감싸는 컵 형상을 가지도록 제공된다. 외측 컵(862)은 바닥벽(864), 측벽(866), 상벽(870), 그리고 경사벽(870)을 가진다. 바닥벽(864)은 중공을 가지는 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 바닥벽(864)에는 회수 라인(865)이 형성된다. 회수 라인(865)은 기판(W) 상에 공급된 처리액을 회수한다. 회수 라인(865)에 의해 회수된 처리액은 외부의 액 재생 시스템에 의해 재사용될 수 있다. 측벽(866)은 기판 지지 유닛(830)을 감싸는 원형의 통 형상을 가지도록 제공된다. 측벽(866)은 바닥벽(864)의 측단으로부터 수직한 방향으로 연장된다. 측벽(866)은 바닥벽(864)으로부터 위로 연장된다.
경사벽(870)은 측벽(866)의 상단으로부터 외측 컵(862)의 내측 방향으로 연장된다. 경사벽(870)은 위로 갈수록 기판 지지 유닛(830)에 가까워지도록 제공된다. 경사벽(870)은 링 형상을 가지도록 제공된다. 경사벽(870)의 상단은 기판 지지 유닛(830)에 지지된 기판(W)보다 높게 위치된다.
승강 유닛(890)은 내측 컵(852) 및 외측 컵(862)을 각각 승강 이동시킨다. 승강 유닛(890)은 내측 이동 부재(892) 및 외측 이동 부재(894)를 포함한다. 내측 이동 부재(892)는 내측 컵(852)을 승강이동 시키고, 외측 이동 부재(894)는 외측 컵(862)을 승강 이동시킨다.
액 공급 유닛(840)은 기판(W) 상에 감광액 및 전처리액을 공급한다. 액 공급 유닛(840)은 이동 부재(846) 및 노즐 부재(1000)를 포함한다.
이동 부재(846)는 노즐 부재(1000)를 공정 위치로 또는 대기 위치로 이동시킨다. 여기서 공정 위치는 노즐 부재(1000)가 기판 지지 유닛(830)에 지지된 기판(W)과 마주보는 위치이고, 대기 위치는 공정 위치를 벗어난 위치이다. 예컨대, 공정 위치에는 노즐 부재(1000)와 기판(W)이 수직한 상하 방향으로 대향되게 위치될 수 있다.
이동 부재(846)는 노즐 부재(1000)를 일방향으로 이동시킨다. 일 예에 의하면, 이동 부재(846)는 노즐 부재(1000)를 일방향으로 직선 이동시킬 수 있다. 일방향은 제1방향(12)과 평행한 방향일 수 있다. 이동 부재(846)는 가이드 레일(842) 및 아암(844)을 포함한다. 가이드 레일(842)은 길이 방향이 수평 방향을 향하도록 제공된다. 가이드 레일(842)은 제1방향(12)을 향하는 길이 방향을 가질 수 있다. 가이드 레일(842)은 처리 용기(850)의 일측에 위치된다. 가이드 레일(842)에는 아암(844)이 설치된다. 아암(844)은 가이드 레일(842) 내에 제공된 구동 부재(미도시)에 위해 이동된다. 예컨대, 구동 부재는 리니어 모터일 수 있다. 아암(844)은 상부에서 바라볼 때 가이드 레일(842)과 수직한 길이 방향을 가지는 바 형상으로 제공된다. 아암(844)의 끝단 저면에는 노즐 부재(1000)가 설치된다. 노즐 부재(1000)는 아암(844)과 함께 이동된다.
도 7은 도 6의 노즐 부재를 확대해 보여주는 도면이고 도 8은 도 7에 도시된 노즐 부재를 보여주는 측면도이다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 노즐 부재(1000)는 감광액 및 전처리액을 적하 방식으로 토출하는 복수의 노즐들을 갖는 토출 부재(1200)와 토출 부재(1200)를 지지하는 노즐 바디(1100) 그리고 접지 부재(1300)를 포함할 수 있다. 노즐들은 전처리 노즐(1240), 그리고 도포 노즐(1260)을 포함하며, 이들은 동일한 구성으로 제공될 수 있다. 노즐 바디(1100)는 노즐 암(844)에 지지될 수 있다. 노즐 바디(1100)는 합성수지 재질일 수 있고, 노즐 암(844)은 도전성을 갖는 알루미늄과 같은 금속 재질일 수 있다.
각 노즐은 토출구가 수직한 아래 방향을 향하도록 제공된다. 상부에서 바라볼 때 전처리 노즐(1240), 그리고 도포 노즐(1260)은 노즐 부재(1000)의 이동 방향과 평행한 방향으로 배열된다. 일 예에 의하면, 전처리 노즐(1240), 그리고 도포 노즐(1260)은 이동 방향인 일방향을 따라 일렬로 배열될 수 있다. 일방향에 대해 도포 노즐(1260)은 복수 개로 제공될 수 있다. 전처리 노즐(1240)은 복수 개의 도포 노즐(1260)들 사이에 배열될 수 있다. 전처리 노즐(1240)은 전처리액을 적하 방식 토출할 수 있다. 전처리액은 친수성과 소수성 중 감광액에 가까운 성질을 포함하는 액으로 제공될 수 있다. 감광액이 소수성 성질을 가지는 경우에는 전처리액이 신나(Thinner)로 제공될 수 있다. 전처리액은 기판(W)과 감광액 간에 접착력을 높일 수 있다.
복수 개의 도포 노즐(1260)들은 감광액을 토출할 수 있다. 각각의 도포 노즐(1260)은 동일한 유량의 감광액을 토출한다. 일 예에 의하면, 도포 노즐(1260)들은 전처리 노즐(1240)을 기준으로, 전처리 노즐(1240)의 일측에 복수 개가 제공되고, 이와 반대되는 타측에 복수 개가 제공될 수 있다. 전처리 노즐(1240)의 양측 각각에는 동일한 개수의 도포 노즐(1260)들이 대칭되게 배열될 수 있다. 각각의 도포 노즐(1260)들은 서로 상이한 종류의 감광액을 토출할 수 있다. 예컨대, 단일의 기판(W)을 처리하는 공정 중에는 복수 개의 도포 노즐(1260)들 중 하나의 도포 노즐(1260)이 감광액을 토출할 수 있다. 전처리 노즐(1240)은 도포 노즐(1260)들에 비해 토출단이 높게 위치된다. 이는 감광액이 토출되는 중에 비산되어 전처리 노즐(1240)에 부착되는 것을 방지하기 위함이다.
도 9는 도 7에 도시된 도포 노즐을 설명하기 위한 단면도이고, 도 10은 도 9에 도시된 도포 노즐의 분해 사시도이며, 도 11은 노즐팁의 단면 사시도이다.
도 9 내지 도 11을 참조하면, 도포 노즐(1260)은 노즐팁(1270)과 노즐 너트 부재(1290)를 포함할 수 있다.
노즐 바디(1100)는 감광액 공급원과 연결되어 처리 유체가 통과하는 제1유로(1102)를 포함할 수 있다. 노즐 바디(1100)의 저면에는 노즐팁(1270)이 연결되는 연결부(1104)와 노즐 너트 부재(1290)가 체결되는 체결부(1106)를 포함할 수 있다.
노즐 팁(1270)은 노즐 바디의 제1유로(1102)와 연통되는 제2유로(1272)와, 제2유로(1272)와 연통되며 외부로 노출되는 토출구(1274)를 포함한다. 노즐 팁(1270)은 노즐 바디의 연결부(1104)에 연결되는 연결단(1276)을 구비한다. 예를 들면, 연결단(1276)은 연결부(513)에 끼워지도록 형성될 수 있다. 이를 위해, 연결부(1104)는 소정의 깊이를 갖는 홈의 형태로 형성될 수 있고, 연결단(1276)는 소정의 길이를 갖는 돌기의 형태로 형성될 수 있다. 다만, 본 발명은 이러한 구성에 한정되지 않는다. 노즐 팁(1270)의 연결단(1276)이 연결부(1104)에 끼워짐에 따라 유로(1102) 및 제2 유로(1272))가 서로 연통될 수 있다.
노즐 너트 부재(1290)는 노즐 바디의 체결부(1106)에 체결된다. 노즐 너트 부재(1290)는 너트 형태로 형성될 수 있다. 노즐 너트 부재(1290)의 내측면에는 암나사산(1292)이 형성되고, 체결부(1106)에는 암나사산이 형성되어 서로 나사 연결될 수 있다. 다른 예로서, 체결 부재는 체결부에 억지 끼워 맞춤, 클램프, 래치 등의 다양한 방식을 통해 서로 체결될 수 있다. 노즐 너트 부재(1290)는 노즐 팁(1270)가 관통하는 관통홀(1299)을 구비할 수 있다. 이에 따라, 노즐 팁(1270)의 일부가 체결 부재(1290)의 관통홀(1299)을 통하며, 이에 따라, 노즐 팁(1270)의 토출구(1274)가 외부로 노출될 수 있다. 노즐 팁(1270)의 토출구(1274)가 외부로 노출되므로, 노즐 팁(1270)의 토출구(1274)로부터 토출되는 처리 유체의 토출 형태, 처리 유체의 토출이 중단되었는지 여부 등의 처리 유체의 특성을 용이하게 측정할 수 있다. 한편, 노즐 너트 부재(1290)는 전도성 소재 또는 이온빔으로 표면 처리된 도전성 표면을 가질 수 있다.
한편, 노즐 팁(1270)은 정전기 제거가 가능한 대전방지 표면(1271)을 갖는다. 도 11에서와 같이 대전방지 표면(1271)(도트로 해칭 처리된 표면)은 노즐 팁(1270)의 외주면과 제2유로의 일부를 포함할 수 있다. 노즐 팁(1272)은 석백 확인이 가능하도록 투명한 소재로 제공될 수 있다. 투명한 소재는 PFA(perfluoroalkoxy)를 포함할 수 있다. 이러한 투명한 PFA(perfluoroalkoxy)소재의 노즐 팁(1270)은 플라즈마 이온 처리를 하더라도 반투명하기 때문에 비전카메라로 노즐 내부를 확인할 수 있다. 대전방지 표면(1271)은 플라스마 이온 주입방법에 의해서 표면처리될 수 있다. 일 예로, 대전방지 표면은 표면 저항값이 106 ~109Ω의 도전성을 갖는 것이 바람직하다.
접지 부재(1300)의 일단은 노즐 너트 부재(1290)와 접촉되도록 체결부(1106)에 인접한 일면에 제공될 수 있다. 접지 부재(1300)의 타단은 노즐 바디(1100)가 지지되는 노즐 암(844)에 연결된다. 접지부재(1300)는 노즐 바디(1100)로부터 노즐 암(844)까지 연결되는 도전성 라인(도전성 테이프 또는 도전성 패턴) 형태로 제공될 수 있다.
상기와 같은 구조를 갖는 도포 노즐(1260)은 감광액 토출 과정에서 발생한 정전기가 노즐팁과 노즐 너트 부재 그리고 접지 부재를 통해 제거될 수 있다. 따라서, 기존의 도포 노즐의 형태 및 재질을 변경하지 않고, 표면에 이온주입을 통해 도전성 표면을 형성하고, 접지
도 12는 접지 부재의 다른 예를 보여주는 도면이다.
도 12에서와 같이, 접지 부재(1300a)는 노즐 너트 부재(1290)와 노즐 암(844)에 각각 접속되는 링형 터미널(1320)을 갖는 접지선(1310)을 포함할 수 있다. 노즐 너트 부재와 각각 접속되는 링형 터미널들은 접지선에 의해 상호 연결될 수 있다.
한편, 도시하지 않았지만, 접지 부재는 볼트를 노즐 너트 부재에 관통시켜 노즐 팁 외주면에 접촉되도록 하고, 볼트에 접지선을 연결하는 방식으로 노즐 팁의 정전기를 제거할 수 있다.
다시 도 1 내지 도 4를 참조하면, 베이크 챔버(420)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(420)은 포토 레지스트를 도포하기 전에 기판(W)을 소정의 온도로 가열하여 기판(W) 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(prebake) 공정이나 포토레지스트를 기판(W) 상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(soft bake) 공정 등을 수행하고, 각각의 가열 공정 이후에 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(420)는 냉각 플레이트(421) 또는 가열 플레이트(422)를 가진다. 냉각 플레이트(421)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(423)이 제공된다. 또한 가열 플레이트(422)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(424)이 제공된다. 냉각 플레이트(421)와 가열 플레이트(422)는 하나의 베이크 챔버(420) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(420)들 중 일부는 냉각 플레이트(421)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(422)만을 구비할 수 있다.
현상 모듈(402)은 기판(W) 상에 패턴을 얻기 위해 현상액을 공급하여 포토 레지스트의 일부를 제거하는 현상 공정, 및 현상 공정 전후에 기판(W)에 대해 수행되는 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 현상모듈(402)은 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)를 가진다. 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 현상 챔버(460)와 베이크 챔버(470)는 반송 챔버(480)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 현상 챔버(460)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 현상 챔버(460)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(470)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(470)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(470)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.
반송 챔버(480)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(480) 내에는 현상부 로봇(482)과 가이드 레일(483)이 위치된다. 반송 챔버(480)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 현상부 로봇(482)은 베이크 챔버들(470), 현상 챔버들(460), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350), 그리고 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(483)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(483)은 현상부 로봇(482)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 현상부 로봇(482)은 핸드(484), 아암(485), 지지대(486), 그리고 받침대(487)를 가진다. 핸드(484)는 아암(485)에 고정 설치된다. 아암(485)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(484)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(486)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(485)은 지지대(486)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(486)에 결합된다. 지지대(486)는 받침대(487)에 고정 결합된다. 받침대(487)는 가이드 레일(483)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(483)에 결합된다.
현상 챔버들(460)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 현상 챔버(460)에서 사용되는 현상액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 현상 챔버(460)는 기판(W) 상의 포토 레지스트 중 광이 조사된 영역을 제거한다. 이때, 보호막 중 광이 조사된 영역도 같이 제거된다. 선택적으로 사용되는 포토 레지스트의 종류에 따라 포토 레지스트 및 보호막의 영역들 중 광이 조사되지 않은 영역만이 제거될 수 있다.
현상 챔버(460)는 용기(461), 지지 플레이트(462), 그리고 노즐(463)을 가진다. 용기(461)는 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(462)는 용기(461) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(462)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(463)은 지지 플레이트(462)에 놓인 기판(W) 상으로 현상액을 공급한다. 노즐(463)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 현상액 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(463)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(463)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 현상 챔버(460)에는 추가적으로 현상액이 공급된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(464)이 더 제공될 수 있다.
베이크 챔버(470)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(470)은 현상 공정이 수행되기 전에 기판(W)을 가열하는 포스트 베이크 공정 및 현상 공정이 수행된 후에 기판(W)을 가열하는 하드 베이크 공정 및 각각의 베이크 공정 이후에 가열된 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(470)는 냉각 플레이트(471) 또는 가열 플레이트(472)를 가진다. 냉각 플레이트(471)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(473)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(472)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(474)이 제공된다. 냉각 플레이트(471)와 가열 플레이트(472)는 하나의 베이크 챔버(470) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(470)들 중 일부는 냉각 플레이트(471)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(472)만을 구비할 수 있다.
상술한 바와 같이 도포 및 현상 모듈(400)에서 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 분리되도록 제공된다. 또한, 상부에서 바라볼 때 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 동일한 챔버 배치를 가질 수 있다.
제 2 버퍼 모듈(500)은 도포 및 현상 모듈(400)과 노광 전후 처리 모듈(600) 사이에 기판(W)이 운반되는 통로로서 제공된다. 또한, 제 2 버퍼 모듈(500)은 기판(W)에 대해 냉각 공정이나 에지 노광 공정 등과 같은 소정의 공정을 수행한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 프레임(510), 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)을 가진다. 프레임(510)은 직육면체의 형상을 가진다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)은 프레임(510) 내에 위치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에 대응하는 높이에 배치된다. 제 2 냉각 챔버(540)는 현상 모듈(402)에 대응하는 높이에 배치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 제 2 냉각 챔버(540)는 순차적으로 제 3 방향(16)을 따라 일렬로 배치된다. 상부에서 바라볼 때 버퍼(520)은 도포 모듈(401)의 반송 챔버(430)와 제 1 방향(12)을 따라 배치된다. 에지 노광 챔버(550)는 버퍼(520) 또는 제 1 냉각 챔버(530)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 배치된다.
제 2 버퍼 로봇(560)은 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550) 간에 기판(W)을 운반한다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 에지 노광 챔버(550)와 버퍼(520) 사이에 위치된다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 제 1 버퍼 로봇(360)과 유사한 구조로 제공될 수 있다. 제 1 냉각 챔버(530)와 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판들(W)에 대해 후속 공정을 수행한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판(W)을 냉각한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 냉각 챔버(350)과 유사한 구조를 가진다. 에지 노광 챔버(550)는 제 1 냉각 챔버(530)에서 냉각 공정이 수행된 기판들(W)에 대해 그 가장자리를 노광한다. 버퍼(520)는 에지 노광 챔버(550)에서 공정이 수행된 기판들(W)이 후술하는 전처리 모듈(601)로 운반되기 전에 기판(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 냉각 챔버(540)는 후술하는 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 기판들(W)이 현상 모듈(402)로 운반되기 전에 기판들(W)을 냉각한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 현상 모듈(402)와 대응되는 높이에 추가된 버퍼를 더 가질 수 있다. 이 경우, 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 기판들(W)은 추가된 버퍼에 일시적으로 보관된 후 현상 모듈(402)로 운반될 수 있다.
노광 전후 처리 모듈(600)은, 노광 장치(900)가 액침 노광 공정을 수행하는 경우, 액침 노광시에 기판(W)에 도포된 포토레지스트 막을 보호하는 보호막을 도포하는 공정을 처리할 수 있다. 또한, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 이후에 기판(W)을 세정하는 공정을 수행할 수 있다. 또한, 화학증폭형 레지스트를 사용하여 도포 공정이 수행된 경우, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 후 베이크 공정을 처리할 수 있다.
노광 전후 처리 모듈(600)은 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)을 가진다. 전처리 모듈(601)은 노광 공정 수행 전에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행하고, 후처리 모듈(602)은 노광 공정 이후에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행한다. 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 전처리 모듈(601)은 후처리 모듈(602)의 상부에 위치된다. 전처리 모듈(601)은 도포 모듈(401)과 동일한 높이로 제공된다. 후처리 모듈(602)은 현상 모듈(402)과 동일한 높이로 제공된다. 전처리 모듈(601)은 보호막 도포 챔버(610), 베이크 챔버(620), 그리고 반송 챔버(630)를 가진다. 보호막 도포 챔버(610), 반송 챔버(630), 그리고 베이크 챔버(620)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 보호막 도포 챔버(610)와 베이크 챔버(620)는 반송 챔버(630)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 보호막 도포 챔버(610)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 보호막 도포 챔버(610)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 베이크 챔버(620)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 베이크 챔버(620)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다.
반송 챔버(630)는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(530)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(630) 내에는 전처리 로봇(632)이 위치된다. 반송 챔버(630)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 전처리 로봇(632)은 보호막 도포 챔버들(610), 베이크 챔버들(620), 제 2 버퍼 모듈(500)의 버퍼(520), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 1 버퍼(720) 간에 기판(W)을 이송한다. 전처리 로봇(632)은 핸드(633), 아암(634), 그리고 지지대(635)를 가진다. 핸드(633)는 아암(634)에 고정 설치된다. 아암(634)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 아암(634)은 지지대(635)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(635)에 결합된다.
보호막 도포 챔버(610)는 액침 노광 시에 레지스트 막을 보호하는 보호막을 기판(W) 상에 도포한다. 보호막 도포 챔버(610)는 하우징(611), 지지 플레이트(612), 그리고 노즐(613)을 가진다. 하우징(611)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(612)는 하우징(611) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(612)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(613)은 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W) 상으로 보호막 형성을 위한 보호액을 공급한다. 노즐(613)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 보호액을 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(613)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(613)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 이 경우, 지지 플레이트(612)는 고정된 상태로 제공될 수 있다. 보호액은 발포성 재료를 포함한다. 보호액은 포토 레지스터 및 물과의 친화력이 낮은 재료가 사용될 수 있다. 예컨대, 보호액은 불소계의 용제를 포함할 수 있다. 보호막 도포 챔버(610)는 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중심 영역으로 보호액을 공급한다.
베이크 챔버(620)는 보호막이 도포된 기판(W)을 열처리한다. 베이크 챔버(620)는 냉각 플레이트(621) 또는 가열 플레이트(622)를 가진다. 냉각 플레이트(621)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(623)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(622)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(624)이 제공된다. 가열 플레이트(622)와 냉각 플레이트(621)는 하나의 베이크 챔버(620) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버들(620) 중 일부는 가열 플레이트(622) 만을 구비하고, 다른 일부는 냉각 플레이트(621) 만을 구비할 수 있다.
후처리 모듈(602)은 세정 챔버(660), 노광 후 베이크 챔버(670), 그리고 반송 챔버(680)를 가진다. 세정 챔버(660), 반송 챔버(680), 그리고 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 세정 챔버(660)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 반송 챔버(680)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 세정 챔버(660)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 세정 챔버(660)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다.
반송 챔버(680)는 상부에서 바라볼 때 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(680)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 반송 챔버(680) 내에는 후처리 로봇(682)이 위치된다. 후처리 로봇(682)은 세정 챔버들(660), 노광 후 베이크 챔버들(670), 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 2 버퍼(730) 간에 기판(W)을 운반한다. 후처리 모듈(602)에 제공된 후처리 로봇(682)은 전처리 모듈(601)에 제공된 전처리 로봇(632)과 동일한 구조로 제공될 수 있다.
세정 챔버(660)는 노광 공정 이후에 기판(W)을 세정한다. 세정 챔버(660)는 하우징(661), 지지 플레이트(662), 그리고 노즐(663)을 가진다. 하우징(661)는 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(662)는 하우징(661) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(662)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(663)은 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W) 상으로 세정액을 공급한다. 세정액으로는 탈이온수와 같은 물이 사용될 수 있다. 세정 챔버(660)는 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중심 영역으로 세정액을 공급한다. 선택적으로 기판(W)이 회전되는 동안 노즐(663)은 기판(W)의 중심 영역에서 가장자리 영역까지 직선 이동 또는 회전 이동할 수 있다.
노광 후 베이크 챔버(670)는 원자외선을 이용하여 노광 공정이 수행된 기판(W)을 가열한다. 노광 후 베이크 공정은 기판(W)을 가열하여 노광에 의해 포토 레지스트에 생성된 산(acid)을 증폭시켜 포토 레지스트의 성질 변화를 완성시킨다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 가열 플레이트(672)를 가진다. 가열 플레이트(672)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(674)이 제공된다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 그 내부에 냉각 플레이트(671)를 더 구비할 수 있다. 냉각 플레이트(671)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(673)이 제공된다. 또한, 선택적으로 냉각 플레이트(671)만을 가진 베이크 챔버가 더 제공될 수 있다.
상술한 바와 같이 노광 전후 처리 모듈(600)에서 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 완전히 분리되도록 제공된다. 또한, 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(680)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 보호막 도포 챔버(610)와 세정 챔버(660)는 서로 동일한 크기로 제공되어 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 베이크 챔버(620)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다.
인터페이스 모듈(700)은 노광 전후 처리 모듈(600), 및 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 이송한다. 인터페이스 모듈(700)은 프레임(710), 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)를 가진다. 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)은 프레임(710) 내에 위치된다. 제 1 버퍼(720)와 제 2 버퍼(730)는 서로 간에 일정거리 이격되며, 서로 적층되도록 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 제 2 버퍼(730)보다 높게 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)에 대응되는 높이에 배치된다. 상부에서 바라볼 때 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되게 위치된다.
인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720) 및 제 2 버퍼(730)와 제 2 방향(14)으로 이격되게 위치된다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 운반한다. 인터페이스 로봇(740)은 제 2 버퍼 로봇(560)과 대체로 유사한 구조를 가진다.
제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)에서 공정이 수행된 기판들(W)이 노광 장치(900)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 그리고 제 2 버퍼(730)는 노광 장치(900)에서 공정이 완료된 기판들(W)이 후처리 모듈(602)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 제 1 버퍼(720)는 하우징(721)과 복수의 지지대들(722)을 가진다. 지지대들(722)은 하우징(721) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(722)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(721)은 인터페이스 로봇(740) 및 전처리 로봇(632)이 하우징(721) 내로 지지대(722)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 전처리 로봇(632)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 2 버퍼(730)는 제 1 버퍼(720)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 2 버퍼(730)의 하우징(4531)에는 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 후처리 로봇(682)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 인터페이스 모듈에는 기판(W)에 대해 소정의 공정을 수행하는 챔버의 제공 없이 상술한 바와 같이 버퍼들 및 로봇만 제공될 수 있다.
다음에는 상술한 기판 처리 설비(1)를 이용하여 공정을 수행하는 일 예를 설명한다.
기판들(W)이 수납된 카세트(20)는 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인다. 도어 오프너에 의해 카세트(20)의 도어가 개방된다. 인덱스 로봇(220)은 카세트(20)로부터 기판(W)을 꺼내어 제 2 버퍼(330)로 운반한다.
제 1 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330)에 보관된 기판(W)을 제 1 버퍼(320)로 운반한다. 도포부 로봇(432)은 제 1 버퍼(320)로부터 기판(W)을 꺼내어 도포 모듈(401)의 베이크 챔버(420)로 운반한다. 베이크 챔버(420)는 프리 베이크 및 냉각 공정을 순차적으로 수행한다. 도포부 로봇(432)은 베이크 챔버(420)로부터 기판(W)을 꺼내어 레지스트 도포 챔버(410)로 운반한다. 레지스트 도포 챔버(410)는 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포한다. 이후 기판(W) 상에 포토 레지스트가 도포되면, 도포부 로봇(432)은 기판(W)을 레지스트 도포 챔버(410)로부터 베이크 챔버(420)로 운반한다. 베이크 챔버(420)는 기판(W)에 대해 소프트 베이크 공정을 수행한다.
도포부 로봇(432)은 베이크 챔버(420)에서 기판(W)을 꺼내어 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(530)로 운반한다. 제 1 냉각 챔버(530)에서 기판(W)에 대해 냉각 공정이 수행된다. 제 1 냉각 챔버(530)에서 공정이 수행된 기판(W)은 제 2 버퍼 로봇(560)에 의해 에지 노광 챔버(550)로 운반된다. 에지 노광 챔버(550)는 기판(W)의 가장자리 영역을 노광하는 공정을 수행한다. 에지 노광 챔버(550)에서 공정이 완료된 기판(W)은 제 2 버퍼 로봇(560)에 의해 버퍼(520)로 운반된다.
전처리 로봇(632)은 버퍼(520)로부터 기판(W)을 꺼내어 전처리 모듈(601)의 보호막 도포 챔버(610)로 운반한다. 보호막 도포 챔버(610)는 기판(W) 상에 보호막을 도포한다. 이후 전처리 로봇(632)은 기판(W)을 보호막 도포 챔버(610)로부터 베이크 챔버(620)로 운반한다. 베이크 챔버(620)는 기판(W)에 대해 가열 및 냉각 등과 같은 열처리를 수행한다.
전처리 로봇(632)은 베이크 챔버(620)에서 기판(W)을 꺼내어 인터페이스 모듈(700)의 제 1 버퍼(720)로 운반한다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720)로부터 노광 장치(900)로 기판(W)을 운반된다. 노광 장치(900)는 기판(W)의 처리면에 대해 노광 공정, 예를 들어 액침 노광 공정을 수행한다. 노광 장치(900)에서 기판(W)에 대해 노광 공정이 완료되면, 인터페이스 로봇(740)은 노광 장치(900)에서 기판(W)을 제 2 버퍼(730)로 운반한다.
후처리 로봇(682)은 제 2 버퍼(730)로부터 기판(W)을 꺼내어 후처리 모듈(602)의 세정 챔버(660)로 운반한다. 세정 챔버(660)는 기판(W)의 표면에 세정액을 공급하여 세정 공정을 수행한다. 세정액을 이용한 기판(W)의 세정이 완료되면 후처리 로봇(682)은 곧바로 세정 챔버(660)로부터 기판(W)을 꺼내어 노광 후 베이크 챔버(670)로 기판(W)을 운반한다. 노광 후 베이크 챔버(670)의 가열 플레이트(672)에서 기판(W)의 가열에 의해 기판(W) 상에 부착된 세정액이 제거되고, 이와 동시에 포토 레지스트에 생성된 산(acid)을 증폭시켜 포토 레지스트의 성질 변화가 완성된다. 후처리 로봇(682)은 노광 후 베이크 챔버(670)로부터 기판(W)을 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540)로 운반한다. 제 2 냉각 챔버(540)에서 기판(W)의 냉각이 수행된다.
현상부 로봇(482)은 제 2 냉각 챔버(540)로부터 기판(W)을 꺼내어 현상 모듈(402)의 베이크 챔버(470)로 운반한다. 베이크 챔버(470)는 포스트 베이크 및 냉각 공정을 순차적으로 수행한다. 현상부 로봇(482)은 베이크 챔버(470)로부터 기판(W)을 꺼내어 현상 챔버(460)로 운반한다. 현상 챔버(460)는 기판(W) 상에 현상액을 공급하여 현상 공정을 수행한다. 이후 현상부 로봇(482)은 기판(W)을 현상 챔버(460)로부터 베이크 챔버(470)로 운반한다. 베이크 챔버(470)는 기판(W)에 대해 하드 베이크 공정을 수행한다.
현상부 로봇(482)은 베이크 챔버(470)에서 기판(W)을 꺼내어 제 1 버퍼 모듈(300)의 냉각 챔버(350)로 운반한다. 냉각 챔버(350)는 기판(W)을 냉각하는 공정을 수행한다. 인덱스 로봇(360)은 냉각 챔버(350)부터 기판(W)을 카세트(20)로 운반한다. 이와 달리, 현상부 로봇(482)는 베이크 챔버(470)에서 기판(W)을 꺼내 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)으로 운반하고, 이후 인덱스 로봇(360)에 의해 카세트(20)로 운반될 수 있다.
1100: 세정 부재 1120: 제1전처리 노즐
1140: 체결 부재 1200: 도포 부재
1220: 지지 바디 1240: 제2전처리 노즐
1260: 도포 노즐

Claims (20)

  1. 기판 상에 처리액을 곡읍하는 처리액 공급 노즐에 있어서:
    노즐 바디;
    상기 노즐 바디에 연결되고, 처리액이 토출되는 내부 유로를 가지는 노즐팁을 포함하되;
    상기 노즐 팁은 정전기 제거가 가능한 대전방지 표면을 갖는 처리액 공급 노즐.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 노즐 팁은
    석백 확인이 가능하도록 투명한 소재로 제공되고,
    상기 대전방지 표면은 이온주입 처리된 처리액 공급 노즐.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 투명한 소재는
    PFA(perfluoroalkoxy)를 포함하는 처리액 공급 노즐.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 노즐 팁은
    석백 확인이 가능하도록 투명한 소재로 제공되고,
    상기 대전방지 표면은
    이온빔으로 표면 처리되어 표면 저항값이 106 ~109Ω의 도전성을 갖는 처리액 공급 노즐.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 노즐 팁이 상기 노즐 바디에 고정되도록 상기 노즐 바디의 나사산에 체결되고, 상기 노즐 팁과 접촉되는 노즐 너트 부재를 더 포함하되;
    상기 노즐 너트 부재는 전도성 소재 또는 상기 이온빔으로 표면 처리된 도전성 표면을 갖는 처리액 공급 노즐.
  6. 제5항에 있어서,
    일단은 상기 노즐 너트 부재와 접촉되고, 타단은 상기 노즐 바디가 지지되는 노즐 암을 통하여 접지되는 접지 부재를 더 포함하는 처리액 공급 노즐.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 접지 부재는
    상기 노즐 체결 부재와 상기 노즐 암에 각각 접속되는 링형 터미널을 갖는 접지선을 포함하는 처리액 공급 노즐.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 접지 부재는
    상기 노즐 바디로부터 상기 상기 노즐 암까지 연결되는 도전성 테이프 또는 도전성 패턴을 포함하는 처리액 공급 노즐.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 대전방지 표면은
    상기 노즐 팁의 외주면과 상기 내부 유로의 일부 영역을 포함하는 처리액 공급 노즐.
  10. 기판을 지지하는 기판 지지 유닛; 및
    상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 감광액을 도포하는 액 공급 유닛을 포함하되,
    상기 액 공급 유닛은
    감광액을 공급하는 도포 노즐;
    일측 단부에 상기 도포 노즐이 위치되는 노즐 암; 및
    상기 노즐 암의 타측 단부에 위치되어 상기 노즐 암을 이동 시키는 구동 부재를 포함하며,
    상기 도포 노즐은
    상기 노즐 암에 지지되는 노즐 바디;
    상기 노즐 바디에 연결되고, 감광액이 토출되는 내부 유로를 가지는 그리고 정전기 제거가 가능한 대전방지 표면을 갖는 노즐팁을 포함하는 기판 처리 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 노즐 팁은
    석백 확인이 가능하도록 투명한 소재로 제공되고,
    상기 대전방지 표면은 이온주입 처리된 기판 처리 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 투명한 소재는
    PFA(perfluoroalkoxy)를 포함하고,
    상기 대전방지 표면은
    표면 저항값이 106 ~109Ω의 도전성을 갖는 기판 처리 장치.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 노즐 팁이 상기 노즐 바디에 고정되도록 상기 노즐 바디의 나사산에 체결되고, 상기 노즐 팁과 접촉되는 노즐 너트 부재를 더 포함하되;
    상기 노즐 너트 부재는 전도성 소재 또는 상기 이온빔으로 표면 처리된 도전성 표면을 갖는 기판 처리 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    일단은 상기 노즐 너트 부재와 접촉되고, 타단은 상기 노즐 바디가 지지되는 노즐 암을 통하여 접지되는 접지 부재를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 접지 부재는
    상기 노즐 체결 부재와 상기 노즐 암에 각각 접속되는 링형 터미널을 갖는 접지선을 포함하는 기판 처리 장치.
  16. 제14항에 있어서,
    상기 접지 부재는
    상기 노즐 바디로부터 상기 상기 노즐 암까지 연결되는 도전성 테이프 또는 도전성 패턴을 포함하는 기판 처리 장치.
  17. 제10항에 있어서,
    상기 대전방지 표면은
    상기 노즐 팁의 외주면과 상기 내부 유로의 일부 영역을 포함하고,
    상기 액 공급 유닛은
    전처리액을 도포하는 전처리 노즐을 더 포함하며,
    상기 도포 노즐은 복수 개로 제공되고,
    상기 도포 노즐들과 상기 전처리 노즐은 상부에서 바라볼 때 일 방향으로 배열되도록 상기 노즐 바디에 지지되는 기판 처리 장치.
  18. 기판을 지지하는 기판 지지 유닛; 및
    상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 감광액을 도포하는 액 공급 유닛을 포함하되,
    상기 액 공급 유닛은
    감광액을 공급하는 도포 노즐;
    일측 단부에 상기 도포 노즐이 위치되는 노즐 암; 및
    상기 노즐 암의 타측 단부에 위치되어 상기 노즐 암을 이동 시키는 구동 부재를 포함하며,
    상기 도포 노즐은
    상기 노즐 암에 지지되는 노즐 바디;
    상기 노즐 바디에 연결되고, 감광액이 토출되는 내부 유로를 가지는 그리고 정전기 제거가 가능한 대전방지 표면을 갖는 노즐팁;
    상기 노즐 팁이 상기 노즐 바디에 고정되도록 상기 노즐 바디의 나사산에 체결되고, 상기 노즐 팁과 접촉되는 노즐 너트 부재;
    일단은 상기 노즐 너트 부재와 접촉되고, 타단은 상기 노즐 암을 통하여 접지되는 접지 부재를 포함하는 기판 처리 장치.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 노즐 팁은
    석백 확인이 가능하도록 투명한 소재로 제공되고,
    상기 대전 방지 표면은
    이온빔으로 표면 처리되어 표면이 도전성을 갖는 기판 처리 장치.
  20. 제18항에 있어서,
    상기 접지 부재는
    상기 노즐 체결 부재와 상기 노즐 암에 각각 접속되는 링형 터미널을 갖는 접지선 또는 상기 노즐 바디로부터 상기 상기 노즐 암까지 연결되는 도전성 테이프 또는 도전성 패턴을 포함하는 기판 처리 장치.
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