KR20180130864A - 기판 처리 장치 및 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판을 액 처리하는 장치 및 방법을 제공한다. 기판을 처리하는 장치는 내부에 처리 공간을 가지는 처리 용기, 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 처리액을 공급하는 액 공급 유닛, 그리고 상기 처리 용기에 잔류된 처리액을 제거하는 세정 유닛을 포함하되, 상기 세정 유닛은 상기 기판 지지 유닛에 놓이는 세정 지그 및 상기 세정 지그의 저면으로 세정액을 토출하는 세정액 토출 부재를 포함하되, 상기 세정 지그는 가장자리 영역이 중앙 영역보다 낮은 높이로 제공된다. 상기 세정 지그의 형상으로 인해 세정 영역을 확대시킬 수 있다.

Description

기판 처리 장치 및 방법{Apparatus and Method for treating a substrate}
본 발명은 기판을 액 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
반도체 소자를 제조하기 위해서는 세정, 증착, 사진, 식각, 그리고 이온주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 이러한 공정들 중 사진 공정은 도포, 노광, 그리고 현상 단계를 순차적으로 수행한다. 도포 공정은 기판의 표면에 레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정이다. 노광 공정은 감광막이 형성된 기판 상에 회로 패턴을 노광하는 공정이다. 현상 공정에는 기판의 노광 처리된 영역을 선택적으로 현상하는 공정이다.
일반적으로 도포 공정 및 현상 공정은 기판을 액 처리하는 공정으로, 기판 상에 처리액을 공급하는 공정이 수행된다. 기판의 액 처리 공정은 처리 용기에서 수행되며, 사용된 처리액은 처리 용기를 통해 회수된다.
도 1은 도포 공정에 사용되는 일반적인 액 처리 장치를 보여주는 단면도이다. 도 1을 참조하면, 액 처리 장치는 처리 용기(2) 내에는 기판(W)이 위치되며, 기판(W) 상에 감광액(X)을 공급한다. 감광액(X)은 점성을 가지는 액으로, 다량이 회수 경로에 부착된다. 처리 용기(@)의 회수 경로에 부착된 감광액들(X)은 주변 장치를 오염시킬 수 있으며, 작업자에게 악영향을 끼칠 수 있다.
이에 따라 감광액들(X)이 잔류되는 처리 용기는 주기적인 세정을 필요로 한다. 도 2는 도 1의 장치에서 처리 용기를 세정 처리하는 과정을 보여주는 단면도이다. 도 2를 참조하면, 처리 용기(2)의 세정 공정으로는, 기판(W)의 액 도포가 완료되기 전 또는 후에 수행될 수 있다. 처리 용기(2)의 세정 공정이 진행되면, 기판(W)의 상부 및 하부에서 기판(W)을 향해 세정액(Y)을 공급한다. 세정액(Y)은 기판(W)으로부터 비산되어 회수 경로로 회수되며, 잔류 감광액을 세정 처리한다.
그러나 회수 경로를 형성하는 처리 용기(@)의 영역들 중 일부 영역(x,y)에는 세정액(Y)이 도달되지 못한다. 예컨대. 처리 용기(2)에서 기판(W)과 마주하는 하부 영역(y)과 기판(W)보다 높은 상부 영역들(x)은 세정액(Y)의 미도달 영역에 해당된다. 이에 따라 세정 공정이 완료되었음에도, 처리 용기(2)에는 여전히 감광액(X)이 잔류되어 있으며, 이를 세정하는 것은 매우 어렵다.
본 발명은 처리 용기에 잔류된 액을 세정 처리할 수 있는 장치를 제공하고자 한다.
또한 본 발명은 처리 용기의 액 회수 경로를 형성하는 영역 전체를 세정할 수 있는 장치를 제공하고자 한다.
본 발명의 실시예는 기판을 액 처리하는 장치 및 방법을 제공한다. 기판을 처리하는 장치는 내부에 처리 공간을 가지는 처리 용기, 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 처리액을 공급하는 액 공급 유닛, 그리고 상기 처리 용기에 잔류된 처리액을 제거하는 세정 유닛을 포함하되, 상기 세정 유닛은 상기 기판 지지 유닛에 놓이는 세정 지그 및 상기 세정 지그의 저면으로 세정액을 토출하는 세정액 토출 부재를 포함하되, 상기 세정 지그는 가장자리 영역이 중앙 영역보다 낮은 높이로 제공된다.
상기 세정 지그는 상기 기판 지지 유닛의 상면보다 큰 직경으로 제공될 수 있다. 상기 처리 용기는 상기 기판 지지 유닛을 감싸는 내측컵 및 상기 내측컵을 감싸며, 상기 내측컵과 조합되어 처리액이 회수되는 회수 경로를 형성하는 외측컵을 포함하되, 상기 외측부는 상기 기판 지지 유닛으로부터 멀어질수록 하향 경사진 방향을 향하는 경사부를 가지고, 상기 내측컵은 기판의 아래에서 상기 기판 지지 유닛으로부터 멀어질수록 상향 경사진 방향을 향하는 내측부 및 상기 내측부로부터 상기 기판 지지 유닛으로부터 멀어질수록 하향 경사진 방향으로 연장되며, 상기 경사부와 조합되어 상기 회수 경로를 형성하는 외측부를 가지며, 상부에서 바라볼 때 상기 세정 지그의 가장자리 영역은 상기 외측부에 중첩되게 위치될 수 있다.
상기 세정 지그의 가장자리 영역은 외측으로 갈수록 하향 경사지도록 꺽어진 형상을 가질 수 있다. 상기 세정 지그의 중앙 영역과 가장자리 영역 끝단의 사이각은 90도 이상으로 제공될 수 있다.
상기 세정액 토출 부재는 상기 세정 지그의 저면으로 세정액을 토출하는 하부 세정 노즐 및 상기 세정 지그의 상면으로 세정액을 토출하는 상부 세정 노즐을 포함하되, 상기 세정 지그는 상기 중앙 영역과 상기 가장자리 영역의 사이에 위치되는 미들 영역을 더 가지며, 상기 미들 영역은 상기 중앙 영역에 비해 상면이 높은 높이를 가질 수 있다. 상기 경사부의 상단은 상기 기판 지지 유닛에 지지된 세정 지그의 상단보다 높게 위치될 수 있다. 상기 세정 지그는 상기 미들 영역이 상기 중앙 영역에 비해 두꺼운 두께를 가질 수 있다.
처리액은 감광액을 포함하고, 세정액은 신나를 포함할 수 있다.
기판을 액 처리하는 방법은 상기 기판을 액 처리하는 액 처리 단계, 상기 기판 지지 유닛으로부터 상기 기판을 언로딩하는 언로딩 단계, 그리고 상기 처리 용기를 세정 처리하는 용기 세정 단계를 포함하되, 상기 액 처리 단계는 처리 용기 내부에 형성된 처리 공간에 위치되는 기판 지지 유닛에 기판을 로딩하는 기판 로딩 단계, 상기 기판 상에 처리액을 공급하는 처리액 공급 단계, 그리고 상기 기판 지지 유닛으로부터 상기 기판을 언로딩하는 기판 언로딩 단계를 포함하고, 상기 용기 세정 단계는 세정 지그를 상기 기판 지지 유닛에 로딩하는 지그 로딩 단계 및 세정 지그의 저면으로 세정액을 토출하는 세정액 토출 단계를 포함하되, 상기 세정 지그는 가장자리 영역이 중앙 영역보다 낮은 높이로 제공된다.
상기 처리 용기는 상기 처리 공간과 연통되어 상기 처리액이 회수되며, 상기 기판 지지 유닛으로부터 멀어질수록 하향 경사진 방향을 향하는 회수 경로를 가지며, 상기 세정 지그는 상기 기판 지지 유닛의 상면보다 큰 직경으로 제공되고, 상부에서 바라볼 때 상기 세정 지그의 가장자리 영역은 상기 회수 경로에 중첩되게 위치될 수 있다. 상기 세정 지그의 가장자리 영역은 외측으로 갈수록 하향 경사지도록 꺽어진 형상을 가지되, 상기 세정 지그의 중앙 영역과 가장자리 영역 끝단의 사이각은 90도 이상으로 제공될 수 있다.
상기 세정 지그는 상기 중앙 영역과 상기 가장자리 영역의 사이에 위치되는 미들 영역을 더 가지며, 상기 미들 영역은 상기 중앙 영역에 비해 상면이 높은 높이를 가지고, 상기 세정액은 상기 세정 지그의 상면 및 저면 각각에 토출될 수 있다. 상기 세정액의 토출 영역은 상기 세정 지그의 상면 중앙 영역 및 상기 세정 지그의 저면에서 가장자리 영역을 제외한 영역을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 세정 지그의 형상으로 인해 세정 영역을 확대시킬 수 있다.
또한 본 발명의 실시예에 의하면, 세정 지그의 가장자리 영역은 외측으로 갈수록 하향 경사지게 제공된다. 이로 인해 세정 지그와 마주하는 처리 용기의 영역을 세정 처리 가능하다.
또한 본 발명의 실시예에 의하면, 세정 지그의 상면은 미들 영역이 중심 영역보다 높게 위치된다. 이로 인해 세정 지그로부터 비산되는 세정액이 세정 지그보다 높은 처리 용기의 영역을 세정 처리 가능하다.
도 1은 도포 공정에 사용되는 일반적인 액 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는 도 1의 장치에서 처리 용기를 세정 처리하는 과정을 보여주는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비의 평면도이다.
도 4는 도 3의 설비를 A-A 방향에서 바라본 단면도이다.
도 5는 도 3의 설비를 B-B 방향에서 바라본 단면도이다.
도 6은 도 3의 설비를 C-C 방향에서 바라본 단면도이다.
도 7은 도 3의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 8은 도 7의 처리 용기의 다른 실시예를 보여주는 단면도이다.
도 9는 도 7의 세정 지그를 보여주는 단면도이다.
도 10은 도 7의 처리 용기를 세정 처리하는 과정을 보여주는 도면이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
본 실시예의 설비는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 특히 본 실시예의 설비는 노광장치에 연결되어 기판에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 아래에서는 기판으로 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다.
이하 도 3 내지 도 10을 통해 본 발명의 기판 처리 설비를 설명한다.
도 3은 기판 처리 설비를 상부에서 바라본 도면이고, 도 4는 도 3의 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이고, 도 5는 도 3의 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이고, 도 6은 도 3의 설비를 C-C 방향에서 바라본 도면이다.
도 3 내지 도 6을 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)을 포함한다. 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다.
이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제 1 방향(12)이라 칭하고, 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 칭하고, 제 1 방향(12) 및 제 2 방향(14)과 각각 수직한 방향을 제 3 방향(16)이라 칭한다.
기판(W)은 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 이때 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 예컨대, 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다.
이하에서는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)에 대해 상세히 설명한다.
로드 포트(100)는 기판들(W)이 수납된 카세트(20)가 놓여지는 재치대(120)를 가진다. 재치대(120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(200)은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 2에서는 4개의 재치대(120)가 제공되었다.
인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 제 1 버퍼 모듈(300) 간에 기판(W)을 이송한다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 가진다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(100)와 제 1 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 제 1 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 기판(W)을 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제 1 방향(12), 제 2 방향(14), 제 3 방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 4축 구동이 가능한 구조를 가진다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 가진다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.
제 1 버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)을 가진다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(200)과 도포 및 현상 모듈(400) 사이에 배치된다. 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)은 프레임(310) 내에 위치된다. 냉각 챔버(350), 제 2 버퍼(330), 그리고 제 1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 제 1 버퍼(320)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 위치된다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼(320)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다.
제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330)는 각각 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대들(332)을 가진다. 지지대들(332)은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(331)은 인덱스 로봇(220), 제 1 버퍼 로봇(360), 그리고 후술하는 현상 모듈(402)의 현상부 로봇(482)이 하우징(331) 내 지지대(332)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향, 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향, 그리고 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 1 버퍼(320)는 제 2 버퍼(330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 1 버퍼(320)의 하우징(321)에는 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향 및 후술하는 도포 모듈(401)에 위치된 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수와 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수보다 많을 수 있다.
제 1 버퍼 로봇(360)은 제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330) 간에 기판(W)을 이송시킨다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 가진다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제 2 방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제 2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 위 또는 아래 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 단순히 핸드(361)가 제 2 방향(14) 및 제 3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다.
냉각 챔버(350)는 각각 기판(W)을 냉각한다. 냉각 챔버(350)는 하우징(351)과 냉각 플레이트(352)를 가진다. 냉각 플레이트(352)는 기판(W)이 놓이는 상면 및 기판(W)을 냉각하는 냉각 수단(353)을 가진다. 냉각 수단(353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 기판(W)을 냉각 플레이트(352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 하우징(351)은 인덱스 로봇(220) 및 후술하는 현상 모듈(402)에 제공된 현상부 로봇(482)이 냉각 플레이트(352)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향 및 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들(도시되지 않음)이 제공될 수 있다.
도포 및 현상 모듈(400)은 노광 공정 전에 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 공정 및 노광 공정 후에 기판(W)을 현상하는 공정을 수행한다. 도포 및 현상 모듈(400)은 대체로 직육면체의 형상을 가진다. 도포 및 현상 모듈(400)은 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)을 가진다. 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 도포 모듈(401)은 현상 모듈(402)의 상부에 위치된다.
도포 모듈(401)은 기판(W)에 대해 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 기판(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 도포 모듈(401)은 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)를 가진다. 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 레지스트 도포 챔버(410)와 베이크 챔버(420)는 반송 챔버(430)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 레지스트 도포 챔버(410)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 레지스트 도포 챔버(410)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(420)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(420)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(420)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.
반송 챔버(430)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(430) 내에는 도포부 로봇(432)과 가이드 레일(433)이 위치된다. 반송 챔버(430)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 도포부 로봇(432)은 베이크 챔버들(420), 레지스트 도포 챔버들(400), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320), 그리고 후술하는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(520) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(433)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(433)은 도포부 로봇(432)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 도포부 로봇(432)은 핸드(434), 아암(435), 지지대(436), 그리고 받침대(437)를 가진다. 핸드(434)는 아암(435)에 고정 설치된다. 아암(435)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(434)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(436)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(435)은 지지대(436)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(436)에 결합된다. 지지대(436)는 받침대(437)에 고정 결합되고, 받침대(437)는 가이드 레일(433)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(433)에 결합된다.
레지스트 도포 챔버들(410)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 레지스트 도포 챔버(410)에서 사용되는 포토 레지스트의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일 예로서 포토 레지스트로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. 레지스트 도포 챔버(410)는 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 기판 처리 장치로 제공된다. 기판 처리 장치(800)는 액 도포 공정이 수행된다. 도 7은 도 3의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다. 도 7을 참조하면, 기판 처리 장치(800)는 하우징(810), 기류 제공 유닛(820), 기판 지지 유닛(830), 처리 용기(850), 승강 유닛(890), 처리액 공급 유닛(840), 세정 유닛(1000)을 포함한다.
하우징(810)은 내부에 공간(812)을 가지는 직사각의 통 형상으로 제공된다. 하우징(810)의 일측에는 개구(미도시)가 형성된다. 개구는 기판(W)이 반출입되는 입구로 기능한다. 개구에는 도어가 설치되며, 도어는 개구를 개폐한다. 도어는 기판 처리 공정이 진행되면, 개구를 차단하여 하우징(810)의 내부 공간(812)을 밀폐한다. 하우징(810)의 하부면에는 내측 배기구(814) 및 외측 배기구(816)가 형성된다. 하우징(810) 내에 형성된 기류는 내측 배기구(814) 및 외측 배기구(816)를 통해 외부로 배기된다. 일 예에 의하면, 처리 용기(850) 내에 제공된 기류는 내측 배기구(814)를 통해 배기되고, 처리 용기(850)의 외측에 제공된 기류는 외측 배기구(816)를 통해 배기될 수 있다.
기류 제공 유닛(820)은 하우징(810)의 내부 공간에 하강 기류를 형성한다. 기류 제공 유닛(820)은 기류 공급 라인(822), 팬(824), 그리고 필터(826)를 포함한다. 기류 공급 라인(822)은 하우징(810)에 연결된다. 기류 공급 라인(822)은 외부의 에어를 하우징(810)에 공급한다. 필터(826)는 기류 공급 라인(822)으로부터 제공되는 에어를 필터(826)링 한다. 필터(826)는 에어에 포함된 불순물을 제거한다. 팬(824)은 하우징(810)의 상부면에 설치된다. 팬(824)은 하우징(810)의 상부면에서 중앙 영역에 위치된다. 팬(824)은 하우징(810)의 내부 공간에 하강 기류를 형성한다. 기류 공급 라인(822)으로부터 팬(824)에 에어가 공급되면, 팬(824)은 아래 방향으로 에어를 공급한다.
기판 지지 유닛(830)은 하우징(810)의 내부 공간에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(830)은 기판(W)을 회전시킨다. 기판 지지 유닛(830)은 스핀척(832), 회전축(834), 그리고 구동기(836)를 포함한다. 스핀척(832)은 기판을 지지하는 기판 지지 부재(832)로 제공된다. 스핀척(832)은 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 스핀척(832)의 상면에는 기판(W)이 접촉한다. 스핀척(832)은 기판(W)보다 작은 직경을 가지도록 제공된다. 일 예에 의하면, 스핀척(832)은 기판(W)을 진공 흡입하여 기판(W)을 척킹할 수 있다. 선택적으로, 스핀척(832)은 정전기를 이용하여 기판(W)을 척킹하는 정전척으로 제공될 수 있다. 또한 스핀척(832)은 기판(W)을 물리적 힘으로 척킹할 수 있다.
회전축(834) 및 구동기(836)는 스핀척(832)을 회전시키는 회전 구동 부재(834,836)로 제공된다. 회전축(834)은 스핀척(832)의 아래에서 스핀척(832)을 지지한다. 회전축(834)은 그 길이방향이 상하방향을 향하도록 제공된다. 회전축(834)은 그 중심축을 중심으로 회전 가능하도록 제공된다. 구동기(836)는 회전축(834)이 회전되도록 구동력을 제공한다. 예컨대, 구동기(836)는 회전축의 회전 속도를 가변 가능한 모터일 수 있다.
처리 용기(850)는 하우징(810)의 내부 공간(812)에 위치된다. 처리 용기(850)는 상부가 개방된 컵 형상을 가지도록 제공된다. 처리 용기(850)는 내부에 처리 공간을 제공한다. 처리 용기(850)는 기판 지지 유닛(830)의 둘레를 감싸도록 제공된다. 즉, 기판 지지 유닛(830)은 처리 공간에 위치된다. 처리 용기(850)는 외측컵(862) 및 내측컵(852)을 포함한다. 외측컵(862)은 기판 지지 유닛(830)의 둘레를 감싸도록 제공되고, 내측컵(852)은 외측컵(862)의 내측에 위치된다. 외측컵(862) 및 내측컵(852) 각각은 환형의 링 형상으로 제공된다. 외측컵(862)과 내측컵(852)의 사이 공간은 액이 회수되는 회수 경로(851)로 기능한다.
내측컵(852)은 회전축(834)을 감싸는 원형의 판 형상으로 제공된다. 상부에서 바라볼 때 내측컵(852)은 내측 배기구(814)와 중첩되도록 위치된다. 내측컵(852)은 내측부(854) 및 외측부(856)를 가진다. 내측부(854)와 외측부(856) 각각의 상면은 서로 상이한 각도로 경사지도록 제공된다. 상부에서 바라볼 때 내측부(854)는 스핀척(832)과 중첩되게 위치된다. 내측부(854)는 회전축(836)과 마주하게 위치된다. 내측부(854)는 회전축(836)으로부터 멀어질수록 상향 경사진 방향을 향하고, 외측부(856)는 내측부(854)로부터 외측 방향으로 연장된다. 외측부(856)는 회전축(836)으로부터 멀어질수록 하향 경사진 방향을 향한다. 내측부(854)의 상단은 기판(W)의 측단부와 상하 방향으로 일치될 수 있다. 일 예에 의하면, 외측부(856)와 내측부(854)가 만나는 지점은 내측부(854)의 상단보다 낮은 위치일 수 있다. 외측부(856)는 외측컵(862)과 조합되어 처리액이 회수되는 회수 경로(851)를 형성할 수 있다.
선택적으로 도 8과 같이, 내측부(854)와 외측부(856)가 서로 만나는 지점은 각각의 상단일 수 있다. 내측부(854)와 외측부(856)가 서로 만나는 지점은 라운드지도록 제공될 수 있다.
외측컵(862)은 기판 지지 유닛(830) 및 내측컵(852)을 감싸는 컵 형상을 가지도록 제공된다. 외측컵(862)은 바닥부(864), 측부(866), 그리고 경사부(870)을 가진다. 바닥부(864)는 중공을 가지는 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 바닥부(864)에는 회수 라인(865)이 연결된다. 회수 라인(865)은 기판(W) 상에 공급된 처리액을 회수한다. 회수 라인(865)에 의해 회수된 처리액은 외부의 액 재생 시스템에 의해 재사용될 수 있다. 측부(866)는 기판 지지 유닛(830)을 감싸는 환형의 링 형상을 가지도록 제공된다. 측부(866)는 바닥부(864)의 측단으로부터 수직한 방향으로 연장된다. 측부(866)는 바닥부(864)으로부터 위로 연장된다.
경사부(870)는 측부(866)의 상단으로부터 외측컵(862)의 중심축을 향하는 방향으로 연장된다. 경사부(870)의 내측면(870a)은 기판 지지 유닛(830)에 가까워지도록 상향 경사지게 제공된다. 경사부(870)은 링 형상을 가지도록 제공된다. 기판의 액 처리 공정 중에는 경사부(870)의 상단이 기판 지지 유닛(830)에 지지된 기판(W)보다 높게 위치된다.
승강 유닛(890)은 내측 컵(852) 및 외측 컵(862)을 각각 승강 이동시킨다. 승강 유닛(890)은 내측 이동 부재(892) 및 외측 이동 부재(894)를 포함한다. 내측 이동 부재(892)는 내측 컵(852)을 승강 이동 시키고, 외측 이동 부재(894)는 외측 컵(862)을 승강 이동시킨다.
액 공급 유닛(840)은 기판(W) 상에 처리액 및 프리 웨트액을 공급한다. 액 공급 유닛(840)은 이동 부재(846), 아암(848), 프리 웨트 노즐(842) 및 처리 노즐(844)을 포함한다. 이동 부재(846)는 아암(848)을 수평 방향으로 이동시키는 이동 레일(846)을 포함한다. 이동 레일(846)은 처리 용기(850)의 일측에 위치된다. 이동 레일(846)은 그 길이 방향이 수평 방향을 향하도록 제공된다. 일 예에 의하면, 이동 레일(846)의 길이 방향을 제1방향과 평행한 방향을 향하도록 제공될 수 있다. 이동 레일(846)에는 아암(848)이 설치된다. 아암(848)은 이동 레일(846)의 내부에 제공된 리니어 모터에 의해 이동될 수 있다. 아암(848)은 상부에서 바라볼 때 이동 레일(846)과 수직한 길이 방향을 향하도록 제공된다. 아암(848)의 일단은 이동 레일(846)에 장착된다. 아암(848)의 타단 저면에는 프리 웨트 노즐(842) 및 처리 노즐(844)이 각각 설치된다. 상부에서 바라볼 때 프리 웨트 노즐(842) 및 처리 노즐(844)은 이동 레일(846)의 길이 방향과 평행한 방향으로 배열된다. 선택적으로 아암(848)은 복수 개로 제공되며, 아암들(848) 각각에는 프리 웨트 노즐(842) 및 처리 노즐(844)이 설치될 수 있다. 또한 아암(848)은 길이 방향이 제3방향을 향하는 회전축에 결합되어 회전될 수 있다.
프리 웨트 노즐(842)은 기판(W) 상에 프리 웨트액을 공급하고, 처리 노즐(844)은 기판(W) 상에 처리액을 공급한다. 예컨대, 프리 웨트액은 기판(W)의 표면 성질을 변화시킬 수 있는 액일 수 있다. 프리 웨트액은 기판(W)의 표면을 소수성 성질로 변화시킬 수 있다. 프리 웨트액은 신나(Thinner)이고, 처리액은 포토 레지스트와 같은 감광액일 수 있다.
세정 유닛(1000)은 처리 용기에 잔류된 처리액을 제거한다. 세정 유닛(1000)은 세정 지그(1100) 및 세정액 토출 부재(1200)를 포함한다. 세정 지그(1100)는 세정액의 비산 방향을 안내한다. 도 9는 도 7의 세정 지그를 보여주는 단면도이다. 도 7 및 도 9를 참조하면, 세정 지그(1100)는 대체적으로 원판 형상을 가진다. 세정 지그(1100)는 중심축을 기준으로 이와 멀어지는 방향을 따라 중앙 영역(A), 미들 영역(B), 그리고 가장자리 영역(C)으로 구분된다. 예컨대, 세정 지그(1100)의 중앙 영역(A)은 중심축을 포함하는 영역이고, 미들 영역(B)은 중앙 영역(A)을 감싸는 영역이며, 가장자리 영역(C)은 미들 영역(B)을 감싸며 세정 지그(1100)의 끝단을 포함하는 영역일 수 있다. 세정 지그(1100)는 기판(W)보다 큰 직경을 가질 수 있다.
세정 지그(1100)는 스핀척(832)에 안착 가능하다. 상부에서 바라볼 때 세정 지그(1100)는 가장자리 영역(C)이 내측컵(852)의 외측부(856)와 중첩되도록 스핀척(832)에 로딩된다. 즉, 상부에서 바라볼 때 세정 지그(1100)는 가장자리 영역(C)이 회수 경로에 중첩되게 위치될 수 있다. 세정 지그(1100)는 중앙 영역(A)이 상면과 저면이 편평한 반면, 가장자리 영역(C)은 외측으로 갈수록 하향 경사지도록 꺽어진 형상을 가진다. 세정 지그(1100)의 가장자리 영역(C)은 중앙 영역(A)보다 낮은 높이로 제공된다. 일 예에 의하면, 세정 지그(1100)의 중앙 영역(A)과 가장자리 영역(C)의 끝단 간에 사이각은 90도 이상일 수 있다. 세정 지그(1100)의 가장자리 영역(C)은 꺽어진 각도가 90도 이상일 수 있다. 세정 지그(1100)의 미들 영역(B)은 저면이 중앙 영역(A)과 동일한 높이를 가지는 반면, 상면이 중앙 영역(A)에 비해 높게 제공된다. 미들 영역(B)은 중앙 영역(A)에 비해 두꺼운 두께를 가지도록 제공된다. 미들 영역(B)의 상면은 높이가 외측컵(862)의 경사부(870)의 상단보다 낮게 제공된다. 예컨대, 미들 영역(B)의 상면은 외측으로 갈수록 상향 경사진 방향으로 연장될 수 있다.
세정액 토출 부재(1200)는 기판 지지 유닛(830)에 놓인 세정 지그(1100)에 세정액을 토출한다. 세정액 토출 부재(1200)는 상부 세정 노즐(842)과 하부 세정 노즐(1240)을 포함한다. 여기서 상부 세정 노즐(842)은 세정 지그(1100)의 상면으로 세정액을 토출하고, 하부 세정 노즐(1240)은 세정 지그(1100)의 저면으로 세정액을 토출한다. 프리 웨트 노즐(842)은 상부 세정 노즐(842)로서 기능한다. 즉 세정액은 신나일 수 있다. 선택적으로, 상부 세정 노즐(842)은 프리 웨트 노즐(842)과 별개의 노즐로 제공될 수 있다. 상부 세정 노즐(842)의 세정액 토출 영역은 세정 지그(1100)의 가장자리 영역(C)을 제외한 영역으로 제공된다. 상부 세정 노즐(842)의 세정액 토출 영역은 세정 지그(1100)의 중앙 영역(A) 또는 미들 영역(B)일 수 있다.
하부 세정 노즐(1240)은 세정 지그(1100)의 아래에 위치된다. 하부 세정 노즐(1240)은 내측컵(852)의 내측부(854)에 고정 결합된다. 상부에서 바라볼 때 하부 세정 노즐(1240)은 세정 지그(1100)와 마주하되, 스핀척(832)과 마주하지 않도록 위치된다. 이는 세정액을 세정 지그(1100)의 저면에 직접 공급하기 위함이다. 하부 세정 노즐(1240)은 토출구가 수직한 위를 향하거나 스핀척(832)의 중심축으로부터 멀어질수록 상향 경사진 방향을 향하게 제공될 수 있다.
다음은 상술한 기판 처리 장치를 이용하여 기판(W)을 처리하는 방법을 설명한다.
기판(W)을 처리하는 방법으로는 액 처리 단계, 언로딩 단계, 그리고 용기 세정 단계를 포함한다. 액 처리 단계 및 용기 세정 단계는 순차적으로 진행된다. 액 처리 단계는 기판(W)을 액 처리하는 단계이며, 용기 세정 단계는 처리 용기의 회수 경로를 세정 처리하는 단계이다. 용기 세정 단계는 액 처리 단계의 전 또는 후에 진행될 수 있다. 액 처리 단계는 기판 로딩 단계, 처리액 공급 단계, 그리고 기판 언로딩 단계를 포함한다. 기판 로딩 단계에는 기판 지지 유닛(830)에 기판(W)을 로딩한다. 기판(W)은 기판 지지 유닛(830)에 의해 회전되고, 처리액 공급 단계가 진행된다. 처리액 공급 단계에는 프리 웨팅액 및 처리액이 순차 공급된다. 프리 웨팅액 및 처리액은 기판(W)의 중심으로 공급될 수 있다. 처리액 공급 단계가 완료되면, 기판(W)의 회전이 중지되고, 기판(W)은 기판 지지 유닛(830)으로부터 언로딩된다.
기판 언로딩 단계가 종료되면, 용기 세정 단계가 진행된다. 용기 세정 단계는 액 처리 단계에서 오염된 처리 용기를 세정 처리하는 단계이다. 용기 세정 단계는 회수 경로에 잔류되는 처리액을 세정 처리하는 단계일 수 있다. 용기 세정 단계는 지그 로딩 단계, 세정액 토출 단계, 그리고 지그 언로딩 단계를 포함한다. 지그 로딩 단계, 세정액 토출 단계, 그리고 지그 언로딩 단계는 순차적으로 진행될 수 있다. 지그 로딩 단계에는 세정 지그(1100)가 기판 지지 유닛(830)에 로딩된다. 세정 지그(1100)는 기판 지지 유닛(830)에 의해 회전되고, 세정 지그(1100)의 상면 및 저면 각각으로 세정액이 토출된다. 세정 지그(1100)의 상면 중앙 영역(A)에 토출된 세정액은 미들 영역(B)에 의해 상향 경사진 방향으로 비산된다. 이에 따라 세정 지그(1100)보다 높게 위치된 외측컵(862)의 경사부(870)를 세정 처리한다. 또한 세정 지그(1100)의 저면에 토출된 세정액은 가장자리 영역(C)의 꺽어진 형상에 의해 내측컵(852)의 내측부(854)와 외측부(856)가 만나는 지점 및 이와 인접한 영역이 세정 처리된다. 세정액 토출 단계가 완료되면, 세정 지그(1100)의 회전 및 세정액의 토출을 중지하고, 지그 언로딩 단계를 수행한다. 지그 언로딩 단계에는 세정 지그(1100)를 기판 지지 유닛(830)으로부터 언로딩한다.
상술한 바와 같이, 세정 지그(1100)는 외측으로 갈수록 상면의 높이가 높아진다. 이로 인해 세정 지그(1100)에 토출된 세정액은 상향 경사진 방향으로 비산되어 기판 지지 유닛(830)보다 높은 영역의 처리 용기를 세정 처리 가능하다.
또한 세정 지그(1100)의 가장자리 영역(C)은 중앙 영역(A)에 비해 90도 이상로 꺽어진 형상을 가진다. 이에 따라 내측컵(852)의 내측부(854) 및 외측부(856)가 만나는 지점을 세정 처리 가능하다.
선택적으로 세정 지그(1100)의 가장자리 영역(C)은 중앙 영역(A)에 비해 90도 미만으로 꺽어진 형상을 가질 수 있다.
다시 도 3 내지 도 6을 참조하면, 베이크 챔버(420)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(420)은 포토 레지스트를 도포하기 전에 기판(W)을 소정의 온도로 가열하여 기판(W) 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(prebake) 공정이나 포토레지스트를 기판(W) 상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(soft bake) 공정 등을 수행하고, 각각의 가열 공정 이후에 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(420)는 냉각 플레이트(421) 또는 가열 플레이트(422)를 가진다. 냉각 플레이트(421)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(423)이 제공된다. 또한 가열 플레이트(422)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(424)이 제공된다. 냉각 플레이트(421)와 가열 플레이트(422)는 하나의 베이크 챔버(420) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(420)들 중 일부는 냉각 플레이트(421)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(422)만을 구비할 수 있다.
현상 모듈(402)은 기판(W) 상에 패턴을 얻기 위해 현상액을 공급하여 포토 레지스트의 일부를 제거하는 현상 공정, 및 현상 공정 전후에 기판(W)에 대해 수행되는 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 현상모듈(402)은 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)를 가진다. 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 현상 챔버(460)와 베이크 챔버(470)는 반송 챔버(480)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 현상 챔버(460)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 현상 챔버(460)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(470)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(470)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(470)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.
반송 챔버(480)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(480) 내에는 현상부 로봇(482)과 가이드 레일(483)이 위치된다. 반송 챔버(480)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 현상부 로봇(482)은 베이크 챔버들(470), 현상 챔버들(460), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350), 그리고 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(483)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(483)은 현상부 로봇(482)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 현상부 로봇(482)은 핸드(484), 아암(485), 지지대(486), 그리고 받침대(487)를 가진다. 핸드(484)는 아암(485)에 고정 설치된다. 아암(485)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(484)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(486)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(485)은 지지대(486)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(486)에 결합된다. 지지대(486)는 받침대(487)에 고정 결합된다. 받침대(487)는 가이드 레일(483)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(483)에 결합된다.
현상 챔버들(460)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 현상 챔버(460)에서 사용되는 현상액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 현상 챔버(460)는 기판(W) 상의 포토 레지스트 중 광이 조사된 영역을 제거한다. 이때, 보호막 중 광이 조사된 영역도 같이 제거된다. 선택적으로 사용되는 포토 레지스트의 종류에 따라 포토 레지스트 및 보호막의 영역들 중 광이 조사되지 않은 영역만이 제거될 수 있다.
현상 챔버(460)는 용기(461), 지지 플레이트(462), 그리고 노즐(463)을 가진다. 용기(461)는 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(462)는 용기(461) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(462)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(463)은 지지 플레이트(462)에 놓인 기판(W) 상으로 현상액을 공급한다. 노즐(463)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 현상액 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(463)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(463)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 현상 챔버(460)에는 추가적으로 현상액이 공급된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(464)이 더 제공될 수 있다.
베이크 챔버(470)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(470)은 현상 공정이 수행되기 전에 기판(W)을 가열하는 포스트 베이크 공정 및 현상 공정이 수행된 후에 기판(W)을 가열하는 하드 베이크 공정 및 각각의 베이크 공정 이후에 가열된 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(470)는 냉각 플레이트(471) 또는 가열 플레이트(472)를 가진다. 냉각 플레이트(471)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(473)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(472)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(474)이 제공된다. 냉각 플레이트(471)와 가열 플레이트(472)는 하나의 베이크 챔버(470) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(470)들 중 일부는 냉각 플레이트(471)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(472)만을 구비할 수 있다.
상술한 바와 같이 도포 및 현상 모듈(400)에서 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 분리되도록 제공된다. 또한, 상부에서 바라볼 때 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 동일한 챔버 배치를 가질 수 있다.
제 2 버퍼 모듈(500)은 도포 및 현상 모듈(400)과 노광 전후 처리 모듈(600) 사이에 기판(W)이 운반되는 통로로서 제공된다. 또한, 제 2 버퍼 모듈(500)은 기판(W)에 대해 냉각 공정이나 에지 노광 공정 등과 같은 소정의 공정을 수행한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 프레임(510), 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)을 가진다. 프레임(510)은 직육면체의 형상을 가진다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)은 프레임(510) 내에 위치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에 대응하는 높이에 배치된다. 제 2 냉각 챔버(540)는 현상 모듈(402)에 대응하는 높이에 배치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 제 2 냉각 챔버(540)는 순차적으로 제 3 방향(16)을 따라 일렬로 배치된다. 상부에서 바라볼 때 버퍼(520)은 도포 모듈(401)의 반송 챔버(430)와 제 1 방향(12)을 따라 배치된다. 에지 노광 챔버(550)는 버퍼(520) 또는 제 1 냉각 챔버(530)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 배치된다.
제 2 버퍼 로봇(560)은 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550) 간에 기판(W)을 운반한다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 에지 노광 챔버(550)와 버퍼(520) 사이에 위치된다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 제 1 버퍼 로봇(360)과 유사한 구조로 제공될 수 있다. 제 1 냉각 챔버(530)와 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판들(W)에 대해 후속 공정을 수행한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판(W)을 냉각한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 냉각 챔버(350)과 유사한 구조를 가진다. 에지 노광 챔버(550)는 제 1 냉각 챔버(530)에서 냉각 공정이 수행된 기판들(W)에 대해 그 가장자리를 노광한다. 버퍼(520)는 에지 노광 챔버(550)에서 공정이 수행된 기판들(W)이 후술하는 전처리 모듈(601)로 운반되기 전에 기판(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 냉각 챔버(540)는 후술하는 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 기판들(W)이 현상 모듈(402)로 운반되기 전에 기판들(W)을 냉각한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 현상 모듈(402)와 대응되는 높이에 추가된 버퍼를 더 가질 수 있다. 이 경우, 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 기판들(W)은 추가된 버퍼에 일시적으로 보관된 후 현상 모듈(402)로 운반될 수 있다.
노광 전후 처리 모듈(600)은, 노광 장치(900)가 액침 노광 공정을 수행하는 경우, 액침 노광시에 기판(W)에 도포된 포토레지스트 막을 보호하는 보호막을 도포하는 공정을 처리할 수 있다. 또한, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 이후에 기판(W)을 세정하는 공정을 수행할 수 있다. 또한, 화학증폭형 레지스트를 사용하여 도포 공정이 수행된 경우, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 후 베이크 공정을 처리할 수 있다.
노광 전후 처리 모듈(600)은 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)을 가진다. 전처리 모듈(601)은 노광 공정 수행 전에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행하고, 후처리 모듈(602)은 노광 공정 이후에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행한다. 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 전처리 모듈(601)은 후처리 모듈(602)의 상부에 위치된다. 전처리 모듈(601)은 도포 모듈(401)과 동일한 높이로 제공된다. 후처리 모듈(602)은 현상 모듈(402)과 동일한 높이로 제공된다. 전처리 모듈(601)은 보호막 도포 챔버(610), 베이크 챔버(620), 그리고 반송 챔버(630)를 가진다. 보호막 도포 챔버(610), 반송 챔버(630), 그리고 베이크 챔버(620)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 보호막 도포 챔버(610)와 베이크 챔버(620)는 반송 챔버(630)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 보호막 도포 챔버(610)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 보호막 도포 챔버(610)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 베이크 챔버(620)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 베이크 챔버(620)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다.
반송 챔버(630)는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(530)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(630) 내에는 전처리 로봇(632)이 위치된다. 반송 챔버(630)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 전처리 로봇(632)은 보호막 도포 챔버들(610), 베이크 챔버들(620), 제 2 버퍼 모듈(500)의 버퍼(520), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 1 버퍼(720) 간에 기판(W)을 이송한다. 전처리 로봇(632)은 핸드(633), 아암(634), 그리고 지지대(635)를 가진다. 핸드(633)는 아암(634)에 고정 설치된다. 아암(634)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 아암(634)은 지지대(635)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(635)에 결합된다.
보호막 도포 챔버(610)는 액침 노광 시에 레지스트 막을 보호하는 보호막을 기판(W) 상에 도포한다. 보호막 도포 챔버(610)는 하우징(611), 지지 플레이트(612), 그리고 노즐(613)을 가진다. 하우징(611)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(612)는 하우징(611) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(612)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(613)은 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W) 상으로 보호막 형성을 위한 보호액을 공급한다. 노즐(613)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 보호액을 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(613)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(613)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 이 경우, 지지 플레이트(612)는 고정된 상태로 제공될 수 있다. 보호액은 발포성 재료를 포함한다. 보호액은 포토 레지스터 및 물과의 친화력이 낮은 재료가 사용될 수 있다. 예컨대, 보호액은 불소계의 용제를 포함할 수 있다. 보호막 도포 챔버(610)는 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중앙 영역으로 보호액을 공급한다.
베이크 챔버(620)는 보호막이 도포된 기판(W)을 열처리한다. 베이크 챔버(620)는 냉각 플레이트(621) 또는 가열 플레이트(622)를 가진다. 냉각 플레이트(621)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(623)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(622)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(624)이 제공된다. 가열 플레이트(622)와 냉각 플레이트(621)는 하나의 베이크 챔버(620) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버들(620) 중 일부는 가열 플레이트(622) 만을 구비하고, 다른 일부는 냉각 플레이트(621) 만을 구비할 수 있다.
후처리 모듈(602)은 세정 챔버(660), 노광 후 베이크 챔버(670), 그리고 반송 챔버(680)를 가진다. 세정 챔버(660), 반송 챔버(680), 그리고 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 세정 챔버(660)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 반송 챔버(680)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 세정 챔버(660)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 세정 챔버(660)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다.
반송 챔버(680)는 상부에서 바라볼 때 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(680)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 반송 챔버(680) 내에는 후처리 로봇(682)이 위치된다. 후처리 로봇(682)은 세정 챔버들(660), 노광 후 베이크 챔버들(670), 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 2 버퍼(730) 간에 기판(W)을 운반한다. 후처리 모듈(602)에 제공된 후처리 로봇(682)은 전처리 모듈(601)에 제공된 전처리 로봇(632)과 동일한 구조로 제공될 수 있다.
세정 챔버(660)는 노광 공정 이후에 기판(W)을 세정한다. 세정 챔버(660)는 하우징(661), 지지 플레이트(662), 그리고 노즐(663)을 가진다. 하우징(661)는 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(662)는 하우징(661) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(662)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(663)은 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W) 상으로 세정액을 공급한다. 세정액으로는 탈이온수와 같은 물이 사용될 수 있다. 세정 챔버(660)는 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중앙 영역으로 세정액을 공급한다. 선택적으로 기판(W)이 회전되는 동안 노즐(663)은 기판(W)의 중앙 영역에서 가장자리 영역까지 직선 이동 또는 회전 이동할 수 있다.
노광 후 베이크 챔버(670)는 원자외선을 이용하여 노광 공정이 수행된 기판(W)을 가열한다. 노광 후 베이크 공정은 기판(W)을 가열하여 노광에 의해 포토 레지스트에 생성된 산(acid)을 증폭시켜 포토 레지스트의 성질 변화를 완성시킨다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 가열 플레이트(672)를 가진다. 가열 플레이트(672)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(674)이 제공된다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 그 내부에 냉각 플레이트(671)를 더 구비할 수 있다. 냉각 플레이트(671)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(673)이 제공된다. 또한, 선택적으로 냉각 플레이트(671)만을 가진 베이크 챔버가 더 제공될 수 있다.
상술한 바와 같이 노광 전후 처리 모듈(600)에서 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 완전히 분리되도록 제공된다. 또한, 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(680)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 보호막 도포 챔버(610)와 세정 챔버(660)는 서로 동일한 크기로 제공되어 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 베이크 챔버(620)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다.
인터페이스 모듈(700)은 노광 전후 처리 모듈(600), 및 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 이송한다. 인터페이스 모듈(700)은 프레임(710), 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)를 가진다. 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)은 프레임(710) 내에 위치된다. 제 1 버퍼(720)와 제 2 버퍼(730)는 서로 간에 일정거리 이격되며, 서로 적층되도록 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 제 2 버퍼(730)보다 높게 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)에 대응되는 높이에 배치된다. 상부에서 바라볼 때 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되게 위치된다.
인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720) 및 제 2 버퍼(730)와 제 2 방향(14)으로 이격되게 위치된다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 운반한다. 인터페이스 로봇(740)은 제 2 버퍼 로봇(560)과 대체로 유사한 구조를 가진다.
제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)에서 공정이 수행된 기판들(W)이 노광 장치(900)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 그리고 제 2 버퍼(730)는 노광 장치(900)에서 공정이 완료된 기판들(W)이 후처리 모듈(602)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 제 1 버퍼(720)는 하우징(721)과 복수의 지지대들(722)을 가진다. 지지대들(722)은 하우징(721) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(722)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(721)은 인터페이스 로봇(740) 및 전처리 로봇(632)이 하우징(721) 내로 지지대(722)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 전처리 로봇(632)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 2 버퍼(730)는 제 1 버퍼(720)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 2 버퍼(730)의 하우징(4531)에는 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 후처리 로봇(682)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 인터페이스 모듈에는 기판(W)에 대해 소정의 공정을 수행하는 챔버의 제공 없이 상술한 바와 같이 버퍼들 및 로봇만 제공될 수 있다.
852: 내측컵 854: 내측부
856: 외측부 862: 외측컵
870: 경사부 1100: 세정 지그

Claims (14)

  1. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    내부에 처리 공간을 가지는 처리 용기와;
    상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과;
    상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 처리액을 공급하는 액 공급 유닛과;
    상기 처리 용기에 잔류된 처리액을 제거하는 세정 유닛을 포함하되,
    상기 세정 유닛은,
    상기 기판 지지 유닛에 놓이는 세정 지그와;
    상기 세정 지그의 저면으로 세정액을 토출하는 세정액 토출 부재를 포함하되,
    상기 세정 지그는 가장자리 영역이 중앙 영역보다 낮은 높이로 제공되는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 세정 지그는 상기 기판 지지 유닛의 상면보다 큰 직경으로 제공되는 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 처리 용기는,
    상기 기판 지지 유닛을 감싸는 내측컵과;
    상기 내측컵을 감싸며, 상기 내측컵과 조합되어 처리액이 회수되는 회수 경로를 형성하는 외측컵을 포함하되,
    상기 외측부는,
    상기 기판 지지 유닛으로부터 멀어질수록 하향 경사진 방향을 향하는 경사부를 가지고,
    상기 내측컵은,
    기판의 아래에서 상기 기판 지지 유닛으로부터 멀어질수록 상향 경사진 방향을 향하는 내측부와;
    상기 내측부로부터 상기 기판 지지 유닛으로부터 멀어질수록 하향 경사진 방향으로 연장되며, 상기 경사부와 조합되어 상기 회수 경로를 형성하는 외측부를 가지며,
    상부에서 바라볼 때 상기 세정 지그의 가장자리 영역은 상기 외측부에 중첩되게 위치되는 기판 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 세정 지그의 가장자리 영역은 외측으로 갈수록 하향 경사지도록 꺽어진 형상을 가지는 기판 처리 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 세정 지그의 중앙 영역과 가장자리 영역 끝단의 사이각은 90도 이상으로 제공되는 기판 처리 장치.
  6. 제3항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 세정액 토출 부재는,
    상기 세정 지그의 저면으로 세정액을 토출하는 하부 세정 노즐과;
    상기 세정 지그의 상면으로 세정액을 토출하는 상부 세정 노즐을 포함하되,
    상기 세정 지그는 상기 중앙 영역과 상기 가장자리 영역의 사이에 위치되는 미들 영역을 더 가지며,
    상기 미들 영역은 상기 중앙 영역에 비해 상면이 높은 높이를 가지는 기판 처리 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 경사부의 상단은 상기 기판 지지 유닛에 지지된 세정 지그의 상단보다 높게 위치되는 기판 처리 장치.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 세정 지그는 상기 미들 영역이 상기 중앙 영역에 비해 두꺼운 두께를 가지는 기판 처리 장치.
  9. 제1항 내지 제5항에 있어서,
    처리액은 감광액을 포함하고,
    세정액은 신나를 포함하는 기판 처리 장치.
  10. 기판을 액 처리하는 방법에 있어서,
    상기 기판을 액 처리하는 액 처리 단계와;
    상기 기판 지지 유닛으로부터 상기 기판을 언로딩하는 언로딩 단계와;
    상기 처리 용기를 세정 처리하는 용기 세정 단계를 포함하되,
    상기 액 처리 단계는,
    처리 용기 내부에 형성된 처리 공간에 위치되는 기판 지지 유닛에 기판을 로딩하는 기판 로딩 단계와;
    상기 기판 상에 처리액을 공급하는 처리액 공급 단계와;
    상기 기판 지지 유닛으로부터 상기 기판을 언로딩하는 기판 언로딩 단계를 포함하고,
    상기 용기 세정 단계는,
    세정 지그를 상기 기판 지지 유닛에 로딩하는 지그 로딩 단계와;
    세정 지그의 저면으로 세정액을 토출하는 세정액 토출 단계를 포함하되,
    상기 세정 지그는 가장자리 영역이 중앙 영역보다 낮은 높이로 제공되는 기판 처리 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 처리 용기는 상기 처리 공간과 연통되어 상기 처리액이 회수되며, 상기 기판 지지 유닛으로부터 멀어질수록 하향 경사진 방향을 향하는 회수 경로를 가지며,
    상기 세정 지그는 상기 기판 지지 유닛의 상면보다 큰 직경으로 제공되고,
    상부에서 바라볼 때 상기 세정 지그의 가장자리 영역은 상기 회수 경로에 중첩되게 위치되는 기판 처리 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 세정 지그의 가장자리 영역은 외측으로 갈수록 하향 경사지도록 꺽어진 형상을 가지되,
    상기 세정 지그의 중앙 영역과 가장자리 영역 끝단의 사이각은 90도 이상으로 제공되는 기판 처리 방법.
  13. 제11항 또는 제12항에 있어서,
    상기 세정 지그는 상기 중앙 영역과 상기 가장자리 영역의 사이에 위치되는 미들 영역을 더 가지며,
    상기 미들 영역은 상기 중앙 영역에 비해 상면이 높은 높이를 가지고,
    상기 세정액은 상기 세정 지그의 상면 및 저면 각각에 토출되는 기판 처리 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 세정액의 토출 영역은 상기 세정 지그의 상면 중앙 영역 및 상기 세정 지그의 저면에서 가장자리 영역을 제외한 영역을 포함하는 기판 처리 방법.







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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210028788A (ko) * 2019-09-04 2021-03-15 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
JP2021100041A (ja) * 2019-12-20 2021-07-01 ラピスセミコンダクタ株式会社 基板処理装置、基板処理方法
KR102646843B1 (ko) * 2022-11-10 2024-03-13 세메스 주식회사 기판처리장치

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102612183B1 (ko) * 2020-09-29 2023-12-13 세메스 주식회사 처리 용기 및 액처리 장치
KR102677969B1 (ko) * 2020-12-30 2024-06-26 세메스 주식회사 노즐 대기 포트와 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 노즐 세정 방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0766116A (ja) * 1993-08-23 1995-03-10 Tokyo Electron Ltd 塗布装置
JPH09283420A (ja) * 1996-04-08 1997-10-31 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 回転式基板処理装置
JP2009187996A (ja) * 2008-02-04 2009-08-20 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
KR20150049184A (ko) * 2013-10-29 2015-05-08 세메스 주식회사 기판처리방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0766116A (ja) * 1993-08-23 1995-03-10 Tokyo Electron Ltd 塗布装置
JPH09283420A (ja) * 1996-04-08 1997-10-31 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 回転式基板処理装置
JP2009187996A (ja) * 2008-02-04 2009-08-20 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
KR20150049184A (ko) * 2013-10-29 2015-05-08 세메스 주식회사 기판처리방법

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210028788A (ko) * 2019-09-04 2021-03-15 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
JP2021100041A (ja) * 2019-12-20 2021-07-01 ラピスセミコンダクタ株式会社 基板処理装置、基板処理方法
KR102646843B1 (ko) * 2022-11-10 2024-03-13 세메스 주식회사 기판처리장치

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