KR20200093087A - 기판 처리 장치 및 방법 - Google Patents

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민충기
이정열
이정현
이현희
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세메스 주식회사
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Abstract

본 발명은 기판을 액 처리하는 장치 및 방법을 제공한다. 기판을 액 처리하는 방법은 상기 기판 상에 액막이 형성되도록 감광액을 도포하는 감광액 공급 단계, 상기 액막의 일부가 제거되도록 제거액을 공급하는 제거액 공급 단계, 그리고 상기 액막이 형성된 상기 기판의 반대면으로 세정액을 공급하는 세정액 공급 단계를 포함하되, 상기 제거액 공급 단계와 상기 세정액 공급 단계는 어느 하나의 단계가 완료된 이후에 다른 단계가 수행된다. 이로 인해 세정액과 제거액의 비산을 방지할 수 있으며, 기판 및 주변을 오염시키는 것을 방지할 수 있다.

Description

기판 처리 장치 및 방법{Apparatus and Methof for treating substrate}
본 발명은 기판을 액 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
반도체 소자를 제조하기 위해서는 세정, 증착, 사진, 식각, 그리고 이온주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 이러한 공정들 중 사진 공정은 도포, 노광, 그리고 현상 단계를 순차적으로 수행한다. 도포 공정은 기판의 표면에 레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정이다. 노광 공정은 감광막이 형성된 기판 상에 회로 패턴을 노광하는 공정이다. 현상 공정에는 기판의 노광 처리된 영역을 선택적으로 현상하는 공정이다.
일반적으로 도포 공정은 감광액 공급 단계 및 액막 제거 단계를 포함한다. 감광액 공급 단계에는 기판의 전체 영역에 감광액을 도포하여 감광막을 형성하는 단계이다. 액막 제거 단계에는 제거액을 공급하여 기판 상에 형성된 감광막 중 일부 영역을 제거하는 단계이다. 액막 제거 단계에는 기판의 가장자리 영역으로 제거액과 세정액을 공급한다. 제거액은 기판의 상면으로 공급되고, 세정액은 기판의 저면으로 공급된다.
제거액과 세정액은 함께 공급된다. 그러나 도 1과 같이 제거액(L1)과 세정액(L2)은 회수되는 과정에서 서로 비산되고, 비산액은 회수 영역까지 도달하지 못한 채로 낙하되거나, 되튀어 기판을 역오염시키거나 주변 장치를 오염시킨다.
이에 따라 기판의 회전 속도를 감속시키는 방안이 제기되었다. 그러나 도 2와 같이, 액막에 원심력이 제대로 전달되지 않아 액막이 중심측으로 이동되고, 불균일한 액막이 형성된다.
본 발명은 기판의 양면 각각에 액을 공급하는 과정에서, 액들이 비산되어 기판을 역오염시키거나 주변을 오염시키는 것을 방지할 수 있는 장치 및 방법의 제공을 일 목적으로 한다.
또한 본 발명은 기판의 액막을 제거하는 과정에서 액막이 불균일해지는 것을 방지할 수 있는 장치 및 방법의 제공을 일 목적으로 한다.
본 발명의 실시예는 기판을 액 처리하는 장치 및 방법을 제공한다.
기판을 액 처리하는 방법은 상기 기판 상에 액막이 형성되도록 감광액을 도포하는 감광액 공급 단계, 상기 액막의 일부가 제거되도록 제거액을 공급하는 제거액 공급 단계, 그리고 상기 액막이 형성된 상기 기판의 반대면으로 세정액을 공급하는 세정액 공급 단계를 포함하되, 상기 제거액 공급 단계와 상기 세정액 공급 단계는 어느 하나의 단계가 완료된 이후에 다른 단계가 수행된다.
상기 제거액 공급 단계 이후에 상기 세정액 공급 단계가 수행될 수 있다. 상기 제거액 공급 단계와 상기 세정액 공급 단계에는 서로 다른 속도로 상기 기판을 회전시킬 수 있다. 상기 제거액 공급 단계에는 상기 기판을 제1속도로 회전시키고, 상기 세정액 공급 단계에는 상기 기판을 제2속도로 회전시키되, 상기 제1속도는 상기 제2속도보다 빠른 속도로 제공될 수 있다. 상기 제1속도는 1500 알피엠(RPM) 이상으로 제공되고, 상기 제2속도는 1000 알피엠 (RPM) 이하로 제공될 수 있다.
상기 제거액과 상기 세정액은 서로 상이한 종류의 신나로 제공될 수 있다.
선택적으로 상기 제거액과 상기 세정액은 서로 상이한 종류의 액으로 제공될 수 있다.
또한 기판을 처리하는 장치는 기판을 지지 및 회전시키는 기판 지지 유닛, 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 액을 공급하는 액 공급 유닛, 그리고 상기 기판 지지 유닛 및 상기 액 공급 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 액 공급 유닛은 기판 상에 감광액의 액막이 형성되도록 감광액을 공급하는 감광액 노즐, 상기 액막을 제거하는 제거액을 공급하는 제거액 노즐, 그리고 상기 액막이 형성된 기판의 반대면에 세정액을 공급하는 세정액 노즐을 포함하되, 상기 제어기는 상기 제거액의 공급과 상기 세정액의 공급 중 어느 하나가 완료된 이후에 다른 하나가 수행되도록 상기 액 공급 유닛을 제어한다.
상기 제어기는 상기 제거액을 공급한 후에 상기 세정액이 공급되도록 상기 액 공급 유닛을 제어하고, 상기 제어기는 상기 제거액이 공급되는 중에 기판을 제1속도로 회전시키고, 상기 세정액이 공급되는 중에 기판을 제2속도로 회전시키되, 상기 제1속도는 상기 제2속도보다 빠른 속도로 제공될 수 있다. 상기 제어기는 상기 제거액이 상기 액막의 가장자리 영역을 제거하도록 상기 제거액 노즐을 제어할 수 있다.
상기 제거액과 상기 세정액은 서로 상이한 종류의 신나로 제공될 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 세정액은 제거액의 공급이 완료된 후에 공급된다. 이로 인해 세정액과 제거액의 비산을 방지할 수 있으며, 기판 및 주변을 오염시키는 것을 방지할 수 있다.
또한 본 발명의 실시예에 의하면, 제거액을 공급하는 중에는 기판이 고속으로 회전된다. 이로 인해 액막 이동으로 인해 액막이 불균일해지는 것을 방지할 수 있다.
도 1은 일반적인 액막 제거 공정에서 액들이 비산되는 과정을 보여주는 도면이다.
도 2는 일반적인 액막 제거 공정에서 액막의 이동으로 인해 액막이 불균일해지는 과정을 보여주는 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 4는 도 3의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 5는 도 3의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 6은 도 5의 반송 로봇의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 7은 도 5의 열처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 8은 도 7의 열처리 챔버의 정면도이다.
도 9는 도 5의 액 처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 10은 도 9의 장치를 이용하여 기판을 액 처리하는 과정을 보여주는 플로우 차트이다.
도 11 내지 도 15는 도 10의 각 단계를 보여주는 도면들이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이고, 도 4는 도 3의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이며, 도 5는 도 3의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 3 내지 도 5를 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 인덱스 모듈(20,index module), 처리 모듈(30, treating module), 그리고 인터페이스 모듈(40, interface module)을 포함한다. 일 실시예에 의하며, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)은 순차적으로 일렬로 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)이 배열된 방향을 제1 방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 제1 방향(12)과 수직한 방향을 제2 방향(14)이라 하고, 제1 방향(12) 및 제2 방향(14)에 모두 수직한 방향을 제3 방향(16)이라 한다.
인덱스 모듈(20)은 기판(W)이 수납된 용기(10)로부터 기판(W)을 처리 모듈(30)로 반송하고, 처리가 완료된 기판(W)을 용기(10)로 수납한다. 인덱스 모듈(20)의 길이 방향은 제2 방향(14)으로 제공된다. 인덱스 모듈(20)은 로드포트(22)와 인덱스 프레임(24)을 가진다. 인덱스 프레임(24)을 기준으로 로드포트(22)는 처리 모듈(30)의 반대 측에 위치된다. 기판(W)들이 수납된 용기(10)는 로드포트(22)에 놓인다. 로드포트(22)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(22)는 제2 방향(14)을 따라 배치될 수 있다.
용기(10)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기(10)가 사용될 수 있다. 용기(10)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드포트(22)에 놓일 수 있다.
인덱스 프레임(24)의 내부에는 인덱스 로봇(2200)이 제공된다. 인덱스 프레임(24) 내에는 길이 방향이 제2 방향(14)으로 제공된 가이드 레일(2300)이 제공되고, 인덱스 로봇(2200)은 가이드 레일(2300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(2200)은 기판(W)이 놓이는 핸드(2220)를 포함하며, 핸드(2220)는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다.
처리 모듈(30)은 기판(W)에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행한다. 처리 모듈(30)은 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)을 가진다. 도포 블럭(30a)은 기판(W)에 대해 도포 공정을 수행하고, 현상 블럭(30b)은 기판(W)에 대해 현상 공정을 수행한다. 도포 블럭(30a)은 복수 개가 제공되며, 이들은 서로 적층되게 제공된다. 현상 블럭(30b)은 복수 개가 제공되며, 현상 블럭들(30b)은 서로 적층되게 제공된다. 도 3의 실시예에 의하면, 도포 블럭(30a)은 2개가 제공되고, 현상 블럭(30b)은 2개가 제공된다. 도포 블럭들(30a)은 현상 블럭들(30b)의 아래에 배치될 수 있다. 일 예에 의하면, 2개의 도포 블럭들(30a)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다. 또한, 2개의 현상 블럭들(30b)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다.
도 5를 참조하면, 도포 블럭(30a)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 액 처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800)를 가진다. 열처리 챔버(3200)는 기판(W)에 대해 열처리 공정을 수행한다. 열처리 공정은 냉각 공정 및 가열 공정을 포함할 수 있다. 액처리 챔버(3600)는 기판(W) 상에 액을 공급하여 액막을 형성한다. 액막은 포토레지스트막 또는 반사방지막일 수 있다. 반송 챔버(3400)는 도포 블럭(30a) 내에서 열처리 챔버(3200)와 액처리 챔버(3600) 간에 기판(W)을 반송한다.
반송 챔버(3400)는 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 평행하게 제공된다. 반송 챔버(3400)에는 반송 로봇(3422)이 제공된다. 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200), 액처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800) 간에 기판을 반송한다. 일 예에 의하면, 반송 로봇(3422)은 기판(W)이 놓이는 핸드(3420)를 가지며, 핸드(3420)는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 반송 챔버(3400) 내에는 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 평행하게 제공되는 가이드 레일(3300)이 제공되고, 반송 로봇(3422)은 가이드 레일(3300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다.
도 6은 도 5의 반송 로봇의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다. 도 5를 참조하면, 핸드(3420)는 베이스(3428) 및 지지 돌기(3429)를 가진다. 베이스(3428)는 원주의 일부가 절곡된 환형의 링 형상을 가질 수 있다. 베이스(3428)는 기판(W)의 직경보다 큰 내경을 가진다. 지지 돌기(3429)는 베이스(3428)로부터 그 내측으로 연장된다. 지지 돌기(3429)는 복수 개가 제공되며, 기판(W)의 가장자리 영역을 지지한다. 일 예에 의하며, 지지 돌기(3429)는 등 간격으로 4개가 제공될 수 있다.
열처리 챔버(3200)는 복수 개로 제공된다. 도 4와 도 5를 참조하면, 열처리 챔버들(3200)은 제1방향(12)을 따라 나열되게 배치된다. 열처리 챔버들(3200)은 반송 챔버(3400)의 일측에 위치된다.
도 7은 도 5의 열처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평면도이고, 도 8은 도 7의 열처리 챔버의 정면도이다. 열처리 챔버(3200)는 하우징(3210), 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(3230), 그리고 반송 플레이트(3240)를 가진다.
하우징(3210)은 대체로 직육면체의 형상으로 제공된다. 하우징(3210)의 측벽에는 기판(W)이 출입되는 반입구(도시되지 않음)가 형성된다. 반입구는 개방된 상태로 유지될 수 있다. 선택적으로 반입구를 개폐하도록 도어(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(3230), 그리고 반송 플레이트(3240)는 하우징(3210) 내에 제공된다. 냉각 유닛(3220) 및 가열 유닛(3230)은 제2 방향(14)을 따라 나란히 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각 유닛(3220)은 가열 유닛(3230)에 비해 반송 챔버(3400)에 더 가깝게 위치될 수 있다.
냉각 유닛(3220)은 냉각판(3222)을 가진다. 냉각판(3222)은 상부에서 바라볼 때 대체로 원형의 형상을 가질 수 있다. 냉각판(3222)에는 냉각부재(3224)가 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각부재(3224)는 냉각판(3222)의 내부에 형성되며, 냉각 유체가 흐르는 유로로 제공될 수 있다.
가열 유닛(3230)은 가열판(3232), 커버(3234), 그리고 히터(3233)를 가진다. 가열판(3232)은 상부에서 바라볼 때 대체로 원형의 형상을 가진다. 가열판(3232)은 기판(W)보다 큰 직경을 가진다. 가열판(3232)에는 히터(3233)가 설치된다. 히터(3233)는 전류가 인가되는 발열저항체로 제공될 수 있다. 가열판(3232)에는 제3 방향(16)을 따라 상하 방향으로 구동 가능한 리프트 핀(3238)들이 제공된다. 리프트 핀(3238)은 가열 유닛(3230) 외부의 반송 수단으로부터 기판(W)을 인수받아 가열판(3232) 상에 내려놓거나 가열판(3232)으로부터 기판(W)을 들어올려 가열 유닛(3230) 외부의 반송 수단으로 인계한다. 일 예에 의하면, 리프트 핀(3238)은 3개가 제공될 수 있다. 커버(3234)는 내부에 하부가 개방된 공간을 가진다.7 커버(3234)는 가열판(3232)의 상부에 위치되며 구동기(3236)에 의해 상하 방향으로 이동된다. 커버(3234)가 가열판(3232)에 접촉되면, 커버(3234)와 가열판(3232)에 의해 둘러싸인 공간은 기판(W)을 가열하는 가열 공간으로 제공된다.
반송 플레이트(3240)는 대체로 원판 형상을 제공되고, 기판(W)과 대응되는 직경을 가진다. 반송 플레이트(3240)의 가장자리에는 노치(3244)가 형성된다. 노치(3244)는 상술한 반송 로봇(3422, 3424)의 핸드(3420)에 형성된 돌기(3429)와 대응되는 형상을 가질 수 있다. 또한, 노치(3244)는 핸드(3420)에 형성된 돌기(3429)와 대응되는 수로 제공되고, 돌기(3429)와 대응되는 위치에 형성된다. 핸드(3420)와 반송 플레이트(3240)가 상하 방향으로 정렬된 위치에서 핸드(3420)와 반송 플레이트(3240)의 상하 위치가 변경하면 핸드(3420)와 반송 플레이트(3240) 간에 기판(W)의 전달이 이루어진다. 반송 플레이트(3240)는 가이드 레일(3249) 상에 장착되고, 구동기(3246)에 의해 가이드 레일(3249)을 따라 제1영역(3212)과 제2영역(3214) 간에 이동될 수 있다. 반송 플레이트(3240)에는 슬릿 형상의 가이드 홈(3242)이 복수 개 제공된다. 가이드 홈(3242)은 반송 플레이트(3240)의 끝단에서 반송 플레이트(3240)의 내부까지 연장된다. 가이드 홈(3242)은 그 길이 방향이 제2 방향(14)을 따라 제공되고, 가이드 홈(3242)들은 제1 방향(12)을 따라 서로 이격되게 위치된다. 가이드 홈(3242)은 반송 플레이트(3240)와 가열 유닛(3230) 간에 기판(W)의 인수인계가 이루어질 때 반송 플레이트(3240)와 리프트 핀(1340)이 서로 간섭되는 것을 방지한다.
기판(W)의 가열은 기판(W)이 지지 플레이트(1320) 상에 직접 놓인 상태에서 이루어지고, 기판(W)의 냉각은 기판(W)이 놓인 반송 플레이트(3240)가 냉각판(3222)에 접촉된 상태에서 이루어진다. 냉각판(3222)과 기판(W) 간에 열전달이 잘 이루어지도록 반송 플레이트(3240)는 열전달율이 높은 재질로 제공된다. 일 예에 의하면, 반송 플레이트(3240)은 금속 재질로 제공될 수 있다.
열처리 챔버들(3200) 중 일부의 열처리 챔버에 제공된 가열 유닛(3230)은 기판(W) 가열 중에 가스를 공급하여 포토레지스트의 기판(W) 부착률을 향상시킬 수 있다. 일 예에 의하면, 가스는 헥사메틸디실란(hexamethyldisilane) 가스일 수 있다.
액 처리 챔버(3600)는 복수 개로 제공된다. 액 처리 챔버들(3600) 중 일부는 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 도 3 및 도 4를 참조하면, 액 처리 챔버들(3600)은 반송 챔버(3402)의 일측에 배치된다. 액 처리 챔버들(3600)은 제1방향(12)을 따라 나란히 배열된다. 액 처리 챔버들(3600) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 이들 액처리 챔버를 전단 액처리 챔버(3602)(front liquid treating chamber)라 칭한다. 액 처리 챔버들(3600)은 중 다른 일부는 인터페이스 모듈(40)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 이들 액처리 챔버를 후단 액처리 챔버(3604)(rear heat treating chamber)라 칭한다.
전단 액처리 챔버(3602)는 기판(W)상에 제1액을 도포하고, 후단 액처리 챔버(3604)는 기판(W) 상에 제2액을 도포한다. 제1액과 제2액은 서로 상이한 종류의 액일 수 있다. 일 실시예에 의하면, 제1액은 반사 방지막이고, 제2액은 포토레지스트이다. 포토레지스트는 반사 방지막이 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액은 포토레지스트이고, 제2액은 반사방지막일 수 있다. 이 경우, 반사방지막은 포토레지스트가 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액과 제2액은 동일한 종류의 액이고, 이들은 모두 포토레지스트일 수 있다.
액 처리 챔버(3602, 3604)은 모두 동일한 구조를 가지며, 전단 액처리 챔버(3602)를 일 예로 설명한다. 도 9는 도 4의 액 처리 챔버의 일 예를 보여주는 단면도이다. 도 9를 참조하면, 전단 액처리 챔버(3602)는 기판 상에 액막을 형성하는 장치(800)로 제공된다. 전단 액처리 챔버(3602,800)는 하우징(810), 기류 제공 유닛(820), 기판 지지 유닛(830), 처리 용기(850), 승강 유닛(890), 액 공급 유닛(840), 그리고 제어기(900)를 포함한다.
하우징(810)은 내부에 공간(812)을 가지는 직사각의 통 형상으로 제공된다. 하우징(810)의 일측에는 개구(미도시)가 형성된다. 개구는 기판(W)이 반출입되는 입구로 기능한다. 개구에는 도어가 설치되며, 도어는 개구를 개폐한다. 도어는 기판 처리 공정이 진행되면, 개구를 차단하여 하우징(810)의 내부 공간(812)을 밀폐한다. 하우징(810)의 하부면에는 내측 배기구(814) 및 외측 배기구(816)가 형성된다. 하우징(810) 내에 형성된 기류는 내측 배기구(814) 및 외측 배기구(816)를 통해 외부로 배기된다. 일 예에 의하면, 처리 용기(850) 내에 제공된 기류는 내측 배기구(814)를 통해 배기되고, 처리 용기(850)의 외측에 제공된 기류는 외측 배기구(816)를 통해 배기될 수 있다.
기류 제공 유닛(820)은 하우징(810)의 내부 공간에 하강 기류를 형성한다. 기류 제공 유닛(820)은 기류 공급 라인(822), 팬(824), 그리고 필터(826)를 포함한다. 기류 공급 라인(822)은 하우징(810)에 연결된다. 기류 공급 라인(822)은 외부의 에어를 하우징(810)에 공급한다. 필터(826)는 기류 공급 라인(822)으로부터 제공되는 에어를 필터(826)링 한다. 필터(826)는 에어에 포함된 불순물을 제거한다. 팬(824)은 하우징(810)의 상부면에 설치된다. 팬(824)은 하우징(810)의 상부면에서 중앙 영역에 위치된다. 팬(824)은 하우징(810)의 내부 공간에 하강 기류를 형성한다. 기류 공급 라인(822)으로부터 팬(824)에 에어가 공급되면, 팬(824)은 아래 방향으로 에어를 공급한다.
기판 지지 유닛(830)은 하우징(810)의 내부 공간에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(830)은 기판(W)을 회전시킨다. 기판 지지 유닛(830)은 스핀척(832), 회전축(834), 그리고 구동기(836)를 포함한다. 스핀척(832)은 기판을 지지하는 기판 지지 부재(832)로 제공된다. 스핀척(832)은 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 스핀척(832)의 상면에는 기판(W)이 접촉한다. 스핀척(832)은 기판(W)보다 작은 직경을 가지도록 제공된다. 일 예에 의하면, 스핀척(832)은 기판(W)을 진공 흡입하여 기판(W)을 척킹할 수 있다. 선택적으로, 스핀척(832)은 정전기를 이용하여 기판(W)을 척킹하는 정전척으로 제공될 수 있다. 또한 스핀척(832)은 기판(W)을 물리적 힘으로 척킹할 수 있다.
회전축(834) 및 구동기(836)는 스핀척(832)을 회전시키는 회전 구동 부재(834,836)로 제공된다. 회전축(834)은 스핀척(832)의 아래에서 스핀척(832)을 지지한다. 회전축(834)은 그 길이방향이 상하방향을 향하도록 제공된다. 회전축(834)은 그 중심축을 중심으로 회전 가능하도록 제공된다. 구동기(836)는 회전축(834)이 회전되도록 구동력을 제공한다. 예컨대, 구동기(836)는 회전축(834)의 회전 속도를 가변 가능한 모터일 수 있다.
처리 용기(850)는 하우징(810)의 내부 공간(812)에 위치된다. 처리 용기(850)는 내부에 처리 공간을 제공한다. 처리 용기(850)는 상부가 개방된 컵 형상을 가지도록 제공된다. 처리 용기(850)는 내측 컵(852) 및 외측 컵(862)을 포함한다.
내측 컵(852)은 회전축(834)을 감싸는 원형의 판 형상으로 제공된다. 상부에서 바라볼 때 내측 컵(852)은 내측 배기구(814)와 중첩되도록 위치된다. 상부에서 바라볼 때 내측 컵(852)의 상면은 그 외측 영역과 내측 영역 각각이 서로 상이한 각도로 경사지도록 제공된다. 일 예에 의하면, 내측 컵(852)의 외측 영역은 기판 지지 유닛(830)으로부터 멀어질수록 하향 경사진 방향을 향하며, 내측 영역은 기판 지지 유닛(830)으로부터 멀어질수록 상향 경사진 방향을 향하도록 제공된다. 내측 컵(852)의 외측 영역과 내측 영역이 서로 만나는 지점은 기판(W)의 측단부와 상하 방향으로 대응되게 제공된다. 내측 컵(852)의 상면 외측 영역은 라운드지도록 제공된다. 내측 컵(852)의 상면 외측 영역은 아래로 오목하게 제공된다. 내측 컵(852)의 상면 외측 영역은 처리액이 흐르는 영역으로 제공될 수 있다.
외측 컵(862)은 기판 지지 유닛(830) 및 내측 컵(852)을 감싸는 컵 형상을 가지도록 제공된다. 외측 컵(862)은 바닥벽(864), 측벽(866), 상벽(870), 그리고 경사벽(870)을 가진다. 바닥벽(864)은 중공을 가지는 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 바닥벽(864)에는 회수 라인(865)이 형성된다. 회수 라인(865)은 기판(W) 상에 공급된 처리액을 회수한다. 회수 라인(865)에 의해 회수된 처리액은 외부의 액 재생 시스템에 의해 재사용될 수 있다. 측벽(866)은 기판 지지 유닛(830)을 감싸는 원형의 통 형상을 가지도록 제공된다. 측벽(866)은 바닥벽(864)의 측단으로부터 수직한 방향으로 연장된다. 측벽(866)은 바닥벽(864)으로부터 위로 연장된다.
경사벽(870)은 측벽(866)의 상단으로부터 외측 컵(862)의 내측 방향으로 연장된다. 경사벽(870)은 위로 갈수록 기판 지지 유닛(830)에 가까워지도록 제공된다. 경사벽(870)은 링 형상을 가지도록 제공된다. 경사벽(870)의 상단은 기판 지지 유닛(830)에 지지된 기판(W)보다 높게 위치된다.
승강 유닛(890)은 내측 컵(852) 및 외측 컵(862)을 각각 승강 이동시킨다. 승강 유닛(890)은 내측 이동 부재(892) 및 외측 이동 부재(894)를 포함한다. 내측 이동 부재(892)는 내측 컵(852)을 승강 이동 시키고, 외측 이동 부재(894)는 외측 컵(862)을 승강 이동시킨다.
액 공급 유닛(840)은 기판(W) 상에 감광액, 프리 웨트액, 제거액(L1), 그리고 세정액(L2)을 공급한다. 액 공급 유닛(840)은 프리 웨트 노즐(842), 감광액 노즐(844), 제거액 노즐(920), 그리고 세정액 노즐(940)을 포함한다. 프리 웨트 노즐(842)은 프리 웨트액을 공급하고, 감광액 노즐(844)은 감광액을 공급한다. 예컨대, 프리 웨트액은 기판(W)의 표면을 처리액과 유사 또는 동일한 성질을 변화시킬 수 있는 액일 수 있다. 프리 웨트액은 기판(W)의 표면을 소수성 성질로 변화시킬 수 있다. 감광액 노즐(844)은 복수 개로 제공되며, 이들은 서로 다른 종류의 감광액을 공급한다. 감광액 노즐(844)들과 프리 웨트 노즐(842)은 아암에 함께 설치된다. 감광액 노즐(844)들은 프리 웨트 노즐(842)을 사이에 두고 일렬로 배치되게 설치될 수 있다. 프리 웨트액과 감광액은 기판(W)의 중심에 공급될 수 있다.
제거액 노즐(920)은 제거액(L1)을 공급한다. 제거액(L1)은 감광액의 액막을 제거시키는 액으로 제공된다. 제거액(L1)은 액막의 가장자리 영역을 제거한다. 제거액 노즐(920)의 토출구는 하향 경사진 방향을 향하도록 제공된다. 제거액 노즐(920)의 토출구는 기판(W)의 중심축에 가까워질수록 하향 경사진 방향을 향하도록 제공될 수 있다. 이는 제거액(L1)이 토출되는 과정에서 일부가 토출 방향과 상이한 방향으로 비산될지라도, 그 비산액이 토출 영역을 벗어나는 것을 방지하기 위함이다.
세정액 노즐(940)은 세정액(L2)을 공급한다. 프리 웨트 노즐(842), 감광액 노즐(844), 그리고 제거액 노즐(920)은 기판(W)의 상면으로 액을 공급하는 반면, 세정액 노즐(940)은 기판(W)의 저면으로 액을 공급한다. 세정액(L2)은 기판(W)의 저면을 세정 처리한다. 세정액(L2)은 기판(W)의 상면으로부터 흘러 경화되거나, 기판(W)의 저면에 부착된 이물을 제거한다. 세정액(L2)의 공급은 제거액(L1)의 공급이 완료된 이후에 수행된다. 세정액(L2)이 공급될 때와 제거액(L1)이 공급될 때는 판의 회전 속도가 서로 달리 적용될 수 있다. 예컨대, 기판(W)의 회전 속도는 세정액(L2)이 공급될 때보다 제거액(L1)이 공급될 때에 더 빠를 수 있다. 제거액(L1)과 세정액(L2)은 서로 상이한 종류의 신나일 수 있다. 선택적으로 제거액(L1)과 세정액(L2)은 서로 상이한 종류의 액으로 제공될 수 있다.
제어기(900)는 기판 지지 유닛(830) 및 액 공급 유닛을 제어한다. 제어기(900)는 프리 웨트액, 감광액, 제거액(L1), 그리고 세정액(L2)이 순차적으로 공급되도록 각 노즐을 제어한다. 또한 각각의 액이 순차 공급되는 중에 기판(W)의 회전 속도가 달리 제공되도록 구동기(836)를 제어할 수 있다. 제어기(900)는 제거액(L1)을 공급할 때 기판(W)을 제1속도(V1)로 회전시키고, 세정액(L2)을 공급할 때 기판(W)을 제2속도(V2)로 회전시킬 수 있다. 제1속도(V1)는 제2속도(V2)보다 빠른 속도일 수 있다. 제1속도(V1)는 1500 알피엠(RPM) 이상으로 제공되고, 제2속도(V2)는 1000 알피엠 (RPM) 이하로 제공될 수 있다.
다음은 상술한 기판 처리 장치를 이용하여 기판(W)을 처리하는 방법을 설명한다. 도 10은 도 9의 장치를 이용하여 기판을 액 처리하는 과정을 보여주는 플로우 차트이고, 도 11 내지 도 15는 도 10의 각 단계를 보여주는 도면들이다. 도 10 내지 도 15를 참조하면, 프리 웨트 액은 회전되는 기판(W) 상에 공급되어 기판(W)의 표면 성질을 변화시킨다. 프리 웨트 액은 기판(W)의 표면과 감광액 간의 부착력을 향상시킨다. 기판(W)의 표면 성질이 변화되면, 프리 웨트 액의 공급을 중지하고, 감광액을 공급하는 감광액 공급 단계가 수행된다.
감광액 공급 단계에는 감광액을 기판(W)의 중심에 공급된다. 감광액이 공급되는 과정에서 기판(W)의 회전 속도는 가속과 감속이 이루어지며, 기판(W)의 전체 영역에는 균일한 감광액의 액막이 형성된다. 감광액 공급 단계가 완료되면, 감광액의 공급을 중지하고, 제거액(L1) 공급 단계가 수행된다.
제거액(L1) 공급 단계에는 제거액 노즐(920)이 기판(W)과 이격된 위치에서 제거액(L1)의 토출을 시작한다. 이는 제거액(L1)의 토출 초기 시 토출 헌팅으로 인해 기판(W)의 비공급 영역에 제거액(L1)이 탄착되는 것을 방지하기 위함이다. 일 예에 의하면, 제거액(L1)은 기판(W)의 중심축에 가까워질수록 하향 경사진 방향으로 토출될 수 있다. 제거액 노즐(920)은 제거액(L1)을 토출하는 상태로 기판(W)에 가까워지도록 이동된다. 제거액 노즐(920)은 제거액(L1)이 기판(W)의 가장자리 영역에 탄착되면, 이동을 중지하고, 액막을 제거한다. 이때 기판(W)은 제1속도(V1)로 회전될 수 있다. 제거액(L1)이 액막을 제거하는 공정은 5초이거나 그 미만일 수 있다. 액막 제거가 완료되면, 제거액 노즐(920)은 제거액(L1)을 토출한 상태에서 기판(W)과 멀어지도록 이동된다. 이는 제거액(L1)의 공급을 중지하는 과정에서 제거액(L1)이 비공급 영역에 탄착되는 것을 방지하기 위함이다. 제거액 노즐(920)은 기판(W)과 이격된 위치로 이동되면, 제거액(L1)의 공급을 중지하고, 제거액(L1) 공급 단계를 종료한다.
제거액(L1) 공급 단계가 종료되면, 세정액(L2) 공급 단계를 수행한다. 세정액(L2) 공급 단계에는 기판(W)의 저면으로 세정액(L2)을 공급한다. 이때 기판(W)은 제1속도(V1)보다 느린 제2속도(V2)로 회전된다. 이러한 기판(W)의 회전 속도는 세정액(L2)이 기판(W)으로부터 비산되는 것을 최소화할 수 있고, 주변 장치의 오염 및 기판(W)의 역 오염을 방지할 수 있다. 세정액(L2)을 공급하는 공정은 제거액(L1)이 액막을 제거하는 공정과 동일한 시간동안 진행되거나, 그보다 짧게 수행될 수 있다.
상술한 실시예에는 제거액(L1) 공급 단계와 세정액(L2) 공급 단계가 서로 다른 시계열적 순서로 진행된다. 이로 인해 제거액(L1)과 세정액(L2)이 서로 비산되어 주변 오염 및 기판(W)의 역오염을 방지할 수 있다. 뿐만 아니라, 기판(W)은 제거액(L1) 공급 단계에서 세정액(L2) 공급 단계보다 고속으로 회전된다. 이로 인해 액막이 중심측으로 이동되어 불균일해지는 것을 방지할 수 있다.
또한 기판(W)은 세정액(L2) 공급 단계에서 제거액(L1) 공급 단계보다 저속으로 회전된다. 이로 인해 세정액(L2)의 비산을 최소화할 수 있다.
다시 도 4 및 도 5를 참조하면, 버퍼 챔버(3800)는 복수 개로 제공된다. 버퍼 챔버들(3800) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 반송 챔버(3400) 사이에 배치된다. 이하, 이들 버퍼 챔버를 전단 버퍼(3802)(front buffer)라 칭한다. 전단 버퍼들(3802)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 버퍼 챔버들(3802, 3804) 중 다른 일부는 반송 챔버(3400)와 인터페이스 모듈(40) 사이에 배치된다 이하. 이들 버퍼 챔버를 후단 버퍼(3804)(rear buffer)라 칭한다. 후단 버퍼들(3804)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 전단 버퍼들(3802) 및 후단 버퍼들(3804) 각각은 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 전단 버퍼(3802)에 보관된 기판(W)은 인덱스 로봇(2200) 및 반송 로봇(3422)에 의해 반입 또는 반출된다. 후단 버퍼(3804)에 보관된 기판(W)은 반송 로봇(3422) 및 제1로봇(4602)에 의해 반입 또는 반출된다.
현상 블럭(30b)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)를 가진다. 현상 블럭(30b)의 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)는 도포 블럭(30a)의 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)와 대체로 유사한 구조 및 배치로 제공되므로, 이에 대한된다. 다만, 현상 블록(30b)에서 액처리 챔버들(3600)은 모두 동일하게 현상액을 공급하여 기판을 현상 처리하는 현상 챔버(3600)로 제공된다.
인터페이스 모듈(40)은 처리 모듈(30)을 외부의 노광 장치(50)와 연결한다. 인터페이스 모듈(40)은 인터페이스 프레임(4100), 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)를 가진다.
인터페이스 프레임(4100)의 상단에는 내부에 하강기류를 형성하는 팬필터유닛이 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)는 인터페이스 프레임(4100)의 내부에 배치된다. 부가 공정 챔버(4200)는 도포 블럭(30a)에서 공정이 완료된 기판(W)이 노광 장치(50)로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)는 노광 장치(50)에서 공정이 완료된 기판(W)이 현상 블럭(30b)으로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 일 예에 의하면, 부가 공정은 기판(W)의 에지 영역을 노광하는 에지 노광 공정, 또는 기판(W)의 상면을 세정하는 상면 세정 공정, 또는 기판(W)의 하면을 세정하는 하면 세정공정일 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 복수 개가 제공되고, 이들은 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 모두 동일한 공정을 수행하도록 제공될 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)들 중 일부는 서로 다른 공정을 수행하도록 제공될 수 있다.
인터페이스 버퍼(4400)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 반송되는 기판(W)이 반송도중에 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 인터페이스 버퍼(4400)는 복수 개가 제공되고, 복수의 인터페이스 버퍼들(4400)은 서로 적층되게 제공될 수 있다.
일 예에 의하면, 반송 챔버(3400)의 길이 방향의 연장선을 기준으로 일 측면에는 부가 공정 챔버(4200)가 배치되고, 다른 측면에는 인터페이스 버퍼(4400)가 배치될 수 있다.
반송 부재(4600)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송한다. 반송 부재(4600)는 1개 또는 복수 개의 로봇으로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 반송 부재(4600)는 제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)을 가진다. 제1로봇(4602)은 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 그리고 인터페이스 버퍼(4400) 간에 기판(W)을 반송하고, 인터페이스 로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4400)와 노광 장치(50) 간에 기판(W)을 반송하고, 제2로봇(4604)은 인터페이스 버퍼(4400)와 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송하도록 제공될 수 있다.
제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)은 각각 기판(W)이 놓이는 핸드를 포함하며, 핸드는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)에 평행한 축을 기준으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다.
인덱스 로봇(2200), 제1로봇(4602), 그리고 제2 로봇(4606)의 핸드는 모두 반송 로봇(3422, 3424)의 핸드(3420)와 동일한 형상으로 제공될 수 있다. 선택적으로 열처리 챔버의 반송 플레이트(3240)와 직접 기판(W)을 주고받는 로봇의 핸드는 반송 로봇(3422, 3424)의 핸드(3420)와 동일한 형상으로 제공되고, 나머지 로봇의 핸드는 이와 상이한 형상으로 제공될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 인덱스 로봇(2200)은 도포 블럭(30a)에 제공된 전단 열처리 챔버(3200)의 가열 유닛(3230)과 직접 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공된다.
또한, 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)에 제공된 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200)에 위치된 반송 플레이트(3240)와 직접 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공될 수 있다.
다음에는 상술한 기판 처리 장치(1)를 이용하여 기판을 처리하는 방법의 일 실시예에 대해 설명한다.
기판(W)에 대해 도포 처리 공정(S20), 에지 노광 공정(S40), 노광 공정(S60), 그리고 현상 처리 공정(S80)이 순차적으로 수행된다.
도포 처리 공정(S20)은 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S21), 전단 액처리 챔버(3602)에서 반사방지막 도포 공정(S22), 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S23), 후단 액처리 챔버(3604)에서 포토레지스트막 도포 공정(S24), 그리고 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S25)이 순차적으로 이루어짐으로써 수행된다.
이하, 용기(10)에서 노광 장치(50)까지 기판(W)의 반송 경로의 일 예를 설명한다.
인덱스 로봇(2200)은 기판(W)을 용기(10)에서 꺼내서 전단 버퍼(3802)로 반송한다. 반송 로봇(3422)은 전단 버퍼(3802)에 보관된 기판(W)을 전단 열처리 챔버(3200)로 반송한다. 기판(W)은 반송 플레이트(3240)에 의해 가열 유닛(3230)에 기판(W)을 반송한다. 가열 유닛(3230)에서 기판의 가열 공정이 완료되면, 반송 플레이트(3240)는 기판을 냉각 유닛(3220)으로 반송한다. 반송 플레이트(3240)는 기판(W)을 지지한 상태에서, 냉각 유닛(3220)에 접촉되어 기판(W)의 냉각 공정을 수행한다. 냉각 공정이 완료되면, 반송 플레이트(3240)가 냉각 유닛(3220)의 상부로 이동되고, 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200)에서 기판(W)을 반출하여 전단 액처리 챔버(3602)로 반송한다.
전단 액처리 챔버(3602)에서 기판(W) 상에 반사 방지막을 도포한다.
반송 로봇(3422)이 전단 액처리 챔버(3602)에서 기판(W)을 반출하여 열처리 챔버(3200)로 기판(W)을 반입한다. 열처리 챔버(3200)에는 상술한 가열 공정 및 냉각 공정 순차적으로 진행되고, 각 열처리 공정이 완료되면, 반송 로봇(3422)은 기판(W)을 반출하여 후단 액처리 챔버(3604)로 반송한다.
이후, 후단 액처리 챔버(3604)에서 기판(W) 상에 포토레지스트막을 도포한다.
반송 로봇(3422)이 후단 액처리 챔버(3604)에서 기판(W)을 반출하여 열처리 챔버(3200)으로 기판(W)을 반입한다. 열처리 챔버(3200)에는 상술한 가열 공정 및 냉각 공정이 순차적으로 진행되고, 각 열처리 공정이 완료되면, 반송 로봇(3422)은 기판(W)을 후단 버퍼(3804)로 반송한다. 인터페이스 모듈(40)의 제1로봇(4602)이 후단 버퍼(3804)에서 기판(W)을 반출하여 보조 공정챔버(4200)로 반송한다.
보조 공정챔버(4200)에서 기판(W)에 대해 에지 노광 공정이 수행된다.
이후, 제1로봇(4602)이 보조 공정챔버(4200)에서 기판(W)을 반출하여 인터페이스 버퍼(4400)로 기판(W)을 반송한다.
이후, 제2로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4400)에서 기판(W)을 반출하여 노광 장치(50)로 반송한다.
현상 처리 공정(S80)은 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S81), 액처리 챔버(3600)에서 현상 공정(S82), 그리고 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S83)이 순차적으로 이루어짐으로써 수행된다.
이하, 노광 장치(50)에서 용기(10)까지 기판(W)의 반송 경로의 일 예를 설명한다,
제2로봇(4606)이 노광 장치(50)에서 기판(W)을 반출하여 인터페이스 버퍼(4400)로 기판(W)을 반송한다.
이후, 제1로봇(4602)이 인터페이스 버퍼(4400)에서 기판(W)을 반출하여 후단 버퍼(3804)로 기판(W)을 반송한다. 반송 로봇(3422)은 후단 버퍼(3804)에서 기판(W)을 반출하여 열처리 챔버(3200)로 기판(W)을 반송한다. 열처리 챔버(3200)에는 기판(W)의 가열 공정 및 냉각 공정이 순차적으로 수행한다. 냉각 공정이 완료되면, 기판(W)은 반송 로봇(3422)에 의해 현상 챔버(3600)로 반송한다.
현상 챔버(3600)에는 기판(W) 상에 현상액을 공급하여 현상 공정을 수행한다.
기판(W)은 반송 로봇(3422)에 의해 현상 챔버(3600)에서 반출되어 열처리 챔버(3200)로 반입된다. 기판(W)은 열처리 챔버(3200)에서 가열 공정 및 냉각 공정이 순차적으로 수행된다. 냉각 공정이 완료되면, 기판(W)은 반송 로봇(3422)에 의해 열처리 챔버(3200)에서 기판(W)을 반출되어 전단 버퍼(3802)로 반송한다.
이후, 인덱스 로봇(2200)이 전단 버퍼(3802)에서 기판(W)을 꺼내어 용기(10)로 반송한다.
상술한 기판 처리 장치(1)의 처리 블럭은 도포 처리 공정과 현상 처리 공정을 수행하는 것으로 설명하였다. 그러나 이와 달리 기판 처리 장치(1)는 인터페이스 모듈 없이 인덱스 모듈(20)과 처리 블럭(37)만을 구비할 수 있다. 이 경우, 처리 블럭(37)은 도포 처리 공정만을 수행하고, 기판(W) 상에 도포되는 막은 스핀 온 하드마스크막(SOH)일 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 상술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
842: 프리 웨트 노즐 844: 감광액 노즐
920: 제거액 노즐 940: 세정액 노즐
L1: 제거액 L2: 세정액

Claims (11)

  1. 기판을 액 처리하는 방법에 있어서,
    상기 기판 상에 액막이 형성되도록 감광액을 도포하는 감광액 공급 단계와;
    상기 액막의 일부가 제거되도록 제거액을 공급하는 제거액 공급 단계와;
    상기 액막이 형성된 상기 기판의 반대면으로 세정액을 공급하는 세정액 공급 단계를 포함하되,
    상기 제거액 공급 단계와 상기 세정액 공급 단계는 어느 하나의 단계가 완료된 이후에 다른 단계가 수행되는 기판 처리 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제거액 공급 단계 이후에 상기 세정액 공급 단계가 수행되는 기판 처리방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제거액 공급 단계와 상기 세정액 공급 단계에는 서로 다른 속도로 상기 기판을 회전시키는 기판 처리 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제거액 공급 단계에는 상기 기판을 제1속도로 회전시키고, 상기 세정액 공급 단계에는 상기 기판을 제2속도로 회전시키되,
    상기 제1속도는 상기 제2속도보다 빠른 속도로 제공되는 기판 처리 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제1속도는 1500 알피엠(RPM) 이상으로 제공되고,
    상기 제2속도는 1000 알피엠 (RPM) 이하로 제공되는 기판 처리 방법.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제거액과 상기 세정액은 서로 상이한 종류의 신나로 제공되는 기판 처리 방법.
  7. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제거액과 상기 세정액은 서로 상이한 종류의 액으로 제공되는 기판 처리 방법.
  8. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    기판을 지지 및 회전시키는 기판 지지 유닛과;
    상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 액을 공급하는 액 공급 유닛과;
    상기 기판 지지 유닛 및 상기 액 공급 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되,
    상기 액 공급 유닛은,
    기판 상에 감광액의 액막이 형성되도록 감광액을 공급하는 감광액 노즐과;
    상기 액막을 제거하는 제거액을 공급하는 제거액 노즐과;
    상기 액막이 형성된 기판의 반대면에 세정액을 공급하는 세정액 노즐을 포함하되,
    상기 제어기는 상기 제거액의 공급과 상기 세정액의 공급 중 어느 하나가 완료된 이후에 다른 하나가 수행되도록 상기 액 공급 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제어기는 상기 제거액을 공급한 후에 상기 세정액이 공급되도록 상기 액 공급 유닛을 제어하고,
    상기 제어기는 상기 제거액이 공급되는 중에 기판을 제1속도로 회전시키고, 상기 세정액이 공급되는 중에 기판을 제2속도로 회전시키되,
    상기 제1속도는 상기 제2속도보다 빠른 속도로 제공되는 기판 처리 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제어기는 상기 제거액이 상기 액막의 가장자리 영역을 제거하도록 상기 제거액 노즐을 제어하는 기판 처리 장치.
  11. 제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제거액과 상기 세정액은 서로 상이한 종류의 신나로 제공되는 기판 처리 장치.







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