JP2001044100A - 基板の現像処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板の現像処理方法において，基板面内にて
均一に現像処理が行われる現像処理方法を提供する。 【解決手段】 現像処理方法の工程Ｓ４において，現像
液の供給を停止し，ウェハＷの回転数を１０００ｒｐｍ
とし，ウェハＷ上の純水と現像液との混合液の量を遠心
力によって減少させながら，ウェハＷ上に純水と現像液
との混合液の均一な薄膜を形成させる。その後工程Ｓ５
でウェハＷに現像液を供給し，工程Ｓ６で現像する。前
記工程Ｓ４で薄膜を形成することによって，基板全面で
混合液濃度に斑が無く，基板面内で現像処理が均一に行
われる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は，基板の現像処理方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば半導体製造プロセスにおけるレジ
スト処理工程においては，半導体ウェハ（以下，「ウェ
ハ」という。）などの基板の表面にレジスト液を塗布し
てレジスト膜を形成し，露光装置によって所定のパター
ンを露光する。その後，上記のパターンに応じたレジス
トパターンを得るため，ウェハに現像液を塗布して現像
処理を行っている。

【０００３】ここで従来のフォトレジストを現像する現
像処理方法の例を示すと，先ずウェハをスピンチャック
上に真空吸着によって保持する。そして，ウェハを低速
で回転させつつ，ウェハの上面に現像液を供給し，表面
張力により現像液を液盛りする。しかる後に，回転を停
止させ，ウェハを所定時間静止させて現像する。現像終
了後，ウェハを再び回転させて，ウェハの表面に純水を
供給して洗浄する。最後に，ウェハを高速度で回転させ
て，ウェハ表面の水分を振り切りながら乾燥させて現像
処理を行っていた。

【０００４】しかし，上述のように現像液がレジスト膜
表面に直接供給されると，現像液中に存在する微少な気
泡や，現像液がレジストに接触する際に発生する微少な
気泡がレジスト膜に付着し，部分的に現像が行われ無く
なる等の現像欠陥を引き起こすことがあった。

【０００５】そのため従来は現像液を供給する前に，ウ
ェハ表面に純水と現像液を順に供給して，純水から純水
と現像液との混合液に置換しながら，ウェハ上に当該混
合液による液膜を形成し，その後続けて現像液を供給し
て，ウェハ上の混合液を現像液に置換するようにして，
現像のための現像液がいきなりレジスト膜に接触するこ
とを防止していた。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら，始めに
ウェハの表面に供給された純水を現像液濃度の高い混合
液へ置換するには，置換自体に時間がかかり好ましくな
い。また，置換自体がウェハ全面において均一に行われ
ないため，均一な現像処理がされないおそれがあった。

【０００７】本発明は，かかる点に鑑みてなされたもの
であり，基板の現像処理において，ウェハ面内にて均一
に現像処理を行うことのできる基板の現像処理方法を提
供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明は，基板
に現像液を供給して，現像処理を行う現像処理方法であ
って，前記基板の表面に実質的な純水を供給する第１工
程と，その後前記基板を回転させて前記基板上の前記純
水の量を減少させつつ，純水の薄膜を前記基板の表面に
形成する第２工程と，その後前記基板に現像液を供給し
て基板上に現像液の液盛りをする第３工程とを有するこ
とを特徴とする基板の現像処理方法を提供する。ここで
液盛りとは，供給された薬液が表面張力によって基板上
で盛り上って溜まることをいい，液膜とは，基板を回転
しながら薬液を供給したときにできる，液盛りより薄い
基板上の薬液の膜をいい，薄膜とは，基板上の液膜を遠
心力によって飛ばして形成された液膜よりさらに薄い膜
をいう。

【０００９】この請求項１の発明によれば，基板の表面
に現像液を供給する前に，純水を供給し，その後基板を
回転させて前記純水の量を減少させつつ，基板表面に前
記純水の薄膜を形成している。そのため現像液供給時
に，現像液中に存在する微少な気泡や現像液がレジスト
膜に接触する際発生する微少な気泡がレジスト膜に付着
することを防止できる。また基板全面に渡り均一な前記
純水の薄膜を形成するため，基板面内での現像処理が均
一に行われる。

【００１０】請求項２の発明は，基板に現像液を供給し
て，現像処理を行う現像処理方法であって，前記基板の
表面に実質的な純水を供給する第１工程と，その後前記
基板の表面に現像液を供給して，前記純水と混合する第
２工程と，その後前記基板を回転させて，前記基板上の
現像液と純水の混合液の量を減少させつつ，前記基板の
表面上に前記混合液の薄膜を形成する第３工程と，前記
基板に現像液を供給して基板上に現像液の液盛りをする
第４工程を有することを特徴とする基板の現像処理方法
を提供する。

【００１１】この請求項２の発明によれば，基板に現像
液を供給し液盛りする前に，基板表面に純水と現像液を
順に供給し，その後基板を回転させつつ，その純水と現
像液の混合液の量を減少させて，基板の表面に前記混合
液の薄膜を形成する。そのため，現像液を供給して液盛
りする時に，現像液中に存在する微少な気泡や，現像液
がレジスト膜表面と接触する際に発生する微少な気泡
が，レジスト膜に付着することを防止できる。また基板
を回転させて，混合液をとばして混合液の薄膜を形成す
るために，基板全面で混合液濃度に斑が無く，基板面内
で現像処理が均一に行われる。

【００１２】かかる請求項２の発明においては，請求項
３のように，前記第２工程において，現像液と純水が混
合されたところで，現像液の供給を一旦停止しても良
い。

【００１３】このように，現像液の供給を一旦停止する
ため，前記第３工程における前記混合液の薄膜の形成が
効率よく行われる。

【００１４】請求項４の発明によれば，基板に現像液を
供給して，現像処理を行う現像処理方法であって，前記
基板を回転させつつ基板表面に実質的な純水を供給する
第１工程と，第１工程で使用した回転数以上の回転によ
り前記基板表面上の純水を振り切りつつ現像液を吐出
し，前記純水と前記現像液とを混合液化させたところで
現像液の供給を止める第２工程と，前記混合液を前記第
２工程での回転数を維持した状態で振り切り，前記基板
の表面上に前記混合液の薄膜を形成する第３工程と，前
記基板に現像液を供給して基板上に現像液を液盛りをす
る第４工程とを有することを特徴とする基板の現像処理
方法が提供される。

【００１５】かかる請求項２又は３の発明においては，
請求項５のように，前記基板を回転させて前記混合液を
減少させる際に，回転数を一定にしたり，請求項６のよ
うに，前記回転の回転数を変化させるようにしても良
い。

【００１６】このように，前記基板を回転させて前記混
合液を減少させる際に，回転数を一定もしくは変化させ
ることによって，必要に応じて薄膜の厚さをコントロー
ルでき，基板全面でより均一な混合液の薄膜を形成でき
るため，基板面内で現像処理が均一に行われる。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下，添付図面を参照して，本発
明の好ましい実施の形態について説明する。

【００１８】図１は，本実施の形態にかかる基板の現像
処理方法に使用する現像処理装置が組み込まれている塗
布現像処理システム１の平面図であり，図２は，塗布現
像処理システム１の正面図であり，図３は，塗布現像処
理システム１の背面図である。

【００１９】塗布現像処理システム１は，図１に示すよ
うに，例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部か
ら塗布現像処理システム１に対して搬入出したり，カセ
ットＣに対してウェハＷを搬入出したりするカセットス
テーション２と，塗布現像処理工程の中で枚葉式に所定
の処理を施す各種処理装置を多段配置してなる処理ステ
ーション３と，この処理ステーション３に隣接して設け
られている露光装置（図示せず）との間でウェハＷの受
け渡しをするインタフェイス部４とを一体に接続した構
成を有している。

【００２０】カセットステーション２では，載置部とな
るカセット載置台５上の位置決め突起６の位置に例えば
４個の各カセットＣがウェハＷの出入り口を処理ステー
ション３側に向けて，Ｘ方向（図１中の上下方向）一列
に載置自在となっている。そして，このカセット配列方
向（Ｘ方向）とカセットＣに収容されたウェハＷのウェ
ハ配列方向（Ｚ方向；鉛直方向）に対して移送可能なウ
ェハ搬送体７が搬送路８に沿って移動自在に設けられて
おり，各カセットＣに対して選択的にアクセスできるよ
うになっている。

【００２１】ウェハ搬送体７は，θ方向（Ｚ軸を中心と
する回転方向）にも回転自在に構成されており，後述す
るように処理ステーション３側の第３の処理装置群G３
に属するアライメント装置３２とエクステンション装置
３３に対してもアクセスできるように構成されている。

【００２２】処理ステーション３では，その中心部に主
搬送装置１３が設けられており，主搬送装置１３の周辺
には各種処理装置が多段に配置されて処理装置群を構成
している。該塗布現像処理システム１においては，５つ
の処理装置群G1，G2，G3，G4，G5が配置可能であり，第
１及び第２の処理装置群G1，G2は現像処理システム１の
正面側に配置され，第３の処理装置群G3は，カセットス
テーション２に隣接して配置され，第４の処理装置群G4
は，インターフェイス部４に隣接して配置されて，さら
にオプションとして波線で示した第５の処理装置群G5は
背面側に別途配置可能となっている。

【００２３】第１の処理装置群G1では図２に示すよう
に，２種類のスピンナ型処理装置，例えばウェハＷに対
してレジストを塗布して処理するレジスト塗布装置１５
と，本実施の形態にかかる現像処理方法に使用するウェ
ハＷに現像液を供給して処理する現像処理装置１６が下
から順に２段に配置されている。第２の処理装置群G2の
場合も同様に，レジスト塗布装置１７と，現像処理装置
１８とが下から順に２段に積み重ねられている

【００２４】第３の処理装置群G3では，図３に示すよう
に，ウェハＷを載置台に乗せて所定の処理を施すオーブ
ン型の処理装置，例えば冷却処理を行うクーリング装置
３０，レジスト液とウェハＷとの定着性を高めるための
アドヒージョン装置３１，ウェハＷの位置合わせを行う
アライメント装置３２，ウェハＷを待機させるエクステ
ンション装置３３，露光処理前の加熱処理を行うプリベ
ーキング装置３４，３５及び現像処理後の加熱処理を施
すポストベーキング装置３６，３７等が下から順に例え
ば８段に重ねられている。

【００２５】第４の処理装置群G4では，例えばクーリン
グ装置４０，載置したウェハＷを自然冷却させるエクス
テンション・クーリング装置４１，エクステンション装
置４２，クーリング装置４３，露光処理後のウェハＷを
加熱処理するポストエクスポージャーベーキング装置４
４，４５，ポストベーキング装置４６，４７等が下から
順に例えば８段に積み重ねられている。

【００２６】次に，インターフェイス部４の中央部には
ウェハ搬送体５０が設けられている。このウェハ搬送体
５０はＸ方向（図１中の上下方向），Ｚ方向（垂直方
向）の移動とθ方向（Ｚ軸を中心とする回転方向）の回
転が自在にできるように構成されており，第４の処理装
置群G4に属するエクステンション・クーリング装置４
１，エクステンション装置４２，周辺露光装置５１及び
露光装置（図示せず）に対してアクセスできるように構
成されている。

【００２７】本実施の形態にかかる現像処理方法に使用
する現像処理装置１６は，図４に示すように，ケーシン
グ６１内において，上面が開口した環状のカップ６２
と，カップ６２内にてウェハＷを水平に載置するスピン
チャック６３と，現像液をウェハＷに対して供給する現
像液供給ノズル６４と，リンス液としての純水をウェハ
Ｗに対して供給する純水供給ノズル６５とを備えてい
る。

【００２８】カップ６２は底面６６が傾斜しており，底
面６６の最下部にはカップ６２内で飛散した現像液を排
液する排液管６７が接続されている。スピンチャック６
３を挟んで，前記排液管６７の反対側には，カップ６２
内部の雰囲気を排気する排気管６８が接続されている。
なお，スピンチャック６３に保持されたウェハＷの下方
には，ウェハＷの裏面を洗浄するために裏面洗浄ノズル
６９が設けられている。

【００２９】スピンチャック６３は，ウェハＷを載置面
に吸着保持するように構成されており，カップ６２下方
に設けられたモータ７０と支柱７１を介して接続されて
いる。モータ７０は，制御装置８０によって制御できる
ように構成されている。従って，この制御装置８０の命
令によってウェハＷの回転数を変化させることができ
る。スピンチャック６３は図示しない昇降機構により昇
降自在となっている。

【００３０】現像供給ノズル６４は，図５に示すように
カップ６２の上方に，アーム７２によって吊り下げられ
ている。このアーム７２には駆動機構（図示せず）が取
り付けられており，これらの駆動機構（図示せず）によ
って，アーム７２は，ケーシング６１の壁面に沿って設
けられている搬送レール７５に沿って，往復矢印で示す
水平方向に移動自在である。かかる構成によって，現像
液供給ノズル６４は，ウェハＷ上を平行に移動自在とな
り，現像処理の各工程に応じて移動する。また現像供給
ノズル６４上面には現像液を現像供給ノズル６４に供給
するための現像液供給管７６が取り付けられている。

【００３１】また純水供給ノズル６５は，図５に示すよ
うに，現像供給ノズル６４と同様，駆動機構（図示しな
い）を備えたアーム７３により吊り下げられている。純
水供給ノズル６５は，前記アーム７３によって，搬送レ
ール７５に沿って往復矢印で示す水平方向に移動自在と
なっている。また純水供給ノズル６５は，図示しない純
水供給源と純水送液管７７を介して接続されている。

【００３２】次に以上のように構成された現像処理装置
１６を用いた現像処理方法の作用を，塗布現像処理シス
テム１で行われるウェハＷの塗布現像処理のプロセスと
共に説明する。

【００３３】先ず，ウェハ搬送体７がカセットＣから未
処理のウェハＷを１枚取りだし，第３の処理装置群G3に
属するアライメント装置３２に搬入する。次いで，アラ
イメント装置３２にて位置合わせの終了したウェハＷ
は，主搬送装置１３によって，アドヒージョン装置３
１，クーリング装置３０，レジスト塗布装置１５又１
７，プリベーキング装置３３又は３４に順次搬送され，
所定の処理が施される。その後，ウェハＷは，エクステ
ンション・クーリング装置４１に搬送される。

【００３４】次いで，ウェハＷはエクステンション・ク
ーリング装置４１からウェハ搬送体５０によって取り出
され，その後，周辺露光装置５１を経て露光装置（図示
せず）に搬送される。露光処理の終了したウェハＷは，
ウェハ搬送体５０によりエクステンション装置４２に搬
送された後，主搬送装置１３に保持される。次いで，こ
のウェハＷはポストエクスポージャベーキング装置４４
又は４５，クーリング装置４３に順次搬送され，これら
の処置装置にて所定の処理が施された後，現像処理装置
１６又は１８に搬送される。

【００３５】次に現像処理装置１６に搬入されたウェハ
Ｗの現像処理方法を図６のフローに従って説明する。

【００３６】先ず前処理の終了したウェハＷは，主搬送
体１３によって現像処理装置１６内に搬送され，スピン
チャック６３に吸着保持される。この時，純水供給ノズ
ル６５はホーム位置７８からウェハＷの中心へ移動する
（図６に示す工程Ｓ１）。

【００３７】次に，スピンチャック６３上のウェハＷを
２０ｒｐｍ（図６中のＮは回転数（ｒｐｍ）を示す）程
度の低速度で回転させ，純水供給ノズル６５から（例え
ば８秒間）ウェハＷ表面に純水が供給される。この時，
ウェハ表面には，供給された純水が液盛りされている
（工程Ｓ２）。

【００３８】所定時間純水を供給した後，純水の供給を
停止し，ホーム位置７８から現像供給ノズル６４がウェ
ハＷ上に移動する。その後ウェハＷの回転を１０００ｒ
ｐｍまで上げ，現像液を現像液ノズル６４から（例えば
１秒間）吐出する。この時に，工程Ｓ２で形成された純
水膜を振り切りながら現像液を供給し，純水から純水と
現像液との混合液に置換される（工程Ｓ３）。

【００３９】工程Ｓ３のウェハＷの回転数１０００ｒｐ
ｍを保ちながら，現像液の供給を（例えば１秒間）停止
する。このため，前記混合液が遠心力によって飛散さ
れ，前記混合液の薄膜が形成される（工程Ｓ４）。

【００４０】所定時間経過後，ウェハＷの回転数を３０
ｒｐｍまで落とし，現像液が再びウェハＷ上に（例えば
２秒間）供給され，ウェハＷ上に現像液が液盛りされる
（工程Ｓ５）。

【００４１】その後，ウェハＷの回転を（例えば６０秒
間）停止し，所定時間現像される（工程Ｓ６）。

【００４２】現像終了後，再びウェハＷの回転数を１０
００ｒｐｍまで上げ，純水供給ノズル６５と裏面洗浄ノ
ズル６９からウェハＷの表面と裏面にそれぞれ純水を
（例えば１５秒間）供給し，ウェハＷ表面の現像液を洗
い流す（工程Ｓ７）。

【００４３】純水供給ノズル６５と裏面洗浄ノズル６９
からの純水の供給を停止し，ウェハＷの回転数をさらに
３０００ｒｐｍまで上げ，ウェハＷの表面の水分を遠心
力によって（例えば１０秒間）振り切り，乾燥させる
（工程Ｓ８）。

【００４４】一連の現像処理が終了したウェハＷを，搬
送体１３がスピンチャック６３から受け取り，現像処理
装置１６から搬出する（工程Ｓ９）。

【００４５】以上の本実施の形態にかかる現像処理方法
によれば，工程Ｓ３でウェハＷ上に形成された純水と現
像液との混合液の液膜を，工程Ｓ４で現像液の供給を停
止して，１０００ｒｐｍで振り切り，前記混合液の薄膜
を形成する。この薄膜を形成することで，ウェハ表面上
の混合液濃度がウェハＷ全面に渡りより均一になること
から，この後の現像工程を含めて，ウェハＷ面内の現像
が斑なく行われ，歩留まりの向上につながる。

【００４６】また，工程Ｓ４において，現像液を供給し
ないでウェハＷを高速回転させるため，純水から純水と
現像液との混合液への置換が速く行われ，置換自体にか
かる時間を短縮させることができる。

【００４７】以上の現像処理装置１６で現像処理が終了
した後，ウェハＷは，主搬送体１３によって，処理装置
群G3に属するポストベーキング装置３６又は３７に搬送
され，以後所定の処理が行われる。

【００４８】ここで図７に示すように第１の実施の形態
における工程Ｓ４と工程Ｓ５の間にウェハＷの回転数を
１０００ｒｐｍに維持したまま（例えば２秒間）現像液
を再びウェハＷ上に吐出しても良い（工程Ｔ５）。

【００４９】この工程Ｔ５では，１０００ｒｐｍの高速
回転で再び現像液を吐出するため，工程４において形成
された現像液と純水の混合液の薄膜を速やかに現像液へ
置換することができ，ウェハＷ面内において均一な現像
処理が行われる。

【００５０】次に第２の実施の形態について，図８に基
づいて説明する。この第２の実施の形態は，第１の実施
の形態における純水と現像液との混合液の薄膜の代わり
に，純水の薄膜を形成するようにした現像処理方法であ
る。

【００５１】先ず第１の実施の形態と同様に，ウェハＷ
が，現像処理装置１６内に搬送されて，スピンチャック
６３に吸着保持され（工程Ｐ１），その後純水ノズル６
５から純水が供給されウェハ面上に液盛りされる（工程
Ｐ２）。

【００５２】液盛り後，純水の供給を停止し，ウェハＷ
の回転数を１０００ｒｐｍ（図８中のＮは回転数（ｒｐ
ｍ）を示す）まで上昇させ，純水を振り切りながら，ウ
ェハＷ上に純水の薄膜を形成する（工程Ｐ３）。

【００５３】そしてウェハＷの回転数を３０ｒｐｍまで
落とし，ウェハＷ表面に現像ノズル６４から現像液を供
給し液盛りする（工程Ｐ４）。その後，ウェハＷの回転
を停止させ，ウェハＷは所定時間現像される（工程Ｐ
５）。

【００５４】その後の工程は第１の実施の形態と同様で
あり，ウェハＷを洗浄し（工程Ｐ６），乾燥し（工程Ｐ
７），現像処理の終わったウェハＷは，主搬送体１３に
よって，現像処理装置１６から搬出される（工程Ｐ
８）。

【００５５】以上の第２の実施の形態によれば，工程Ｐ
３で，ウェハＷ上に純水の薄膜を形成するため，その後
供給される現像液中に存在する微少な気泡や現像液を供
給する際発生する微少な気泡が直接レジスト膜に付着す
ることを防止できる。また，ウェハＷ上に形成される純
水の膜が薄くなるため，ウェハＷ面内における膜厚差が
小さくなり，均一な現像処理が可能となる。

【００５６】上述の実施の形態における工程Ｓ４又は工
程Ｐ３では，ウェハＷの回転数を１０００ｒｐｍにし，
回転数一定に保ち純水と現像液との混合液又は純水の薄
膜を形成していたが，工程Ｓ４又は工程Ｐ３においてウ
ェハＷの回転数を変動させても良い。ウェハＷの回転数
を変動させることによって，必要に応じて薄膜の厚みを
制御できるばかりか，純水と現像液がより拡散され，均
一な薄膜が形成されるため，ウェハ面内においてより均
一な現像処理が行われる。

【００５７】以上の実施の形態では，現像液供給前に供
給する液体として純水を用いていたが，実質的な純水で
あれば，例えば，希薄な現像液等でも良い。また基板に
ついても，ウェハのような円盤状のもののみならず，Ｌ
ＣＤ基板のような方形の基板に対しても適用できる。

【００５８】

【実施例】次に，第１の実施の形態における現像処理方
法を用いてウェハＷの現像処理を実施し，従来の現像方
法とウェハ面内の現像処理の均一性について比較した。

【００５９】図９に示すように本発明にかかる現像処理
方法は，Ｓｔｅｐ１では，Ｎ＝２０（Ｎは回転数（ｒｐ
ｍ））で８秒間ウェハ上に純水を供給し，Ｓｔｅｐ２で
は，Ｎ＝１０００で１秒間現像液を供給し，Ｓｔｅｐ３
では，Ｎ＝１０００で薬液をなにも供給せず１秒間放置
し，Ｓｔｅｐ４では，Ｎ＝３０で２秒間現像液を供給
し，Ｓｔｅｐ５では，Ｎ＝０とし６０秒間静止し，Ｓｔ
ｅｐ６では，Ｎ＝１０００で１５秒間純水を供給し，Ｓ
ｔｅｐ７ではＮ＝３０００で１０秒間振り切り乾燥させ
る。

【００６０】図１０に示すように従来の現像方法では，
本発明の現像方法における図９のＳｔｅｐ３に相当する
現像液を供給しないでウェハＷを１０００ｒｐｍで回転
させる工程がなく，その分Ｓｔｅｐ２の時間を２秒間と
している。

【００６１】図１１は，それぞれの現像方法で現像処理
されたウェハＷのウェハ面内の線幅分布を表している。
従来の現像方法では，ウェハ周辺部Ｅの片側では，線幅
が0.365μｍになっており，ウェハＷの中心部Ｃとの差
が0.０４μｍ以上ある。一方，本発明にかかる現像方法
では，ウェハ面内の線幅の差が最大でも0.01μｍ程度し
かない。したがって，本発明の方法によって，従来の方
法に比べてウェハ面内の線幅の均一性が向上されたこと
が確認できる。

【００６２】図１２は，従来の現像方法と本発明にかか
る現像方法に対するウェハＷ面内の線幅のばらつき３σ
の比較を現している。従来の現像方法では，３σ＝２６
ｎｍであり，本発明の現像方法では，３σ＝１２ｎｍで
あり，均一性が向上されている。

【００６３】

【発明の効果】請求項１の発明によれば，現像液供給時
に，現像液中に存在する微少な気泡や現像液がレジスト
膜に接触する際発生する微少な気泡がレジスト膜に付着
することを防止でき，また基板全面に渡り均一な純水の
薄膜を形成するため，基板面内での現像処理が均一に行
われ，その結果歩留まりの向上が図られる。

【００６４】請求項２の発明によれば，現像液中に存在
する微少な気泡等が，レジスト膜に付着することを防止
でき，また基板全面に渡り現像液濃度に斑が無くなるた
め，基板面内で現像処理が均一に行われ，その結果歩留
まりの向上が図られる。

【００６５】請求項３の発明によれば，現像液と純水と
が混合されたところで，現像液の供給を一旦停止するた
め，前記第３工程における前記混合液の薄膜の形成が効
率よく行われ，基板面内の現像処理の均一性が向上す
る。

【００６６】請求項４の発明によれば，現像液中に存在
する微少な気泡等が，レジスト膜に付着することを防止
でき，また基板全面に渡り現像液濃度に斑が無くなるた
め，基板面内で現像処理が均一に行われ，その結果歩留
まりの向上が図られる。また，現像液と純水とが混合さ
れたところで，現像液の供給を一旦停止するため，前記
第３工程における前記混合液の薄膜の形成が効率よく行
われ，基板面内の現像処理の均一性が向上する。

【００６７】請求項５，請求項６の発明によれば，必要
に応じて薄膜の厚さをコントロールでき，また基板全面
で均一な薄膜を形成することが可能となるため，基板面
内で現像処理が均一に行われ歩留まりの向上が図られ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の実施の形態にかかる現像処理方法に使用
する現像処理装置を備えた塗布現像処理システムの外観
を示す平面図である。

【図２】図１の塗布現像処理システムの正面図である。

【図３】図１の塗布現像処理システムの背面図である。

【図４】第１の実施の形態にかかる現像処理方法に使用
する現像処理装置の構成を示す縦断面の説明図である。

【図５】図４の現像処理装置の横断面の説明図である。

【図６】第１の実施の形態にかかる基板の現像処理方法
のフロー図である。

【図７】第１の実施の形態にかかる基板の現像処理方法
において，現像液と純水との混合液の薄膜が形成された
後，再び現像液を供給する工程を含むフロー図である。

【図８】第２の実施の形態にかかる現像処理方法のフロ
ー図である。

【図９】実施例における本発明にかかる現像処理方法の
各Ｓｔｅｐ毎のウェハの回転数，時間，供給薬液を示し
た表である。

【図１０】実施例における従来の現像処理方法の各Ｓｔ
ｅｐ毎のウェハの回転数，時間，供給薬液を示した表で
ある。

【図１１】従来の現像処理方法と本発明にかかる現像処
理方法を実施したウェハ面内の線幅分布を示すグラフで
ある。

【図１２】従来の現像処理方法と本発明にかかる現像処
理方法に対する３σの比較を表すグラフである。

【符号の説明】

１ 塗布現像処理システム １６，１８ 現像処理装置 ６３ スピンチャック ６４ 現像供給ノズル ６５ 純水供給ノズル ７０ モータ Ｎ 回転数（ｒｐｍ） Ｗ ウェハ

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板に現像液を供給して，現像処理を行
   う現像処理方法であって，前記基板の表面に実質的な純
   水を供給する第１工程と，その後前記基板を回転させて
   前記基板上の前記純水の量を減少させつつ，前記純水の
   薄膜を前記基板の表面に形成する第２工程と，その後前
   記基板に現像液を供給して基板上に現像液の液盛りをす
   る第３工程とを有することを特徴とする，基板の現像処
   理方法。
2. 【請求項２】 基板に現像液を供給して，現像処理を行
   う現像処理方法であって，前記基板の表面に実質的な純
   水を供給する第１工程と，その後前記基板の表面に現像
   液を供給して，前記純水と混合する第２工程と，その後
   前記基板を回転させて，前記基板上の前記現像液と前記
   純水の混合液の量を減少させつつ，前記基板の表面上に
   前記混合液の薄膜を形成する第３工程と，前記基板に現
   像液を供給して基板上に現像液の液盛りをする第４工程
   を有することを特徴とする，基板の現像処理方法。
3. 【請求項３】 前記基板の表面に現像液を供給して，前
   記純水と混合する第２工程において，前記現像液と前記
   純水が混合されたところで，現像液の供給を一旦停止す
   ることを特徴とする，請求項２に記載の基板の現像処理
   装置。
4. 【請求項４】 基板に現像液を供給して，現像処理を行
   う現像処理方法であって，前記基板を回転させつつ基板
   表面に実質的な純水を供給する第１工程と，第１工程で
   使用した回転数以上の回転により前記基板表面上の純水
   を振り切りつつ現像液を吐出し，前記純水と前記現像液
   とを混合液化させたところで現像液の供給を止める第２
   工程と，前記混合液を前記第２工程での回転数を維持し
   た状態で振り切り，前記基板の表面上に前記混合液の薄
   膜を形成する第３工程と，前記基板に現像液を供給して
   基板上に現像液を液盛りをする第４工程とを有すること
   を特徴とする，基板の現像処理方法。
5. 【請求項５】 前記基板を回転させて前記混合液を減少
   させる際には，回転数を一定にすることを特徴とする，
   請求項２又は３のいずれかに記載の現像処理方法。
6. 【請求項６】 前記基板を回転させて前記混合液を減少
   させる際には，回転数を変化させることを特徴とする，
   請求項２又は３のいずれかに記載の現像処理方法。