JP7258196B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Description

本開示は、基板処理装置および基板処理方法に関する。

特許文献１には、露光されたフォトレジスト膜を表面に有する基板をコロ搬送機構によって平流し搬送しながら、基板の表面に現像液を供給し、基板を現像することが開示されている。

特開２０１２－１２４３０９号公報

本開示は、製品不良の発生を抑制する技術を提供する。

本開示の一態様による基板処理装置は、搬送機構と、処理液供給ノズルとを備える。搬送機構は、機能膜が表面に形成された基板を搬送する。処理液供給ノズルは、機能膜を溶解させる処理液を基板に液盛りする。搬送機構は、基板の前端から所定範囲内に処理液が液盛りされる場合に、少なくとも所定範囲内の基板を、液盛り直後に前上がり状態にする。

本開示によれば、製品不良の発生を抑制することができる。

図１は、第１実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す模式図である。 図２は、第１実施形態に係るコロ搬送機構による基板搬送を示す模式図である。 図３は、第１実施形態に係る現像ユニットの概略構成を示す模式図である。 図４は、第１実施形態に係る現像処理部の一部の概略構成を示す模式図である。 図５は、第１実施形態に係る現像処理部における現像処理の手順を説明するフローチャートである。 図６は、第２実施形態に係る基板処理装置における現像処理部の一部の概略構成を示す模式図である。 図７は、第３実施形態に係る基板処理装置における現像処理部の一部の概略構成を示す模式図である。

以下、添付図面を参照して、本願の開示する基板処理装置および基板処理方法の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態により開示される基板処理装置および基板処理方法が限定されるものではない。

（第１実施形態）
＜全体構成＞
第１実施形態に係る基板処理装置１について図１を参照し説明する。図１は、第１実施形態に係る基板処理装置１の概略構成を示す模式図である。

基板処理装置１は、カセットステーション２と、第１処理ステーション３と、インターフェースステーション４と、第２処理ステーション５と、制御装置６とを備える。

カセットステーション２には、複数のガラス基板Ｓ（以下、「基板Ｓ」と称する。）を収容するカセットＣが載置される。カセットステーション２は、複数のカセットＣを載置可能な載置台１０と、カセットＣと第１処理ステーション３との間、および第２処理ステーション５とカセットＣとの間で基板Ｓの搬送を行う搬送装置１１とを備える。

搬送装置１１は、搬送アーム１１ａを備える。搬送アーム１１ａは、水平方向および鉛直方向への移動、および鉛直軸を中心とする旋回が可能である。

第１処理ステーション３は、基板Ｓにフォトレジストの塗布を含む処理を行う。第１処理ステーション３は、エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ－ＵＶ）２０と、スクラブ洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１と、プレヒートユニット（ＰＨ）２２と、アドヒージョンユニット（ＡＤ）２３と、第１冷却ユニット（ＣＯＬ）２４とを備える。これらのユニット２０～２４は、カセットステーション２からインターフェースステーション４に向かう方向に、配置される。具体的には、エキシマＵＶ照射ユニット２０、スクラブ洗浄ユニット２１、プレヒートユニット２２、アドヒージョンユニット２３、および第１冷却ユニット２４の順に配置される。

また、第１処理ステーション３は、フォトレジスト塗布ユニット（ＣＴ）２５と、減圧乾燥ユニット（ＤＰ）２６と、第１加熱ユニット（ＨＴ）２７と、第２冷却ユニット（ＣＯＬ）２８とを備える。これらのユニット２５～２８は、第１冷却ユニット２４からインターフェースステーション４に向かう方向に、フォトレジスト塗布ユニット２５、減圧乾燥ユニット２６、第１加熱ユニット２７、第２冷却ユニット２８の順に配置される。また、第１処理ステーション３は、コロ搬送機構（図２参照）２９と、搬送装置３０とを備える。

エキシマＵＶ照射ユニット２０は、紫外域光を発する紫外域光ランプから基板Ｓに対して紫外域光を照射し、基板Ｓ上に付着した有機物を除去する。

スクラブ洗浄ユニット２１は、有機物が除去された基板Ｓに、洗浄液（例えば、脱イオン水（ＤＩＷ））を供給しつつ、ブラシなどの洗浄部材によって基板Ｓの表面を洗浄する。またスクラブ洗浄ユニット２１は、ブロワーなどによって洗浄した基板Ｓを乾燥させる。

プレヒートユニット２２は、スクラブ洗浄ユニット２１によって乾燥された基板Ｓをさらに加熱し、基板Ｓをさらに乾燥させる。

アドヒージョンユニット２３は、乾燥された基板Ｓにヘキサメチルジシラン（ＨＭＤＳ）を吹き付けて、基板Ｓに疎水化処理を行う。

第１冷却ユニット２４は、疎水化処理が行われた基板Ｓに冷風を吹き付けて基板Ｓを冷却する。

フォトレジスト塗布ユニット２５は、冷却された基板Ｓ上にフォトレジスト液を供給し、基板Ｓ上に機能膜であるフォトレジスト膜を形成する。

減圧乾燥ユニット２６は、基板Ｓ上に形成されたフォトレジスト膜を減圧雰囲気下で乾燥させる。

第１加熱ユニット２７は、フォトレジスト膜が乾燥された基板Ｓを加熱し、フォトレジスト膜に含まれる溶剤などを除去する。

第２冷却ユニット２８は、溶剤などを除去した基板Ｓに冷風を吹き付けて基板Ｓを冷却する。

ここで、コロ搬送機構２９について、図２を参照し説明する。図２は、実施形態に係るコロ搬送機構２９による基板搬送を示す模式図である。

コロ搬送機構２９は、複数のコロ２９ａと、複数の駆動装置２９ｂとを備える。コロ搬送機構２９は、駆動装置２９ｂによってコロ２９ａを回転させ、コロ２９ａの回転に伴い基板Ｓを搬送する。すなわち、コロ搬送機構２９は、基板Ｓを平流し搬送する。駆動装置２９ｂは、例えば、電動モータである。

コロ搬送機構２９は、図１において矢印Ｌで示すように、基板ＳをエキシマＵＶ照射ユニット２０から第１冷却ユニット２４まで搬送する。また、コロ搬送機構２９は、図１において矢印Ｍで示すように、基板Ｓを第１加熱ユニット２７から第２冷却ユニット２８まで搬送する。

図１に戻り、搬送装置３０は、搬送アーム３０ａを備える。搬送アーム３０ａは、水平方向および鉛直方向への移動、および鉛直軸を中心とする旋回が可能である。

搬送装置３０は、第１冷却ユニット２４からフォトレジスト塗布ユニット２５に基板Ｓを搬送する。搬送装置３０は、フォトレジスト塗布ユニット２５から減圧乾燥ユニット２６に基板Ｓを搬送する。また、搬送装置３０は、減圧乾燥ユニット２６から第１加熱ユニット２７に基板Ｓの搬送を行う。搬送装置３０は、複数の搬送アームを備えてもよく、各ユニット間での基板Ｓの搬送を異なる搬送アームで行ってもよい。

インターフェースステーション４では、第１処理ステーション３によってフォトレジスト膜が形成された基板Ｓが外部露光装置８、および第２処理ステーション５に搬送される。インターフェースステーション４は、搬送装置３１と、ロータリーステージ（ＲＳ）３２とを備える。

外部露光装置８は、外部装置ブロック８Ａと、露光装置８Ｂとを備える。外部装置ブロック８Ａは、基板Ｓの外周部のフォトレジスト膜を周辺露光装置（ＥＥ）によって除去する。また、外部装置ブロック８Ａは、露光装置８Ｂで回路パターンに露光された基板Ｓにタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）によって所定の情報を書き込む。

露光装置８Ｂは、回路パターンに対応したパターンを有するフォトマスクを用いてフォトレジスト膜を露光する。

搬送装置３１は、搬送アーム３１ａを備える。搬送アーム３１ａは、水平方向および鉛直方向への移動、および鉛直軸を中心とする旋回が可能である。

搬送装置３１は、第２冷却ユニット２８からロータリーステージ３２に基板Ｓを搬送する。また、搬送装置３１は、ロータリーステージ３２から外部装置ブロック８Ａの周辺露光装置に基板Ｓを搬送し、外周部のフォトレジスト膜が除去された基板Ｓを露光装置８Ｂに搬送する。

また、搬送装置３１は、回路パターンに露光された基板Ｓを露光装置８Ｂから外部装置ブロック８Ａのタイトラーに基板Ｓを搬送する。そして、搬送装置３１は、所定の情報が書き込まれた基板Ｓをタイトラーから第２処理ステーション５の現像ユニット（ＤＥＶ）４０に搬送する。

第２処理ステーション５は、現像を含む処理を行う。第２処理ステーション５は、現像ユニット４０と、第２加熱ユニット（ＨＴ）４１と、第３冷却ユニット（ＣＯＬ）４２と、検査ユニット（ＩＰ）４３と、コロ搬送機構４４（図２参照）とを備える。これらのユニット４０～４３は、インターフェースステーション４からカセットステーション２に向かう方向に、現像ユニット４０、第２加熱ユニット４１、第３冷却ユニット４２、および検査ユニット４３の順に配置される。

現像ユニット４０は、露光されたフォトレジスト膜を現像液（処理液の一例）により溶解させて、現像する。また、現像ユニット４０は、フォトレジスト膜を現像した基板Ｓ上の現像液をリンス液によって洗い流し、リンス液を乾燥させる。なお、現像ユニット４０の構成について、後述する。

第２加熱ユニット４１は、リンス液が乾燥された基板Ｓを加熱し、フォトレジスト膜に残る溶剤、およびリンス液を除去する。

第３冷却ユニット４２は、溶剤、およびリンス液が除去された基板Ｓに冷風を吹き付けて基板Ｓを冷却する。

検査ユニット４３は、冷却された基板Ｓに対して、フォトレジストパターン（ライン）の限界寸法（ＣＤ）の測定などの検査を行う。

検査ユニット４３によって検査が行われた基板Ｓは、搬送装置１１の搬送アーム１１ａによって第２処理ステーション５からカセットステーション２のカセットＣに搬送される。

コロ搬送機構４４の構成は、第１処理ステーション３におけるコロ搬送機構２９と同じ構成であり、ここでの説明は省略する。コロ搬送機構４４は、矢印Ｎで示すように、現像ユニット４０から検査ユニット４３まで基板Ｓを搬送する。すなわち、コロ搬送機構４４は、フォトレジスト膜（機能膜の一例）が表面に形成された基板Ｓを搬送する。

制御装置６は、例えば、コンピュータであり、制御部６Ａと記憶部６Ｂとを備える。記憶部６Ｂは、例えば、ＲＡＭ（Random Access Memory）、フラッシュメモリ（Flash Memory）などの半導体メモリ素子、または、ハードディスク、光ディスクなどの記憶装置によって実現される。

制御部６Ａは、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ、入出力ポート等を含むマイクロコンピュータや各種回路を含む。マイクロコンピュータのＣＰＵは、ＲＯＭに記憶されているプログラムを読み出して実行することにより、各ステーション２～５の制御を実現する。

なお、プログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されており、記憶媒体から制御装置６の記憶部６Ｂにインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。

＜現像ユニット＞
次に、現像ユニット４０について図３を参照し説明する。図３は、第１実施形態に係る現像ユニット４０の概略構成を示す模式図である。図３では、コロ搬送機構４４などの一部構成は説明のため省略する。以下では、基板Ｓの搬送方向に対して直交する基板Ｓの面方向を、幅方向として説明する。なお、幅方向は、コロ搬送機構４４のコロ４４ａの回転軸に対して平行である。

現像ユニット４０は、現像処理部５０と、リンス処理部５１と、乾燥処理部５２とを備える。現像処理部５０、リンス処理部５１、および乾燥処理部５２は、基板Ｓの搬送方向に沿って現像処理部５０、リンス処理部５１、および乾燥処理部５２の順に配置される。なお、詳しい説明は省略するが、現像ユニット４０は、例えば、現像液の飛散を抑制するために、ＦＦＵ（Fan Filter Unit）や、排気機構などを備える。

ここで、現像処理部５０について、図３、および図４を参照し詳しく説明する。図４は、第１実施形態に係る現像処理部５０の一部の概略構成を示す模式図である。

現像処理部５０は、チャンバー５０ａ内を搬送される基板Ｓに対して現像処理を行う。現像処理部５０は、希釈液供給ノズル６１と、第１現像液供給ノズル６２と、第２現像液供給ノズル６３と、第１エアナイフ６４と、第２エアナイフ６５と、希釈液回収パン６６と、現像液回収パン６７とを備える。

希釈液供給ノズル６１は、基板Ｓの搬送方向において現像処理部５０の上流側、すなわち、インターフェースステーション４側に設けられる。希釈液供給ノズル６１は、幅方向に沿って延設される。希釈液供給ノズル６１には、幅方向に沿ってスリット状の吐出口（不図示）が形成される。希釈液供給ノズル６１は、基板Ｓの搬送方向に沿って複数、例えば、２本設けられる。なお、希釈液供給ノズル６１は、１本であってもよい。

希釈液供給ノズル６１（薄膜形成部の一例）は、基板Ｓに希釈液（準備液の一例）を液盛りする。具体的には、希釈液供給ノズル６１は、フォトレジスト膜が形成された基板Ｓに希釈液を吐出し、基板Ｓの表面に希釈液を液盛りする。すなわち、希釈液供給ノズル６１は、希釈液液盛り処理を行う。希釈液は、基板Ｓの現像に用いられる現像液が純水によって薄められた液であり、現像液よりも濃度が低い。なお、現像処理部５０は、希釈液の代わりに、純水（準備液の一例）を基板Ｓの表面に液盛りしてもよい。

希釈液供給ノズル６１には、希釈液供給ライン７０ａを介して希釈液供給源７１から希釈液が供給される。希釈液供給ライン７０ａには、流量制御弁７０ｂや、開閉弁７０ｃなどが設けられ、希釈液供給ノズル６１から吐出される希釈液の流量が制御される。

第１現像液供給ノズル６２は、基板Ｓの搬送方向において希釈液供給ノズル６１よりも下流側に設けられる。第１現像液供給ノズル６２は、幅方向に沿って延設される。第１現像液供給ノズル６２には、幅方向に沿ってスリット状の吐出口（不図示）が形成される。第１現像液供給ノズル６２は、基板Ｓの搬送方向に沿って複数、例えば、２本設けられる。なお、第１現像液供給ノズル６２は、１本であってもよい。

第１現像液供給ノズル６２は、第１エアナイフ６４によって希釈液の薄膜が形成された基板Ｓに現像液を吐出し、基板Ｓの表面に現像液を液盛りする。すなわち、第１現像液供給ノズル６２は、フォトレジスト膜（機能膜の一例）を溶解させる現像液（処理液の一例）を希釈液（準備液の一例）の薄膜が形成された基板Ｓに液盛りする。このように、第１現像液供給ノズル６２は、現像液液盛り処理を行う。

第２現像液供給ノズル６３は、基板Ｓの搬送方向において第１現像液供給ノズル６２よりも下流側に設けられる。第２現像液供給ノズル６３は、幅方向に沿って延設される。第２現像液供給ノズル６３には、幅方向に沿ってスリット状の吐出口（不図示）が形成される。

第２現像液供給ノズル６３は、第１現像液供給ノズル６２によって液盛りされた基板Ｓに向けて現像液を吐出し、現像液の置換を行う。このように、第２現像液供給ノズル６３は、置換処理を行う。

第１現像液供給ノズル６２、および第２現像液供給ノズル６３には、現像液供給ライン７２ａを介して現像液供給源７３から現像液が供給される。現像液供給ライン７２ａには、流量制御弁７２ｂ、７２ｃや、開閉弁７２ｄなどが設けられ、各現像液供給ノズル６２、６３から吐出される現像液の流量が制御される。なお、図４では、現像液供給ライン７２ａの一部、第２現像液供給ノズル６３、および流量制御弁７２ｃなどを省略する。

第１エアナイフ６４は、基板Ｓの搬送方向において、希釈液供給ノズル６１よりも下流側であり、第１現像液供給ノズル６２よりも上流側に設けられる。第１エアナイフ６４は、幅方向に沿って延設される。第１エアナイフ６４には、幅方向に沿ってスリット状の吐出口（不図示）が形成される。

第１エアナイフ６４は、液盛りされた希釈液（準備液の一例）の一部を除去し、基板Ｓに希釈液の薄膜を形成する。第１エアナイフ６４は、希釈液が液盛りされた基板Ｓに向けて希釈液供給ノズル６１によって空気を吐出し、基板Ｓに液盛りされた希釈液の一部を除去し、基板Ｓに希釈液の薄膜を形成する。具体的には、第１エアナイフ６４は、空気を吐出することでエアカーテンを生成し、生成したエアカーテンによって希釈液の一部を除去し、希釈液の薄膜を形成する。このように、第１エアナイフ６４は、薄膜形成処理を行う。

第１エアナイフ６４は、幅方向に沿ってエアカーテンを生成することで、基板Ｓに均一の薄膜を形成することができる。

第２エアナイフ６５は、基板Ｓの搬送方向において、第２現像液供給ノズル６３よりも下流側に設けられる。具体的には、第２エアナイフ６５は、基板Ｓの搬送方向において現像処理部５０の下流端に設けられる。第２エアナイフ６５は、幅方向に沿って延設される。第２エアナイフ６５には、幅方向に沿ってスリット状の吐出口（不図示）が形成される。

第２エアナイフ６５は、現像液が液盛りされた基板Ｓに向けて空気を吐出し、基板Ｓに液盛りされた現像液を除去し、液切りする。具体的には、第２エアナイフ６５は、空気を吐出することでエアカーテンを生成し、生成したエアカーテンによって現像液を液切りする。すなわち、第２エアナイフ６５は、液切り処理を行う。

第２エアナイフは、幅方向に沿ってエアカーテンを生成することで、幅方向において基板Ｓの液切りを均一に行うことができる。

第１エアナイフ６４、および第２エアナイフ６５には、エア供給ライン７４ａを介してエア供給源７５から圧縮空気が供給される。エア供給ライン７４ａには、流量制御弁７４ｂ、７４ｃや、開閉弁７４ｄなどが設けられ、各エアナイフ６４、６５から吐出される空気の流量が制御される。

希釈液回収パン６６は、コロ４４ａの下方に設けられる。希釈液回収パン６６は、基板Ｓの搬送方向において上流側に設けられる。希釈液回収パン６６は、基板Ｓから溢れた希釈液を回収する。

希釈液回収パン６６には、回収ライン７６が接続される。希釈液回収パン６６、および回収ライン７６によって回収された希釈液は、脱泡処理などが行われ、希釈液供給源７１に溜められる。

現像液回収パン６７は、コロ４４ａの下方に設けられる。現像液回収パン６７は、基板Ｓの搬送方向において希釈液回収パン６６よりも下流側に設けられ、希釈液回収パン６６に隣接して設けられる。現像液回収パン６７は、基板Ｓから溢れた現像液を回収する。

現像液回収パン６７には、回収ライン７７が接続される。現像液回収パン６７、および回収ライン７７によって回収された現像液は、脱泡処理などが行われ、現像液供給源７３に溜められる。

リンス処理部５１は、現像処理部５０によって現像された基板Ｓをリンス液によって洗浄するリンス処理を行う。乾燥処理部５２は、リンス処理部５１によって洗浄された基板Ｓに対して乾燥処理を行う。

＜現像処理＞
基板に現像液を液盛りする場合には、現像液供給ノズルから吐出された現像液の一部が飛散してミストとなる。現像液のミストが、現像液を液盛りする前の基板に付着すると、ミストが付着した箇所のフォトレジスト膜がなくなり、製品不良が発生するおそれがある。

また、露光されたフォトレジスト膜が表面に形成された基板に現像液供給ノズルから現像液を吐出し、基板に現像液を液盛りする場合には、液盛りの開始時に現像液供給ノズルから吐出された現像液の流れが基板の前端で渦を巻いて対流する渦流が発生する。

基板の前端で渦流が長い時間発生すると、基板の前端の現像が他の箇所よりも促進され、基板の前端のフォトレジスト膜の膜減り速度が大きくなる。そのため、渦流が長い時間発生した基板では、現像斑が発生し、現像の均一性が低下する。なお、基板の前端と現像液供給ノズルとの距離が長くなると、渦流の影響は低減する。

そのため、基板の搬送速度を大きくした高速搬送を行いながら、現像液の液盛りを行うことで、短い時間で基板の前端と現像液供給ノズルとの距離を長くすることができ、渦流の影響を低減することができる。

しかし、高速搬送を行うと、基板を現像するための搬送経路が長くなり、基板処理装置が大型になる。また、基板に現像液を液盛りする場合にのみ高速搬送を行い、その後、搬送速度を小さくすることも考えられる。しかし、この場合、基板一枚分の変速エリアが必要となり、基板処理装置が大型になる。

このような点に鑑み、実施形態に係る基板処理装置１は、コロ搬送機構４４によって基板Ｓを搬送しながら、現像処理部５０において、図５に示すように、希釈液液盛り処理、薄膜形成処理、現像液液盛り処理、置換処理、液切り処理を行う。図５は、第１実施形態に係る現像処理部５０における現像処理の手順を説明するフローチャートである。

基板処理装置１は、現像処理を行う場合には、コロ搬送機構４４によって基板Ｓを所定搬送速度で搬送する。所定搬送速度は、予め設定された速度であり、一定の速度である。所定搬送速度は、渦流の影響を低減可能な高速搬送を行う場合の搬送速度よりも小さい速度である。これにより、基板処理装置１は、基板Ｓの搬送経路を短くし、また変速エリアを設けずに現像処理を行うことができる。そのため、基板処理装置１を小型化することができる。

基板処理装置１は、フォトレジスト膜が露光された基板Ｓに対して希釈液液盛り処理を行う（Ｓ１０）。具体的には、基板処理装置１は、基板Ｓに希釈液供給ノズル６１から希釈液を吐出し、基板Ｓに希釈液を液盛りする。

このように、基板処理装置１は、フォトレジスト膜（機能膜の一例）が表面に形成された基板Ｓに希釈液（準備液の一例）を液盛りする工程を行う。

基板処理装置１は、希釈液が液盛りされた基板Ｓに対して薄膜形成処理を行う（Ｓ１１）。具体的には、基板処理装置１は、第１エアナイフ６４から空気を吐出し、エアカーテンを生成する。そして、基板処理装置１は、エアカーテンによって基板Ｓに液盛りされた希釈液の一部を除去し、基板Ｓに希釈液の薄膜を形成する。第１エアナイフ６４から吐出される空気の流量は、希釈液の一部を除去し、基板Ｓに希釈液の薄膜を形成するように制御される。

このように、基板処理装置１は、液盛りされた希釈液（準備液の一例）の一部を除去し、基板Ｓに希釈液の薄膜を形成する工程を行う。

なお、希釈液液盛り処理、および薄膜形成処理によって基板Ｓから溢れた希釈液は、希釈液回収パン６６によって回収される。

基板処理装置１は、希釈液の薄膜が形成された基板Ｓに対して現像液液盛り処理を行う（Ｓ１２）。具体的には、基板処理装置１は、第１現像液供給ノズル６２から現像液を吐出し、基板Ｓに現像液を液盛りする。

現像液が液盛りされる基板Ｓには、希釈液の薄膜が形成されている。これにより、基板Ｓの前端で渦流が発生した場合であっても、希釈液によって希釈され、基板Ｓの前端のフォトレジスト膜の膜減り速度が小さくなる。そのため、基板処理装置１は、渦流によって基板Ｓの前端で現像が促進することを抑制することができ、現像斑の発生を抑制することができる。従って、基板処理装置１は、現像の均一性を向上させることができる。

また、第１現像液供給ノズル６２から現像液が吐出された際に現像液のミストが発生し、基板Ｓの搬送方向において第１現像液供給ノズル６２よりも上流側の基板Ｓにミストが付着した場合であっても、ミストは希釈液の薄膜に付着する。そのため、ミストは希釈液によって希釈される。従って、基板処理装置１は、現像液が液盛りされる前の基板Ｓにミストが付着した場合であっても、ミストが付着した箇所でフォトレジスト膜がなくなることを抑制し、製品不良の発生を抑制することができる。

また、基板処理装置１は、複数の第１現像液供給ノズル６２から現像液を基板Ｓに供給する。これにより、基板処理装置１は、１本の第１現像液供給ノズル６２から吐出される現像液の単位時間当たりの流量を少なくすることができ、現像液の飛散を抑制し、ミストの発生を抑制することができる。そのため、基板処理装置１は、製品不良の発生を抑制することができる。

このように、基板処理装置１は、フォトレジスト膜を溶解させる現像液（処理液の一例）を薄膜が形成された基板Ｓに液盛りする工程を行う。

基板処理装置１は、現像液が液盛りされた基板Ｓに対して置換処理を行う（Ｓ１３）。具体的には、基板処理装置１は、第２現像液供給ノズル６３から現像液を吐出し、液盛りされた現像液の一部を新たな現像液に置換する。これにより、基板処理装置１は、現像を促進させるとともに、現像の均一性を向上させることができる。

基板処理装置１は、置換処理が行われた基板Ｓに対して液切り処理を行う（Ｓ１４）。具体的には、基板処理装置１は、第２エアナイフ６５から空気を吐出し、エアカーテンを生成する。そして、基板処理装置１は、エアカーテンによって基板Ｓに液盛りされた現像液を除去し、現像液を液切りする。

＜効果＞
基板処理装置１は、フォトレジスト膜（機能膜の一例）が表面に形成された基板Ｓを搬送するコロ搬送機構（搬送機構の一例）と、基板Ｓに希釈液（準備液の一例）を液盛りする希釈液供給ノズル６１（第１供給ノズルの一例）と、液盛りされた希釈液の一部を除去し、基板Ｓに希釈液の薄膜を形成する第１エアナイフ６４（薄膜形成部の一例）と、フォトレジスト膜を溶解させる現像液を希釈液の薄膜が形成された基板Ｓに液盛りする第１現像液供給ノズル６２（第２供給ノズルの一例）とを備える。

換言すると、基板処理装置１は、基板処理方法として、フォトレジスト膜（機能膜の一例）が表面に形成された基板Ｓに希釈液（準備液の一例）を液盛りする工程と、液盛りされた希釈液の一部を除去し、基板Ｓに希釈液の薄膜を形成する工程と、フォトレジスト膜を溶解させる現像液（処理液の一例）を薄膜が形成された基板Ｓに液盛りする工程と有する。

これにより、基板処理装置１は、現像液のミストが現像液を液盛りする前の基板Ｓに付着した場合に、希釈液によってミストを希釈し、ミストが付着した箇所のフォトレジスト膜がなくなることを抑制することができる。そのため、基板処理装置１は、製品不良の発生を抑制することができる。

また、基板処理装置１は、第１現像液供給ノズル６２によって現像液の液盛りを開始し、基板Ｓの前端で渦流が発生した場合に、渦流によって基板Ｓの前端で現像が促進することを抑制することができる。そのため、基板処理装置１は、基板Ｓの現像斑の発生を抑制し、現像の均一性を向上させることができる。

また、基板処理装置１は、基板Ｓを高速搬送する場合の搬送速度よりも小さい所定搬送速度で基板Ｓを搬送しつつ、現像処理を行うことができる。そのため、基板処理装置１を小型化することができる。

希釈液供給ノズル６１（薄膜形成部の一例）は、希釈液が液盛りされた基板Ｓに空気を吐出することで希釈液の薄膜を形成する。

これにより、基板処理装置１は、基板Ｓに対して希釈液の薄膜を均一に形成することができる。そのため、基板処理装置１は、現像液のミストが付着した場合に、フォトレジスト膜がなくなることを抑止し、製品不良の発生を抑制することができる。また、基板処理装置１は、渦流によって基板Ｓの前端で現像が促進することを抑制することができ、現像の均一性を向上させることができる。

また、基板処理装置１は、基板Ｓから溢れた希釈液を回収する希釈液回収パン６６（回収パンの一例）を備える。

これにより、基板処理装置１は、回収した希釈液を再利用することができ、コストを抑制することができる。

（第２実施形態）
＜現像処理部の構成＞
次に、第２実施形態に係る基板処理装置１について図６を参照し説明する。ここでは、第１実施形態と異なる構成を中心に説明し、第１実施形態と同様の構成については第１実施形態と同じ符号を付し、詳しい説明は省略する。図６は、第２実施形態に係る基板処理装置１における現像処理部５０の一部の概略構成を示す模式図である。

第２実施形態に係る現像処理部５０は、第１実施形態にかかる現像処理部５０の第１エアナイフ６４の代わりにコロ搬送機構４４を用いて希釈液の薄膜を形成する。

コロ搬送機構４４は、希釈液（準備液の一例）が液盛りされた基板Ｓを傾斜させることで希釈液の薄膜を形成する。すなわち、コロ搬送機構４４は、希釈液供給ノズル６１と、第１現像液供給ノズル６２との間で基板Ｓを前上がり状態にする。

前上がり状態とは、基板Ｓの搬送方向において基板Ｓの前方の高さが後方の高さよりも高い状態である。なお、基板Ｓが前上がり状態は、基板Ｓの一部が前上がり状態となっていることを含む。

具体的には、コロ搬送機構４４は、希釈液供給ノズル６１と、第１現像液供給ノズル６２との間に位置する複数のコロ４４ａ（図６では、コロ４４ｂとする。）の高さを、希釈液供給ノズル６１によって希釈液の液盛りを行う前の基板Ｓを搬送するコロ４４ａの高さよりも高くする。

これにより、基板処理装置１は、基板Ｓを前上がり状態とすることで、希釈液供給ノズル６１によって液盛りした希釈液の一部は、自重により基板Ｓの後端に移動し、基板Ｓの後端から落ちる。このように、基板処理装置１は、基板Ｓに希釈液の薄膜を形成する。

＜効果＞
コロ搬送機構４４は、希釈液（準備液の一例）が液盛りされた基板Ｓを傾斜させることで希釈液の薄膜を形成する。これにより、基板処理装置１は、簡易な構成で希釈液の薄膜を形成することができる。

（第３実施形態）
＜現像処理部の構成＞
次に、第３実施形態に係る基板処理装置１について図７を参照し説明する。ここでは、第１実施形態と異なる構成を中心に説明し、第１実施形態と同様の構成については第１実施形態と同じ符号を付し、詳しい説明は省略する。図７は、第３実施形態に係る基板処理装置１における現像処理部５０の一部の概略構成を示す模式図である。

第３実施形態に係る基板処理装置１は、現像処理部５０に設けられたコロ４４ａの一部の高さを変更可能である。ここでは、高さを変更可能な複数のコロ４４ａを、可変コロ４４ｃと称する。また、基板処理装置１は、可変コロ４４ｃを昇降させる駆動モータ８０を備える。

可変コロ４４ｃは、基板Ｓの搬送方向において第１現像液供給ノズル６２の下流側、具体的には、第１現像液供給ノズル６２の直後に設けられる。

コロ搬送機構４４は、第１現像液供給ノズル６２によって基板Ｓの前端に現像液が液盛りされる場合に、基板Ｓの前端を前上がり状態にする。具体的には、コロ搬送機構４４は、基板Ｓの前端から所定範囲内に現像液（処理液の一例）が液盛りされる場合に、少なくとも所定範囲内の基板Ｓを前上がり状態にする。所定範囲は、予め設定された範囲であり、渦流によって基板Ｓの前端で現像が促進する範囲であり、例えば、基板Ｓの前端から１５０ｍｍ～２００ｍｍの範囲である。

基板処理装置１は、基板Ｓの前端から所定範囲内で基板Ｓに現像液を液盛りする場合に、駆動モータ８０によって可変コロ４４ｃを上昇させる。そして、可変コロ４４ｃを上昇させた状態で、前端から所定範囲内の基板Ｓに現像液を液盛りする。

これにより、基板処理装置１は、第１現像液供給ノズル６２によって基板Ｓに現像液の液盛りを開始した直後に、基板Ｓの前端での渦流を低減する。そのため、基板処理装置１は、基板Ｓの前端で現像が促進することを抑制することができ、基板Ｓの現像斑の発生を抑制することができる。従って、基板処理装置１は、現像の均一性を向上させることができる。

基板処理装置１は、基板Ｓの前端から所定範囲内に現像液の液盛りを行った後は、可変コロ４４ｃを降下させて、基板Ｓを水平にする。これにより、基板処理装置１は、基板Ｓから現像液が溢れることを抑制することができ、基板Ｓ全体における現像を促進させることができる。

なお、基板処理装置１は、第１現像液供給ノズル６２によって基板Ｓに現像液を液盛りする場合に、基板Ｓ全体を前上がり状態にしてもよい。また、基板処理装置１は、基板Ｓの搬送方向における第１現像液供給ノズル６２の下流側の基板Ｓの一部を前上がり状態として基板Ｓに現像液を液盛りしてもよい。

＜効果＞
コロ搬送機構４４は、基板Ｓの前端から所定範囲内に現像液（処理液の一例）が液盛りされる場合に、少なくとも所定範囲内の基板Ｓを前上がり状態にする。

これにより、基板処理装置１は、第１現像液供給ノズル６２によって現像液の液盛りを開始し、基板Ｓの前端で渦流が発生した場合に、渦流によって基板Ｓの前端で現像が促進することを抑制することができる。そのため、基板処理装置１は、基板Ｓの現像斑の発生を抑制し、現像の均一性を向上させることができる。

（変形例）
上記実施形態に係る基板処理装置１は、機能膜（フォトレジスト膜）が表面に形成された基板Ｓを現像液によって現像する一例について説明したが、これに限られることはない。基板処理装置１は、例えば、機能膜をエッチング液（処理液の一例）によって溶解させてもよい。

また、上記実施形態に係る基板処理装置１の構成を適宜組み合わせることも可能である。例えば、第２実施形態に係る基板処理装置１は、第３実施形態に係る可変コロ４４ｃ、および駆動モータ８０を備えてもよい。

なお、今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

１ 基板処理装置
４０ 現像ユニット
４４ コロ搬送機構（搬送機構）
４４ａ コロ
４４ｂ コロ（薄膜形成部）
４４ｃ 可変コロ
５０ 現像処理部
６１ 希釈液供給ノズル（第１供給ノズル）
６２ 第１現像液供給ノズル（第２供給ノズル）
６４ 第１エアナイフ（薄膜形成部）
６６ 希釈液回収パン（回収パン）
６７ 現像液回収パン

Claims (8)

1. 機能膜が表面に形成された基板を搬送する搬送機構と、
   前記機能膜を溶解させる処理液を前記基板に液盛りする処理液供給ノズルと
   を備え、
   前記搬送機構は、
   前記基板の前端から所定範囲内に前記処理液が液盛りされる場合に、少なくとも前記所定範囲内の前記基板を、液盛り直後に前上がり状態にする、基板処理装置。
2. 機能膜が表面に形成された基板を搬送する搬送機構と、
   前記機能膜を溶解させる処理液を前記基板に液盛りする処理液供給ノズルと
   を備え、
   前記搬送機構は、
   前記基板の前端から所定範囲内に前記処理液が液盛りされる場合に、少なくとも前記所定範囲内の前記基板を、前記処理液供給ノズルによって前記処理液が液盛りされた直後に前上がり状態にする、基板処理装置。
3. 前記搬送機構は、前記所定範囲内の前記基板に前記処理液を液盛りした後に、前記基板の前上がり状態を解除する、請求項１または２に記載の基板処理装置。
4. 前記処理液供給ノズルによって前記処理液が前記基板に液盛りされる前に、前記基板に準備液を液盛りする準備液供給ノズルと、
   液盛りされた前記準備液の一部を除去し、前記基板に前記準備液の薄膜を形成する薄膜形成部と
   を備え、
   前記処理液供給ノズルは、前記準備液の薄膜が形成された前記基板に前記処理液を液盛りする、請求項３に記載の基板処理装置。
5. 機能膜が表面に形成された基板を搬送する搬送機構と、
   前記機能膜を溶解させる処理液を前記基板に液盛りする処理液供給ノズルと、
   前記処理液供給ノズルによって前記処理液が前記基板に液盛りされる前に、前記基板に準備液を液盛りする準備液供給ノズルと、
   液盛りされた前記準備液の一部を除去し、前記基板に前記準備液の薄膜を形成する薄膜形成部と
   を備え、
   前記搬送機構は、
   前記基板の前端から所定範囲内に前記処理液が液盛りされる場合に、少なくとも前記所定範囲内の前記基板を、液盛り直後に前上がり状態にし、
   前記所定範囲内の前記基板に前記処理液を液盛りした後に、前記基板の前上がり状態を解除し、
   前記処理液供給ノズルは、前記準備液の薄膜が形成された前記基板に前記処理液を液盛りする、基板処理装置。
6. 前記薄膜形成部は、
   前記準備液が液盛りされた前記基板に空気を吐出することで前記準備液の薄膜を形成する、請求項４または５に記載の基板処理装置。
7. 前記基板から溢れた前記処理液を回収する回収パン
   を備える請求項１～６のいずれか一つに記載の基板処理装置。
8. 機能膜が表面に形成された基板を搬送する工程と、
   前記機能膜を溶解させる処理液を前記基板に液盛りする工程と
   を有し、
   前記基板の前端から所定範囲内に前記処理液が液盛りされる場合に、少なくとも前記所定範囲内の前記基板は、液盛り直後に前上がり状態にされる、基板処理方法。

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