JP7113671B2 - 脱泡装置および脱泡方法 - Google Patents

Description

本開示は、脱泡装置および脱泡方法に関する。

特許文献１には、露光されたフォトレジスト膜を表面に有する基板をコロ搬送機構によって搬送しながら、基板の表面に現像液を供給し、フォトレジスト膜を現像することが開示されている。

特開２０１２－１２４３０９号公報

本開示は、再利用される処理液に含まれる泡を除去する技術を提供する。

本開示の一態様による脱泡装置は、貯留タンクと、回転羽根と、ポンプとを備える。貯留タンクは、基板処理に用いられた処理液を貯留する。回転羽根は、貯留タンクに回転自在に取り付けられる。ポンプは、貯留タンクに貯留された処理液を貯留タンクで循環させ、回転羽根に向けて処理液を吐出する。回転羽根は、ポンプから吐出された処理液によって回転し、貯留タンク内で処理液の渦流を発生させる。

本開示によれば、再利用される処理液に含まれる泡を除去することができる。

図１は、実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す模式図である。 図２は、実施形態に係るコロ搬送機構による基板搬送を示す模式図である。 図３は、実施形態に係る現像液の脱泡装置の概略を示す模式図である。 図４は、実施形態に係る第１脱泡装置の概略構成を示す模式図である。 図５は、実施形態に係る第２脱泡装置の概略構成を示す模式図である。 図６は、図５のVI－VI断面における第２脱泡装置の概略構成を示す模式図である。 図７は、変形例（その１）に係る第２脱泡装置の概略構成を示す模式図である。 図８は、変形例（その２）に係る第２脱泡装置の概略構成を示す模式図である。

以下、添付図面を参照して、本願の開示する脱泡装置および脱泡方法の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態により開示される脱泡装置および脱泡方法が限定されるものではない。

＜全体構成＞
実施形態に係る基板処理装置１について図１を参照し説明する。図１は、実施形態に係る基板処理装置１の概略構成を示す模式図である。

基板処理装置１は、カセットステーション２と、第１処理ステーション３と、インターフェースステーション４と、第２処理ステーション５と、制御装置６とを備える。

カセットステーション２には、複数のガラス基板Ｓ（以下、「基板Ｓ」と称する。）を収容するカセットＣが載置される。カセットステーション２は、複数のカセットＣを載置可能な載置台１０と、カセットＣと第１処理ステーション３との間、および第２処理ステーション５とカセットＣとの間で基板Ｓの搬送を行う搬送装置１１とを備える。

搬送装置１１は、搬送アーム１１ａを備える。搬送アーム１１ａは、水平方向および鉛直方向への移動、および鉛直軸を中心とする旋回が可能である。

第１処理ステーション３は、基板Ｓにフォトレジストの塗布を含む処理を行う。第１処理ステーション３は、エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ－ＵＶ）２０と、スクラブ洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１と、プレヒートユニット（ＰＨ）２２と、アドヒージョンユニット（ＡＤ）２３と、第１冷却ユニット（ＣＯＬ）２４とを備える。これらのユニット２０～２４は、カセットステーション２からインターフェースステーション４に向かう方向に、配置される。具体的には、エキシマＵＶ照射ユニット２０、スクラブ洗浄ユニット２１、プレヒートユニット２２、アドヒージョンユニット２３、および第１冷却ユニット２４の順に配置される。

また、第１処理ステーション３は、フォトレジスト塗布ユニット（ＣＴ）２５と、減圧乾燥ユニット（ＤＰ）２６と、第１加熱ユニット（ＨＴ）２７と、第２冷却ユニット（ＣＯＬ）２８とを備える。これらのユニット２５～２８は、第１冷却ユニット２４からインターフェースステーション４に向かう方向に、フォトレジスト塗布ユニット２５、減圧乾燥ユニット２６、第１加熱ユニット２７、第２冷却ユニット２８の順に配置される。また、第１処理ステーション３は、コロ搬送機構（図２参照）２９と、搬送装置３０とを備える。

エキシマＵＶ照射ユニット２０は、紫外域光を発する紫外域光ランプから基板Ｓに対して紫外域光を照射し、基板Ｓ上に付着した有機物を除去する。

スクラブ洗浄ユニット２１は、有機物が除去された基板Ｓに、洗浄液（例えば、脱イオン水（ＤＩＷ））を供給しつつ、ブラシなどの洗浄部材によって基板Ｓの表面を洗浄する。またスクラブ洗浄ユニット２１は、ブロワーなどによって洗浄した基板Ｓを乾燥させる。

プレヒートユニット２２は、スクラブ洗浄ユニット２１によって乾燥された基板Ｓをさらに加熱し、基板Ｓをさらに乾燥させる。

アドヒージョンユニット２３は、乾燥された基板Ｓにヘキサメチルジシラン（ＨＭＤＳ）を吹き付けて、基板Ｓに疎水化処理を行う。

第１冷却ユニット２４は、疎水化処理が行われた基板Ｓに冷風を吹き付けて基板Ｓを冷却する。

フォトレジスト塗布ユニット２５は、冷却された基板Ｓ上にフォトレジスト液を供給し、基板Ｓ上にフォトレジスト膜を形成する。

減圧乾燥ユニット２６は、基板Ｓ上に形成されたフォトレジスト膜を減圧雰囲気下で乾燥させる。

第１加熱ユニット２７は、フォトレジスト膜が乾燥された基板Ｓを加熱し、フォトレジスト膜に含まれる溶剤などを除去する。

第２冷却ユニット２８は、溶剤などを除去した基板Ｓに冷風を吹き付けて基板Ｓを冷却する。

ここで、コロ搬送機構２９について、図２を参照し説明する。図２は、実施形態に係るコロ搬送機構２９による基板搬送を示す模式図である。

コロ搬送機構２９は、複数のコロ２９ａと、複数の駆動装置２９ｂとを備える。コロ搬送機構２９は、駆動装置２９ｂによってコロ２９ａを回転させ、コロ２９ａの回転に伴い基板Ｓを搬送する。すなわち、コロ搬送機構２９は、基板Ｓを平流し搬送する。駆動装置２９ｂは、例えば、電動モータである。

コロ搬送機構２９は、図１において矢印Ｌで示すように、基板ＳをエキシマＵＶ照射ユニット２０から第１冷却ユニット２４まで搬送する。また、コロ搬送機構２９は、図１において矢印Ｍで示すように、基板Ｓを第１加熱ユニット２７から第２冷却ユニット２８まで搬送する。

図１に戻り、搬送装置３０は、搬送アーム３０ａを備える。搬送アーム３０ａは、水平方向および鉛直方向への移動、および鉛直軸を中心とする旋回が可能である。

搬送装置３０は、第１冷却ユニット２４からフォトレジスト塗布ユニット２５に基板Ｓを搬送する。搬送装置３０は、フォトレジスト塗布ユニット２５から減圧乾燥ユニット２６に基板Ｓを搬送する。また、搬送装置３０は、減圧乾燥ユニット２６から第１加熱ユニット２７に基板Ｓの搬送を行う。搬送装置３０は、複数の搬送アームを備えてもよく、各ユニット間での基板Ｓの搬送を異なる搬送アームで行ってもよい。

インターフェースステーション４では、第１処理ステーション３によってフォトレジスト膜が形成された基板Ｓが外部露光装置８、および第２処理ステーション５に搬送される。インターフェースステーション４は、搬送装置３１と、ロータリーステージ（ＲＳ）３２とを備える。

外部露光装置８は、外部装置ブロック８Ａと、露光装置８Ｂとを備える。外部装置ブロック８Ａは、基板Ｓの外周部のフォトレジスト膜を周辺露光装置（ＥＥ）によって除去する。また、外部装置ブロック８Ａは、露光装置８Ｂで回路パターンに露光された基板Ｓにタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）によって所定の情報を書き込む。

露光装置８Ｂは、回路パターンに対応したパターンを有するフォトマスクを用いてフォトレジスト膜を露光する。

搬送装置３１は、搬送アーム３１ａを備える。搬送アーム３１ａは、水平方向および鉛直方向への移動、および鉛直軸を中心とする旋回が可能である。

搬送装置３１は、第２冷却ユニット２８からロータリーステージ３２に基板Ｓを搬送する。また、搬送装置３１は、ロータリーステージ３２から外部装置ブロック８Ａの周辺露光装置に基板Ｓを搬送し、外周部のフォトレジスト膜が除去された基板Ｓを露光装置８Ｂに搬送する。

また、搬送装置３１は、回路パターンに露光された基板Ｓを露光装置８Ｂから外部装置ブロック８Ａのタイトラーに基板Ｓを搬送する。そして、搬送装置３１は、所定の情報が書き込まれた基板Ｓをタイトラーから第２処理ステーション５の現像ユニット（ＤＥＶ）４０に搬送する。

第２処理ステーション５は、現像を含む処理を行う。第２処理ステーション５は、現像ユニット４０と、第２加熱ユニット（ＨＴ）４１と、第３冷却ユニット（ＣＯＬ）４２と、検査ユニット（ＩＰ）４３と、コロ搬送機構４４（図２参照）とを備える。これらのユニット４０～４３は、インターフェースステーション４からカセットステーション２に向かう方向に、現像ユニット４０、第２加熱ユニット４１、第３冷却ユニット４２、および検査ユニット４３の順に配置される。

現像ユニット４０は、露光されたフォトレジスト膜を現像液（処理液の一例）により現像する。また、現像ユニット４０は、フォトレジスト膜を現像した基板Ｓ上の現像液をリンス液によって洗い流し、リンス液を乾燥させる。現像ユニット４０は、現像に用いた現像液を回収し、再利用する。現像ユニット４０は、後述する脱泡装置５０を用いて回収した現像液に含まれる泡を除去する。

第２加熱ユニット４１は、リンス液が乾燥された基板Ｓを加熱し、フォトレジスト膜に残る溶剤、およびリンス液を除去する。

第３冷却ユニット４２は、溶剤、およびリンス液が除去された基板Ｓに冷風を吹き付けて基板Ｓを冷却する。

検査ユニット４３は、冷却された基板Ｓに対して、フォトレジストパターン（ライン）の限界寸法（ＣＤ）の測定などの検査を行う。

検査ユニット４３によって検査が行われた基板Ｓは、搬送装置１１の搬送アーム１１ａによって第２処理ステーション５からカセットステーション２のカセットＣに搬送される。

コロ搬送機構４４の構成は、第１処理ステーション３におけるコロ搬送機構２９と同じ構成であり、ここでの説明は省略する。コロ搬送機構４４は、矢印Ｎで示すように、現像ユニット４０から検査ユニット４３まで基板Ｓを搬送する。すなわち、コロ搬送機構４４は、露光されたフォトレジスト膜が表面に形成された基板Ｓを平流し搬送する。

制御装置６は、例えば、コンピュータであり、制御部６Ａと記憶部６Ｂとを備える。記憶部６Ｂは、例えば、ＲＡＭ（Random Access Memory）、フラッシュメモリ（Flash Memory）などの半導体メモリ素子、または、ハードディスク、光ディスクなどの記憶装置によって実現される。

制御部６Ａは、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ、入出力ポート等を含むマイクロコンピュータや各種回路を含む。マイクロコンピュータのＣＰＵは、ＲＯＭに記憶されているプログラムを読み出して実行することにより、各ステーション２～５の制御を実現する。

なお、プログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されており、記憶媒体から制御装置６の記憶部６Ｂにインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。

＜脱泡装置の構成＞
次に、脱泡装置５０について、図３を参照し説明する。図３は、実施形態に係る脱泡装置５０の概略構成を示す模式図である。

脱泡装置５０は、回収パン６０によって回収された現像液に含まれる泡を除去する。脱泡装置５０によって泡が除去された現像液は、基板処理に再利用される。

脱泡装置５０は、第１脱泡装置５１と、第２脱泡装置５２とを備える。第１脱泡装置５１には、回収パン６０によって回収された現像液が回収配管６１を介して供給される。第２脱泡装置５２には、第１脱泡装置５１によって泡の一部が除去された現像液が接続配管６２を介して供給される。

なお、回収パン６０は、コロ４４ａの下方に設けられ、供給ノズル６３によって液盛りされた基板Ｓから溢れた現像液や、エアナイフ６４によって液切りされた現像液を回収する。回収パン６０は、複数設けられてもよい。

次に、第１脱泡装置５１について図４を参照し説明する。図４は、実施形態に係る第１脱泡装置５１の概略構成を示す模式図である。

第１脱泡装置５１は、脱泡フィルタタンクであり、現像液からフォトレジストや界面活性剤などの不純物、および泡の一部を除去する。第１脱泡装置５１は、タンク７０と、仕切り板７１と、複数のフィルタ７２とを備える。

タンク７０は、仕切り板７１によって第１室７０Ａと、第１室７０Ａよりも下方の第２室７０Ｂとに分けられる。第１室７０Ａには、回収配管６１を介して回収パン６０によって回収された現像液が供給される。第１室７０Ａには、天井面にベント配管７３が接続され、ベント配管７３を介して排気が行われる。第１室７０Ａには、仕切り板７１に取り付けられたフィルタ７２が設けられる。

第２室７０Ｂには、フィルタ７２を通った現像液が供給される。第２室７０Ｂには、現像液を第２脱泡装置５２に供給する接続配管６２が接続される。

仕切り板７１は、タンク７０内を第１室７０Ａと第２室７０Ｂとに区画する。仕切り板７１には、上下方向に貫通する貫通孔７１ａが形成され、貫通孔７１ａにフィルタ７２の下端が挿入される。

フィルタ７２は、例えば、板状に形成され、仕切り板７１に支持される。フィルタ７２の下端は、第２室７０Ｂに露出する。

フィルタ７２は、現像液が通過する際に、現像液に含まれるフォトレジストや、界面活性剤などの不純物を除去する。また、フィルタ７２は、現像液が通過する際に、現像液に含まれる気泡の一部を除去する。すなわち、フィルタ７２は、不純物や、気泡の一部を濾過する。フィルタ７２は、濾過した現像液を下端から第２室７０Ｂに供給する。

フィルタ７２は、予め設定された所定時間毎に振動装置（不図示）によって振動される。これにより、フィルタ７２に付着した泡が、フィルタ７２から離れ、浮上する。

次に、第２脱泡装置５２について図５、図６を参照し説明する。図５は、実施形態に係る第２脱泡装置５２の概略構成を示す模式図である。図６は、図５のVI－VI断面における第２脱泡装置５２の概略構成を示す模式図である。図６では、ヒータ８３と、ウォータージャケット８４を省略している。

第２脱泡装置５２は、タンク８０と、ポンプ８１と、複数の回転羽根８２と、ヒータ８３と、ウォータージャケット８４とを備える。

タンク８０（貯留タンクの一例）は、基板処理に用いられた現像液（処理液の一例）を貯留する。タンク８０は、円筒状に形成される。タンク８０の天井面８０ａには、排気配管８５が接続される。タンク８０は、排気配管８５を介して排気装置（不図示）によって排気され、負圧となる。また、タンク８０の天井面８０ａの中央付近には、ベント配管８６が挿入される。ベント配管８６の先端は、タンク８０内の現像液の液面付近に設けられる。タンク８０の中央付近に集まった泡は、ベント配管８６を介してポンプ（不図示）によって吸入される。

タンク８０の側周面８０ｂには、上方側に接続配管６２が接続される。接続配管６２は、タンク８０の接線方向に沿って現像液をタンク８０内に供給するように設けられる。すなわち、接続配管６２（流入配管の一例）は、現像液（処理液の一例）を渦流の流れに沿ってタンク８０（貯留タンクの一例）に流入させる。

また、タンク８０の側周面８０ｂには、接続配管６２の接続箇所よりも下方に吸入配管８７が接続され、吸入配管８７よりも下方に吐出配管８８が接続される。吸入配管８７、および吐出配管８８は、ポンプ８１に接続される。タンク８０の現像液は、吸入配管８７を介してポンプ８１に吸入され、吐出配管８８を介してポンプ８１からタンク８０内に吐出される。

吸入配管８７は、タンク８０内の現像液の流れを妨げないように設けられる。例えば、吸入配管８７は、渦流の流れに沿って現像液を吸入するようにタンク８０の側周面８０ｂに接続される。すなわち、吸入配管８７は、タンク８０との接続箇所からタンク８０の接線方向に延びるように設けられる。

吐出配管８８は、タンク８０の側周面８０ｂの下端、すなわちタンク８０の底面８０ｃ付近に接続され、回転羽根８２に向けて現像液を吐出する。吐出配管８８は、例えば、回転羽根８２と同じ高さから現像液を吐出するように側周面８０ｂに接続される。

また、下方側のタンク８０の側周面８０ｂには、供給配管８９が接続される。供給配管８９は、タンク８０内の現像液を供給ノズル６３（図３参照）に供給する。タンク８０は、供給ノズル６３を介して現像液を基板Ｓに供給するための現像液供給源でもある。すなわち、供給配管８９（排出配管の一例）は、下方側のタンク８０（貯留タンクの一例）に接続され、基板処理に用いられる現像液（処理液の一例）をタンク８０から排出し、排出した現像液を基板Ｓに供給する。なお、供給配管８９は、タンク８０の底面８０ｃに接続されてもよい。

ポンプ８１は、吸入配管８７を介してタンク８０内の現像液を吸入する。すなわち、ポンプ８１は、回転羽根８２よりも上方から現像液（処理液の一例）を吸入する。そして、ポンプ８１は、吐出配管８８を介してタンク８０内に現像液を吐出し、現像液をタンク８０内で循環させる。すなわち、ポンプ８１は、タンク８０（貯留タンクの一例）に貯留された現像液（処理液の一例）をタンク８０で循環させ、回転羽根８２に向けて現像液を吐出する。ポンプ８１は、吐出する現像液によって、回転羽根８２を回転させる。また、ポンプ８１は、吐出する現像液によってタンク８０内で渦流を発生させる。

回転羽根８２は、タンク８０の底面８０ｃに回転自在に支持される支持部８２ａに取り付けられる。すなわち、回転羽根８２は、タンク８０（貯留タンクの一例）に回転自在に取り付けられる。

回転羽根８２は、吐出配管８８から吐出される現像液を受けて支持部８２ａとともに回転する。回転羽根８２が回転することで、タンク８０内で現像液の渦流が発生する。すなわち、回転羽根８２は、ポンプ８１から吐出された現像液（処理液の一例）によって回転し、タンク８０（貯留タンクの一例）内で現像液の渦流を発生させる。なお、渦流は、吐出配管８８から吐出される現像液によっても発生する。回転羽根８２は、タンク８０内で現像液の渦流が発生するように、枚数や、形状や、支持部８２ａに対する角度などが設定される。

ヒータ８３は、タンク８０内に設けられ、現像液を加熱する。ウォータージャケット８４は、例えば、タンク８０の側周面８０ｂや、タンク８０の底面８０ｃを覆うように設けられ、現像液を冷却する。現像液は、ヒータ８３による加熱や、ウォータージャケット８４による冷却により、温度が調整される。現像液は、現像に適した所定温度となるように調整される。すなわち、ヒータ８３、およびウォータージャケット８４（温度調整部の一例）は、タンク８０（貯留タンクの一例）内の現像液（処理液の一例）の温度を調整する。

＜脱泡処理＞
次に、実施形態に係る脱泡装置５０における脱泡処理について説明する。

回収パン６０によって回収された現像液は、回収パン６０に落下する際や、回収配管６１を移動する際に泡が発生する。そのため、回収された現像液には、泡が含まれる。また、回収された現像液には、フォトレジストや、界面活性剤などの不純物が含まれるため、泡が発生し易い。

泡を含んだ状態の現像液が供給ノズル６３から基板Ｓに供給されると、基板Ｓ上で泡が停滞し、泡が付着した箇所の現像が進まず、製品不良が発生するおそれがある。そのため、実施形態に係る脱泡装置５０は、脱泡処理を行う。

回収された現像液は、まず、回収配管６１を介して第１脱泡装置５１のタンク７０の第１室７０Ａに供給される。第１室７０Ａに供給された現像液は、フィルタ７２によって不純物、および泡の一部が除去される。フィルタ７２は、所定時間毎に振動装置（不図示）によって振動される。これより、フィルタ７２に付着した泡は、フィルタ７２から離れ、上方に移動する。このように、第１脱泡装置５１は、現像液から泡を除去することができる。

フィルタ７２を介して不純物や、泡の一部が除去された現像液は、第２室７０Ｂに供給され、第２室７０Ｂに接続される接続配管６２を介して第２脱泡装置５２のタンク８０に供給される。すなわち、タンク８０（貯留タンクの一例）には、第１脱泡装置（脱泡フィルタタンクの一例）によって不純物、および泡の一部が除去された現像液（処理液の一例）が供給される。

第２脱泡装置５２では、吐出配管８８から吐出された現像液によって回転する回転羽根８２、および吐出配管８８から吐出された現像液によって現像液の渦流が発生する。そのため、現像液に含まれる泡は、タンク８０の中央付近に集まる。

そして、第２脱泡装置５２では、タンク８０の中央付近に集められた泡、および泡を含む現像液がベント配管８６を介して外部に排出される。これにより、現像液から泡が除去される。そのため、第２脱泡装置５２は、現像液を再利用する際に、基板処理に用いられる現像液に泡が含まれることを抑制することができる。

なお、第２脱泡装置５２のタンク８０内は、排気配管８５を介して負圧にされている。そのため、現像液に含まれる泡が膨張し、現像液からの泡の除去が容易となる。

また、現像液の渦流の流れに沿って接続配管６２から現像液がタンク８０に供給される。そのため、第２脱泡装置５２は、現像液をタンク８０に供給する際に、泡が発生することを抑制することができる。

第２脱泡装置５２のタンク８０には、下方側の側周面８０ｂに現像液を供給ノズル６３に供給する供給配管８９が接続される。そのため、第２脱泡装置５２は、供給ノズル６３から供給される現像液に泡が含まれることを抑制することができる。

このように、脱泡装置５０は、現像液に泡が含まれることを抑制し、製品不良の発生を抑制することができる。

＜変形例＞
次に、本実施形態の変形例について説明する。

変形例（その１）に係る第２脱泡装置５２は、回転羽根９０として、図７に示すように、複数の第１回転羽根９１と、複数の第２回転羽根９２とを備える。図７は、変形例（その１）に係る第２脱泡装置５２の概略構成を示す模式図である。

第１回転羽根９１は、支持部８２ａに取り付けられる。第１回転羽根９１は、支持部８２ａを介してタンク８０の底面８０ｃに回転自在に取り付けられる。第１回転羽根９１は、吐出配管８８から吐出される現像液を受けて支持部８２ａとともに回転する。すなわち、第１回転羽根９１は、ポンプ８１から吐出された現像液（処理液の一例）を受けて回転する。第１回転羽根９１は、吐出配管８８から吐出される現像液によって回転し易い形状に形成される。

第２回転羽根９２は、支持部８２ａに取り付けられた軸部９３に取り付けられ、第１回転羽根９１よりも上方に設けられる。すなわち、第１回転羽根９１と、第２回転羽根９２とは、上下方向に並んで設けられる。第２回転羽根９２は、第１回転羽根９１と一体に回転し、現像液（処理液の一例）の渦流を発生させる。第２回転羽根９２は、第１回転羽根９１とは異なる形状であり、第１回転羽根９１よりも現像液の渦流を発生させ易い形状に形成される。

すなわち、第１回転羽根９１は、主に吐出配管８８から吐出される現像液によって回転する機能を有し、第２回転羽根９２は、主に現像液の渦流を発生させる機能を有する。

このように、変形例に係る第２脱泡装置５２は、形状が異なる、第１回転羽根９１と、第２回転羽根９２とを回転羽根９０として有する。これにより、変形例に係る第２脱泡装置５２は、現像液の渦流を容易に発生させることができる。また、変形例に係る第２脱泡装置５２は、渦流の流速を大きくすることができ、泡をタンク８０の中央付近に集めることができ、再利用される現像液に泡が含まれることを抑制することができる。

なお、変形例に係る第２脱泡装置５２は、第１回転羽根９１と第２回転羽根９２との間に仕切り板を設けてもよい。仕切り板には、上下方向に貫通する貫通孔が形成される。変形例に係る第２脱泡装置５２は、仕切り板、タンク８０の底面８０ｃ、タンク８０の側周面８０ｂ、および第１回転羽根９１によって形成される室に現像液を吐出する。

これにより、変形例に係る第２脱泡装置５２は、室に吐出された現像液が室から漏れることを抑制することができる。そのため、変形例に係る第２脱泡装置５２は、吐出配管８８から吐出される現像液によって第１回転羽根９１を容易に回転させることができ、現像液の渦流を容易に発生させることができる。また、変形例に係る第２脱泡装置５２は、渦流の流速を大きくすることができ、泡をタンク８０の中央付近に集めることができ、再利用される現像液に泡が含まれることを抑制することができる。

また、変形例（その２）に係る第２脱泡装置５２は、回転羽根９５として、図８に示すように、複数の第１回転羽根９６と、複数の第２回転羽根９７とを備える。図８は、変形例（その２）に係る第２脱泡装置５２の概略構成を示す模式図である。

第１回転羽根９６は、支持部８２ａに取り付けられ、例えば、タンク８０の径方向外側に設けられる。第２回転羽根９７は、支持部８２ａに取り付けられ、第１回転羽根９６よりも径方向内側に設けられる。第１回転羽根９６は、主に吐出配管８８から吐出される現像液によって回転する機能を有し、第２回転羽根９７は、主に現像液の渦流を発生させる機能を有する。

このように、上記した変形例に係る第２脱泡装置５２は、形状が異なる、第１回転羽根９１、９６と、第２回転羽根９２、９７とを有することで、現像液の渦流を容易に発生させ、現像液に含まれる泡を除去することができる。また、変形例に係る第２脱泡装置５２は、渦流の流速を大きくすることができ、泡をタンク８０の中央付近に集めることができ、再利用される現像液に泡が含まれることを抑制することができる。

また、他の変形例に係る第２脱泡装置５２は、ヒータ８３（温度調整部の一例）をタンク８０（貯留タンクの一例）とポンプ８１とを接続する吐出配管８８（配管の一例）に設けてもよい。これにより、他の変形例に係る第２脱泡装置５２は、現像液の温度を調整する温調ポンプをポンプ８１として用いることができる。

また、上記した脱泡装置５０は、希釈された現像液を回収する装置に適用されてもよい。また、上記した脱泡装置５０は、現像液に限定されず、現像液とは異なる他の処理液を回収する装置に適用されてもよい。また、上記した脱泡装置５０は、処理液に含まれる炭酸ガスなどを脱気する装置に適用されてもよい。

＜効果＞
脱泡装置５０は、基板処理に用いられた現像液（処理液の一例）を貯留するタンク８０（貯留タンクの一例）と、タンク８０に回転自在に取り付けられた回転羽根８２と、タンク８０に貯留された現像液をタンク８０で循環させ、回転羽根８２に向けて現像液を吐出するポンプ８１とを備える。回転羽根８２は、ポンプ８１から吐出された現像液によって回転し、タンク８０内で現像液の渦流を発生させる。

換言すると、脱泡装置５０は、基板処理に用いられ、タンク８０に貯留された現像液をポンプ８１によってタンク８０内で循環させる工程と、タンク８０に回転自在に取り付けられた回転羽根８２をポンプ８１から吐出された現像液によって回転させてタンク８０で現像液の渦流を発生させる工程とを脱泡方法として有する。

これにより、脱泡装置５０は、現像液に含まれる泡をタンク８０の中央付近に集めることができ、現像液に含まれる泡を除去することができる。そのため、脱泡装置５０は、再利用される現像液に泡が含まれることを抑制し、泡が基板Ｓに付着することによる基板Ｓの製品不良の発生を抑制することができる。また、例えば、脱泡装置５０は、回転羽根８２を回転させるためのモータなどの複雑な駆動機構をタンク８０の下方に設けずに、現像液の渦流を発生させることができる。そのため、脱泡装置５０は、コストを削減することができる。

ポンプ８１は、回転羽根８２よりも上方から現像液を吸入する。これにより、脱泡装置５０は、ポンプ８１によって現像液を吸入する場合に、回転羽根８２の回転が低下することを抑制することができる。そのため、脱泡装置５０は、渦流の流速を大きくすることができ、泡をタンク８０の中央付近に集めることができ、再利用される現像液に泡が含まれることを抑制することができる。従って、脱泡装置５０は、基板Ｓの製品不良の発生を抑制することができる。

脱泡装置５０は、下方側のタンク８０に接続され、基板処理に用いられる現像液をタンク８０から排出する供給配管８９（排出配管の一例）を備える。

これにより、脱泡装置５０は、供給ノズル６３から供給され、再利用される現像液に泡が含まれることを抑制することができる。そのため、基板Ｓの製品不良の発生を抑制することができる。

脱泡装置５０は、現像液を渦流の流れに沿ってタンク８０に流入させる接続配管６２（流入配管の一例）を備える。

これにより、脱泡装置５０は、タンク８０に現像液を供給する際に、泡が発生することを抑制することができ、再利用される現像液に泡が含まれることを抑制することができる。そのため、脱泡装置５０は、基板Ｓの製品不良の発生を抑制することができる。

脱泡装置５０は、タンク８０内の現像液の温度を調整するヒータ８３、ウォータージャケット８４（温度調整部の一例）を備える。

これにより、脱泡装置５０は、現像液の温度を調整することができる。そのため、基板処理装置１は、現像に適した温度の現像液で現像を行うことができる。

ヒータ８３は、タンク８０とポンプ８１とを接続する吐出配管８８（配管の一例）に設けられる。これにより、脱泡装置５０は、タンク８０内で現像液の渦流を発生させるためのポンプ８１を、現像液の温度を調整する温調ポンプとして用いることができる。

回転羽根９０、９５は、ポンプ８１から吐出された現像液を受けて回転する第１回転羽根９１、９６と、第１回転羽根９１、９６と一体に回転し、現像液の渦流を発生させる第２回転羽根９２、９７とを備える。具体的には、第２回転羽根９２は、第１回転羽根９１よりも上方に設けられる。または、第２回転羽根９７は、第１回転羽根９６よりも径方向内側に設けられる。

これにより、脱泡装置５０は、現像液の渦流を容易に発生させ、渦流の流速を大きくすることができ、泡をタンク８０の中央付近に集めることができる。そのため、脱泡装置５０は、再利用される現像液に泡が含まれることを抑制することができる。従って、脱泡装置５０は、基板Ｓの製品不良の発生を抑制することができる。

脱泡装置５０は、現像液から不純物、および泡の一部を除去する第１脱泡装置５１（脱泡フィルタタンクの一例）を備える。タンク８０には、第１脱泡装置５１によって不純物、および泡の一部が除去された現像液が供給される。

これにより、脱泡装置５０は、第１脱泡装置５１、および第２脱泡装置５２によって泡を除去することができ、再利用される現像液に泡が含まれることを抑制することができる。そのため、脱泡装置５０は、基板Ｓの製品不良の発生を抑制することができる。

なお、今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

１ 基板処理装置
６０ 回収パン
５０ 脱泡装置
５１ 第１脱泡装置（脱泡フィルタタンク）
５２ 第２脱泡装置
６２ 接続配管（流入配管）
７２ フィルタ
８０ タンク（貯留タンク）
８１ ポンプ
８２ 回転羽根
８３ ヒータ（温度調整部）
８４ ウォータージャケット（温度調整部）
８７ 吸入配管
８８ 吐出配管（配管）
８９ 供給配管（排出配管）

Claims (11)

1. 基板処理に用いられた処理液を貯留する貯留タンクと、
   前記貯留タンクに回転自在に取り付けられた回転羽根と、
   前記貯留タンクに貯留された前記処理液を前記貯留タンクで循環させ、前記回転羽根に向けて前記処理液を吐出するポンプと、
   を備え、
   前記回転羽根は、
   前記ポンプから吐出された前記処理液によって回転し、前記貯留タンク内で前記処理液の渦流を発生させ、
   前記ポンプは、前記貯留タンクとの接続箇所から前記貯留タンクの接線方向に延びる吸入配管を介して前記処理液を吸入する
   脱泡装置。
2. 基板処理に用いられた処理液を貯留する貯留タンクと、
   前記貯留タンクに回転自在に取り付けられた回転羽根と、
   前記貯留タンクに貯留された前記処理液を前記貯留タンクで循環させ、前記回転羽根に向けて前記処理液を吐出するポンプと、
   を備え、
   前記回転羽根は、
   前記ポンプから吐出された前記処理液によって回転し、前記貯留タンク内で前記処理液の渦流を発生させ、
   前記回転羽根は、
   前記ポンプから吐出された前記処理液を受けて回転する第１回転羽根と、
   前記第１回転羽根と一体に回転し、前記処理液の渦流を発生させる第２回転羽根と
   を備え、
   前記第１回転羽根と、前記第２回転羽根との間には、上下方向に貫通する貫通孔が形成された仕切り板が設けられる
   脱泡装置。
3. 前記第２回転羽根は、
   前記第１回転羽根よりも上方に設けられる
   請求項２に記載の脱泡装置。
4. 前記ポンプは、
   前記回転羽根よりも上方から前記処理液を吸入する
   請求項１～３のいずれか一つに記載の脱泡装置。
5. 前記貯留タンクの下方側に接続され、前記基板処理に用いられる前記処理液を前記貯留タンクから排出する排出配管
   を備える請求項１～４のいずれか一つに記載の脱泡装置。
6. 前記処理液を前記渦流の流れに沿って前記貯留タンクに流入させる流入配管
   を備える請求項１～５のいずれか一つに記載の脱泡装置。
7. 前記貯留タンクの前記処理液の温度を調整する温度調整部
   を備える請求項１～６のいずれか一つに記載の脱泡装置。
8. 前記温度調整部は、
   前記貯留タンクと前記ポンプとを接続する配管に設けられるヒータである
   請求項７に記載の脱泡装置。
9. 前記処理液から不純物、および泡の一部を除去する脱泡フィルタタンク
   を備え、
   前記貯留タンクには、前記脱泡フィルタタンクによって前記不純物、および前記泡の一部が除去された前記処理液が供給される
   請求項１～８のいずれか一つに記載の脱泡装置。
10. 基板処理に用いられ、貯留タンクに貯留された処理液をポンプによって前記貯留タンク内で循環させる工程と、
    前記貯留タンクに回転自在に取り付けられた回転羽根を前記ポンプから吐出された前記処理液によって回転させて前記貯留タンク内で前記処理液の渦流を発生させる工程と
    を有し、
    前記ポンプには、前記貯留タンクとの接続箇所から前記貯留タンクの接線方向に延びる吸入配管を介して前記処理液が吸入される
    脱泡方法。
11. 基板処理に用いられ、貯留タンクに貯留された処理液をポンプによって前記貯留タンク内で循環させる工程と、
    前記貯留タンクに回転自在に取り付けられた回転羽根を前記ポンプから吐出された前記処理液によって回転させて前記貯留タンク内で前記処理液の渦流を発生させる工程と
    を有し、
    前記回転羽根は、
    前記ポンプから吐出された前記処理液を受けて回転する第１回転羽根と、
    前記第１回転羽根と一体に回転し、前記処理液の渦流を発生させる第２回転羽根と
    を備え、
    前記第１回転羽根と、前記第２回転羽根との間に設けられる仕切り板には、上下方向に貫通する貫通孔が形成される
    脱泡方法。

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