KR20200026084A - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

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KR20200026084A
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슌이치 야히로
?이치 야히로
히로노부 가지와라
미츠히로 사카이
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

기판 처리 장치의 전체 길이를 짧게 하는 기술을 제공한다.
실시형태에 따른 기판 처리 장치는, 도포 라인과, 제1 반송부와, 열처리 라인과, 제2 반송부를 구비한다. 도포 라인은 기판에 처리액을 도포한다. 제1 반송부는 도포 라인에 기판을 반송한다. 열처리 라인은 도포 라인에 대하여 병렬로 배치되고, 처리액이 도포된 기판에 열처리를 행한다. 제2 반송부는 도포 라인으로부터 열처리 라인에, 처리액이 도포된 기판을 반송한다. 또한, 제1 반송부는 열처리가 행해진 기판을 열처리 라인으로부터 반출한다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTATE PROCESSING METHOD}
본 개시는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
특허문헌 1에는, 제1 반송 라인을 따라 기판을 반송하면서, 포토레지스트막을 기판에 형성하고, 기판이 노광된 후에 제2 반송 라인을 따라 기판을 반송하면서, 현상 처리를 기판에 행하는 것이 개시되어 있다.
일본 특허 공개 공보 제2007-158253호
본 개시는, 기판 처리 장치의 전체 길이를 짧게 하는 기술을 제공한다.
본 개시의 일 양태에 의한 기판 처리 장치는, 도포 라인과, 제1 반송부와, 열처리 라인과, 제2 반송부를 구비한다. 도포 라인은 기판에 처리액을 도포한다. 제1 반송부는 도포 라인에 기판을 반송한다. 열처리 라인은 도포 라인에 대하여 병렬로 배치되고, 처리액이 도포된 기판에 열처리를 행한다. 제2 반송부는 도포 라인으로부터 열처리 라인에, 처리액이 도포된 기판을 반송한다. 또한, 제1 반송부는 열처리가 행해진 기판을 열처리 라인으로부터 반출한다.
본 개시에 의하면, 기판 처리 장치의 전체 길이를 짧게 할 수 있다.
도 1은, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 평면도이다.
도 2는, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 일부의 개략 구성을 나타내는 우측방 도면 (1)이다.
도 3은, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 일부의 개략 구성을 나타내는 우측방 도면 (2)이다.
도 4는, 제1 실시형태에 따른 기판 처리를 나타내는 플로우 차트이다.
도 5a는, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 있어서의 기판의 반송 경로를 나타내는 도면 (1)이다.
도 5b는, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 있어서의 기판의 반송 경로를 나타내는 도면 (2)이다.
도 5c는, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 있어서의 기판의 반송 경로를 나타내는 도면 (3)이다.
도 5d는, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 있어서의 기판의 반송 경로를 나타내는 도면 (4)이다.
도 5e는, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 있어서의 기판의 반송 경로를 나타내는 도면 (5)이다.
도 5f는, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 있어서의 기판의 반송 경로를 나타내는 도면 (6)이다.
도 5g는, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 있어서의 기판의 반송 경로를 나타내는 도면 (7)이다.
도 5h는, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 있어서의 기판의 반송 경로를 나타내는 도면 (8)이다.
도 6은, 제2 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 평면도이다.
도 7은, 제2 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 일부의 개략 구성을 나타내는 우측방 도면이다.
도 8a는, 제2 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 있어서의 기판의 반송 경로를 나타내는 도면 (1)이다.
도 8b는, 제2 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 있어서의 기판의 반송 경로를 나타내는 도면 (2)이다.
도 8c는, 제2 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 있어서의 기판의 반송 경로를 나타내는 도면 (3)이다.
도 8d는, 제2 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 있어서의 기판의 반송 경로를 나타내는 도면 (4)이다.
도 8e는, 제2 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 있어서의 기판의 반송 경로를 나타내는 도면 (5)이다.
도 8f는, 제2 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 있어서의 기판의 반송 경로를 나타내는 도면 (6)이다.
도 8g는, 제2 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 있어서의 기판의 반송 경로를 나타내는 도면 (7)이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여, 본원이 개시하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법의 실시형태를 상세하게 설명한다. 또, 이하에 나타내는 실시형태에 의해 개시되는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 한정되는 것은 아니다.
이하 참조하는 각 도면에서는, 설명을 알기 쉽게 하기 위해서, 서로 직교하는 X축 방향, Y축 방향 및 Z축 방향을 규정하고, Z축 플러스 방향을 수직 상향 방향으로 하는 직교 좌표계를 나타낸다. X축 방향, 및 Y축 방향을 포함하는 면방향은 수평방향이다.
또한, 여기서는, X축 플러스 방향을 전방으로 하고 X 축 마이너스 방향을 후방으로 하는 전후 방향을 규정하고, Y 축 마이너스 방향를 우방으로 하고 Y축 플러스 방향을 좌방으로 하는 좌우 방향을 규정한다. 또한, Z축 플러스 방향을 상방으로 하고 Z 축 마이너스 방향를 하방으로 하는 상하 방향을 규정한다.
(제1 실시형태)
<전체 구성>
제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)에 관해서 도 1∼도 3을 참조하여 설명한다. 도 1은, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)의 개략 구성을 나타내는 평면도이다. 도 2는, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)의 일부의 개략 구성을 나타내는 우측방 도면 (1)이다. 도 3은, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)의 일부의 개략 구성을 나타내는 우측방 도면 (2)이다.
기판 처리 장치(1)는, 카세트 스테이션(2)과, 제1 처리 라인(3)과, 제2 처리 라인(4)과, 제3 처리 라인(5)과, 제4 처리 라인(6)과, 열처리 유닛(7)과, 제1 반송부(8)와, 제2 반송부(9)와, 제3 반송부(10)와, 제어 장치(11)를 구비한다.
카세트 스테이션(2)에는, 복수의 유리 기판(S)(이하, 「기판(S)」이라고 칭함)을 수용하는 카세트(C)가 배치된다. 카세트 스테이션(2)은, 복수의 카세트(C)를 배치할 수 있는 배치대(12)와, 카세트(C)와 제1 처리 라인(3)의 사이, 및 후술하는 검사 유닛(IP)(33)과 카세트(C)의 사이에서 기판(S)의 반송을 행하는 반송 장치(13)를 구비한다.
반송 장치(13)는, 반송 아암(13a)을 구비한다. 반송 아암(13a)은, 수평 방향(전후 방향, 및 좌우 방향) 및 수직 방향으로의 이동이 가능하다. 또한, 반송 장치(13)는, 수직축을 중심으로 하는 선회가 가능하다.
제1 처리 라인(3)(전처리 라인의 일례)은, 제2 처리 라인(4)(도포 라인의 일례)에 반송되는 기판(S)에 전처리를 행한다. 구체적으로는, 제1 처리 라인(3)에는, 엑시머 UV 조사 유닛(e-UV)(20)과, 스크럽 세정 유닛(SCR)(21)과, 프리 히트 유닛(PH)(22)과, 어드히전 유닛(AD)(23)과, 제1 냉각 유닛(COL)(24)이 포함된다.
제1 처리 라인(3)에서는, 유닛(20∼24)은, 카세트 스테이션(2)으로부터 노광시스템(60)의 노광 장치(61)를 향하는 방향으로 나란하게 배치된다. 구체적으로는, 유닛(20∼24)은, 엑시머 UV 조사 유닛(20), 스크럽 세정 유닛(21), 프리 히트 유닛(22), 어드히전 유닛(23), 및 제1 냉각 유닛(24)의 순서로 X축 플러스 방향을 따라 배치된다. 또, 제1 처리 라인(3)(전처리 라인의 일례)은, 제4 처리 라인(6), 및 후술하는 주변 장치(62)(외부 장치의 일례)의 상방에 배치된다.
엑시머 UV 조사 유닛(20)은, 자외역광을 발하는 자외역광 램프로부터 기판(S)에 대하여 자외역광을 조사하고, 기판(S) 상에 부착된 유기물을 제거한다.
스크럽 세정 유닛(21)은, 유기물이 제거된 기판(S)에, 세정액(예컨대, 탈이온수(DIW))을 공급하면서, 브러시 등의 세정 부재에 의해서 기판(S)의 표면을 세정한다. 또한 스크럽 세정 유닛(21)은 블로워 등에 의해서 세정된 기판(S)을 건조시킨다.
프리 히트 유닛(22)은, 스크럽 세정 유닛(21)에 의해서 건조된 기판(S)을 가열하고, 기판(S)을 더욱 건조시킨다.
어드히전 유닛(23)은, 건조된 기판(S)에 헥사메틸디실란(HMDS)을 분사하고, 기판(S)에 소수 처리를 행한다.
제1 냉각 유닛(24)은, 소수 처리가 행해진 기판(S)에 냉풍을 분사하여 기판(S)을 냉각한다.
제1 처리 라인(3)에서는, 기판(S)은 X축 플러스 방향을 따라 평류(平流) 반송된다. 예컨대, 기판(S)은 롤러 반송 기구(14)에 의해서 반송된다. 롤러 반송 기구(14)는, 복수의 롤러(14a)를 구동 장치(도시하지 않음)로 회전시킴으로써 기판(S)을 반송한다. 롤러 반송 기구(14)는, 도 2에 있어서 일부를 기재하고, 다른 것은 생략한다. 평류 반송이란, 기판(S)이 수평으로 유지된 상태로, 소정의 방향, 예컨대, X축 방향, 또는 Y축 방향을 따라 반송되는 것이다. 또, 기판(S)은, 컨베어 반송 기구 등에 의해서 평류 반송되어도 좋다.
제2 처리 라인(4)(도포 라인의 일례)은, 기판(S)에 포토레지스트액(처리액의 일례)을 도포하고, 포토레지스트막을 형성하는 형성 처리를 행한다. 제2 처리 라인(4)은, 제1 처리 라인(3)의 우측에 배치된다. 즉, 제1 처리 라인(3), 및 제2 처리 라인(4)은, 좌우 방향으로 나란하게 배치된다. 제2 처리 라인(4)에는, 제1 처리 라인(3)의 제1 냉각 유닛(24)에 의해서 냉각된 기판(S)이 제1 반송부(8)에 의해서 반입된다.
제2 처리 라인(4)에는, 포토레지스트 도포 유닛(CT)(25)이 포함된다. 포토레지스트 도포 유닛(25)은, 기판(S) 상에 포토레지스트액을 공급하고, 기판(S) 상에 포토레지스트막을 형성한다.
제2 처리 라인(4)에서는, 기판(S)은 X 축 마이너스 방향을 따라 평류 반송된다. 예컨대, 기판(S)은, 부상(浮上)식의 반송 기구(도시하지 않음)에 의해서 반송된다. 부상식의 반송 기구는, 예컨대, 좌우 방향의 양단에서 기판(S)을 하방으로부터 지지하고, 기판(S)을 향해서 하방으로부터 압축 공기를 분사하여 기판(S)을 수평으로 유지하면서, 기판(S)을 이동시킨다. 또, 제2 처리 라인(4)에서는, 포토레지스트액을 공급하는 개소 부근의 기판(S)의 반송에 부상식의 반송 기구가 이용되고, 그 밖의 개소에서는 기판(S)의 반송에, 예컨대, 롤러 반송 기구(14)가 이용되어도 좋다.
제3 처리 라인(5)은, 포토레지스트막이 형성된 기판(S)에 제1 열처리를 행한다. 제3 처리 라인(5)은, 제2 처리 라인(4)에 대하여 병렬로 배치된다. 제3 처리 라인(5)은, 제2 처리 라인(4)의 우방에 배치된다. 즉, 제1 처리 라인(3), 제2 처리 라인(4), 및 제3 처리 라인(5)은, 좌우 방향으로 나란하게 배치되고, 좌방으로부터 제1 처리 라인(3), 제2 처리 라인(4), 및 제3 처리 라인(5)의 순서로 배치된다. 이와 같이, 제3 처리 라인(5)은, 제2 처리 라인(4)(도포 라인의 일례)에 대하여 병렬로 배치되고, 포토레지스트액(처리액의 일례)이 도포된 기판(S)에 열처리를 행한다.
제3 처리 라인(5)에는, 감압 건조 유닛(DP)(30)과, 제1 가열 유닛(PE/BAKE)(31)과, 제2 냉각 유닛(COL)(32)이 포함된다.
제3 처리 라인(5)에서는, 감압 건조 유닛(30), 및 제2 냉각 유닛(32)의 순서로 X축 플러스 방향을 따라 배치된다. 카세트 스테이션(2)과 감압 건조 유닛(30)의 사이에는, 검사 유닛(IP)(33)이 배치된다. 또한, 감압 건조 유닛(30)과, 제1 가열 유닛(31)의 사이에는, 제2 반송부(9)가 배치된다.
제3 처리 라인(5)에는, 제2 처리 라인(4)에 의해서 포토레지스트막이 형성된 기판(S)이 제2 반송부(9)에 의해서 반송된다.
감압 건조 유닛(30)은, 포토레지스트막이 형성된 기판(S)이 제2 반송부(9)에 의해서 반송되고, 기판(S) 상에 형성된 포토레지스트막을 감압 분위기 하에서 건조시킨다. 또, 감압 건조 유닛(30)은, 상하 방향으로 복수단 배치되어도 좋다.
또, 감압 건조 유닛(30)의 상방에는, 제4 처리 라인(6)에 의해서 현상 처리가 행해진 기판(S)이 제3 반송부(10)에 의해서 반송되어 배치되는 배치부(34)가 설치된다. 배치부(34)는, 기판(S)을 검사 유닛(33)을 향해서, 즉 X 축 마이너스 방향을 따라서, 예컨대, 롤러 반송 기구(14)에 의해서 평류 반송한다.
제1 가열 유닛(31)(가열부의 일례)은, 포토레지스트액(처리액의 일례)이 도포된 기판(S), 즉 포토레지스트막이 형성된 기판(S)을 가열한다. 제1 가열 유닛(31)은, 상하 방향으로 복수단 배치된다. 제1 가열 유닛(31)은, 포토레지스트막이 건조된 기판(S)이 제2 반송부(9)에 의해서 감압 건조 유닛(30)으로부터 반송된다. 제1 가열 유닛(31)은, 기판(S)을 가열하고, 포토레지스트막에 포함되는 용제 등을 제거한다. 제1 가열 유닛(31)은, 플레이트식의 가열 유닛이며, 기판(S)이 플레이트(도시하지 않음)에 배치된 상태로, 플레이트를 가열함으로써 기판(S)을 가열한다.
제2 냉각 유닛(32)(냉각부의 일례)은, 제1 가열 유닛(31)(가열부의 일례)의 하방에 배치되고, 제1 가열 유닛(31)에 의해서 가열된 기판(S)을 냉각한다. 제2 냉각 유닛(32)은, 제2 반송부(9)에 의해서 제1 가열 유닛(31)으로부터 반송된 기판(S)에 냉풍을 분사하여 기판(S)을 냉각한다. 제2 냉각 유닛(32)에서는, 기판(S)은 X축 플러스 방향을 따라 평류 반송된다. 예컨대, 기판(S)은 롤러 반송 기구(14)에 의해서 반송된다. 즉, 제2 냉각 유닛(32)은, 평류 반송되는 기판(S)을 냉각한다. 냉각된 기판(S)은, 노광 시스템(60)의 노광 장치(61)에 반송된다.
검사 유닛(33)은, 포토레지스트 패턴(라인)의 한계 치수(CD)의 측정 등의 검사를 행한다. 검사 유닛(33)에 의해서 검사가 행해진 기판(S)은, 카세트 스테이션(2)에 반송된다.
노광 시스템(60)은, 노광 장치(61)와, 주변 장치(EE/TITLER)(62)를 구비한다.
노광 장치(61)는, 회로 패턴에 대응한 패턴을 갖는 포토마스크를 이용하여 포토레지스트막을 노광한다.
주변 장치(62)는, 제1 처리 라인(3)의 하방에 배치된다. 주변 장치(62)는, 주변 노광 장치(EE)와 타이틀러(TITLER)를 구비한다. 주변 노광 장치는, 기판(S)의 외주부의 포토레지스트막을 제거한다. 타이틀러는, 노광 장치(61)에서 회로 패턴에 노광된 기판(S)에 소정의 정보를 기록한다.
제4 처리 라인(6)은, 노광 장치(61)에 의해서 노광된 기판(S)에 현상 처리를 행한다. 제4 처리 라인(6)은, 제1 처리 라인(3)의 하방에 배치된다. 제4 처리 라인(6), 및 주변 장치(62)는, X축 플러스 방향을 따라 배치된다. 제4 처리 라인(6)은, 주변 장치(62)보다도 X 축 마이너스 방향측에 배치된다. 즉, 제4 처리 라인(6)은, 주변 장치(62)와 카세트 스테이션(2)의 사이에 배치된다. 제4 처리 라인(6)에서는, 기판(S)은 X 축 마이너스 방향을 따라 평류 반송된다. 예컨대, 기판(S)은, 롤러 반송 기구(14)에 의해서 반송된다. 즉, 제4 처리 라인(6)(현상 처리 라인의 일례)은, 제1 처리 라인(전처리 라인의 일례)의 하방에 배치되고, 열처리가 행해진 기판(S)에 현상 처리를 행한다.
제4 처리 라인(6)에는, 현상 유닛(DEV)(40)과, 세정 유닛(RIN)(41)과, 건조 유닛(DRY)(42)이 포함된다. 제4 처리 라인(6)에서는, 유닛(40∼42)은, 현상 유닛(40), 세정 유닛(41), 및 건조 유닛(42)의 순서로 X 축 마이너스 방향을 따라 배치된다.
현상 유닛(40)은, 주변 장치(62)로부터 반송된 기판(S)에 대하여, 노광된 포토레지스트막을 현상액에 의해 현상한다. 세정 유닛(41)은, 포토레지스트막을 현상한 기판(S) 상의 현상액을 세정액(예컨대, 탈이온수(DIW))에 의해서 씻어 낸다. 건조 유닛(42)은, 세정액에 의해서 씻어 낸 기판(S) 상의 세정액을 건조시킨다.
기판 처리 장치(1)에서는, 제4 처리 라인(6)은, 제1 처리 라인(3)의 하방에 배치되어 있다. 그 때문에, 세정 유닛(41)에 공급되는 세정액과, 제1 처리 라인(3)의 스크럽 세정 유닛(21)에 공급되는 세정액을 공통의 세정액 탱크(도시하지 않음)로부터 공급할 수 있다. 또한, 기판 처리 장치(1)는, 세정 유닛(41), 및 스크럽 세정 유닛(21)과, 세정액 탱크를 접속하는 배관(도시하지 않음)을 짧게 할 수 있다.
열처리 유닛(7)은, 현상 처리가 행해진 기판(S)에 제2 열처리를 행한다. 열처리 유닛(7)은, 제2 가열 유닛(PO/BAKE)(50)과, 제3 냉각 유닛(COL)(51)을 구비한다.
제2 가열 유닛(50)(현상 가열부의 일례)은, 제1 처리 라인(전처리 라인의 일례)의 상방에 배치되고, 현상 처리가 행해진 기판(S)을 가열한다. 제2 가열 유닛(50)은, 제1 처리 라인(3)의 상방에 복수단 배치된다. 제2 가열 유닛(50)에는, 제4 처리 라인(6)에 의해서 현상 처리가 행해진 기판(S)이 제3 반송부(10)에 의해서 반송된다. 제2 가열 유닛(50)은, 린스액이 건조된 기판(S)을 가열하고, 포토레지스트막에 남는 용제, 및 린스액을 제거한다. 제2 가열 유닛(50)은, 제1 가열 유닛(31)과 마찬가지로 플레이트식의 가열 유닛이다.
제3 냉각 유닛(51)(현상 냉각부의 일례)은, 제2 가열 유닛(50)(현상 가열부의 일례)의 하방이며, 그리고 제1 처리 라인(3)(전처리 라인의 일례)의 상방에 배치되고, 제2 가열 유닛(50)에 의해서 가열된 기판(S)을 냉각한다. 제3 냉각 유닛(51)에는, 제2 가열 유닛(50)에 의해서 용제, 및 린스액이 제거된 기판(S)이, 제3 반송부(10)에 의해서 반송된다. 제3 냉각 유닛(51)은, 기판(S)에 냉풍을 분사하여 기판(S)을 냉각한다.
또, 제3 냉각 유닛(51)의 하방에는, 카세트 스테이션(2)으로부터 엑시머 UV 조사 유닛(20)에 기판(S)을 평류 반송하는 반송로(26)가 형성된다. 또한, 반송로(26)의 하방에는, 건조 유닛(42)으로부터 반송된 기판(S)이 제3 반송부(10)에 전달되는 전달부(43)가 형성된다.
제1 반송부(8)는, 기판 처리 장치(1)의 전단에 배치된다. 구체적으로는, 제1 반송부(8)는, 전후 방향에 있어서, 제2 처리 라인(4)의 포토레지스트 도포 유닛(25)과 노광 장치(61)의 사이에 배치된다. 또한, 제1 반송부(8)는, 좌우 방향에 있어서, 제1 처리 라인(3)(제4 처리 라인(6))과 제3 처리 라인(5)의 사이에 배치된다.
제1 반송부(8)는, 전후 방향, 및 좌우 방향으로 신축 가능한 반송 아암(SA)(8A)을 구비한다. 또한, 제1 반송부(8)는, 상하 방향을 따른 이동, 및 수직축을 중심으로 하는 선회가 가능하다.
제1 반송부(8)는, 제1 처리 라인(3)으로부터 제2 처리 라인(4)(도포 라인의 일례)에 기판(S)을 반송한다. 구체적으로는, 제1 반송부(8)는, 제1 처리 라인(3)의 제1 냉각 유닛(24)으로부터, 제2 처리 라인(4)의 포토레지스트 도포 유닛(25)에 기판(S)을 반송한다.
또한, 제1 반송부(8)는, 열처리가 행해진 기판(S)을 제3 처리 라인(5)(열처리 라인의 일례)으로부터 반출한다. 제1 반송부(8)는, 제3 처리 라인(5)으로부터 노광 시스템(60)에 기판(S)을 반송한다. 구체적으로는, 제1 반송부(8)는, 제3 처리 라인(5)의 제2 냉각 유닛(32)으로부터, 노광 시스템(60)의 노광 장치(61)에 기판(S)을 반송한다.
또한, 제1 반송부(8)는, 노광 시스템(60) 사이에서 기판(S)을 반송한다. 구체적으로는, 제1 반송부(8)는, 노광 장치(61)로부터 주변 장치(62)에 기판(S)을 반송한다. 즉, 제1 반송부(8)는, 기판(S)을 제1 처리 라인(전처리 라인의 일례)으로부터 제2 처리 라인(도포 라인의 일례)에 반송함과 함께, 열처리가 행해진 기판(S)을 노광 장치(61)(외부 장치의 일례)에 반송한다.
제2 반송부(9)는, 전후 방향, 및 좌우 방향으로 신축 가능한 반송 아암(SA)(9A)을 구비한다. 또한, 제2 반송부(9)는, 상하 방향을 따른 이동, 및 수직축을 중심으로 하는 선회가 가능하다.
제2 반송부(9)는, 제2 처리 라인(4)(도포 라인의 일례)으로부터 제3 처리 라인(5)(열처리 라인의 일례)으로 포토레지스트액(처리액의 일례)이 도포된 기판(S)을 반송한다. 구체적으로는, 제2 반송부(9)는, 제2 처리 라인(4)의 포토레지스트 도포 유닛(25)으로부터, 제3 처리 라인(5)의 감압 건조 유닛(30)에 기판(S)을 반송한다.
또한, 제2 반송부(9)는, 제3 처리 라인(5) 사이에서 기판(S)을 반송한다. 구체적으로는, 제2 반송부(9)는, 감압 건조 유닛(30)으로부터 제1 가열 유닛(31)에 기판(S)을 반송한다. 또한, 제2 반송부(9)는, 제1 가열 유닛(31)으로부터 제2 냉각 유닛(32)에 기판(S)을 반송한다.
제3 반송부(10)는, 좌우 방향으로 신축 가능한 반송 아암(SA)(10A)을 갖고 있다. 또한, 제3 반송부(10)는, 상하 방향, 및 전후 방향을 따른 이동, 및 수직축을 중심으로 하는 선회가 가능하다.
제어 장치(11)는, 예컨대, 컴퓨터이며, 제어부(11A)와 기억부(11B)를 구비한다. 기억부(11B)는, 예컨대, RAM(Random Access Memory), 플래시 메모리(Flash Memory) 등의 반도체 메모리 소자, 또는, 하드 디스크, 광디스크 등의 기억 장치에 의해서 실현된다.
제어부(11A)는, CPU(Central Processing Unit), ROM(Read Only Memory), RAM, 입출력 포트 등을 포함하는 마이크로 컴퓨터나 각종 회로를 포함한다. 마이크로 컴퓨터의 CPU는, ROM에 기억되어 있는 프로그램을 판독하여 실행함으로써, 카세트 스테이션(2)이나, 각 처리 라인(3∼6) 등의 제어를 실현한다.
또, 프로그램은, 컴퓨터에 의해서 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있고, 기억 매체로부터 제어 장치(11)의 기억부(11B)에 인스톨된 것이라도 좋다. 컴퓨터에 의해서 판독 가능한 기억 매체로서는, 예컨대 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 컴팩트 디스크(CD), 마그넷 광디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다.
<기판 처리>
다음으로, 제1 실시형태에 따른 기판 처리에 관해서 도 4, 및 도 5a∼도 5h를 참조하여 설명한다. 도 4는, 제1 실시형태에 따른 기판 처리를 나타내는 플로우 차트이다. 도 5a∼도 5h는, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)에 있어서의 기판(S)의 반송 경로를 나타내는 도면 (1)∼(8)이다. 또, 도 5a∼도 5h는, 설명을 위해, 제1 처리 라인(3)과 제4 처리 라인(6)을 나란하게 기재하고 있다.
기판 처리 장치(1)는, 전처리를 행한다(S10). 기판 처리 장치(1)는, 도 5a에 나타내는 바와 같이, 카세트 스테이션(2)으로부터 제1 처리 라인(3)에 기판(S)을 반송하고, 기판(S)을 평류 반송하면서, 기판(S)에 전처리를 행한다.
기판 처리 장치(1)는, 포토레지스트막의 형성 처리를 행한다(S11). 구체적으로는, 기판 처리 장치(1)는, 도 5b에 나타내는 바와 같이, 제1 반송부(8)에 의해서 기판(S)을 제1 처리 라인(3)으로부터 제2 처리 라인(4)에 반송한다. 그리고, 기판 처리 장치(1)는, 기판(S)을 평류 반송하면서, 포토레지스트 도포 유닛(25)에 의해서 기판(S)에 포토레지스트액을 도포하고, 기판(S)에 포토레지스트막을 형성한다.
기판 처리 장치(1)는, 제1 열처리를 행한다(S12). 구체적으로는, 기판 처리 장치(1)는, 도 5c에 나타내는 바와 같이, 제2 반송부(9)에 의해서 기판(S)을 제2 처리 라인(4)으로부터 제3 처리 라인(5)에 반송한다. 우선, 기판 처리 장치(1)는, 기판(S)을 제2 반송부(9)에 의해서 감압 건조 유닛(30)에 반송하고, 감압 건조 유닛(30)에 의해서 기판(S)을 감압 건조시킨다. 그리고, 기판 처리 장치(1)는, 감압 건조시킨 기판(S)을 제2 반송부(9)에 의해서 제1 가열 유닛(31)에 반송하고, 제1 가열 유닛(31)에 의해서 기판(S)을 가열한다.
또한, 기판 처리 장치(1)는, 도 5d에 나타내는 바와 같이, 제1 가열 유닛(31)에 의해서 가열된 기판(S)을, 제2 반송부(9)에 의해서 제1 가열 유닛(31)의 하방에 배치된 제2 냉각 유닛(32)에 반송한다. 그리고, 기판 처리 장치(1)는, 기판(S)을 평류 반송하면서 냉각한다.
기판 처리 장치(1)는, 제1 반송 처리를 행한다(S13). 구체적으로는, 기판 처리 장치(1)는, 도 5e에 나타내는 바와 같이, 기판(S)을 제1 반송부(8)에 의해서 제3 처리 라인(5)의 제2 냉각 유닛(32)으로부터 노광 시스템(60)의 노광 장치(61)에 반송한다. 또한, 기판 처리 장치(1)는, 기판(S)을 제1 반송부(8)에 의해서 노광 장치(61)로부터 주변 장치(62)에 반송한다.
기판 처리 장치(1)는, 현상 처리를 행한다(S14). 구체적으로는, 기판 처리 장치(1)는, 도 5f에 나타내는 바와 같이, 기판(S)을 주변 장치(62)로부터 제4 처리 라인(6)에 반송한다. 그리고, 기판 처리 장치(1)는, 기판(S)을 평류 반송하면서, 현상 유닛(40)에 의해서 기판(S)을 현상한다. 또한, 기판 처리 장치(1)는, 현상된기판(S)을 세정 유닛(41)에 의해서 씻어 내고, 건조 유닛(42)에 의해서 건조시킨다.
기판 처리 장치(1)는, 제2 열처리를 행한다(S15). 구체적으로는, 기판 처리 장치(1)는, 린스액을 건조시킨 기판(S)을, 도 5g에 나타내는 바와 같이, 제3 반송부(10)에 의해서 열처리 유닛(7)에 반송한다. 우선, 기판 처리 장치(1)는, 기판(S)을 제2 가열 유닛(50)에 반송하고, 기판(S)을 가열한다. 그리고, 기판 처리 장치(1)는, 가열된 기판(S)을 제3 반송부(10)에 의해서 제2 가열 유닛(50)의 하방에 배치된 제3 냉각 유닛(51)에 반송하고, 기판(S)을 냉각한다.
기판 처리 장치(1)는, 제2 반송 처리를 행한다(S16). 구체적으로는, 기판 처리 장치(1)는, 도 5h에 나타내는 바와 같이, 제3 반송부(10)에 의해서 기판(S)을 제3 냉각 유닛(51)으로부터 배치부(34)에 반송한다. 이것에 의해, 기판(S)이 배치부(34)로부터 검사 유닛(33)에 반송된다. 기판 처리 장치는, 검사가 종료된 기판(S)을 카세트 스테이션(2)에 반송한다. 또, 도 5h에서는, 설명을 위해, 전후 방향으로 이동하는 제3 반송부(10)의 반송 아암(10a)을 2개 기재하고 있다.
<효과>
기판 처리 장치(1)는, 기판(S)에 포토레지스트액(처리액의 일례)을 도포하는 제2 처리 라인(4)(도포 라인의 일례)과, 제2 처리 라인(4)에 기판(S)을 반송하는 제1 반송부(8)와, 제2 처리 라인(4)에 대하여 병렬로 배치되고, 포토레지스트액(처리액의 일례)이 도포된 기판(S)에 열처리를 행하는 제3 처리 라인(5)(열처리 라인)과, 제2 처리 라인(4)으로부터 제3 처리 라인(5)에 포토레지스트액이 도포된 기판(S)을 반송하는 제2 반송부(9)를 구비한다. 제1 반송부(8)는, 열처리가 행해진 기판(S)을 제3 처리 라인(5)으로부터 반출한다.
바꾸어 말하면, 기판 처리 장치(1)는, 기판 처리 방법으로서, 기판(S)에 포토레지스트액(처리액의 일례)을 도포하는 제2 처리 라인(4)(도포 라인)에, 제1 반송부(8)에 의해서 기판(S)을 반송하는 공정과, 제2 처리 라인(4)에 의해서 포토레지스트액이 도포된 기판(S)을, 제2 처리 라인(4)으로부터, 제2 처리 라인(4)에 대하여 병렬로 배치된 제3 처리 라인(5)(열처리 라인의 일례)에, 제2 반송부(9)에 의해서 반송하는 공정과, 제3 처리 라인(5)에 의해서 열처리가 행해진 기판(S)을 제1 반송부(8)에 의해서 반출하는 공정을 포함한다.
이것에 의해, 기판 처리 장치(1)는, 포토레지스트막을 형성하는 제2 처리 라인(4)과, 포토레지스트막이 형성된 기판(S)에 열처리를 행하는 제3 처리 라인(5)을 좌우 방향으로 나란하게 배치할 수 있다. 그 때문에, 기판 처리 장치(1)는, 전후 방향의 길이, 즉, 기판 처리 장치(1)의 전체 길이를 짧게 할 수 있다.
또한, 기판 처리 장치(1)는, 제2 처리 라인(4)으로의 기판(S)의 반송과, 제3 처리 라인(5)으로부터의 기판(S)의 반출을 제1 반송부(8)에 의해서 행할 수 있다. 이것에 의해, 기판 처리 장치(1)는, 동일한 제1 반송부(8)에 의해서 제2 처리 라인(4)에 기판(S)을 반송하고, 제3 처리 라인(5)으로부터 기판(S)을 반출할 수 있다. 그 때문에, 기판 처리 장치(1)는, 반송부의 수를 적게 하여, 비용을 삭감할 수 있다. 또한, 기판 처리 장치(1)는 장치 전체를 소형화할 수 있다.
또한, 기판 처리 장치(1)는, 제2 처리 라인(4)(도포 라인의 일례)에 반송되는 기판(S)에 전처리를 행하는 제1 처리 라인(3)(전처리 라인의 일례)과, 제1 처리 라인(3)의 하방에 배치되고, 열처리가 행해진 기판(S)에 현상 처리를 행하는 제4 처리 라인(6)(현상 처리 라인의 일례)을 구비한다.
이것에 의해, 기판 처리 장치(1)는, 제1 처리 라인(3)과 제4 처리 라인(6)을 상하 방향으로 적층하여 배치할 수 있고, 좌우 방향의 길이가 길어지는 것을 억제할 수 있다. 또한, 기판 처리 장치(1)는, 예컨대, 제1 처리 라인(3)의 스크럽 세정 유닛(21)과, 제4 처리 라인(6)의 세정 유닛(41)에 동일한 세정액 탱크로부터 세정액을 공급할 수 있다. 또한, 기판 처리 장치(1)는, 각 세정 유닛(41)과, 세정액 탱크를 접속하는 배관을 짧게 할 수 있다. 즉, 기판 처리 장치(1)는, 공통의 세정액 탱크를 사용하면서, 세정액 탱크와 각 세정 유닛(41)을 접속하는 배관을 짧게 할 수 있다.
또한, 제1 처리 라인(3)(전처리 라인의 일례)은, 주변 장치(62)(외부 장치의 일례)의 상방에 배치된다.
이것에 의해, 기판 처리 장치(1)는, 주변 장치(62)의 상방의 공간을 유효하게 이용할 수 있고, 장치 전체를 소형화할 수 있다.
또한, 제1 반송부(8)는, 기판(S)을 제1 처리 라인(3)(전처리 라인의 일례)으로부터 제2 처리 라인(4)(도포 라인의 일례)에 반송함과 함께, 열처리가 행해진 기판(S)을 노광 장치(61)(외부 장치의 일례)에 반송한다.
이것에 의해, 기판 처리 장치(1)는, 제1 반송부(8)에 의해서 복수의 반송 경로에 있어서 기판(S)을 반송할 수 있고, 반송부의 수를 적게 하여, 비용을 삭감할 수 있다. 또한, 기판 처리 장치(1)는, 장치 전체를 소형화할 수 있다.
또한, 기판 처리 장치(1)는, 제1 처리 라인(3)(전처리 라인의 일례)의 상방에 배치되고, 현상 처리가 행해진 기판(S)을 가열하는 제2 가열 유닛(50)(현상 가열부의 일례)과, 제2 가열 유닛(50)의 하방이고, 그리고 제1 처리 라인(3)의 상방에 배치되고, 제2 가열 유닛(50)에 의해서 가열된 기판(S)을 냉각하는 제3 냉각 유닛(51)(현상 냉각부의 일례)을 구비한다. 이것에 의해, 기판 처리 장치(1)는, 전후방향의 길이를 짧게 할 수 있다.
또한, 제3 처리 라인(5)(열처리 라인의 일례)은, 포토레지스트액(처리액의 일례)이 도포된 기판(S)을 가열하는 제1 가열 유닛(31)(가열부의 일례)과, 제1 가열 유닛(31)의 하방에 배치되고, 제1 가열 유닛(31)에 의해서 가열된 기판(S)을 냉각하는 제2 냉각 유닛(32)(냉각부의 일례)을 포함한다. 이것에 의해, 기판 처리 장치(1)는, 전후 방향의 길이를 짧게 할 수 있다.
(제2 실시형태)
<전체 구성>
다음으로, 제2 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)에 관해서 도 6, 및 도 7을 참조하여 설명한다. 도 6은, 제2 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)의 개략 구성을 나타내는 평면도이다. 도 7은, 제2 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)의 일부의 개략 구성을 나타내는 우측방 도면이다. 여기서는, 제1 실시형태와는 상이한 개소를 중심으로 설명하고, 제1 실시형태와 동일한 구성에 관해서는, 제1 실시형태와 동일한 부호를 붙여, 설명은 생략한다.
기판 처리 장치(1)는, 카세트 스테이션(2)과, 제1 처리 라인(3)과, 제2 처리 라인(70)과, 제3 처리 라인(71)과, 제4 처리 라인(6)과, 제5 처리 라인(72)과, 제1 반송부(8)와, 제2 반송부(73)와, 제3 반송부(EV)(74)와, 제어 장치(11)를 구비한다.
제2 처리 라인(70)(도포 라인의 일례)에는, 포토레지스트 도포 유닛(25)과, 감압 건조 유닛(30)이 포함된다. 제2 처리 라인(70)에서는, 포토레지스트 도포 유닛(25)에 대하여 X 축 마이너스 방향으로 감압 건조 유닛(30)이 배치된다. 또한, 포토레지스트 도포 유닛(25)과 감압 건조 유닛(30)의 사이에는, 제2 반송부(73)가 배치된다.
제3 처리 라인(71)(열처리 라인의 일례)에는, 제1 가열 유닛(80)과, 제2 냉각 유닛(81)이 포함된다. 제1 가열 유닛(80), 및 제2 냉각 유닛(81)은, 제1 가열 유닛(80), 및 제2 냉각 유닛(81)의 순서로 X축 플러스 방향을 따라 배치된다. 제3 처리 라인(71)에서는, 기판(S)은 X축 플러스 방향을 따라 평류 반송된다. 기판(S)은, 예컨대, 롤러 반송 기구(14)(도 2 참조)에 의해서 반송된다.
제1 가열 유닛(80)(가열부의 일례)은, 포토레지스트액(처리액의 일례)이 도포되고, 평류 반송되는 기판(S)을 가열한다. 제2 냉각 유닛(81)(냉각부의 일례)은, 제1 가열 유닛(80)(가열부의 일례)에 의해서 가열되고, 평류 반송되는 기판(S)을 냉각한다.
이와 같이, 제3 처리 라인(71)에서는, 평류 반송되는 기판(S)에 대하여, 제1 가열 유닛(80)에 의한 가열과, 제2 냉각 유닛(81)에 의한 냉각이 연속하여 행해진다.
또, 제1 가열 유닛(80)과, 검사 유닛(33)의 사이에는, 배치부(83)가 설치된다. 배치부(83)는, 제2 반송부(73)에 의해서 기판(S)이 반송되고 배치된다. 배치부(83)는, 기판(S)을 제1 가열 유닛(80), 또는 검사 유닛(33)을 향해서, 예컨대, 롤러 반송 기구(14)에 의해서 반송한다. 배치부(83)는, 제2 반송부(73)에 의해서 반송된 기판(S)을 제1 가열 유닛(80), 또는 검사 유닛(33)에, 분류하여 반송한다.
구체적으로는, 배치부(83)는, 감압 건조 유닛(30)으로부터 반송된 기판(S)을 제1 가열 유닛(80)을 향하여, 즉 X축 플러스 방향을 따라 반송한다. 또한, 배치부(83)는, 제5 처리 라인(72)으로부터 반송된 기판(S)을 검사 유닛(33)을 향해서, 즉 X 축 마이너스 방향을 따라 반송한다.
제5 처리 라인(72)은, 현상 처리가 행해진 기판(S)에 제2 열처리를 행한다. 제5 처리 라인(72)은, 제1 처리 라인(3)의 상방에 배치된다. 즉, 제1 처리 라인(3), 제4 처리 라인(6), 및 제5 처리 라인(72)은, 상하 방향으로 나란하게 배치된다. 제1 처리 라인(3), 제4 처리 라인(6), 및 제5 처리 라인(72)은, 제4 처리 라인(6), 제1 처리 라인(3), 제5 처리 라인(72)의 순서로 Z축 플러스 방향을 따라 배치된다. 이와 같이, 제5 처리 라인(72)(현상 열처리 라인의 일례)은, 제1 처리 라인(전처리 라인의 일례)의 상방에 배치되고, 현상 처리가 행해진 기판(S)에 열처리를 행한다.
제5 처리 라인(72)(현상 열처리 라인의 일례)에는, 제2 가열 유닛(90)과, 제3 냉각 유닛(91)이 포함된다. 제2 가열 유닛(90), 및 제3 냉각 유닛(91)은, 제2 가열 유닛(90), 및 제3 냉각 유닛(91)의 순서로 X축 플러스 방향을 따라 배치된다. 제5 처리 라인(72)에서는, 기판(S)은 X축 플러스 방향을 따라 평류 반송된다. 기판(S)은, 예컨대, 롤러 반송 기구(14)(도 2 참조)에 의해서 반송된다.
제2 가열 유닛(90)(현상 가열부의 일례)은, 평류 반송되는 기판(S)을 가열한다. 제3 냉각 유닛(91)(현상 냉각부의 일례)은, 제2 가열 유닛(90)(현상 가열부의 일례)에 의해서 가열되고, 평류 반송되는 기판(S)을 냉각한다.
이와 같이, 제5 처리 라인(72)에서는, 제3 처리 라인(71)과 마찬가지로 평류 반송되는 기판(S)에 대하여, 제2 가열 유닛(90)에 의한 가열과, 제3 냉각 유닛(91)에 의한 냉각이 연속하여 행해진다.
제2 반송부(73)는, 제2 처리 라인(70)에 있어서, 포토레지스트 도포 유닛(25)으로부터 감압 건조 유닛(30)에 기판(S)을 반송한다. 또한, 제2 반송부(73)는, 제2 처리 라인(70)의 감압 건조 유닛(30)으로부터 배치부(83)에 기판(S)을 반송한다.
또한, 제2 반송부(73)는, 제5 처리 라인(72)의 제3 냉각 유닛(91)(현상 냉각부의 일례)으로부터 기판(S)을 반출한다. 구체적으로는, 제2 반송부(73)는, 제5 처리 라인(72)의 제3 냉각 유닛(91)으로부터 배치부(83)에 기판(S)을 반송한다.
제3 반송부(74)는, 제4 처리 라인(6)으로부터 제5 처리 라인(72)에 기판(S)을 반송한다. 구체적으로는, 제3 반송부(74)는, 제4 처리 라인(6)의 건조 유닛(42)으로부터, 제5 처리 라인(72)의 제2 가열 유닛(90)에 기판(S)을 반송한다. 제3 반송부(74)는, 상하 방향을 따라 이동 가능하고, 좌우 방향으로 기판(S)을 반송하는 컨베이어 반송 기구이다. 제3 반송부(74)는, 제4 처리 라인(6)으로부터 기판(S)을 반출한 후에, 상방으로 이동하고, 기판(S)을 제5 처리 라인(72)에 반입한다. 또, 제3 반송부(74)는, 반송 아암을 갖는 반송 기구라도 좋다.
<기판 처리>
다음으로, 제2 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)에 있어서의 기판 처리에 관해서 도 4, 및 도 8a∼도 8g를 참조하여 설명한다. 제2 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)에 있어서의 기판 처리의 플로우 차트는, 제1 실시형태와 마찬가지이다. 도 8a∼도 8g는, 제2 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)에 있어서의 기판(S)의 반송 경로를 나타내는 도면 (1)∼(7)이다. 또, 도 8a∼도 8g는, 설명을 위해, 제1 처리 라인(3)과 제4 처리 라인(6)과 제5 처리 라인(72)을 나란하게 기재하고 있다.
기판 처리 장치(1)는, 전처리를 행한다(S10). 기판 처리 장치(1)는, 도 8a에 나타내는 바와 같이, 카세트 스테이션(2)으로부터 제1 처리 라인(3)에 기판(S)을 반입하고, 기판(S)을 평류 반송하면서 기판(S)에 전처리를 행한다.
기판 처리 장치(1)는, 포토레지스트막의 형성 처리를 행한다(S11). 구체적으로는, 기판 처리 장치(1)는, 도 8b에 나타내는 바와 같이, 제1 반송부(8)에 의해서 기판(S)을 제1 처리 라인(3)으로부터 제2 처리 라인(70)의 포토레지스트 도포 유닛(25)에 반송한다. 그리고, 기판 처리 장치(1)는, 포토레지스트 도포 유닛(25)에 의해서 기판(S)에 포토레지스트액을 도포하고, 기판(S)에 포토레지스트막을 형성한다.
기판 처리 장치(1)는, 제1 열처리를 행한다(S12). 구체적으로는, 기판 처리 장치(1)는, 도 8c에 나타내는 바와 같이, 제2 반송부(73)에 의해서 기판(S)을 포토레지스트 도포 유닛(25)으로부터 감압 건조 유닛(30)에 반송하고, 기판(S)을 감압 건조시킨다. 그리고, 기판 처리 장치(1)는, 감압 건조시킨 기판(S)을 감압 건조 유닛(30)으로부터 배치부(83)에 반송한다.
그리고, 기판 처리 장치(1)는, 기판(S)을 평류 반송하면서, 제1 가열 유닛(80)에서 기판(S)을 가열하고, 가열된 기판(S)을 제2 냉각 유닛(81)에서 냉각한다. 즉, 기판 처리 장치(1)는, 포토레지스트막이 형성된 기판(S)을 제2 처리 라인(70)으로부터 제3 처리 라인(71)에 반송하고, 기판(S)에 열처리를 행한다.
기판 처리 장치(1)는, 제1 반송 처리를 행한다(S13). 구체적으로는, 기판 처리 장치(1)는, 도 8d에 나타내는 바와 같이, 기판(S)을 제1 반송부(8)에 의해서 제3 처리 라인(71)의 제2 냉각 유닛(81)으로부터 노광 시스템(60)의 노광 장치(61)에 반송한다. 그리고, 기판 처리 장치(1)는, 기판(S)을 제1 반송부(8)에 의해서 노광 장치(61)로부터 주변 장치(62)에 반송한다.
기판 처리 장치(1)는, 현상 처리를 행한다(S14). 구체적으로는, 기판 처리 장치(1)는, 도 8e에 나타내는 바와 같이, 기판(S)을 주변 장치(62)로부터 제4 처리 라인(6)에 반송한다. 그리고, 기판 처리 장치(1)는, 기판(S)을 평류 반송하면서, 현상 유닛(40)에 의해서 기판(S)을 현상한다. 또한, 기판 처리 장치(1)는, 현상된 기판(S)을 세정 유닛(41)에 의해서 씻어 내고, 건조 유닛(42)에 의해서 건조시킨다.
기판 처리 장치(1)는, 제2 열처리를 행한다(S15). 구체적으로는, 기판 처리 장치(1)는, 도 8f에 나타내는 바와 같이, 제3 반송부(74)에 의해서, 기판(S)을 제4 처리 라인(6)으로부터 제5 처리 라인(72)에 반송한다. 그리고, 기판 처리 장치(1)는, 기판(S)을 평류 반송하면서, 제2 가열 유닛(90)에서 기판(S)을 가열하고, 가열한 기판(S)을 제3 냉각 유닛(91)에서 냉각한다.
기판 처리 장치(1)는, 제2 반송 처리를 행한다(S16). 구체적으로는, 기판 처리 장치(1)는, 도 8g에 나타내는 바와 같이, 제2 반송부(73)에 의해서 기판(S)을 제5 처리 라인(72)으로부터 배치부(83)에 반송한다. 이것에 의해, 기판(S)이 배치부(83)로부터 검사 유닛(33)에 반송되고, 검사가 종료된 기판(S)이 카세트 스테이션(2)에 반송된다.
<효과>
기판 처리 장치(1)는, 제1 처리 라인(3)(전처리 라인의 일례)의 상방에 배치되고, 현상 처리가 행해진 기판(S)에 열처리를 행하는 제5 처리 라인(72)(현상 열처리 라인의 일례)을 구비한다. 제5 처리 라인(72)은, 평류 반송되는 기판(S)을 가열하는 제2 가열 유닛(90)(현상 가열부의 일례)과, 제2 가열 유닛(90)에 의해서 가열되고, 평류 반송되는 기판(S)을 냉각하는 제3 냉각 유닛(91)(현상 냉각부의 일례)을 포함한다.
이것에 의해, 기판 처리 장치(1)는, 상하 방향의 높이를 억제하면서, 전후 방향의 길이를 짧게 할 수 있다.
또한, 제2 처리 라인(70)(열처리 라인의 일례)은, 포토레지스트액(처리액의 일례)이 도포되고, 평류 반송되는 기판(S)을 가열하는 제1 가열 유닛(80)(가열부의 일례)과, 제1 가열 유닛(80)에 의해서 가열되고, 평류 반송되는 기판(S)을 냉각하는 제2 냉각 유닛(81)(냉각부의 일례)을 포함한다.
이것에 의해, 기판 처리 장치(1)는, 상하 방향의 높이를 억제하면서, 전후 방향의 길이를 짧게 할 수 있다.
<변형예>
다음으로, 본 실시형태의 변형예에 관해서 설명한다.
변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 제2 처리 라인(4, 70)에 있어서 기판(S)에 복수회, 처리액을 도포해도 좋다. 예컨대, 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 포토레지스트막을 형성하기 전에, 반사 방지막을 형성해도 좋다. 이 경우, 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 포토레지스트 도포 유닛(25)에 복수의 노즐을 구비한다.
변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 제1 반송부(8)에 의해서 제1 처리 라인(3)으로부터 반송된 기판(S)에, 포토레지스트 도포 유닛(25)에 의해 반사 방지막을 형성한다. 그리고, 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 감압 건조 유닛(30), 제1 가열 유닛(31, 80), 및 제2 냉각 유닛(32, 81)에 의해 각 처리를 행하고, 제1 반송부(8)에 의해서 기판(S)을 재차 포토레지스트 도포 유닛(25)에 반입한다. 그리고, 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 반사 방지막을 형성한 기판(S)에, 포토레지스트 도포 유닛(25)에 의해서 포토레지스트막을 형성한다.
이와 같이, 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 제2 처리 라인(4, 70)에 의해서 복수회의 처리액의 도포를 행할 수 있다. 즉, 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 복수회의 처리액의 도포를 행하는 경우에, 제1 반송부(8)에 의해서 기판(S)을 제3 처리 라인(5, 71)으로부터 제2 처리 라인(4, 70)에 반송할 수 있다. 그 때문에, 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 전후 방향에서의 장치의 길이를 짧게 할 수 있다. 또, 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 복수회의 처리액을 도포하는 유닛을 상하 방향으로 적층해도 좋다.
또한, 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 현상 처리를 행하지 않는 장치라도 좋다. 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 제1 처리 라인(3)에 의해서 기판(S)을 세정하고, 제2 처리 라인(4, 70)에 의해서 처리액을 복수회 도포한 후에, 카세트 스테이션(2)에 기판(S)을 반송해도 좋다. 예컨대, 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 기판(S)에 복수회의 처리액의 도포를 행하고 기판(S)에 편광막을 형성하는 장치라도 좋다.
이와 같이, 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 기판(S)에 복수회의 처리액을 도포하는 장치에 있어서의 전후 방향의 길이를 짧게 할 수 있다.
또한, 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 기판(S)을 90도 회전시키는 로터리 스테이지를 설치해도 좋다. 예컨대, 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 제2 처리 라인(4, 70)의 제2 냉각 유닛(32, 81)에서 냉각된 기판(S)의 방향을 90도 회전시킨 후에, 제1 반송부(8)에 의해서 제2 처리 라인(4, 70)으로부터 기판(S)을 반출해도 좋다. 이것에 의해, 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 각 처리에 있어서의 기판(S)의 방향을 조정할 수 있다.
또, 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 로터리 스테이지에 있어서, 기판(S)의 온도를 조정하는 온도 조절 장치를 설치해도 좋다. 이것에 의해, 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 예컨대, 노광 장치(61)에 반송되는 기판(S)의 온도를 조정할 수 있다.
또한, 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 기판(S)을 일시적으로 배치하는 버퍼부(도시하지 않음)를 설치해도 좋다. 예컨대, 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 포토레지스트 도포 유닛(25)에 있어서 기판(S)을 반출하는 개소의 상방에 버퍼부를 설치해도 좋다. 이것에 의해, 예컨대, 검사 유닛(33)에 있어서 검사에 지연이 생긴 경우에, 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 현상 처리가 종료된 기판(S)을 버퍼부에 일시적으로 배치하고, 기판(S)에 대한 처리, 예컨대, 현상 처리 등을 계속하여 행할 수 있다.
또한, 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 예컨대, 제1 반송부(8)에 있어서 복수의 반송 아암을 갖고, 복수의 반송 아암에 의해서 기판(S)을 반송해도 좋다.
또한, 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 배치부(83)를 상하 방향으로 적층하고, 복수단, 예컨대, 2단 설치해도 좋다. 예컨대, 배치부(83)는, 감압 건조 유닛(30)으로부터 반송된 기판(S)을 상단에 배치하고, 상단으로부터 제3 처리 라인(71)의 제1 가열 유닛(80)을 향해서 기판(S)을 반송한다. 또한, 배치부(83)는, 제5 처리 라인(72)으로부터 반송된 기판(S)을 하단에 배치하고, 하단으로부터 검사 유닛(33)을 향해서 기판(S)을 반송한다. 또, 배치되는 기판(S)의 위치는, 상하단 반대라도 좋다.
또, 배치부(83)는, 각 단에 있어서 제1 가열 유닛(80), 및 검사 유닛(33)에 기판(S)을 반송할 수 있도록 해도 좋다. 즉, 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)의 배치부(83)(분류부의 일례)는, 상하 방향으로 복수단 배치되고, 제2 반송부(73)에 의해서 반송된 기판(S)을 제3 처리 라인(71)(열처리 라인의 일례), 또는 기판(S)의 검사를 행하는 검사 유닛(33)에, 분류하여 반송한다.
이것에 의해, 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 제2 반송부(73)에 의해서 반송된 기판(S)을 효율적으로 제1 가열 유닛(80), 및 검사 유닛(33)을 향해서 반송할 수 있다.
또, 이번 개시된 실시형태는 모든 점에서 예시로서 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 실제로, 상기한 실시형태는 다양한 형태로 구현될 수 있다. 또한, 상기의 실시형태는, 첨부의 청구의 범위 및 그 취지를 일탈하지 않고, 여러 가지 형태로 생략, 치환, 변경되어도 좋다.

Claims (11)

  1. 기판에 처리액을 도포하는 도포 라인과,
    상기 도포 라인에 상기 기판을 반송하는 제1 반송부와,
    상기 도포 라인에 대하여 병렬로 배치되고, 상기 처리액이 도포된 상기 기판에 열처리를 행하는 열처리 라인과,
    상기 도포 라인으로부터 상기 열처리 라인에, 상기 처리액이 도포된 상기 기판을 반송하는 제2 반송부
    를 구비하고,
    상기 제1 반송부는,
    상기 열처리가 행해진 상기 기판을 상기 열처리 라인으로부터 반출하는, 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 도포 라인에 반송되는 상기 기판에 전처리(前處理)를 행하는 전처리 라인과,
    상기 전처리 라인의 하방에 배치되고, 상기 열처리가 행해진 상기 기판에 현상 처리를 행하는 현상 처리 라인을 구비하는, 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 전처리 라인은,
    외부 장치의 상방에 배치되는, 기판 처리 장치.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 제1 반송부는,
    상기 기판을 상기 전처리 라인으로부터 상기 도포 라인에 반송하고, 상기 열처리가 행해진 상기 기판을 외부 장치에 반송하는, 기판 처리 장치.
  5. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 전처리 라인의 상방에 배치되고, 상기 현상 처리가 행해진 상기 기판을 가열하는 현상 가열부와,
    상기 현상 가열부의 하방이며, 그리고 상기 전처리 라인의 상방에 배치되고, 상기 현상 가열부에 의해서 가열된 상기 기판을 냉각하는 현상 냉각부를 구비하는, 기판 처리 장치.
  6. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 전처리 라인의 상방에 배치되고, 상기 현상 처리가 행해진 상기 기판에 열처리를 행하는 현상 열처리 라인을 구비하고,
    상기 현상 열처리 라인은,
    평류(平流) 반송되는 상기 기판을 가열하는 현상 가열부와,
    상기 현상 가열부에 의해서 가열되고, 평류 반송되는 상기 기판을 냉각하는 현상 냉각부를 포함하는, 기판 처리 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제2 반송부는,
    상기 현상 냉각부로부터 상기 기판을 반출하는, 기판 처리 장치.
  8. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상하 방향으로 복수단 배치되고, 상기 제2 반송부에 의해서 반송된 상기 기판을, 상기 열처리 라인, 또는 상기 기판의 검사를 행하는 검사 유닛에, 분류하여 반송하는 분류부를 구비하는, 기판 처리 장치.
  9. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 열처리 라인은,
    상기 처리액이 도포된 상기 기판을 가열하는 가열부와,
    상기 가열부의 하방에 배치되고, 상기 가열부에 의해서 가열된 상기 기판을 냉각하는 냉각부를 포함하는, 기판 처리 장치.
  10. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 열처리 라인은,
    상기 처리액이 도포되고, 평류 반송되는 상기 기판을 가열하는 가열부와,
    상기 가열부에 의해서 가열되고, 평류 반송되는 상기 기판을 냉각하는 냉각부를 포함하는, 기판 처리 장치.
  11. 기판에 처리액을 도포하는 도포 라인에, 제1 반송부에 의해서 상기 기판을 반송하는 공정과,
    상기 도포 라인에 의해서 상기 처리액이 도포된 상기 기판을, 상기 도포 라인으로부터, 상기 도포 라인에 대하여 병렬로 배치된 열처리 라인에, 제2 반송부에 의해서 반송하는 공정과,
    상기 열처리 라인에 의해서 열처리가 행해진 상기 기판을 상기 제1 반송부에 의해서 반출하는 공정
    을 포함하는, 기판 처리 방법.
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