JP2003309067A - 塗布、現像装置及び塗布現像処理における基板再生システム - Google Patents

塗布、現像装置及び塗布現像処理における基板再生システム

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JP2003309067A
JP2003309067A JP2003080650A JP2003080650A JP2003309067A JP 2003309067 A JP2003309067 A JP 2003309067A JP 2003080650 A JP2003080650 A JP 2003080650A JP 2003080650 A JP2003080650 A JP 2003080650A JP 2003309067 A JP2003309067 A JP 2003309067A
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wafer
unit
coating
substrate
carrier
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Kunie Ogata
久仁恵 緒方
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Tokyo Electron Ltd
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Tokyo Electron Ltd
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  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 塗布、現像装置を運転し、処理後の基板のレ
ジストパターンの検査を行うにあたり、スループットの
向上を図ること。 【解決手段】 キャリア搬入出部に置かれたキャリアに
対してウエハの受け渡しを行うウエハ搬送部の搬送領域
に、現像処理後の基板に形成されたレジストパターンを
検査するパターン検査部を設ける。このように構成すれ
ば、キャリア搬入出部におけるキャリアの搬出の待ち時
間を消化しながらパターン検査を行うことができ、スル
ープットが向上する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板にレジスト膜
を形成し、露光後の基板に対して現像を行い所望のパタ
ーンを形成する塗布、現像装置、及びこの装置で処理さ
れた基板の処理状態が良好でなかった場合にその基板を
再生処理するシステムに関する。
【0002】
【従来の技術】半導体デバイスの製造プロセスにおいて
は、半導体ウエハなどの基板にレジスト液を塗布し、フ
ォトマスクを用いてそのレジスト膜を露光し、それを現
像することによって所望のパターンを有するレジストマ
スクを基板上に作製するフォトリソグラフィ技術が用い
られている。
【0003】このフォトリソグラフィは、図10の概略
図に示すように塗布現像装置1Aに露光装置1Bを接続
したシステムによって行われる。塗布現像装置1Aは、
例えば半導体ウエハ(以下ウエハという)を処理する場
合を例にとると、ウエハキャリアCを搬入出する搬入出
部11、この搬入出部11に載置されたキャリアCから
ウエハを取り出す受け渡しアーム12と、塗布、現像部
13及びインターフェイス部14からなり、露光装置1
Bに接続される。受け渡しアーム12を介して塗布現像
部13に搬入されたウエハWは、レジスト膜が形成さ
れ、露光装置1Bにて露光され、その後塗布、現像部1
3に戻されて現像処理され、受け渡しアーム12を介し
てキャリアCに戻される。
【0004】処理を終えたウエハWがキャリアCに収納
されると、キャリアCはオペレータあるいは自動搬送ロ
ボットによって搬入出部11から搬出され、検査ユニッ
ト15に搬送される。この検査ユニット15では、ウエ
ハW上に形成されたレジストパターンの線幅、レジスト
パターンと下地パターンとの重なり具合、レジストの塗
布ムラ及び現像欠陥などについて検査を行う。そして合
格と判定されたウエハWは次工程に送られるが、不合格
と判定されたウエハWは洗浄ユニット16に送られる。
ウエハW上に形成されるデバイスは多層構造をなしてお
り、一つのデバイスを作成するのに塗布現像システムを
数十回も通ることから、洗浄ユニット16では、各段階
に応じた薬液を用い、その薬液中にウエハWを浸漬して
レジストを溶解除去し、当該塗布、現像が行われる前の
状態に戻す。そしてこのウエハWは再び塗布、現像シス
テムに送られ、再度同様の処理が行われる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、塗布、
現像システムから搬出されたキャリアCを検査ユニット
15に送り、ここでウエハWを1枚ずつ取り出して検査
を行い、キャリアCに戻しているので、スループットの
低下の一因となっている。
【0006】本発明は、このような事情の下になされた
ものでありその目的は、塗布、現像装置を運転し、処理
後の基板の検査を行うにあたり、スループットの向上を
図れる技術を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、基板
にレジストを塗布すると共に露光後の基板を現像し、露
光装置に接続される塗布、現像装置において、複数枚の
基板が収納されたキャリアが搬入出されるキャリア搬入
出部と、このキャリア搬入出部に搬入されたキャリアか
ら取り出された基板にレジストを塗布する塗布部と、露
光後の基板に対して現像を行う現像部と、前記キャリア
搬入出部、塗布部及び現像部の間で基板の搬送を行うた
めの搬送手段と、現像処理後の基板に形成されたレジス
トパタ−ンを検査するパタ−ン検査部と、を備え、前記
搬送手段は、前記キャリアと受け渡し位置との間で基板
の搬送を行う第1の搬送部と、前記受け渡し位置、塗布
部及び現像部の間で基板を搬送する第2の搬送部とから
なり、パターン検査部は前記第1の搬送部の搬送領域内
に設けられていることを特徴とする。
【0008】他の発明は、請求項1に記載された塗布、
現像装置を用い、パターン検査部で不合格と判定された
基板を洗浄部に搬送し、ここで基板を洗浄してレジスト
膜を除去することにより基板を再生し、再生された基板
を前記塗布、現像装置に戻して再びレジストパターンを
形成することを特徴とする塗布、現像処理における基板
再生システムである。
【0009】この発明によれば、塗布、現像装置におけ
る第1の搬送部の搬送領域内に、現像処理後の基板に形
成されたレジストパタ−ンを検査するパタ−ン検査部を
設けているので、キャリア搬入出部におけるキャリアの
搬出の待ち時間を消化しながらパターン検査を行うこと
ができ、従って装置の外部にパターン検査部を設けてキ
ャリアの中から1枚ずつ基板を取り出して検査する場合
に比べてスループットが高い。
【0010】
【発明の実施の形態】図1は、本発明の実施の形態に係
る塗布、現像装置100を露光装置200に接続してな
る塗布、現像システムの全体の概略を示す斜視図、図2
はこのシステムの内部を示す平面図である。塗布、現像
装置100は、複数枚例えば25枚の基板であるウエハ
Wが棚状に保持された搬送容器をなすウエハキャリア
(以下単に「キャリア」という)Cが搬入出されるキャ
リア搬入出部2と、ウエハWに対して塗布、現像処理を
行うための処理部3と、この処理部3と前記キャリア搬
入出部2との間でウエハWの受け渡しを行う第1のウエ
ハ搬送部21と、を備えている。
【0011】前記キャリア搬入出部2は、例えば4個の
キャリアCを載置するステ−ジとして構成されている。
第1のウエハ搬送部21は、X、Y、Z方向に移動自在
でかつ鉛直軸回りに回転自在な基台に進退自在なア−ム
を設けて構成されている。この第1のウエハ搬送部21
の搬送領域、例えば塗布、現像装置本体の側部には、現
像処理後のウエハWに形成されたレジストパタ−ンを検
査するパタ−ン検査部4が設けられている。このパタ−
ン検査部4は、レジストパタ−ンの線幅、レジストパタ
−ンと下地膜との重なり具合、現像欠陥及びレジストの
塗布ムラについて検査を行うためのものであり、例えば
3CCDカメラで得られたウエハの画像をパーソナルコ
ンピュータにて解析することによって検査を行うことが
できる。
【0012】また前記第1のウエハ搬送部21の搬送領
域であって、パタ−ン検査部4の下方側には、このパタ
−ン検査部4で不合格と判定されたウエハWを収納する
ためのキャリア40が載置台40aの上に置かれてい
る。なおこのキャリア40は前記キャリアCと同様のも
のである。図3は、パタ−ン検査部4とキャリア40と
を示す斜視図である。前記第1のウエハ搬送部21及び
キャリア40とは、この例では、不合格と判定されたウ
エハWを合格と判定されたウエハWから仕分ける仕分け
手段をなしている。
【0013】処理部3は、中央にメイン搬送ア−ムなど
と呼ばれている第2のウエハ搬送部22が設けられてお
り、この第2のウエハ搬送部22の前後(キャリア搬入
出部2から奥を見たときの方向で表わしている。)に
は、夫々棚5A、5Bが設けられている。これら棚5
A、5Bは、複数のユニットが積み上げられて構成され
ており、図4に示すようにそれらユニットに対してウエ
ハを加熱する加熱ユニット、ウエハの位置合わせをする
ためのアライメントユニットなどが割り当てられ、更に
ユニット群の一つがウエハの受け渡しユニット51とし
て割り当てられている。なお図4に示すユニットの割り
当てはイメ−ジを示す便宜上のもので、この割り当てに
拘束されるものではなく、例えば加熱ユニットと冷却ユ
ニットを別々の棚に分けてもよい。なお図2に示すよう
にガイドレ−ルGLに沿ってスライドできるように前記
棚5A、5Bと同様な棚5Cを設けてもよい。
【0014】図4に示すように前記棚5B(あるいは5
A、5C)の例えば最上段には、膜厚測定部50が設け
られていると共に、その下の段には、複数枚のモニタウ
エハを収納するためのモニタウエハ収納部52が設けら
れている。モニタウエハは、後述する塗布部に係るパラ
メ−タなどを定期的にチェックするために、製品ウエハ
と同様の処理が行われる検査専用のウエハであり、膜厚
測定部50は、このモニタウエハに形成されたレジスト
膜の膜厚を検査するものである。膜圧測定部50は、例
えば落射照明型顕微鏡、分光器及びデータ処理部を含む
光干渉式膜厚計により構成される。この光干渉式膜厚計
においては、光源から対物レンズを経てウエハに照射さ
れ、ここで反射された光を分光器に入射し、ここに入射
された反射スペクトルをコンピュータで解析することに
より膜厚が算出される。
【0015】前記第2のウエハ搬送部22の右側には、
上段側に2個の現像部23が設けられ、下段側に2個の
塗布部6が設けられている。前記第2のウエハ搬送部2
2は昇降自在、鉛直軸まわりに回転自在、進退自在に構
成されており、ウエハWを棚5A〜5Cの各ユニット、
塗布部6及び現像部23の間で受け渡す役割をもってい
る。なおこの例では、第1のウエハ搬送部21及び第2
のウエハ搬送部22により、ウエハ搬送手段を構成して
いる。
【0016】塗布部6及び現像部23はほとんど同様の
構成であり、塗布部6の構造について図5を参照しなが
ら簡単に説明する。図5中61は排気路61aが形成さ
れたカップであり、この中にスピンチャック62が設け
られている。このスピンチャック62は、ケ−ス63の
受け渡し口64を介して第2のウエハ搬送部22により
搬入されたウエハWを受け取ることができるように、モ
−タMにより昇降できる構成となっている。カップ61
の上方には、ノズルが設けられている。ノズルにはレジ
ストを供給するレジストノズルと溶剤例えばシンナ−を
供給する溶剤ノズルとがある。図5では溶剤ノズルを6
5として示してある。溶剤ノズル65はレジストを塗布
する前に濡れをよくするためにウエハW上にシンナーを
供給するためのものである。溶剤ノズル65は、支持ア
−ム66に支持され、レ−ル67に案内されて水平に
(紙面の表裏方向)に移動する。レジストノズルについ
ても同様に移動できるように構成されている。レジスト
の塗布については、スピンチャック62により回転して
いるウエハWの中心部にレジストノズルからレジストを
供給し、遠心力により引き伸ばして塗布される。
【0017】また塗布、現像装置100は、インタ−フ
ェイス部24を備えており、処理部3はこのインタ−フ
ェイス部24を介して露光装置200に接続されてい
る。このインタ−フェイス部24は、前記棚5Bの受け
渡しユニット51と露光装置200との間をウエハWを
搬送するための搬送ア−ム25を備えている。
【0018】ここでウエハWのパタ−ン検査及び膜厚測
定の結果とその後のウエハWの搬送制御との関係につい
て図6を参照しながら述べる。現像処理を終えたウエハ
Wはパタ−ン検査部4に搬送され、ここで既述のように
検査が行われるが、検査結果が合格であるウエハWにつ
いてはキャリア搬入出部2に載置されているキャリアC
に搬送され、検査結果が不合格であるウエハWについて
はキャリア40に搬送されるように、制御部7により第
1のウエハ搬送部21が制御される。また膜厚測定部5
0にて検査されたモニタウエハは、塗布部6に戻される
ように、制御部7により第2のウエハ搬送部22が制御
される。塗布部6は、後述のようにシンナ−によりウエ
ハ全面のレジストを溶解洗浄するように動作する。これ
ら一連の制御は、制御部7に格納されたプログラムによ
り実行される。
【0019】以上のように塗布、現像装置100は構成
されているが、図7に示すようにこの装置の外部には、
パタ−ン検査部4における検査結果が不合格となったウ
エハWを薬液により洗浄してウエハW全面のパタ−ンを
除去する洗浄部8が設けられている。前記塗布、現像装
置100及び洗浄部8からなるシステムは、本発明の基
板再生システムの実施の形態に相当する。
【0020】次いで上述実施の形態の作用について述べ
る。先ず外部からキャリアCがキャリア搬入出部2に搬
入され、第1のウエハ搬送部21によりこのキャリアC
内からウエハWが取り出される。ウエハWは、第1のウ
エハ搬送部21から棚5Aの受け渡しユニット51を介
して第2のウエハ搬送部22に受け渡され、更に棚5A
(あるいは5B、5C)の処理ユニットに順次搬送され
て、所定の処理例えば疎水化処理、冷却処理などが行わ
れる。続いてこのウエハWは塗布部6にてレジストが塗
布され、更に加熱処理された後、棚5Bの受け渡しユニ
ット51からインタ−フェイス部24を経て露光装置2
00に送られる。
【0021】露光装置200にて露光されたウエハW
は、逆の経路で処理部3に戻され、第2のウエハ搬送部
22により現像部23に搬送され、現像処理される。な
お詳しくは、ウエハWは、現像処理の前に加熱処理及び
冷却処理される。現像処理されたウエハWは上述と逆の
経路で第1のウエハ搬送部21に受け渡され、その後パ
タ−ン検査部4に搬入されて、パタ−ンの線幅、パタ−
ンと下地膜との重なり具合、現像ムラ及び現像欠陥が検
査される。
【0022】図7に示すようにパタ−ン検査結果が合格
であるウエハWは第1のウエハ搬送部21により、キャ
リア搬入出部2に載置されている元のキャリアCに戻さ
れ、パタ−ン検査結果が不合格であるウエハWは第1の
ウエハ搬送部21により、パタ−ン検査部4の下方側に
あるキャリア40に収納される。即ちパタ−ン検査の不
合格品が第1のウエハ搬送部21及びキャリア40によ
って、合格品から仕分けられたことになる。
【0023】キャリアCは次ぎのステ−ションに搬送さ
れ、キャリア40は例えばオペレ−タにより洗浄部8に
搬送される。洗浄部8では複数種の薬液槽が用意され、
ウエハW上のパタ−ンをなすレジストの種類に応じた薬
液槽に当該ウエハWが浸され、ウエハW全面のレジスト
を溶解除去して、塗布、現像装置100に搬入される前
の状態に戻す、つまりウエハWを再生する。再生された
ウエハWは、例えばキャリアに収納されてオペレ−タに
より塗布、現像装置100のキャリア搬入出部2に搬入
されて、再度塗布、露光、現像処理が行われる。
【0024】ここで例えば定期的に塗布、現像システム
における各処理例えばスピンチャック62の回転数など
のチェックをするために棚5Bのモニタウエハ収納部5
2からモニタウエハを第2のウエハ搬送部22により取
り出し、塗布部6に搬送してレジストを塗布し、棚5B
の膜厚測定部50に搬送する。モニタウエハは膜厚測定
部50で膜厚が測定され、塗布部6に搬送され、スピン
チャック62に吸着されて回転しながら、溶剤ノズル6
5から溶剤であるシンナ−が供給され、モニタウエハの
全面のレジストが溶解除去されて再生され、その後モニ
タウエハ収納部50に戻される。なおモニタウエハにつ
いても製品ウエハと同様に露光、現像処理を行い、パタ
ーン検査部4にてパターンを検査するようにしてもよ
い。
【0025】このような実施の形態によれば次ぎのよう
な効果がある。第1のウエハ搬送部21の搬送領域内
に、ウエハW上のレジストパタ−ンを検査するパタ−ン
検査部4を設けているので、キャリア搬入出部2におけ
るキャリアCの搬出の待ち時間を消化しながらパターン
検査を行うことができ、従って装置の外部にパターン検
査部を設けてキャリアCの中から1枚ずつウエハWを取
り出して検査する場合に比べてスループットが高い。
【0026】またモニタウエハの膜厚を塗布、現像装置
内で測定すると共に、モニタウエハに形成されたレジス
ト膜を塗布部6の溶剤ノズルからのシンナ−を用いて除
去し再生するようにしているため、自動化を図ることが
でき、効率のよい処理を行うことができる。この場合モ
ニタウエハは下地にパタ−ンが形成されていないベアウ
エハが用いられるので、溶剤ノズルからのシンナ−の供
給とウエハの回転とにより、確実にレジストを除去する
ことができる。更に例えば棚5Bの一部に膜厚測定部5
0及びモニタウエハは収納部52を配置するようにすれ
ば、平面的なスペ−スを格別に確保しなくてよいので、
装置の大型化を抑えることができる。
【0027】以上において本発明は、洗浄部8を塗布、
現像装置100に設けてもよく、例えば第1のウエハ搬
送部21の搬送領域であって、キャリア搬入出部2から
装置の奥側に向かって左側(パタ−ン検査部4と反対
側)にに設けるようにしてもよい。このようにすれば製
品ウエハの再生処理を自動化することができる。
【0028】またパタ−ン検査の合格ウエハを不合格ウ
エハから仕分ける手法としては、パタ−ン検査部4内に
マ−キング手段を設け、不合格ウエハに対しては周縁部
にマ−キング手段からインクを滴下してマ−キングする
ようにしてもよいし、図8に示すように検査結果をデ−
タ処理部81を介して記憶部82に格納するようにして
もよい。記憶部82では、例えばウエハの識別コ−ド、
そのウエハが属するロットの識別コ−ド、ウエハが運ば
れてきたキャリアCの識別コ−ド、そのキャリアCにお
ける収納位置(スロット位置)及びパタ−ン検査の結果
を対応づけて格納している。従ってキャリアCを搬出し
た後、例えば洗浄部あるいは次のステ−ションにて制御
系側でこの記憶部82のデ−タを参照することにより合
格ウエハと不合格ウエハとを判別することができ、合格
ウエハに対して速やかに次の工程を行うことができる。
これらの例では、前記マ−キング手段及び記憶部82
は、仕分け手段に相当する。
【0029】更に塗布、現像装置の運転がトラブルによ
り停止して処理が中断した場合に、処理工程の途中のウ
エハに対して再生処理を行うが、この場合の好ましい手
法について図9を参照しながら説明する。制御部84に
より各ウエハWの処理履歴を取り込み、ウエハWと処理
履歴とを対応付けて記憶部83に記憶する。この例で
は、ウエハWの属するロットの識別コ−ドも対応付けて
記憶されている。処理履歴とは、例えばウエハが疎水化
処理中、レジスト塗布後の加熱処理中、露光後現像前の
加熱処理中、現像後の加熱処理中などである。そして制
御部84は、システムがダウンして処理が中断した場
合、記憶部83内の処理履歴を参照して各ウエハがレジ
ストを除去して再生する必要があるかそれともそのまま
処理を続行することができるかを判断してその結果を記
憶部83に書き込み(この書き込みはシステムがダウン
する前に行ってもよい)、この結果に基づいて第2のウ
エハ搬送部22を操作し、再生が必要なウエハWについ
ては不合格用キャリア40に搬送する。また再生の必要
のないウエハWについては、そのまま処理が続行され
る。
【0030】例えば化学増幅型のレジストを用いた場
合、露光後の加熱処理の時間の管理が厳しく、ある時間
以上加熱されると予定している現像ができなくなるた
め、この加熱処理中のウエハについては再生処理が必要
になる。これに対して現像後の加熱処理では、時間が長
くても特に問題がないことから、その段階のウエハWに
対しては処理を続行すればよく、再生の必要がない。従
ってこのように処理履歴を管理すれば、一律にウエハW
を再生しなくてよいので、処理を無駄にすることなくか
つ不要な再生処理を行わなくて済む。
【0031】なお基板としてはウエハに限らず液晶ディ
スプレイ用のガラス基板であってもよい。
【0032】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、塗布、現
像装置における第1の搬送部の搬送領域内に、現像処理
後の基板に形成されたレジストパタ−ンを検査するパタ
−ン検査部を設けているので、キャリア搬入出部におけ
るキャリアの搬出の待ち時間を消化しながらパターン検
査を行うことができ、処理後の基板の検査を行うにあた
り、スル−プットの向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態に係る塗布、現像装置と露
光装置とを組み合わせたシステムを示す概観斜視図であ
る。
【図2】上記システムの内部を示す平面図である。
【図3】本発明の実施の形態に用いられるパターン現像
装置、及び不合格ウエハを収納するためのキャリアを示
す斜視図である。
【図4】上記システムの内部を示す側面図である。
【図5】塗布部を示す縦断面図である。
【図6】第1のウエハ搬送部及び第2のウエハ搬送部の
制御系を示す説明図である。
【図7】本発明の実施の形態に係る、塗布、現像処理に
おける基板再生システムを示す説明図である。
【図8】パターン検査の結果が合格であるウエハと不合
格であるウエハとを仕分ける手法の一例を示す説明図で
ある。
【図9】本発明で用いられる、処理履歴のための記憶部
のデータを概念的に示すと共にその記憶部を含めた制御
系を示す説明図である。
【図10】従来の塗布、現像処理における基板再生シス
テムを示す説明図である。
【符号の説明】
100 塗布、現像装置 200 露光装置 2 キャリア搬入出部 21 第1のウエハ搬送部 22 第2のウエハ搬送部 23 現像部 3 処理部 4 パターン検査部 40 不合格用キャリア 50 膜厚測定部 52 モニタウエハ収納部 6 塗布部 65 溶剤ノズル 7 制御部 8 洗浄部 82,83 記憶部
フロントページの続き Fターム(参考) 5F031 CA02 CA11 FA01 FA07 FA11 FA12 FA15 GA02 MA02 MA03 MA23 MA24 MA26 MA27 MA30 MA33 PA01 PA30 5F046 AA18 AA21 CD01 CD05 JA21 JA22 LA18 LB09 MA18

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板にレジストを塗布すると共に露光後
    の基板を現像し、露光装置に接続される塗布、現像装置
    において、 複数枚の基板が収納されたキャリアが搬入出されるキャ
    リア搬入出部と、 このキャリア搬入出部に搬入されたキャリアから取り出
    された基板にレジストを塗布する塗布部と、 露光後の基板に対して現像を行う現像部と、 前記キャリア搬入出部、塗布部及び現像部の間で基板の
    搬送を行うための搬送手段と、 現像処理後の基板に形成されたレジストパタ−ンを検査
    するパタ−ン検査部と、を備え、 前記搬送手段は、前記キャリアと受け渡し位置との間で
    基板の搬送を行う第1の搬送部と、前記受け渡し位置、
    塗布部及び現像部の間で基板を搬送する第2の搬送部と
    からなり、パターン検査部は前記第1の搬送部の搬送領
    域内に設けられていることを特徴とする塗布、現像装
    置。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載された塗布、現像装置を
    用い、パターン検査部で不合格と判定された基板を洗浄
    部に搬送し、ここで基板を洗浄してレジスト膜を除去す
    ることにより基板を再生し、再生された基板を前記塗
    布、現像装置に戻して再びレジストパターンを形成する
    ことを特徴とする塗布、現像処理における基板再生シス
    テム。
JP2003080650A 2003-03-24 2003-03-24 塗布、現像装置及び塗布現像処理における基板再生システム Pending JP2003309067A (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR101300329B1 (ko) * 2007-03-27 2013-08-28 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판의 처리 방법, 기판 처리 장치 및 컴퓨터 판독 가능한기억 매체

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