JP2006049757A

JP2006049757A - 基板処理方法

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Publication number: JP2006049757A
Application number: JP2004232085A
Authority: JP
Inventors: Takeshi Shimoaoki; 剛下青木; Hideji Kyoda; 秀治京田; Takafumi Niwa; 崇文丹羽
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2004-08-09
Filing date: 2004-08-09
Publication date: 2006-02-16
Also published as: US20090004607A1; TWI286801B; EP1788618A4; EP1788618A1; TW200625445A; WO2006016489A1; KR20070039946A; CN101002302A; CN100442437C

Abstract

【課題】欠陥が少なく、解像性能の高い露光処理を可能とする基板処理方法を提供する。
【解決手段】ウエハＷの表面にレジスト膜を形成した後、このレジスト膜を露光する光線を照射するためにレジスト膜と対面するように設けられたレンズ４３とウエハＷの表面との間に光を透過する液層を形成した状態でレジスト膜を露光し、その後に現像を行う。この露光工程において該液層を形成している液体として、ウエハＷの表面およびレンズ４３の表面を洗浄する機能を有するものを用いる。
【選択図】図４

Description

本発明は、半導体ウエハ等の基板に設けられたレジスト膜を露光し、また現像する基板処理方法に関する。

従来、半導体デバイスの製造工程の１つであるフォトリソグラフィー工程においては、半導体ウエハの表面にレジスト液を塗布し、形成されたレジスト膜を所定のパターンで露光し、その後に現像を行うことにより、半導体ウエハ上に回路パターンを形成している。

ここで、近時、半導体デバイスの回路パターンの細線化、微細化、高集積化が急速に進んでおり、これに伴って露光の解像性能を高める必要性が生じている。そこで、極端紫外露光（ＥＵＶＬ；Extrem Ultra Violet Lithography）やフッ素ダイマー（Ｆ_２）による露光技術の開発を進める一方で、例えばフッ化アルゴン（ＡｒＦ）やフッ化クリプトン（ＫｒＦ）による露光技術を改良して解像性能を上げるため、基板の表面に光を透過する液層を形成した状態で露光する手法（以下「液浸露光」という）が検討されている（例えば、特許文献１参照）。この液浸露光は、レンズと半導体ウエハとの間を純水等の液体で満たし、その中を光を透過させる技術で、例えば、１９３ｎｍというＡｒＦの波長は純水中では１３４ｎｍとなるという特徴を利用している。

このような液浸露光では、液体と接するレジスト膜の表面やレンズの表面にパーティクル等の欠陥があると、解像性能が悪化する問題がある。また、露光処理後にレジスト膜にパーティクルが付着した状態でポストエクスポージャーベークや現像処理を行うと、そのパーティクルが現像欠陥を発生させるおそれがある。
再公表ＷＯ９９／４９５０４

本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、欠陥が少なく、解像性能の高い露光処理を可能とする基板処理方法を提供することを目的とする。

本発明によれば、基板の表面にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜を露光する光線を照射するために前記レジスト膜と対面する光学部品と前記基板の表面との間に光を透過する液層を形成した状態で、前記レジスト膜を露光する工程と、
前記露光処理が終了した基板を現像する工程と、
を有し、
前記露光工程において、前記液層を形成している液体は、前記基板の表面および前記光学部品の表面を洗浄する機能を有することを特徴とする基板処理方法、が提供される。

この基板処理方法において、前記液体は純水に界面活性剤を溶解させたものが好適に用いられる。また、レジスト膜を形成する工程の後、露光工程の前に、基板の表面を洗浄液により洗浄する工程をさらに有する処理方法も好ましい。さらに、露光工程の後、現像工程の前において、露光処理が終了した基板を熱処理する工程と、露光工程の後、この熱処理工程の前に、基板の表面を洗浄液により洗浄する工程と、をさらに有する処理方法も好ましい。さらにまた、露光工程の後、現像工程の前において、露光処理が終了した基板を熱処理する工程と、この熱処理工程の後、現像工程の前に、基板の表面を洗浄液により洗浄する工程と、をさらに有する処理方法も好ましい。これにより、さらに欠陥数を低減し、また欠陥の発生を防止することができ、良好な形状の回路パターンを得ることができるようになる。このような処理に用いる洗浄液は、純水に界面活性剤を溶解させたものが好適である。

本発明によれば、液浸露光工程において高い解像性能を得ることができ、しかも欠陥の発生が抑制される。さらに、液浸露光工程の前後において基板の洗浄工程を設けることで、欠陥の少ない、形状の良好な回路パターンを形成することができるようになる。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。図１はレジスト塗布から露光、現像処理を一貫して行う処理システムの概略平面図、図２はその正面図、図３はその背面図である。この処理システムは、レジスト塗布および現像処理を行うレジスト塗布・現像処理システム１と、液浸露光装置１３と、を備えている。

レジスト塗布・現像処理システム１は、搬送ステーションであるカセットステーション１０と、複数の処理ユニットを有する処理ステーション１１と、処理ステーション１１に隣接して設けられる液浸露光装置１３との間でウエハＷを受け渡すためのインターフェイス部１２と、を具備している。

カセットステーション１０は、被処理体としてのウエハＷを複数枚、例えば２５枚単位でウエハカセットＣＲに搭載された状態で、他のシステムからレジスト塗布・現像処理システム１へ搬入し、またはレジスト塗布・現像処理システム１から他のシステムへ搬出する等、ウエハカセットＣＲと処理ステーション１１との間でウエハＷの搬送を行うためのものである。

カセットステーション１０においては、図１に示すように、カセット載置台２０上に図中Ｘ方向に沿って複数（図では４個）の位置決め突起２０ａが形成されており、この突起２０ａの位置にウエハカセットＣＲがそれぞれのウエハ出入口を処理ステーション１１側に向けて１列に載置可能となっている。ウエハカセットＣＲにおいてはウエハＷが垂直方向（Ｚ方向）に配列されている。また、カセットステーション１０は、カセット載置台２０と処理ステーション１１との間に位置するウエハ搬送機構２１を有している。

ウエハ搬送機構２１は、カセット配列方向（Ｘ方向）およびその中のウエハＷの配列方向（Ｚ方向）に移動可能なウエハ搬送用アーム２１ａを有しており、このウエハ搬送用アーム２１ａにより、いずれかのウエハカセットＣＲに対して選択的にアクセス可能となっている。また、ウエハ搬送用アーム２１ａは、図１中に示されるθ方向に回転可能に構成されており、後述する処理ステーション１１側の第３の処理部Ｇ_３に属するアライメントユニット（ＡＬＩＭ）およびエクステンションユニット（ＥＸＴ）にもアクセスできるようになっている。

一方、処理ステーション１１は、ウエハＷへ対して塗布・現像を行う際の一連の工程を実施するための複数の処理ユニットを備え、これらが所定位置に多段に配置されており、これらによりウエハＷが１枚ずつ処理される。この処理ステーション１１は、図１に示すように、中心部にウエハ搬送路２２ａを有しており、この中に主ウエハ搬送機構２２が設けられ、ウエハ搬送路２２ａの周りに全ての処理ユニットが配置された構成となっている。これら複数の処理ユニットは、複数の処理部に分かれており、各処理部は複数の処理ユニットが垂直方向（Ｚ方向）に沿って多段に配置されている。

主ウエハ搬送機構２２は、図３に示すように、筒状支持体４９の内側に、ウエハ搬送装置４６を上下方向（Ｚ方向）に昇降自在に装備している。筒状支持体４９は図示しないモータの回転駆動力によって回転可能となっており、それに伴ってウエハ搬送装置４６も一体的に回転可能となっている。ウエハ搬送装置４６は搬送基台４７の前後方向に移動自在な複数本の保持部材４８を備え、これらの保持部材４８によって各処理ユニット間でのウエハＷの受け渡しを実現している。

また図１に示すように、処理ステーション１１のウエハ搬送路２２ａの周囲には、５個の処理部Ｇ_１・Ｇ_２・Ｇ_３・Ｇ_４・Ｇ_５が配置されている。これらのうち、第１および第２の処理部Ｇ_１・Ｇ_２はレジスト塗布・現像処理システム１の正面側（図１における手前側）に並列に配置され、第３の処理部Ｇ_３はカセットステーション１０に隣接して配置され、第４の処理部Ｇ_４はインターフェイス部１２に隣接して配置されている。また、第５の処理部Ｇ_５は背面部に配置されている。

第１の処理部Ｇ_１では、コータカップ（ＣＰ）内でウエハＷを図示しないスピンチャックに乗せて所定の処理を行う２台のスピナ型処理ユニットであるレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）およびレジストのパターンを現像する現像ユニット（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ねられている。第２の処理部Ｇ_２も同様に、２台のスピナ型処理ユニットとしてレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）および現像ユニット（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ねられている。

第３の処理部Ｇ_３においては、図３に示すように、ウエハＷを載置台ＳＰに載せて所定の処理を行うオーブン型の処理ユニットが多段に重ねられている。すなわち、レジストの定着性を高めるためのいわゆる疎水化処理を行うアドヒージョンユニット（ＡＤ）、位置合わせを行うアライメントユニット（ＡＬＩＭ）、ウエハＷの搬入出を行うエクステンションユニット（ＥＸＴ）、冷却処理を行うクーリングユニット（ＣＯＬ）、露光処理前や露光処理後さらには現像処理後にウエハＷに対して加熱処理を行う４つのホットプレートユニット（ＨＰ）が下から順に８段に重ねられている。なお、アライメントユニット（ＡＬＩＭ）の代わりにクーリングユニット（ＣＯＬ）を設け、クーリングユニット（ＣＯＬ）にアライメント機能を持たせてもよい。

第４の処理部Ｇ_４においても、オーブン型の処理ユニットが多段に重ねられている。すなわち、クーリングユニット（ＣＯＬ）、クーリングプレートを備えたウエハ搬入出部であるエクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）、エクステンションユニット（ＥＸＴ）、クーリングユニット（ＣＯＬ）、および４つのホットプレートユニット（ＨＰ）が下から順に８段に重ねられている。

第５の処理部Ｇ_５は、案内レール２５に沿って主ウエハ搬送機構２２から見て側方へ移動できるようになっている。これにより、第５の処理部Ｇ_５を案内レール２５に沿ってスライドすることにより空間部が確保されるので、主ウエハ搬送機構２２に対して背後からメンテナンス作業を容易に行うことができる。

第５の処理部Ｇ_５には、ウエハＷを回転させながらウエハＷの表面に洗浄液を供給してウエハＷの表面を洗浄する、洗浄処理ユニット（ＣＬＥ）が設けられている。洗浄処理ユニット（ＣＬＥ）は、その構造は図示しないが、ウエハＷを保持して回転させるスピンチャックと、このスピンチャックに保持されたウエハＷを囲むカップと、ウエハＷの表面に洗浄液を供給する洗浄液供給ノズルと、を備えている。洗浄液としては、例えば、ウエハＷの表面に付着したパーティクル等の異物を除去することができる等の洗浄機能を有し、レジスト膜を溶解しない液体、例えば、純水に界面活性剤を溶解させたものが好適に用いられる。

インターフェイス部１２は、奥行方向（Ｘ方向）については、処理ステーション１１と同じ長さを有している。図１、図２に示すように、このインターフェイス部１２の正面部には、可搬性のピックアップカセットＣＲと定置型のバッファカセットＢＲが２段に配置され、背面部には周辺露光装置２３が配設され、中央部にはウエハ搬送機構２４が配設されている。このウエハ搬送機構２４はウエハ搬送用アーム２４ａを有しており、このウエハ搬送用アーム２４ａは、Ｘ方向、Ｚ方向に移動して両カセットＣＲ・ＢＲおよび周辺露光装置２３にアクセス可能となっている。

なお、ウエハ搬送用アーム２４ａはθ方向に回転可能であり、処理ステーション１１の第４の処理部Ｇ４に属するエクステンションユニット（ＥＸＴ）や、さらには隣接する露光装置側の図示しないウエハ受け渡し台にもアクセス可能となっている。

図４に液浸露光を行うための液浸露光装置１３の露光部の概略構成を示す断面図を示す。露光部４０では、図示しない保持機構により水平姿勢に保持されたウエハＷの表面と一定の隙間をあけて対向するようにレンズ４３が配置されている。このレンズ４３の外側には、露光のための光を透過する特性を有する液体を吐出する液供給口４１と、吐出された液体を吸引回収するための液回収口４２と、が設けられている。

ウエハＷの表面にはレジスト膜４４が形成されており、ウエハＷの表面（つまり、レジスト膜４４の表面）とレンズ４３の下面との間に液層が形成されるように、液供給口４１から液体を吐出させながら液回収口４２から液体を回収する。このようにウエハＷの表面とレンズ４３の下面との間に液層が形成された状態で、レンズ４３に図示しない光源から所定の光路を経て露光のための光が導かれ、この光がレンズ４３で絞られ、液層を透過して、ウエハＷの表面に照射される。これにより、回路パターンがウエハＷの表面に形成されたレジスト膜４４に転写される。所定の転写領域（ショット領域）でのパターン転写が終了したら、ウエハＷと露光部４０とを相対的に水平移動させて、別の転写領域で同様にパターン転写を行う。

一般的に露光処理時において、レジスト膜４４上にパーティクル等の異物が存在すると、その直下の部分が露光されなくなり、現像処理して得られる回路パターンに欠陥が生ずることとなる。また、レンズ４３の下面にパーティクル等の異物が付着すると露光のための光に強度むらが生じ、これにより良好な回路パターンを得ることができなくなる。さらにレジスト膜上のパーティクル等がレジスト膜から離れた後にレジスト膜４４やレンズ４３に再付着すれば、前述の問題を生ずる。

液浸露光では、線幅が細く、集積度が高い回路パターンを形成する技術であるから、このような欠陥の発生を防止するための処理条件の設定が必要不可欠である。

そこで、ウエハＷの表面とレンズ４３の下面との間に供給される液体として、レジスト膜４４の表面およびレンズ４３の表面を洗浄する機能を有するもの、例えば、レジスト膜４４の表面およびレンズ４３の表面に付着しているパーティクル等の異物を除去することができるもの、を用いる。このような洗浄機能を有する液体を用いれば、レジスト膜４４等から離れたパーティクル等の異物がレジスト膜等に再付着することも防止することができる。また、ウエハＷの表面とレンズ４３の下面との間に供給される液体にパーティクル等の異物が混入していても、そのような異物がレジスト膜４４等に付着することを防止することができる。これにより、露光の解像性能を高めることができる。

具体的には、液浸露光に用いられる液体としては、純水に界面活性剤を溶解させたものが好適である。界面活性剤としては、発泡性の小さいものを用いることが好ましい。これは、液中に気泡が発生すると、この気泡によって露光のための光が散乱されて解像性能が低下し、また、気泡がウエハＷの表面やレンズの下面に付着することによっても、解像性能の低下が引き起こされるためである。また、界面活性剤の濃度は、界面活性剤を純水に溶解することによって屈折率が大きく変化したり、または光の透過性が低下することによって、解像性能を低下を引き起こさない範囲に限られる。

次に、上述した処理システムによるウエハＷの処理方法について説明する。図５に第１の処理方法を概略的に示すフローチャートを示す。この第１の処理方法は、以下の通りである。すなわち、先ず、レジスト塗布・現像処理システム１のカセットステーション１０において、ウエハ搬送機構２１のウエハ搬送用アーム２１ａがカセット載置台２０上の未処理のウエハＷを収容しているウエハカセットＣＲにアクセスして１枚のウエハＷを取り出し、第３の処理部Ｇ_３のエクステンションユニット（ＥＸＴ）に搬送する。

ウエハＷは、エクステンションユニット（ＥＸＴ）から、主ウエハ搬送機構２２のウエハ搬送装置４６により、第３の処理部Ｇ_３のアライメントユニット（ＡＬＩＭ）に搬送されてアライメントされた後、アドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）に搬送され、そこでレジストの定着性を高めるための疎水化処理（ＨＭＤＳ処理）が施される。この処理は加熱を伴うため、その後ウエハＷはウエハ搬送装置４６によりクーリングユニット（ＣＯＬ）に搬送されて冷却される。なお、使用されるレジストの種類によっては、このＨＭＤＳ処理を行わずに、直接にウエハＷをレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）に搬送する場合があり、例えば、ポリイミド系レジストを用いる場合を挙げることができる。

アドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）での処理が終了してクーリングユニット（ＣＯＬ）で冷却されたウエハＷ、またはアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）での処理を行わないウエハＷは、引き続き、ウエハ搬送装置４６によりレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）に搬送され、そこでレジストが塗布され、塗布膜が形成される（ＳＴＥＰ１）。塗布処理終了後、ウエハＷは、第３または第４の処理部Ｇ_３・Ｇ_４のいずれかのホットプレートユニット（ＨＰ）内でプリベーク処理され（ＳＴＥＰ２）、その後いずれかのクーリングユニット（ＣＯＬ）にて冷却される。

冷却されたウエハＷは、第３の処理部Ｇ_３のアライメントユニット（ＡＬＩＭ）に搬送され、そこでアライメントされた後、第４の処理部Ｇ_４のエクステンションユニット（ＥＸＴ）を介してインターフェイス部１２に搬送される。

ウエハＷは、インターフェイス部１２において周辺露光装置２３により周辺露光されて余分なレジストが除去された後、インターフェイス部１２に隣接して設けられた液浸露光装置１３に搬送される。液浸露光装置１３においては、上述したように、レンズ４３とウエハＷの表面との間に洗浄機能を有する液体の層を形成した状態で、レジスト膜に露光処理が施される（ＳＴＥＰ３）。

露光処理が終了したウエハＷは、再びレジスト塗布・現像処理システム１のインターフェイス部１２に戻され、ウエハ搬送機構２４により、第４の処理部Ｇ_４に属するエクステンションユニット（ＥＸＴ）に搬送される。そして、ウエハＷは、ウエハ搬送装置４６により、いずれかのホットプレートユニット（ＨＰ）に搬送されて、ポストエクスポージャーベーク処理が施され（ＳＴＥＰ４）、次いで、クーリングユニット（ＣＯＬ）により冷却される。

その後、ウエハＷは現像ユニット（ＤＥＶ）に搬送され、そこで露光パターンの現像が行われる（ＳＴＥＰ５）。現像終了後、ウエハＷはいずれかのホットプレートユニット（ＨＰ）に搬送されてポストベーク処理が施され、次いで、クーリングユニット（ＣＯＬ）により冷却される。このような一連の処理が終了した後、第３の処理部Ｇ_３のエクステンションユニット（ＥＸＴ）を介してカセットステーション１０に戻され、いずれかのウエハカセットＣＲに収容される。

この第１の処理方法では、第５の処理部Ｇ_５に設けられた洗浄処理ユニット（ＣＬＥ）を用いないものであるが、次に洗浄処理ユニット（ＣＬＥ）による洗浄処理を組み込んだ第２〜第４の処理方法について説明する。

図６は第２の処理方法を簡略的に示すフローチャートである。第２の処理方法は、前記第１の処理方法におけるレジスト膜の形成工程後、液浸露光工程前に、ウエハＷの表面の洗浄処理工程を組み込んだものである。すなわち、ウエハＷの表面にレジスト液を塗布して塗布膜を形成し（ＳＴＥＰ１）、この塗布膜が形成されたウエハＷをプリベーク処理する（ＳＴＥＰ２）ことによりレジスト膜を形成した後、ウエハＷを洗浄処理ユニット（ＣＬＥ）に搬送して、そこでレジスト膜上のパーティクル等の除去処理を行い（ＳＴＥＰ２′）、その後に液浸露光を行う（ＳＴＥＰ３）という処理方法である。液浸露光処理に先立ってレジスト膜上のパーティクル等を除去しておくことにより、液浸露光における解像性能をさらに高めることができる。

図７は第３の処理方法を簡略的に示すフローチャートである。第３の処理方法は、前記第１の処理方法における液浸露光工程（ＳＴＥＰ３）後、ポストエクスポージャーベーク工程（ＳＴＥＰ４）前に、ウエハＷの洗浄処理工程（ＳＴＥＰ３′）を組み込んだものである。レジスト膜上にパーティクル等の異物が存在する状態で熱処理を行うと、この異物をレジスト膜から除去することが困難となる場合がある。そこで、ポストエクスポージャーベーク処理のような熱処理前に洗浄処理を施すことにより、欠陥の発生を抑制した回路パターンを得ることができるようになる。

図８は第４の処理方法を簡略的に示すフローチャートである。第４の処理方法は、前記第１の処理方法におけるポストエクスポージャーベーク工程（ＳＴＥＰ４）後、現像工程（ＳＴＥＰ５）前に、ウエハＷの洗浄処理工程（ＳＴＥＰ４′）を組み込んだものである。現像処理に先立ってウエハＷを洗浄処理することによって、現像処理時のレジストパターンへのパーティクル付着等の欠陥の発生を抑制することができる。

第２〜第４の処理方法を組み合わせることは、さらに好ましい。すなわち、レジスト膜の形成後、現像処理前に、ＳＴＥＰ２′〜４′から選ばれた２回または３回の洗浄処理工程を設けることにより、さらに欠陥の発生を抑制することができ、高精度な回路パターンを得ることができるようになる。

以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明はこのような形態に限定されるものではない。例えば、ウエハＷの洗浄処理工程を、ポストエクスポージャーベーク処理工程後、現像処理工程前に組み込む場合には、第５の処理部Ｇ_５に洗浄処理ユニット（ＣＬＥ）を設けることなく、現像ユニット（ＤＥＶ）に、ウエハＷに洗浄液を供給する機能を付加し、洗浄処理と現像処理を連続して行う構成とすることができる。これによりウエハＷの搬送時間が短縮される。

また、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）にウエハＷに洗浄液を供給する機能を付加してもよいし、また第３の処理部Ｇ_３や第４の処理部Ｇ_４にウエハＷの洗浄処理ユニットを配置することもできる。

洗浄処理ユニットは、上述したような、ウエハＷを回転させながら洗浄液を供給する形態のものに限定されるものではなく、例えば、界面活性剤を溶解させた純水を貯留したタンクにウエハＷを浸漬させて超音波洗浄する構造のものや、ウエハＷの表面と一定の隙間をあけて対面するプレート部材を配置し、その隙間が洗浄液で満たされる状態に維持しながら、その隙間に洗浄液を供給し、これと同時に吸引する構造のもの等を用いることができる。

本発明は、半導体デバイスの製造工程の１つである、液浸露光によるフォトリソグラフィー工程に好適である。

処理システムの概略構成を示す平面図。処理システムの概略構成を示す正面図。処理システムの概略構成を示す背面図液浸露光装置における露光部の概略構造を示す断面図。ウエハの第１の処理方法を示すフローチャート。ウエハの第２の処理方法を示すフローチャート。ウエハの第３の処理方法を示すフローチャート。ウエハの第４の処理方法を示すフローチャート。

符号の説明

１；レジスト塗布・現像処理システム
１３；液浸露光装置
４０；露光部
４１；液供給口
４２；液回収口
４３；レンズ
４４；レジスト膜
ＣＬＥ；洗浄処理ユニット
ＣＯＴ；レジスト塗布ユニット
ＤＥＶ；現像ユニット

Claims

基板の表面にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜を露光する光線を照射するために前記レジスト膜と対面する光学部品と前記基板の表面との間に光を透過する液層を形成した状態で、前記レジスト膜を露光する工程と、
前記露光処理が終了した基板を現像する工程と、
を有し、
前記露光工程において、前記液層を形成している液体は前記基板の表面および前記光学部品の表面を洗浄する機能を有することを特徴とする基板処理方法。
前記液体は純水に界面活性剤を溶解させたものであることを特徴とする請求項１に記載の基板処理方法。
前記レジスト膜を形成する工程の後、前記露光工程の前に、前記基板の表面を洗浄液により洗浄する工程をさらに有することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の基板処理方法。
前記露光工程の後、前記現像工程の前において、前記露光処理が終了した基板を熱処理する工程と、
前記露光工程の後、前記熱処理工程の前に、前記基板の表面を洗浄液により洗浄する工程と、
をさらに有することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の基板処理方法。
前記露光工程の後、前記現像工程の前において、前記露光処理が終了した基板を熱処理する工程と、
前記熱処理工程の後、前記現像工程の前に、前記基板の表面を洗浄液により洗浄する工程と、
をさらに有することを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の基板処理方法。
前記洗浄液は純水に界面活性剤を溶解させたものであることを特徴とする請求項３から請求項５のいずれか１項に記載の基板処理方法。