JP5374961B2 - 塗布、現像装置、及び塗布、現像装置の搬送アーム洗浄方法、並びに記憶媒体 - Google Patents

Description

本発明は、半導体ウェハ（以下ウェハという）などの基板の表面にレジストを塗布し、レジスト膜が塗布され、露光された後の基板に対して現像を行う塗布、現像装置において、基板の搬送を行う搬送アームを洗浄する技術に関する。

従来、半導体製造工程の一つであるフォトレジスト工程においては、ウェハの表面にレジスト膜を塗布し、このレジストを所定のパターンで露光した後に、当該ウェハに現像液を供給して現像を行ってレジストパターンを作成している。このような処理は、一般に塗布モジュールと現像モジュールとを有する塗布、現像装置に露光装置を接続したシステムを用いて行われている。

ところで近年、デバイスパターンの微細化、薄膜化の要請から露光の解像度を上げることを目的として液浸露光を呼ばれる露光手法が導入されている。液浸露光とは、ウェハの表面に光を透過させる超純水等の液層を形成し、その状態で光源の光をこの液層を透過させて照射し、所望の回路パターンをレジストに転写する露光処理である。液浸露光は、光の波長が水中では短くなることを利用して解像度の高い露光処理を行うものであり、一例としては、ＡｒＦ（フッ化アルゴン）エキシマレーザー（大気中での波長１９３ｎｍ）を利用し、レーザー光に液層を透過させてレーザー光の波長を１３４ｎｍに変更して露光を行う。

所で塗布、現像装置に搬入されるウェハは、エッチング残渣などが付着している場合があり、この残渣がウェハから搬送手段に転写する。また塗布、現像装置内におけるレジスト膜の剥れ等によっても、搬送手段にパーティクルが付着することがある。搬送手段はウェハの周縁部を保持するように構成され、レジストの塗布モジュールや現像モジュール等が設けられている処理ブロック内の基板搬送をする搬送手段であるメインアームや、処理ブロックを露光装置に接続し、処理ブロックの処理と露光装置の処理とのタイミング差を吸収するインターフェイスブロック内での基板搬送をする搬送手段であるＩＦアームは、アーム体に沿って設けられた基板載置部材切片によりウェハの裏面周縁のベベル部を保持するように構成されている。

このためウェハのベベル部から搬送アームの基板載置部材切片にパーティクルが転写すると、そのうちこの基板載置部材切片に接触するウェハのベベル部にパーティクルが転写する。特に液浸露光プロセスでは、ウェハのベベル部に汚れが付着していると液を伝って、その汚れがウェハの表面に乗り上げ、露光装置のレンズやステージを汚染し、その結果パターンの欠陥を各ウェハに対して引き起こしてしまう。

そこで上記問題を解決するために、塗布、現像装置では露光装置に搬送されるウェハのベベル部を洗浄する液浸露光前洗浄モジュールをインターフェイスブロックに設け、ウェハのベベル部を洗浄してパーティクルを除去したウェハを露光装置に搬送するようにしている。しかしながら液浸露光前洗浄モジュールで洗浄されたウェハは、ＩＦアームによって露光装置に搬送されるため、このＩＦアームの基板載置部材切片とウェハとが接触することになり、この基板載置部材切片にパーティクルが転写しているとそのパーティクルが洗浄されたウェハのベベル部に転写して既述の問題が発生源となるおそれがあった。このため従来の塗布、現像装置では、ＩＦアームの基板載置部材切片からパーティクルが転写することを防止するために、人の手によって搬送アームの基板載置部材切片の洗浄や交換を行っていたが、この方法では実施に長時間を要し、また基板載置部材切片を交換した場合は、アーム位置の再調整を行う必要があった。そしてこの洗浄と調整に要する時間は、塗布、現像装置の装置ダウン時間となってしまっている。

この搬送手段の洗浄問題を解決するため、塗布、現像装置の中には、搬送手段の基板載置部材切片を洗浄する洗浄モジュールを備えたものがある。例えば特許文献１には、搬送手段が移動可能な領域に紫外線照射部を設け、搬送手段が汚染された際に紫外線照射部に搬送手段を移動させて紫外線を照射し、汚染物質を除去する装置が記載されている。また本出願人は、特許文献２に記載されているインターフェィスブロックの洗浄モジュールに搬送手段洗浄ヘッドを設け、洗浄モジュールに搬送手段を進入させる際に搬送手段洗浄ヘッドによって搬送手段を洗浄する塗布、現像装置や、特許文献３に記載されているウェハの受け渡しモジュールにクリーニング機構を設けて、ウェハを保持していない搬送手段をモジュール内に進入させ、クリーニング機構により搬送手段を洗浄する塗布、現像装置を提案している。

しかしながらこれらの手法では、塗布、現像装置に新規に搬送手段を洗浄するための機構を設けなければならず、また洗浄が行われる領域とウェハの搬送領域とを物理的に隔離することができないため洗浄中にパーティクルが搬送領域に拡散して搬送雰囲気が汚染される可能性がある等の課題があった。

特開平１１−４０４６２号公報（段落番号００２４、００２６） 特開２００６−２２２１５８号公報（段落番号００２７、００４１） 特開２００７−３１１６９１号公報（段落番号００７７〜００７９）

本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、基板を搬送する搬送アームを自動で洗浄することができ、これにより基板の汚染を低減できる塗布、現像装置、及びこの塗布、現像装置に関する技術を提供することにある。

本発明は、複数枚の基板を収納したキャリアが搬入されるキャリアブロックと、基板にレジスト液を塗布し、レジスト膜が形成され、露光装置にて露光された基板に対して現像液により現像を行う処理ブロックと、前記処理ブロックにてレジスト膜が形成され、加熱処理された後の基板の裏面周縁のベベル部を洗浄する洗浄モジュールと、前記洗浄モジュールにて洗浄された基板を露光装置に対する受け渡し位置に至るまでの搬送経路に沿って搬送を行い、基板の裏面周縁のベベル部を基板の周方向において局所的に保持する搬送アームを含む基板搬送手段と、を備えた塗布、現像装置であって、
薬液を基板に供給して基板に対して処理を行う液処理モジュールと、
前記搬送アームにおける基板のベベル部の保持領域によりそのベベル部が保持され、当該搬送アームの保持領域に付着している汚染物を転写させるための洗浄用治具と、
この洗浄用治具を格納する治具格納部と、
前記洗浄モジュールまたは液処理モジュールに設けられ、洗浄用治具のベベル部を洗浄するためのベベル部洗浄手段と、
前記洗浄用治具のベベル部を前記べベル部洗浄手段により洗浄し、次いでこの洗浄用治具を搬送アームに保持させるステップを同一の搬送アームに関して複数回行うように制御信号を出力する制御部と、
前記ステップの繰り返し実行回数を設定する設定部と、を備えたことを特徴としている。

またベベル部洗浄手段は、基板のベベル部を洗浄する手段と兼用されていてもよい。また前記洗浄用治具が保持される搬送アームは、露光装置に接続されるインターフェイスブロックに設けられ、露光装置に基板を受け渡すためのものであってもよい。前記ステップの各々に用いられる洗浄用治具は同一の洗浄用治具である。また各ステップの洗浄用治具は互いに異なる洗浄用治具であってもよい。また前記液処理モジュールは複数設けられ、洗浄用治具はこれら液処理モジュールにて順番にベベル部が洗浄され、制御部は、各液処理モジュールの搬入前後にて搬送アームに洗浄用治具を保持させるように制御信号を出力する。

他の発明は、複数枚の基板を収納したキャリアが搬入されるキャリアブロックと、基板にレジスト液を塗布し、レジスト膜が形成され、露光装置にて露光された基板に対して現像液により現像を行う処理ブロックと、前記処理ブロックにてレジスト膜が形成され、加熱処理された後の基板の裏面周縁のベベル部を洗浄する洗浄モジュールと、前記洗浄モジュールにて洗浄された基板を露光装置に対する受け渡し位置に至るまでの搬送経路に沿って搬送を行い、基板の裏面周縁のベベル部を基板の周方向において局所的に保持する搬送アームを含む基板搬送手段と、を備えた塗布、現像装置において、
洗浄液または薬液を基板に供給して基板に対して処理を行い、洗浄用治具のベベル部を洗浄するためのベベル部洗浄手段が設けられた液処理モジュールを用い、
前記搬送アームにおける基板のベベル部の保持領域によりそのベベル部が保持され、当該搬送アームの保持領域に付着している汚染物を転写させるための洗浄用治具を、治具格納部から取り出して前記液処理モジュールに搬入する工程と、
前記洗浄用治具のベベル部を前記べベル部洗浄手段により洗浄し、次いでこの洗浄用治具を搬送アームに保持させるステップを、設定部により設定された繰り返し回数だけ同一の搬送アームに関して複数回行う工程と、を含むことを特徴としている。

本発明の記憶媒体は、塗布し、レジスト膜が形成され、露光装置にて露光された基板に対して現像液により現像を行う処理ブロックと、前記処理ブロックにてレジスト膜が形成され、加熱処理された後の基板の裏面周縁のベベル部を洗浄する洗浄モジュールと、前記洗浄モジュールにて洗浄された基板を露光装置に対する受け渡し位置に至るまでの搬送経路に沿って搬送を行い、基板の裏面周縁のベベル部を基板の周方向において局所的に保持する搬送アームを含む基板搬送手段と、を備えた塗布、現像装置に用いられ、コンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項７ないし１２のいずれか一項に記載された搬送アーム洗浄方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする。

本発明によれば、装置内に搬送アームを洗浄するための洗浄用冶具を格納する治具格納部を設け、この洗浄用冶具のベベル部を、基板のベベル部を洗浄するベベル部洗浄手段を備えた液処理モジュールで洗浄した後、搬送アームに保持させる。これにより搬送アームに付着しているパーティクルが洗浄用冶具に転写されるので間接的に搬送アームが洗浄されることになる。このため搬送アームから基板にパーティクルが転写することが抑えられるので、基板の汚染が低減し、露光装置のクリーン化に寄与できる。そして搬送アームが自動で洗浄できるので作業者の負担にならず、また装置のダウン時間を短縮できる。

［第１の実施形態］
本発明の実施形態に係る塗布、現像装置の一例について説明する。図１は、本実施形態の塗布、現像装置と露光装置とを接続して構成したレジストパターン形成システムの平面図であり、図２は同概略斜視図である。図中Ｂ１は、基板であるウェハＷが例えば１３枚密閉収納された密閉型搬送容器（キャリア）であるＦＯＵＰ１を搬入出するためのキャリアブロックであり、複数のキャリア載置台１２０と、ＦＯＵＰ１に対してウェハＷの受け渡しを行うための受け渡しアームＡ１とを備えている。１２１は、ＦＯＵＰ１の蓋を開閉する機構である。

キャリアブロックＢ１の奥側には筐体１２２にて周囲を囲まれる処理ブロックＢ２が接続されており、この処理ブロックＢ２には棚ユニットＵ１、Ｕ２、Ｕ３と、液処理モジュールＥ１、Ｅ２と、ウェハＷの受け渡しを行う搬送アームであるメインアームＡ２及びＡ３とが設けられている。液処理モジュールＥ１、Ｅ２は、図２に示すように、反射防止膜の塗布モジュール（ＢＡＲＣ）、レジストの塗布モジュール（ＣＯＴ）、及び現像モジュール（ＤＥＶ）を総称したものである。なおこれ以降、反射防止膜の塗布モジュールを反射防止膜モジュール、レジストの塗布モジュールを塗布モジュールという。

棚ユニットＵ１、Ｕ２、Ｕ３は、液処理モジュールＥ１、Ｅ２にて行われる処理の前処理及び後処理を行うための各種モジュール、例えば液処理の前処理あるいは後処理として特定の加熱処理を行う加熱モジュール、加熱されたウェハＷを冷却する冷却モジュール（ＣＰＬ）、及び受け渡しのためのステージを有する受け渡しモジュール（ＴＲＳ）等を複数段積層して構成されている。加熱処理としては、レジスト塗布後の加熱処理（ＰＡＢ）、現像前の加熱処理（ＰＥＢ）、現像後の加熱処理（ＰＯＳＴ）等が挙げられる。この実施形態では、加熱モジュールあるいは受け渡しモジュールを介して前述及び後述の各アームＡ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４の間でウェハＷの受け渡しができるようになっている。各モジュールの段数や各モジュールの配置は、処理時間等に応じて設定される。

処理ブロックＢ２の棚ユニットＵ３の奥側には、インターフェイスブロックＢ３を介して露光装置Ｂ４が接続されている。インターフェイスブロックＢ３は、図２、図３に示すように処理ブロックＢ２に接続される第１搬送室１２６、及び露光装置Ｂ４に接続される第２搬送室１２７の二つの搬送室から構成されている。第１搬送室１２６には、棚ユニットＵ４、第１のＩＦ（interface）アームＡ４、バッファカセットＣＯ、洗浄モジュール１００が設けられ、第２搬送室１２７には、第２のＩＦアームＡ５が設けられている。棚ユニットＵ４は、例えばウェハＷの受け渡しを行う受け渡しモジュールＵ４１を２段、その上に例えば高精度温度調整モジュールＵ４２を２段積層することによって構成されている。バッファカセットＣＯは、搬送サイクルの調整を行うために搬送中のウェハＷを一時的に退避させる。洗浄モジュール１００は、搬入されたウェハＷを洗浄する。

ＩＦアームＡ４（Ａ５）は、図４に示すように、例えば搬送基台５０に２枚のアーム体であるピンセット５１ａ、５１ｂが進退自在に設けられており、搬送基台５０は、Ｚ軸ガイド部５２に沿ってＺ軸（鉛直軸）方向に昇降する移動部５３に回転自在に設けられている。またこのＺ軸ガイド部５２はＹ軸ガイド部５４に沿って移動可能に設けられている。ピンセット５１ａ（５１ｂ）は、図５に示すようにウェハＷの輪郭に対応する円に沿って前方左右に１個ずつ基板載置部材切片５５ａ、５５ｂが設けられ、後方に１個の基板載置部材切片５５ｃが設けられている。これらの基板載置部材切片５５ａ、５５ｂ、及び５５ｃはウェハＷの裏面側の周縁のベベル部を保持するように傾斜した傾斜面が形成されており、ピンセット５１ａ（５１ｂ）に対して着脱できるように構成されている。なおメインアームＡ２、Ａ３はアーム体が馬蹄形をしており、このアーム体にウェハＷのベベル部を保持するように前方側左右に１個ずつ、後方側左右に１個ずつ基板載置部材切片が設けられている。

洗浄モジュール１００は、図６に示すようにケーシング６１を有し、側壁にシャッタ６２により開閉自在な搬送口６３が設けられている。ケーシング６１の内部には、スピンチャック６４、スピンチャック駆動部６５、カップ６６、洗浄ノズル７１、ベベル部洗浄ノズル７２が配設されている。スピンチャック６４は、真空吸着によりウェハＷを水平に保持し、スピンチャック駆動部６５により鉛直軸回りに回転する。またスピンチャック６４は、例えば洗浄位置からウェハ受け渡し位置までの間を昇降し、ウェハ受け渡し位置で搬送口６３から進入するＩＦアームＡ５と協働してウェハＷの受け渡しを行う。なおこの受け渡しは、カップ６６内に３本の昇降装置を設けて行ってもよい。カップ６６は、スピンチャック６４の周囲を囲むように設けられており、底部には周方向で連通している外室６６Ａと、内室６６Ｂとが区画形成されている。外室６６Ａの底部には排液を行うためのドレイン管６７が接続され、内室６６Ｂの底部にはカップ６６内の排気を行う排気管６８が接続されている。

洗浄ノズル７１は、洗浄ノズル７１に洗浄液供給源からの洗浄液が洗浄液供給源７１Ｄを介して送られ、ウェハＷ上に吐出するように構成されている。またカップ６６内には、ウェハＷの裏面側のベベル部を洗浄するためのベベル部洗浄ノズル７２が設けられ、例えば上述した洗浄液供給源から図示しない分岐路を介して洗浄液が、このノズルからベベル部へ向けて吐出するようになっている。

洗浄モジュール１００におけるウェハＷの洗浄は次のようにして行われる。まずＩＦアームＡ５は洗浄を行うウェハＷをウェハ受け渡し位置まで搬送し、次いでスピンチャック６４が上昇してウェハＷを受け取り吸着して保持する。そしてスピンチャック６４を回転させて洗浄ノズル７１から洗浄液をウェハＷの表面中央部に供給すると共に、ベベル部洗浄ノズル７２から洗浄液をウェハＷの裏面周縁部のベベル部に供給する。こうしてウェハＷは、液浸露光を行う露光装置Ｂ４に搬送される前にウェハＷの表面及びベベル部が洗浄される。

バッファカセットＣＯは、図７に示すように複数、例えば３０枚のウェハＷを格納することができ、ウェハＷを格納するための棚Ｃ１を３０枚分有している。本実施形態では、棚Ｃ１のうち、任意の複数、例えば下部の５つの棚Ｃ１を本発明の治具格納部に相当する洗浄冶具載置棚Ｃ２として設定し、予めアーム浄用の洗浄用冶具である洗浄用ウェハ６を積載している。なお本実施形態では通常のレジスト塗布、現像工程で使用されているシリコン（Si）ウェハＷを、洗浄用ウェハ６として使用している。

この塗布、現像装置の全てのモジュールは、制御部１１０によってその動作が制御される。制御部１１０には、レジストパターン形成プログラム１１２と、アーム洗浄プログラム１１３とが記憶されている。レジストパターン形成プログラム１１２は、ウェハＷにレジストパターンを形成する際の各モジュールの動作や各アームＡ１〜Ａ５を制御するためのプログラムである。アーム洗浄プログラム１１３は、洗浄用ウェハ６の搬送及び洗浄モジュール１００の動作を制御するプログラムであり、アーム洗浄時のＩＦアームＡ４、Ａ５及び洗浄モジュール１００の制御用レシピや、既述の洗浄冶具載置棚Ｃ２の位置情報等が設定される。これらのプログラムは、図１に示すように記憶媒体を介して制御部１１０であるコンピュータの記憶部１１１にインストールされる。

このレジストパターン形成システムにおけるウェハＷの搬送経路の一例について説明する。なお以下に示す一例では、棚ユニットＵ１に既述の、ＴＲＳ１、ＣＰＬ１、ＣＰＬ４が積層され、棚ユニットＵ２に既述の、ＴＲＳ２、ＰＡＢ、ＣＰＬ２、ＰＯＳＴが積層され、棚ユニットＵ３に既述の、ＴＲＳ３、ＰＥＢ、ＣＰＬ３が積層されているものとする。露光されるまでの経路は、ＦＯＵＰ１→ＴＲＳ１→ＢＡＲＣ→ＣＰＬ１→ＣＯＴ→ＰＡＢ→ＣＰＬ２→ＴＲＳ３→ＩＦアームＡ４→受け渡しモジュールＵ４１→ＩＦアームＡ５→洗浄モジュール１００→ＩＦアームＡ５→露光装置Ｂ４の順に搬送される。また露光が終了した後の経路は、インターフェイスブロックＢ３→ＰＥＢ→ＣＰＬ３→ＤＥＶ→ＰＯＳＴ→ＣＰＬ４→ＦＯＵＰ１となる。メインアームＡ２、Ａ３では、１サイクルの中で予め定められた順序でモジュール間のウェハＷの搬送を行い、１サイクルが終了すると次のサイクルに移るサイクル搬送制御が行われている。これに対してＩＦアームＡ４、Ａ５は、メインアームＡ２、Ａ３に対して非同期で搬送を行う。

次に本実施形態の塗布、現像装置における特徴的な部分である、ＩＦアームＡ４、Ａ５の洗浄処理について図８のフロー及び図９ないし図１３を参照して説明する。本実施形態では、ＩＦアームＡ４、Ａ５を洗浄するタイミングをウェハＷのロット数によって決めており、このロット数はアーム洗浄プログラム１１３に予め設定するようになっている。即ち制御部１１０では、ＦＯＵＰ１から塗布、現像装置内に搬入されるロット数をカウントしており、設定されたロット数に到達すると次のロットについて処理ブロックＢ２へのウェハＷの搬入を一旦停止させる。そして処理中のロットの最後尾のウェハＷがインターフェイスブロックＢ３から処理ブロックＢ２に受け渡された後、アーム洗浄レシピが実行される。まず図９に示すように第１のＩＦアームＡ４が、バッファカセットＣＯの洗浄冶具載置棚Ｃ２から洗浄用ウェハ６を１枚取り出し（ステップＳ１）、受け渡しモジュールＵ４１に格納する（ステップＳ２）。次に第２のＩＦアームＡ５で洗浄用ウェハ６を受け渡しモジュールＵ４１より取り出し（ステップＳ３）、図１０に示すように洗浄モジュール１００に搬入する（ステップＳ４）。

そして洗浄モジュール１００のスピンチャック６４に洗浄用ウェハ６が保持された後、図１１（ａ）に示すようにスピンチャック６４が回転しながらベベル部洗浄ノズル７２から洗浄液例えば純水が洗浄用ウェハ６の裏面周縁部に向けて吐出される。洗浄用ウェハ６の裏面周縁部に吐出された純水は図１１（ｂ）に示すように遠心力により裏面側のベベル部に沿って流れて当該ベベル部が洗浄され、パーティクルなどの汚染物が付着していた場合には洗い流される。次いで純水の吐出を停止し、スピンチャック６４を回転させて洗浄用ウェハを乾燥させることにより一連の洗浄工程が終了し（ステップＳ５）、その後図１２に示すように、ＩＦアームＡ５が洗浄モジュール１００内に進入して洗浄用ウェハ６をスピンチャック６４から受け取る（ステップＳ６）。洗浄用ウェハ６は製品用ウェハＷと同様にＩＦアームＡ５の基板載置部材切片５５ａ、５５ｂ、５５ｃ（図５及び図１３参照）によりベベル部が保持される。

ＩＦアームＡ５の基板載置部材切片５５ａ、５５ｂ、５５ｃに汚染物例えばパーティクルＰが付着している場合には、この基板載置部材切片５５ａ、５５ｂ、５５ｃに洗浄用ウェハ６のベベル部が接触して洗浄用ウェハ６の自重により押圧されるので、ＩＦアームＡ５から洗浄用ウェハ６を他の場所に受け渡すときにはパーティクルＰが基板載置部材切片５５ａ、５５ｂ、５５ｃから洗浄用ウェハ６のベベル部に転写される可能性が極めて高い。図１３（ａ）、（ｂ）はＩＦアームＡ５の基板載置部材切片５５ｂから洗浄用ウェハ６のベベル部に転写される様子を示している。ところでステップＳ３、Ｓ４にて既にＩＦアームＡ５は洗浄用ウェハ６を受け取り更に洗浄モジュール１００に受け渡しているが、この段階では例えば洗浄用ウェハ６の搬送がＩＦアームＡ４を介して行われているため洗浄用ウェハ６のベベル部が汚れている可能性がある。これに対して洗浄後の洗浄用ウェハ６をＩＦアームＡ５に受け渡し、更にＩＦアームＡ５から他の場所に受け渡すことにより、ＩＦアームＡ５から洗浄用ウェハ６へのパーティクルの転写は起こるが、洗浄用ウェハ６のベベル部は洗浄されているので逆の転写は生じない。

本発明ではこの段階でＩＦアームＡ５から受け渡しモジュールＵ４１に洗浄用ウェハ６を戻しても従来に比べてＩＦアームＡ５が清浄化されている可能性が高いので、全体の歩留まりの向上という効果は発揮されるが、洗浄用ウェハ６の洗浄→ＩＦアームＡ５への受け渡しの一連のステップＳ４、Ｓ５及びＳ６を複数回行うことが好ましい。そこでこの実施の形態では制御部１１０の入力部を介してこのステップの繰り返し回数を設定できるように設定部が設けられており、図８のステップＳ７にて上記工程の設定回数に達しているか否かを判断し、設定回数に達していなければステップＳ４に戻ってＩＦアームＡ５から洗浄モジュール１００に洗浄用ウェハ６が搬送され、先の一連のステップ（Ｓ４、Ｓ５及びＳ６）が繰り返される。この一連のステップの繰り返し回数が設定回数に達すると（ステップＳ７）、既述の経路と逆の経路で洗浄用ウェハ６を搬送する。即ち、ＩＦアームＡ５から受け渡しモジュールＵ４１に洗浄用ウェハ６を格納し（ステップＳ８）、ＩＦアームＡ４にて洗浄用ウェハ６を取り出して（ステップＳ９）、バッファカセットＣＯの洗浄冶具載置棚Ｃ２へと格納する（ステップＳ１０）。その後、アーム洗浄処理が終了したことを報知して（ステップＳ１１）、次ロット以降の処理を再開させる。

上述実施の形態によれば、ＩＦアームＡ５により製品用のウェハＷを保持する領域つまり製品用のウェハＷのベベル部を保持する領域である基板載置部材切片５５ａ、５５ｂ、５５ｃを洗浄用冶具により洗浄している。具体的には製品用のウェハＷと同種のウェハ（サイズが同一なシリコンウェハ）を洗浄用治具である洗浄用ウェハ６として用い、製品用ウェハＷの洗浄ユニット１００を利用してこの洗浄用ウェハ６のベベル部を洗浄している。そしてこの洗浄用ウェハ６をＩＦアームＡ５に保持させて、基板載置部材切片５５ａ、５５ｂ、５５ｃに付着している汚染物であるパーティクルＰを洗浄用ウェハ６に転写するようにし、こうしてＩＦアームＡ５におけるウェハ保持領域である基板載置部材切片５５ａ、５５ｂ、５５ｃを清浄化するようにしている。

既述のように露光装置Ｂ４に搬送されるウェハＷは、洗浄モジュール１００で洗浄された後ＩＦアームＡ５により露光装置Ｂ４に搬送されるため、洗浄モジュール１００でパーティクル等が除去されたとしても、ＩＦアームＡ５にパーティクルＰ等が付着しているとこのパーティクルＰ等がウェハＷ裏面のベベル部に付着して露光装置Ｂ４に持ち込まれるおそれがある。従ってＩＦアームＡ５が清浄化されていることにより、Ｂ４におけるパーティクル汚染が抑えられ、特に液浸露光の場合にはウェハＷに付着しているパーティクルが歩留まり低下の大きな要因になるため、上述の実施形態は液浸露光を行う上で、非常に有効である。なお本発明はドライ露光に適用しても効果が得られることは勿論である。こうして露光装置の汚染が低減し、露光不良の低減、露光装置のメンテナンス周期の改善が期待できる。更にＩＦアームＡ５を自動で洗浄しているので、マニュアルの清掃、パーツ交換を行う場合に比べて格段に装置のダウン時間を短縮化でき、またオペレータの負担も軽減できる。

本発明は、例えば次のように実施することもできる。図１４に示すように、ステップＳ８で行われていた判定処理を、洗浄冶具載置棚Ｃ２へ洗浄用ウェハ６を格納するステップＳ１０の前に移動させてステップＳ７０とし、ステップＳ７と同様の判定を行って、設定された回数に到達していない場合には、ステップＳ２に戻るようにしてもよい。これによりインターフェイスブロックＢ３のＩＦアームＡ５だけでなくＩＦアームＡ４についても洗浄することが可能となる。このようにＩＦアームＡ４についても洗浄することにより、プロセス中にＩＦアームＡ４からＩＦアームＡ５にパーティクルが転写することが抑えられ、結果として露光装置Ｂ４へのパーティクルの持ち込みがより一層防止できる。

また第１の実施形態において、ＩＦアームＡ５が洗浄用ウェハ６を受け渡しモジュールＵ４１から取り出した後、ＩＦアームＡ４が次の洗浄用ウェア６を受け渡しモジュールＵ４１に搬入するようにしてもよい。この場合、ＩＦアームＡ５が洗浄モジュール１００にて洗浄された洗浄済みの洗浄用ウェハ６と受け渡しモジュールＵ４１の洗浄前の洗浄用ウェハ６とを交換すると共に、ＩＦアームＡ４が、受け渡しモジュールＵ４１に搬入された洗浄済みの洗浄用ウェハ６と、次の洗浄用ウェハ６とを交換することになる。従って、バッファカセットＣＯから順次取り出される洗浄用ウェハ６によってＩＦアームＡ４、ＩＦアームＡ５が洗浄されることになる。また洗浄用冶具としては、製品用ウェハＷと同種のウェハに限らず、パーティクルをより転写しやすい材質のものを使用してもよいし、ベベル部の形状を最適化して搬送アームの爪の洗浄効果を高めるようにしてもよい。

［第２の実施形態］
また洗浄用治具を洗浄する洗浄モジュールとしては、インターフェイスブロックＢ３に設けられた液浸露光前洗浄用の洗浄モジュール１００に限らず、液浸露光の後にウェハＷを洗浄する洗浄モジュールであってもよい。液浸露光後洗浄用の洗浄モジュールにウェハＷのベベル部を洗浄するための洗浄ノズルが設けられていない場合には、洗浄用治具のベベル部を洗浄するための洗浄ノズルを付設することになる。

また洗浄の対象となる搬送アームとしては、インターフェイスブロックＢ３内の搬送アーム（ＩＦアームＡ４、Ａ５）に限られるものではなく、露光装置Ｂ４に対するウェハＷの受け渡し位置に至るまでの搬送経路に沿ってウェハＷを搬送する搬送アームであれば、処理ブロックＢ２内のメインアームＡ２、Ａ３であってもよい。そして洗浄用治具を洗浄する洗浄モジュールとしては、基板を洗浄するための洗浄モジュールを利用することに限らず、薬液を基板に供給して液処理を行うモジュール例えば塗布モジュール（ＣＯＴ）、反射防止膜を形成するためにスピンコーティングを行う反射防止膜モジュール（ＢＡＲＣ）あるいは現像モジュール（ＤＥＶ）などであってもよい。この場合においても、ウェハＷのベベル部を洗浄するための洗浄ノズルが設けられていない場合には、洗浄用治具のベベル部を洗浄するための洗浄ノズルを付設すればよい。

この第２の実施形態の塗布、現像装置について図１５を参照して説明する。図１５に示すように、本実施形態の塗布、現像装置では、キャリアブロックＢ１の受け渡しアームＡ１の移動可能領域に、予め複数枚の洗浄用ウェハ６を収納した洗浄冶具用キャリアＣ３を載置しておき、アーム洗浄時には、この洗浄冶具用キャリアＣ３から洗浄用ウェハ６を取り出してアームの洗浄処理を行う。

第２の実施形態の洗浄処理は、以下の経路に沿って洗浄用ウェハ６を搬送することにより行われる。なお第２の実施形態の棚ユニットＵ１、Ｕ２、Ｕ３の構成は、第１の実施形態の棚ユニットＵ１、Ｕ２、Ｕ３と同じである。洗浄用ウェハ６の搬送経路は、洗浄冶具用キャリアＣ３→受け渡しアームＡ１→ＴＲＳ１→メインアームＡ２→ＣＯＴ→メインアームＡ２→ＴＲＳ２→メインアームＡ３→ＴＲＳ３→ＩＦアームＡ４→受け渡しモジュールＵ４１→ＩＦアームＡ５→洗浄モジュール１００となる。そして洗浄モジュール１００から洗浄冶具用キャリアＣ３までの洗浄用ウェハ６の経路はＣＯＴに搬送されない以外は、全て上記経路と同じ経路を搬送される。搬送される洗浄用ウェハ６には、装置内の全てのアームＡ１〜Ａ５からパーティクル等が転写され、洗浄モジュール１００、及びベベルリンスノズルを備えた塗布モジュールＣＯＴに搬送される。そして第１の実施形態と同様に洗浄用ウェハ６に対してベベル洗浄が行われる。

これにより第２の実施形態では、全てのアームＡ１〜Ａ５を間接的に洗浄することができる。なお第２の実施形態のアーム洗浄処理においては、洗浄用ウェハ６に対して熱処理や冷却処理、現像処理等を行う必要がないため、洗浄用ウェハ６は、受け渡しモジュールＴＲＳ１〜３、受け渡しモジュールＵ４１、受け渡しアームＡ１、メインアームＡ２、Ａ３、ＩＦアームＡ４、Ａ５、及び洗浄モジュール１００と塗布モジュールＣＯＴのみに搬送され、それ以外のモジュールには搬送しないよう設定されている。これにより、洗浄用ウェハ６を、製品用のウェハＷより早く搬送してアーム洗浄処理時間の短縮化を図っている。またこの実施形態では、塗布モジュールＣＯＴで洗浄用ウェハ６の洗浄を行っているが、本発明の実施の形態としては、洗浄モジュール１００のみで洗浄を行うようにしてもよい。また第２の実施形態では、第１の実施形態同様、複数回洗浄用ウェハ６の搬送を行うように設定し、各アームＡ１〜Ａ５のパーティクルの除去精度を向上させることができる。

［第３の実施形態］
また本発明の実施の形態としては、次の第３の実施形態に示す形態であってもよい。この第３の実施形態の塗布、現像装置について図１６を参照して説明する。本実施形態の塗布、現像装置では、棚ユニットＵ１に洗浄冶具載置棚Ｃ２を設け、複数枚の洗浄用ウェハ６を収納している。この実施形態の洗浄処理は、図１６に示す経路に沿って洗浄用ウェハ６を搬送することにより行われる。なお第３の実施形態の棚ユニットＵ１、Ｕ２、Ｕ３の構成は、棚ユニットＵ１に洗浄冶具載置棚Ｃ２が追加で積層されている以外は、第１の実施形態の棚ユニットＵ１、Ｕ２、Ｕ３と同じである。洗浄用ウェハ６の搬送経路は、洗浄冶具載置棚Ｃ２→メインアームＡ２→ＣＯＴ→メインアームＡ２→ＴＲＳ２→メインアームＡ３→ＴＲＳ３→ＩＦアームＡ４→受け渡しモジュールＵ４１→ＩＦアームＡ５→洗浄モジュール１００となる。また洗浄モジュール１００から洗浄冶具載置棚Ｃ２までの洗浄用ウェハ６の経路は、棚ユニットＵ１と受け渡しアームＡ１に搬送されない以外は、第２の実施形態と同様の経路を搬送される。そして搬送される洗浄用ウェハ６は、メインアームＡ２、Ａ３、ＩＦアームＡ４、Ａ５からパーティクル等が転写され、洗浄モジュール１００、及びベベルリンスノズルを備えた塗布モジュールＣＯＴに搬送されてベベル洗浄が行われる。

このような実施形態においても、メインアームＡ２、Ａ３、及びＩＦアームＡ４、Ａ５を間接的に洗浄することができる。なお第２の実施形態と同様、アーム洗浄処理においては、洗浄用ウェハ６に対して熱処理や冷却処理、現像処理等を行う必要がないため、洗浄用ウェハ６は、第２〜４棚ユニットＵ２〜Ｕ４の受け渡しモジュールＴＲＳ２〜３、受け渡しモジュールＵ４１、メインアームＡ２、Ａ３、ＩＦアームＡ４、Ａ５、及び洗浄モジュール１００と塗布モジュールＣＯＴのみに搬送され、それ以外のモジュールには搬送しない。またこの実施形態でも、第２の実施形態と同様、塗布モジュールＣＯＴで洗浄用ウェハ６の洗浄を行っているが、本発明の実施の形態としては、洗浄モジュール１００のみで洗浄を行うようにしてもよい。また第３の実施形態においても、第１の実施形態同様、複数回洗浄用ウェハ６の搬送を行うように設定し、各アームＡ２〜Ａ５のパーティクルの除去精度を向上させることができる。また第３の実施形態では、洗浄冶具載置棚Ｃ２を設ける位置は棚ユニットＵ１に限らず、処理ブロックＢ２内であれば何処に配設してもよい。

本実施形態の塗布、現像装置の全体の概略を示す平面図である。 本実施形態の塗布、現像装置の全体の概略を示す斜視図である。 本実施形態のインターフェイスブロックＢ３の概略を示す斜視図である。 本実施形態のＩＦアームＡ４、Ａ５の概略を示す斜視図である。 本実施形態のピンセット５１ａ、５１ｂを説明するための説明図である。 本実施形態の洗浄モジュール１００を説明するための断面図である。 本実施形態のバッファカセットＣＯを説明するための説明図である。 本実施形態のアーム洗浄を説明するためのフローである。 本実施形態のアーム洗浄を説明するための第１の説明図である。 本実施形態のアーム洗浄を説明するための第２の説明図である。 本実施形態のアーム洗浄を説明するための第３の説明図である。 本実施形態のアーム洗浄を説明するための第４の説明図である。 本実施形態のアーム洗浄を説明するための第５の説明図である。 本実施形態のアーム洗浄の変形例を説明するためのフローである。 第２の実施形態のアーム洗浄を説明するための説明図である。 第３の実施形態のアーム洗浄を説明するための説明図である。

符号の説明

１ ＦＯＵＰ
６ 洗浄用ウェハ（洗浄用冶具）
５０ 搬送基台
５１ａ、５１ｂ ピンセット
５５ａ、５５ｂ、５５ｃ 基板載置部材切片
６１ ケーシング
６２ シャッタ
６３ 搬入口
６４ スピンチャック
６５ スピンチャックモータ
６６ カップ
６７ ドレイン管
６８ 排気管
７１ 洗浄ノズル
７２ ベベル部洗浄ノズル
１００ 洗浄モジュール
１１０ 制御部
１２０ 載置部
Ａ１ 受け渡しアーム
Ａ２、Ａ３ メインアーム
Ａ４、Ａ５ ＩＦアーム
Ｂ１ キャリアブロック
Ｂ２ 処理ブロック
Ｂ３ インターフェイスブロック
Ｂ４ 露光装置
ＣＯ バッファカセット
Ｃ１ 棚
Ｃ２ 洗浄冶具載置棚
Ｃ３ 洗浄冶具用キャリア
Ｅ１、Ｅ２ 液処理モジュール
Ｕ１、Ｕ２、Ｕ３、Ｕ４ 棚ユニット
Ｕ４１ 受け渡しモジュール
Ｗ ウェハ

Claims (13)

1. 複数枚の基板を収納したキャリアが搬入されるキャリアブロックと、基板にレジスト液を塗布し、レジスト膜が形成され、露光装置にて露光された基板に対して現像液により現像を行う処理ブロックと、前記処理ブロックにてレジスト膜が形成され、加熱処理された後の基板の裏面周縁のベベル部を洗浄する洗浄モジュールと、前記洗浄モジュールにて洗浄された基板を露光装置に対する受け渡し位置に至るまでの搬送経路に沿って搬送を行い、基板の裏面周縁のベベル部を基板の周方向において局所的に保持する搬送アームを含む基板搬送手段と、を備えた塗布、現像装置であって、
   薬液を基板に供給して基板に対して処理を行う液処理モジュールと、
   前記搬送アームにおける基板のベベル部の保持領域によりそのベベル部が保持され、当該搬送アームの保持領域に付着している汚染物を転写させるための洗浄用治具と、
   この洗浄用治具を格納する治具格納部と、
   前記洗浄モジュールまたは液処理モジュールに設けられ、洗浄用治具のベベル部を洗浄するためのベベル部洗浄手段と、
   前記洗浄用治具のベベル部を前記べベル部洗浄手段により洗浄し、次いでこの洗浄用治具を搬送アームに保持させるステップを同一の搬送アームに関して複数回行うように制御信号を出力する制御部と、
   前記ステップの繰り返し実行回数を設定する設定部と、を備えたことを特徴とする塗布、現像装置。
2. ベベル部洗浄手段は、基板のベベル部を洗浄する手段と兼用されていることを特徴とする請求項１記載の塗布、現像装置。
3. 前記洗浄用治具が保持される搬送アームは、露光装置に接続されるインターフェイスブロックに設けられ、露光装置に基板を受け渡すためのものであることを特徴とする請求項１または２記載の塗布、現像装置。
4. 各ステップに用いられる洗浄用治具は同一の洗浄用治具であり、
   前記ステップにおいて、前記洗浄モジュールまたは液処理モジュールにて洗浄された洗浄用治具は、搬送アームに受け渡された後、他の保持領域に受け渡されることなく当該洗浄モジュールまたは液処理モジュールに直接受け渡されることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載の塗布、現像装置。
5. 各ステップの洗浄用治具は互いに異なる洗浄用治具であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載の塗布、現像装置。
6. 前記液処理モジュールは複数設けられ、洗浄用治具はこれら液処理モジュールにて順番にベベル部が洗浄され、
   制御部は、各液処理モジュールの搬入前後にて搬送アームに洗浄用治具を保持させるように制御信号を出力するものであることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一項に記載の塗布、現像装置。
7. 複数枚の基板を収納したキャリアが搬入されるキャリアブロックと、基板にレジスト液を塗布し、レジスト膜が形成され、露光装置にて露光された基板に対して現像液により現像を行う処理ブロックと、前記処理ブロックにてレジスト膜が形成され、加熱処理された後の基板の裏面周縁のベベル部を洗浄する洗浄モジュールと、前記洗浄モジュールにて洗浄された基板を露光装置に対する受け渡し位置に至るまでの搬送経路に沿って搬送を行い、基板の裏面周縁のベベル部を基板の周方向において局所的に保持する搬送アームを含む基板搬送手段と、を備えた塗布、現像装置において、
   洗浄液または薬液を基板に供給して基板に対して処理を行い、洗浄用治具のベベル部を洗浄するためのベベル部洗浄手段が設けられた液処理モジュールを用い、
   前記搬送アームにおける基板のベベル部の保持領域によりそのベベル部が保持され、当該搬送アームの保持領域に付着している汚染物を転写させるための洗浄用治具を、治具格納部から取り出して前記液処理モジュールに搬入する工程と、
   前記洗浄用治具のベベル部を前記べベル部洗浄手段により洗浄し、次いでこの洗浄用治具を搬送アームに保持させるステップを、設定部により設定された繰り返し回数だけ同一の搬送アームに関して複数回行う工程と、を含むことを特徴とする塗布、現像装置の搬送アーム洗浄方法。
8. 前記ベベル部洗浄手段は、基板のベベル部を洗浄する手段と兼用されていることを特徴とする請求項７記載の塗布、現像装置の搬送アーム洗浄方法。
9. 前記洗浄用治具が保持される搬送アームは、露光装置に接続されるインターフェイスブロックに設けられ、露光装置に基板を受け渡すためのものであることを特徴とする請求項７または８記載の塗布、現像装置の搬送アーム洗浄方法。
10. 各ステップに用いられる洗浄用治具は同一の洗浄用治具であり、
    前記ステップにおいて、前記洗浄モジュールまたは液処理モジュールにて洗浄された洗浄用治具は、搬送アームに受け渡された後、他の保持領域に受け渡されることなく当該洗浄モジュールまたは液処理モジュールに直接受け渡されることを特徴とする請求項７ないし９のいずれか一項に記載の塗布、現像装置の搬送アーム洗浄方法。
11. 各ステップの洗浄用治具は互いに異なる洗浄用治具であることを特徴とする請求項７ないし９のいずれか一項に記載の塗布、現像装置の搬送アーム洗浄方法。
12. 液処理モジュールは複数設けられ、洗浄用治具はこれら液処理モジュールにて順番にベベル部が洗浄され、
    各液処理モジュールの搬入前後にて搬送アームに洗浄用治具を保持させることを特徴とする請求項７ないし１１のいずれか一項に記載の塗布、現像装置の搬送アーム洗浄方法。
13. 複数枚の基板を収納したキャリアが搬入されるキャリアブロックと、基板にレジスト液を塗布し、レジスト膜が形成され、露光装置にて露光された基板に対して現像液により現像を行う処理ブロックと、前記処理ブロックにてレジスト膜が形成され、加熱処理された後の基板の裏面周縁のベベル部を洗浄する洗浄モジュールと、前記洗浄モジュールにて洗浄された基板を露光装置に対する受け渡し位置に至るまでの搬送経路に沿って搬送を行い、基板の裏面周縁のベベル部を基板の周方向において局所的に保持する搬送アームを含む基板搬送手段と、を備えた塗布、現像装置に用いられ、コンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、
    前記コンピュータプログラムは、請求項７ないし１２のいずれか一項に記載された搬送アーム洗浄方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする記憶媒体。

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