KR20100071895A

KR20100071895A - 세정 장치, 기판 처리 시스템, 세정 방법, 프로그램 및 컴퓨터 기억 매체

Info

Publication number: KR20100071895A
Application number: KR1020090097145A
Authority: KR
Inventors: 다카시 야마우치
Original assignee: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date: 2008-12-19
Filing date: 2009-10-13
Publication date: 2010-06-29
Also published as: JP2010147262A

Abstract

[과제] 기판의 포토리소그래피 처리전에, 기판의 둘레가장자리부에 부착한 부착물을 적절히 제거한다.

[해결수단] 세정 장치(1)는, 웨이퍼(W)를 유지하여 회전시키는 스핀 척(20)을 가지고 있다. 세정 장치(1)에는, 내부에 상온보다 높은 온도의 순수를 저류하는 침지 용기(30)가 설치되어 있다. 침지 용기(30)의 웨이퍼(W)측의 측면에는, 웨이퍼 (W)의 둘레가장자리부(B)를 삽입하기 위한 측면 개구부(33)가 형성되어 있다. 침지 용기(30)는, 고온의 순수에 웨이퍼(W)의 둘레가장자리부(B)를 담글 수 있다. 세정 장치(1)에는, 웨이퍼(W)의 둘레가장자리부(B)에 상온보다 높은 온도의 세정액을 소정의 압력으로 분사하는 제1 세정액노즐(50)과 제2 세정액 노즐(51)이 설치되어 있다. 이들 노즐(50,51)로부터 공급되는 세정액은, 세정액 공급부(70)와 순수와 불활성 가스가 혼합된 세정액이다.

Description

세정 장치, 기판 처리 시스템, 세정 방법, 프로그램 및 컴퓨터 기억 매체 {CLEANNING APPARATUS, SUBSTRATE TREATMENT SYSTEM, CLEANNING METHOD, PROGRAM AND COMPUTER STORAGE MEDIUM}

본 발명은, 예를 들면 반도체 웨이퍼 등의 기판의 포토리소그래피 처리전에 기판의 둘레가장자리부를 세정하는 세정 장치, 기판 처리 시스템, 세정 방법, 프로그램 및 컴퓨터 기억 매체에 관한 것이다.

예를 들면 반도체 디바이스의 제조 공정에서의 포토리소그래피 처리에서는, 예를 들면 반도체 웨이퍼(이하, '웨이퍼'라고 한다) 위에 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성한 레지스트 도포 처리, 상기 레지스트막에 소정의 패턴을 노광하는 노광 처리, 노광된 레지스트막을 현상하는 현상 처리 등이 차례로 행하여져, 웨이퍼 위에 소정의 레지스트 패턴이 형성된다. 그리고 이 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 웨이퍼의 에칭 처리가 행하여지고, 그 후 레지스트막의 박리 처리, 웨이퍼의 세정 처리 등이 행하여져서, 웨이퍼 위에 소정의 패턴이 형성된다. 이와 같이 소정의 층에 소정의 패턴이 형성되는 공정이 반복적으로 행하여져서, 반도체 디바이스가 제조된다.

상술한 에칭 처리 후의 세정 처리로서는, 예를 들면 웨트 처리실에서 불산 용액이나 순수에 의해서 수세하는 웨트 세정 방법이 알려져 있다. 그러나, 이 웨트 세정 방법에서는, 주로 웨이퍼의 표면을 향해서 순수 등을 분사하기 때문에, 웨이퍼의 이면에 부착한 파티클을 제거할 수 없다.

따라서, 종래부터, 웨이퍼의 바깥둘레부를 유지한 상태로 상기 웨이퍼의 이면에 2개의 상(相) 상태를 나타내는 물질을 접촉시켜, 웨이퍼의 이면에 부착한 파티클을 제거하는 세정 방법이 제안되어 있다(특허문헌 1).

[특허문헌 1] 일본 공개특허공보 2006-147654호

그런데, 상술한 에칭 처리에서는, 예를 들면 에칭 가스를 이용한 플라즈마 처리가 행하여진다. 이 경우, 웨이퍼의 둘레가장자리부의 에너지 상태는 웨이퍼의 표면에 비해 낮아진다. 그렇게 되면, 웨이퍼의 둘레가장자리부에는, 에칭 가스가 퇴적하여 이른바 베벨 폴리머가 부착한다. 또한, 웨이퍼의 둘레가장자리부에는, 에칭 처리 등을 행하는 처리 장치로부터 발생하는 폴리머 등도 부착한다.

그러나, 특허문헌 1에 기재된 세정 방법을 이용한 경우, 웨이퍼의 이면을 세정할 수 있지만, 웨이퍼의 둘레가장자리부에 강고하게 부착한 부착물까지 제거할 수는 없다. 또한, 이 부착물이 웨이퍼의 둘레가장자리부의 어느 장소에 부착하고 있는지가 명확하지 않기 때문에, 부착물의 제거를 더 곤란하게 하고 있었다. 그리고, 이 부착물이 웨이퍼의 둘레가장자리부에 부착한 상태에서 그 후의 포토리소그 래피 처리가 이루어지면, 포토리소그래피 처리를 적절히 행할 수 없다. 그렇게 되면, 상기 웨이퍼로부터 제조되는 반도체 디바이스의 품질이 저하하고, 반도체 디바이스의 생산수율이 저하해 버린다.

특히, 노광 처리에서는, 노광 렌즈와 기판 사이에 액침액, 예를 들면 순수(純水)를 통하여 노광하는 소위 액침 노광이 행하여지고 있지만, 이 액침노광을 행할 때, 웨이퍼의 둘레가장자리부의 부착물이 벗겨져 액침액속에 섞이는 경우가 있다. 그렇게 되면, 이 부착물이 빛을 차광하기 때문에, 노광을 적절히 행할 수 없다. 이 결과, 상기 웨이퍼로부터 제조되는 반도체 디바이스의 품질이 저하하고, 반도체 디바이스의 생산수율이 저하해 버린다.

본 발명은, 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로서, 기판의 포토리소그래피 처리전에, 기판의 둘레가장자리부에 부착한 부착물을 적절히 제거하는 것을 목적으로 한다.

상기한 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은, 기판의 포토리소그래피 처리전에 기판의 둘레가장자리부를 세정하는 세정 장치로서, 기판을 유지하여 상기 기판을 회전시키는 회전 유지부와, 기판의 둘레가장자리부에 상온보다 높은 온도의 세정액을 소정의 압력으로 분사하는 세정액 노즐과, 측면에 기판의 둘레가장자리부를 삽입하기 위한 개구부가 형성되고, 내부에 상온보다 높은 온도의 순수를 저류하는 침지 용기를 가진 것을 특징으로 하고 있다. 한편, 소정의 압력은, 세정액 노즐로부터 분사된 세정액의 온도에 따라 설정된다. 또한, 상온이란 예를 들면 23℃이다.

본 발명에 의하면, 침지 용기내에 개구부로부터 기판의 둘레가장자리부를 삽입하고, 상기 침지 용기내에 저류된 순수에 기판의 둘레가장자리부를 담글 수 있으므로, 기판의 둘레가장자리부에 부착한 부착물에 순수를 침투시킬 수 있다. 게다가, 순수는 상온보다 높은 온도이기 때문에, 부착물이 기판의 둘레가장자리부로부터 벗겨지기 쉬워진다. 그리고, 회전 유지부에 의해 기판을 회전시켜, 순수에 담겨진 기판의 둘레가장자리부에 대해서 세정액 노즐로부터 상온보다 높은 온도의 세정액을 분사할 수 있으므로, 기판의 둘레가장자리부로부터 벗겨지기 쉬워진 부착물을 상기 기판의 둘레가장자리부로부터 제거할 수 있다. 이와 같이 기판의 둘레가장자리부에 부착한 부착물을 2단계로 제거할 수 있으므로, 부착물이 강고하게 부착하고 있는 경우에도, 포토리소그래피 처리전에 기판의 둘레가장자리부로부터 부착물을 적절히 제거할 수 있다. 특히, 기판의 둘레가장자리부를 고온의 순수에 담그고 있으므로, 기판의 둘레가장자리부에서의 부착물의 부착 장소가 명확하지 않아도, 상기 부착물을 기판의 둘레가장자리부로부터 적절히 제거할 수 있다. 그렇게 되면, 그 후의 포토리소그래피 처리를 적절히 행할 수 있고, 기판으로부터 제조되는 반도체 디바이스의 품질을 향상시켜, 반도체 디바이스의 생산수율을 향상시킬 수 있다.

상기 세정액은, 불활성 가스가 혼합된 순수인 것이 바람직하다.

상기 세정액 노즐은, 복수 설치되어 있어도 좋다.

상기 침지 용기는, 복수 설치되어 있어도 좋다.

상기 침지 용기의 상면은 개구하고, 상기 세정 장치는, 상기 침지 용기의 위쪽으로부터 상기 침지 용기내에 상온보다 높은 온도의 순수를 공급하는 순수 노즐 을 더 가지고 있어도 좋다.

상기 침지 용기의 상기 개구부가 형성된 측면은, 기판의 바깥둘레를 따라서 만곡하고 있어도 좋다.

상기 침지 용기에는, 상기 침지 용기내의 순수에 초음파를 부여하는 초음파 발진부가 설치되어 있어도 좋다.

다른 관점에 의한 본 발명의 기판 처리 시스템은, 상기 세정 장치와, 기판에 포토리소그래피 처리를 행하는 처리부를 가지고 있다.

또 다른 관점에 의한 본 발명은, 기판의 포토리소그래피 처리전에 기판의 둘레가장자리부에 부착한 부착물을 제거하는 세정 방법으로서, 기판의 둘레가장자리부를 상온보다 높은 온도의 순수에 담가서, 상기 순수를 상기 부착물에 침투시키는 침지 공정과, 그 후, 상기 기판의 둘레가장자리부에 상온보다 높은 온도의 세정액을 소정의 압력으로 분사하여 상기 부착물을 제거하는 분사 공정을 가지고 있다.

상기 침지 공정에서, 기판의 둘레가장자리부가 담겨진 순수에 초음파를 부여해도 좋다.

또 다른 관점에 의한 본 발명에 의하면, 상기 세정 방법을 세정 장치에 의해 실행시키기 위해서, 상기 세정 장치를 제어하는 제어부의 컴퓨터 상에서 동작하는 프로그램이 제공된다.

또 다른 관점에 의한 본 발명에 의하면, 상기 프로그램을 격납한 독해 가능한 컴퓨터 기억 매체가 제공된다.

본 발명에 의하면, 기판의 포토리소그래피 처리전에, 기판의 둘레가장자리부에 부착한 부착물을 적절히 제거할 수 있다.

이하, 본 발명의 실시형태에 대하여 설명한다. 도 1은, 본 실시의 형태에 관한 세정 장치(1)의 구성을 개략적으로 도시한 종단면도이고, 도 2는, 세정 장치(1)의 구성을 개략적으로 도시한 횡단면도이다.

세정 장치(1)는, 도 1에 도시하는 바와 같이 내부를 밀폐할 수 있는 처리 용기(10)를 가지고 있다. 처리 용기(10)의 하나의 측면에는, 도 2에 도시하는 바와 같이 웨이퍼(W)의 반입출구(11)가 형성되고, 반입출구에는, 개폐 셔터(12)가 설치되어 있다.

처리 용기(10) 내부에는, 도 1에 도시하는 바와 같이 웨이퍼(W)를 흡착 유지하는 회전 유지부로서의 스핀 척(20)이 설치되어 있다. 스핀 척(20)은, 수평인 상면을 가지며, 상기 상면에는, 예를 들면 웨이퍼(W)를 흡인하는 흡인구(도시하지 않음)가 설치되어 있다. 이 흡인구로부터의 흡인에 의해, 웨이퍼(W)를 스핀 척(20) 위에 흡착 유지할 수 있다.

스핀 척(20)은, 예를 들면 모터 등을 구비한 구동 기구(21)를 가지며, 그 구동 기구(21)에 의해 소정의 속도로 회전할 수 있다. 또한, 구동 기구(21)에는, 실린더 등의 승강 구동원이 설치되어 있으며, 스핀 척(20)은 상하 이동 가능하도록 되어 있다.

스핀 척(20)의 아래쪽에는 가이드 링(22)이 설치되어 있으며, 이 가이드 링 (22)의 바깥둘레가장자리는 아래쪽으로 굴곡하여 이어지고 있다. 상기 스핀 척 (20), 스핀 척(20)에 유지된 웨이퍼(W) 및 가이드 링(22)을 둘러싸도록 컵(23)이 설치되어 있다. 컵(23)은, 웨이퍼(W)로부터 비산 또는 낙하하는 액체를 받아 들여, 회수할 수 있다.

이 컵(23)은 상면에 스핀 척(20)을 승강시킬 수 있도록 웨이퍼(W)보다 큰 개구부가 형성되어 있는 동시에, 옆둘레면과 가이드 링(22)의 바깥둘레가장자리의 사이에 배출로를 이루는 빈틈(24)이 형성되어 있다. 상기 컵(23)의 아래쪽은, 가이드 링(22)의 바깥둘레가장자리 부분과 함께 굴곡로를 형성하여 기액분리부를 구성하고 있다. 컵(23)의 저부의 안쪽 영역에는, 컵(23)내의 분위기를 배기하는 배기구(25)가 형성되어 있으며, 이 배기구(25)에는 배기관(25a)이 접속되어 있다. 또한 상기 컵(23)의 저부의 바깥쪽 영역에는, 회수한 액체를 배출하는 배액구(26)가 형성되어 있으며, 이 배액구(26)에는 배액관(26a)이 접속되어 있다.

스핀 척(20)의 옆쪽으로서 컵(23)의 안쪽에는, 내부에 순수를 일시적으로 저류할 수 있는 침지 용기(30)가 설치되어 있다. 침지 용기(30)는, 수평 방향(도 1 및 도 2중의 Y방향)으로 이동이 가능하도록 되어 있다.

침지 용기(30)는, 도 3에 도시하는 바와 같이 대략 직방체 형상을 가지고 있다. 침지 용기(30)의 상면은 개구하고, 상면 개구부(31)가 형성되어 있다. 침지 용기(30)의 웨이퍼(W)측의 측면에는, 웨이퍼(W)의 바깥둘레를 따라서 만곡한 만곡부 (32)가 형성되어 있다. 또한, 침지 용기(30)의 웨이퍼(W)측의 측면에는, 웨이퍼(W) 의 둘레가장자리부를 삽입하기 위한 측면 개구부(33)가 형성되어 있다. 이러한 구성에 의해, 도 2에 도시하는 바와 같이 웨이퍼(W)의 둘레가장자리부(B)만이 측면 개구부(33)로부터 침지 용기(30)내에 삽입된다. 한편, 만곡부(32)는, 그 만곡부 (32)로부터 웨이퍼(W)의 단부까지의 거리(L)가, 둘레가장자리부(B)의 길이와 일치하는 길이, 예를 들면 5mm∼8mm가 되도록 형성되어 있다.

침지 용기(30)의 위쪽에는, 침지 용기(30)내에 순수를 공급하는 순수 노즐 (40)이 배치되어 있다. 순수 노즐(40)에는, 순수 공급원(41)에 연이어 통하는 공급관(42)이 접속되어 있다. 순수 공급원(41)내에는, 순수가 저류되어 있다. 공급관 (42)에는, 순수를 가열하는, 예를 들면 히터 등의 가열 장치(43)와, 순수의 흐름을 제어하는 밸브나 유량 조절부 등을 포함한 공급 기기군(44)이 순수 공급원(41)으로부터 이 순서대로 설치되어 있다.

그리고, 순수 공급원(41)으로부터 공급된 순수는, 가열 장치(43)에 의해, 예를 들면 70℃ 이상으로 가열되어 순수 노즐(40)에 공급된다. 가열된 순수는, 도 4에 도시하는 바와 같이 순수 노즐(40)로부터 침지 용기(30) 내에 공급된다. 침지 용기(30)내의 순수는, 상기 침지 용기(30) 내를 아래쪽으로 흘러, 웨이퍼(W)의 하면과 측면 개구부(33)의 사이의 빈틈으로부터 흘러나온다. 따라서, 웨이퍼(W)의 둘레가장자리부(B)는, 침지 용기(30)내의 예를 들면 70℃ 이상의 고온의 순수에 담겨진다. 한편, 침지 용기(30)내의 순수의 온도는, 상온보다 높으면 좋고, 본 실시형태에 한정되지 않는다.

또한, 스핀 척(20)의 옆쪽에는, 예를 들면 침지 용기(30)에 대향하는 위치의 웨이퍼(W)의 둘레가장자리부(B)에 대해서 세정액을 분사하는 제1 세정액 노즐(50)이 설치되어 있다. 제1 세정액 노즐(50)은, 그 축방향이 웨이퍼(W)의 지름 방향과 일치하도록 배치되고, 즉 세정액이 웨이퍼(W)의 둘레가장자리부(B)의 접선 방향과 직각 방향으로 분사되도록 배치되어 있다. 또한, 스핀 척(20)의 아래쪽에는, 제1 세정액 노즐(50)과 함께 웨이퍼(W)의 둘레가장자리부(B)에 대해서 세정액을 분사하는 제2 세정액 노즐(51)이 설치되어 있다. 제2 세정액 노즐(51)은, 그 축방향이 연직 방향이 되도록 배치되어 있다. 한편, 본 실시형태에서는, 제1 세정액 노즐(50)과 제2 세정액 노즐(51)이 설치되어 있었지만, 어느 한쪽만을 설치하여도 좋다.

제1 세정액 노즐(50)과 제2 세정액 노즐(51)에는, 세정액을 공급하는 공급관 (60,61)이 각각 접속되어 있다. 공급관(60,61)은, 세정액의 흐름을 제어하는 밸브나 유량 조절부 등을 포함한 공급 기기군(62)을 개재하여 세정액 공급부(70)에 연이어 통하고 있다.

세정액 공급부(70)는, 내부에 순수를 저류하는 순수 공급원(71)과 내부에 불활성 가스, 예를 들면 질소 가스를 저장하는 불활성 가스 공급원(72)을 가지고 있다. 순수 공급원(71)과 불활성 가스 공급원(72)에는, 공급관(73,74)이 각각 접속되어 있다. 공급관(73)에는, 순수를 가열하는, 예를 들면 히터 등의 가열 장치(75)가 설치되어 있다. 공급관(73,74)는 그 하류측에서 합류하여, 공급관 76에 접속된다. 공급관 76은, 공급 기기군(62)에 접속된다. 또한, 공급관 76에는, 세정액을 가열하는 예를 들면 히터 등의 가열 장치(77)가 설치되어 있다.

그리고, 순수 공급원(71)으로부터 공급관 73에, 예를 들면 0.5MPa∼1.0MPa로 순수가 공급된다. 공급된 순수는, 가열 장치(75)에 의해, 예를 들면 100℃로 가열된다. 한편, 불활성 가스 공급원(72)으로부터 공급관 74에, 예를 들면 0.5MPa∼1.0MPa로 불활성 가스가 공급된다. 이들 순수와 불활성 가스가 공급관(73,74)의 하류측에서 혼합되고, 이것에 의해 생성된 세정액은 공급관 76을 흐른다. 생성된 세정액은, 가열 장치(77)에 의해, 예를 들면 130℃로 가열되어, 공급 기기군(62)을 통하여 제1 세정액 노즐(50)과 제2 세정액 노즐(51)에 공급된다. 그리고, 제1 세정액 노즐(50)과 제2 세정액 노즐(51)로부터, 예를 들면 70℃ 이상의 고온의 순수가, 소정의 압력, 예를 들면 0.3MPa∼0.5MPa로 웨이퍼(W)의 둘레가장자리부(B)에 분사된다. 한편, 제1 세정액 노즐(50)과 제2 세정액 노즐(51)로부터 분사되는 순수의 온도는, 상온보다 높으면 되고, 본 실시형태에 한정되지 않는다.

이상의 세정 장치(1)에는, 도 1에 도시하는 바와 같이 제어부(100)가 설치되어 있다. 제어부(100)는, 예를 들면 컴퓨터이며, 프로그램 격납부(도시하지 않음)를 가지고 있다. 프로그램 격납부에는, 세정 장치(1)의 스핀 척(20)의 회전 동작과 상하 동작, 공급 기기군 44에 의한 순수 노즐(40)의 공급 동작, 공급 기기군 62에 의한 제1 세정액 노즐(50)과 제2 세정액 노즐(51)의 공급 동작, 세정액 공급부(70)에서의 세정액의 생성 동작 등을 제어하는 프로그램이 격납되어 있다. 한편, 상기 프로그램은, 예를 들면 컴퓨터 읽기가 가능한 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크 (FD), 콤팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티칼 디스크(MO), 메모리 카드 등의 컴퓨터에 읽기 가능한 기억 매체(H)에 기록되어 있던 것이며, 그 기억 매체로부터 제어부 (100)에 인스톨된 것이어도 좋다.

다음에, 이상과 같이 구성된 세정 장치(1)를 이용하여 행하여지는 웨이퍼(W)의 둘레가장자리부(B)의 세정 방법에 대하여 설명한다.

예를 들면 에칭 처리 후, 세정 장치(1)에 반송된 웨이퍼(W)는, 먼저, 스핀 척(20)에 흡착 유지된다. 이 때, 침지 용기(30)는, 웨이퍼(W)와 완충하지 않는 위치에 퇴피하고 있다. 계속해서, 웨이퍼(W)를 소정의 위치까지 하강시킴과 함께, 침지 용기(30)를 이동시키고, 웨이퍼(W)의 둘레가장자리부(B)를 측면 개구부(33)로부터 침지 용기(30)내에 삽입시킨다.

그 후, 웨이퍼(W)를, 예를 들면 0.2rpm∼10rpm로 저속 회전시킨다. 동시에, 순수 노즐(40)로부터 침지 용기(30)내에, 예를 들면 70℃ 이상의 고온의 순수를 공급한다. 그리고, 웨이퍼(W)의 둘레가장자리부(B)가 소정의 시간, 예를 들면 약 10초간, 고온의 순수에 담겨진다. 그렇게 되면, 순수는 둘레가장자리부(B)에 부착한 부착물에 침투하고, 부착물은 둘레가장자리부(B)로부터 벗겨지기 쉬운 상태가 된다.

그 후, 순수에 담겨진 웨이퍼(W)의 둘레가장자리부(B)가 제1 세정액 노즐 (50)과 제2 세정액 노즐(51)의 위치까지 도달하면, 둘레가장자리부(B)에 대해서, 제1 세정액 노즐(50)과 제2 세정액 노즐(51)로부터, 예를 들면 70℃ 이상의 고온의 세정액이 0.3MPa∼0.5MPa의 고압력으로 분사된다. 그렇게 되면, 이 세정액에 의해 부착물이 둘레가장자리부(B)로부터 벗겨져 제거된다.

그리고, 웨이퍼(W)를 예를 들면 1∼2회전시켜, 둘레가장자리부(B)의 사방으로부터 부착물을 제거하면, 순수 노즐(40)로부터의 순수의 공급과, 제1 세정액 노 즐(50)과 제2 세정액 노즐(51)로부터의 세정액의 분사를 정지한다. 그 후, 웨이퍼 (W)를 예를 들면 2000rpm로, 예를 들면 약 15초간 고속 회전시켜, 웨이퍼(W)에 부착한 순수나 세정액을 건조시킨다. 이렇게 해서 일련의 웨이퍼(W)의 둘레가장자리부(B)의 세정 처리가 종료하고, 웨이퍼(W)는 다음의 포토리소그래피 공정으로 반송된다.

이상의 실시형태에 의하면, 침지 용기(30)내에 측면 개구부(33)로부터 웨이퍼(W)의 둘레가장자리부(B)를 삽입하여, 상기 침지 용기(30)내에 저류된 순수에 둘레가장자리부(B)를 담근 것으로, 둘레가장자리부(B)에 부착한 부착물에 순수를 침투시킬 수 있다. 게다가, 순수는 고온이기 때문에, 부착물이 둘레가장자리부(B)로부터 벗겨지기 쉬워진다. 그리고, 순수에 담겨진 둘레가장자리부(B)에 대해서 제1 세정액 노즐(50)과 제2 세정액 노즐(51)로부터 고온의 세정액을 분사하였으므로, 둘레가장자리부(B)로부터 벗겨지기 쉬워진 부착물을 상기 둘레가장자리부(B)로부터 제거할 수 있다. 이와 같이 웨이퍼(W)의 둘레가장자리부(B)에 부착한 부착물을 2단계로 제거할 수 있으므로, 부착물이 강고하게 부착하고 있는 경우에도, 포토리소그래피 처리전에 둘레가장자리부(B)로부터 부착물을 적절히 제거할 수 있다. 특히, 둘레가장자리부(B)를 고온의 순수에 담그고 있으므로, 둘레가장자리부(B)에서의 부착물의 부착 장소가 명확하지 않아도, 상기 부착물을 둘레가장자리부(B)로부터 적절히 제거할 수 있다. 그렇게 되면, 그 후의 포토리소그래피 처리를 적절히 행할 수 있고, 웨이퍼(W)로부터 제조되는 반도체 디바이스의 품질을 향상시켜, 반도체 디바이스의 생산수율을 향상시킬 수 있다.

또한, 제1 세정액 노즐(50)과 제2 세정액 노즐(51)로부터 분사되는 세정액은 불활성 가스를 포함하고 있으므로, 이 불활성 가스가 웨이퍼(W)의 둘레가장자리부 (B)에 부착한 부착물에 충돌하는 것에 의해, 둘레가장자리부(B)로부터의 부착물의 제거가 용이해진다.

이상의 실시형태의 침지 용기(30)에는, 도 5에 도시하는 바와 같이 상기 침지 용기(30)내의 순수에 초음파를 부여하는 초음파 발진부(110)가 설치되어 있어도 좋다. 이에 따라, 침지 용기(30)내의 순수가 웨이퍼(W)의 둘레가장자리부(B)의 부착물에 더 침투하기 쉬워져, 둘레가장자리부(B)의 부착물을 보다 적절히 제거할 수 있다.

또한, 이상의 실시형태의 제1 세정액 노즐(50)과 제2 세정액노즐(51)을, 도 6에 도시하는 바와 같이 복수 설치하여도 좋다. 이 때, 제1 세정액 노즐(50)과 제2 세정액 노즐(51)은, 웨이퍼(W)의 원둘레 상에 등간격으로 설치된다. 또한, 제1 세정액 노즐(50)과 제 2 세정액 노즐(51)에 더하여, 도 7에 도시하는 바와 같이 제3 세정액 노즐(120)을 더 설치하여도 좋다. 제3 세정액 노즐(120)은, 그 축방향이 둘레가장자리부(B)의 접선 방향과 일치하도록 배치된다. 또한, 침지 용기(30)를, 도 8에 도시하는 바와 같이 복수 설치하여도 좋다. 이 때, 침지 용기(30)는, 웨이퍼 (W)의 원둘레 상에 등간격으로 설치된다. 이상, 어느 실시형태에서든, 웨이퍼(W)의 둘레가장자리부(B)의 세정 능력이 향상하므로, 둘레가장자리부(B)를 보다 단시간에 세정할 수 있다.

이상의 세정 장치(1)는, 도 9에 도시하는 바와 같이 웨이퍼(W)에 포토리소그 래피 처리를 행하는 기판 처리 시스템으로서의 도포 현상 처리 시스템(200)내에 설치되어 있어도 좋다.

도포 현상 처리 시스템(200)은, 도 9에 도시하는 바와 같이, 예를 들면 외부와의 사이에 복수매의 웨이퍼(W)를 수용한 카세트(C)가 반입출되는 카세트 스테이션(201)과, 포토리소그래피 처리 중에서 낱장식으로 소정의 처리를 실시하는 복수의 각종 처리 장치를 구비한 처리부로서의 처리 스테이션(202)과, 처리 스테이션 (202)에 인접하는 노광 장치(203)의 사이에서 웨이퍼(W)를 받아넘기는 인터페이스 스테이션(204)를 일체로 접속한 구성을 가지고 있다.

카세트 스테이션(201)에는, 카세트 얹어놓음대(210)가 설치되어 있다. 카세트 얹어놓음대(210)에는, 복수, 예를 들면 4개의 카세트 얹어놓음판(211)이 설치되어 있다. 카세트 얹어놓음판(211)은, 수평 방향의 X방향(도 9 중의 상하 방향)에 일렬에 나열되어 설치되어 있다. 이들 카세트 얹어놓음판(211)에는, 도포 현상 처리 시스템(200)의 외부에 대해서 카세트(C)를 반입출 할 때에, 카세트(C)를 얹어놓을 수 있다. 한편, 도포 현상 처리 시스템(200)과 그 외부의 사이의 카세트의 반입출은, 공장내의 처리 장치간에 카세트를 반송하는 도 10에 도시한 외부 카세트 반송 장치(A)에 의해 행하여진다.

카세트 스테이션(201)에는, 도 9에 도시하는 바와 같이 X방향으로 이어지는 반송로(220) 위를 자유로이 이동하는 웨이퍼 반송 장치(221)가 설치되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(221)는, 상하 방향 및 연직축 둘레(θ 방향)로도 자유로이 이동하며, 각 카세트 얹어놓음판(211) 상의 카세트(C)와 후술하는 처리 스테이션(202)의 제3 블록(G3)의 받아넘김 장치의 사이에 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.

처리 스테이션(202)에는, 각종 장치를 구비한, 복수, 예를 들면 4개의 블록 (G1,G2,G3,G4)이 설치되어 있다. 예를 들면 처리 스테이션(202)의 정면측(도 9의 X방향 부(負)방향측)에는, 제1 블록(G1)이 설치되고, 처리 스테이션(202)의 배면측(도 9의 X방향 정(正)방향측)에는, 제2 블록(G2)이 설치되어 있다. 또한, 처리 스테이션(202)의 카세트 스테이션(201)측(도 9의 Y방향 부방향측)에는, 제3 블록(G3)이 설치되고, 처리 스테이션(202)의 인터페이스 스테이션(204)측(도 9의 Y방향 정(正)방향측)에는, 제4 블록(G4)이 설치되어 있다.

예를 들면 제1 블록(G1)에는, 도 11에 도시하는 바와 같이 복수의 액처리 장치, 예를 들면 웨이퍼(W)를 현상 처리하는 현상 장치(230), 웨이퍼(W)의 레지스트막의 하층에 반사 방지막(이하, '하부 반사 방지막'이라고 한다)을 형성하는 하부 반사 방지막 형성 장치(231), 웨이퍼(W)에 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하는 레지스트 도포 장치(232), 웨이퍼(W)의 레지스트막의 상층에 반사 방지막(이하, '상부 반사 방지막'이라고 한다)을 형성하는 상부 반사 방지막 형성 장치 (233)이 아래로부터 순서대로 4단으로 겹쳐지고 있다.

예를 들면 제1 블록(G1)의 각 장치(230∼233)는 처리시에 웨이퍼(W)를 수용하는 컵(F)을 수평 방향으로 복수 가지며, 복수의 웨이퍼(W)를 병행하여 처리할 수 있다.

예를 들면 제2 블록(G2)에는, 도 10에 도시하는 바와 같이 웨이퍼(W)의 열처리를 행하는 열처리 장치(240)나, 웨이퍼(W)를 소수화 처리하는 어드히전 장치 (241), 웨이퍼(W)의 바깥둘레부를 노광하는 주변 노광 장치(242), 상술한 웨이퍼 (W)의 둘레가장자리부(B)를 세정하는 세정 장치(1)가 상하 방향과 수평 방향으로 나열되어 설치되어 있다. 열처리 장치(240)는, 웨이퍼(W)를 얹어놓고 가열하는 열판과, 웨이퍼(W)를 얹어놓고 냉각하는 냉각판을 가지며, 가열 처리와 냉각 처리의 양쪽을 행할 수 있다. 한편, 열처리 장치(240), 어드히전 장치(241), 주변 노광 장치(242) 및 세정 장치(1)의 수나 배치는, 임의로 선택할 수 있다.

예를 들면 제3 블록(G3)에는, 복수의 받아넘김 장치(250,251,252,253,254, 255,256)가 아래로부터 순서대로 설치되어 있다. 또한, 제4 블록(G4)에는, 복수의 받아넘김 장치(260,261,262)가 아래로부터 순서대로 설치되어 있다.

도 9에 도시하는 바와 같이 제1 블록(G1)∼제4 블록(G4)에 둘러싸인 영역에는, 웨이퍼 반송 영역(D)이 형성되어 있다. 웨이퍼 반송 영역(D)에는, 예를 들면 웨이퍼 반송 장치(270)가 배치되어 있다.

웨이퍼 반송 장치(270)는, 예를 들면 Y방향, X방향, θ방향 및 상하 방향으로 자유로이 이동하는 반송 아암을 가지고 있다. 웨이퍼 반송 장치(270)는, 웨이퍼 반송 영역(D)내를 이동하고, 주위의 제1 블록(G1), 제2 블록(G2), 제3 블록(G3) 및 제4 블록(G4) 내의 소정의 장치에 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.

웨이퍼 반송 장치(270)는, 예를 들면 도 10에 도시하는 바와 같이 상하에 복수대 배치되고, 예를 들면 각 블록(G1∼G4)의 동일한 정도의 높이의 소정의 장치에 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.

또한, 웨이퍼 반송 영역(D)에는, 제3 블록(G3)과 제4 블록(G4)의 사이에 직 선적으로 웨이퍼(W)를 반송하는 셔틀 반송 장치(280)가 설치되어 있다.

셔틀 반송 장치(280)는, 예를 들면 Y방향으로 직선적으로 자유로이 이동하도록 되어 있다. 셔틀 반송 장치(280)는, 웨이퍼(W)를 지지한 상태에서 Y방향으로 이동하여, 제3 블록(G3)의 받아넘김 장치(252)와 제4 블록(G4)의 받아넘김 장치(262)의 사이에 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.

도 9에 도시하는 바와 같이 제3 블록(G3)의 X방향 정방향측의 근처에는, 웨이퍼 반송 장치(290)가 설치되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(290)는, 예를 들면 X방향, θ방향 및 상하 방향으로 자유로이 이동하는 반송 아암을 가지고 있다. 웨이퍼 반송 장치(290)는, 웨이퍼(W)를 지지한 상태에서 상하로 이동하여, 제3 블록(G3)내의 각 받아넘김 장치에 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.

인터페이스 스테이션(204)에는, 웨이퍼 반송 장치(300)와 받아넘김 장치 (301)가 설치되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(300)는, 예를 들면 Y방향, θ방향 및 상하 방향으로 자유로이 이동하는 반송 아암을 가지고 있다. 웨이퍼 반송 장치(300)는, 예를 들면 반송 아암에 웨이퍼(W)를 지지하고, 제4 블록(G4)내의 각 받아넘김 장치와 받아넘김 장치(301)에 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.

이상의 기판 처리 시스템에는, 도 9에 도시하는 바와 같이 상술한 제어부 (100)가 설치되어 있다. 제어부(100)의 프로그램 격납부에는, 세정 장치(1)의 동작을 제어하는 프로그램에 더하여, 상술한 각종 처리 장치나 반송 장치 등의 구동계의 동작을 제어하고, 후술하는 도포 현상 처리 시스템(200)의 소정의 작용, 즉 웨이퍼(W)에의 레지스트액의 도포, 현상, 노광, 가열 처리, 웨이퍼(W)의 받아넘김, 각 장치의 제어 등을 실현시키기 위한 프로그램도 격납되어 있다.

다음에, 이상과 같이 구성된 도포 현상 처리 시스템(200)을 이용하여 행하여지는 웨이퍼(W)의 처리 방법에 대하여 설명한다.

먼저, 복수매의 웨이퍼(W)를 수용한 카세트(C)가, 외부 카세트 반송 장치(A)에 의해 도 9에 도시한 카세트 스테이션(201)의 소정의 카세트 얹어놓음판(211)에 놓여진다. 그 후, 웨이퍼 반송 장치(221)에 의해 카세트(C)내의 각 웨이퍼(W)가 차례로 꺼내져 처리 스테이션(202)의 제3 블록(G3)의 예를 들면 받아넘김 장치(253)에 반송된다.

다음에 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(270)에 의해서 제2 블록(G2)의 세정 장치(1)로 반송되어 웨이퍼(W)의 둘레가장자리부(B)의 세정 처리가 행하여진다. 한편, 세정 장치(1)에서의 세정 처리는, 상기 실시형태와 동일하므로, 설명을 생략한다.

그 후 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(270)에 의해서 제2 블록(G2)의 열처리 장치(240)에 반송되어 온도 조절된다. 그 후 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(270)에 의해서 제1 블록(G1)의 하부 반사 방지막 형성 장치(231)에 반송되어, 웨이퍼 (W)상에 하부 반사 방지막이 형성된다. 그 후 웨이퍼(W)는, 제2 블록(G2)의 열처리 장치(240)에 반송되어 가열되어 온도 조절되고, 그 후 제3 블록(G3)의 받아넘김 장치(253)로 되돌아간다.

다음에 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(290)에 의해서 동일한 제3 블록(G3)의 받아넘김 장치(254)에 반송된다. 그 후 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(270)에 의해서 제2 블록(G2)의 어드히전 장치(241)에 반송되어 어드히전 처리된다. 그 후 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(270)에 의해서 레지스트 도포 장치(232)에 반송되어, 웨이퍼(W)상에 레지스트막이 형성된다. 그 후 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치 (270)에 의해서 열처리 장치(240)에 반송되고, 프리베이크 처리된다. 그 후 웨이퍼 (W)는, 웨이퍼 반송 장치(270)에 의해서 제3 블록(G3)의 받아넘김 장치(255)에 반송된다.

다음에 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(270)에 의해서 상부 반사 방지막 형성 장치(233)에 반송되어, 웨이퍼(W)상에 상부 반사 방지막이 형성된다. 그 후 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(270)에 의해서 열처리 장치(240)에 반송되고, 가열되어 온도 조절된다. 그 후, 웨이퍼(W)는, 주변 노광 장치(242)에 반송되어 주변 노광 처리된다.

그 후 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(270)에 의해서 제3 블록(G3)의 받아넘김 장치(256)에 반송된다.

다음에 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(290)에 의해서 받아넘김 장치(252)에 반송되어, 셔틀 반송 장치(280)에 의해서 제4 블록(G4)의 받아넘김 장치(262)에 반송된다. 그 후, 웨이퍼(W)는, 인터페이스 스테이션(204)의 웨이퍼 반송 장치(300)에 의해서 노광 장치(203)에 반송되어, 노광 처리된다.

다음에, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(300)에 의해서 노광 장치(203)로부터 제4 블록(G4)의 받아넘김 장치(260)에 반송된다. 그 후, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(270)에 의해서 열처리 장치(240)에 반송되어 노광 후 베이크 처리된다. 그 후, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(270)에 의해서 현상 장치(230)에 반송되어 현상된다. 현상 종료후, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(270)에 의해서 열처리 장치(240)에 반송되어 포스트베이크 처리된다.

그 후, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(270)에 의해서 제3 블록(G3)의 받아넘김 장치(250)에 반송되고, 그 후 카세트 스테이션(201)의 웨이퍼 반송 장치(221)에 의해서 소정의 카세트 얹어놓음판(211)의 카세트(C)에 반송된다. 이렇게 해서, 일련의 포토리소그래피공정이 종료된다.

이상의 실시형태에서도, 웨이퍼(W)에 포토리소그래피 처리를 행하기 전에, 세정 장치(1)에서 웨이퍼(W)의 둘레가장자리부(B)의 부착물을 적절히 제거할 수 있다. 그렇게 되면, 그 후의 포토리소그래피 처리를 적절히 행할 수 있고, 웨이퍼(W)로부터 제조되는 반도체 디바이스의 품질을 향상시켜, 반도체 디바이스의 생산수율을 향상시킬 수 있다

이상, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시형태에 대하여 설명했지만, 본 발명은 이러한 예에 한정되지 않는다. 당업자라면, 특허청구범위에 기재된 사상의 범주내에서, 각종 변경예 또는 수정예를 도출할 수 있음은 명백하고, 그들에 대해서도 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것으로 이해된다. 본 발명은 이 예에 한정하지 않고 여러 가지의 형태를 채택할 수 있는 것이다. 본 발명은, 기판이 웨이퍼 이외의 FPD(플랫 패널 디스플레이), 포토마스크용 마스크 레티클 등의 다른 기판인 경우에도 적용할 수 있다.

[실시예]

이하, 본 발명의 세정 장치를 이용한 경우의 세정 효과에 대하여 설명한다. 본 발명의 세정 장치로서는, 먼저 도 1 및 도 2에 도시한 세정 장치(1)를 이용했다. 본 실시예에서, 침지 용기(30)내에는, 75℃로 가열된 순수를 공급했다. 또한, 제1 세정액 노즐(50)과 제2 세정액 노즐(51)로부터는, 75℃의 순수를 0.4MPa로 웨이퍼(W)의 둘레가장자리부(B)에 분사하였다.

또한 비교예로서, 세정 장치(1)의 침지 용기(30)를 설치하지 않는 경우의 세정을 행하였다. 즉, 순수에 웨이퍼(W)의 둘레가장자리부(B)를 담그지 않고, 제1 세정액 노즐(50)과 제2 세정액 노즐(51)로부터의 세정액의 분부만을 행하여 웨이퍼 (W)의 둘레가장자리부(B)를 세정했다. 또 다른 비교예로서, 세정 장치(1)에 침지 용기(30)를 설치하지만, 침지 용기(30)내에 상온의 23℃의 순수를 공급하는 경우의 세정을 행하였다. 즉, 웨이퍼(W)의 둘레가장자리부(B)를 상온의 순수에 담근 후, 제1 세정액 노즐(50)과 제2 세정액 노즐(51)로부터의 세정액의 분사를 행하여 웨이퍼(W)의 둘레가장자리부(B)를 세정했다. 한편, 비교예에서는 모두, 본 실시예와 같이, 제1 세정액 노즐(50)과 제2 세정액 노즐(51)로부터 75℃의 순수를 0.4MPa로 웨이퍼(W)의 둘레가장자리부(B)에 분사하였다.

이러한 조건하에서 세정 처리를 행한 후, 웨이퍼의 둘레가장자리부의 부착물 (BSP:베벨 폴리머)의 제거율을 측정한 결과를 도 12에 도시한다. 도 12의 세로축은, 부착물의 제거율을 나타내고 있다. 이 제거율은, 웨이퍼의 둘레가장자리부의 면적에 대해서, 부착물이 제거된 면적의 비율을 나타내고 있다.

도 12를 참조하면, 웨이퍼의 둘레가장자리부를 순수에 담그지 않은 경우에 는, 부착물의 제거율은 41.67%이고, 웨이퍼의 둘레가장자리부를 상온의 순수에 담근 경우에는, 부착물의 제거율은 53.27%이었다. 즉, 어느 경우든 둘레가장자리부의 부착물을 다 제거할 수는 없었다.

이에 대해서, 본 발명과 같이 고온의 순수에 웨이퍼의 둘레가장자리부를 담근 경우에는, 부착물의 제거율은 86.97%이고, 둘레가장자리부의 부착물을 거의 제거할 수 있음을 알 수 있었다. 즉, 본 발명의 세정 장치를 이용한 경우, 웨이퍼의 둘레가장자리부의 부착물을 적절히 제거할 수 있음을 알 수 있었다.

[산업상이용가능성]

본 발명은, 예를 들면 반도체 웨이퍼 등의 기판의 포토리소그래피 처리전에 기판의 둘레가장자리부를 세정할 때에 유용하다.

도 1은 본 실시형태에 관한 세정 장치의 구성을 개략적으로 도시한 종단면도이다.

도 2는 세정 장치의 구성을 개략적으로 도시한 횡단면도이다.

도 3은 침지 용기의 사시도이다.

도 4는 침지 용기내를 순수가 흐르는 모습을 도시한 설명도이다.

도 5는 다른 실시형태에 관한 세정 장치의 구성을 개략적으로 도시한 종단면도이다.

도 6은 다른 실시형태에 관한 세정 장치의 구성을 개략적으로 도시한 평면도이다.

도 7은 다른 실시형태에 관한 세정 장치의 구성을 개략적으로 도시한 평면도이다.

도 8은 다른 실시형태에 관한 세정 장치의 구성을 개략적으로 도시한 평면도이다.

도 9는 다른 실시형태에 관한 도포 현상 처리 시스템의 내부 구성을 개략적으로 도시한 평면도이다.

도 10은 도포 현상 처리 시스템의 내부 구성을 개략적으로 도시한 측면도이다.

도 11은 도포 현상 처리 시스템의 내부 구성을 개략적으로 도시한 측면도이다.

도 12는 실시예에서, 세정 처리 후에, 웨이퍼의 둘레가장자리부의 부착물의 제거율을 측정한 결과를 도시한 그래프이다.

[부호의 설명]

1 세정 장치

20 스핀 척

30 침지 용기

31 상면 개구부

32 만곡부

33 측면 개구부

40 순수 노즐

50 제1 세정액 노즐

51 제2 세정액 노즐

70 세정액 공급부

100 제어부

110 초음파 발진부

120 제3 세정액 노즐

200 도포 현상 처리 시스템

202 처리 스테이션

B 둘레가장자리부

W 웨이퍼

Claims

기판의 포토리소그래피 처리전에 기판의 둘레가장자리부를 세정하는 세정장치로서,

기판을 유지하여 상기 기판을 회전시키는 회전 유지부와,

기판의 둘레가장자리부에 상온보다 높은 온도의 세정액을 소정의 압력으로 분사하는 세정액 노즐과,

측면에 기판의 둘레가장자리부를 삽입하기 위한 개구부가 형성되고, 내부에 상온보다 높은 온도의 순수를 저류하는 침지 용기를 가진 것을 특징으로 하는 세정 장치.
제 1 항에 있어서, 상기 세정액은, 불활성 가스가 혼합된 순수인 것을 특징으로 하는 세정 장치.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 세정액 노즐은, 복수 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 세정 장치.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 침지 용기는, 복수 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 세정 장치.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 침지 용기의 상면은 개구하고,

상기 세정 장치는, 상기 침지 용기의 위쪽으로부터 상기 침지 용기내에 상온보다 높은 온도의 순수를 공급하는 순수 노즐을 더 가진 것을 특징으로 하는 세정 장치.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 침지 용기의 상기 개구부가 형성된 측면은, 기판의 바깥둘레를 따라서 만곡하고 있는 것을 특징으로 하는 세정 장치.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 침지 용기에는, 상기 침지 용기내의 순수에 초음파를 부여하는 초음파 발진부가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 세정 장치.
제 1 항 내지 제 7 항중의 어느 한 항에 기재된 세정 장치와, 기판에 포토리소그래피 처리를 행하는 처리부를 가지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
기판의 포토리소그래피 처리전에 기판의 둘레가장자리부에 부착한 부착물을 제거하는 세정 방법으로서,

기판의 둘레가장자리부를 상온보다 높은 온도의 순수에 담가서, 상기 순수를 상기 부착물에 침투시키는 침지 공정과,

그 후, 상기 기판의 둘레가장자리부에 상온보다 높은 온도의 세정액을 소정 의 압력으로 분사하여, 상기 부착물을 제거하는 분사 공정을 가진 것을 특징으로 하는 세정 방법.
제 9 항에 있어서, 상기 세정액은, 불활성 가스가 혼합된 순수인 것을 특징으로 하는 세정 방법.
제 9 항 또는 제 10 항에 있어서, 상기 침지 공정에서, 기판의 둘레가장자리부가 담겨진 순수에 초음파를 부여하는 것을 특징으로 하는 세정 방법.
제 9 항 내지 제 11 항의 세정 방법을 세정 장치에 의해 실행시키기 위해서, 상기 세정 장치를 제어하는 제어부의 컴퓨터 상에서 동작하는 프로그램.
제 12 항에 기재된 프로그램을 격납한, 독해 가능한 컴퓨터 기억 매체.