CN111566784B - 清洗装置、清洗方法以及计算机存储介质 - Google Patents

清洗装置、清洗方法以及计算机存储介质 Download PDF

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Abstract

用于清洗被处理体的清洗装置具有：旋转体，其以所述被处理体的清洗面的径向为中心轴线旋转；以及多个清洗工具，该多个清洗工具设于所述旋转体，用于清洗所述清洗面，所述多个清洗工具在所述旋转体的表面沿轴向延伸且沿该旋转体的周向排列配置。

Description

清洗装置、清洗方法以及计算机存储介质
技术领域
(相关申请的相互参照)
本申请基于2018年1月9日在日本提出申请的日本特愿2018-000981号主张优先权，将其内容引用于此。
本发明涉及用于清洗被处理体的清洗装置、使用该清洗装置的清洗方法以及计算机存储介质。
背景技术
近年来，在半导体器件的制造工序中，对在表面形成有多个电子电路等器件的半导体晶圆(以下，称为晶圆)进行磨削该晶圆的背面来使晶圆薄化的处理。
晶圆背面的磨削使用例如专利文献1～3所记载的磨削装置(加工装置)来进行。在磨削装置，除了用于磨削晶圆背面的磨削单元以外，还设有清洗单元，该清洗单元用于对晶圆的表面、用于输送晶圆的输送盘的晶圆吸附面等进行清洗。
例如，在专利文献1中，作为用于清洗晶圆的表面的单元公开了一种清洗单元，该清洗单元具备：清洗刷机构，其使刷与晶圆的表面抵接而清洗该表面；以及刷清洗液供给机构，其在清洗刷机构与晶圆的表面抵接时向该表面供给清洗液。例如，在专利文献2中，作为用于清洗晶圆的表面的单元也公开了一种刷清洗装置，该刷清洗装置使刷与晶圆的表面抵接而清洗该表面。
此外，例如在专利文献3中，作为用于清洗输送盘的吸附面的单元公开了一种清洗单元，该清洗单元具备与吸附面抵接而清洗该吸附面的清洗刷。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2011-66198号公报
专利文献2：日本特开2002-343756号公报
专利文献3：日本特开2008-183659号公报
发明内容
发明要解决的问题
在上述的专利文献1～3所公开的清洗单元分别用于清洗晶圆的表面和输送盘的吸附面中的任一者，但在磨削装置存在清洗这两者的情况，在该情况下，需要多个清洗单元。此外，也存在利用多个清洗单元清洗晶圆的表面和输送盘的吸附面中的任一者的情况。而且，如此，在磨削装置设置多个清洗单元的情况下，需要设置所述清洗单元所需的空间，但以往的磨削装置未考虑要确保这样的空间。因而，以往的磨削装置存在改善的余地。
本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的在于在使用多个清洗工具清洗被处理体时，实现具备该多个清洗工具的清洗装置的省空间化。
用于解决问题的方案
用于解决上述问题的本发明的一技术方案的清洗装置，其用于清洗被处理体，该清洗装置具有：旋转体，其以所述被处理体的清洗面的径向为中心轴线旋转；以及多个清洗工具，该多个清洗工具设于所述旋转体，用于清洗所述清洗面，所述多个清洗工具在所述旋转体的表面沿轴向延伸且沿该旋转体的周向排列配置。
根据其他观点的本发明的一技术方案的清洗方法，其用于清洗被处理体，使用具备以所述被处理体的清洗面的径向为中心轴线旋转的旋转体和在所述旋转体的表面沿轴向延伸且沿该旋转体的周向排列配置的多个清洗工具的清洗装置，根据所述被处理体选择所述多个清洗工具中的一个清洗工具，使所述旋转体旋转而使所述一个清洗工具与所述清洗面相对地配置，使用该一个清洗工具清洗所述清洗面。
此外，根据其他观点的本发明的一技术方案的计算机存储介质，该计算机存储介质可读取，存储有程序，该程序用于在控制清洗装置的控制部的计算机上运行，以利用该清洗装置执行所述清洗方法。
发明的效果
根据本发明的一技术方案，在使用多个清洗工具清洗被处理体时，将多个清洗工具设于一个旋转体，因此，能够实现具备该多个清洗工具的清洗装置的省空间化。
附图说明
图1是示意地表示具备第1实施方式的第2清洗单元的基板处理系统的概略结构的俯视图。
图2是表示晶圆的概略结构的侧视图。
图3是表示第2清洗单元的内部概略结构的俯视图。
图4是表示第2清洗单元的内部概略结构的侧视图。
图5是表示清洗机构的概略结构的立体图。
图6是表示晶圆处理的主要工序的流程图。
图7是表示利用第2清洗单元清洗晶圆的表面的样子的说明图。
图8是表示利用第2清洗单元清洗输送盘的保持面的样子的说明图。
图9是表示第2实施方式的第2清洗单元的内部概略结构的俯视图。
图10是表示第3实施方式的第2清洗单元的内部概略结构的俯视图。
图11是表示利用第3实施方式的第2清洗单元清洗晶圆的表面的样子的说明图。
图12是表示利用第3实施方式的第2清洗单元清洗输送盘的保持面的样子的说明图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。另外，在本说明书以及附图中，对实质上具有相同的功能结构的要素，标注相同的附图标记而省略重复说明。
＜基板处理系统＞
首先，对本实施方式的基板处理系统的结构进行说明。图1是示意地表示基板处理系统1的概略结构的俯视图。另外，在以下，为了明确位置关系，规定互相正交的X轴方向、Y轴方向以及Z轴方向，将Z轴正方向设为铅垂向上的方向。
本实施方式的基板处理系统1使图2所示的作为基板的晶圆W薄化。晶圆W为例如硅晶圆、化合物半导体晶圆等半导体晶圆。在晶圆W的表面W1形成有器件(未图示)，并且，在该表面W1粘贴有用于保护器件的保护件例如保护带P。而且，对晶圆W的背面W2进行磨削等预定的处理，使该晶圆薄化。
基板处理系统1具有以下装置相连接而成的结构：送入站2，其在盒C内收纳处理前的晶圆W，并以盒为单位从外部向基板处理系统1送入多个晶圆W；送出站3，其在盒C内收纳处理后的晶圆W，并以盒为单位从基板处理系统1向外部送出多个晶圆W；加工装置4，其对晶圆W进行加工处理而使其薄化；后处理装置5，其进行加工处理后的晶圆W的后处理；以及输送站6，其在送入站2、加工装置4以及后处理装置5之间输送晶圆W。送入站2、输送站6以及加工装置4在X轴负方向侧以该顺序沿Y轴方向排列配置。送出站3和后处理装置5在X轴正方向侧以该顺序沿Y轴方向排列配置。
(送入站)
在送入站2设有盒载置台10。在图示的例中，在盒载置台10，多个例如两个盒C沿X轴方向载置自如地成为一列。
(送出站)
送出站3也具有与送入站2同样的结构。在送出站3设有盒载置台20，在盒载置台20，例如两个盒C沿X轴方向载置自如地成为一列。另外，送入站2和送出站3也可以合并为一个送入送出站，在该情况下，在送入送出站设置通用的盒载置台。
(加工装置)
在加工装置4对晶圆W进行磨削、清洗等加工处理。加工装置4具有旋转台30、输送单元40、调整单元50、第1清洗单元60、第2清洗单元70、粗磨削单元80、中磨削单元90以及精磨削单元100。
旋转台30构成为利用旋转机构(未图示)旋转自如。在旋转台30上设有四个隔着保护带P对晶圆W的表面W1进行吸附保持的卡盘31。卡盘31均等地即每隔90度地配置在与旋转台30相同的圆周上。四个卡盘31利用旋转台30旋转而能够移动到交接位置A0以及加工位置A1～A3。
在本实施方式中，交接位置A0为旋转台30的X轴正方向侧且Y轴负方向侧的位置，在该交接位置A0的Y轴负方向侧排列配置有设于洗涤槽33的内部的第2清洗单元70、调整单元50以及第1清洗单元60。调整单元50和第1清洗单元60自上方起以该顺序层叠配置。第1加工位置A1为旋转台30的X轴正方向侧且Y轴正方向侧的位置，粗磨削单元80配置于该第1加工位置A1。第2加工位置A2为旋转台30的X轴负方向侧且Y轴正方向侧的位置，中磨削单元90配置于该第2加工位置A2。第3加工位置A3为旋转台30的X轴负方向侧且Y轴负方向侧的位置，精磨削单元100配置于该第3加工位置A3。
卡盘31被保持于卡盘基座32。卡盘31和卡盘基座32构成为能够利用旋转机构(未图示)旋转。
输送单元40为具备多个例如三个臂41～43的多关节型的机器人。三个臂41～43利用关节部(未图示)连接，第1臂41和第2臂42分别构成为利用所述关节部以基端部为中心旋转自如。在三个臂41～43中的位于顶端的第1臂41安装有用于对晶圆W进行吸附保持的输送盘44。输送盘44在俯视时呈具备比晶圆W的直径长的直径的圆形状，用于对晶圆W的背面W2进行吸附保持。此外，输送盘44构成为利用设于第1臂41的旋转部(未图示)旋转自如。此外，三个臂41～43中的位于基端的第3臂43安装于用于使臂41～43沿铅垂方向移动的铅垂移动机构45。而且，具备该结构的输送单元40能够向交接位置A0、调整单元50、第1清洗单元60以及第2清洗单元70输送晶圆W。另外，在本实施方式中，第2清洗单元70构成本发明的清洗装置。
在调整单元50，调节磨削处理前的晶圆W的水平方向上的朝向。一边使在例如旋转卡盘(未图示)保持的晶圆W旋转一边利用检测部(未图示)检测晶圆W的凹口部的位置，从而调节该凹口部的位置而调节晶圆W的水平方向上的朝向。
在第1清洗单元60，对磨削处理后的晶圆W的背面W2进行清洗，更具体地说是进行旋转清洗。一边使在例如旋转卡盘(未图示)保持的晶圆W旋转，一边自清洗液喷嘴(未图示)向晶圆W的背面W2供给清洗液。于是，被供给的清洗液在背面W2上扩散，清洗该背面W2。
在第2清洗单元70，对在磨削处理后的晶圆W保持在输送盘44的状态下的晶圆W的表面W1、换言之对粘贴于表面W1的保护带P进行清洗，并且对输送盘44的对晶圆W进行保持的保持面进行清洗。另外，该第2清洗单元70的结构见后述。
在粗磨削单元80，对晶圆W的背面W2进行粗磨削。粗磨削单元80具有粗磨削部81，该粗磨削部81具备呈环状形状且旋转自如的粗磨具(未图示)。此外，粗磨削部81构成为沿着支柱82在铅垂方向以及水平方向上能够移动。而且，在使保持于卡盘31的晶圆W的背面W2与粗磨具抵接的状态下，使卡盘31和粗磨具分别旋转，从而对晶圆W的背面W2进行粗磨削。
在中磨削单元90，对晶圆W的背面W2进行中磨削。中磨削单元90具有中磨削部91，该中磨削部91具备呈环状形状且旋转自如的中磨具(未图示)。此外，中磨削部91构成为沿着支柱92在铅垂方向以及水平方向上能够移动。另外，中磨具的磨粒的粒度比粗磨具的磨粒的粒度小。而且，在使保持于卡盘31的晶圆W的背面W2与中磨具抵接的状态下，使卡盘31和中磨具分别旋转，从而对背面W2进行中磨削。
在精磨削单元100，对晶圆W的背面W2进行精磨削。精磨削单元100具有精磨削部101，该精磨削部101具备呈环状形状且旋转自如的精磨具(未图示)。此外，精磨削部101构成为沿着支柱102在铅垂方向以及水平方向上能够移动。另外，精磨具的磨粒的粒度比中磨具的磨粒的粒度小。而且，在使保持于卡盘31的晶圆W的背面W2与精磨具抵接的状态下，使卡盘31和精磨具分别旋转，从而对背面W2进行精磨削。
(后处理装置)
在后处理装置5，对利用加工装置4加工处理后的晶圆W进行后处理。作为后处理，进行例如借助切割带使晶圆W保持于切割框架的装配处理、对粘贴于晶圆W的保护带P进行剥离的剥离处理等。而且，后处理装置5向送出站3的盒C输送进行了后处理且保持于切割框架的晶圆W。利用后处理装置5进行的装配处理、剥离处理分别使用公知的装置。
(输送站)
在输送站6设有晶圆输送区域110。在晶圆输送区域110设有在沿X轴方向延伸的输送路径111上移动自如的晶圆输送装置112。晶圆输送装置112具有输送叉113和输送盘114来作为保持晶圆W的晶圆保持部。输送叉113的顶端分支为两根，用于对晶圆W进行吸附保持。输送叉113输送磨削处理前的晶圆W。输送盘114在俯视时呈具备比晶圆W的直径长的直径的圆形状，用于对晶圆W进行吸附保持。输送盘114输送被磨削处理后的晶圆W。而且，所述输送叉113和输送盘114分别构成为沿水平方向、沿铅垂方向、绕水平轴线以及绕铅垂轴线移动自如。
(控制部)
在基板处理系统1设有控制部120。控制部120为例如计算机，具有程序存储部(未图示)。在程序存储部存储有用于控制基板处理系统1对晶圆W的处理的程序。此外，在程序存储部也存储有用于控制上述的各种处理装置、输送装置等的驱动系统的动作来实现基板处理系统1的后述的晶圆处理的程序。另外，也可以是，所述程序被存储在例如计算机可读取的硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等计算机可读取的存储介质H，从该存储介质H加载到控制部120。
＜第1实施方式＞
接着，对上述的加工装置4的第2清洗单元70的结构进行说明。如图3以及图4所示，第2清洗单元70具有处理容器200。在处理容器200的侧面形成有用于送入以及送出输送单元40的输送盘44和被保持在输送盘44的晶圆W的送入送出口201。此外，在送入送出口201设有开闭闸(未图示)。
另外，在图示的例中，处理容器200为壳体，但处理容器200的形状不限定于此。例如也可以是处理容器200的上面开口且省略了送入送出口201的形状。此外，也可以省略处理容器200本身。在该情况下，后述的清洗机构210、旋转机构220以及清洗液槽230均设于洗涤槽33的内部。
处理容器200的内部设有：清洗机构210，其清洗晶圆W的表面W1(保护带P)和输送盘44的对晶圆W进行保持的保持面44a；旋转机构220，其使清洗机构210旋转；以及清洗液槽230，其贮存用于清洗晶圆W的表面W1的清洗液。另外，在本实施方式中，晶圆W和输送盘44构成本发明的被处理体，表面W1和保持面44a构成本发明的清洗面。
如图5所示，清洗机构210具有在旋转体211的表面安装有多个例如四个清洗工具212～215的结构。旋转体211以晶圆W的表面W1的径向(X轴方向)即输送盘44的保持面44a的径向(X轴方向)为中心轴线旋转。此外，旋转体211呈例如长方体形状。
如图3以及图4所示，清洗机构210(旋转体211)安装于旋转机构220。旋转机构220具有：轴221，其与旋转体211的轴向(X轴方向)的两端部连接；驱动部222，其设于一侧的轴221并使旋转体211旋转；以及支承部223，其设于另一侧的轴221并支承旋转体211。驱动部222例如内置有致动器(未图示)，且能够借助轴221使旋转体211旋转。
如图5所示，四个清洗工具212～215具有作为基板清洗工具的海绵清洗工具212、作为基板干燥工具的空气清洗工具213、作为盘清洗工具的石材制清洗工具214以及作为盘清洗工具的刷清洗工具215。所述清洗工具212～215分别沿轴向(X轴方向)在旋转体211的表面延伸。此外，清洗工具212～215设于旋转体211的四个表面、换言之沿旋转体211的周向排列配置。
海绵清洗工具212用于清洗晶圆W的表面W1(保护带P)。海绵清洗工具212例如具有延伸得比表面W1的直径长的海绵。利用图3以及图4所示的清洗液槽230向海绵清洗工具212供给清洗液例如纯水。于是，海绵清洗工具212的海绵含有清洗液，该海绵清洗工具212向晶圆W的表面W1供给清洗液并且与其接触，来清洗该表面W1。
清洗液槽230设于清洗机构210的下方。在清洗液槽230连接有供液部231和排液部232，该供液部231用于向清洗液槽230的内部供给清洗液，该排液部232用于排出清洗液槽230的内部的清洗液。而且，从供液部231供给清洗液并且从排液部232排出清洗液，使清洗液槽230的内部始终贮存有清洗液。另外，也可以是使清洗液从清洗液槽230的上表面溢出，始终排出清洗液槽230的内部的清洗液。
此外，清洗液槽230构成为利用升降机构233升降自如。另外，只要清洗液槽230和旋转体211(海绵清洗工具212)能够相对地升降即可，也可以构成为使旋转体211升降自如，或者也可以构成为使清洗液槽230和旋转体211这两者升降自如。此外，也可以分别固定清洗液槽230和旋转体211。在该情况下，能够利用贮存于清洗液槽230的清洗液始终清洗设于旋转体211的清洗工具212～215并清洗晶圆W、输送盘44即被处理体。
在该情况下，在利用海绵清洗工具212清洗晶圆W的表面W1时，首先，在使海绵清洗工具212位于旋转体211的下表面的状态下使清洗液槽230上升，使海绵清洗工具212浸渍于清洗液。由此，清洗液被向海绵清洗工具212供给。之后，使旋转体211旋转，在使含有清洗液的海绵清洗工具212配置于旋转体211的上表面的状态下，使该海绵清洗工具212与晶圆W的表面W1抵接。在该状态下，一边利用输送盘44使晶圆W旋转一边使海绵清洗工具212向表面W1供给清洗液并且与表面W1抵接，从而清洗整个表面W1。
空气清洗工具213使被海绵清洗工具212清洗后的晶圆W的表面W1干燥。具体地说，如图5所示，空气清洗工具213例如具有向表面W1喷出空气的喷嘴213a。然后，使旋转体211旋转，而使空气清洗工具213配置于旋转体211的上表面。之后，一边利用输送盘44使晶圆W旋转一边从空气清洗工具213的喷嘴213a向表面W1喷出空气，从而使整个表面W1干燥。另外，在图示的例中，喷嘴213a呈圆形状，但喷嘴213a的形状不限定于此。例如，也可以是喷嘴呈沿空气清洗工具213的长度方向(X轴方向)延伸的狭缝形状。
石材制清洗工具214用于清洗输送盘44的保持面44a。石材制清洗工具214例如具有延伸得比保持面44a的直径长的磨石。然后，使旋转体211旋转，而使石材制清洗工具214配置于旋转体211的上表面。之后，一边利用输送盘44使晶圆W旋转一边使石材制清洗工具214与保持面44a抵接，从而清洗整个保持面44a。
刷清洗工具215用于清洗输送盘44的保持面44a。刷清洗工具215例如具有延伸得比保持面44a的直径长的刷。然后，使旋转体211旋转，而使刷清洗工具215配置于旋转体211的上表面。之后，一边利用输送盘44使晶圆W旋转一边使刷清洗工具215与保持面44a抵接，从而清洗整个保持面44a。
＜晶圆处理＞
接着，对使用以上结构的基板处理系统1进行的晶圆处理进行说明。
首先，将收纳了多个晶圆W的盒C载置于送入站2的盒载置台10。为了抑制保护带变形，晶圆W以晶圆W的粘贴有该保护带的表面朝向上侧的方式收纳于盒C内。
接着，利用晶圆输送装置112的输送叉113取出盒C内的晶圆W，向加工装置4输送。此时，利用输送叉113以晶圆W的背面朝向上侧的方式使表背面翻转。
输送至加工装置4的晶圆W被向调整单元50交接。而且，在该调整单元50，调节晶圆W的水平方向上的朝向(图6的步骤S1)。
接着，晶圆W利用输送单元40自调整单元50向交接位置A0输送，交接至该交接位置A0的卡盘31。晶圆W的表面W1被保持在卡盘31。之后，使卡盘31移动至第1加工位置A1。而且，利用粗磨削单元80粗磨削晶圆W的背面W2(图6的步骤S2)。
接着，使卡盘31移动至第2加工位置A2。而且，利用中磨削单元90中磨削晶圆W的背面W2(图6的步骤S3)。
接着，使卡盘31移动至第3加工位置A3。而且，利用精磨削单元100精磨削晶圆W的背面W2(图6的步骤S4)。
接着，使卡盘31移动至交接位置A0。在此，使用清洗液喷嘴(未图示)，利用清洗液粗清洗晶圆W的背面W2(图6的步骤S5)。在该步骤S5中，进行使背面W2的污渍在一定程度上脱落的清洗。
接着，晶圆W利用输送单元40自交接位置A0向第2清洗单元70输送。在第2清洗单元70，首先，如图7的(a)所示，在使海绵清洗工具212位于旋转体211的下表面的状态下使清洗液槽230上升，使海绵清洗工具212浸渍于清洗液L。由此，清洗液L被向海绵清洗工具212供给。之后，如图7的(b)所示，使旋转体211旋转，在使含有清洗液L的海绵清洗工具212配置于旋转体211的上表面的状态、换言之海绵清洗工具212与晶圆W的表面W1相对地配置的状态下，使该海绵清洗工具212与表面W1抵接。然后，一边利用输送盘44使晶圆W旋转一边使海绵清洗工具212向表面W1供给清洗液并且与表面W1抵接，从而清洗整个表面W1(保护带P)(图6的步骤S6)。
之后，如图7的(c)所示，使旋转体211旋转，而使空气清洗工具213配置于旋转体211的上表面并且利用输送盘44使晶圆W上升。然后，在空气清洗工具213与晶圆W的表面W1相对地配置的状态下，一边利用输送盘44使晶圆W旋转一边从空气清洗工具213向表面W1喷出空气，从而使整个表面W1干燥(图6的步骤S7)。
在所述步骤S6、S7中，在晶圆W被保持于输送盘44之前，输送盘44使用第2清洗单元70的石材制清洗工具214和刷清洗工具215来清洗(图6的步骤T1)。具体地说，如图8的(a)所示，在石材制清洗工具214配置于旋转体211的上表面的状态、换言之石材制清洗工具214与输送盘44的保持面44a相对地配置的状态下，一边使输送盘44旋转一边使石材制清洗工具214与保持面44a抵接，从而清洗整个保持面44a。此外，如图8的(b)所示，在使刷清洗工具215配置于旋转体211的上表面的状态、换言之刷清洗工具215与保持面44a相对地配置的状态下，一边使输送盘44旋转一边使刷清洗工具215与保持面44a抵接，从而清洗整个保持面44a。
另外，输送盘44的清洗可以利用石材制清洗工具214和刷清洗工具215中的任一者来进行，或者也可以利用这两者来进行。此外，输送盘44的清洗在步骤S6之前的任意的时机下进行。
接着，晶圆W利用输送单元40自第2清洗单元70向第1清洗单元60输送。而且，在第1清洗单元60，使用清洗液喷嘴(未图示)，利用清洗液精清洗晶圆W的背面W2(图6的步骤S8)。在该步骤S8中，将背面W2清洗至期望的清洁度并进行干燥。
之后，晶圆W利用晶圆输送装置112自第1清洗单元60向后处理装置5输送。而且，在后处理装置5，进行使晶圆W保持于切割框架的装配处理、对粘贴于晶圆W的保护带P进行剥离的剥离处理等后处理(图6的步骤S9)。
之后，将实施了所有的处理的晶圆W向送出站3的盒载置台20的盒C输送。这样，基板处理系统1的一系列的晶圆处理结束。
如以上的实施方式所述，在第2清洗单元70，清洗晶圆W的表面W1和输送盘44的保持面44a时，需要多个清洗工具212～215。即使在该情况下，也如本实施方式的清洗机构210那样多个清洗工具212～215安装于旋转体211的表面，因此，能够实现第2清洗单元70的省空间化。并且，仅使旋转体211旋转，就能够选择恰当的清洗工具212～215，能够妥善地清洗晶圆W的表面W1或输送盘44的保持面44a。
此外，如本实施方式所述，在第2清洗单元70，清洗机构210从送入送出口201以沿X轴方向延伸的方式配置。在此，例如在使四个清洗工具212～215在俯视时排列配置的情况下，第2清洗单元70的占有面积较大，但根据本实施方式，能够减小第2清洗单元70的占有面积。另外，也可以是，清洗机构210沿Y轴方向延伸地配置。
＜第2实施方式＞
在以上的实施方式中，第2清洗单元70的结构不限定于上述结构。
在以上的实施方式的清洗机构210，旋转体211具有长方体形状，但旋转体211的形状不限定于此。例如也可以是，旋转体211具有三棱柱形状，在旋转体211的表面设有海绵清洗工具212、石材制清洗工具214以及刷清洗工具215。在该情况下，如图9所示，空气清洗工具213在清洗机构210的送入送出口201侧以沿Y轴方向延伸的方式配置。而且，在被保持于输送盘44的晶圆W经过空气清洗工具213时，从空气清洗工具213向表面W1喷出空气，使该表面W1干燥。
另外，也可以是，空气清洗工具213不为沿Y轴方向延伸的形状，而是例如喷出空气的单个喷嘴。在该情况下，优选的是，空气清洗工具213的喷嘴利用移动机构(未图示)沿Y轴方向移动自如。而且，一边利用输送盘44使晶圆W旋转一边从空气清洗工具213的喷嘴向表面W1喷出空气，使该表面W1干燥。
此外，也可以是，旋转体211具有侧面形状为五边形以上的、多棱柱形状。在该情况下，也可以是，在旋转体211的侧面除了设置四个清洗工具212～215以外，还设置例如清洗晶圆W的背面W2的清洗工具。
在以上的实施方式的清洗机构210，旋转体211以及清洗工具212～215均延伸得比输送盘44的保持面44a的直径(晶圆W的表面W1的直径)长，但清洗工具212～215的轴向上的长度不限定于此。如上述那样，在步骤S6、S7中，晶圆W的表面W1的清洗是一边使晶圆W旋转一边进行的。因此，只要海绵清洗工具212和空气清洗工具213分别为至少表面W1的直径的一半以上，就能够清洗整个该表面W1并使其干燥。同样地，在步骤T1中，输送盘44的保持面44a的清洗也为一边使输送盘44旋转一边进行的，因此，只要石材制清洗工具214和刷清洗工具215分别为至少保持面44a的直径的一半以上，就能够清洗整个该保持面44a。
在以上的实施方式中，在清洗晶圆W的表面W1和输送盘44的保持面44a时，使输送盘44绕铅垂轴线旋转，但只要使输送盘44与清洗机构210相对地旋转即可。例如，也可以是，利用旋转机构(未图示)使清洗机构210绕铅垂轴线旋转，或者也可以是，使输送盘44和清洗机构210这两者绕铅垂轴线旋转。
在以上的实施方式中，从清洗液槽230向海绵清洗工具212供给清洗液，但向海绵清洗工具212供给清洗液的供给方法不限定于此。例如，也可以是，海绵清洗工具212内置有清洗液喷嘴(未图示)，从该清洗液喷嘴向海绵清洗工具212的海绵供给清洗液。
此外，在以上的实施方式中，在晶圆W的表面W1粘贴有用于保护器件的保护带P，但器件的保护件不限定于此。例如也可以在晶圆W的表面W1粘贴支承晶圆、玻璃基板等支承基板，在该情况下也能够应用本发明。
＜第3实施方式＞
另外，在以上的实施方式的清洗机构210，清洗工具212～215分别设于旋转体211的侧面，但清洗机构210的结构不限定于此。
如图10所示，根据第3实施方式，在清洗机构210，工件干燥工具300、卡盘清洗工具301以及工件清洗工具302以该顺序沿Y轴方向排列配置。
在工件干燥工具300设有空气清洗工具213，该空气清洗工具213向晶圆W的表面W1喷出空气，而使该表面W1干燥。此外，工件干燥工具300构成为利用移动机构303在第2清洗单元70的内部沿X轴方向移动自如。
在卡盘清洗工具301设有旋转体211，在该旋转体211的表面设有至少石材制清洗工具214以及刷清洗工具215。另外，石材制清洗工具214例如具有在X轴方向上延伸得比保持面44a的直径长的磨石，刷清洗工具215例如具有在X轴方向上延伸得比保持面44a的直径长的刷。
在工件清洗工具302设有海绵清洗工具212、海绵清洗喷嘴304以及海绵清洗辊305。此外，海绵清洗工具212安装于内置有致动器(未图示)的旋转机构(未图示)，构成为借助轴(未图示)旋转自如。此外，工件清洗工具302构成为利用升降机构(未图示)升降自如，在清洗晶圆W的表面W1时，控制该工件清洗工具302使其比卡盘清洗工具301的上端部向上方突出。另外，海绵清洗工具212具有例如在X轴方向上延伸得比晶圆W的表面W1的直径长的海绵。
接着，对使用了第3实施方式的清洗机构210的、对作为被处理体的晶圆W的表面W1以及输送盘44的保持面44a进行清洗的清洗方法进行说明。
在清洗晶圆W的表面W1时，首先，从海绵清洗喷嘴304向海绵清洗工具212供给清洗液L(例如纯水等)。之后，如图11的(a)所示，在使海绵清洗工具212以及海绵清洗辊305旋转的状态下，利用升降机构使工件清洗工具302上升，而使含有清洗液L的海绵清洗工具212与晶圆W的表面W1抵接。而且，一边利用输送盘44使晶圆W沿Y轴方向移动一边使海绵清洗工具212与表面W1抵接，从而清洗整个表面W1(保护带P)。
此时，海绵清洗工具212含有清洗液L，因此，能够妥善地去除晶圆W的表面W1的污渍。此外，由海绵清洗工具212去除的污渍被海绵清洗辊305妥善地从海绵清洗工具212去除。
另外，也可以是，在清洗该表面W1时，利用输送盘44使晶圆W旋转。
之后，如图11的(b)所示，利用输送盘44使晶圆W向工件干燥工具300的上方移动。而且，如图11的(c)所示，在空气清洗工具213与晶圆W的表面W1相对地配置的状态下，一边利用输送盘44使晶圆W旋转，一边从空气清洗工具213向表面W1喷出空气，并在此状态下使空气清洗工具213沿X轴方向移动，从而使整个表面W1(保护带P)干燥。
在要清洗所述晶圆W的表面W1(保护带P)时，在晶圆W被保持于输送盘44之前，使用卡盘清洗工具301清洗输送盘44。具体地说，如图12的(b)所示，在石材制清洗工具214配置于旋转体211的上表面的状态、换言之石材制清洗工具214与输送盘44的保持面44a相对地配置的状态下，一边使输送盘44旋转一边使石材制清洗工具214与保持面44a抵接，从而清洗整个保持面44a。此外，如图12的(a)所示，在刷清洗工具215配置于旋转体211的上表面的状态、换言之刷清洗工具215与保持面44a相对地配置的状态下，一边使输送盘44旋转一边使刷清洗工具215与保持面44a抵接，从而清洗整个保持面44a。
另外，也可以是，在清洗输送盘44时，从与输送盘44的保持面44a连接的清洗液供给线路(未图示)供给清洗液(例如纯水等)。清洗液供给线路例如连接为在输送盘44的内部能够与晶圆W的吸附线路相互切换，在清洗输送盘44时，从吸附线路切换为清洗液供给线路。如此，通过向输送盘44供给清洗液，能够妥善地去除输送盘44的保持面44a的污渍。
另外，输送盘44的清洗可以利用石材制清洗工具214和刷清洗工具215中的任一者来进行，或者也可以利用这两者来进行。此外，输送盘44的清洗在晶圆W的表面W1的清洗之前的任意的时机下进行。
以上，对本发明的实施方式进行了说明，但本发明不限定于该例子。在权利要求书所记载的技术思想的范围内想到各种变更例或修正例，对本领域技术人员而言是显而易见的，这些当然也属于本发明的保护范围。
附图标记说明
1、基板处理系统；2、送入站；3、送出站；4、加工装置；5、后处理装置；6、输送站；40、输送单元；44、输送盘；44a、保持面；70、第2清洗单元；120、控制部；210、清洗机构；211、旋转体；212、海绵清洗工具；213、空气清洗工具；214、石材制清洗工具；215、刷清洗工具；220、旋转机构；230、清洗液槽；300、工件干燥工具；301、卡盘清洗工具；302、工件清洗工具；L、清洗液；P、保护带；W、晶圆；W1、表面；W2、背面。

Claims (15)

1.一种清洗装置，其用于清洗被处理体，其中，
该清洗装置具有：
旋转体，其以所述被处理体的清洗面的径向为中心轴线旋转；以及
多个清洗工具，该多个清洗工具设于所述旋转体，用于清洗所述清洗面，
所述多个清洗工具在所述旋转体的表面沿该旋转体的旋转轴方向延伸且沿该旋转体的周向排列配置，
其中，能够通过使所述旋转体旋转而使所述多个清洗工具中的一个清洗工具与所述清洗面相对地配置。
2.根据权利要求1所述的清洗装置，其中，
所述被处理体包含在表面设有保护件的基板，
所述清洗面为设于所述基板的表面的所述保护件，
所述多个清洗工具包含基板清洗工具，该基板清洗工具向所述清洗面供给清洗液并且与所述清洗面抵接而清洗该清洗面。
3.根据权利要求2所述的清洗装置，其中，
所述多个清洗工具包含基板干燥工具，该基板干燥工具向所述清洗面供给气体，而使该清洗面干燥。
4.根据权利要求2所述的清洗装置，其中，
所述清洗装置还具有清洗液槽，该清洗液槽贮存所述清洗液，并向所述基板清洗工具供给该清洗液。
5.根据权利要求1所述的清洗装置，其中，
所述被处理体包含输送盘，该输送盘保持在表面设有保护件的基板并对该基板进行输送，
所述清洗面为所述输送盘的保持所述基板的保持面，
所述多个清洗工具包含盘清洗工具，该盘清洗工具与所述清洗面抵接而清洗该清洗面。
6.根据权利要求5所述的清洗装置，其中，
所述被处理体包含在表面设有保护件的基板，
所述清洗面包含作为第2清洗面的设于所述基板的表面的所述保护件，
所述清洗装置具有：
基板清洗工具，其与所述旋转体独立地设置，在含有清洗液的状态下与所述第2清洗面抵接，而清洗该第2清洗面；以及
基板干燥工具，其与所述旋转体独立地设置，向所述第2清洗面供给气体，而使该第2清洗面干燥。
7.根据权利要求1所述的清洗装置，其中，
所述清洗工具以至少所述清洗面的径向上的一半以上的长度在所述旋转体的表面沿轴向延伸。
8.根据权利要求1所述的清洗装置，其中，
所述被处理体和所述清洗工具以与所述清洗面正交的方向为中心轴线相对地旋转。
9.一种清洗方法，其用于清洗被处理体，其中，
使用具备以所述被处理体的清洗面的径向为中心轴线旋转的旋转体和在所述旋转体的表面沿该旋转体的旋转轴方向延伸且沿该旋转体的周向排列配置的多个清洗工具的清洗装置，
根据所述被处理体选择所述多个清洗工具中的一个清洗工具，
使所述旋转体旋转而使所述一个清洗工具与所述清洗面相对地配置，使用该一个清洗工具清洗所述清洗面。
10.根据权利要求9所述的清洗方法，其中，
所述被处理体包含在表面设有保护件的基板，
所述清洗面为设于所述基板的表面的所述保护件，
从所述一个清洗工具向所述清洗面供给清洗液，并且使所述一个清洗工具与所述清洗面抵接，而清洗该清洗面。
11.根据权利要求10所述的清洗方法，其中，
从有别于所述一个清洗工具的其他清洗工具向所述清洗面供给气体，而使该清洗面干燥。
12.根据权利要求9所述的清洗方法，其中，
所述被处理体包含输送盘，该输送盘保持在表面设有保护件的基板并对该基板进行输送，
所述清洗面为所述输送盘的保持所述基板的保持面，
使所述一个清洗工具与所述清洗面抵接，而清洗该清洗面。
13.根据权利要求12所述的清洗方法，其中，
所述被处理体包含在表面设有保护件的基板，
所述清洗面包含作为第2清洗面的设于所述基板的表面的所述保护件，
使与所述旋转体独立地设置的其他清洗工具在含有清洗液的状态下与所述第2清洗面抵接而清洗该第2清洗面，
从与所述旋转体独立地设置的另外的其他清洗工具向所述第2清洗面供给气体，而使该第2清洗面干燥。
14.根据权利要求9所述的清洗方法，其中，
在使用所述一个清洗工具清洗所述清洗面时，使所述被处理体和所述一个清洗工具以与所述清洗面正交的方向为中心轴线相对地旋转。
15.一种计算机存储介质，该计算机存储介质存储有程序并可读取，该程序用于在控制清洗装置的控制部的计算机上运行，以利用该清洗装置执行根据权利要求9～14中的任一项所述的清洗方法。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7481198B2 (ja) 2020-08-20 2024-05-10 株式会社ディスコ ウェーハ清掃装置、及び保持面清掃装置
JP2022152042A (ja) * 2021-03-29 2022-10-12 株式会社ディスコ 研磨装置

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05343383A (ja) * 1992-06-04 1993-12-24 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 裏面洗浄装置
EP0833375A2 (en) * 1996-09-27 1998-04-01 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Apparatus for and method of cleaning objects to be processed
CA2388730A1 (en) * 1999-10-16 2001-04-26 Acr Automation In Cleanroom Gmbh Method and device for isolating plate-like substrates
JP2003109934A (ja) * 2001-09-28 2003-04-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2008024446A (ja) * 2006-07-21 2008-02-07 Hitachi High-Technologies Corp スクリュー搬送機構およびこれを用いるディスク洗浄装置
KR20100071895A (ko) * 2008-12-19 2010-06-29 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 세정 장치, 기판 처리 시스템, 세정 방법, 프로그램 및 컴퓨터 기억 매체
EP2428987A1 (de) * 2010-09-13 2012-03-14 RENA GmbH Vorrichtung und Verfahren zum Vereinzeln und Transportieren von Substraten
JP2012201438A (ja) * 2011-03-24 2012-10-22 Misuzu Koki Kk ベルト洗浄装置
JP2015154063A (ja) * 2014-02-19 2015-08-24 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置、剥離システム、洗浄方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
CN107221491A (zh) * 2016-03-22 2017-09-29 东京毅力科创株式会社 基板清洗装置
CN107527839A (zh) * 2016-06-21 2017-12-29 东京毅力科创株式会社 基板处理装置、基板处理装置的清洗方法和存储介质

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002343756A (ja) 2001-05-21 2002-11-29 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハ平面加工装置
JP2008183659A (ja) 2007-01-30 2008-08-14 Disco Abrasive Syst Ltd 研削装置
JP5241317B2 (ja) * 2008-05-15 2013-07-17 株式会社東京精密 クリーニング装置
JP2011066198A (ja) 2009-09-17 2011-03-31 Disco Abrasive Syst Ltd 研削加工装置
JP6366544B2 (ja) * 2014-07-04 2018-08-01 株式会社荏原製作所 洗浄装置及びロール洗浄部材

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05343383A (ja) * 1992-06-04 1993-12-24 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 裏面洗浄装置
EP0833375A2 (en) * 1996-09-27 1998-04-01 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Apparatus for and method of cleaning objects to be processed
CA2388730A1 (en) * 1999-10-16 2001-04-26 Acr Automation In Cleanroom Gmbh Method and device for isolating plate-like substrates
JP2003109934A (ja) * 2001-09-28 2003-04-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2008024446A (ja) * 2006-07-21 2008-02-07 Hitachi High-Technologies Corp スクリュー搬送機構およびこれを用いるディスク洗浄装置
KR20100071895A (ko) * 2008-12-19 2010-06-29 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 세정 장치, 기판 처리 시스템, 세정 방법, 프로그램 및 컴퓨터 기억 매체
EP2428987A1 (de) * 2010-09-13 2012-03-14 RENA GmbH Vorrichtung und Verfahren zum Vereinzeln und Transportieren von Substraten
JP2012201438A (ja) * 2011-03-24 2012-10-22 Misuzu Koki Kk ベルト洗浄装置
JP2015154063A (ja) * 2014-02-19 2015-08-24 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置、剥離システム、洗浄方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
CN107221491A (zh) * 2016-03-22 2017-09-29 东京毅力科创株式会社 基板清洗装置
CN107527839A (zh) * 2016-06-21 2017-12-29 东京毅力科创株式会社 基板处理装置、基板处理装置的清洗方法和存储介质

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