JP2003109934A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 処理液の濃度低下を抑制できる基板処理装置
を提供する。 【解決手段】 バッチ式洗浄装置１の処理槽１１および
オーバーフロー槽１２上部にそれぞれ処理槽カバーＣ１
およびオーバーフロー槽カバーＣ２を設け、バッチ式洗
浄装置１内部に略閉空間ＳＰ１を形成する。オーバーフ
ロー槽カバーＣ２に設けた気体供給口ＳＧ１から、水分
含有量の小さい窒素ガスを略閉空間ＳＰ１に供給するこ
とにより、硫酸またはリン酸を含む処理液ＳＯＬ１と大
気との液面ＳＳ１における接触を遮断する。これによ
り、大気中に含まれる水分を処理液ＳＯＬ１が吸収する
のを防ぐことができ、処理液ＳＯＬ１の濃度低下が抑制
される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板、液晶
表示装置用ガラス基板等（以下、単に「基板」と称す
る）に対して洗浄処理またはエッチング処理を行う基板
処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】湿式の基板洗浄処理においては、従来よ
り、硫酸単体もしくは硫酸を主成分とする処理液、ある
いはリン酸単体もしくはリン酸を主成分とする処理液
（以下、単に「処理液」と称する）が、しばしば用いら
れる。また、洗浄処理の方式には、大別すると、処理液
で満たされた処理槽に一度に複数の基板を浸漬して基板
を洗浄するバッチ式と、１枚の基板を回転させ、基板の
表面に処理液を供給することで基板を洗浄する枚葉式と
の２つの方式がある。

【０００３】図４は、従来のバッチ式洗浄装置１００を
模式的に示す図である。図４（ａ）は側面断面図、図４
（ｂ）は、バッチ式洗浄装置１００の処理部１１０につ
いての正面断面図である。従来のバッチ式洗浄装置１０
０は、処理槽１１１、処理槽１１１の四方を取り囲むよ
うに配置されるオーバーフロー槽１１２、および注入管
１１３を備えた処理部１１０と、ポンプＰ１０１と、ヒ
ータＨ１０１と、フィルタＦ１０１と、循環路Ｊ１０１
とを備えている。ポンプＰ１０１と、ヒータＨ１０１
と、フィルタＦ１０１とは、循環路Ｊ１０１に設けられ
ている。

【０００４】バッチ式洗浄装置１００においては、矢印
ＡＲ１１１に示すように、洗浄処理を行うための処理液
ＳＯＬ３が、ポンプＰ１０１の作用によって循環路１０
１を循環する。ヒータＨ１０１で加熱され、フィルタＦ
１０１でフィルタ処理された処理液ＳＯＬ３は、注入管
１１３を通じて処理槽１１１に供給される。処理槽１１
１においては、処理槽１１１の高さいっぱいまで処理液
ＳＯＬ３が満たされるが、絶えず処理液ＳＯＬ３が注入
管１１３から処理槽１１１内へ供給されることにより、
処理液ＳＯＬ３は処理槽１１１からあふれ出る。このあ
ふれ出る処理液ＳＯＬ３は、オーバーフロー槽１１２に
流れ込み、一旦オーバーフロー槽１１２へ収容される。
オーバーフロー槽１１２に収容された処理液ＳＯＬ３
は、ポンプＰ１０１によって循環路１０１に再び循環さ
れ、注入管１１３から処理槽１１１内へ供給される。

【０００５】基板Ｗ１０１は、複数枚同時に処理槽１１
１に搬入され、ガイド１１４に保持された状態で処理液
ＳＯＬ３により洗浄が行われる。洗浄処理においては、
基板Ｗ１０１の表面に存在する、レジストや窒化膜（シ
リコンナイトライド）、酸化膜（二酸化シリコン）、Ｂ
ＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリ
ンシリケートガラス）のエッチング分解による汚染物や
残存物の脱離、あるいは処理液ＳＯＬ３への溶解などが
生じる。なお、複数枚の基板Ｗ１０１を処理槽１１１に
搬入する際には、基板Ｗ１０１の総体積に相当する処理
液ＳＯＬ３は、やはりオーバーフロー槽１１２へあふれ
出している。

【０００６】また、図５は、従来の枚葉式洗浄装置２０
０を模式的に示す図である。従来の枚葉式洗浄装置２０
０は主として、基板Ｗ２０２を保持しつつ回転する回転
基台２２１、回転する基板Ｗ２０２に対して処理液ＳＯ
Ｌ４を吐出する処理液吐出口２２２、同様に純水を吐出
する純水吐出口２２３、および処理液ＳＯＬ４等の周辺
への飛散を防ぐスプラッシュガード（処理液収容部材）
２２４を備えた処理部２２０と、処理液を貯蔵する処理
液タンク２２５と、ポンプＰ２０２と、ヒータＨ２０２
と、フィルタＦ２０２と、ドレンＤＲ２０２と、純水供
給部ＤＩＷ２０２と、循環路Ｊ２０２と、処理液バルブ
ＶＬ２２１およびＶＬ２２３と、純水バルブＶＷ２２１
と、排気部ＶＣ２０２とを備えている。処理液タンク２
２５と、ポンプＰ２０２と、ヒータＨ２０２と、フィル
タＦ２０２とは、循環路Ｊ２０２に設けられている。

【０００７】枚葉式洗浄装置２００においては、矢印Ａ
Ｒ２２１に示すように、洗浄処理を行うための処理液Ｓ
ＯＬ４がポンプＰ２０２の作用によって循環路Ｊ２０２
を循環する。ポンプＰ２０２によって処理液タンク２２
５から送られる処理液ＳＯＬ４は、ヒータＨ２０２で加
熱され、フィルタＦ２０２でフィルタ処理された後、処
理液吐出口２２２から回転する基板Ｗ２０２の表面に供
給される。基板Ｗ２０２の表面に供給された処理液ＳＯ
Ｌ４は、回転基台２２１の回転に伴って発生する遠心力
を受けて基板Ｗ２０２の表面全体に行き渡り、表面全体
の洗浄処理を行うことになる。また純水も同様に、純水
供給部ＤＩＷ２から純水バルブＶＷ２２１を設けた配管
を経て、純水吐出口２２３から基板Ｗ２０２の表面に供
給され、処理液ＳＯＬ４による洗浄後に純水により基板
Ｗ２０２の洗浄処理が行われる。洗浄処理の際、処理部
２２０内に残存する処理液ＳＯＬ４の雰囲気は、矢印Ａ
Ｒ２２２に示すように、排気部ＶＣ２０２によって処理
部２２０外へ排気される。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】上述のような従来のバ
ッチ式洗浄装置１００および枚葉式洗浄装置２００はい
ずれも、図示を省略する保護カバーで外周が覆われては
いるが、処理液の液面ＳＳ３あるいはＳＳ４は大気と直
接に接触しているために、矢印ＡＲ１１３あるいはＡＲ
２２３に示すように、処理液が大気中の水分を吸収し、
処理液濃度が次第に低下するという現象が生じていた。
また、例えば硫酸にオゾン（Ｏ３）ガスを混入しながら
ベルオキソ硫酸を生成させて洗浄処理を行う場合、処理
液の濃度の低下や水分混入により、ベルオキソ硫酸の生
成量が低下するという現象も生じていた。このため、処
理液を繰り返し使用するにつれて、洗浄処理能力が経時
的に低下して、洗浄不良が増大してしまうことや、それ
を避けるために処理液の交換頻度を増やすことによるコ
ストアップなどが問題となっていた。

【０００９】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
であり、処理液の水分の吸収を抑制できる基板処理装置
を提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項１の発明は、処理液により基板を処理する装
置であって、処理液の露出液面が存在する空間に乾燥気
体を供給する気体供給手段を備えることを特徴とする。
なお、処理液としては硫酸またはリン酸を含む処理液が
考えられる。

【００１１】また、請求項２の発明は、請求項１に記載
の基板処理装置であって、処理液が貯留され、処理液に
基板を浸漬させて基板の洗浄処理またはエッチング処理
を行うための処理槽と、前記処理槽の周囲に配置され、
前記処理槽から溢れ出た処理液を収容するオーバーフロ
ー槽と、前記処理槽内へ処理液を供給する処理液供給手
段と、前記処理槽の上部を遮蔽する処理槽用遮蔽部材
と、さらに備え、前記気体供給手段は、前記処理槽用遮
蔽部材と前記処理槽内の処理液の露出液面との空間に乾
燥気体を供給することを特徴とする。

【００１２】また、請求項３の発明は、請求項２に記載
の基板処理装置であって、前記オーバーフロー槽の上部
を遮蔽するオーバーフロー槽用遮蔽部材をさらに備え、
前記気体供給手段は、前記オーバーフロー槽用遮蔽部材
と前記オーバーフロー槽内の処理液の露出液面との間の
空間に乾燥気体を供給することを特徴とする。なお、気
体供給手段は、１つの手段で処理槽用遮蔽部材と処理槽
内の処理液の露出液面との空間に乾燥気体を供給しつ
つ、オーバーフロー槽用遮蔽部材とオーバーフロー槽内
の処理液の露出液面との空間に乾燥気体を供給してもよ
いし、それぞれの空間用の気体供給手段を個別に設けて
もよい。

【００１３】また、請求項４の発明は、請求項３に記載
の基板処理装置であって、前記気体供給手段は、前記オ
ーバーフロー槽用遮蔽部材に設けられていることを特徴
とする。

【００１４】また、請求項５の発明は、請求項４に記載
の基板処理装置であって、前記気体供給手段は、前記オ
ーバーフロー槽用遮蔽部材の端部に形成された気体供給
口を有することを特徴とする。

【００１５】また、請求項６の発明は、請求項１に記載
の基板処理装置であって、基板を保持する基板保持手段
と、基板を保持した前記基板保持手段を回転させる駆動
手段と、前記基板保持手段に保持された基板の表面に処
理液を供給する処理液吐出手段を有し、前記基板処理手
段に保持された基板の表面に対向して配置された遮蔽部
材と、前記基板保持手段の周囲に配置され、前記基板保
持手段に保持された基板の回転に伴って周囲に飛散した
処理液を収容する処理液収容部材と、を備え、前記気体
供給手段は、前記遮蔽部材、前記基板保持手段に保持さ
れた基板、及び前記処理液収容部材により囲まれた空間
に乾燥気体を供給することを特徴とする。

【００１６】また、請求項７の発明は、請求項６に記載
の基板処理装置であって、前記処理液吐出手段と連通接
続され、前記処理液吐出手段に供給するための処理液を
収容する処理液タンクと、前記処理液タンクをカバーす
る処理液タンク用カバーと、をさらに備え、前記気体供
給手段は、前記処理液タンク内の処理液の露出液面およ
び前記処理液タンク用カバーの間の空間に乾燥気体を供
給することを特徴とする。

【００１７】また、請求項８の発明は、請求項６または
請求項７に記載の基板処理装置であって、前記処理液吐
出手段による処理液の吐出位置が、前記基板保持手段の
回転軸の延長線上に存在し、かつ、前記処理液の吐出方
向が、前記回転軸方向と一致することを特徴とする。

【００１８】また、請求項９の発明は、請求項６ないし
請求項８のいずれかに記載の基板処理装置であって、前
記気体供給手段は、前記処理液吐出手段の処理液の吐出
位置の周囲に隣接して前記遮蔽手段に設けられた気体供
給口を有し、前記気体供給口は、前記遮蔽部材、前記基
板保持手段に保持された基板、及び前記処理液収容部材
により囲まれた空間に乾燥気体を供給することを特徴と
する。

【００１９】また、請求項１０の発明は、処理液により
基板を処理する装置であって、基板を保持する基板保持
手段と、基板を保持した前記基板保持手段を回転させる
駆動手段と、前記基板保持手段に保持された基板の表面
に処理液を供給する処理液吐出手段を有し、前記基板処
理手段に保持された基板の表面に対向して配置された遮
蔽部材と、前記基板保持手段の周囲に配置され、前記基
板保持手段に保持された基板の回転に伴って周囲に飛散
した処理液を収容する処理液収容部材と、前記処理液吐
出手段と連通接続され、前記処理液吐出手段に供給する
ための処理液を収容する処理液タンクと、前記処理液タ
ンクをカバーする処理液タンク用カバーと、前記遮蔽部
材、前記基板保持手段に保持された基板、及び前記処理
液収容部材により囲まれた空間に乾燥気体を供給する第
１気体供給手段と、前記処理液タンク内の処理液の露出
液面および前記処理液タンク用カバーの間の空間に乾燥
気体を供給する第２気体供給手段と、を備えることを特
徴とする。

【００２０】また、請求項１１の発明は、請求項１０に
記載の基板処理装置であって、前記遮蔽部材及び前記基
板保持手段の裏面の間の空間に乾燥気体を供給する第３
気体供給手段をさらに備えることを特徴とする。

【００２１】

【発明の実施の形態】＜第１の実施の形態＞ ＜装置概要＞図１は、本発明の第１の実施の形態におけ
る基板処理装置として機能する、バッチ式洗浄装置１を
模式的に示す図である。図１（ａ）は側面断面図、図１
（ｂ）は、バッチ式洗浄装置１の処理部１０についての
正面断面図である。本実施形態に係るバッチ式洗浄装置
１は、従来のバッチ式洗浄装置１００と同様に、処理槽
１１、処理槽１１の四方を取り囲むように配置されるオ
ーバーフロー槽１２、および注入管１３を備える処理部
１０と、ポンプＰ１と、ヒータＨ１と、フィルタＦ１と
循環路Ｊ１とを備える。ポンプＰ１と、ヒータＨ１と、
フィルタＦ１とは、循環路Ｊ１に設けられている。

【００２２】また、本実施形態に係るバッチ式洗浄装置
１においても、従来のバッチ式洗浄装置１００と同様
に、矢印ＡＲ１１に示すように、洗浄処理を行うための
処理液ＳＯＬ１が、ポンプＰ１の作用によって循環路Ｊ
１を循環する。ヒータＨ１で加熱され、フィルタＦ１で
フィルタ処理された処理液ＳＯＬ１は、注入管１３を通
じて処理槽１１へ供給される。処理槽１１においては、
処理槽１１の高さいっぱいまで処理液ＳＯＬ１が満たさ
れるが、絶えず処理液ＳＯＬ１が供給されることによ
り、処理液ＳＯＬ１は処理槽１１からあふれ出る。この
あふれ出る処理液ＳＯＬ１は、処理槽１１の周囲に配置
されたオーバーフロー槽１２に流れ込み、一旦オーバー
フロー槽１２へ収容される。オーバーフロー槽１２に収
容された処理液ＳＯＬ１は、ポンプＰ１によって循環路
Ｊ１に再び循環され、注入管１３から処理槽１１へ供給
される。

【００２３】基板Ｗ１の洗浄処理についても従来のバッ
チ式洗浄装置１００と同様であり、基板Ｗ１は、複数枚
同時に処理槽１１に搬入され、ガイド１４に保持された
状態で、処理液ＳＯＬ１による洗浄処理が行われる。な
お、基板Ｗ１の体積に相当する処理液ＳＯＬ１は、処理
槽１１からオーバーフロー槽１２にあふれ出している。

【００２４】さらにバッチ式洗浄装置１は、処理槽１１
およびオーバーフロー槽１２のそれぞれ上部に、処理槽
カバー（処理槽用遮蔽部材）Ｃ１およびオーバーフロー
槽カバー（オーバーフロー槽用遮蔽部材）Ｃ２を備え
る。

【００２５】図２は、オーバーフロー槽カバーＣ２の概
略を示す斜視図である。オーバーフロー槽カバーＣ２
は、処理槽１１の四方を取り囲んで配置されているオー
バーフロー槽１２の直上を覆うように配置される。処理
槽１１の上部に当たるところは開口部Ｃ２１となってい
る。また、図２に示すように、オーバーフロー槽カバー
Ｃ２の開口部Ｃ２１を向いた端部には、複数の気体供給
口ＳＧ１が備えられている。これについては後述する。

【００２６】一方、処理槽カバーＣ１は、このオーバー
フロー槽カバーＣ２の開口部Ｃ２１を覆うように、でき
るだけ処理液ＳＯＬ１の液面ＳＳ１との間に空隙が生じ
ないように、かつオーバーフロー槽カバーＣ２に設けら
れた気体供給口ＳＧ１をふさぐことなく配置され、図１
（ｂ）の矢印ＡＲ１３の向きに開閉可能となっている。

【００２７】なお、処理槽カバーＣ１およびオーバーフ
ロー槽カバーＣ２は、後述する略閉空間ＳＰ１の体積
が、できるだけ小さくなるよう配置されるのが望まし
い。

【００２８】そのうえ、バッチ式洗浄装置１において
は、気体供給ラインＬＧ１１より取り入れ、気体バルブ
ＶＧ１１を経た乾燥気体を、オーバーフロー槽カバーＣ
２の気体供給口ＳＧ１から処理部１０へ供給することが
可能となっている。気体供給ラインＬＧ１１による乾燥
気体の処理部１０への供給についての詳細は次述する。
気体供給ラインＬＧ１１は、例えば、バッチ式洗浄装置
１が配置される工場内でユーティリティとして提供され
るライン配管等であってよい（以下、他の気体供給ライ
ンについても同様）。

【００２９】＜処理液の水分吸収の抑制＞上述のよう
に、本実施形態に係るバッチ式洗浄装置１においては、
処理槽カバーＣ１およびオーバーフロー槽カバーＣ２が
それぞれ、処理槽１１、オーバーフロー槽１２の上部に
配置された状態で基板Ｗ１に対する洗浄処理が行われ
る。その際、処理液ＳＯＬ１と大気との接触を断つこと
で、処理液ＳＯＬ１の水分吸収と、それに伴う濃度低下
との回避を図っている。以下、これについて説明する。
なお、気体供給ラインＬＧ１１より供給されている気体
は、乾燥した窒素ガス（以下、単に「窒素ガス」と呼
ぶ）であるものとする。

【００３０】気体供給ラインＬＧ１１より連続的に供給
される窒素ガスは、矢印ＡＲ１２に示すように、オーバ
ーフロー槽カバーＣ２の気体供給口ＳＧ１から処理部１
０の上部空間において、略水平方向に供給される。その
結果、処理槽１１あるいはオーバーフロー槽１２の内壁
と、処理液ＳＯＬ１の液面ＳＳ１と、処理槽カバーＣ１
と、オーバーフロー槽カバーＣ２とで囲まれた略閉空間
ＳＰ１が、窒素ガスで満たされることになる。当該略閉
空間ＳＰ１に窒素ガスの供給前に存在していた大気は、
複数の気体供給口ＳＧ１からの窒素ガスの連続的な供給
に伴い、例えば、処理槽カバーＣ１とオーバーフロー槽
カバーＣ２との間の空隙部分などから、処理部１０の外
部に押し出される。すなわち、略閉空間ＳＰ１に存在し
ていた大気が窒素ガスに置換され、洗浄処理は窒素ガス
雰囲気で行われることになる。

【００３１】なお、気体供給口ＳＧ１と液面ＳＳ１との
距離は、液面ＳＳ１を波立たせない位置が最も水分の吸
収が少なくなる。例えば、６０ｌ／ｍｉｎの窒素ガスを
ハーフピッチの２００ｍｍ径の基板を収容した処理槽へ
供給する場合、その距離は１０ｍｍ程度が望ましい。

【００３２】さらに、図２に示すように、オーバーフロ
ー槽１２の液面ＳＳ１に対して直接窒素ガスを供給する
複数の気体供給口ＳＧ２をオーバーフロー槽カバーＣ２
の下部に設けて、この気体供給口ＳＧ２から窒素ガスを
供給すれば、処理液ＳＯＬ１の雰囲気から窒素ガスへの
置換時間が短縮できるので望ましい。

【００３３】窒素ガスは、大気に比べ水分の含有量が小
さい（乾燥した）ものを使用する。このため、処理部１
０の内部の略閉空間ＳＰ１が窒素ガスで満たされ、液面
ＳＳ１と大気との接触が遮断されることにより、処理液
ＳＯＬ１の水分の吸収は、従来のバッチ式洗浄装置１０
０に比して著しく減少することになる。従って、処理液
ＳＯＬ１の濃度の経時的な低下も抑制されることにな
る。

【００３４】以上より、本実施形態によれば、バッチ式
洗浄装置１の上部に略閉空間ＳＰ１を形成し、この略閉
空間ＳＰ１を水分の含有量が少ない窒素ガスで満たすこ
とにより、処理液ＳＯＬ１の水分の吸収を抑制して、処
理液ＳＯＬ１の安定性を高めることが可能となる。ま
た、大気中に存在する他の汚染要素の混入も抑制され、
処理液ＳＯＬ１の清浄度が維持される。

【００３５】＜第２の実施の形態＞ ＜装置概要＞第１の実施形態では、バッチ式洗浄装置１
について、処理液ＳＯＬ１と大気との接触を遮断するこ
とにより、処理液ＳＯＬ１の水分の吸収を抑制している
が、枚葉式洗浄装置においても、同様の構成が可能であ
る。

【００３６】図３は、本発明の第２の実施の形態におけ
る基板処理装置として機能する、枚葉式洗浄装置２を模
式的に示す図である。本実施形態に係る枚葉式洗浄装置
２においては、従来の枚葉式洗浄装置２００と同様に、
処理部２０は図示しない駆動機構により基板Ｗ２を保持
しつつ回転する回転基台２１と、処理液ＳＯＬ２等の周
辺への飛散を防ぐスプラッシュガード（処理液収容部
材）２４とを備える。さらに、処理部２０全体の上部に
雰囲気遮蔽板（遮蔽部材）Ｃ３を備える。雰囲気遮蔽板
Ｃ３は、処理部２０の上部のカバーとして機能するとと
もに、回転基台２１に保持された基板Ｗ２の表面に対向
して配置されている。また、雰囲気遮蔽板Ｃ３は、回転
する基板Ｗ２に対して処理液ＳＯＬ２あるいは純水を吐
出する処理液吐出口２２と、気体供給ラインＬＧ２１か
ら気体バルブＶＧ２１を経た乾燥気体を、矢印ＡＲ２２
ａに示すように、処理部２０の内部に供給する気体供給
口ＳＧ２１とを備えている。処理液吐出口２２は、回転
基台２１の回転軸と同軸に配置され、気体供給口ＳＧ２
１は、処理液吐出口２２を囲むように隣接配置されてい
る。

【００３７】また、処理部２０には、気体供給ラインＬ
Ｇ２２から供給され気体バルブＶＧ２２を経た乾燥気体
を、矢印ＡＲ２２ｂに示すように処理部２０内の回転基
台２１の裏面側の空間に供給する気体供給口ＳＧ２２を
備える。

【００３８】さらに、枚葉式洗浄装置２は、従来の枚葉
式洗浄装置２００と同様に、処理液を貯蔵する処理液タ
ンク２５と、ポンプＰ２と、ヒータＨ２と、フィルタＦ
２と、循環路Ｊ２と、ドレンＤＲ２と、純水供給部ＤＩ
Ｗ２と、処理液バルブＶＬ２１、ＶＬ２２、およびＶＬ
２３と、純水バルブＶＷ２１と、排気部ＶＣ２１とを主
として備える。処理液タンク２５と、ポンプＰ２と、ヒ
ータＨ２と、フィルタＦ２とは、循環路Ｊ２に設けられ
ている。

【００３９】処理液タンク２５については、その上部に
タンクカバーＣ４が配置されているほか、気体供給ライ
ンＬＧ２５から気体バルブＶＧ２５を経た乾燥気体を、
矢印ＡＲ２２ｃに示すように、処理液タンク２５の内部
に供給する気体供給口ＳＧ２５と、排気部ＶＣ２５とを
備える。

【００４０】本実施形態に係る枚葉式洗浄装置２におい
ても、従来の枚葉式洗浄装置２００と同様に、矢印ＡＲ
２１に示すように、洗浄処理を行うための処理液ＳＯＬ
２がポンプＰ２の作用によって循環路Ｊ２を循環する。
ポンプＰ２によって処理液タンク２５から送られる処理
液ＳＯＬ２は、ヒータＨ２で加熱され、フィルタＦ２で
フィルタ処理された後、処理液吐出口２２から回転する
基板Ｗ２の表面に供給される。基板Ｗ２の表面に供給さ
れた処理液ＳＯＬ２は、回転基台２１の回転に伴って発
生する遠心力を受けて基板Ｗ２の表面全体に行き渡り、
表面全体の洗浄処理を行うことになる。なお、基板Ｗ２
に対する純水供給部ＤＩＷ２からの純水も、処理液吐出
口２２から供給されるが、純水バルブＶＷ２１と処理液
バルブＶＬ２２とを適宜制御することにより、純水と処
理液ＳＯＬ２とを切り替えて供給可能となっている。そ
の場合は、純水が処理液タンク２５に流入することがな
いように、処理液バルブＶＬ２１およびＶＬ２３が適宜
制御される。また、処理部２０内に残存する雰囲気は、
矢印ＡＲ２２ｄに示すように、排気部ＶＣ２によって処
理部２０外に排気される。

【００４１】＜処理液の水分吸収の抑制＞次に、枚葉式
洗浄装置２における、処理液ＳＯＬ２の水分吸収の抑制
について説明する。枚葉式洗浄装置２においても、第１
の実施形態におけるバッチ式洗浄装置１の場合と同様
に、乾燥気体によって処理液ＳＯＬ２と大気との接触を
断つことにより、処理液ＳＯＬ２が水分を吸収すること
を抑制する。なお、以下においては、各気体供給ライン
から供給する乾燥気体として、窒素ガスが用いられる場
合を考える。

【００４２】図３に示すように、枚葉式洗浄装置２の処
理部２０の内部には、処理部２０と雰囲気遮蔽板Ｃ３と
からなる略閉空間ＳＰ２１が形成されている。この略閉
空間ＳＰ２１に対して、気体供給口ＳＧ２１およびＳＧ
２２から、矢印ＡＲ２２ａ、ＡＲ２２ｂに示すように窒
素ガスが連続的に供給される。これにより、それまで略
閉空間ＳＰ２１に存在していた大気は、排気部ＶＣ２あ
るいは処理部２０と雰囲気遮蔽板Ｃ３との空隙部分など
から処理部２０の外部に押し出され、略閉空間ＳＰ２１
は窒素ガスで満たされることになる。すなわち、略閉空
間ＳＰ２１に存在していた大気が窒素ガスで置換された
ことになり、洗浄処理は窒素ガス雰囲気で行われること
になる。

【００４３】また、枚葉式洗浄装置２の処理液タンク２
５においても、処理液タンク２５とタンクカバーＣ４と
からなる略閉空間ＳＰ２５に対し、矢印ＡＲ２２ｃに示
すように、気体供給口ＳＧ２５から窒素ガスを供給し、
略閉空間ＳＰ２５に存在していた大気と窒素ガスとを置
換する。大気は排気部ＶＣ２５により処理液タンク２５
外に排気される。

【００４４】以上のように大気を窒素ガスで置換するこ
とで、処理液ＳＯＬ２の液面ＳＳ２１（基板Ｗ２上にお
ける処理液ＳＯＬ２の流れの液面と、この処理液ＳＯＬ
２がスプラッシュガード内に飛散した液滴の液面）およ
び液面ＳＳ２５と大気との接触は遮断される。よって、
枚葉式洗浄装置２において、処理液ＳＯＬ２と大気とが
接触することはほぼ回避される。窒素ガスとしては大気
に比べ水分の含有量が小さい（乾燥した）ものを使用
し、これにより、処理液ＳＯＬ２に対する水分の吸収
は、従来の枚葉式洗浄装置２００に比して著しく減少す
ることになる。従って、処理液ＳＯＬ２の濃度の経時的
な低下も抑制されることになる。

【００４５】以上より、本実施形態においても、第１の
実施形態におけるバッチ式洗浄装置１の場合と同様に、
枚葉式洗浄装置２の処理部に略閉空間ＳＰ２１を、処理
液タンク２５の処理液ＳＯＬ２の上部に略閉空間ＳＰ２
５をそれぞれ形成し、これら略閉空間ＳＰ２１およびＳ
Ｐ２５を水分の含有量が少ない窒素ガスで満たすことに
より、処理液ＳＯＬ２の水分の吸収を抑制して、処理液
ＳＯＬ２の安定性を高めることが可能となる。また、大
気中に存在する他の汚染要素の混入も抑制され、処理液
ＳＯＬ２の清浄度も維持される。

【００４６】以上、本発明によれば、基板の洗浄に用い
る処理液と大気との接触を遮断することにより処理液の
水分吸収を低減させ、処理液の濃度低下を抑制すること
ができる。また、大気中の汚染要素の混入も抑制され、
処理液の清浄度が維持される。

【００４７】＜変形例＞いずれの実施形態においても、
供給する乾燥気体は、窒素ガスに限定されない。含有す
る水分量が少なく、処理液と反応しない気体であればよ
く、例えば十分に脱水された乾燥空気でもよい。例え
ば、水分量については、その露点が−６０℃程度以下の
ガスが望ましい。

【００４８】気体の供給方法は上述の実施例に限定され
ず、異なってもよい。例えば、第１の実施形態におい
て、処理槽カバーＣ１から供給を行うような構成であっ
てもよい。

【００４９】

【発明の効果】以上、説明したように、請求項１ないし
請求項１１の発明によれば、基板処理装置における処理
を、水分の含有量が小さい気体の雰囲気で行うことがで
き、処理液の水分の吸収を抑制することができる。

【００５０】特に、請求項２ないし請求項５の発明によ
れば、複数枚の基板に対する処理を、水分の含有量が小
さい気体の雰囲気で一度に行うことができる。

【００５１】特に、請求項４または請求項５の発明によ
れば、水分の含有量が小さい気体を処理液の液面近傍に
効率よく供給しつつ、基板に対する処理を行うことがで
きる。

【００５２】特に、請求項６ないし請求項１１の発明に
よれば、基板に対する処理を、処理液の消費量を抑制し
つつ、水分の含有量が小さい気体雰囲気で行うことがで
きる。

【００５３】特に、請求項９の発明によれば、水分の含
有量が小さい気体を基板表面近傍に効率よく供給しつ
つ、基板に対する処理を行うことができる。

【００５４】特に、請求項１１の発明によれば、水分の
含有量が小さい気体を基板表面から飛散した液滴の近傍
に効率よく供給しつつ、基板に対する処理を行うことが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】バッチ式洗浄装置１を模式的に示す図である。

【図２】オーバーフロー槽カバーＣ２の概略を示す斜視
図である。

【図３】枚葉式洗浄装置２を模式的に示す図である。

【図４】従来のバッチ式洗浄装置１００を模式的に示す
図である。

【図５】従来の枚葉式洗浄装置２００を模式的に示す図
である。

【符号の説明】

１ バッチ式洗浄装置 ２ 枚葉式洗浄装置 １０、２０ 処理部 １１ 処理槽 １３ 注入管 １４ ガイド ２１ 回転基台 ２２ 処理液吐出口 ２４ スプラッシュガード ２５ タンク Ｃ１ 処理槽カバー Ｃ２ オーバーフロー槽カバー Ｃ２１ 開口部 Ｃ３ 雰囲気遮蔽板 Ｃ４ タンクカバー ＤＩＷ２ 純水供給部 Ｆ１、Ｆ２ フィルタ Ｈ１、Ｈ２ ヒータ Ｐ１、Ｐ２ ポンプ ＳＧ１、ＳＧ２、ＳＧ２１、ＳＧ２２、ＳＧ２５ 気体
供給口 ＳＯＬ１、ＳＯＬ２ 処理液 ＳＰ１、ＳＰ２１、ＳＰ２５ 略閉空間 ＳＳ１、ＳＳ２１、ＳＳ２５ 液面 Ｗ１、Ｗ２ 基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小路丸 友則 京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神 北町１番地の１ 大日本スクリーン製造株 式会社内 Ｆターム(参考） 5F043 EE01 EE21 EE27 EE35 GG10

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 処理液により基板を処理する装置であっ
   て、 処理液の露出液面が存在する空間に乾燥気体を供給する
   気体供給手段を備えることを特徴とする基板処理装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の基板処理装置であっ
   て、 処理液が貯留され、処理液に基板を浸漬させて基板の洗
   浄処理またはエッチング処理を行うための処理槽と、 前記処理槽の周囲に配置され、前記処理槽から溢れ出た
   処理液を収容するオーバーフロー槽と、 前記処理槽内へ処理液を供給する処理液供給手段と、 前記処理槽の上部を遮蔽する処理槽用遮蔽部材と、をさ
   らに備え、 前記気体供給手段は、前記処理槽用遮蔽部材と前記処理
   槽内の処理液の露出液面との空間に乾燥気体を供給する
   ことを特徴とする基板処理装置。
3. 【請求項３】 請求項２に記載の基板処理装置であっ
   て、 前記オーバーフロー槽の上部を遮蔽するオーバーフロー
   槽用遮蔽部材をさらに備え、 前記気体供給手段は、前記オーバーフロー槽用遮蔽部材
   と前記オーバーフロー槽内の処理液の露出液面との間の
   空間に乾燥気体を供給することを特徴とする基板処理装
   置。
4. 【請求項４】 請求項３に記載の基板処理装置であっ
   て、 前記気体供給手段は、前記オーバーフロー槽用遮蔽部材
   に設けられていることを特徴とする基板処理装置。
5. 【請求項５】 請求項４に記載の基板処理装置であっ
   て、 前記気体供給手段は、前記オーバーフロー槽用遮蔽部材
   の端部に形成された気体供給口を有することを特徴とす
   る基板処理装置。
6. 【請求項６】 請求項１に記載の基板処理装置であっ
   て、 基板を保持する基板保持手段と、 基板を保持した前記基板保持手段を回転させる駆動手段
   と、 前記基板保持手段に保持された基板の表面に処理液を供
   給する処理液吐出手段を有し、前記基板処理手段に保持
   された基板の表面に対向して配置された遮蔽部材と、 前記基板保持手段の周囲に配置され、前記基板保持手段
   に保持された基板の回転に伴って周囲に飛散した処理液
   を収容する処理液収容部材と、を備え、 前記気体供給手段は、前記遮蔽部材、前記基板保持手段
   に保持された基板、及び前記処理液収容部材により囲ま
   れた空間に乾燥気体を供給することを特徴とする基板処
   理装置。
7. 【請求項７】 請求項６に記載の基板処理装置であっ
   て、 前記処理液吐出手段と連通接続され、前記処理液吐出手
   段に供給するための処理液を収容する処理液タンクと、 前記処理液タンクをカバーする処理液タンク用カバー
   と、をさらに備え、 前記気体供給手段は、前記処理液タンク内の処理液の露
   出液面および前記処理液タンク用カバーの間の空間に乾
   燥気体を供給することを特徴とする基板処理装置。
8. 【請求項８】 請求項６または請求項７に記載の基板処
   理装置であって、 前記処理液吐出手段による処理液の吐出位置が、前記基
   板保持手段の回転軸の延長線上に存在し、かつ、 前記処理液の吐出方向が、前記回転軸方向と一致するこ
   とを特徴とする基板処理装置。
9. 【請求項９】 請求項６ないし請求項８のいずれかに記
   載の基板処理装置であって、 前記気体供給手段は、前記処理液吐出手段の処理液の吐
   出位置の周囲に隣接して前記遮蔽手段に設けられた気体
   供給口を有し、 前記気体供給口は、前記遮蔽部材、前記基板保持手段に
   保持された基板、及び前記処理液収容部材により囲まれ
   た空間に乾燥気体を供給することを特徴とする基板処理
   装置。
10. 【請求項１０】 処理液により基板を処理する装置であ
    って、 基板を保持する基板保持手段と、 基板を保持した前記基板保持手段を回転させる駆動手段
    と、 前記基板保持手段に保持された基板の表面に処理液を供
    給する処理液吐出手段を有し、前記基板処理手段に保持
    された基板の表面に対向して配置された遮蔽部材と、 前記基板保持手段の周囲に配置され、前記基板保持手段
    に保持された基板の回転に伴って周囲に飛散した処理液
    を収容する処理液収容部材と、 前記処理液吐出手段と連通接続され、前記処理液吐出手
    段に供給するための処理液を収容する処理液タンクと、 前記処理液タンクをカバーする処理液タンク用カバー
    と、 前記遮蔽部材、前記基板保持手段に保持された基板、及
    び前記処理液収容部材により囲まれた空間に乾燥気体を
    供給する第１気体供給手段と、 前記処理液タンク内の処理液の露出液面および前記処理
    液タンク用カバーの間の空間に乾燥気体を供給する第２
    気体供給手段と、を備えることを特徴とする基板処理装
    置。
11. 【請求項１１】 請求項１０に記載の基板処理装置であ
    って、 前記遮蔽部材及び前記基板保持手段の裏面の間の空間に
    乾燥気体を供給する第３気体供給手段をさらに備えるこ
    とを特徴とする基板処理装置。