JPH11145105A

JPH11145105A - 洗浄装置

Info

Publication number: JPH11145105A
Application number: JP32951497A
Authority: JP
Inventors: Shigenori Kitahara; 重徳北原; Yuji Tanaka; 裕司田中; Shinichiro Shimomura; 伸一郎下村
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 1997-11-13
Filing date: 1997-11-13
Publication date: 1999-05-28

Abstract

(57)【要約】【課題】保持溝内に液流を作り，その結果，基板の表
面に筋状のパーティクル模様を残す心配のない洗浄装置
を提供する。【解決手段】ウェハＷを洗浄液に浸漬して洗浄する洗
浄槽４０と，洗浄槽４０内でウェハＷの左右の周縁部を
保持する保持棒４２，４３と，洗浄液を洗浄槽４０内に
供給するノズル６０とを備えた洗浄装置１４において，
ノズル６０の吐出口６１を，保持棒４２，４３の保持溝
４５に指向させ，さらにウェハＷと保持棒４２との接点
Ａにおける接線ｌとウェハＷの保持棒４３との接点Ｂに
おける接線ｌ’との両方の内側に配置する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は，半導体デバイスや
ＬＣＤ基板等の基板を洗浄槽内に充填された洗浄液に浸
漬させて洗浄する洗浄装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば，半導体デバイスの製造工程にお
いては，半導体ウェハ（以下，「ウェハ」という。）表
面のパーティクル，有機汚染物，金属不純物，自然酸化
膜等の不純物を除去するために洗浄システムが使用され
ている。その中でもウェハを洗浄槽内の洗浄液に浸漬し
て洗浄処理を行う洗浄装置を備えたウェット型の洗浄シ
ステムは，洗浄液の組成や組み合わせを変えることで，
複数の種類のコンタミネーションやウェハに付着したパ
ーティクルを効果的に除去できるため，幅広く使用され
ている。

【０００３】このような洗浄システムにおける洗浄プロ
セスは，アンモニア処理，フッ酸処理，硫酸処理，塩酸
処理などの各種の薬液処理と，純水などによる水洗処理
が交互に行われるようになっており，効果的な洗浄処理
が行えるように清浄度の高い洗浄液の使用を心掛けてい
る。即ち，洗浄処理中は清浄化された洗浄液を洗浄槽内
に供給し続けると共に，洗浄処理に使用された洗浄液を
洗浄槽内から溢れ出させて排液し，洗浄槽内を常に清浄
化された洗浄液に置換している。また，一度洗浄に使用
した洗浄液を清浄化させ，再び洗浄槽内に供給すること
により，洗浄液の再利用を図っている。この洗浄槽内に
洗浄液を供給する方法としては，従来から整流板方式や
ノズル方式などが知られている。

【０００４】ノズル方式は，特にノズルからウェハの表
面に直接洗浄液を吐出しウェハの表面を迅速に洗浄処理
することができる。例えば図８及び図９に示すような従
来の洗浄槽１００で行われるノズル方式の洗浄処理につ
いて説明すると，先ず洗浄槽１００は内槽１０１と外槽
１０２とから成り，内槽１０１内には底部の左右両端に
対をなして配置されたノズル１０３，１０３と，左右一
対の平行な保持棒１０４，１０５と，中央で保持棒１０
４，１０５よりも低い位置に配置された支持ガイド棒１
０６とが備えられている。保持棒１０４，１０５はいず
れも保持溝１０７にウェハＷの周縁下部を１０７溝内に
入れた状態で保持し，支持ガイド棒１０６はウェハＷの
周縁下部を図示しない溝の隙間に宙に浮いた状態で位置
させてウェハＷの倒れを防止している。そして，これら
保持棒１０４，１０５に保持されたウェハＷの表面に向
かってノズル１０３が上向きに洗浄液を吐出する。さら
に洗浄液は，ノズル１０３の勢いによりウェハＷの表面
を流通し内槽１０１の上方まで上昇し，その後に内槽１
０１の上方から外槽１０２に溢れ出でる。このようにウ
ェハＷの表面全面に渡って清浄な洗浄液を供給し好適な
洗浄処理を行う。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで，従来の洗浄
槽では，自然酸化膜等を洗浄除去するためにフッ酸成分
を主体とした洗浄液（ＨＦ／Ｈ₂Ｏの混合液，ＨＦ／Ｎ
Ｈ₄Ｆの混合液）が用いられ，また，窒化膜を洗浄除去
するために，燐酸成分を主体とした洗浄液（Ｈ₃ＰＯ₄）
が用いられている。これらは何れも洗浄処理中に洗浄液
の薬液成分と自然酸化膜及び熱酸化膜等とが反応し，ウ
ェハＷの表面をウェットエッチングする。また，比較的
高濃度のフッ酸成分を主体とした洗浄液（例えばＨＦが
１の割合に対し，Ｈ₂Ｏを５０以下の割合で混合したも
の）や燐酸成分を主体とした洗浄液中には，このウェッ
トエッチングの反応によりシリカ（ＳｉＯ₂）などの反
応性生成物が発生する。このような反応性生成物は，洗
浄槽の洗浄液中にそのまま残存しているわけではなく，
先に述べたような洗浄液の置換によって，洗浄槽から洗
浄液が排液されるのに伴い洗浄槽内から自然と排出され
ていく。

【０００６】しかしながら，時として洗浄液の流れの如
何によっては，反応性生成物がウェハの表面に付着，残
存しパーティクルの原因になりその後の製造工程に影響
を与えてしまう場合がある。即ち，図８及び図９に示す
ように，まず内槽１０１内の底部の左右両端に配置され
たノズル１０３，１０３の吐出によりウェハＷの外側か
らウェハＷの表面側に向かって流れる液流１０８が形成
される。洗浄液中の反応性生成物は，この液流１０８に
よってウェハＷの表面側へと流れその最中にウェハＷの
表面に接触し付着し易い状態となる。さらに，ウェハＷ
の表面側に向かう液流１０８は，保持棒１０４，１０５
を迂回してしまうので，保持棒１０４，１０５の保持溝
１０７に保持されたウェハの周縁部近傍は，保持棒１０
４，１０５自身の陰となり液流１０８が好適に流通しな
い。これにより，保持溝１０７に保持されたウェハの周
縁部近傍では反応性生成物が溜まり易い。従って，以上
のような要因により，保持棒１０４，１０５の保持溝１
０７に保持されたウェハＷの周縁部近傍に周縁から中心
に向かう方向に筋状のパーティクル模様１０９が形成さ
れてしまう場合がある。

【０００７】本発明はそのような問題点に鑑みてなされ
たものであり，その目的は，保持手溝内に液流を作り，
その結果，基板の表面に筋状のパーティクル模様を残す
心配のない洗浄装置を提供することである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に，請求項１の発明は，基板を洗浄液に浸漬して洗浄す
る洗浄槽と，洗浄槽内で基板の周縁部を保持溝によって
保持する保持手段と，洗浄液を洗浄槽内に供給する供給
手段とを備えた洗浄装置において，少なくとも保持溝に
向かって供給された洗浄液が保持溝を流れ出た後に基板
の外側に流れ出るように供給手段の吐出口を指向させた
ことを特徴とする。

【０００９】請求項１に記載の洗浄装置によれば，基板
の表面側から基板の外側に向かって洗浄液が流れるた
め，洗浄液中の反応性生成物は，基板の外側へ押し流さ
れ基板の表面には付着し難くなる。しかも，このような
流れを形成することにより，保持溝及び保持溝に保持さ
れた基板の周縁部近傍に洗浄液を好適に流通させ，これ
らに残留している反応性生成物を綺麗に洗い流すことが
できる。従って，パーティクル除去の効率が改善され基
板の表面に筋状のパーティクル模様が残らず，基板の表
面全体に渡り良好な洗浄処理を行うことが可能となる。

【００１０】請求項１に記載の洗浄装置において，請求
項２に記載したように，供給手段を，基板の底部から基
板に向かって洗浄液を供給できるように洗浄槽の底部に
配置するのがよい。かかる構成によれば，供給手段から
上向きに洗浄液を吐出し，基板の表面に対する液流を上
昇流として形成するので，基板を効率良く洗浄処理でき
る。

【００１１】請求項３に記載したように，保持手段は基
板の左右の周縁部を保持溝によって保持する左右一対の
保持部材を備え，供給手段を左右一対の保持部材より内
側に配置するのがなお好ましい。かかる構成によれば，
保持溝及び保持溝に保持された基板の周縁部近傍におい
て，基板の表面側から基板の外側に向かう洗浄液の液流
を形成することができる。

【００１２】さらに基板の形状が円盤形状であれば，請
求項４に記載したように，供給手段の吐出口を，基板と
一方の保持部材との接点における接線と基板と他方の保
持部材との接点における接線との両方の内側に配置する
のがよい。この場合，供給手段の吐出口と左右一対の保
持部材との間に，供給手段から吐出された洗浄液の液流
を迂回させるような障害物が存在しないため，保持溝及
び保持溝に保持された基板の周縁部近傍にこの液流を確
実に流通させることができる。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下，本発明の実施の形態につい
て説明すると，本実施の形態にかかる洗浄装置を備えた
洗浄システムは，キャリア単位での基板としてのウェハ
の搬入，ウェハの洗浄，ウェハの乾燥，キャリア単位で
のウェハの搬出までを一貫して行うように構成されてい
る。図１は，本発明の実施の形態にかかる洗浄装置１２
〜１９を説明するための洗浄システム１の斜視図であ
る。

【００１４】この洗浄システム１は，洗浄前のウェハＷ
をキャリアＣ単位で搬入して洗浄に付するまでの動作を
行う搬入・取出部２と，この搬入・取出部２から搬出さ
れたウェハＷを洗浄，乾燥する洗浄乾燥処理部３と，こ
の洗浄乾燥処理部３で洗浄，乾燥されたウェハＷをキャ
リアＣ単位で搬出する装填・搬出部４の三つの箇所に大
別することができる。

【００１５】搬入・取出部２には，洗浄前のウェハＷを
例えば２５枚収納したキャリアＣを搬入して載置させる
搬入部５と，この搬入部５と隣接するキャリアＣからウ
ェハＷを取り出すためのローダ６と，搬入部５の所定位
置に送られたキャリアＣをローダ６へ一度に適宜数（例
えば２個）ずつ移送するための移送装置７が設けられて
いる。

【００１６】洗浄乾燥処理部３には，搬入・取出部２側
から装填・搬出部４側の順に，後述する搬送装置３０の
ウェハチャック３６を洗浄および乾燥するためのウェハ
チャック洗浄・乾燥装置１１，各種の薬液や純水等の処
理液を用いてウェハＷを洗浄する洗浄装置１２〜１９，
搬送装置３３のウェハチャック３９を洗浄および乾燥す
るためのウェハチャック洗浄・乾燥装置２０，および，
各洗浄装置１２〜１９で洗浄されたウェハＷを，例えば
イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）蒸気を用いて乾燥さ
せる乾燥装置２１が配列されている。

【００１７】そして，ウェハチャック洗浄・乾燥装置１
１，２０では，例えば純水などを用いてウェハチャック
３６とウェハチャック３９の洗浄をそれぞれ行い，更
に，ウェハチャック３６とウェハチャック３９の乾燥も
行う。また，一般的な洗浄プロセスに従い，薬液洗浄と
リンス洗浄とが交互に行えるように洗浄システム１で
は，洗浄装置１２，１４，１６，１８は薬液洗浄を行う
洗浄装置として構成され，洗浄装置１３，１５，１７，
１９はリンス洗浄を行う洗浄装置として構成されてい
る。その一例として，洗浄装置１２では，例えばアンモ
ニア成分を主体とした洗浄液（ＮＨ₄ＯＨ／Ｈ₂Ｏ₂／Ｈ₂
Ｏの混合液）を用いた洗浄処理を行って，ウェハＷの表
面に付着している有機汚染物，パーティクル等の不純物
質を除去する。また，洗浄装置１６では，例えば塩酸成
分を主体とした洗浄液（ＨＣｌ＋Ｈ₂Ｏ₂の混合液）を用
いた洗浄処理を行って，金属イオンを除去する。また，
洗浄装置１４，１８では，何れもフッ酸成分を主体とし
た洗浄液（ＨＦ／Ｈ₂Ｏの混合液）を用いた洗浄処理を
行って，ウェハＷの表面に形成された酸化膜等を除去す
る。また，洗浄装置１３，１５，１７，１９では，例え
ば純水の如き洗浄水を用いてウェハＷのリンス洗浄を行
う。更に，乾燥装置２０では，ＩＰＡ蒸気を利用してウ
ェハＷの表面を乾燥処理するように構成されている。な
お，本実施の形態において，洗浄装置１４，１８におい
て使用される洗浄液は，比較的高濃度の洗浄液（ＨＦが
１の割合に対し，Ｈ₂Ｏを５０以下の割合で混合したも
の）が使用されている。

【００１８】なお以上の配列や各洗浄装置１２〜１９の
組合わせは，ウェハＷに対する処理，洗浄の種類によっ
て任意に組み合わせることができる。例えば，ある洗浄
装置を減じたり，逆にさらに他の種類の薬液を用いてウ
ェハＷを洗浄処理する洗浄装置を付加してもよい。

【００１９】装填・搬出部４には，先に説明した搬入・
取出部２のローダ６と同様の構成を有し洗浄後のウェハ
ＷをキャリアＣに搬入するアンローダ２２と，搬入部５
と同様の構成を有し洗浄後のウェハＷをキャリアＣ単位
で搬出する搬出部２３と，移送装置７と同様の構成を有
する移送装置（図示せず）とがそれぞれ設けられてい
る。

【００２０】洗浄乾燥処理部３の前面側（図１における
手前側）には，搬入・取出部２側から装填・搬出部４側
の順に，四つの搬送装置３０，３１，３２，３３が配列
されており，各搬送装置３０，３１，３２，３３は，そ
れぞれ対応するウェハチャック３６，３７，３８，３９
を備えている。

【００２１】搬送装置３０，３１，３２，３３は何れも
同様の構成を備えているので，例えばウェハチャック洗
浄・乾燥装置１１，洗浄装置１２及び洗浄装置１３の相
互間でウェハＷを搬送させる搬送装置３０を例にして説
明すると，搬送装置３０のウェハチャック３６は，図２
に示すように，キャリアＣ二つ分の複数枚のウェハＷ，
即ち，この実施の形態においては５０枚のウェハＷを一
括して把持する左右一対の把持部３６ａ，３６ｂを備え
ている。この把持部３６ａ，３６ｂは，回動自在（θ方
向）に構成され，さらに前後方向（Ｙ方向），上下方向
（Ｚ方向）に移動自在に構成されている。また，搬送装
置３０自身は，ガイド３４に沿って洗浄システム１の長
手方向にスライド方向（Ｘ方向）に移動自在に構成され
ている。

【００２２】一方，洗浄装置１２に備えられた洗浄槽４
０の底部には，各槽内でウェハＷ同士を所定の等間隔に
保ちつつ立てた状態で整列させて保持する保持手段とし
てのボート部４１がそれぞれ設置されている。このボー
ト部４１には，ウェハＷの周縁下部を支持する保持部材
としての左右一対の平行な保持棒４２，４３と，ウェハ
Ｗの倒れを防止するために保持棒４２，４３よりも低く
く中央に配置された支持ガイド棒４４が図２で示すよう
に備えられている。これら保持棒４２，４３の表面には
保持溝４５がそれぞれ５０個ずつ形成され，支持ガイド
棒４４の表面には溝４６が５０個形成されている。ウェ
ハＷを保持する際には，保持溝４５によってウェハＷの
周縁下部を保持すると共に，ウェハＷの倒れを防止でき
るようにウェハＷの周縁下部を溝４６の隙間に宙に浮い
た状態で位置させる。なお，その他の洗浄装置１３〜１
９にも同一の構成を有した洗浄槽４０が備わっており，
ここで説明した洗浄装置１２の洗浄槽４０を代表とし
て，他の洗浄装置１３〜１９の洗浄槽４０についての説
明は省略する。

【００２３】そして，例えば洗浄装置１２，１３におい
て洗浄処理する場合，搬送装置３０は，各槽内のボート
部４１上にウェハＷを受け渡し自らは各槽の上方に退避
すると共に，洗浄処理後はウェハＷを槽内から取り出し
次の槽に搬送していく。こうして搬送装置３０は，搬入
・取出部２から５０枚のウェハＷを受け取り，洗浄装置
１２，１３にウェハＷを順次搬送し，各装置内に５０枚
のウェハＷを一括して搬入出できるようになっている。

【００２４】なお，搬送装置３０について代表して説明
したが，その他の搬送装置３１，３２，３３およびそれ
らのウェハチャック３７，３８，３９も，搬送装置３０
およびウェハチャック３６と同一の構成を有しており，
同様に例えば５０枚のウェハＷを一括して把持し，搬送
するように構成されている。

【００２５】次に，薬液成分を主体とした洗浄液を用い
てウェハＷを洗浄処理する洗浄装置１２〜１９はいずれ
も同様の構成を有しており，フッ酸成分を主体とした洗
浄液を用いる洗浄装置１４について図３〜図６を参照に
説明する。

【００２６】図３は，洗浄槽４０にかかる回路系統を示
す説明図であり，図４は，洗浄装置１４内に備えられた
洗浄槽４０の断面図である。まず，図３及び図４に示す
ように，洗浄装置１２内に備えられた洗浄槽４０はウェ
ハＷを収納するのに充分な大きさを有する箱形の内槽５
０と外槽５１から構成されている。内槽５０の上面は開
口しており，この上面の開口部を介してウェハＷが内槽
５０の内部に挿入される。外槽５１は，内槽５０の上端
からオーバーフローした洗浄液を受けとめるように，内
槽５０の開口部を取り囲んで装着されている。

【００２７】図３に示すように内槽５０と外槽５１との
間には，ウェハＷの洗浄処理中に洗浄液を循環流通させ
て供給する循環供給回路５３が接続されている。この循
環供給回路５３の入口は弁５５を介して外槽５１の底面
に接続されており，循環供給回路５３の途中には，ポン
プ５６，ダンパ５７，ヒータ５８，フィルタ５９が順に
配列され，循環供給回路５３の出口は供給手段としての
ノズル６０に接続されている。そして，弁５５を開くこ
とによって，内槽５０から外槽５１にオーバーフローし
た洗浄液を，循環供給回路５３に流入させるようになっ
ている。循環供給回路５３に流入した洗浄液は，ポンプ
５６の稼働によって，ダンパ５７，ヒータ５８，フィル
タ５９の順に流し温調及び清浄化させた後，ノズル６０
を経て再び内槽５０内に供給するようになっている。な
お，循環供給回路５３には，最初に洗浄液を槽内に充填
したり足りなくなった洗浄液を適宜補充するために洗浄
液供給回路６２が弁６３を介して接続され，槽内から洗
浄液を排液するために内槽５０の底面には弁６４を介し
て排液回路６５が接続され，同様に外槽５１の底面には
弁６６を介して排液回路６７が接続されている。

【００２８】ノズル６０は，図４に示すように内槽５０
の底部中央に単体で配置されており，さらに図５に示す
ようにノズル６０は円筒形状を有している。そして，そ
の周面に穿設された複数の吐出口６１から，ボート４１
部の保持棒４２，４３に保持されたウェハＷの表面に向
かって上向きに洗浄液を吐出するように構成されてい
る。

【００２９】ここで，ノズル６０の吐出口６１について
詳しく説明すると，図６に示すように，保持溝４５に向
かって供給された洗浄液は保持溝４５を流れ出てウェハ
Ｗの外側に流れ出るように，ノズル６０の吐出口６１は
指向されている。しかも，保持棒４２，４３の保持溝４
５に指向されたノズル６０の吐出口６１から吐出された
洗浄液が保持棒４２，４３の外側を迂回して流れたり保
持棒４２，４３の周面に衝突したりして，本来の押し流
す効果を発揮できないといった事態を回避するために，
図４に示すように，ノズル６０の吐出口６１をウェハＷ
と保持棒４２との接点Ａにおける接線ｌとウェハＷの保
持棒４３との接点Ｂにおける接線ｌ’との両方の内側に
配置している。このようなノズル６０の吐出口６１の指
向性と配置を設定することにより，保持棒４２，４３の
内側，即ち保持棒４２，４３の保持溝４５及びこれに保
持されたウェハＷの周縁部近傍において，ウェハＷの表
面側からウェハＷの外側へ確実に流れ出る洗浄液の液流
６２を形成する構成になっている。

【００３０】なお，洗浄装置１２〜１５及び１６〜１９
も洗浄装置１４と同様の構成を備えており，詳細な説明
は省略する。

【００３１】次に，以上のように構成された本実施の形
態にかかる洗浄装置１２〜１９を備えた洗浄システム１
におけるウェハＷの処理工程を説明する。

【００３２】まず，図示しない搬送ロボットが未だ洗浄
されていないウェハＷを例えば２５枚ずつ収納したキャ
リアＣを搬入・取出部２の搬入部５に載置する。そし
て，この搬入部５に載置されたキャリアＣを移送装置７
によって隣接するローダ６へ移送する。ローダ６では，
例えばキャリアＣ二個分の５０枚のウェハＷをキャリア
Ｃから取り出し，更にオリフラ合わせした状態で５０枚
のウェハＷを整列待機させる。

【００３３】続いて，既にウェハチャック洗浄・乾燥装
置１１において洗浄および乾燥処理された搬送装置３０
のウェハチャック３６が，ローダ６に整列している待機
状態のウェハＷの上方に移動し，その整列されたウェハ
Ｗをウェハチャック３６により５０枚単位で一括して把
持する。それらウェハＷを搬送装置３０，３１，３２，
３３のウェハチャック３６，３７，３８，３９と引き続
いて各洗浄装置１２〜１９に順次搬送し，ウェハＷ表面
に付着している有機汚染物，パーティクル等の不純物質
を除去するための所定の洗浄処理が行われていく。

【００３４】ここで，代表してフッ酸成分を主体とした
洗浄液を用いる洗浄装置１４の洗浄処理の工程を図３〜
６を参照にして説明する。予め，洗浄槽４０の内槽５０
内へ洗浄液供給回路６２から比較的高い濃度（ＨＦが１
の割合に対し，Ｈ₂Ｏを５０以下の割合で混合したも
の）に調整された洗浄液が供給され，洗浄液の充填が行
われる。そして，内槽５０，循環供給回路５３，外槽５
１の順に流れる循環流を形成させる。この場合，図３に
示したように，内槽５０の上方から溢れ出た洗浄液を外
槽５１に受けとめて循環供給回路５３に流し，ポンプ５
６の稼働によってダンパ５７，ヒータ５８，フィルタ６
０と流して温調及び清浄化した後，内槽５０に配置され
ているノズル６０によって内槽５０の下方から再び供給
し洗浄液を循環させる。

【００３５】次に，こうした洗浄槽４０での洗浄液の循
環が開始した直後に，５０枚のウェハＷを保持した搬送
装置３１のウェハチャック３７が洗浄槽４０内に下降す
る。そして，このウェハＷを洗浄槽４０内のボート部４
１に受け渡し，内槽５０の底部に配置された単体のノズ
ル６０から上向きに洗浄液を吐出し，図４に示したよう
に，ボート部４１上に保持されたウェハＷに対して均一
な洗浄を行う。また，単体のノズル６０のみでも均一な
洗浄処理ができるので，内槽５０内の構成が簡素化して
いる。

【００３６】ところで，洗浄装置１４で使用される洗浄
液は比較的高濃度のＤＨＦ洗浄液であるため，洗浄処理
中において洗浄液の薬液成分と自然酸化膜及び熱酸化膜
等とが反応しウェハＷの表面をウェットエッチングす
る。そして，これに伴い液中やウェハＷの表面に反応性
生成物が発生する。ここで，図４及び図６に示したよう
に，保持棒４２，４３の保持溝４５に指向され，かつ，
接線ｌと接線ｌ’との両方の内側に配置されたノズル６
０の吐出口６１から吐出された洗浄液は，保持棒４２，
４３の保持溝４５に向かって流れ，保持棒４２，４３の
保持溝４５に保持されたウェハＷの周縁部近傍において
表面側からウェハＷの外側へ流れ出ていく。こうして洗
浄液の液流６２は，保持棒４２，４３の保持溝４５を流
れこれに保持されたウェハＷの周縁部近傍を綺麗に洗い
流し，そのまま内槽５０の上方に上昇していく。従っ
て，保持棒４２，４３の保持溝４５やこれに保持された
ウェハＷの周縁部近傍に残留している反応生成物を除去
し，ウェハＷの表面に筋状のパーティクル模様が残るこ
とがない。以後，所定の時間が経過するまでウェハＷの
表面全体に渡り良好な洗浄処理が行われることになる。

【００３７】所定の洗浄処理が終了後，搬送装置３１の
ウェハチャック３７が洗浄槽４０の内槽５０内に下降
し，ボート部４１上に保持された５０枚のウェハＷを一
括して把持して上昇する。こうして５０枚のウェハＷを
一括して洗浄槽４０の内槽５０内から取り出す。そし
て，各洗浄装置１２〜１９での所定の洗浄処理が終了す
ると，最後にウェハＷは乾燥装置２０において乾燥さ
れ，装填・搬出部４を介してキャリアＣ単位で装置外に
搬出される。

【００３８】かくして，本実施の形態の洗浄装置１４に
よれば，ノズル６０の吐出口６１を保持棒４２，４３の
保持溝４５に指向させ，かつ，接線ｌと接線ｌ’との両
方の内側に配置することにより，保持棒４２，４３の保
持溝４５及びこれに保持されたウェハＷの周縁部近傍
に，ウェハＷの表面側からウェハＷの外側に向かって流
れる液流６２を形成させて残留している反応性生成物を
綺麗に洗い流すことができる。従って，パーティクル除
去の効率が改善されウェハＷの表面に筋状のパーティク
ル模様を残すことがなくなり，ウェハＷの表面全体に渡
り良好な洗浄処理を行うことが可能となる。

【００３９】なお，本発明の実施の形態の一例について
説明したが，本発明はこの例に限定されるものでなく，
種々の様態を採りうるものである。例えば，図７に示す
ように，左右一対のノズル７０が，同様に左右一対の保
持棒４２，４３よりも内側に配置されていてもよい。か
かる構成によれば，保持棒４２，４３の保持溝４５及び
これに保持されたウェハＷの周縁部近傍において，ウェ
ハＷの表面側からウェハＷの外側に向かう洗浄液の液流
７１を確実に形成することができる。また，このような
複数のノズル７０を設けて洗浄液の供給能力の増加を図
り，迅速でより効率の良い洗浄処理を実現するのもよ
い。

【００４０】なお，一例としてウェハＷを洗浄処理する
洗浄装置１４について主たる説明を行ったが，本発明
は，ＬＣＤ基板，ＣＤ基板，フォトマスク，プリント基
板，セラミック基板の如き他の基板を扱う洗浄装置など
に適応させることも可能である。さらに，他のフッ酸成
分を主体とした洗浄液（ＨＦ／ＮＨ₄Ｆの混合液）や燐
酸成分を主体とした洗浄液（Ｈ₃ＰＯ₄）等の反応性生成
物を発生する他の洗浄液を用いる洗浄装置にも適応させ
ることも可能である。

【００４１】

【発明の効果】請求項１〜４の洗浄装置によれば，基板
の表面側から基板の外側に向かって洗浄液が流れるた
め，洗浄液中の反応性生成物は，基板の外側へ押し流さ
れ基板の表面には付着し難くなる。しかも，このような
流れを形成する液流が，保持溝及び保持溝に保持された
基板の周縁部近傍に洗浄液が好適に流通するので，これ
らに残留している反応性生成物を綺麗に洗い流すことが
できる。従って，パーティクル除去の効率が改善され基
板の表面に筋状のパーティクル模様が残らず，基板の表
面全体に渡り良好な洗浄処理を行うことが可能となる。

【００４２】特に請求項２の発明によれば，基板の表面
に対する液流を上昇流として形成するので，基板を効率
良く洗浄処理できる。さらに請求項３の発明では，基板
の表面側から基板の外側に向かう洗浄液の液流を形成
し，請求項４の発明では，供給手段から吐出された洗浄
液の液流を保持溝及び保持溝に保持された基板の周縁部
近傍に確実に流通させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態にかかる洗浄装置を備えた
洗浄システムの斜視図である。

【図２】搬送装置を拡大して示す斜視図である。

【図３】洗浄槽にかかる洗浄液の循環供給の回路系統を
示す説明図である。

【図４】洗浄槽の構成を概略的に示す断面図である。

【図５】ノズルの斜視図である。

【図６】保持棒によって保持されたウェハにノズルから
洗浄液を供給した状態を示す説明図である。

【図７】洗浄槽の構成の変形例を概略的に示す断面図で
ある。

【図８】従来の洗浄槽の構成を概略的に示す断面図であ
る。

【図９】従来の洗浄槽において保持棒によって保持され
たウェハにノズルから洗浄液を供給した状態を示した部
分の拡大説明図である。

【符号の説明】

１洗浄システム１４洗浄装置４０洗浄槽４１ボート部４２，４３保持棒４５保持溝５０内槽５１外槽６０ノズル６１吐出口Ｗウェハ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板を洗浄液に浸漬して洗浄する洗浄槽
と，前記洗浄槽内で基板の周縁部を保持溝によって保持
する保持手段と，洗浄液を前記洗浄槽内に供給する供給
手段とを備えた洗浄装置において，少なくとも保持溝に
向かって供給された洗浄液が保持溝を流れ出た後に基板
の外側に流れ出るように供給手段の吐出口を指向させた
ことを特徴とする，洗浄装置。
【請求項２】前記供給手段を，前記基板の底部から基
板に向かって洗浄液を供給できるように前記洗浄槽の底
部に配置したことを特徴とする，請求項１に記載の洗浄
装置。
【請求項３】前記保持手段は基板の左右の周縁部を保
持溝によって保持する左右一対の保持部材を備え，前記
供給手段を前記左右一対の保持部材より内側に配置した
ことを特徴とする，請求項２に記載の洗浄装置。
【請求項４】前記基板の形状が円盤形状であって，前
記供給手段の吐出口を，前記基板と一方の前記保持部材
との接点における接線と前記基板と他方の前記保持部材
との接点における接線との両方の内側に配置したことを
特徴とする，請求項３に記載の洗浄装置。