JP3232443B2 - 液処理方法及びその装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、例えば半導体ウ
エハやＬＣＤ用ガラス基板等の被処理体を薬液にて処理
した後、洗浄液にて洗浄する液処理方法及びその装置に
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】一般に、半導体製造装置の製造工程にお
いては、半導体ウエハやＬＣＤ用ガラス基板等（以下に
ウエハ等という）の被処理体を薬液やリンス液（洗浄
液）等の処理液が貯留された処理槽に順次浸漬して洗浄
を行う液処理方法が広く採用されている。

【０００３】このような液処理方法の一例として、処理
槽内に被処理体例えば半導体ウエハ（以下にウエハとい
う）を保持手段例えばウエハボートによって保持した状
態で収容し、薬液供給ノズル等から処理液例えばアンモ
ニア、塩酸あるいはフッ化水素酸等の薬液をウエハに供
給（噴出）すると共に、循環供給すなわち処理槽から外
槽にオーバーフローさせ、外槽から再び処理槽内に循環
して、ウエハに付着するパーティクルや金属イオン等の
汚染物を除去するか酸化膜の除去等を行った後、薬液を
排出し、その後、洗浄液供給ノズル等から洗浄液例えば
純水をウエハに供給（噴出）すると共に処理槽から外槽
にオーバーフローさせてウエハを洗浄する方法が知られ
ている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
この種の液処理方法においては、薬液処理を行って薬液
を排出した後、薬液供給ノズルに薬液が残留することが
ある。この残留薬液はその後乾燥してパーティクルとな
ってウエハに付着する虞れがあるばかりか、薬液処理後
の洗浄処理時の純水の比抵抗値を低下させて洗浄効率の
低下をきたすという問題もある。

【０００５】また、この種の装置においては、薬液供給
ノズルと洗浄液供給ノズルの２種類の供給ノズルとそれ
ぞれの配管やその付属機器等を具備する必要があるた
め、装置の大型化を招くと共に、設備が嵩むという問題
もあった。

【０００６】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、薬液供給ノズルに残留する薬液を除去し、リンス性
能の向上及びスループットの向上を図れるようにするこ
とを第１の目的とし、装置の小型化を図れるようにする
ことを第２の目的とする液処理方法及びその装置を提供
することを目的とするものである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１記載の発明は、被処理体に処理液を接触さ
せて所定の処理を施した後、上記被処理体に洗浄液を接
触させて洗浄処理する液処理方法において、供給手段か
ら上記処理液を供給して上記被処理体に処理液を接触さ
せて処理を施した後、この供給手段に流体を供給して供
給手段に残留する処理液を除去し、その後、上記供給手
段に接続する排出管に介設される開閉手段を閉じた状態
で、洗浄液を上記被処理体に接触させて洗浄処理を行う
ことを特徴とする。

【０００８】請求項２記載の発明は、被処理体に処理液
を接触させて所定の処理を施した後、上記被処理体に洗
浄液を接触させて洗浄処理する液処理方法において、供
給手段から上記処理液を供給して上記被処理体に処理液
を接触させて処理を施した後、この供給手段に流体を供
給して供給手段に残留する処理液を除去し、その後、上
記供給手段に接続する排出管に介設される開閉手段を僅
かに開放した状態で、洗浄液を上記被処理体に接触させ
て洗浄処理を行うことを特徴とする。

【０００９】上記請求項１又は２記載の発明において、
上記洗浄液を被処理体に接触させるのは、処理液除去工
程後あるいは処理液除去工程中のいずれであってもよ
い。また、上記流体として洗浄液等の液体又は処理液
（薬液）除去用気体のいずれかを使用することができる
（請求項３）。上記処理液除去用気体としては、例えば
窒素（Ｎ2）ガス等の不活性ガスや清浄空気等を使用す
ることができる。また、洗浄液を 被処理体に接触させ
るには、被処理体を収容する処理槽の上方又は下方から
洗浄液を供給させてもよく、あるいは供給手段から洗浄
液を供給させてもよいが、好ましくは供給手段から洗浄
液を供給させる方がよい。

【００１０】請求項４記載の発明は、被処理体に処理液
を接触すべく処理液を供給する処理液供給手段と、上記
被処理体に洗浄液を接触すべく洗浄液を供給する洗浄液
供給手段とを具備する液処理装置において、上記処理液
供給手段を供給ノズルにて形成し、上記供給ノズルの底
面を処理液の供給側から先端に向かって下り勾配に傾斜
させると共に、先端側に排液孔を介して排出管を接続し
てなる、ことを特徴とする。

【００１１】請求項５記載の発明は、被処理体に処理液
を接触すべく処理液を供給する処理液供給手段と、上記
被処理体に洗浄液を接触すべく洗浄液を供給する洗浄液
供給手段とを具備する液処理装置において、上記処理液
供給手段を供給ノズルにて形成し、上記供給ノズルに開
閉手段を介して処理液除去用気体の供給源を接続してな
る、ことを特徴とする。

【００１２】上記請求項４又は５記載の発明において、
上記処理液供給手段と洗浄液供給手段とが切換手段を介
して接続される同一の供給ノズルとする方が好ましい
（請求項６）。

【００１３】上記請求項４ないし６のいずれかに記載の
発明において、上記供給ノズルに接続する排出管に開閉
手段を介設する方が好ましい（請求項７）。この場合、
上記開閉手段を、僅かに開放可能な弁にて形成してもよ
い（請求項８）。

【００１４】この発明によれば、供給手段である供給ノ
ズルから処理液例えば薬液を供給して被処理体の薬液処
理を行って処理液（薬液）を排出した後、供給ノズルに
流体を供給することにより、供給ノズルに残留する処理
液（薬液）を除去することができ、洗浄液を被処理体に
接触させて洗浄処理を行うことができる（請求項１，
２）。この場合、流体として洗浄液を使用することによ
り、供給ノズルに残留する処理液（薬液）を除去した
後、引き続いて洗浄処理を行うことができる（請求項
３）。また、流体に処理液除去用気体を使用することに
より、供給ノズルに残留する処理液（薬液）を除去する
ことができる（請求項３，５）。この処理液除去用気体
を供給して供給ノズルに残留する処理液（薬液）を除去
した後、供給ノズルに洗浄液を供給すれば、更に洗浄効
率を高めることができる。

【００１５】また、供給ノズルの底面を処理液の供給側
から先端に向かって下り勾配に傾斜させると共に、先端
側に排液孔を介して排出管を接続することにより、供給
ノズルに残留する処理液（薬液）等の液体を積極的に排
液孔側へ流して排出管より排出することができる（請求
項４）。

【００１６】また、処理液供給手段と洗浄液供給手段と
を切換手段を介して接続する同一の供給ノズルとするこ
とにより、構成部材の削減が図れると共に、配管系を兼
用することができるので、装置の小型化が図れる（請求
項６）。

【００１７】加えて、供給ノズルに接続する排出管に開
閉手段を介設することにより、開閉手段を開閉操作して
処理液の消費量を削減することができる（請求項７）。
この場合、開閉手段を、僅かに開放可能な弁にて形成
し、洗浄処理を行う際に、開閉手段を僅かに開放するこ
とにより、排出管に溜まった液体を洗浄液によって排出
することができる（請求項２，８）。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下に、この発明の実施の形態を
図面に基づいて詳細に説明する。この実施形態では半導
体ウエハの洗浄処理装置に適用した場合について説明す
る。

【００１９】◎第一実施形態 図１はこの発明に係る液処理装置の第一実施形態を示す
概略断面図、図２はその要部を示す側断面図である。

【００２０】上記液処理装置は、被処理体である半導体
ウエハＷ（以下にウエハという）を収容する処理槽１０
と、この処理槽１０の上端開口部に連接し、処理槽１０
からオーバーフローした処理液例えばアンモニア，塩酸
あるいはフッ化水素酸等の薬液や洗浄液例えば純水を受
け止める外槽２０と、処理槽１０内において所定枚数例
えば５０枚のウエハＷを適宜間隔をおいて配列した状態
で保持する保持手段例えばウエハボート３０及び処理槽
１０の底部に配設されてウエハＷに薬液又は純水１を供
給する供給手段例えばジェットノズル４０を具備してな
る。

【００２１】上記処理槽１０及び外槽２０は、耐食性及
び耐薬品性に富む材質例えば石英にて形成されている。
また、処理槽１０の底部には排液口１１が設けられ、こ
の排液口１１にドレン弁１２を介してドレン管１３が接
続されている。なお、処理槽１０の上部側例えば処理槽
１０の上端から２０〜４０ｍｍの位置には純水取出管１
４が接続されており、この純水取出管１４に接続される
比抵抗値検出器１５によって処理槽１０内の純水の比抵
抗値が測定されるように構成されている。

【００２２】また、外槽２０の底部には排液口２１が設
けられており、この排液口２１と上記ジェットノズル４
０とに循環管路４１が接続されている。この循環管路４
１には排液口２１側から順に、ポンプ４２，ダンパ４３
及びフィルタ４４が介設されている。また、排液口２１
とポンプ４２との間には切換弁４５を介してドレン管４
６が接続され、切換弁４５とポンプ４２の間には切換弁
４８が介設されており、切換弁４８には薬液供給管５１
が接続されている。また、フィルタ４４とジェットノズ
ル４０との間には、切換弁４７が介設されており、この
切換弁４７に純水供給管５０が接続されている。そし
て、純水供給管５０に図示しない純水供給源が接続さ
れ、薬液供給管５１には図示しない薬液供給源が接続さ
れている。また、フィルタ４４と切換弁４７の間にはド
レン弁５２を介してドレン管５３が接続されている。

【００２３】一方、ジェットノズル４０は、図２及び図
３に示すように、ウエハボート３０にて保持されたウエ
ハＷの下方両側に配設されるパイプ状のノズル本体４０
ａと、このノズル本体４０ａの長手方向に適宜間隔をお
いて穿設される多数のノズル孔４０ｂとを具備してな
る。また、ノズル本体４０ａの底面４０ｃは、薬液又は
純水等の液の供給側から先端に向かって下り勾配に傾斜
され、先端側底面に設けられた排液孔４０ｄに開閉手段
例えばドレン弁５４を介して排出用のドレン管５５（排
出管）が接続されている。したがって、ジェットノズル
４０内に残留する薬液あるいは純水は先端側に積極的に
流れ、排液孔４０ｄを介してドレン管５５から排出され
るようになっている。

【００２４】上記のように、ジェットノズル４０と外槽
２０の排液口２１との間に循環配管系を設けることによ
り、図示しない薬液供給源から処理槽１０内に供給され
る薬液を処理槽１０からオーバーフローさせ、循環管路
４１を循環させてジェットノズル４０から再度ウエハＷ
に供給させながらウエハＷの表面に付着するパーティク
ルや金属イオンや酸化膜等を除去することができる。ま
た、薬液を排出した後、切換弁４７を切り換えて純水供
給源から供給される純水をジェットノズル４０に供給す
ることにより、ジェットノズル４０に残留する薬液を除
去することができ、ジェットノズル４０から純水をウエ
ハＷに噴射してウエハＷに付着する薬液を除去すること
ができる。なおこの場合、処理槽１０からオーバーフロ
ーした純水はドレン管４６を介して排出される。ここで
は、ジェットノズル４０から純水を供給して薬液を除去
しているが、この薬液除去工程において、純水はジェッ
トノズル４０から供給するのではなく、例えば処理槽１
０の底部側あるいは上方側等のような別の箇所に純水供
給部を設けて、そこから純水を供給するようにしてもよ
い。

【００２５】なお、上記処理槽１０及び外槽２０の上方
には図示しない純水タンクが配設されており、この純水
タンク内の純水が外槽２０を介して処理槽１０内に急速
供給されるようになっている。

【００２６】上記ウエハボート３０は、図３に示すよう
に、処理槽１０の外側に配設される昇降機構３１に連結
される取付部材３２にボルト３２ａをもって固定される
一対の（図面では一方のみを示す）逆Ｔ字状の支持部材
３３と、これら支持部材３３の間の中央下端部に架設さ
れる１本の中央保持棒３４と、支持部材３３間の左右両
側端部に互いに平行に架設される２本の側部保持棒３５
とで構成されており、昇降機構３１の駆動によって処理
室１２内を昇降し得るように構成されている。なおこの
場合、中央保持棒３４及び側部保持棒３５にはそれぞれ
長手方向に適宜間隔をおいて複数個例えば５０個の保持
溝３４ａ，３５ａが設けられている。これら保持棒３
４，３５は、耐食性、耐熱性及び耐強度性に優れた材
質、例えばポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）製
あるいは石英製部材にて形成されている。

【００２７】次に、上記第一実施形態の液処理装置によ
るウエハＷの薬液処理及び洗浄処理の手順について、図
４ないし図７に示す概略断面図及び図８に示すフローチ
ャートを参照して説明する。まず、図示しないウエハチ
ャックによって搬送される複数枚例えば５０枚のウエハ
Ｗをウエハボート３０にて受け取って処理槽１０内に配
置した後、図示しない薬液供給源から処理槽１０内に処
理液例えばアンモニア，塩酸あるいはフッ化水素酸等の
薬液２を供給した後、循環管路４１のポンプ４２の駆動
によってオーバーフローされた薬液２をジェットノズル
４０からウエハＷに向けて噴射してウエハＷの表面に付
着したパーティクルや金属イオンや酸化膜等の除去を行
う（薬液循環処理；図４参照）。

【００２８】薬液処理を所定時間行った後、薬液２の循
環供給を停止すると共に、処理槽１０内の薬液２を排液
口１１に接続するドレン管１３から排出すると共に、循
環管路４１中の薬液をドレン管４６，５３から排出する
（薬液排出；図５参照）。

【００２９】次に、切換弁４７を切り換えて図示しない
純水供給源から供給される純水１をジェットノズル４０
に流すことによって、ジェットノズル４０に残留する薬
液２は排液孔４０ｄに接続するドレン管５５から除去さ
れる。その後、ドレン弁５４を閉じるか、あるいは、ド
レン管５５に溜まる液体を排出するためにドレン弁５４
を僅かに開放して、純水１をジェットノズル４０からウ
エハＷに向けて噴射してウエハＷの洗浄を行う（純水ジ
ェットリンス；図６参照）。この状態を続けて行うこと
により、純水１は処理槽１０から外槽２０にオーバーフ
ローされ、循環管路４１から分岐するドレン管４６を介
して外部へ排出される（純水オーバーフローリンス；図
７参照）。

【００３０】このようにして、純水１をオーバーフロー
させてリンスし、比抵抗値測定器１５によって処理槽１
０内の純水が所定の比抵抗値に達した時点で、ウエハＷ
は図示しないウエハチャックによって把持されて外部に
取り出される。

【００３１】◎第二実施形態 図９はこの発明に係る液処理装置の第二実施形態を示す
概略断面図、図１０はその要部を示す側断面図である。

【００３２】第二実施形態は、上記第一実施形態と同様
に構成される液処理装置の循環管路４１の切換弁４８と
ジェットノズル４０との間に、処理液である薬液の除去
用気体例えばＮ2ガス等の不活性ガスの供給管６０を介
して薬液除去用気体供給源６１（以下にＮ2ガス供給源
という）を接続した場合である。なお、供給管６０には
開閉弁６２及びフィルタ６３が介設されており、フィル
タ６３とＮ2ガス供給源６１との間には逆止弁６４が介
設されている。

【００３３】上記のように構成することにより、Ｎ2ガ
ス供給源６１からジェットノズル４０内にＮ2ガスを供
給することができ、このＮ2ガスによってジェットノズ
ル４０内に残留する薬液を除去することができる。なお
この場合、薬液除去用気体としてＮ2ガスを用いる場合
について説明したが、Ｎ2ガスに代えてその他の不活性
ガスを用いてもよく、あるいは清浄空気等を用いてもよ
い。

【００３４】なお、第二実施形態において、その他の部
分は上記第一実施形態と同じであるので、ここでは同一
部分に同一符号を付して、その説明は省略する。

【００３５】次に、上記第二実施形態の液処理装置によ
るウエハＷの薬液処理及び洗浄処理の手順について、図
１１に示す概略断面図及び図１２に示すフローチャート
を参照して説明する。なお、ウエハＷの薬液循環処理、
薬液排出は上記第一実施形態と同じ手順で行うので、こ
こではジェットノズル４０内に残留した薬液の除去工程
以降の手順について説明する。

【００３６】薬液循環処理を行って薬液を排出した後、
切換弁４７を閉じ、開閉弁６２を開放してＮ2ガス供給
源６１から供給されるＮ2ガスをジェットノズル４０に
流すことによって、ジェットノズル４０に残留する薬液
２は排液孔４０ｄに接続するドレン管５５からを除去さ
れる（残留薬液除去；図１１参照）。

【００３７】次に、ドレン弁５４を閉じるか、あるい
は、ドレン管５５に溜まる液体を排出するためにドレン
弁５４を僅かに開放して、開閉弁６２を閉じ、切換弁４
７を開放して純水供給源から供給される純水１をジェッ
トノズル４０からウエハＷに向けて噴射してウエハＷの
洗浄を行う（純水ジェットリンス；図６参照）。この純
水の供給状態を続けて行うことにより、上記第一実施形
態と同様に、純水１は処理槽１０から外槽２０にオーバ
ーフローされ、循環管路４１から分岐するドレン管４６
を介して外部へ排出される（純水オーバーフローリン
ス；図７参照）。

【００３８】このようにして、純水１をオーバーフロー
させてリンスし、比抵抗値測定器１５によって処理槽１
０内の純水が所定の比抵抗値に達した時点で、ウエハＷ
は図示しないウエハチャックによって把持されて外部に
取り出される。

【００３９】◎その他の実施形態 上記のように構成される液処理装置は単独の薬液・洗浄
処理装置として使用できる他、ウエハの洗浄・乾燥処理
システムに組み込んで使用することができる。上記ウエ
ハの洗浄・乾燥処理システムは、例えば図１３に示すよ
うに、未処理のウエハＷを収容する搬入部７０ａと、ウ
エハＷの洗浄処理及び乾燥処理を行なう洗浄・乾燥処理
部７１と、乾燥処理後のウエハＷを収容する搬出部７０
ｂと、洗浄・乾燥処理部７１の側方に配設されて所定枚
数例えば５０枚のウエハＷの搬送を行なう複数例えば３
基のウエハチャック８０とで主要部が構成されている。

【００４０】上記洗浄・乾燥処理部７１には、搬入部７
０ａから搬出部７０ｂに向かって直線状に順に、第１の
チャック洗浄・乾燥ユニット７２、第１の薬液処理ユニ
ット７３、第１の水洗処理ユニット７４、上記液処理装
置を具備する第２の薬液例えばアンモニア液処理ユニッ
ト７５、第３の薬液例えばフッ化水素酸（ＨＦ水溶液）
処理ユニット７６、第２の水洗処理ユニット７７、第２
のチャック洗浄・乾燥ユニット７８及び乾燥処理ユニッ
ト７９が配設されている。

【００４１】上記のように構成される洗浄・乾燥処理シ
ステムにおいて、未処理のウエハＷは、ウエハチャック
８０によって上記洗浄・乾燥処理部７１の各処理ユニッ
ト７３，７４，７５，７６及び７７に順次搬送されて、
所定の薬液処理及び洗浄処理が施された後、乾燥処理ユ
ニット７９に搬送されて乾燥処理される。

【００４２】なお、上記実施形態では、この発明の液処
理装置を半導体ウエハの洗浄処理装置に適用した場合に
ついて説明したが、半導体ウエハ以外のＬＣＤ用ガラス
基板等の被処理体の乾燥処理にも適用できることは勿論
である。

【００４３】

【発明の効果】以上に説明したように、この発明によれ
ば、上記のように構成されているので、以下のような優
れた効果が得られる。

【００４４】１）供給手段である供給ノズルから処理液
（薬液）を供給して被処理体の薬液処理を行って処理液
を排出した後、供給ノズルに流体例えば洗浄液又は処理
液除去用気体を供給することにより、供給ノズルに残留
する処理液を除去することができ、洗浄液を被処理体に
接触させて洗浄処理を行うことができるので、被処理体
のリンス性能が飛躍的に向上すると共に、スループット
の向上が図れ、かつ被処理体へのパーティクルの付着防
止が図れる。

【００４５】２）供給ノズルの底面を処理液の供給側か
ら先端に向かって下り勾配に傾斜させると共に、先端側
に排液孔を介して排出管を接続することにより、供給ノ
ズルに残留する処理液等の液体を積極的に排液孔側へ流
して排出することができる。

【００４６】３）処理液供給手段と洗浄液供給手段とを
切換手段を介して接続する同一の供給ノズルとすること
により、構成部材の削減が図れると共に、その配管系を
兼用することができるので、装置の小型化を図ることが
できる。

【００４７】４）供給ノズルに接続する排出管に開閉手
段を介設することにより、開閉手段を開閉操作して処理
液の消費量を削減することができる。また、洗浄処理を
行う際に、開閉手段を僅かに開放することにより、排出
管に溜まった液体を洗浄液によって排出することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明に係る洗浄処理装置の第一実施形態を
示す概略断面図である。

【図２】第一実施形態の要部を示す側断面図である。

【図３】この発明における被処理体保持手段を示す斜視
図である。

【図４】第一実施形態の薬液処理工程を説明する概略断
面図である。

【図５】第一実施形態の薬液排出工程を説明する概略断
面図である。

【図６】第一実施形態の純水ジェットリンス工程を説明
する概略断面図である。

【図７】第一実施形態の純水オーバーフローリンス工程
を説明する概略断面図である。

【図８】第一実施形態の処理手順を示すフローチャート
である。

【図９】この発明に係る洗浄処理装置の第二実施形態を
示す概略断面図である。

【図１０】第二実施形態の要部を示す側断面図である。

【図１１】第二実施形態における残留薬液除去工程を説
明する概略断面図である。

【図１２】第二実施形態の処理手順を示すフローチャー
トである。

【図１３】この発明に係る液処理装置を組み込んだ洗浄
・乾燥処理システムの一例を示す概略平面図である。

【符号の説明】

Ｗ 半導体ウエハ（被処理体） １ 純水（洗浄液） ２ 薬液（処理液） １０ 処理槽 ２０ 外槽 ４０ ジェットノズル（供給ノズル；供給手段） ４０ａ ノズル本体 ４０ｂ ノズル孔 ４０ｃ 底面 ４０ｄ 排液孔 ４１ 循環管路 ４７，４８ 切換弁 ５０ 純水供給管 ５１ 薬液供給管 ５４ ドレン弁（開閉手段） ５５ ドレン管（排出管） ６０ 供給管 ６１ Ｎ2ガス供給源（処理液除去用気体の供給源）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平８−148464（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−14811（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−283489（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−45654（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/304 B08B 3/02

Claims (8)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被処理体に処理液を接触させて所定の処
   理を施した後、上記被処理体に洗浄液を接触させて洗浄
   処理する液処理方法において、 供給手段から上記処理液を供給して上記被処理体に処理
   液を接触させて処理を施した後、この供給手段に流体を
   供給して供給手段に残留する処理液を除去し、 その後、上記供給手段に接続する排出管に介設される開
   閉手段を閉じた状態で、洗浄液を上記被処理体に接触さ
   せて洗浄処理を行うことを特徴とする液処理方法。
2. 【請求項２】 被処理体に処理液を接触させて所定の処
   理を施した後、上記被処理体に洗浄液を接触させて洗浄
   処理する液処理方法において、 供給手段から上記処理液を供給して上記被処理体に処理
   液を接触させて処理を施した後、この供給手段に流体を
   供給して供給手段に残留する処理液を除去し、 その後、上記供給手段に接続する排出管に介設される開
   閉手段を僅かに開放した状態で、洗浄液を上記被処理体
   に接触させて洗浄処理を行うことを特徴とする液処理方
   法。
3. 【請求項３】 上記流体が洗浄液又は処理液除去用気体
   であることを特徴とする請求項１又は２記載の液処理方
   法。
4. 【請求項４】 被処理体に処理液を接触すべく処理液を
   供給する処理液供給手段と、上記被処理体に洗浄液を接
   触すべく洗浄液を供給する洗浄液供給手段とを具備する
   液処理装置において、 上記処理液供給手段を供給ノズルにて形成し、 上記供給ノズルの底面を処理液の供給側から先端に向か
   って下り勾配に傾斜させると共に、先端側に排液孔を介
   して排出管を接続してなる、 ことを特徴とする液処理装置。
5. 【請求項５】 被処理体に処理液を接触すべく処理液を
   供給する処理液供給手段と、上記被処理体に洗浄液を接
   触すべく洗浄液を供給する洗浄液供給手段とを具備する
   液処理装置において、 上記処理液供給手段を供給ノズルにて形成し、 上記供給ノズルに開閉手段を介して処理液除去用気体の
   供給源を接続してなる、 ことを特徴とする液処理装置。
6. 【請求項６】 上記処理液供給手段と洗浄液供給手段と
   が切換手段を介して接続される同一の供給ノズルであ
   る、ことを特徴とする請求項４又は５記載の液処理装
   置。
7. 【請求項７】 上記供給ノズルに、開閉手段を介設する
   排出管を接続してなる、ことを特徴とする請求項４ない
   し６のいずれかに記載の液処理装置。
8. 【請求項８】 上記開閉手段を、僅かに開放可能な弁に
   て形成してなる、ことを特徴とする請求項７記載の液処
   理装置。