JP7433135B2 - 貯留装置および貯留方法 - Google Patents
貯留装置および貯留方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7433135B2 JP7433135B2 JP2020090898A JP2020090898A JP7433135B2 JP 7433135 B2 JP7433135 B2 JP 7433135B2 JP 2020090898 A JP2020090898 A JP 2020090898A JP 2020090898 A JP2020090898 A JP 2020090898A JP 7433135 B2 JP7433135 B2 JP 7433135B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- storage tank
- amount
- processing liquid
- concentration
- liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 117
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 252
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 164
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 139
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 82
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 64
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 54
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 51
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 41
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 31
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 claims description 28
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 16
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 14
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 14
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims description 8
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 7
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 7
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 4
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 55
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 49
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 48
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 48
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 47
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 47
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 27
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 17
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 17
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 12
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 3
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 3
- -1 silicon ions Chemical class 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L Magnesium chloride Chemical compound [Mg+2].[Cl-].[Cl-] TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 150000001768 cations Chemical group 0.000 description 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M lithium chloride Chemical compound [Li+].[Cl-] KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N potassium nitrate Chemical compound [K+].[O-][N+]([O-])=O FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018626 Al(OH) Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017119 AlPO Inorganic materials 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L Calcium chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Ca+2] UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007932 ZrCl4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 150000001649 bromium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 239000001110 calcium chloride Substances 0.000 description 1
- 229910001628 calcium chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011148 calcium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 150000003841 chloride salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001629 magnesium chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- LXPCOISGJFXEJE-UHFFFAOYSA-N oxifentorex Chemical compound C=1C=CC=CC=1C[N+](C)([O-])C(C)CC1=CC=CC=C1 LXPCOISGJFXEJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000010333 potassium nitrate Nutrition 0.000 description 1
- JTDPJYXDDYUJBS-UHFFFAOYSA-N quinoline-2-carbohydrazide Chemical compound C1=CC=CC2=NC(C(=O)NN)=CC=C21 JTDPJYXDDYUJBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
- DUNKXUFBGCUVQW-UHFFFAOYSA-J zirconium tetrachloride Chemical compound Cl[Zr](Cl)(Cl)Cl DUNKXUFBGCUVQW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B1/00—Details of electric heating devices
- H05B1/02—Automatic switching arrangements specially adapted to apparatus ; Control of heating devices
- H05B1/0227—Applications
- H05B1/023—Industrial applications
- H05B1/0244—Heating of fluids
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/67086—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B1/00—Details of electric heating devices
- H05B1/02—Automatic switching arrangements specially adapted to apparatus ; Control of heating devices
- H05B1/0227—Applications
- H05B1/023—Industrial applications
- H05B1/0233—Industrial applications for semiconductors manufacturing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Weting (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
開示の実施形態は、貯留装置および貯留方法に関する。
従来、基板処理システムにおいて、リン酸水溶液とシリコン溶液とを含んだエッチング液に基板を浸漬することで、かかる基板を処理することが知られている（特許文献１参照）。
本開示は、リン酸水溶液およびシリコン溶液を含んだ処理液による基板処理を適切に実施することができる技術を提供する。
本開示の一態様による貯留装置は、貯留槽と、加熱機構と、制御部とを備える。貯留槽は、リン酸水溶液と添加剤とが含有された処理液を貯留する。加熱機構は、貯留槽に貯留された処理液を加熱する。制御部は、加熱機構を制御して、貯留槽における処理液の水分蒸発量が貯留槽における処理液の吸湿量に近づくように処理液の温度を調整する濃度維持処理を実行する。
本開示によれば、リン酸水溶液およびシリコン溶液を含んだ処理液による基板処理を適切に実施することができる。
以下に、本開示による貯留装置および貯留方法を実施するための形態（以下、「実施形態」と記載する）について図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、この実施形態により本開示が限定されるものではない。また、各実施形態は、処理内容を矛盾させない範囲で適宜組み合わせることが可能である。また、以下の各実施形態において同一の部位には同一の符号を付し、重複する説明は省略される。
また、以下に示す実施形態では、「一定」、「直交」、「垂直」あるいは「平行」といった表現が用いられる場合があるが、これらの表現は、厳密に「一定」、「直交」、「垂直」あるいは「平行」であることを要しない。すなわち、上記した各表現は、例えば製造精度、設置精度などのずれを許容するものとする。
また、以下参照する各図面では、説明を分かりやすくするために、互いに直交するＸ軸方向、Ｙ軸方向およびＺ軸方向を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする直交座標系を示す場合がある。また、鉛直軸を回転中心とする回転方向をθ方向と呼ぶ場合がある。
従来、基板処理システムにおいて、リン酸水溶液とシリコン溶液とを含んだエッチング液に基板を浸漬することで、かかる基板にエッチング処理を行うことが知られている。
たとえば、リン酸（Ｈ３ＰＯ４）水溶液に基板を浸漬することで、基板上に積層されたシリコン窒化膜（ＳｉＮ）およびシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）のうち、シリコン窒化膜を選択的にエッチングすることができる。
さらに、リン酸水溶液にシリコン溶液（シリコン含有化合物水溶液）を追加することにより、シリコン酸化膜に対するシリコン窒化膜のエッチングの選択比を向上させることができる。
一方で、シリコン窒化膜がエッチングされると、かかるシリコン窒化膜に含まれるシリコンがエッチング液内に溶出することから、リン酸水溶液のシリコン濃度が過剰になる場合がある。リン酸水溶液のシリコン濃度が過剰になると、シリコン酸化膜上にシリコン酸化物（ＳｉＯ２）が析出し、かかる析出したシリコン酸化物によって基板のエッチング処理が阻害される恐れがある。
そこで、リン酸水溶液およびシリコン溶液を含んだエッチング液によるエッチング処理を適切に実施することができる技術が期待されている。
たとえば、上記エッチング処理が行われる処理槽には、リン酸水溶液とシリコン酸化物の析出を抑制する添加剤とが含有された処理液を貯留する貯留装置が接続される。貯留装置は、上記処理液を貯留しつつ、所定のタイミングで、たとえば、エッチング液のシリコン濃度が過剰になったタイミングで、シリコン濃度を下げる目的で、シリコンを含まない上記処理液を処理槽に供給する。
ここで、上記処理液は、吸湿による濃度変動が生じ易い。具体的には、上記処理液は、雰囲気中の水分を吸う（吸湿する）ことで、リン酸濃度が低下し易い。貯留装置においてリン酸濃度が低下すると、かかる貯留装置から処理液が供給される処理槽においてもリン酸濃度の低下が生じ、結果として、エッチング処理が適切に実施されなくなるおそれがある。
そこで、貯留装置において、処理液の濃度管理を適切に行うことができる技術が期待されている。
＜基板処理システムの構成＞
まず、実施形態に係る基板処理システム１の構成について図１を参照して説明する。図１は、実施形態に係る基板処理システム１の構成を示す概略ブロック図である。基板処理システム１は、基板処理装置の一例である。
まず、実施形態に係る基板処理システム１の構成について図１を参照して説明する。図１は、実施形態に係る基板処理システム１の構成を示す概略ブロック図である。基板処理システム１は、基板処理装置の一例である。
基板処理システム１は、混合装置１０（貯留装置の一例）と、シリコン溶液供給部２５と、基板処理部３０とを備える。
混合装置１０は、リン酸水溶液と、シリコン酸化物の析出を抑制する析出抑制剤（添加剤の一例）とを混合して、混合液Ｍ（処理液の一例）を生成する。また、混合装置１０は、生成した混合液Ｍを基板処理部３０の処理槽３１に供給する。
シリコン溶液供給部２５は、基板処理部３０の処理槽３１にシリコン含有化合物水溶液（以下、「シリコン溶液」と記載する）を供給する。
基板処理部３０は、混合液Ｍとシリコン溶液とを含有するエッチング液Ｅを処理槽３１に貯留する。また、基板処理部３０は、処理槽３１に貯留されたエッチング液ＥにウエハＷを浸漬することによってウエハＷ（基板の一例）をエッチング処理する。実施形態では、たとえば、ウエハＷ上に形成されたシリコン窒化膜（ＳｉＮ）およびシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）のうち、シリコン窒化膜を選択的にエッチングすることができる。
（混合装置について）
混合装置１０は、リン酸水溶液供給部１１と、析出抑制剤供給部１２（添加剤供給部の一例）と、タンク１４（貯留槽の一例）と、循環路１５とを備える。
混合装置１０は、リン酸水溶液供給部１１と、析出抑制剤供給部１２（添加剤供給部の一例）と、タンク１４（貯留槽の一例）と、循環路１５とを備える。
リン酸水溶液供給部１１は、リン酸水溶液をタンク１４に供給する。リン酸水溶液供給部１１は、リン酸水溶液供給源１１ａと、リン酸水溶液供給路１１ｂと、流量調整器１１ｃとを有する。
リン酸水溶液供給源１１ａは、たとえば、リン酸水溶液を貯留するタンクである。リン酸水溶液供給路１１ｂは、リン酸水溶液供給源１１ａとタンク１４とを接続し、リン酸水溶液供給源１１ａからタンク１４にリン酸水溶液を供給する。流量調整器１１ｃは、リン酸水溶液供給路１１ｂに設けられ、タンク１４に供給されるリン酸水溶液の流量を調整する。流量調整器１１ｃは、開閉弁や、流量制御弁や、流量計などから構成される。
析出抑制剤供給部１２は、析出抑制剤をタンク１４に供給する。かかる析出抑制剤供給部１２は、析出抑制剤供給源１２ａと、析出抑制剤供給路１２ｂと、流量調整器１２ｃとを有する。
析出抑制剤供給源１２ａは、たとえば、析出抑制剤を貯留するタンクである。析出抑制剤供給路１２ｂは、析出抑制剤供給源１２ａとタンク１４とを接続し、析出抑制剤供給源１２ａからタンク１４に析出抑制剤を供給する。流量調整器１２ｃは、析出抑制剤供給路１２ｂに設けられ、タンク１４に供給される析出抑制剤の流量を調整する。流量調整器１２ｃは、開閉弁や、流量制御弁や、流量計などから構成される。
なお、析出抑制剤は、シリコン酸化物の析出を抑止する成分を含むものであればよい。たとえば、リン酸水溶液に溶解したシリコンイオンを溶解した状態で安定化させてシリコン酸化物の析出を抑制するような成分を含んでもよい。また、その他の公知の方法でシリコン酸化物の析出を抑制するような成分を含んでもよい。
実施形態に係る析出抑制剤には、たとえば、フッ素成分を含むヘキサフルオロケイ酸（Ｈ２ＳｉＦ６）水溶液を用いることができる。また、水溶液中のヘキサフルオロケイ酸を安定化させるため、アンモニアなどの添加物を含んでもよい。
実施形態に係る析出抑制剤としては、たとえば、ヘキサフルオロケイ酸アンモニウム（ＮＨ４）２ＳｉＦ６や、ヘキサフルオロケイ酸ナトリウム（Ｎａ２ＳｉＦ６）などを用いることができる。
また、実施形態に係る析出抑制剤は、イオン半径が０．２Åから０．９Åの陽イオンである元素を含む化合物であってもよい。ここで、「イオン半径」とは、結晶格子の格子定数から得られる陰イオンと陽イオンの半径の和から経験に求められたイオンの半径である。
実施形態に係る析出抑制剤は、たとえば、アルミニウム、カリウム、リチウム、ナトリウム、マグネシウム、カルシウム、ジルコニウム、タングステン、チタン、モリブデン、ハフニウム、ニッケルおよびクロムのいずれかの元素の酸化物を含んでもよい。
また、実施形態に係る析出抑制剤は、上述のいずれかの元素の酸化物に代えてまたは加えて、上述のいずれかの元素の窒化物、塩化物、臭化物、水酸化物および硝酸塩のうち少なくとも１つを含んでもよい。
実施形態に係る析出抑制剤は、たとえば、Ａｌ（ＯＨ）３、ＡｌＣｌ３、ＡｌＢｒ３、Ａｌ（ＮＯ３）３、Ａｌ２（ＳＯ４）３、ＡｌＰＯ４およびＡｌ２Ｏ３のうち少なくとも１つを含んでもよい。
また、実施形態に係る析出抑制剤は、ＫＣｌ、ＫＢｒ、ＫＯＨおよびＫＮＯ３のうち少なくとも１つを含んでもよい。さらに、実施形態に係る析出抑制剤は、ＬｉＣｌ、ＮａＣｌ、ＭｇＣｌ２、ＣａＣｌ２およびＺｒＣｌ４のうち少なくとも１つを含んでもよい。
タンク１４は、リン酸水溶液供給部１１から供給されるリン酸水溶液と、析出抑制剤供給部１２から供給される析出抑制剤とを貯留する。また、タンク１４は、リン酸水溶液と析出抑制剤とが混ぜられて生成される混合液Ｍを貯留する。
タンク１４には、上部が開放されており、上から順に第１液面センサＳ１および第２液面センサＳ２が設けられる。これら第１液面センサＳ１および第２液面センサＳ２により、タンク１４に貯留されるリン酸水溶液や混合液Ｍの液面の高さが制御される。さらに、実施形態では、かかる第１液面センサＳ１および第２液面センサＳ２を用いることにより、リン酸水溶液や析出抑制剤の液量を秤量することができる。
循環路１５は、タンク１４から出て、かかるタンク１４に戻る循環ラインである。循環路１５は、タンク１４の底部に設けられる入口１５ａと、タンク１４の上部に設けられる出口１５ｂとを有し、かかる入口１５ａから出口１５ｂに向かって流れる循環流を形成する。なお、実施形態では、タンク１４に貯留される混合液Ｍの液面の上方に出口１５ｂが配置される。
循環路１５には、タンク１４を基準（最上流）として、上流側から順にポンプ１６と、開閉弁１８と、フィルタ１９と、ヒータ１７（加熱機構の一例）と、分岐部１５ｃと、背圧弁５１とが設けられる。また、分岐部１５ｃからは、基板処理部３０の処理槽３１に混合液Ｍを送る送液路２２が分岐している。
送液路２２は、分岐部１５ｃから処理槽３１の内槽３１ａおよび外槽３１ｂに接続される。送液路２２は、流量調整器２３を有する。流量調整器２３は、処理槽３１に供給される混合液Ｍの流量を調整する。流量調整器２３は、開閉弁や、流量制御弁や、流量計などから構成される。
送液路２２における分岐部２２ｂよりも上流側には、温度計５２が設けられる。かかる温度計５２は、送液路２２を流れる混合液Ｍの温度を測定する。なお、分岐部２２ｂとは、送液路２２において、内槽３１ａに接続される送液路２２ｃと外槽３１ｂに接続される送液路２２ｄとが分岐する部位である。すなわち、送液路２２ｃおよび送液路２２ｄは、送液路２２の一部である。
送液路２２ｃにはバルブ５３が設けられ、送液路２２ｄには、上流側から順にバルブ５４と、流量計５５と、定圧弁５６と、絞り弁５７と、分岐部２２ｅと、バルブ５８とが設けられる。また、分岐部２２ｅからは、タンク１４に混合液Ｍを戻す帰還路２４が分岐している。かかる帰還路２４は、バルブ５９を有する。
後述する制御部は、バルブ５３とバルブ５４とを互い違いに開閉する。これにより、制御部は、混合液Ｍを内槽３１ａまたは外槽３１ｂに切り替えて送液することができる。
流量計５５は、送液路２２ｄを流れる混合液Ｍの流量を測定する。制御部は、温度計５２から得られた混合液Ｍの温度情報に基づいて、流量計５５から得られた混合液Ｍの流量情報を補正してもよい。これにより、混合液Ｍの温度が室温から高温までの範囲で大きく変化した場合でも、流量計５５を流れる混合液Ｍの流量を精度よく測定することができる。
定圧弁５６は、送液路２２ｄにおける定圧弁５６よりも下流側の圧力を調整する。絞り弁５７は、送液路２２ｄを流れる混合液Ｍの流量を調整する。
制御部は、バルブ５８とバルブ５９とを互い違いに開閉する。これにより、制御部は、混合液Ｍを外槽３１ｂまたはタンク１４に切り替えて送液することができる。
ポンプ１６は、タンク１４から出て、循環路１５を通り、タンク１４に戻る混合液Ｍの循環流を形成する。
ヒータ１７は、循環路１５内を循環する混合液Ｍを加熱する。実施形態では、かかるヒータ１７で混合液Ｍを加熱することによって、タンク１４に貯留される混合液Ｍを加熱する。
フィルタ１９は、循環路１５内を循環する混合液Ｍに含まれるパーティクルなどの汚染物質を除去する。なお、循環路１５には、かかるフィルタ１９をバイパスするバイパス流路２０が設けられ、かかるバイパス流路２０には開閉弁２１が設けられる。
そして、循環路１５に設けられる開閉弁１８とバイパス流路２０に設けられる開閉弁２１とを互い違いに開閉することにより、フィルタ１９を流れる循環流と、フィルタ１９をバイパスする循環流とのいずれかを形成することができる。
背圧弁５１は、循環路１５における分岐部１５ｃよりも下流側に背圧弁５１が設けられる。背圧弁５１は、循環路１５における背圧弁５１よりも上流側（たとえば、分岐部１５ｃ）の圧力を調整する。
（シリコン溶液供給部について）
シリコン溶液供給部２５は、シリコン溶液を処理槽３１に供給する。実施形態に係るシリコン溶液は、たとえば、コロイダルシリコンを分散させた溶液である。シリコン溶液供給部２５は、シリコン溶液供給源２５ａと、シリコン溶液供給路２５ｂと、流量調整器２５ｃとを有する。
シリコン溶液供給部２５は、シリコン溶液を処理槽３１に供給する。実施形態に係るシリコン溶液は、たとえば、コロイダルシリコンを分散させた溶液である。シリコン溶液供給部２５は、シリコン溶液供給源２５ａと、シリコン溶液供給路２５ｂと、流量調整器２５ｃとを有する。
シリコン溶液供給源２５ａは、たとえば、シリコン溶液を貯留するタンクである。シリコン溶液供給路２５ｂは、処理槽３１の内槽３１ａに接続される。流量調整器２５ｃは、シリコン溶液供給路２５ｂに設けられ、シリコン溶液供給路２５ｂを流れるシリコン溶液の流量を調整する。流量調整器２５ｃは、開閉弁や、流量制御弁や、流量計などから構成される。
（基板処理部について）
基板処理部３０は、処理槽３１と、循環路３２と、ＤＩＷ供給部３３と、エッチング液排出部３４とを備える。処理槽３１は、内槽３１ａと外槽３１ｂとを有する。
基板処理部３０は、処理槽３１と、循環路３２と、ＤＩＷ供給部３３と、エッチング液排出部３４とを備える。処理槽３１は、内槽３１ａと外槽３１ｂとを有する。
内槽３１ａは、上部が開放され、エッチング液Ｅが上部付近まで供給される。かかる内槽３１ａでは、基板昇降機構３５で複数のウエハＷがエッチング液Ｅに浸漬され、ウエハＷにエッチング処理が行われる。かかる基板昇降機構３５は、昇降可能に構成され、複数のウエハＷを垂直姿勢で前後に並べて保持する。
外槽３１ｂは、内槽３１ａの上部周囲に設けられるとともに、上部が開放される。外槽３１ｂには、内槽３１ａからオーバーフローしたエッチング液Ｅが流入する。
内槽３１ａおよび外槽３１ｂには、混合装置１０から混合液Ｍが送液路２２を介して供給される。また、内槽３１ａには、シリコン溶液供給部２５からシリコン溶液がシリコン溶液供給路２５ｂを介して供給される。さらに、外槽３１ｂには、ＤＩＷ供給部３３からＤＩＷ（DeIonized Water：脱イオン水）が供給される。
ＤＩＷ供給部３３は、ＤＩＷ供給源３３ａと、ＤＩＷ供給路３３ｂと、流量調整器３３ｃとを有する。ＤＩＷ供給部３３は、加熱されたエッチング液Ｅから蒸発した水分を補給するため、外槽３１ｂにＤＩＷを供給する。
ＤＩＷ供給路３３ｂは、ＤＩＷ供給源３３ａと外槽３１ｂとを接続し、ＤＩＷ供給源３３ａから外槽３１ｂに所定温度のＤＩＷを供給する。
流量調整器３３ｃは、ＤＩＷ供給路３３ｂに設けられ、外槽３１ｂへ供給されるＤＩＷの供給量を調整する。流量調整器３３ｃは、開閉弁や流量制御弁、流量計などで構成される。流量調整器３３ｃによってＤＩＷの供給量が調整されることで、エッチング液Ｅの温度、リン酸濃度、シリコン濃度および析出抑制剤濃度が調整される。
また、外槽３１ｂには、温度センサ３６とリン酸濃度センサ３７とが設けられる。温度センサ３６は、エッチング液Ｅの温度を検出し、リン酸濃度センサ３７は、エッチング液Ｅのリン酸濃度を検出する。温度センサ３６およびリン酸濃度センサ３７で生成された信号は、上述の制御部に送信される。
外槽３１ｂと内槽３１ａとは、循環路３２によって接続される。循環路３２の一端は外槽３１ｂの底部に接続され、循環路３２の他端は内槽３１ａ内に設置される処理液供給ノズル３８に接続される。
循環路３２には、外槽３１ｂ側から順に、ポンプ３９と、フィルタ４１と、ヒータ４０と、シリコン濃度センサ４２とが設けられる。
ポンプ３９は、外槽３１ｂから循環路３２を経て内槽３１ａに送られるエッチング液Ｅの循環流を形成する。また、エッチング液Ｅは、内槽３１ａからオーバーフローすることで、再び外槽３１ｂへと流出する。このようにして、基板処理部３０内にエッチング液Ｅの循環流が形成される。すなわち、かかる循環流は、外槽３１ｂ、循環路３２および内槽３１ａにおいて形成される。
ヒータ４０は、循環路３２を循環するエッチング液Ｅの温度を調整する。フィルタ４１は、循環路３２を循環するエッチング液Ｅを濾過する。シリコン濃度センサ４２は、循環路３２を循環するエッチング液Ｅのシリコン濃度を検出する。シリコン濃度センサ４２で生成された信号は、制御部に送信される。
エッチング液排出部３４は、エッチング処理で使用されたエッチング液Ｅの全部、または一部を入れ替える際に、シリコン溶液が含まれるエッチング液ＥをドレインＤＲに排出する。エッチング液排出部３４は、排出路３４ａと、流量調整器３４ｂと、冷却タンク３４ｃとを有する。
排出路３４ａは、循環路３２に接続される。流量調整器３４ｂは、排出路３４ａに設けられ、排出されるエッチング液Ｅの排出量を調整する。流量調整器３４ｂは、開閉弁や流量制御弁、流量計などから構成される。
冷却タンク３４ｃは、排出路３４ａを流れてきたエッチング液Ｅを一時的に貯留するとともに冷却する。冷却タンク３４ｃでは、流量調整器３４ｂによってエッチング液Ｅの排出量が調整される。
（制御部について）
ここでは図示を省略するが、基板処理システム１は、制御部をさらに備える。制御部は、制御部は、スイッチや各種センサなどからの信号に基づいて、基板処理システム１の各部の動作を制御する。
ここでは図示を省略するが、基板処理システム１は、制御部をさらに備える。制御部は、制御部は、スイッチや各種センサなどからの信号に基づいて、基板処理システム１の各部の動作を制御する。
この制御部は、たとえばコンピュータであり、コンピュータで読み取り可能な記憶媒体（図示せず）を有する。かかる記憶媒体には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。
制御部は、記憶媒体に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。なお、プログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記憶されていたものであって、他の記憶媒体から制御部の記憶媒体にインストールされたものであってもよい。
コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
次に、実施形態に係る基板処理システム１における混合液Ｍのシリコン濃度の調整方法について、図２を参照しながら説明する。図２は、実施形態に係る濃度調整処理の手順を示すフローチャートである。
図２に示す濃度調整処理は、基板処理部３０においてエッチング処理が行われているとき、すなわち、基板処理部３０の処理槽３１にウエハＷが浸漬されているときに行われる。具体的には、濃度調整処理は、シリコン濃度が過剰になったエッチング液Ｅの一部を処理槽３１から排出し、混合装置１０から処理槽３１に混合液Ｍを供給することにより、処理槽３１におけるエッチング液Ｅのシリコン濃度を低下させる。
図２に示すように、基板処理システム１では、まず、混合処理が行われる（ステップＳ１０１）。混合処理は、タンク１４にリン酸水溶液と析出抑制剤とを供給して混合液Ｍを生成する処理である。
まず、制御部は、リン酸水溶液供給部１１を動作させて（ＯＮ状態にして）、リン酸水溶液供給源１１ａからタンク１４にリン酸水溶液を供給する。
この時点において、析出抑制剤供給部１２と、シリコン溶液供給部２５と、ポンプ１６と、ヒータ１７とは動作していない（ＯＦＦ状態である）。また、この時点では、開閉弁１８が閉状態であるとともに開閉弁２１が開状態である。このため、フィルタ１９は、バイパス流路２０でバイパスされている状態（フィルタバイパスがＯＮ状態）であり、背圧弁５１は全開状態である。また、この時点において、流量調整器２３は閉状態（ＯＦＦ状態）であり、タンク１４には何も貯留されていない。このため、第１液面センサＳ１および第２液面センサＳ２からはＯＦＦ信号が出力される。
タンク１４に所定量のリン酸水溶液が供給されると、制御部は、ポンプ１６を動作させて（ＯＮ状態にして）、循環路１５に循環流を形成する。
タンク１４内のリン酸水溶液の液面が上昇して第２高さ以上になると、第２液面センサＳ２からＯＮ信号が出力される。すると、制御部は、析出抑制剤供給部１２を動作させて（ＯＮ状態にして）、析出抑制剤供給源１２ａからタンク１４に析出抑制剤を供給する。また、制御部は、リン酸水溶液供給部１１を停止する（ＯＦＦ状態にする）。
つづいて、タンク１４に所定量の析出抑制剤が供給されると、制御部は、析出抑制剤供給部１２を停止する（ＯＦＦ状態にする）とともに、リン酸水溶液供給部１１を動作させて（ＯＮ状態にして）、タンク１４にリン酸水溶液を供給する。
タンク１４内の混合液Ｍの液面が上昇して第１高さ以上になると、第１液面センサＳ１からＯＮ信号が出力される。すると、制御部は、タンク１４に所定量のリン酸水溶液が供給されたとみなし、リン酸水溶液供給部１１を停止する（ＯＦＦ状態にする）。これにより、混合処理が完了する。
このように、制御部は、析出抑制剤をタンク１４に供給する前に、ポンプ１６を動作させる。これにより、析出抑制剤が供給される前に循環路１５に循環流を形成することができることから、リン酸水溶液と析出抑制剤との混合性を向上させることができる。
また、制御部は、リン酸水溶液と析出抑制剤とを同時にタンク１４に供給せず、それぞれ個別にタンク１４に供給する。これにより、析出抑制剤が所定の量供給される前に、第１液面センサＳ１からＯＮ信号が出力されることを抑制することができる。したがって、析出抑制剤をタンク１４に確実に所定の量供給することができる。
つづいて、基板処理システム１では、濃縮処理が行われる（ステップＳ１０２）。濃縮処理は、ステップＳ１０１において生成した混合液Ｍを濃縮することによって混合液Ｍのリン酸濃度を高める処理である。
まず、制御部は、ヒータ１７を動作させて（ＯＮ状態にして）、循環路１５内を循環する混合液Ｍを加熱する。循環路１５内を循環する混合液Ｍが加熱されることにより、タンク１４に貯留される混合液Ｍの温度が上昇する。
混合液Ｍを加熱することにより混合液Ｍ中の水分が蒸発する。これにより、混合液Ｍのリン酸濃度を高めることができる。濃縮処理における混合液Ｍの加熱温度は、混合液Ｍの水分蒸発量が混合Ｍの吸湿量を上回る温度として予め決められた温度である。
なお、混合装置１０は、第１液面センサＳ１よりも低く第２液面センサＳ２よりも高い位置に第３液面センサを備えていてもよい。この場合、制御部は、第３液面センサからＯＦＦ信号が出力された場合に濃縮処理を終了してもよい。この場合、タンク１４内における混合液Ｍの液面高さは、第１高さよりも低く第２高さよりも高い第３高さとなる。
また、混合装置１０は、混合液Ｍのリン酸濃度を計測するリン酸濃度計を備えていてもよい。リン酸濃度計は、タンク１４に設けられてもよいし、循環路１５に設けられてもよい。この場合、制御部は、リン酸濃度計により計測されたリン酸濃度が予め決められた値に到達した場合に濃縮処理を終了してもよい。このとき、制御部は、第１液面センサＳ１からＯＦＦ信号が出力された場合に、第１液面センサＳ１からＯＮ信号が出力されるまで、リン酸水溶液供給部１１からタンク１４にリン酸水溶液を補充してもよい。これにより、タンク１４内における混合液Ｍの液面高さを第１高さに維持することができる。
つづいて、基板処理システム１では、濃度維持処理が行われる（ステップＳ１０３）。濃度維持処理は、後述する送液処理が開始されるまでの待機時間において、タンク１４内の混合液Ｍのリン酸濃度を濃縮処理時の濃度に維持するための処理である。
濃度維持処理において、制御部は、ヒータ１７を制御して、タンク１４における混合液Ｍの水分蒸発量がタンク１４における混合液Ｍの吸湿量に近づくように混合液Ｍの温度を調整する。
混合液Ｍが常温である場合、混合液Ｍの吸湿量は混合液Ｍの水分蒸発量を上回る。このため、混合液Ｍの水分割合が増加し、これに伴い、混合液Ｍのリン酸濃度が低下する。一方、濃縮処理においては、上述したように、混合液Ｍの水分蒸発量が、混合液Ｍの吸湿量を上回る。そこで、濃度維持処理において、制御部は、常温よりも高く、且つ、濃縮処理時よりも低い温度で、タンク１４内の混合液Ｍを加熱する。たとえば、制御部は、タンク１４内の混合液Ｍを１００℃未満の温度に加熱する。
このように、混合液Ｍの水分蒸発量が混合液Ｍの吸湿量に近づくように混合液Ｍの温度を調整することで、タンク１４内の混合液Ｍの濃度変化を抑制することができる。これにより、後段の送液処理において、濃縮処理によって所望の濃度に濃縮された混合液Ｍを上記所望の濃度を保ったままタンク１４から処理槽３１に供給することができる。したがって、基板処理システム１によれば、リン酸水溶液およびシリコン溶液を含んだエッチング液Ｅによるエッチング処理を適切に実施することができる。
濃度維持処理において、制御部は、混合液Ｍの水分蒸発量と吸湿量とが同等となる混合液Ｍの温度として実験等により事前に取得された温度で混合液Ｍを加熱してもよい。
また、制御部は、濃縮処理後におけるタンク１４内の混合液Ｍの量が維持されるようにヒータ１７を制御して混合液Ｍを加熱することによって、混合液Ｍの水分蒸発量を混合液Ｍの吸湿量に近づけることとしてもよい。
たとえば、実施形態において、濃縮処理後におけるタンク１４内の混合液Ｍの液面高さは、第１液面センサＳ１に対応する第１高さ、または、図示しない第３液面センサに対応する第３高さの何れかである。制御部は、第１液面センサＳ１または図示しない第３液面センサからの信号（ＯＮ信号およびＯＦＦ信号）に基づいてヒータ１７を制御することにより、濃縮処理後におけるタンク１４内の混合液Ｍの液面高さを維持することができる。
この場合、混合装置１０は、タンク１４に対して水（たとえば、ＤＩＷ）を供給する水供給部を備えていてもよい。制御部は、タンク１４内の混合液Ｍの液面が低下して第１液面センサＳ１または第３液面センサからＯＦＦ信号が出力された場合、第１液面センサＳ１または第３液面センサからＯＦＦ信号が出力されるまで、水供給部からタンク１４に水を供給する。これにより、濃縮処理後におけるタンク１４内の混合液Ｍの量を維持することができ、ひいては、濃縮処理後におけるタンク１４内の混合液Ｍのリン酸濃度を維持することができる。
このように、濃縮処理後におけるタンク１４内の混合液Ｍの量が維持されるようにヒータ１７を制御して混合液Ｍを加熱することで、混合液Ｍのリン酸濃度の維持を容易化することができる。
つづいて、基板処理システム１では、排出処理（ステップＳ１０４）と送液処理（ステップＳ１０５）とがたとえば並行して行われる。
排出処理において、制御部は、流量調整器３４ｂ（図１参照）の開閉弁を開くことにより、処理槽３１に貯留されたエッチング液Ｅの一部を排出する。
そして、送液処理において、制御部は、混合装置１０、送液路２２および帰還路２４を制御して、たとえば排出処理において処理槽３１から排出されたエッチング液Ｅと同様の量の混合液を処理槽３１に送液する。
具体的には、制御部は、流量調整器２３を開状態にする（ＯＮ状態にする）とともに、背圧弁５１を絞り状態にする。また、制御部は、バルブ５３を閉状態に変更するとともに、バルブ５４を開状態に変更する。
これにより、制御部は、循環路１５、送液路２２および送液路２２ｄを介して、混合装置１０から基板処理部３０の外槽３１ｂに混合液Ｍを送液する。内槽３１ａではなく外槽３１ｂに混合液Ｍを供給することで、ウエハＷが処理されている内槽３１ａに直接混合液Ｍを供給する場合に比べて、内槽３１ａのエッチング液Ｅのシリコン濃度が急激に変化することを抑制することができる。
これにより、処理槽３１内のエッチング液Ｅのシリコン濃度を常に一定または一定以下に保つことができる。ステップＳ１０４およびステップＳ１０５の処理が終わると、濃度調整処理が完了する。
ここでは、濃縮処理（ステップＳ１０２）後、送液処理（ステップＳ１０４）が開始されるまでの全期間において、濃度維持処理（ステップＳ１０３）を行うこととしたが、濃度維持処理は、上記期間のうち少なくとも一部において実施されてもよい。
（混合装置の構成）
次に、実施形態に係る混合装置１０の構成について図３を参照して説明する。図３は、実施形態に係る混合装置１０の構成を示す図である。
次に、実施形態に係る混合装置１０の構成について図３を参照して説明する。図３は、実施形態に係る混合装置１０の構成を示す図である。
図３に示すように、混合装置１０は、収容部２６と、給気部２７と、排気部２８とをさらに備える。収容部２６は、混合装置１０が備える各種構成のうち少なくともタンク１４を収容する。収容部２６の天井部には、ＦＦＵ（Fan Filter Unit）２６ａが設けられている。
給気部２７は、収容部２６の内部に気体を供給する。具体的には、給気部２７は、気体供給源２７ａと、給気路２７ｂと、流量調整部２７ｃとを備える。気体供給源２７ａは、たとえば、Ｎ２ガスやドライエア等の乾燥気体を貯留するタンクである。給気路２７ｂは、気体供給源２７ａとＦＦＵ２６ａとを接続する。乾燥気体は、気体供給源２７ａからＦＦＵ２６ａを介して収容部２６の内部に供給される。流量調整部２７ｃは、たとえばダンパであり、給気路２７ｂを流れる乾燥気体の流量を調整する。
このように、混合装置１０は、収容部２６の内部に乾燥気体を供給してもよい。これにより、混合液Ｍの吸湿量を抑えることができる。言い換えれば、混合液Ｍの濃度変動を抑えることができる。
排気部２８は、収容部２６の内部から気体を排出する。具体的には、排気部２８は、排気路２８ａと、排気冷却部２８ｂとを備える。排気路２８ａは、収容部２６の内部と、混合装置１０が設置される工場が備える排気管Ｐとを接続する。流量調整部２８ｂは、たとえばダンパであり、排気路２８ａを流れる気体の流量を調整する。
排気冷却部２８ｃは、排気路２８ａに設けられ、排気路２８ａを流れる気体を冷却する。たとえば、排気冷却部２８ｃは、水冷式であり、排気路２８ａの周囲にコイル状に配置されたチューブに冷却水を流すことにより、排気路２８ａを流れる気体を冷却することができる。
タンク１４内の混合液Ｍは、濃縮処理や濃度維持処理において加熱されるため、収容部２６から排出される気体も温度が高くなっている場合がある。高温の気体を工場の排気管Ｐにそのまま排出してしまうと、排気管Ｐにおいて結露が生じるおそれがある。これに対し、混合装置１０では、収容部２６から排出される気体を排気冷却部２８ｃを用いて冷却することで、工場の排気管Ｐにおいて結露が生じることを抑制することができる。なお、排気冷却部２８ｃにおいて生じた結露水は、排気冷却部２８ｃに設けられた排液路から図示しない工場の排液管等に排出される。
次に、混合装置１０における給排気量の調整処理について図４を参照して説明する。図４は、実施形態に係る混合装置１０における給排気量調整処理の手順を示すフローチャートである。図４に示す給排気量調整処理は、たとえば、図２に示す混合処理（ステップＳ１０１）と同時に、または、混合処理よりも前に開始される。
図４に示すように、制御部は、混合処理および濃縮処理の実行中、収容部２６への給気量が第１の給気量となるように給気部２７を制御するとともに、収容部２６からの排気量が第１の排気量となるように排気部２８を制御する（ステップＳ２０１）。
つづいて、制御部は、濃度維持処理中であるか否かを判定する（ステップＳ２０２）。濃度維持処理中でない場合（ステップＳ２０２，Ｎｏ）、制御部は、処理をステップＳ２０１に戻し、第１の給気量および第１の排気量を維持する。
一方、濃度維持処理中であると判定した場合（ステップＳ２０２，Ｙｅｓ）、制御部は、第２の給気量となるように給気部２７を制御するとともに、第２の排気量となるように排気部２８を制御して（ステップＳ２０１）、給排気量調整処理を終える。第２の給気量は、第１の給気量よりも少なく、第２の排気量は、第１の排気量よりも少ない。
このように、制御部は、濃度維持処理の実行中における給排気量、言い換えれば、換気量を濃縮処理等の実行中における換気量より少なくしてもよい。これにより、タンク１４内の混合液Ｍと気体との接触を減らすことができることから、混合液Ｍの吸湿をさらに抑制することができる。
＜変形例＞
上述した実施形態では、混合装置１０の構成例として、タンク１４に対してリン酸水溶液と析出抑制剤とを個別に供給する場合の例を示したが、混合装置１０は、リン酸水溶液と析出抑制剤とが予め含有された混合液Ｍをタンク１４に供給してもよい。
上述した実施形態では、混合装置１０の構成例として、タンク１４に対してリン酸水溶液と析出抑制剤とを個別に供給する場合の例を示したが、混合装置１０は、リン酸水溶液と析出抑制剤とが予め含有された混合液Ｍをタンク１４に供給してもよい。
上述した実施形態では、添加剤の一例として、シリコン酸化物の析出を抑制する析出抑制剤を挙げたが、添加剤は、たとえばシリコン化合物添加剤などであってもよく、必ずしも析出抑制剤であることを要しない。
上述した実施形態では、基板処理システム１が、１つの混合装置１０と１つの基板処理部３０とを備える場合の例、すなわち、１つの混合装置１０から１つの基板処理部３０に対して混合液Ｍが供給される場合の例について説明した。これに限らず、１つの混合装置１０から複数の基板処理部３０に対して混合液Ｍが供給されてもよい。すなわち、基板処理システム１は、１つ以上の混合装置１０と、混合装置１０よりも多くの基板処理部３０とを備える構成であってもよい。
制御部は、たとえば、シリコン濃度センサ４２によって計測されるシリコン濃度に基づき、次回の送液処理の開始タイミングを予測し、予測された開始タイミングにおいて濃縮処理が終了するように、濃度調整処理の開始タイミングを決定してもよい。これにより、濃縮処理が終了してから送液処理が開始されるまでの待機時間を可及的に短くすることができることから、かかる待機時間における混合液Ｍのリン酸濃度の低下を抑制することができる。
上述してきたように、実施形態に係る貯留装置（一例として、混合装置１０）は、貯留槽（一例として、タンク１４）と、加熱機構（一例として、ヒータ１７）と、制御部とを備える。貯留槽は、リン酸水溶液と添加剤（一例として、析出抑制剤）とが含有された処理液（一例として、混合液Ｍ）を貯留する。加熱機構は、貯留槽に貯留された処理液を加熱する。制御部は、加熱機構を制御して、貯留槽における処理液の水分蒸発量が貯留槽における処理液の吸湿量に近づくように処理液の温度を調整する濃度維持処理を実行する。処理液の水分蒸発量が混合液Ｍの吸湿量に近づくように処理液の温度を調整することで、貯留槽内の処理液の濃度変化を抑制することができる。これにより、基板処理を適切に実施することができる。
実施形態に係る貯留装置は、貯留槽に処理液を供給する処理液供給部（一例として、リン酸水溶液供給部１１および析出抑制剤供給部１２）を備えていてもよい。また、制御部は、処理液供給部を制御して、処理液を貯留槽に貯留させる貯留処理（一例として、混合処理）と、加熱機構を制御して、貯留槽に貯留された処理液を加熱によって濃縮する濃縮処理とを濃度維持処理の前に実行してもよい。この場合、制御部は、濃度維持処理において、濃縮処理後における貯留槽内の処理液の量が維持されるように加熱機構を制御して処理液を加熱することによって、貯留槽における処理液の水分蒸発量を貯留槽における処理液の吸湿量に近づけてもよい。これにより、処理液におけるリン酸濃度の維持を容易化することができる。
実施形態に係る貯留装置は、貯留槽に貯留された処理液の液面を検知する液面検知部（一例として、第１液面センサＳ１または第３液面センサ）を備えていてもよい。この場合、制御部は、濃度維持処理において、液面検知部からの信号に基づいて加熱機構を制御してもよい。これにより、処理液におけるリン酸濃度の維持を容易化することができる。
制御部は、濃縮処理後、貯留槽に貯留された処理液を基板に対する処理が行われる処理槽（一例として、処理槽３１）に送液する送液処理が開始されるまでの少なくとも一部の期間において濃度維持処理を実行してもよい。これにより、所望の濃度の処理液を維持しつつ貯留槽から処理槽に供給することができる。
実施形態に係る貯留装置は、貯留槽が収容される空間（一例として、収容部２６）に対して気体を供給する給気部（一例として、給気部２７）と、空間から気体を排出する排気部（一例として、排気部２８）とを備えていてもよい。この場合、制御部は、濃縮処理の実行中、給気部を第１の給気量にて動作させるとともに排気部を第１の排気量にて動作させ、濃度維持処理の実行中、給気部を第１の給気量よりも少ない第２の給気量で動作させるとともに、排気部を第１の排気量よりも少ない第２の排気量にて動作させてもよい。濃度維持処理時において給気量および排気量を少なくすることで、処理液の吸湿量を抑えることができる。すなわち、処理液の濃度変動を抑えることができる。
給気部は、空間に対して乾燥気体（一例として、Ｎ２ガスまたはドライエア）を供給してもよい。乾燥気体を供給することで、処理液の吸湿を抑えることができる。
排気部は、空間から排出された気体を冷却する排気冷却部（一例として、排気冷却部２８ｃ）を備えていてもよい。排気冷却機構を備えることで、たとえば、排気部に接続される工場設備において結露が発生することを抑制することができる。
処理液供給部は、貯留槽にリン酸水溶液を供給するリン酸水溶液供給部（一例として、リン酸水溶液供給部１１）と、貯留槽に添加剤を供給する添加剤供給部（一例として、析出抑制剤供給部１２）とを備えていてもよい。
実施形態に係る貯留装置は、貯留槽に貯留された処理液を貯留槽から排出させて貯留槽に戻す循環路（一例として、循環路１５）を備えていてもよい。この場合、加熱機構は、循環路に設けられてもよい。
以上、本開示の実施形態について説明したが、本開示は上記の実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて種々の変更が可能である。
今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
１ 基板処理システム
１０ 混合装置
１１ リン酸水溶液供給部
１２ 析出抑制剤供給部
１４ タンク
１５ 循環路
１５ｃ 分岐部
１６ ポンプ
１７ ヒータ
２２ 送液路
２４ 帰還路
３０ 基板処理部
３１ 処理槽
５１ 背圧弁
５２ 温度計
５５ 流量計
Ｗ ウエハ
Ｍ 混合液
Ｅ エッチング液
１０ 混合装置
１１ リン酸水溶液供給部
１２ 析出抑制剤供給部
１４ タンク
１５ 循環路
１５ｃ 分岐部
１６ ポンプ
１７ ヒータ
２２ 送液路
２４ 帰還路
３０ 基板処理部
３１ 処理槽
５１ 背圧弁
５２ 温度計
５５ 流量計
Ｗ ウエハ
Ｍ 混合液
Ｅ エッチング液
Claims (13)
- リン酸水溶液と添加剤とが含有された処理液を貯留する貯留槽と、
前記貯留槽に貯留された前記処理液を加熱する加熱機構と、
前記加熱機構を制御して、前記貯留槽における前記処理液の水分蒸発量が前記貯留槽における前記処理液の吸湿量に近づくように前記処理液の温度を調整する濃度維持処理を実行する制御部と
を備える、貯留装置。 - 前記貯留槽に前記処理液を供給する処理液供給部
を備え、
前記制御部は、前記処理液供給部を制御して、前記処理液を前記貯留槽に貯留させる貯留処理と、前記加熱機構を制御して、前記貯留槽に貯留された前記処理液を加熱によって濃縮する濃縮処理とを前記濃度維持処理の前に実行し、
前記濃度維持処理において、前記濃縮処理後における前記貯留槽内の前記処理液の量が維持されるように前記加熱機構を制御して前記処理液を加熱することによって、前記貯留槽における前記処理液の水分蒸発量を前記貯留槽における前記処理液の吸湿量に近づける、請求項１に記載の貯留装置。 - 前記貯留槽に貯留された前記処理液の液面を検知する液面検知部
を備え、
前記制御部は、前記濃度維持処理において、前記液面検知部からの信号に基づいて前記加熱機構を制御する、請求項２に記載の貯留装置。 - 前記制御部は、前記濃縮処理後、前記貯留槽に貯留された前記処理液を基板に対する処理が行われる処理槽に送液する送液処理が開始されるまでの少なくとも一部の期間において前記濃度維持処理を実行する、請求項２または３に記載の貯留装置。
- 前記貯留槽が収容される空間に対して気体を供給する給気部と、
前記空間から気体を排出する排気部と
を備え、
前記制御部は、前記濃縮処理の実行中、前記給気部を第１の給気量にて動作させるとともに前記排気部を第１の排気量にて動作させ、前記濃度維持処理の実行中、前記給気部を前記第１の給気量よりも少ない第２の給気量で動作させるとともに、前記排気部を前記第１の排気量よりも少ない第２の排気量にて動作させる、請求項２～４のいずれか一つに記載の貯留装置。 - 前記給気部は、前記空間に対して乾燥気体を供給する、請求項５に記載の貯留装置。
- 前記排気部は、前記空間から排出された気体を冷却する排気冷却部を備える、請求項５または６に記載の貯留装置。
- 前記処理液供給部は、
前記貯留槽に前記リン酸水溶液を供給するリン酸水溶液供給部と、
前記貯留槽に前記添加剤を供給する添加剤供給部と
を備える、請求項２～７のいずれか一つに記載の貯留装置。 - 前記貯留槽に貯留された前記処理液を前記貯留槽から排出させて前記貯留槽に戻す循環路を備え、
前記加熱機構は、前記循環路に設けられる、請求項１～８のいずれか一つに記載の貯留装置。 - リン酸水溶液と添加剤とが含有された処理液を貯留槽に貯留する貯留工程と、
前記貯留槽に貯留された前記処理液を加熱する加熱機構を用いて、前記貯留槽における前記処理液の水分蒸発量が前記貯留槽における前記処理液の吸湿量に近づくように前記処理液の温度を調整する濃度維持工程と
を含む、貯留方法。 - リン酸水溶液と添加剤とを貯留槽に供給して混合し、生成された処理液を前記貯留槽において貯留する貯留工程と、
前記貯留槽に貯留された前記処理液を加熱する加熱機構を用いて、前記貯留槽における前記処理液の水分蒸発量が前記貯留槽における前記処理液の吸湿量に近づくように前記処理液の温度を調整する濃度維持工程と
を含む、貯留方法。 - 前記加熱機構を用いて、前記貯留槽に貯留された前記処理液を加熱によって濃縮する濃縮工程
をさらに含み、
前記濃度維持工程は、前記濃縮工程後における前記処理液の量が維持されるように前記加熱機構を用いて前記貯留槽に貯留された前記処理液を加熱することによって、前記貯留槽における前記処理液の水分蒸発量を前記貯留槽における前記処理液の吸湿量に近づける、請求項１０または１１に記載の貯留方法。 - 前記貯留槽が設置される空間に対して気体を供給する給気部と、前記空間から気体を排出する排気部を用いて前記空間の給排気を行う給排気工程
をさらに含み、
前記給排気工程は、前記濃縮工程において、前記給気部を第１の給気量にて動作させるとともに前記排気部を第１の排気量にて動作させ、前記濃度維持工程において、前記給気部を前記第１の給気量よりも少ない第２の給気量で動作させるとともに、前記排気部を前記第１の排気量よりも少ない第２の排気量にて動作させる、請求項１２に記載の貯留方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020090898A JP7433135B2 (ja) | 2020-05-25 | 2020-05-25 | 貯留装置および貯留方法 |
| TW110116894A TW202207302A (zh) | 2020-05-25 | 2021-05-11 | 貯存裝置及貯存方法 |
| US17/321,514 US20210368586A1 (en) | 2020-05-25 | 2021-05-17 | Storage device and storage method |
| KR1020210064964A KR20210145679A (ko) | 2020-05-25 | 2021-05-20 | 저류 장치 및 저류 방법 |
| CN202110556923.5A CN113725119A (zh) | 2020-05-25 | 2021-05-21 | 贮存装置和贮存方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020090898A JP7433135B2 (ja) | 2020-05-25 | 2020-05-25 | 貯留装置および貯留方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2021190446A JP2021190446A (ja) | 2021-12-13 |
| JP7433135B2 true JP7433135B2 (ja) | 2024-02-19 |
Family
ID=78607583
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2020090898A Active JP7433135B2 (ja) | 2020-05-25 | 2020-05-25 | 貯留装置および貯留方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20210368586A1 (ja) |
| JP (1) | JP7433135B2 (ja) |
| KR (1) | KR20210145679A (ja) |
| CN (1) | CN113725119A (ja) |
| TW (1) | TW202207302A (ja) |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003109934A (ja) | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| JP2005252146A (ja) | 2004-03-08 | 2005-09-15 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| JP2007053282A (ja) | 2005-08-19 | 2007-03-01 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| JP2007258405A (ja) | 2006-03-23 | 2007-10-04 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
| US20160035597A1 (en) | 2014-07-29 | 2016-02-04 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| JP2016032029A (ja) | 2014-07-29 | 2016-03-07 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
| US20190148183A1 (en) | 2017-10-20 | 2019-05-16 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium |
| US20200006094A1 (en) | 2018-06-29 | 2020-01-02 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4859375A (en) * | 1986-12-29 | 1989-08-22 | Air Products And Chemicals, Inc. | Chemical refill system |
| US5158100A (en) * | 1989-05-06 | 1992-10-27 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Wafer cleaning method and apparatus therefor |
| JP2872637B2 (ja) * | 1995-07-10 | 1999-03-17 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | マイクロ波プラズマベースアプリケータ |
| US20040194806A1 (en) * | 2003-04-02 | 2004-10-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | IPA concentration interlock detector for substrate dryer |
| JP2012074601A (ja) * | 2010-09-29 | 2012-04-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP6149421B2 (ja) * | 2013-02-20 | 2017-06-21 | 栗田工業株式会社 | 溶液の供給方法及び供給装置 |
| JP6446003B2 (ja) | 2015-08-27 | 2018-12-26 | 東芝メモリ株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法およびエッチング液 |
| WO2017135064A1 (ja) * | 2016-02-03 | 2017-08-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
| US10573540B2 (en) * | 2016-03-30 | 2020-02-25 | Shibaura Mechatronics Corporation | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| JP6698446B2 (ja) * | 2016-07-05 | 2020-05-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置、基板液処理方法および記憶媒体 |
| JP6776208B2 (ja) * | 2017-09-28 | 2020-10-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
-
2020
- 2020-05-25 JP JP2020090898A patent/JP7433135B2/ja active Active
-
2021
- 2021-05-11 TW TW110116894A patent/TW202207302A/zh unknown
- 2021-05-17 US US17/321,514 patent/US20210368586A1/en active Pending
- 2021-05-20 KR KR1020210064964A patent/KR20210145679A/ko unknown
- 2021-05-21 CN CN202110556923.5A patent/CN113725119A/zh active Pending
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003109934A (ja) | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| JP2005252146A (ja) | 2004-03-08 | 2005-09-15 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| JP2007053282A (ja) | 2005-08-19 | 2007-03-01 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| JP2007258405A (ja) | 2006-03-23 | 2007-10-04 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
| US20160035597A1 (en) | 2014-07-29 | 2016-02-04 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| JP2016032029A (ja) | 2014-07-29 | 2016-03-07 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
| US20190148183A1 (en) | 2017-10-20 | 2019-05-16 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium |
| JP2019079859A (ja) | 2017-10-20 | 2019-05-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体 |
| US20200006094A1 (en) | 2018-06-29 | 2020-01-02 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| JP2020004898A (ja) | 2018-06-29 | 2020-01-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、および基板処理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20210145679A (ko) | 2021-12-02 |
| CN113725119A (zh) | 2021-11-30 |
| TW202207302A (zh) | 2022-02-16 |
| US20210368586A1 (en) | 2021-11-25 |
| JP2021190446A (ja) | 2021-12-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH09275091A (ja) | 半導体窒化膜エッチング装置 | |
| JP7105937B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| CN109585334B (zh) | 基板处理装置和基板处理方法 | |
| JP7433135B2 (ja) | 貯留装置および貯留方法 | |
| JP7398969B2 (ja) | 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体 | |
| CN113725121A (zh) | 基板处理装置以及基板处理方法 | |
| US11724235B2 (en) | Mixing apparatus, mixing method and substrate processing system | |
| JP6735718B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法およびプログラム | |
| JP7546477B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| US20220285166A1 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
| JP7413113B2 (ja) | 処理液温調方法、基板処理方法、処理液温調装置、及び、基板処理システム | |
| JP7361734B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| CN111640661B (zh) | 基板处理方法、基板处理装置以及存储介质 | |
| JP6433730B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 | |
| JP2021190693A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| JP7357772B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| JP2022184615A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| JP2023018703A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| JP2020170872A (ja) | 基板処理装置、基板処理方法およびプログラム |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230330 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20231221 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240109 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240206 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7433135 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |