JP2016032029A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 143
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 129
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 392
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 234
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims abstract description 196
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 137
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 137
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 137
- 239000011856 silicon-based particle Substances 0.000 claims abstract description 54
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims abstract description 53
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 45
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 45
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 41
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims abstract description 27
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 18
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 13
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 claims description 5
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 claims description 5
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 5
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 claims description 5
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 5
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 3
- 239000012466 permeate Substances 0.000 claims description 3
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 claims description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 abstract description 116
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract description 80
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 40
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 36
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 22
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 85
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 12
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 12
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 9
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 8
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 8
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 6
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 3
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Weting (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
図1は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の構成を示す模式図である。図1に示すように、基板処理装置100は、主として処理部1、第1のタンク5、第2のタンク6、第3のタンク7、新液供給装置8および制御部9を含む。また、処理部1は、スピンチャック2、処理液ノズル3、加熱装置4およびカップCUを含む。処理部1では、複数の基板Wが一枚ずつ順番に処理される。
図2は、図1の新液供給装置8の構成を示す模式図である。図2に示すように、新液供給装置8は生成用タンク80を備える。本例においては、生成用タンク80は、円筒状の側壁を有する。生成用タンク80は、これに限定されず、角柱状の側壁を有してもよい。
処理部1により複数の基板Wが処理される際の基板処理装置100の一連の動作を説明する。図4は、図1の第1、第2および第3のタンク5,6,7にそれぞれ関連する動作内容を示すタイムチャートである。図5〜図9は、図4の時刻t11〜時刻t17における基板処理装置100の動作を示す模式図である。以下の説明では、図2の新液供給装置8内の動作の説明は省略する。
図10は、第1の変形例に係る新液供給装置の構成を示す模式図である。図10の新液供給装置8は、以下の点を除いて、図2の新液供給装置8と同様の構成を有する。
本実施の形態においては、リン酸水溶液が生成用タンク80に貯留される。フィルタ82の孔径以下の孔径を有する多孔質性材料により形成された濾過部材87内にシリコン粒子を含むシリコン含有液が収容される。濾過部材87の少なくとも一部が生成用タンク80に貯留されたリン酸水溶液中に浸漬される。この場合、シリコン含有液が濾過部材87を透過してリン酸水溶液に混合されることによりシリコンおよびリン酸を含む処理液が生成される。生成された処理液中の不純物がフィルタ82により除去される。基板W上のシリコン酸化物およびシリコン窒化物のうちシリコン窒化物を選択的に除去するために、フィルタ82により不純物が除去された処理液が処理部1により基板Wに供給される。
(a)上記実施の形態において、基板処理装置100は枚葉式の基板処理装置であるが、これに限定されない。基板処理装置100はバッチ式の基板処理装置であってもよい。
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各構成要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
2 スピンチャック
2a スピンモータ
2b スピンベース
2c チャックピン
3 処理液ノズル
4 加熱装置
5 第1のタンク
5a〜7a 循環槽
5b〜7b 貯留槽
6 第2のタンク
7 第3のタンク
8 新液供給装置
9 制御部
10 第1の供給配管
11,14,23,33,83 ヒータ
12,17,21,26,31,36,41,42,51,52,81,86 バルブ
13,22,32,82 フィルタ
15,24,34,84 ポンプ
16,25,35,85 循環配管
20 第2の供給配管
20a,40a,50a 主管
20b,20c,40b,40c,50b,50c 枝管
40 第3の供給配管
50 回収配管
80 生成用タンク
87 濾過部材
88 駆動部
89 モータ
91 DIW供給系
92 窒素ガス供給系
93 リン酸水溶液供給系
94 シリコン含有液供給系
94a 供給口
100 基板処理装置
CU カップ
s1 リン酸濃度計
s2 シリコン濃度計
s3 液面センサ
s4 温度センサ
W 基板
Claims (15)
- シリコンおよびリン酸を含む処理液を生成する処理液生成部と、
前記処理液生成部により生成された前記処理液中の不純物を除去するように配置されるフィルタと、
基板上のシリコン酸化物およびシリコン窒化物のうちシリコン窒化物を選択的に除去するために、前記フィルタにより不純物が除去された前記処理液を基板に供給する処理ユニットとを備え、
前記処理液生成部は、
リン酸を含む第1の溶液を貯留する生成用タンクと、
前記フィルタの孔径以下の孔径を有する多孔質性材料により形成され、シリコン粒子を含む第2の溶液を収容する濾過部材とを含み、
前記濾過部材の少なくとも一部は、前記生成用タンクに貯留された第1の溶液中に浸漬可能に配置され、第2の溶液が前記濾過部材を透過して第1の溶液に混合されることにより前記処理液が生成される、基板処理装置。 - 前記処理液生成部は、前記生成用タンクと前記フィルタとの間で処理液を循環させる循環系をさらに含む、請求項1記載の基板処理装置。
- 前記処理液生成部は、
前記生成用タンクに貯留された第1の溶液を加熱する加熱部と、
前記加熱部により加熱された第1の溶液の温度を測定する温度測定部とをさらに含み、
前記基板処理装置は、前記温度測定部により測定された第1の溶液の温度に基づいて、前記濾過部材内に収容された第2の溶液が前記生成用タンクに貯留された第1の溶液と混合されるように前記濾過部材を制御する制御部をさらに備える、請求項1または2記載の基板処理装置。 - 前記生成タンク内の第1の溶液の液面より上方の第1の位置と、前記濾過部材の少なくとも一部が前記生成タンクに貯留された第1の溶液に浸漬される第2の位置との間で前記濾過部材を移動させる駆動部をさらに備え、
前記制御部は、前記濾過部材内に収容された第2の溶液と前記生成用タンクに貯留された第1の溶液とを混合する際に、前記濾過部材を前記第1の位置から前記第2の位置へ移動させるように前記駆動部を制御する、請求項3記載の基板処理装置。 - 前記濾過部材に収容されるシリコン粒子の量は、前記生成用タンク内の前記処理液のシリコン濃度を飽和させるために必要なシリコン粒子の量よりも多い、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 第2の溶液は、シリコン粒子の凝集を防止する凝集防止剤をさらに含む、請求項1〜5のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記濾過部材の孔径は10nm以下である、請求項1〜6のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記濾過部材は、ポリテトラフルオロエチレンにより形成される、請求項1〜7のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記生成用タンクは、円筒状の側壁を有する、請求項1〜8のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記処理液生成部は、前記生成用タンク内で生成される前記処理液を撹拌する撹拌機構をさらに含む、請求項1〜9のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- シリコンおよびリン酸を含む処理液を生成するステップと、
生成された前記処理液中の不純物を前記フィルタにより除去するステップと、
基板上のシリコン酸化物およびシリコン窒化物のうちシリコン窒化物を選択的に除去するために、前記フィルタにより不純物が除去された前記処理液を基板に供給するステップとを含み、
前記処理液を生成するステップは、
リン酸を含む第1の溶液を生成用タンクに貯留するステップと、
フィルタの孔径以下の孔径を有する多孔質性材料により形成された濾過部材内にシリコン粒子を含む第2の溶液を収容するステップと、
前記濾過部材の少なくとも一部を前記生成用タンクに貯留された第1の溶液中に浸漬させるステップと、
前記濾過部材を透過した第2の溶液を第1の溶液に混合することにより処理液を生成するステップとを含む、基板処理方法。 - 前記除去するステップは、前記生成用タンクと前記フィルタとの間で前記処理液を循環させることを含む、請求項11記載の基板処理方法。
- 前記処理液を生成するステップは、
前記生成用タンクに貯留された第1の溶液を加熱することと、
加熱された第1の溶液の温度を測定することと、
測定された第1の溶液の温度に基づいて、前記濾過部材内に収容された第2の溶液を前記生成用タンクに貯留された第1の溶液と混合することとを含む、請求項11または12記載の基板処理方法。 - 前記生成タンク内の第1の溶液の液面より上方に前記濾過部材を配置するステップをさらに含み、
前記混合することは、前記濾過部材の少なくとも一部が前記生成タンクに貯留された第1の溶液に浸漬されるように前記濾過部材を移動させることを含む、請求項13記載の基板処理方法。 - 前記生成用タンク内で生成される前記処理液を撹拌するステップをさらに含む、請求項11〜14のいずれか一項に記載の基板処理方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014153910A JP6320868B2 (ja) | 2014-07-29 | 2014-07-29 | 基板処理装置および基板処理方法 |
KR1020150104899A KR101671118B1 (ko) | 2014-07-29 | 2015-07-24 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
TW104124262A TWI602254B (zh) | 2014-07-29 | 2015-07-27 | 基板處理裝置及基板處理方法 |
US14/812,022 US10211063B2 (en) | 2014-07-29 | 2015-07-29 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014153910A JP6320868B2 (ja) | 2014-07-29 | 2014-07-29 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016032029A true JP2016032029A (ja) | 2016-03-07 |
JP6320868B2 JP6320868B2 (ja) | 2018-05-09 |
Family
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014153910A Active JP6320868B2 (ja) | 2014-07-29 | 2014-07-29 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP6320868B2 (ja) |
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JP2021044593A (ja) * | 2020-12-22 | 2021-03-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 混合装置、混合方法および基板処理システム |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP6320868B2 (ja) | 2018-05-09 |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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