JP6320869B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の構成を示す模式図である。図1に示すように、基板処理装置100は、主として処理部1、第1のタンク5、第2のタンク6、第3のタンク7、新液供給装置8、制御部9および分散状態判定部89を含む。また、処理部1は、スピンチャック2、処理液ノズル3、加熱装置4およびカップCUを含む。処理部1では、複数の基板Wが一枚ずつ順番に処理される。
図2の新液供給装置8において新たな処理液が生成される場合には、その生成前に、生成されるべき処理液の量、および目標とするシリコン濃度(以下、目標シリコン濃度と呼ぶ。)が定められている。それにより、生成用タンク80に供給されるべきリン酸水溶液の量およびシリコン含有液の量が算出され、算出された量のリン酸水溶液およびシリコン含有液が生成用タンク80内に供給される。
目標シリコン濃度を有するリン酸水溶液の具体的な生成例を説明する。図3は、新液供給装置8において目標シリコン濃度を有するリン酸水溶液が生成される場合の動作を示すタイムチャートである。
処理部1により複数の基板Wが処理される際の基板処理装置100の一連の動作を説明する。図4は、図1の第1、第2および第3のタンク5,6,7にそれぞれ関連する動作内容を示すタイムチャートである。図5〜図9は、図4の時刻t11〜時刻t17における基板処理装置100の動作を示す模式図である。以下の説明では、図2の新液供給装置8内の動作の説明は省略する。
本実施の形態に係る新液供給装置8においては、生成用タンク80にリン酸水溶液が貯留されかつリン酸水溶液がフィルタ82に送られることなくバイパス管86aを流れる状態で、リン酸水溶液中のシリコン濃度を目標シリコン濃度とするためのシリコン含有液が生成用タンク80に供給される。
(6−1)上記の実施の形態では、目標シリコン濃度を有するリン酸水溶液が新液供給装置8により生成され、生成されたリン酸水溶液が第2のタンク6または第3のタンク7に供給される。第2のタンク6または第3のタンク7においてリン酸水溶液のシリコン濃度が基準シリコン濃度に調整される。調整されたリン酸水溶液が第1のタンク5に供給される。
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各構成要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
2 スピンチャック
2a スピンモータ
2b スピンベース
2c チャックピン
3 処理液ノズル
4 加熱装置
5 第1のタンク
5a,6a,7a 循環槽
5b,6b,7b 貯留槽
6 第2のタンク
7 第3のタンク
8 新液供給装置
9 制御部
10 第1の供給配管
11,14,23,33,84 ヒータ
12,17,21,26,31,36,41,42,43,51,52,53,81,83,86b,87b,183,186b,283,286b バルブ
13,22,32,82 フィルタ
15,24,34,85 ポンプ
16,25,35,87a 循環配管
20 第2の供給配管
20a,40a,50a 主管
20b,20c,40b,40c,40d,50b,50c 枝管
40 第3の供給配管
40x 連結管
50 回収配管
80 生成用タンク
86a,186a,286a バイパス管
89 分散状態判定部
89a シリコン濃度計
89b 判定部
91 DIW供給系
92 窒素ガス供給系
93 リン酸水溶液供給系
94 シリコン含有液供給系
100 基板処理装置
b1,c1 上流枝管部
b2,c2 下流枝管部
CU カップ
RA 許容範囲
S1 リン酸濃度計
S2 シリコン濃度計
S3 液面センサ
S4 温度センサ
TC 目標シリコン濃度
TI 時間
TT しきい値温度
W 基板
Claims (9)
- シリコンおよびリン酸を含む処理液を生成する処理液生成部と、
前記処理液生成部により生成された処理液中の不純物を除去するように配置されるフィルタと、
基板上のシリコン酸化物およびシリコン窒化物のうちシリコン窒化物を選択的に除去するために、前記フィルタにより不純物が除去された処理液を基板に供給する処理ユニットとを備え、
前記処理液生成部は、
リン酸を含む第1の溶液を貯留する生成用タンクと、
前記生成用タンクにシリコン粒子を含む第2の溶液を供給して第1の溶液と混合することにより前記処理液を生成する溶液供給系と、
前記フィルタをバイパスするように前記処理液を流すバイパス経路と、
前記生成用タンク内の処理液を前記バイパス経路を通して循環させる第1の状態と前記生成用タンク内の処理液を前記フィルタを通して循環させる第2の状態とに切り替え可能な循環系と、
前記循環系により循環される処理液中のシリコン粒子が予め定められた程度まで分散されたか否かを判定する分散状態判定部と、
前記溶液供給系による前記生成用タンクへの第2の溶液の供給後に前記循環系を前記第1の状態に切り替え、前記分散状態判定部によりシリコン粒子が前記予め定められた程度まで分散されたと判定された場合に前記循環系を前記第2の状態に切り替える切り替え部とを含む、基板処理装置。 - 前記処理液生成部は、
前記生成用タンクに貯留された第1の溶液を加熱する加熱部と、
前記加熱部により加熱された第1の溶液の温度を測定する温度測定部とをさらに含み、
前記切り替え部は、前記溶液供給系による前記生成用タンクへの第2の溶液の供給前に、前記温度測定部により測定された第1の溶液の温度に基づいて、前記溶液供給系により第2の溶液が前記生成用タンクへ供給されるまでの一定時間前記循環系を前記第2の状態に切り替える、請求項1記載の基板処理装置。 - 第2の溶液は、シリコン粒子の凝集を防止する凝集防止剤をさらに含む、請求項1または2記載の基板処理装置。
- 前記分散状態判定部は、
前記生成用タンク内の処理液の一部を抽出するとともに抽出された処理液のシリコン濃度を測定するシリコン濃度計と、
前記シリコン濃度計により測定されたシリコン濃度が予め定められた基準時間の間、予め定められた基準範囲内に維持された場合に、シリコン粒子が前記予め定められた程度まで分散されたと判定する判定部とを含む、請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記生成用タンクは、円筒状の側壁を有する、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記処理ユニットは、
基板を保持する保持部と、
前記保持部により保持される基板に前記フィルタにより不純物が除去された処理液を供給する処理液ノズルとを含む、請求項1〜5のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - シリコンおよびリン酸を含む処理液を生成するステップと、
生成された処理液中の不純物をフィルタにより除去するステップと、
基板上のシリコン酸化物およびシリコン窒化物のうちシリコン窒化物を選択的に除去するために、前記フィルタにより不純物が除去された処理液を基板に供給するステップとを含み、
前記処理液を生成するステップは、
リン酸を含む第1の溶液を生成用タンクに貯留するステップと、
前記生成用タンクにシリコン粒子を含む第2の溶液を供給して第1の溶液と混合することにより前記処理液を生成するステップと、
前記フィルタをバイパスするように前記処理液を流すバイパス経路を含む循環系を、前記生成用タンク内の処理液を前記バイパス経路を通して循環させる第1の状態と前記生成用タンク内の処理液を前記フィルタを通して循環させる第2の状態とに切り替えるステップとを含み、
前記切り替えるステップは、
前記生成用タンクへの第2の溶液の供給後に、前記循環系を前記第1の状態に切り替えるステップと、
前記循環系により循環される処理液中のシリコン粒子が予め定められた程度まで分散されたか否かを判定するステップと、
前記シリコン粒子が予め定められた程度まで分散されたと判定された場合に前記循環系を前記第2の状態に切り替えるステップとを含む、基板処理方法。 - 前記処理液を生成するステップは、
前記生成用タンクに貯留された第1の溶液を加熱するステップと、
加熱された第1の溶液の温度を測定するステップとをさらに含み、
前記切り替えるステップは、前記生成用タンクへの第2の溶液の供給前に、前記測定するステップにより測定された第1の溶液の温度に基づいて、第2の溶液が前記生成用タンクへ供給されるまでの一定時間前記循環系を前記第2の状態に切り替えるステップをさらに含む、請求項7記載の基板処理方法。 - 前記除去するステップは、前記生成用タンクと前記フィルタとの間で前記処理液を循環させることを含む、請求項7または8記載の基板処理方法。
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