CN111696891B - 基片处理装置、混合方法和基片处理方法 - Google Patents

基片处理装置、混合方法和基片处理方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种基片处理装置、混合方法和基片处理方法。本发明的一方式的基片处理装置包括处理槽、混合装置、送液路径和硅溶液供给部。处理槽用于浸渍基片来对其进行处理。混合装置将磷酸水溶液和抑制硅氧化物的析出的添加剂混合来生成混合液。送液路径从混合装置向处理槽输送混合液。硅溶液供给部与送液路径和处理槽中的至少一者连接，向从混合装置供给的混合液供给含硅化合物水溶液。由此，能够适当地实施用含有磷酸水溶液和硅溶液的蚀刻液所进行的蚀刻处理。

Description

基片处理装置、混合方法和基片处理方法
技术领域
本发明的实施方式涉及基片处理装置、混合方法和基片处理方法。
背景技术
现有技术中，已知在基片处理系统中通过将基片浸渍于含有磷酸水溶液和硅溶液的蚀刻液中，来对该基片进行蚀刻处理(参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2017-118092号公报。
发明内容
发明所要解决的问题
本发明提供一种能够适当地实施用含有磷酸水溶液和硅溶液的蚀刻液所进行的蚀刻处理的技术。
用于解决问题的技术手段
本发明的一方式的基片处理装置包括处理槽、混合装置、送液路径和硅溶液供给部。处理槽用于浸渍基片来对该基片进行处理。混合装置将磷酸水溶液与用于抑制硅氧化物的析出的添加剂混合来生成混合液。送液路径从所述混合装置向所述处理槽输送所述混合液。硅溶液供给部与所述送液路径和所述处理槽中的至少一者连接，向从所述混合装置供给的所述混合液供给含硅化合物水溶液。
发明效果
根据本发明，能够适当地实施用含有磷酸水溶液和硅溶液的蚀刻液所进行的蚀刻处理。
附图说明
图1是表示实施方式的基片处理系统的结构的概略框图。
图2是表示实施方式的初次向处理槽输送混合液时的各种处理中的基片处理系统的各部的动作模式的具体例的时序图。
图3是表示实施方式的调节处理槽的蚀刻液的硅浓度时的各种处理中的基片处理系统的各部的动作模式的具体例的时序图。
图4是表示实施方式的变形例1的基片处理系统的结构的概略框图。
图5是表示实施方式的变形例2的基片处理系统的结构的概略框图。
图6是表示实施方式的变形例3的基片处理系统的结构的概略框图。
图7是表示实施方式的变形例3的初次向处理槽输送混合液时的各种处理中的基片处理系统的各部的动作模式的具体例的时序图。
图8是表示实施方式的变形例3的调节处理槽的蚀刻液的硅浓度时的各种处理中的基片处理系统的各部的动作模式的具体例的时序图。
图9是表示实施方式的变形例4的基片处理系统的结构的概略框图。
图10是表示实施方式的变形例4的多个蚀刻液供给部的处理流程的具体例的图。
图11是表示实施方式的变形例5的基片处理系统的结构的概略框图。
图12是表示实施方式的变形例5的多个蚀刻液供给部的处理流程的具体例的图。
图13是表示实施方式的变形例6的基片处理系统的结构的概略框图。
图14是表示实施方式的变形例6的多个蚀刻液供给部的处理流程的具体例的图。
图15是表示实施方式的混合处理及基片处理的处理次序的流程图。
图16是表示实施方式的变形例3的混合处理及基片处理的处理次序的流程图。
附图标记的说明
1 基片处理系统(基片处理装置的一例)
2A～2I 蚀刻液供给部
10、10A～10I 混合装置
11 磷酸水溶液供给部
12 析出抑制剂供给部
14 罐
15 循环路径
15c 分支部
16 泵
17 加热器
22、22d 送液路径
24 返回路径
25、25A～25I 硅溶液供给部
30 基片处理部
31、31A～31C 处理槽
51 背压阀
52 温度计
55 流量计
W 晶片(基片的一例)
M 混合液
E 蚀刻液
具体实施方式
以下，参照附图，详细说明本发明的基片处理装置、混合方法及基片处理方法的实施方式。此外，本发明不受以下所示的实施方式限定。另外，需要注意的是附图是示意的图，存在各要素的尺寸的关系、各要素的比率等与现实不同的情况。另外，在附图的相互间有时也包含相互的尺寸的关系及比率不同的部分。
目前，公知的是，在基片处理系统中，通过将基片浸渍在含有磷酸水溶液和硅溶液的蚀刻液中，对该基片进行蚀刻处理。
例如，通过将基片浸渍在磷酸(H3PO4)水溶液中，可以有选择地对层叠于基片上的氮化硅膜(SiN)和氧化硅膜(SiO2)中的氮化硅膜进行蚀刻。
另外，通过在磷酸水溶液中追加硅溶液(含硅化合物水溶液)，可以提高氮化硅膜相对于氧化硅膜的蚀刻的选择比。
但是，如果氮化硅膜被蚀刻，则该氮化硅膜中所含的硅在蚀刻液内会析出，因此存在磷酸水溶液的硅浓度过剩的情况。
而且，如果磷酸水溶液的硅浓度过剩，则硅氧化物(SiO2)会在氧化硅膜上析出，基片的蚀刻处理有可能会因该析出的硅氧化物而被阻碍。
因此，期待能够适当地实施用含有磷酸水溶液和硅溶液的蚀刻液所进行的蚀刻处理的技术。
＜基片处理系统的结构＞
首先，参照图1对实施方式的基片处理系统1的结构进行说明。图1是表示实施方式的基片处理系统1的结构的概略框图。基片处理系统1是基片处理装置的一例。
基片处理系统1包括混合装置10、硅溶液供给部25和基片处理部30。混合装置10通过混合磷酸水溶液和用于抑制硅氧化物的析出的析出抑制剂而生成混合液M。析出抑制剂是添加剂的一例。
硅溶液供给部25向通过混合装置10生成的混合液M供给含硅化合物水溶液(以下，也称为硅溶液)，生成蚀刻液E。即，实施方式的蚀刻液E含有磷酸水溶液、析出抑制剂和硅溶液。
基片处理部30在处理槽31中将晶片W浸渍于所生成的蚀刻液E中，对该晶片W实施蚀刻处理。晶片W是基片的一例。在实施方式中，例如可以在形成于晶片W上的氮化硅膜(SiN)和氧化硅膜(SiO2)中有选择地蚀刻氮化硅膜。
混合装置10包括磷酸水溶液供给部11、析出抑制剂供给部12、罐14和循环路径15。
磷酸水溶液供给部11向罐14中供给磷酸水溶液。该磷酸水溶液供给部11具有磷酸水溶液供给源11a、磷酸水溶液供给路径11b和流量调节器11c。
磷酸水溶液供给源11a例如是贮存磷酸水溶液的罐。磷酸水溶液供给路径11b连接磷酸水溶液供给源11a与罐14，从磷酸水溶液供给源11a向罐14供给磷酸水溶液。
流量调节器11c设置于磷酸水溶液供给路径11b上，调节向罐14供给的磷酸水溶液的流量。流量调节器11c由开关阀、流量控制阀、流量计等构成。
析出抑制剂供给部12向罐14内供给析出抑制剂。该析出抑制剂供给部12具有析出抑制剂供给源12a、析出抑制剂供给路径12b和流量调节器12c。
析出抑制剂供给源12a例如是贮存析出抑制剂的罐。析出抑制剂供给路径12b连接析出抑制剂供给源12a与罐14，从析出抑制剂供给源12a向罐14中供给析出抑制剂。
流量调节器12c设置于析出抑制剂供给路径12b上，调节向罐14供给的析出抑制剂的流量。流量调节器12c由开关阀、流量控制阀、流量计等构成。
实施方式的析出抑制剂只要含有抑制硅氧化物的析出的成分即可。例如也可以含有使溶解于磷酸水溶液的硅离子在溶解的状态下稳定化，并抑制硅氧化物的析出的成分。另外，也可以含有通过其它的公知的方法抑制硅氧化物的析出的成分。
在实施方式的析出抑制剂中例如可以使用含有氟成分的六氟硅酸(H2SiF6)水溶液。另外，为了使水溶液中的六氟硅酸稳定化，也可以含有氨等添加物。
作为实施方式的析出抑制剂，例如可以使用六氟硅酸胺(NH4)2SiF6、六氟硅酸钠(Na2SiF6)等。
另外，实施方式的析出抑制剂也可以是含有离子半径为的阳离子的元素的化合物。在此，所谓“离子半径”即为根据从晶格的晶格常数得到的阴离子和阳离子的半径之和，经验地求出的离子的半径。
实施方式的析出抑制剂也可以含有例如铝、钾、锂、钠、镁、钙、锆、钨、钛、钼、铪、镍和铬的任一种元素的氧化物。
另外，代替或除了上述的任一种元素的氧化物，实施方式的析出抑制剂也可以含有上述的任一种元素的氮化物、氯化物、溴化物、氢氧化物和硝酸盐中的至少一种。
实施方式的析出抑制剂也可以包含例如Al(OH)3、AlCl3、AlBr3、Al(NO3)3、Al2(SO4)3、AlPO4和Al2O3之中的至少一种。
另外，实施方式的析出抑制剂也可以含有KCl、KBr、KOH和KNO3中的至少一种。另外，实施方式的析出抑制剂也可以含有LiCl、NaCl、MgCl2、CaCl2和ZrCl4之中的至少一种。
罐14贮存从磷酸水溶液供给部11供给的磷酸水溶液和从析出抑制剂供给部12供给的析出抑制剂。另外，罐14贮存混合磷酸水溶液和析出抑制剂而生成的混合液M。
在罐14上从上依次设置有第一液面传感器S1和第二液面传感器S2。由此，控制贮存于罐14中的磷酸水溶液和混合液M的液面的高度。另外，在实施方式中，通过使用该第一液面传感器S1和第二液面传感器S2，可以测量磷酸水溶液及析出抑制剂的液量。
循环路径15是从罐14出去并返回到该罐14的循环线。循环路径15具有设置于罐14的底部的入口15a、设置于罐14的上部的出口15b，形成从该入口15a朝向出口15b流动的循环流。此外，在实施方式中罐14所贮存的混合液M的液面的上方配置有出口15b。
在循环路径15上，以罐14为基准，从上游侧依次设置有泵16、加热器17、开关阀18、过滤器19和分支部15c。另外，向基片处理部30的处理槽31输送混合液M的送液路径22从分支部15c分支。
此外，送液路径22从分支部15c连接到处理槽31的内槽31a和外槽31b，具有流量调节器23。该流量调节器23调节被供给到处理槽31的混合液M的流量。流量调节器23由开关阀、流量控制阀、流量计等构成。
泵16形成从罐14出去并通过循环路径15返回到罐14的混合液M的循环流。
加热器17加热在循环路径15内循环的混合液M。在实施方式中，利用该加热器17加热混合液M，由此加热贮存于罐14中的混合液M。
过滤器19除去循环路径15内循环的混合液M中所含的颗粒等污染物质。此外，在循环路径15上设置有绕过该过滤器19的旁通流路20，在该旁通流路20中设置有开关阀21。
而且，通过交替地开关设置于循环路径15的开关阀18和设置于旁通流路20的开关阀21，可以形成在过滤器19流动的循环流和绕过过滤器19的循环流的任一者。
硅溶液供给部25向通过混合装置10生成的混合液M供给硅溶液。实施方式的硅溶液例如是使胶态硅分散的溶液。硅溶液供给部25具有硅溶液供给源25a、硅溶液供给路径25b和流量调节器25c。
硅溶液供给源25a例如是贮存硅溶液的罐。流量调节器25c设置于硅溶液供给路径25b上，调节硅溶液供给路径25b流动的硅溶液的流量。流量调节器25c由开关阀、流量控制阀、流量计等构成。
在此，在实施方式中，硅溶液供给部25的硅溶液供给路径25b与设置于送液路径22的合流部22a连接。即，在实施方式中，通过混合装置10生成混合液M之后，独立地向生成的混合液M供给硅溶液，能够生成蚀刻液E。
由此，可以在大范围内调节供给到基片处理部30的混合液M的硅浓度。随后，对于该混合液M的硅浓度的调节方法参照图2及图3并进行说明。
图2是表示实施方式的初次向处理槽31输送混合液M时的各种处理中的基片处理系统1的各部的动作模式的具体例的时序图。此外，该基片处理系统1的各部通过设置于基片处理系统1的控制部(未图示)进行控制。
该控制部控制图1所示的基片处理系统1的各部(混合装置10、基片处理部30等)的动作。控制部基于来自开关及各种传感器等的信号，控制基片处理系统1的各部的动作。
该控制部例如是计算机，具有计算机可读取的存储介质(未图示)。在该存储介质中存储有用于控制基片处理系统1所执行的各种处理的程序。
控制部通过读出并执行存储介质所存储的程序来控制基片处理系统1的动作。此外，程序被存储在计算机可读取的存储介质中，可以从其它的存储介质安装到控制部的存储介质。
作为由计算机可读取的存储介质，例如具有硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。
如图2所示，在实施方式中依次实施混合处理、加热处理、过滤处理和送液处理。首先，控制部自时间T0起使磷酸水溶液供给部11动作(为打开(ON)状态)，通过向罐14供给磷酸水溶液来开始混合处理。
此外，在该时间T0的时刻，析出抑制剂供给部12、硅溶液供给部25、泵16、加热器17没有动作(关闭(OFF)状态)。另外，在时间T0的时刻，开关阀18为关状态，且开关阀21为开状态，因此是通过旁通流路20绕过过滤器19的状态(过滤器旁通为打开状态)。
另外，在时间T0的时刻，流量调节器23为关状态(关闭状态)，由于什么也没有贮存在罐14，所以从第一液面传感器S1及第二液面传感器S2输出关闭信号。
接着，贮存在罐14的磷酸水溶液的液面慢慢上升，在时间T1液面为规定的第二高度以上时，从第二液面传感器S2输出打开信号。
于是，控制部自时间T1使析出抑制剂供给部12动作(为打开状态)，向罐14供给析出抑制剂。另外，控制部自时间T1起使泵16动作(为打开状态)，在循环路径15形成循环流。
接着，在将析出抑制剂以规定的量供给至罐14的时间T2，控制部停止析出抑制剂供给部12(为关闭状态)。
接着，在时间T3，混合液M的液面为规定的第一高度以上时，从第一液面传感器S1输出打开信号。于是，控制部将磷酸水溶液以规定的量供给至罐14，在时间T3停止磷酸水溶液供给部11(为关闭状态)。由此，完成混合处理。
随后，控制部自时间T3起使加热器17动作(为打开状态)，通过加热循环路径15内循环的混合液M，开始加热处理。控制部通过该加热器17加热混合液M，而加热贮存在罐14中的混合液M。
此外，在实施方式中，使用第一液面传感器S1等来测量磷酸水溶液等的液量，但有时贮存的混合液M的温度变化会对测量的精度产生不利影响。
因此，在实施方式中，完成磷酸水溶液等测量，自完成混合处理的时刻(时间T3)开始加热处理。由此，能够良好地维持磷酸水溶液等的测量精度。
接着，在将罐14内的混合液M加热至规定的温度(例如小于100℃)的时间T4，完成加热处理。这样，在实施方式中，通过在混合装置10中设置实施加热处理的加热器17，能够向基片处理部30供给被加热的混合液M。
另外，在实施方式中，通过在混合装置10的循环路径15设置加热器17，能够有效加热混合液M。
此外，在实施方式的基片处理中，在完成混合处理后开始加热处理。这是因为向被加热且温度上升的磷酸水溶液中供给含有有机溶剂的析出抑制剂时，该析出抑制剂可能会突然沸腾。
即，根据实施方式，通过在完成混合处理后开始加热处理，能够抑制析出抑制剂在供给时突然沸腾。
随后，控制部自时间T4起通过使过滤器旁通为关闭状态，开始过滤处理。即，控制部自时间T4起使开关阀18变更为开状态，并且使开关阀21变更为关状态，在循环路径15形成在过滤器19流动的循环流。由此，除去混合液M所含的颗粒等污染物质。
接着，在充分除去了混合液M所含的颗粒等污染物质的时间T5，完成过滤处理。
此外，在实施方式的基片处理中，在混合处理及加热处理中使过滤器旁通为打开状态。由此，在循环路径15上能够降低在过滤器19产生的压力损失，因此能够使贮存于罐14的混合液M高效地循环。
此外，至完成加热处理，由于不需要利用过滤器19过滤混合液M，所以即使经由旁通流路20进行循环也没有特别的问题。
随后，控制部自时间T5起开始送液处理。具体而言，控制部自时间T5起使硅溶液供给部25动作(为打开状态)，由此经由送液路径22向基片处理部30的处理槽31输送硅溶液。
此外，控制部在与硅溶液的送液开始相同的时刻(时间T5)使泵16停止(为关闭状态)。由此，能够抑制因来自泵16的大的压力，而混合液M从送液路径22逆流到硅溶液供给部25。
另外，控制部在与硅溶液的送液开始相同的时刻(时间T5)，使加热器17停止(为关闭状态)。由此，能够抑制混合液M变得比规定的温度(例如小于100℃)更高温。
接着，在将硅溶液向处理槽31以规定的量供给的时间T6，控制部停止硅溶液供给部25(为关闭状态)。而且，控制部在与硅溶液的送液停止相同的时刻(时间T6)使泵16动作(为打开状态)，同时流量调节器23为开状态(为打开状态)。
由此，控制部经由循环路径15及送液路径22从混合装置10向基片处理部30的处理槽31输送混合液M。于是，罐14内的混合液M减少，在时间T7液面低于规定的第一高度。
由此，从第一液面传感器S1输出关闭信号。而且，在以规定的量输送混合液M的时间T8，完成送液处理。
通过至此说明的处理，控制部在初次向处理槽31输送混合液M时，可以在处理槽31贮存具有期望的硅浓度的蚀刻液E。因此，根据实施方式，从晶片W的蚀刻处理的开始时刻，能够提高氮化硅膜相对于氧化硅膜的蚀刻的选择比。
图3是表示调节实施方式的处理槽31的蚀刻液E的硅浓度时的各种处理的基片处理系统1的各部的动作模式的具体例的时序图。
参照该图3，说明在处理槽31中开始对晶片W的蚀刻处理，并在硅从晶片W析出到蚀刻液E中时的从被输送的混合液M的混合处理至送液处理。
首先，控制部自时间T10起使磷酸水溶液供给部11动作(为打开状态)，通过向罐14供给磷酸水溶液，开始混合处理。
此外，在该时间T10的时刻，析出抑制剂供给部12、硅溶液供给部25、泵16、加热器17没有动作(关闭状态)。另外，在时间T10的时刻，开关阀18为关状态，同时开关阀21为开状态，因此过滤器19是被旁通流路20绕过的状态(过滤器旁通为打开状态)。
另外，在时间T10的时刻，由于流量调节器23为关状态(关闭状态)，且在前次的送液处理中罐14内的混合液M的量减少，所以从第一液面传感器S1和第二液面传感器S2输出关闭信号。
接着，贮存在罐14中的磷酸水溶液的液面慢慢上升，在时间T11液面为规定的第二高度以上时，从第二液面传感器S2输出打开信号。
于是，控制部自时间T11起使析出抑制剂供给部12动作(为打开状态)，向罐14供给析出抑制剂。另外，控制部自时间T11起使泵16动作(为打开状态)，在循环路径15形成循环流。
接着，在将析出抑制剂以规定的量供给至罐14的时间T12，控制部停止析出抑制剂供给部12(为关闭状态)。
接着，在时间T13混合液M的液面为规定的第一高度以上时，从第一液面传感器S1输出打开信号。于是，控制部将磷酸水溶液以规定的量供给至罐14，在时间T13停止磷酸水溶液供给部11(为关闭状态)。
随后，控制部自时间T13起使加热器17动作(为打开状态)，通过加热循环路径15内循环的混合液M，开始加热处理。控制部通过用该加热器17加热混合液M，加热贮存于罐14的混合液M。
接着，在罐14内的混合液M被加热至规定的温度(例如，165℃左右)的时间T14，完成加热处理。
随后，控制部自时间T14起通过使过滤器旁通为关闭状态，开始过滤处理。由此，除去混合液M所含的颗粒等污染物质。
而且，在充分除去混合液M所含的颗粒等污染物质的时间T15，完成过滤处理。
随后，控制部自时间T15起开始送液处理。具体而言，控制部在时间T15流量调节器23为开状态(为打开状态)。
由此，控制部将混合液M经由循环路径15及送液路径22，从混合装置10输送至基片处理部30的处理槽31。于是，罐14内的混合液M减少，在时间T16液面低于规定的第一高度。
由此，从第一液面传感器S1输出关闭信号。而且，在以规定的量输送混合液M的时间T17，完成送液处理。
通过至此说明的处理，控制部能够向处理槽31供给不含硅溶液的混合液M。由此，在硅从晶片W内的氮化硅膜析出，蚀刻液E的硅浓度过剩时，能够迅速将蚀刻液E的硅浓度抑制在规定的浓度。
如至此说明，在实施方式中，通过独立地向生成的混合液M供给硅溶液来生成蚀刻液E，能够在大范围内调节供给至基片处理部30的混合液M的硅浓度。
即，在混合液M需要规定的硅浓度的情况下(例如，初次送液时)，通过使硅溶液供给部25动作，能够向处理槽31供给含有硅溶液的混合液M。
另一方面，在混合液M中不需要规定的硅浓度的情况下(例如，硅浓度调节时)，通过不使硅溶液供给部25动作，能够向处理槽31供给不含硅溶液的混合液M。
另外，在实施方式中，送液路径22设置成从循环路径15分支。由此，在混合处理及加热处理时通过使用的泵16能够将混合液M输送到处理槽31。即，在实施方式中，不需要为了混合液M的送液处理而另外在送液路径22设置泵，因此能够以低成本输送混合液M。
另外，在实施方式中，可以控制加热器17，基于有无向混合液M中供给硅溶液来设定混合液M的温度。例如，在向混合液M供给硅溶液的情况下(例如，初次送液时)，将混合液M的温度加热到小于100℃，另一方面，在不向混合液M供给硅溶液的情况下(例如，硅浓度调节时)，将混合液M的温度加热到165℃左右。
由此，在向混合液M供给硅溶液的情况下，能够抑制含有水分的硅溶液曝露在高温中而突然沸腾。另外，在不向混合液M供给硅溶液的情况下，能够抑制处理中的蚀刻液E因混合液M的供给而温度降低。
返回到图1，继续说明基片处理系统1的其它的部位。基片处理部30将晶片W浸渍在由混合装置10生成的蚀刻液E中，对该晶片W实施蚀刻处理。
基片处理部30包括处理槽31、循环路径32、DIW供给部33和蚀刻液排放部34。处理槽31包括内槽31a和外槽31b。
内槽31a上部开放，蚀刻液E供给至上部附近。在该内槽31a，通过基片升降机构35将多个晶片W浸渍在蚀刻液E中，对晶片W进行蚀刻处理。该基片升降机构35可升降地构成，将多个晶片W以垂直姿势前后排列保持。
外槽31b设置于内槽31a的上部周围，并且上部开放。从内槽31a溢出的蚀刻液E流入到外槽31b中。
另外，在内槽31a及外槽31b中，从混合装置10经由送液路径22供给混合液M，且从硅溶液供给部25经由送液路径22供给硅溶液。另外，DIW(DeIonized Water：脱离子水)从DIW供给部33供给到外槽31b中。
DIW供给部33具有DIW供给源33a、DIW供给路径33b和流量调节器33c。DIW供给部33为了补给从被加热的蚀刻液E蒸发的水分，向外槽31b供给DIW。
DIW供给路径33b连接DIW供给源33a和外槽31b，从DIW供给源33a向外槽31b供给规定温度的DIW。
流量调节器33c设置于DIW供给路径33b上，调节向外槽31b供给的DIW的供给量。流量调节器33c由开关阀及流量控制阀、流量计等构成。通过流量调节器33c调节DIW的供给量，由此调节蚀刻液E的温度、磷酸浓度、硅浓度及析出抑制剂浓度。
另外，在外槽31b设置有温度传感器36和磷酸浓度传感器37。温度传感器36检测蚀刻液E的温度，磷酸浓度传感器37检测蚀刻液E的磷酸浓度。由温度传感器36及磷酸浓度传感器37生成的信号被发送至上述的控制部。
外槽31b和内槽31a通过循环路径32连接。循环路径32的一端与外槽31b的底部连接，循环路径32的另一端与设置于内槽31a内的处理液供给喷嘴38连接。
在循环路径32上从外槽31b侧依次设置有泵39、加热器40、过滤器41和硅浓度传感器42。
泵39形成从外槽31b经由循环路径32输送至内槽31a的蚀刻液E的循环流。另外，蚀刻液E通过从内槽31a溢出，再次流出到外槽31b。这样，在基片处理部30内形成蚀刻液E的循环流。即，该循环流在外槽31b、循环路径32及内槽31a形成。
加热器40调节在循环路径32循环的蚀刻液E的温度。过滤器41过滤在循环路径32循环的蚀刻液E。硅浓度传感器42检测在循环路径32循环的蚀刻液E的硅浓度。通过硅浓度传感器42生成的信号发送到控制部。
蚀刻液排放部34在替换蚀刻处理中使用的蚀刻液E的全部或一部分时，将含有硅溶液的蚀刻液E排放到排液管DR。蚀刻液排放部34具有排放路径34a、流量调节器34b和冷却罐34c。
排放路径34a与循环路径32连接。流量调节器34b设置于排放路径34a，调节排放的蚀刻液E的排放量。流量调节器34b由开关阀及流量控制阀、流量计等构成。
冷却罐34c临时贮存排放路径34a中流动的蚀刻液E并进行冷却。冷却罐34c中通过流量调节器34b调节蚀刻液E的排放量。
＜变形例＞
随后，对实施方式的基片处理系统1的各种变形例，参照图4～图14进行说明。图4是表示实施方式的变形例1的基片处理系统1的结构的概略框图。此外，在以下的各种变形例中，通过在与实施方式相同的部位附加相同的符号，而省略重复的说明。
如图4所示，在变形例1的基片处理系统1中，硅溶液供给部25结构与实施方式不同。具体而言，硅溶液供给部25的硅溶液供给路径25b不是与送液路径22而是与处理槽31连接。例如，硅溶液供给路径25b与处理槽31的外槽31b连接。
在该变形例1中，也能够独立地向混合装置10所生成的混合液M供给硅溶液，生成蚀刻液E。
图5是表示实施方式的变形例2的基片处理系统1的结构的概略框图。如图5所示，在变形例2的基片处理系统1中，硅溶液供给部25的硅溶液供给路径25b与送液路径22及处理槽31双方连接。
例如，硅溶液供给路径25b与送液路径22的合流部22a连接，并且与处理槽31的外槽31b也连接。
另外，在与送液路径22的合流部22a连接的硅溶液供给路径25b上设置有流量调节器25d，在与处理槽31连接的硅溶液供给路径25b上设置有流量调节器25e。
而且，通过控制该流量调节器25d、25e，能够独立地向混合装置10生成的混合液M的各部供给硅溶液，生成蚀刻液E。
图6是表示实施方式的变形例3的基片处理系统1的结构的概略框图。在变形例3的基片处理系统1上赋予在处理槽31中开始对晶片W的蚀刻处理，在蚀刻液E中硅从晶片W析出时，用于将处理槽31内的蚀刻液E的硅浓度始终保持在一定或一定以下的功能。
而且，为了赋予该功能，一部分的结构与上述的变形例1不同。以下对具体的结构的差异进行说明。
如图6所示，在变形例3中，在比循环路径15的分支部15c靠下游侧设置有背压阀51。背压阀51调节比循环路径15的背压阀51靠上游侧(例如，分支部15c)的压力。
在送液路径22的比分支部22b靠上游侧设置有温度计52。该温度计52测量在送液路径22流动的混合液M的温度。此外，分支部22b即为在送液路径22上与内槽31a连接的送液路径22c和与外槽31b连接的送液路径22d所分支的部位。即，送液路径22c及送液路径22d是送液路径22的一部分。
在送液路径22c上设置有阀门53，在送液路径22d上从上游侧依次设置有阀门54、流量计55、恒压阀56、节流阀57、分支部22e和阀门58。另外，使混合液M返回罐14的返回路径24从分支部22e分支。该返回路径24具有阀门59。
另外，硅溶液供给部25的硅溶液供给路径25b与处理槽31的内槽31a连接。
控制部交替开关阀门53和阀门54。由此，控制部能够将混合液M切换输送到内槽31a或外槽31b。
流量计55测量在送液路径22d流动的混合液M的流量。在此，在变形例3中，流量计55能够基于由温度计52测量的混合液M的温度，修正混合液M的流量。例如，控制部可以基于从温度计52获得的混合液M的温度信息，修正从流量计55获得的混合液M的流量信息。
由此，在变形例3中混合液M的温度即使从室温至高温的范围内产生大的变化的情况下，也能够高精度地测量在流量计55流动的混合液M的流量。
恒压阀56调节送液路径22d的比恒压阀56靠下游侧的压力。节流阀57调节送液路径22d流动的混合液M的流量。
控制部交替开关阀门58和阀门59。由此，控制部能够将混合液M切换输送到外槽31b或罐14。
随后，对变形例3的混合液M的硅浓度的调节方法，参照图7及图8并进行说明。图7是表示实施方式的变形例3的初次向处理槽31输送混合液M时的各种处理中的基片处理系统1的各部的动作模式的具体例的时序图。
如图7所示，在变形例3中依次实施混合处理、加热处理、过滤处理和送液处理。首先，控制部自时间T20起使磷酸水溶液供给部11动作(为打开状态)，通过向罐14供给磷酸水溶液，开始混合处理。
此外，在该时间T20的时刻，析出抑制剂供给部12、硅溶液供给部25、泵16、加热器17没有动作(为关闭状态)。另外，在时间T20的时刻，开关阀18为关状态，同时开关阀21为开状态，所以过滤器19是被旁通流路20绕过的状态(过滤器旁通为打开状态)，背压阀51为全开状态。
另外，在时间T20的时刻，流量调节器23为关状态(关闭状态)，由于罐14中什么也没有贮存，所以从第一液面传感器S1及第二液面传感器S2输出关闭信号。
而且，在将磷酸水溶液以规定的量供给至罐14的时间T21，控制部使泵16动作(为打开状态)，在循环路径15形成循环流。
接着，贮存于罐14的磷酸水溶液的液面慢慢上升，在时间T22液面为规定的第二高度以上时，从第二液面传感器S2输出打开信号。于是，控制部自时间T22起使析出抑制剂供给部12动作(为打开状态)，向罐14供给析出抑制剂，同时停止磷酸水溶液供给部11(为关闭状态)。
接着，在将析出抑制剂以规定的量供给至罐14的时间T23，控制部停止析出抑制剂供给部12(为关闭状态)，同时使磷酸水溶液供给部11动作(为打开状态)，向罐14供给磷酸水溶液。
接着，在时间T24混合液M的液面为规定的第一高度以上时，从第一液面传感器S1输出打开信号。于是，控制部将磷酸水溶液以规定的量供给至罐14，在时间T24停止磷酸水溶液供给部11(为关闭状态)。由此，完成混合处理。
这样，在变形例3，控制部在向罐14供给析出抑制剂之前，使泵16动作。由此，在供给析出抑制剂之前能够在循环路径15形成循环流，所以能够提高磷酸水溶液和析出抑制剂的混合性。
另外，在变形例3，控制部不会同时向罐14供给磷酸水溶液和析出抑制剂，而分别独立地向罐14供给。由此，能够抑制在以规定的量供给析出抑制剂之前，从第一液面传感器S1输出打开(ON)信号。因此，根据变形例3，能够可靠地向罐14以规定的量供给析出抑制剂。
随后，控制部自时间T24起使加热器17动作(为打开状态)，通过加热循环路径15内循环的混合液M，开始加热处理。控制部通过利用该加热器17加热混合液M，而加热贮存于罐14中的混合液M。
接着，在将罐14内的混合液M加热到规定的温度(例如小于100℃)的时间T25，完成加热处理。
随后，控制部通过自时间T25起使过滤器旁通为关闭状态，开始过滤处理。即，控制部自时间T25起将开关阀18变更为开状态，同时将开关阀21变更为关状态，在循环路径15形成在过滤器19流动的循环流。由此，除去混合液M所含的颗粒等污染物质。
而且，在充分除去混合液M所含的颗粒等污染物质的时间T26，完成过滤处理。
随后，控制部自时间T26起开始送液处理。具体而言，控制部自时间T26起使流量调节器23为开状态(为打开状态)。另外，图7未图示，控制部将阀门53变更为开状态，同时将阀门54变更为关状态。
由此，控制部经由循环路径15、送液路径22及送液路径22c将混合液M从混合装置10输送至基片处理部30的内槽31a。
于是，罐14内的混合液M减少，在时间T27液面低于规定的第一高度。由此，从第一液面传感器S1输出关闭信号。
此外，控制部在与混合液M的送液开始相同的时刻(时间T26)使加热器17停止(为关闭状态)。由此，能够抑制混合液M变得比规定的温度(例如小于100℃)更高温。
接着，在将混合液M以规定的量供给到处理槽31的时间T28，控制部使硅溶液供给部25动作(为打开状态)，同时使流量调节器23为关状态(为关闭状态)。由此，控制部经由硅溶液供给路径25b向基片处理部30的内槽31a输送硅溶液。
此外，控制部在与硅溶液的送液开始相同的时刻(时间T28)使泵16停止(为关闭状态)。而且，在以规定的量输送硅溶液的时间T29，完成送液处理。
通过至此说明的处理，控制部在初次向处理槽3输送混合液M时，可以在处理槽31贮存具有期望的硅浓度的蚀刻液E。因此，根据变形例3，从晶片W的蚀刻处理的开始时刻能够提高氮化硅膜相对于氧化硅膜的蚀刻的选择比。
另外，在变形例3中，控制部将混合液M和硅溶液都供给至处理槽31的内槽31a。由此，在变形例3中，能够从内槽31a向外槽31b溢出，同时使混合液M和硅溶液混合，因此，能够提高混合液M和硅溶液的混合性。
图8是表示实施方式的变形例3的调节处理槽31的蚀刻液E的硅浓度时的各种处理中的基片处理系统1的各部的动作模式的具体例的时序图。
参照该图8，说明在处理槽31开始对晶片W的蚀刻处理，从硅自晶片W析出到蚀刻液E中时的输送的混合液M的混合处理至送液处理。
首先，控制部自时间T30起使磷酸水溶液供给部11动作(为打开状态)，通过向罐14供给磷酸水溶液，开始混合处理。
此外，在该时间T30的时刻，析出抑制剂供给部12、硅溶液供给部25、泵16和加热器17没有动作(为关闭状态)。另外，在时间T30的时刻，开关阀18为关状态，同时开关阀21为开状态，所以过滤器19是被旁通流路20绕过的状态(过滤器旁通为打开状态)，背压阀51为全开状态。
另外，在时间T30的时刻，流量调节器23为关状态(关闭状态)，由于在罐14什么也没有贮存，所以从第一液面传感器S1及第二液面传感器S2输出关闭信号。
接着，在将磷酸水溶液以规定的量供给到罐14的时间T31，控制部使泵16动作(为打开状态)，在循环路径15形成循环流。
接着，贮存于罐14中的磷酸水溶液的液面慢慢上升，在时间T32液面为规定的第二高度以上时，从第二液面传感器S2输出打开信号。于是，控制部自时间T32起使析出抑制剂供给部12动作(为打开状态)，向罐14供给析出抑制剂，同时停止磷酸水溶液供给部11(为关闭状态)。
接着，在将析出抑制剂以规定的量供给至罐14的时间T33，控制部停止析出抑制剂供给部12(为关闭状态)，同时使磷酸水溶液供给部11动作(为打开状态)，向罐14供给磷酸水溶液。
接着，在时间T34混合液M的液面为规定的第一高度以上时，从第一液面传感器S1输出打开信号。于是，控制部将磷酸水溶液以规定的量供给至罐14，在时间T34停止磷酸水溶液供给部11(为关闭状态)。由此，完成混合处理。
随后，控制部自时间T34起开始送液处理。具体而言，控制部在时间T15使流量调节器23为开状态(为打开状态)，同时使背压阀51为节流状态。另外，图8未图示，控制部将阀门53变更为关状态，同时将阀门54变更为开状态。
由此，控制部经由循环路径15、送液路径22及送液路径22d，将混合液M从混合装置10输送至基片处理部30的外槽31b。于是，罐14内的混合液M减少，在时间T35液面低于规定的第一高度。由此，从第一液面传感器S1输出关闭信号。
在此，在变形例3中，控制部基于从硅浓度传感器42获得的处理槽31内的蚀刻液E的硅浓度，实施将处理槽31内的硅浓度始终保持在一定或一定以下的控制。
例如，在处理槽31内的蚀刻液E的硅浓度高于预定的阈值的情况下，控制部使流量调节器34b为开状态，排出高硅浓度的蚀刻液E，同时供给与被排放的蚀刻液E相同的量的混合液M。
在此，在变形例3中混合液M的混合处理通过混合装置10完成，所以能够在需要时将不含硅溶液的混合液M供给至处理槽31。
由此，控制部能够将处理槽31内的蚀刻液E的贮存量保持一定，并且降低处理槽31内的蚀刻液E的硅浓度。因此，根据变形例3，能够将处理槽31内的硅浓度始终保持一定或一定以下。
另外，在变形例3中，控制部在处理槽31中不需要混合液M的供给的情况下，可以将在送液路径22d流动的混合液M从返回路径24返回至罐14。
即，控制部在处理槽31不需要混合液M的供给的情况下，将阀门58变更为关状态，同时将阀门59变更为开状态，可以使用循环路径15、送液路径22、送液路径22d及返回路径24使混合液M循环。
由此，能够使混合液M从送液路径22d向外槽31b排出的状态(即，需要混合液M的供给的状态)与混合液M从送液路径22d不向外槽31b喷出的状态(即，不需要混合液M的供给的状态)一致。
因此，根据变形例3，能够高精度排出混合液M，所以能够高精度实施将处理槽31内的硅浓度始终保持一定或一定以下的处理。
另外，在变形例3中，控制部在混合液M的送液处理时，可以使背压阀51为节流状态。由此，控制部能够提高循环路径15的分支部15c的压力，所以能够确保将混合液M从分支部15c经由送液路径22、送液路径22d及返回路径24返回至罐14而需要的压力。
此外，在变形例3中，在调节从送液路径22d向外槽31b排出的混合液M的流量的情况下，使用节流阀57进行流量的粗调节，使用流量计55及恒压阀56进行流量的微调节。
在此，在变形例3中，通过利用恒压阀56反馈控制流量计55内的混合液M的压力，可以将流量计55内的混合液M的流量保持一定。由此，能够以更精确的量排出混合液M，所以能够更精确地实施将处理槽31内的硅浓度始终保持一定或一定以下的处理。
另外，在变形例3中，控制部在调节蚀刻液E的硅浓度时，可以不向内槽31a而是向外槽31b供给混合液M。由此，与直接向处理晶片W的内槽31a供给混合液M的情况相比，能够抑制内槽31a的蚀刻液E的硅浓度急剧变化。
因此，根据变形例3，能够稳定实施晶片W的蚀刻处理。
另外，在变形例3中，调节蚀刻液E的硅浓度时，可以向处理槽31供给室温的混合液M。由此，能够省略加热处理，所以能够缩短至混合液M的送液处理的时间。因此，根据变形例3，能够迅速实施硅浓度的调节处理。
此外，在调节蚀刻液E的硅浓度时，混合液M向外槽31b供给，所以直至到达内槽31a的期间，混合液M通过加热器40加热，因此即使省略了生成混合液M时的加热处理也没有特别的问题。
另外，在变形例3中，在调节蚀刻液E的硅浓度时，可以省略混合液M的过滤处理。由此，能够缩短至混合液M的送液处理的时间，所以能够迅速实施硅浓度的调节处理。
此外，在调节蚀刻液E的硅浓度时，由于混合液M向外槽31b供给，所以直至到达内槽31a的期间，混合液M通过过滤器41过滤，因此即使省略了生成混合液M时的过滤处理也没有特别的问题。
图9是表示实施方式的变形例4的基片处理系统1的结构的概略框图。在以后的变形例中，对在基片处理系统1中设置三个处理槽31A～31C的情况进行表示。
另外，在变形例4的基片处理系统1中设置有三个室101～103。室101中收容有由混合装置10A及硅溶液供给部25A构成的蚀刻液供给部2A。而且，从该蚀刻液供给部2A经由送液路径22A向处理槽31A供给混合液M(参照图1)等。
另外，在室102中收容有由混合装置10B及硅溶液供给部25B构成的蚀刻液供给部2B。而且，从该蚀刻液供给部2B经由送液路径22B向处理槽31B供给混合液M及硅溶液。
另外，在室103中收容有由混合装置10C及硅溶液供给部25C构成的蚀刻液供给部2C。而且，从该蚀刻液供给部2C经由送液路径22C向处理槽31C供给混合液M及硅溶液。
此外，在以后的说明中，将多个蚀刻液供给部2A～2C也总称为“蚀刻液供给部2”，将多个混合装置10A～10C也总称为“混合装置10”，将多个处理槽31A～31C也总称为“处理槽31”。
图10是表示实施方式的变形例4的多个蚀刻液供给部2A～2C的处理流程的具体例的图。如图10所示，在各处理槽31A～31C实施蚀刻液E的液交换处理时(以下也称为“液交换阶段”)，蚀刻液供给部2A首先通过混合装置10A生成混合液M。
随后，蚀刻液供给部2A将来自混合装置10A的混合液M、来自硅溶液供给部25A的硅溶液经由送液路径22A供给至处理槽31A，实施该处理槽31A的液体交换处理。
同样，在液交换阶段，蚀刻液供给部2B首先通过混合装置10B生成混合液M。随后，蚀刻液供给部2B将来自混合装置10B的混合液M、来自硅溶液供给部25B的硅溶液经由送液路径22B供给至处理槽31B，实施该处理槽31B的液体交换处理。
另外，同样在液交换阶段，蚀刻液供给部2C首先通过混合装置10C生成混合液M。随后，蚀刻液供给部2C将来自混合装置10C的混合液M、来自硅溶液供给部25C的硅溶液经由送液路径22C供给至处理槽31C，实施该处理槽31C的液体交换处理。
即，在处理槽31中未浸渍晶片W的液交换阶段，蚀刻液供给部2向处理槽31供给混合液M和硅溶液。
如图10所示，接着液交换阶段，在各处理槽31A～31C中实施晶片W的第一次工艺(以下，也称为“第一次工艺阶段”)。在该第一次工艺阶段，因为将晶片W浸渍在处理槽31A中，所以硅从该晶片W中析出。
因此，为了调节该处理槽31A的硅浓度，蚀刻液供给部2A通过混合装置10A生成混合液M，并向处理槽31A供给生成的混合液M至。另外，板处理系统1通过将含有硅溶液的混合液M从处理槽31A经由蚀刻液排放部34(参照图1)排放，实施处理槽31A的浓度调节处理。
即，在处理槽31中浸渍晶片W的第一次工艺阶段，向处理槽31供给不含硅溶液的混合液M，同时从处理槽31排放含有硅溶液的混合液M(即蚀刻液E)。
同样，在第一次工艺阶段，蚀刻液供给部2B通过混合装置10B生成混合液M，并向处理槽31B供给生成的混合液M。另外，基片处理系统1通过将含有硅溶液的混合液M从处理槽31B经由蚀刻液排放部34排放，实施处理槽31B的浓度调节处理。
另外，同样在第一次工艺阶段，蚀刻液供给部2C通过混合装置10C生成混合液M，并向处理槽31C供给生成的混合液M。另外，基片处理系统1将含有硅溶液的混合液M从处理槽31C经由蚀刻液排放部34排放，实施处理槽31C的浓度调节处理。
而且，在接着第一次工艺阶段进行的晶片W的第二次工艺(以下也称为“第二次工艺阶段”)，在蚀刻液供给部2A～2C进行与工艺第一次阶段与同样的处理。
如到此说明，在变形例4中，在一个处理槽31上连接有一个蚀刻液供给部2。由此，不需要对每个处理槽31设置多个蚀刻液供给部2，所以能够以低成本构成基片处理系统1。
此外，在变形例4中，通过混合装置10生成混合液M，并向处理槽31供给生成的混合液M。即，在为了浓度调节而从处理槽31排放的混合液M的排放量和通过混合装置10可生成的混合液M的生成量相等的情况下，能够实施图10所示的处理流程。
图11是表示实施方式的变形例5的基片处理系统1的结构的概略框图。在变形例5的基片处理系统1中设置有三个室101～103。
在室101中收容有由混合装置10A及硅溶液供给部25A构成的蚀刻液供给部2A、由混合装置10B及硅溶液供给部25B构成的蚀刻液供给部2B。
而且，从蚀刻液供给部2A经由送液路径22A向处理槽31A供给混合液M(参照图1)等，从蚀刻液供给部2B经由送液路径22B向处理槽31A供给混合液M及硅溶液。
另外，在室102中收容有由混合装置10C及硅溶液供给部25C构成的蚀刻液供给部2C、由混合装置10D及硅溶液供给部25D构成的蚀刻液供给部2D。
而且，从蚀刻液供给部2C经由送液路径22C向处理槽31B供给混合液M及硅溶液，从蚀刻液供给部2D经由送液路径22D向处理槽31B供给混合液M及硅溶液。
另外，在室103中收容有由混合装置10E及硅溶液供给部25E构成的蚀刻液供给部2E、由混合装置10F及硅溶液供给部25F构成的蚀刻液供给部2F。
而且，从蚀刻液供给部2E经由送液路径22E向处理槽31C供给混合液M及硅溶液，从蚀刻液供给部2F经由送液路径22F向处理槽31C供给混合液M及硅溶液。
图12是表示实施方式的变形例5的多个蚀刻液供给部2A～2F的处理流程的具体例的图。如图12所示，在液交换阶段，蚀刻液供给部2A首先通过混合装置10A生成混合液M。
随后，蚀刻液供给部2A经由送液路径22A向处理槽31A供给来自混合装置10A的混合液M、来自硅溶液供给部25A的硅溶液，实施该处理槽31A的液体交换处理。
与该蚀刻液供给部2A进行液体交换处理同时进行，蚀刻液供给部2B通过混合装置10B生成混合液M。
而且，接着液交换阶段进行的第一次工艺阶段，蚀刻液供给部2B向处理槽31A供给通过混合装置10B生成的混合液M。另外，基片处理系统1通过将含有硅溶液的混合液M从处理槽31A经由蚀刻液排放部34排放，实施处理槽31A的浓度调节处理。
与该蚀刻液供给部2B进行的浓度调节处理同时进行，蚀刻液供给部2A通过混合装置10A生成混合液M。
此外，在变形例5中，在混合装置10中的混合液生成时间比一次蚀刻处理的工艺时间短。因此，在变形例5中，蚀刻液供给部2A在生成了规定的量的混合液M之后，至下一次的第二次工艺阶段待机。
而且，在接着第一次工艺阶段进行的第二次工艺阶段，蚀刻液供给部2A向处理槽31A供给混合装置10A生成的混合液M。另外，基片处理系统1通过将含有硅溶液的混合液M从处理槽31A经由蚀刻液排放部34排放，实施处理槽31A的浓度调节处理。
与该蚀刻液供给部2A进行的浓度调节处理同时进行，蚀刻液供给部2B通过混合装置10B生成混合液M。而且，蚀刻液供给部2B在生成规定的量的混合液M之后，至下一次的第三次工艺阶段待机。
此外，如图12所示，在蚀刻液供给部2C、2D、蚀刻液供给部2E、2F进行与上述的蚀刻液供给部2A、2B的处理同样的处理。
如到此说明，在变形例5中，在一个处理槽31上连接有两个蚀刻液供给部2，从该两个蚀刻液供给部2针对每一次工艺专用地供给混合液M。
由此，能够向处理槽31供给高精度调制到期望的浓度及温度的混合液M。因此，根据变形例5，能够实施精度高的蚀刻处理。
图13是表示实施方式的变形例6的基片处理系统1的结构的概略框图。在变形例6的基片处理系统1中设置有五个室101～105。
此外，在变形例6的基片处理系统1中，室101～103的结构因为与上述的变形例5同样，所以详细的说明省略。
室104中收容有由混合装置10G及硅溶液供给部25G构成的蚀刻液供给部2G、由混合装置10H及硅溶液供给部25H构成的蚀刻液供给部2H。
而且，从蚀刻液供给部2G经由送液路径22G向处理槽31A供给混合液M及硅溶液，从蚀刻液供给部2H经由送液路径22H向处理槽31B供给混合液M及硅溶液。
另外，在室105收容有由混合装置10I及硅溶液供给部25I构成的蚀刻液供给部2I。而且，从蚀刻液供给部2I经由送液路径22I向处理槽31C供给混合液M及硅溶液。
图14是表示实施方式的变形例6的多个蚀刻液供给部2A～2I的处理流程的具体例的图。如图14所示，在第一次工艺阶段，蚀刻液供给部2A向处理槽31A供给通过混合装置10A生成的混合液M。
另外，基片处理系统1通过将含有硅溶液的混合液M从处理槽31A经由蚀刻液排放部34排放，实施处理槽31A的浓度调节处理。
与该蚀刻液供给部2A进行的浓度调节处理同时进行，蚀刻液供给部2B通过混合装置10B生成混合液M，蚀刻液供给部2G通过混合装置10G生成混合液M。
此外，在变形例6中，混合装置10中的混合液生成时间比一次蚀刻处理的工艺时间长。因此，在接着第一次艺阶段进行的第二次工艺阶段，蚀刻液供给部2B进行的混合液生成处理赶不上。
因此，在变形例6中，在赶不上第二次工艺阶段的时刻，从生成混合液M的蚀刻液供给部2G向处理槽31A供给混合液M。
另外，基片处理系统1通过将含有硅溶液的混合液M从处理槽31A经由蚀刻液排放部34排放，实施处理槽31A的浓度调节处理。
与该蚀刻液供给部2G进行的浓度调节处理同时进行，蚀刻液供给部2B继续混合装置10B中的混合液M的生成，蚀刻液供给部2A通过混合装置10A生成混合液M。此外，蚀刻液供给部2B在生成规定的量的混合液M之后，至下一次的第三次工艺阶段待机。
而且，在接着第二次工艺阶段进行的第三次工艺阶段，从完成混合液M的生成的蚀刻液供给部2B向处理槽31A供给混合液M。
另外，基片处理系统1通过将含有硅溶液的混合液M从处理槽31A经由蚀刻液排放部34排放，实施处理槽31A的浓度调节处理。
与该蚀刻液供给部2B进行的浓度调节处理同时进行，蚀刻液供给部2A继续混合装置10A中的混合液M的生成，蚀刻液供给部2G通过混合装置10G生成混合液M。此外，蚀刻液供给部2A在生成规定的量的混合液M之后，至下一次的第四次工艺阶段待机待。
此外，如图14所示，在蚀刻液供给部2C、2D、2H、蚀刻液供给部2E、2F、2I进行与上述的蚀刻液供给部2A、2B、2G的处理同样的处理。
如至此说明，在变形例6中，在一个处理槽31上连接有三个蚀刻液供给部2，从该三个蚀刻液供给部2按生成了混合液M的顺序供给混合液M。
由此，即使是混合装置10中的混合液生成时间比一次蚀刻处理的工艺时间长的情况，也能够向处理槽31供给高精度调制到期望的浓度及温度的混合液M。
因此，根据变形例6，即使是混合装置10中的混合液生成时间比一次蚀刻处理的工艺时间长的情况，也能够实施精度高的蚀刻处理。
此外，在变形例5及变形例6中，对在各送液路径22A～22I每一个上分别连接有硅溶液供给部25A～25I的例子进行了例示。另一方面，硅溶液供给部25不限定于与各送液路径22A～22I每一个连接的情况，也可以在各处理槽31A～31C每一个上各设置有一个硅溶液供给部25。
此外，在变形例5及变形例6中，对在基片处理系统1中设置有三个处理槽31A～31C的例子进行了例示，但设置于基片处理系统1的处理槽31的数目不限于三个。
实施方式的基片处理装置(基片处理系统1)包括处理槽31、混合装置10、送液路径22和硅溶液供给部25。处理槽31用于浸渍基片(晶片W)来进行处理。混合装置10将磷酸水溶液和用于抑制硅氧化物的析出的添加剂混合而生成混合液M。送液路径22从混合装置10向处理槽31输送混合液M。硅溶液供给部25与送液路径22及处理槽31的至少一者连接，向从混合装置10供给的混合液M供给含硅化合物水溶液(硅溶液)。由此，能够适当地实施用含有磷酸水溶液及硅溶液的蚀刻液E进行的蚀刻处理。
另外，在实施方式的基片处理装置(基片处理系统1)中，混合装置10具有罐14和从罐14出去并返回到罐14的循环路径15，送液路径22以从循环路径15分支的方式设置。由此，因为不需要为了混合液M的送液处理而在送液路径22上另外包括泵，所以能够以低成本输送混合液M。
另外，在实施方式的基片处理装置(基片处理系统1)中，循环路径15具有过滤混合液M的过滤器19和绕过过滤器19的旁通流路20。由此，在循环路径15，因为能够降低在过滤器19产生的压力损失，所以能够使贮存在罐14的混合液M高效循环。
另外，实施方式的基片处理装置(基片处理系统1)还包括在循环路径15中设置于比与送液路径22的分支部15c靠下游侧的背压阀51。由此，能够确保从分支部15c经由送液路径22、送液路径22d及返回路径24使混合液M返回到罐14所需要的压力。
另外，实施方式的基片处理装置(基片处理系统1)还包括设置于送液路径22的流量计55及温度计52。另外，流量计55基于由温度计52测量的混合液M的温度来修正混合液M的流量。由此，即使是混合液M的温度在从室温至高温的范围产生大的变化的情况，也能够正确评价在流量计55流动的混合液M的流量。
另外，实施方式的基片处理装置(基片处理系统1)还包括在送液路径22中从比流量计55靠下游侧分支返回到罐14的返回路径24。由此，能够更精确地实施将处理槽31内的硅浓度始终保持一定或一定以下的处理。
另外，实施方式的基片处理装置(基片处理系统1)还包括控制处理槽31、混合装置10、送液路径22、硅溶液供给部25的控制部。另外，控制部在要使混合液M在循环路径15循环来生成混合液M时，使背压阀51为全开，在要向送液路径22输送混合液M时，使背压阀51节流。由此，能够确保从分支部15c经由送液路径22、送液路径22d及返回路径24使混合液M返回到罐14所需要的压力。
另外，实施方式的基片处理装置(基片处理系统1)还包括控制处理槽31、混合装置10、送液路径22、硅溶液供给部25的控制部。另外，混合装置10具有加热混合液M的加热器17，控制部控制加热器17，基于有无向混合液M供给含硅化合物水溶液(硅溶液)来设定混合液M的温度。由此，在向混合液M供给硅溶液的情况下，能够抑制含有水分的硅溶液曝露在高温中而突然沸腾。另外，在不向混合液M供给硅溶液的情况下，能够抑制处理中的蚀刻液E因混合液M的供给而温度降低。
另外，实施方式的基片处理装置(基片处理系统1)对一个处理槽31设置多个混合装置10，多个混合装置10对一个处理槽31专用地供给混合液M。由此，能够向处理槽31供给被高精度地调制为期望的浓度及温度的混合液M。
另外，实施方式的基片处理装置(基片处理系统1)对多个处理槽31设置有多个混合装置10，从完成了混合液M的生成的混合装置10依次对需要供给混合液M的处理槽31供给混合液M。由此，即使是混合装置10中的混合液生成时间比一次蚀刻处理的工艺时间长的情况，也能够向处理槽31供给被高精度地调制为期望的浓度及温度的混合液M。
＜混合处理及基片处理的详细＞
随后，参照图15及图16，并对实施方式及变形例3的基片处理系统1实行的混合处理及基片处理的详细进行说明。图15是表示实施方式的混合处理及基片处理的处理次序的流程图。
首先，控制部判断在处理槽31是否浸渍晶片W(步骤S101)。而且，在处理槽31未浸渍晶片W的情况下(步骤S101，否)，例如在处理槽31实施液体交换处理的情况下，控制部实施通过混合装置10生成混合液M的混合液生成处理(步骤S102)。
接着，控制部通过控制加热器17，实施加热所生成的混合液M的加热处理(步骤S103)。在该步骤S103，控制部例如将混合液M加热至小于100℃的规定的温度。
接着，控制部控制硅溶液供给部25，实施向处理槽31供给硅溶液的硅溶液供给处理(步骤S104)。而且，控制部控制混合装置10及送液路径22，实施向处理槽31输送混合液M的混合液送液处理(步骤S105)。
此外，步骤S104的硅溶液供给处理和步骤S105的混合液送液处理的顺序也可以相反，也可以同时进行实施处理。
接着，控制部控制基片处理部30，实施加热供给了硅溶液的混合液M的加热处理(步骤S106)。在该步骤S106，控制部例如将供给了硅溶液的混合液M加热到165℃左右的温度。
最后，控制部控制基片处理部30，实施在供给了硅溶液的混合液M中浸渍晶片W的浸渍处理(步骤S107)，完成处理。
另一方面，在处理槽31浸渍晶片W的情况(步骤S101，Yes)，例如在处理槽31对晶片W进行蚀刻处理的情况，控制部实施通过混合装置10生成混合液M的混合液生成处理(步骤S108)。
接着，控制部通过控制加热器17，实施加热生成的混合液M的加热处理(步骤S109)。在该步骤S109中，控制部例如将混合液M加热至165℃左右的温度。
接着，控制部控制混合装置10及送液路径22，实施向处理槽31输送混合液M的混合液送液处理(步骤S110)。另外，控制部在与该混合液送液处理同时进行，实施从处理槽31排放含有实施硅溶液的混合液M的混合液排放处理(步骤S111)。
由此，硅从晶片W内的氮化硅膜析出，蚀刻液E的硅浓度变得过剩时，能够将蚀刻液E的硅浓度迅速地抑制在规定的浓度。而且，步骤S110及步骤S111结束时，完成处理。
图16是表示实施方式的变形例3的混合处理及基片处理的处理次序的流程图。首先，控制部判断在处理槽31中是否浸渍晶片W(步骤S201)。
而且，在处理槽31没有浸渍晶片W的情况(步骤S201，否)，例如在处理槽31实施液体交换处理的情况下，控制部实施通过混合装置10生成混合液M的混合液生成处理(步骤S202)。
接着，控制部通过控制加热器17，实施加热生成的混合液M的加热处理(步骤S203)。在该步骤S203中，控制部例如将混合液M加热到小于100℃的规定的温度。
接着，控制部控制混合装置10及送液路径22，实施向处理槽31输送混合液M的混合液送液处理(步骤S204)。而且，控制部控制硅溶液供给部25，实施向处理槽31供给硅溶液的硅溶液供给处理(步骤S205)。
接着，控制部控制基片处理部30，实施加热供给硅溶液的混合液M的加热处理(步骤S206)。在该步骤S206中，控制部例如将供给硅溶液的混合液M加热到165℃左右的温度。
最后，控制部控制基片处理部30，实施在供给了硅溶液的混合液M中浸渍晶片W的浸渍处理(步骤S207)，完成处理。
另一方面，在处理槽31中浸渍晶片W的情况(步骤S201，Yes)下，例如在处理槽31对晶片W进行蚀刻处理的情况下，控制部实施通过混合装置10生成混合液M的混合液生成处理(步骤S208)。
接着，控制部通过控制背压阀51，实施将背压阀51从全开状态变更为节流状态的背压阀节流处理(步骤S209)。
接着，控制部控制混合装置10、送液路径22及返回路径24，实施向处理槽31输送混合液M的混合液送液处理(步骤S210)。另外，控制部与该混合液送液处理同时进行，实施从处理槽31排放含有硅溶液的混合液M的混合液排放处理(步骤S211)。
由此，能够将处理槽31内的蚀刻液E的硅浓度始终保持一定或一定以下。而且，步骤S210及步骤S211结束时，完成处理。
实施方式的混合方法包括混合液生成步骤(步骤S102)和硅溶液供给步骤(步骤S104)。混合液生成步骤(步骤S102)混合磷酸水溶液和抑制硅氧化物的析出的添加剂(析出抑制剂)而生成混合液M。硅溶液供给步骤(步骤S104)向生成了的混合液M供给含硅化合物水溶液(硅溶液)。由此，能够适当地实施包含磷酸水溶液及硅溶液的蚀刻液E进行的蚀刻处理。
实施方式的基片处理方法包括混合液生成步骤(步骤S102)、硅溶液供给步骤(步骤S104)、浸渍步骤(步骤S107)。混合液生成步骤(步骤S102)将磷酸水溶液和抑制硅氧化物的析出的添加剂(析出抑制剂)混合来生成混合液M。硅溶液供给步骤(步骤S104)向生成了的混合液M供给含硅化合物水溶液(硅溶液)。浸渍步骤(步骤S107)将基片(晶片W)浸渍于被供给了硅溶液的混合液M中。由此，能够适当地实施用含有磷酸水溶液及硅溶液的蚀刻液E进行的蚀刻处理。
另外，在实施方式的基片处理方法中，在处理槽31中浸渍基片时，向处理槽31供给不含有含硅化合物水溶液(硅溶液)的混合液M(步骤S110)。另外，与该步骤S110一起，从处理槽31排放含有含硅化合物水溶液(硅溶液)的混合液M(步骤S111)。由此，在硅从晶片W内的氮化硅膜折出，蚀刻液E的硅浓度过剩时，能够将蚀刻液E的硅浓度迅速抑制在规定的浓度。
另外，实施方式的基片处理方法在硅溶液供给步骤(步骤S104)之后还包含对被供给了含硅化合物水溶液(硅溶液)的混合液M进行加热的加热步骤(步骤S106)。由此，能够在加热到规定的温度的蚀刻液E中对晶片W进行蚀刻处理。
另外，在实施方式的基片处理方法中，混合液生成步骤(步骤S102)通过具有罐14和从罐14出去并返回到罐14的循环路径15的混合装置10使混合液M在循环路径15循环。另外，硅溶液供给步骤(步骤S104)从以自循环路径15分支的方式设置的送液路径22向处理槽31输送混合液M。另外，在混合液生成步骤(步骤S102)中，使设置于循环路径15上的比与送液路径22的分支部15c靠下游侧的位置上的背压阀51全开，在硅溶液供给步骤(步骤S104)中，使背压阀51节流。由此，能够确保混合液M从分支部15c经由送液路径22、送液路径22d及返回路径24返回到罐14所需要的压力。
以上，对本发明的实施方式进行了说明，但本发明不限定于上述的实施方式，只要不脱离其主旨可进行各种变更。
应认为本发明的实施方式在所有的点均是例示而不是限制性的。实际上，上述的实施方式以多种方式具体化。另外，上述的实施方式也可以不脱离所附的专利要求的范围及其主旨，以各种方式省略、置换、变更。

Claims (12)

1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
处理槽，其用于浸渍基片来对该基片进行处理；
混合装置，其将磷酸水溶液与用于抑制硅氧化物的析出的添加剂混合来生成混合液；
送液路径，其从所述混合装置向所述处理槽输送所述混合液；和
硅溶液供给部，其与所述送液路径和所述处理槽中的至少一者连接，向从所述混合装置供给的所述混合液供给含硅化合物水溶液，
所述混合装置具有罐和从所述罐出去并返回所述罐的循环路径，
所述送液路径以从所述循环路径分支的方式设置，
在所述送液路径上设置有流量计，
所述基片处理装置还包括返回路径，其从所述送液路径上的比所述流量计靠下游侧的位置分支，并返回所述罐。
2.根据权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
所述循环路径具有过滤所述混合液的过滤器和绕过所述过滤器的旁通流路。
3.根据权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
还包括背压阀，其设置于所述循环路径上的比与所述送液路径的分支部靠下游侧的位置。
4.根据权利要求1～3中任一项所述基片处理装置，其特征在于：
还包括设置于所述送液路径上的温度计，
所述流量计基于由所述温度计测量的所述混合液的温度来修正所述混合液的流量。
5.根据权利要求3所述的基片处理装置，其特征在于：
还包括控制部，其控制所述处理槽、所述混合装置、所述送液路径和所述硅溶液供给部，
所述控制部在要使所述混合液在所述循环路径中循环来生成所述混合液时，使所述背压阀全开，在要将所述混合液输送到所述送液路径时，使所述背压阀节流。
6.根据权利要求1～3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
还包括控制部，其控制所述处理槽、所述混合装置、所述送液路径和所述硅溶液供给部，
所述混合装置具有能够加热所述混合液的加热器，
所述控制部控制所述加热器，基于有无向所述混合液供给所述含硅化合物水溶液来设定所述混合液的温度。
7.根据权利要求1～3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
对一个所述处理槽设置有多个所述混合装置，
多个所述混合装置对一个所述处理槽专用地供给所述混合液。
8.根据权利要求1～3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
对多个所述处理槽设置有多个所述混合装置，
从完成了所述混合液的生成的所述混合装置依次对需要供给所述混合液的所述处理槽供给所述混合液。
9.一种基片处理方法，其特征在于，包括：
混合液生成步骤，将磷酸水溶液与用于抑制硅氧化物的析出的添加剂混合来生成混合液；
硅溶液供给步骤，向生成了的所述混合液中供给含硅化合物水溶液；和
浸渍步骤，将基片浸渍于被供给了所述含硅化合物水溶液的所述混合液中，
在所述混合液生成步骤中，使用具有罐和从所述罐出去并返回所述罐的循环路径的混合装置，使所述混合液在所述循环路径中循环，
在所述硅溶液供给步骤中，从送液路径向处理槽输送所述混合液，其中，所述送液路径以从所述循环路径分支的方式设置，在所述送液路径上设置有流量计，
在所述处理槽不需要所述混合液的供给的情况下，经由所述循环路径、所述送液路径和从所述送液路径上的比所述流量计靠下游侧的位置分支并返回所述罐的返回路径，使所述混合液返回所述罐。
10.根据权利要求9所述的基片处理方法，其特征在于：
在所述基片被浸渍于处理槽时，向所述处理槽供给不含所述含硅化合物水溶液的所述混合液，并且从所述处理槽中排出含有所述含硅化合物水溶液的所述混合液。
11.根据权利要求9或10所述的基片处理方法，其特征在于：
还包括在所述硅溶液供给步骤后，对被供给了所述含硅化合物水溶液的所述混合液进行加热的加热步骤。
12.根据权利要求9或10所述的基片处理方法，其特征在于：
在所述混合液生成步骤中，使设置于所述循环路径上的比所述送液路径的分支部靠下游侧的位置上的背压阀全开，
在所述硅溶液供给步骤中，使所述背压阀节流。
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