JP7105937B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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Description
まず、実施形態に係る基板処理システム1の構成について図1を参照して説明する。図1は、実施形態に係る基板処理システム1の構成を示す概略ブロック図である。基板処理システム1は、基板処理装置の一例である。
つづいて、実施形態に係る基板処理システム1の各種変形例について、図4~図14を参照しながら説明する。図4は、実施形態の変形例1に係る基板処理システム1の構成を示す概略ブロック図である。なお、以下の各種変形例では、実施形態と同一の部位には同一の符号を付することにより重複する説明を省略する。
また、制御部は、混合液Mを循環路15で循環させて混合液Mを生成する際には背圧弁51を全開にし、混合液Mを送液路22に送液する際には背圧弁51を絞る。これにより、分岐部15cから送液路22、送液路22dおよび帰還路24を介して混合液Mをタンク14に戻すために必要な圧力を確保することができる。
つづいて、図15および図16を参照しながら、実施形態および変形例3に係る基板処理システム1が実行する混合処理および基板処理の詳細について説明する。図15は、実施形態に係る混合処理および基板処理の処理手順を示すフローチャートである。
2A~2I エッチング液供給部
10、10A~10I 混合装置
11 リン酸水溶液供給部
12 析出抑制剤供給部
14 タンク
15 循環路
15c 分岐部
16 ポンプ
17 ヒータ
22、22d 送液路
24 帰還路
25、25A~25I シリコン溶液供給部
30 基板処理部
31、31A~31C 処理槽
51 背圧弁
52 温度計
55 流量計
W ウェハ(基板の一例)
M 混合液
E エッチング液
Claims (6)
- 基板を浸漬して処理する処理槽と、
リン酸水溶液とシリコン酸化物の析出を抑制する添加剤とを混合して混合液を生成する混合装置と、
前記混合装置から前記処理槽に前記混合液を送る送液路と、
前記混合装置から供給される前記混合液にシリコン含有化合物水溶液を供給するシリコン溶液供給部と、
前記処理槽と、前記混合装置と、前記送液路と、前記シリコン溶液供給部とを制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、前記処理槽で前記基板が浸漬されているときには、前記シリコン含有化合物水溶液を含まない前記混合液を前記処理槽に供給するよう制御する
基板処理装置。 - 前記送液路には流量計が設けられ、
前記送液路は、前記流量計よりも下流側から分岐し、前記混合装置に設けられるタンクに戻る帰還路を備える
請求項1に記載の基板処理装置。 - 1つの前記処理槽に対して複数の前記混合装置が設けられ、
前記制御部は、複数の前記混合装置が1つの前記処理槽に対して排他的に前記混合液を供給するように制御する
請求項1または2に記載の基板処理装置。 - 複数の前記処理槽に対して複数の前記混合装置が設けられ、
前記制御部は、前記混合液の供給が必要な前記処理槽に対して前記混合液の生成が完了した前記混合装置から順に前記混合液を供給するように制御する
請求項1または2に記載の基板処理装置。 - リン酸水溶液とシリコン酸化物の析出を抑制する添加剤とを混合して混合液を生成する混合液生成工程と、
生成された前記混合液にシリコン含有化合物水溶液を供給するシリコン溶液供給工程と、
前記シリコン含有化合物水溶液が供給された前記混合液に基板を浸漬する浸漬工程と、
を含み、
処理槽で前記基板が浸漬されているときには、前記シリコン含有化合物水溶液を含まない前記混合液を前記処理槽に供給する
基板処理方法。 - 前記シリコン溶液供給工程の後に、前記シリコン含有化合物水溶液が供給された前記混合液を加温する加温工程
をさらに含む
請求項5に記載の基板処理方法。
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