CN111696889A - 混合装置、混合方法以及基板处理系统 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种混合装置、混合方法以及基板处理系统。高效地混合磷酸水溶液和抑制硅氧化物的沉积的添加剂。本公开的一个方式的混合装置具备磷酸水溶液供给部、添加剂供给部、罐、磷酸水溶液供给线路以及添加剂供给线路。磷酸水溶液供给部用于供给磷酸水溶液。添加剂供给部用于供给抑制硅氧化物的沉积的添加剂。磷酸水溶液供给线路将磷酸水溶液供给部与罐连接。添加剂供给线路将添加剂供给部与罐连接。另外，混合装置一边对从磷酸水溶液供给部供给到罐的磷酸水溶液提供流动性，一边供给添加剂。

Description

混合装置、混合方法以及基板处理系统
技术领域
本公开的实施方式涉及一种混合装置、混合方法以及基板处理系统。
背景技术
以往，已知在基板处理系统中通过使基板浸渍于包含磷酸水溶液和抑制硅氧化物(SiO2)的沉积的添加剂的蚀刻液中来对该基板进行蚀刻处理的技术(参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2017-118092号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开提供一种能够高效地混合磷酸水溶液和抑制硅氧化物的沉积的添加剂的技术。
用于解决问题的方案
本公开的一个方式的混合装置具备磷酸水溶液供给部、添加剂供给部、罐、磷酸水溶液供给线路、添加剂供给线路。磷酸水溶液供给部用于供给磷酸水溶液。添加剂供给部用于供给抑制硅氧化物的沉积的添加剂。磷酸水溶液供给线路将所述磷酸水溶液供给部与所述罐连接。添加剂供给线路将所述添加剂供给部与所述罐连接。另外，所述混合装置一边对从所述磷酸水溶液供给部供给到所述罐的所述磷酸水溶液提供流动性，一边供给所述添加剂。
发明的效果
根据本公开，能够高效地混合磷酸水溶液和抑制硅氧化物的沉积的添加剂。
附图说明
图1是示出实施方式所涉及的基板处理系统的结构的概要框图。
图2是示出实施方式所涉及的蚀刻液生成处理中的混合装置的各部的行为模式的具体例的时序图。
图3是示出实施方式的变形例1所涉及的混合装置的结构的概要框图。
图4是示出实施方式的变形例1所涉及的蚀刻液生成处理中的混合装置的各部的行为模式的具体例的时序图。
图5是示出实施方式的变形例2所涉及的混合装置的结构的概要框图。
图6是示出实施方式的变形例3所涉及的混合装置的结构的概要框图。
图7是示出实施方式的变形例4所涉及的混合装置的结构的概要框图。
图8是示出实施方式的变形例5所涉及的混合装置的结构的概要框图。
图9是示出实施方式的变形例6所涉及的混合装置的结构的概要框图。
图10是示出实施方式的变形例7所涉及的混合装置的结构的概要框图。
图11是示出实施方式的变形例8所涉及的混合装置的结构的概要框图。
图12是示出实施方式的变形例9所涉及的混合装置的结构的概要框图。
图13是示出实施方式的变形例10所涉及的混合装置的结构的概要框图。
图14是示出实施方式的变形例10所涉及的蚀刻液生成处理中的混合装置的各部的行为模式的具体例的时序图。
图15是示出实施方式的变形例11所涉及的混合装置的结构的概要框图。
图16是示出实施方式的变形例12所涉及的混合装置的结构的概要框图。
图17是示出实施方式的变形例13所涉及的混合装置的结构的概要框图。
图18是示出实施方式的变形例13所涉及的蚀刻液生成处理中的混合装置的各部的行为模式的具体例的时序图。
图19是示出实施方式的变形例14所涉及的基板处理系统的结构的概要框图。
图20是示出实施方式所涉及的蚀刻液生成处理和基板处理的处理顺序的流程图。
附图标记说明
1、1A：基板处理系统；10：混合装置；11：磷酸水溶液供给部；11b：磷酸水溶液供给线路；12：沉积抑制剂供给部(添加剂供给部的一例)；12b：沉积抑制剂供给线路(添加剂供给线路的一例)；12d：沉积抑制剂供给口(添加剂供给口的一例)；13：硅溶液供给部；14：罐；14a：内槽；14b：外槽；15：循环线路；15a：入口；15b：出口；16：泵；17：加热器；24：鼓泡装置；25：搅拌翼；26：超声波产生装置；30、50：基板处理装置；31：处理槽；W：晶圆(基板的一例)；L：磷酸水溶液；La：液面；E：蚀刻液(混合液的一例)。
具体实施方式
以下，参照附图来详细说明本申请公开的混合装置、混合方法以及基板处理系统的实施方式。此外，并不通过以下示出的实施方式来限定本公开。另外，需要留意的是，附图是示意性的，各要素的尺寸的关系、各要素的比率等有时与实际中的不同。并且，有时在附图相互之间也包括彼此的尺寸的关系、比率不同的部分。
以往，已知在基板处理系统中通过使基板浸渍于包含磷酸水溶液和抑制硅氧化物的沉积的添加剂的蚀刻液中来对该基板进行蚀刻处理的技术。
例如，能够通过使基板浸渍于磷酸(H3PO4)水溶液中，选择性地蚀刻层叠于基板上的氮化硅膜(SiN)和氧化硅膜(SiO2)中的氮化硅膜。
并且，能够通过向磷酸水溶液中追加抑制硅氧化物的沉积的添加剂(以下，也称作“沉积抑制剂”。)，在蚀刻处理时抑制硅氧化物沉积于氧化硅膜上。
然而，在生成该蚀刻液时，如果磷酸水溶液与沉积抑制剂没有良好地混合，则在蚀刻处理时有可能产生蚀刻不均匀等不良。另一方面，当为了使磷酸水溶液与沉积抑制剂良好地混合而在该混合处理花费大量时间时，有可能不能充足地供给蚀刻处理所需要的液量。
因此，期望一种能够高效地混合磷酸水溶液和沉积抑制剂的技术。
<基板处理系统的结构>
首先，参照图1来说明实施方式所涉及的基板处理系统1的结构。图1示出实施方式所涉及的基板处理系统1的结构的概要框图。
基板处理系统1具备混合装置10和基板处理装置30。混合装置10将磷酸水溶液L、抑制硅氧化物的沉积的沉积抑制剂以及含硅化合物水溶液(以下，也称作“硅溶液”。)混合，来生成蚀刻液E。沉积抑制剂是添加剂的一例，蚀刻液E是混合液的一例。
即，实施方式所涉及的蚀刻液E含有磷酸水溶液L、沉积抑制剂以及硅溶液。此外，实施方式所涉及的蚀刻液E也可以不一定含有硅溶液。
基板处理装置30使晶圆W浸渍于由混合装置10生成的蚀刻液E中来对该晶圆W实施蚀刻处理。晶圆W是基板的一例。在实施方式中，例如，能够选择性地蚀刻形成于晶圆W上的氮化硅膜(SiN)和氧化硅膜(SiO2)中的氮化硅膜。
混合装置10具备磷酸水溶液供给部11、沉积抑制剂供给部12、硅溶液供给部13、罐14以及循环线路15。沉积抑制剂供给部12是添加剂供给部的一例。
磷酸水溶液供给部11向罐14供给磷酸水溶液L。该磷酸水溶液供给部11具有磷酸水溶液供给源11a、磷酸水溶液供给线路11b以及流量调整器11c。
磷酸水溶液供给源11a例如是贮存磷酸水溶液L的罐。磷酸水溶液供给线路11b将磷酸水溶液供给源11a与罐14连接，从磷酸水溶液供给源11a向罐14供给磷酸水溶液L。
流量调整器11c设置于磷酸水溶液供给线路11b，用于调整向罐14供给的磷酸水溶液L的流量。流量调整器11c由开闭阀、流量控制阀、流量计等构成。
沉积抑制剂供给部12向罐14供给沉积抑制剂。该沉积抑制剂供给部12具有沉积抑制剂供给源12a、沉积抑制剂供给线路12b以及流量调整器12c。沉积抑制剂供给线路12b是添加剂供给线路的一例。
沉积抑制剂供给源12a例如是贮存沉积抑制剂的罐。沉积抑制剂供给线路12b将沉积抑制剂供给源12a与罐14连接，从沉积抑制剂供给源12a向罐14供给沉积抑制剂。
另外，沉积抑制剂供给线路12b在出口处具有沉积抑制剂供给口12d。沉积抑制剂供给口12d是添加剂供给口的一例。而且，从该沉积抑制剂供给口12d向贮存于罐14内的磷酸水溶液L的液面La喷出沉积抑制剂。
流量调整器12c设置于沉积抑制剂供给线路12b，用于调整向罐14供给的沉积抑制剂的流量。流量调整器12c由开闭阀、流量控制阀、流量计等构成。
实施方式所涉及的沉积抑制剂包含抑制硅氧化物的沉积的成分即可。例如，也可以包含使在磷酸水溶液L中溶解的硅离子以溶解后的状态稳定化来抑制硅氧化物的沉积的成分。另外，也可以包含以其它公知的方法抑制硅氧化物的沉积的成分。
在实施方式所涉及的沉积抑制剂中，例如能够使用含氟元素成分的氟硅酸(Hexafluorosilicic acid)(H2SiF6)水溶液。另外，为了使水溶液中的氟硅酸稳定化，也可以包含氨(ammonia)等添加物。
作为实施方式所涉及的沉积抑制剂，例如能够使用氟硅酸铵(NH4)2SiF6、氟硅酸钠(Na2SiF6)等。
另外，实施方式所涉及的沉积抑制剂也可以是包含离子半径为
Figure BDA0002396695670000051
至
Figure BDA0002396695670000052
的阳离子元素的化合物。在此，“离子半径”是指从根据晶格的晶格常数获得的阴离子与阳离子的半径之和通过经验求出的离子的半径。
实施方式所涉及的沉积抑制剂例如也可以包含铝、钾、锂、钠、镁、钙、锆、钨、钛、钼、铪、镍以及铬中的任一个元素的氧化物。
另外，实施方式所涉及的沉积抑制剂也可以替代或除了上述任一个元素的氧化物外，包括上述的任一个元素的氮化物、氯化物、溴化物、氢氧化物以及硝酸盐中的至少一个。
实施方式所涉及的沉积抑制剂例如也可以包含Al(OH)3、AlCl3、AlBr3、Al(NO3)3、Al2(SO4)3、AlPO4以及Al2O3中的至少一个。
另外，实施方式所涉及的沉积抑制剂也可以包含KCl、KBr、KOH以及KNO3中的至少一个。并且，实施方式所涉及的沉积抑制剂也可以是LiCl、NaCl、MgCl2、CaCl2以及ZrCl4中的至少一个。
硅溶液供给部13向罐14供给硅溶液。实施方式所涉及的硅溶液例如是使胶态二氧化硅(colloidal silicon)分散所得到的溶液。硅溶液供给部13具有硅溶液供给源13a、硅溶液供给线路13b以及流量调整器13c。
硅溶液供给源13a例如是贮存硅溶液的罐。硅溶液供给线路13b将硅溶液供给源13a与罐14连接，从硅溶液供给源13a向罐14供给硅溶液。
流量调整器13c设置于硅溶液供给线路13b，用于调整向罐14供给的硅溶液的流量。流量调整器13c由开闭阀、流量控制阀、流量计等构成。
罐14用于贮存从磷酸水溶液供给部11供给的磷酸水溶液L、从沉积抑制剂供给部12供给的沉积抑制剂以及从硅溶液供给部13供给的硅溶液。另外，罐14贮存将磷酸水溶液L、沉积抑制剂以及硅溶液混合而生成的蚀刻液E。
循环线路15是从罐14出去并返回该罐14的循环线路。循环线路15具有设置于罐14的底部的入口15a和设置于罐14的上部的出口15b，形成从该入口15a朝向出口15b流动的循环流。此外，在实施方式中，出口15b配置于贮存于罐14内的磷酸水溶液L的液面La的上方。
在循环线路15上，以罐14为基准，从上游侧按顺序设置有泵16、加热器17、开闭阀18、过滤器19以及分支部15c。另外，从分支部15c分支出向基板处理装置30的处理槽31输送蚀刻液E的送液线路22。
泵16用于形成从罐14出去、通过循环线路15并返回罐14的磷酸水溶液L的循环流。
加热器17对在循环线路15内循环的磷酸水溶液L进行加热。在实施方式中，由该加热器17对磷酸水溶液L进行加热，由此对贮存于罐14内的磷酸水溶液L进行加热。
过滤器19去除在循环线路15内循环的蚀刻液E所包含的微粒等污染物质。此外，在循环线路15上设置有绕过该过滤器19的旁通流路20，在该旁通流路20上设置有开闭阀21。
而且，能够通过使设置于循环线路15的开闭阀18和设置于旁通流路20的开闭阀21互不相同地开闭，来形成流过过滤器19的循环流和绕过过滤器19的循环流中的任一个循环流。
在此，在实施方式中，为了高效地混合磷酸水溶液L和沉积抑制剂，而一边对磷酸水溶液L提供流动性一边供给沉积抑制剂。例如，在实施方式中，通过使泵16工作在循环线路15中形成循环流，来对磷酸水溶液L提供流动性。
像这样，能够通过一边对磷酸水溶液L提供流动性一边供给沉积抑制剂，来增加磷酸水溶液L与沉积抑制剂的接触面积。因而，根据实施方式，能够高效地混合磷酸水溶液L和沉积抑制剂。
另外，在实施方式中，从沉积抑制剂供给线路12b向罐14供给沉积抑制剂的沉积抑制剂供给口12d可以与循环线路15的出口15b相邻地设置。由此，能够向从出口15b喷出并具有大的流动性的磷酸水溶液L直接供给沉积抑制剂。
因而，根据实施方式，能够进一步增加磷酸水溶液L与沉积抑制剂的接触面积，因此能够更高效地混合磷酸水溶液L和沉积抑制剂。
在此，参照图2来说明混合装置10中的蚀刻液生成处理的详情。图2是示出实施方式所涉及的蚀刻液生成处理中的混合装置10的各部的行为模式的具体例的时序图。此外，该混合装置10的各部由设置于基板处理系统1的控制部(未图示)控制。
该控制部控制图1所示的基板处理系统1的各部(混合装置10、基板处理装置30等)的动作。控制部基于来自开关、各种传感器等的信号，来控制基板处理系统1的各部的动作。
该控制部例如是计算机，具有可由计算机读取的存储介质(未图示)。在该存储介质中保存有对在基板处理系统1中执行的各种处理进行控制的程序。
控制部通过读出并执行存储于存储介质的程序来控制基板处理系统1的动作。此外，程序保存于可由计算机读取的存储介质，也可以从其它的存储介质安装到控制部的存储介质。
作为可由计算机读取的存储介质，例如有硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。
如图2所示，在实施方式所涉及的蚀刻液生成处理中，按照顺序实施混合处理、加热处理以及过滤(filtration)处理。首先，控制部通过从时间T0起使磷酸水溶液供给部11动作(成为开启状态)，向罐14供给磷酸水溶液L，来开始混合处理。
此外，在该时间T0的时间点，沉积抑制剂供给部12、硅溶液供给部13、泵16以及加热器17不动作(处于关闭状态)。另外，在该时间T0的时间点，开闭阀18处于关闭状态，并且开闭阀21处于开启状态，因此过滤器19处于被旁通流路20绕过的状态(过滤器旁通开启状态)。
接着，在罐14中贮存了规定的量的磷酸水溶液L的时间T1，控制部使泵16动作(成为开启状态)，来在循环线路15中形成循环流。由此，能够对贮存于罐14中的磷酸水溶液L提供流动性。
此外，能够通过在罐14中贮存了规定的量的磷酸水溶液L后使泵16动作，来抑制在循环线路15中混入空气从而使泵16发生问题的情况。
接着，在从时间T1起经过规定的时间并对磷酸水溶液L提供了充足的流动性的时间T2，控制部使沉积抑制剂供给部12动作(成为开启状态)，来向罐14供给沉积抑制剂。
由此，能够向被提供了充足的流动性的磷酸水溶液L中混合沉积抑制剂，因此能够高效地混合磷酸水溶液L和沉积抑制剂。
另外，在实施方式中，可以以使沉积抑制剂在罐14内流动的磷酸水溶液L的液面La上扩散的方式来供给沉积抑制剂。即，在实施方式中，可以与磷酸水溶液L的流动性相匹配地每次少量供给沉积抑制剂。换言之，在实施方式中，可以基于磷酸水溶液L的流动性来设定沉积抑制剂的供给量。
由此，能够抑制磷酸水溶液L中的沉积抑制剂的浓度局部上升。因而，根据实施方式，能够抑制由于沉积抑制剂的浓度局部上升而产生的沉积抑制剂的凝胶化(gelation)。
接着，在从时间T2起经过了规定的时间的时间T3，控制部使硅溶液供给部13动作(成为开启状态)，向罐14供给硅溶液。然后，在规定的量的沉积抑制剂和硅溶液被供给到罐14的时间T4，控制部停止沉积抑制剂供给部12和硅溶液供给部13(成为关闭状态)。
接着，在规定的量的磷酸水溶液L被供给到罐14的时间T5，控制部停止磷酸水溶液供给部11(成为关闭状态)。然后，到时间T6为止在循环线路15内形成循环流来混合罐14内的药液，由此混合处理完成。
此外，在图2的例中，示出了在晚于开始供给沉积抑制剂的定时开始供给硅溶液的例子，但也可以是在相同定时(时间T2)开始供给沉积抑制剂和硅溶液。
接下来，控制部从时间T6起使加热器17动作(成为开启状态)，对在循环线路15内循环的蚀刻液E进行加热，由此开始加热处理。控制部通过利用该加热器17对蚀刻液E进行加热，来对贮存于罐14内的蚀刻液E进行加热。
此外，在使用设置于罐14的液面传感器(未图示)来称量磷酸水溶液L、沉积抑制剂等的液量的情况下，存在被贮存的磷酸水溶液L的温度变化对称量的精度造成不良影响的情况。
因此，在实施方式中，从各药液的称量完成并且混合处理完成后的时间点(时间T6)起开始加热处理。由此，能够良好地维持各药液的称量精度。
接着，在罐14内的蚀刻液E被加热到规定的温度(例如，165℃)的时间T7，加热处理完成。像这样，在实施方式中，能够通过在混合装置10设置实施加热处理的加热器17，来向基板处理装置30供给被加热的蚀刻液E。
另外，在实施方式中，能够通过在混合装置10的循环线路15上设置加热器17，来高效地加热蚀刻液E。
此外，在实施方式所涉及的蚀刻液生成处理中，在混合处理完后开始加热处理。这是由于当向被加热而温度上升了的磷酸水溶液L供给包含有机溶剂的沉积抑制剂时，有可能使该沉积抑制剂发生突沸。
即，根据实施方式，能够通过在混合处理完成后开始加热处理，来抑制在供给时沉积抑制剂发生突沸的情况。
另外，同样的是，当向被加热而温度上升了的磷酸水溶液L供给包含水分的硅溶液时，有可能使硅溶液突沸。即，根据实施方式，能够通过在混合处理完成后开始加热处理，来抑制在供给时硅溶液发生突沸的情况。
接下来，控制部通过从时间T7起使过滤器旁通成为关闭状态，开始过滤处理。即，控制部从时间T7起将开闭阀18变更为开启状态并且将开闭阀21变更为关闭状态，来在循环线路15中形成流过过滤器19的循环流。由此，去除蚀刻液E所包含的微粒等污染物质。
然后，在蚀刻液E所包含的微粒等污染物质被充分去除的时间T8，过滤处理完成。通过到此为止的处理，实施方式所涉及的蚀刻液生成处理完成。
此外，在实施方式所涉及的蚀刻液生成处理中，在混合处理和加热处理中使过滤器旁通成为了开启状态。由此，能够在循环线路15中，降低由过滤器19产生的压力损失，因此能够使贮存于罐14内的磷酸水溶液L高效地循环。
因而，根据实施方式，能够通过使过滤器旁通成为开启状态，对磷酸水溶液L高效地提供流动性。此外，到加热处理完成为止，不需要通过过滤器19过滤磷酸水溶液L等，因此即使经由旁通流路20来循环也没有特别的问题。
回到图1，继续说明基板处理系统1的其它的部位。基板处理装置30将晶圆W浸渍于由混合装置10生成的蚀刻液E中，来对该晶圆W实施蚀刻处理。
基板处理装置30具备处理槽31、循环线路32、DIW供给部33以及蚀刻液排出部34。处理槽31具有内槽31a和外槽31b。
内槽31a上部开放，将蚀刻液E供给到上部附近为止。在该内槽31a中，利用基板升降机构35将多个晶圆W浸渍于蚀刻液E中，来对晶圆W进行蚀刻处理。该基板升降机构35构成为可升降，将多个晶圆W以垂直姿势前后排列的方式保持。
外槽31b设置于内槽31a的上部周围，并且上部开放。从内槽31a溢出(overflow)的蚀刻液E流入外槽31b。另外，从混合装置10经由送液线路22向外槽31b供给蚀刻液E，从DIW供给部33供给DIW(DeIonized Water：去离子水)。
此外，在送液线路22上设置流量调整器23。该流量调整器23用于调整向处理槽31供给的蚀刻液E的流量。流量调整器23由开闭阀、流量控制阀、流量计等构成。
DIW供给部33具有DIW供给源33a、DIW供给线路33b以及流量调整器33c。DIW供给部33为了补充从被加热的蚀刻液E蒸发出的水分，而向外槽31b供给DIW。
DIW供给线路33b将DIW供给源33a与外槽31b连接，从DIW供给源33a向外槽31b供给规定温度的DIW。
流量调整器33c设置于DIW供给线路33b，用于调整向外槽31b供给的DIW的供给量。流量调整器33c由开闭阀、流量控制阀、流量计等构成。通过流量调整器33c调整DIW的供给量，由此调整蚀刻液E的温度、磷酸浓度、硅浓度以及沉积抑制剂浓度。
另外，在外槽31b设置有温度传感器36和磷酸浓度传感器37。温度传感器36用于检测蚀刻液E的温度，磷酸浓度传感器37用于检测蚀刻液E的磷酸浓度。由温度传感器36和磷酸浓度传感器37生成的信号被发送到上述的控制部。
外槽31b和内槽31a通过循环线路32连接。循环线路32的一端与外槽31b的底部连接，循环线路32的另一端与设置于内槽31a内的处理液供给喷嘴38连接。
在循环线路32上从外槽31b侧起按照顺序设置有泵39、加热器40、过滤器41以及硅浓度传感器42。
泵39用于形成从外槽31b经由循环线路32输送到内槽31a的蚀刻液E的循环流。另外，蚀刻液E通过从内槽31a溢出，再次向外槽31b流出。像这样，在基板处理装置30内形成蚀刻液E的循环流。即，在外槽31b、循环线路32以及内槽31a中形成该循环流。
加热器40用于调整在循环线路32中循环的蚀刻液E的温度。过滤器41用于过滤在循环线路32中循环的蚀刻液E。硅浓度传感器42用于检测在循环线路32中循环的蚀刻液E的硅浓度。由硅浓度传感器42生成的信号被发送到控制部。
蚀刻液排出部34在更换在蚀刻处理中使用了的蚀刻液E的全部或一部分时将蚀刻液E向排水管DR排出。蚀刻液排出部34具有排出线路34a、流量调整器34b以及冷却罐34c。
排出线路34a与循环线路32连接。流量调整器34b设置于排出线路34a，用于调整被排出的蚀刻液E的排出量。流量调整器34b由开闭阀、流量控制阀、流量计等构成。
冷却罐34c暂时贮存流过了排出线路34a的蚀刻液E并对其进行冷却。在冷却罐34c中，通过流量调整器34b来调整蚀刻液E的排出量。
<变形例>
接下来，参照图3～图18来说明实施方式所涉及的混合装置10的各种变形例。图3是示出实施方式的变形例1所涉及的混合装置10的结构的概要框图。
此外，在以下的各种变形例中，通过对与实施方式相同的部位赋予相同的附图标记来省略重复说明。另外，在以后的附图中，为了易于理解混合处理，而示出磷酸水溶液L贮存于罐14内的状态。
如图3所示，在变形例1所涉及的混合装置10中，沉积抑制剂供给部12中的沉积抑制剂供给线路12b的结构与实施方式不同。具体的是，沉积抑制剂供给线路12b分支为多个流路。
而且，在变形例1中，在罐14的上部在水平方向上分割设置多个沉积抑制剂供给口12d。即，在变形例1中，多个沉积抑制剂供给口12d设置于在水平方向上互不相同的位置。
此外，在本公开中，“罐14的上部”是指罐14的高度方向上的从中央起上侧的位置，“罐14的下部”是指罐14的高度方向上的从中央起下侧的位置。
在该变形例1中，沉积抑制剂供给部12使用多个沉积抑制剂供给口12d将沉积抑制剂分割为多点，并向被贮存的磷酸水溶液L的液面La供给。由此，能够增加磷酸水溶液L与沉积抑制剂的接触面积。因而，根据变形例1，能够更高效地混合磷酸水溶液L和沉积抑制剂。
另外，在变形例1中，将沉积抑制剂分割为多点来向磷酸水溶液L供给，因此能够抑制磷酸水溶液L中的沉积抑制剂的浓度局部上升。由此，能够抑制由沉积抑制剂的浓度局部上升而产生的沉积抑制剂的凝胶化。
因而，根据变形例1，能够将未凝胶化的状态良好的沉积抑制剂与磷酸水溶液L混合。此外，在图3的例中，示出了使沉积抑制剂供给线路12b分支出4个流路的例子，但是分支出的流路的数量不限于4个。
另外，在变形例1中，可以以使沉积抑制剂在罐14内流动的磷酸水溶液L的液面La上扩散的方式供给沉积抑制剂。即，在变形例1中，可以与磷酸水溶液L的流动性相匹配地每次少量供给沉积抑制剂。换言之，在变形例1中，可以基于磷酸水溶液L的流动性来设定沉积抑制剂的供给量。
由此，能够进一步抑制磷酸水溶液L中的沉积抑制剂的浓度局部上升，能够进一步抑制沉积抑制剂的凝胶化。
图4是示出实施方式的变形例1所涉及的蚀刻液生成处理中的混合装置10的各部的行为模式的具体例的时序图。如图4所示，在变形例1所涉及的蚀刻液生成处理中，沉积抑制剂的供给定时与实施方式不同。
具体的是，在变形例1中，在时间T0开始混合处理后，在与使泵16动作的定时(时间T1)相同的定时开始沉积抑制剂的供给。之后的处理与实施方式相同，因此省略详细说明。
图5是示出实施方式的变形例2所涉及的混合装置10的结构的概要框图。如图5所示，在变形例2所涉及的混合装置10中，多个沉积抑制剂供给口12d的配置与变形例1不同。
具体的是，多个沉积抑制剂供给口12d不仅在水平方向上分割配置，在高度方向上也分割配置。换言之，在变形例2中，多个沉积抑制剂供给口12d设置于在水平方向和高度方向上互不相同的位置。
由此，能够在更广的范围内以多点供给沉积抑制剂，因此能够更高效地混合磷酸水溶液L和沉积抑制剂。
另外，在变形例2中，能够不仅向被贮存的磷酸水溶液L的液面La供给沉积抑制剂，还向磷酸水溶液L的液中供给沉积抑制剂。而且，实施方式所涉及的沉积抑制剂包含有机溶剂，因此比重比磷酸水溶液L轻。
因此，通过像变形例2那样将沉积抑制剂向磷酸水溶液L的液中供给，能够抑制沉积抑制剂只滞留在磷酸水溶液L的液面La的情况。
即，在变形例2中，通过将沉积抑制剂向磷酸水溶液L的液中供给，能够抑制沉积抑制剂的浓度在液面La局部增加而使沉积抑制剂凝胶化的情况。因而，根据变形例2，能够将未凝胶化的状态良好的沉积抑制剂与磷酸水溶液L混合。
另外，在变形例2中，可以向在罐14内流动的磷酸水溶液L的液中，以不损害该磷酸水溶液L的流动性的方式供给沉积抑制剂。即，可以以比磷酸水溶液L的流速更慢的流速来供给沉积抑制剂。
由此，能够抑制损害磷酸水溶液L的流动性而使沉积抑制剂未良好地混合的情况。
此外，变形例2中的蚀刻液生成处理以与图4的例子同样的时序图来实施即可。
图6是示出实施方式的变形例3所涉及的混合装置10的结构的概要框图。如图6所示，在变形例3所涉及的混合装置10中，在沉积抑制剂供给口12d设置喷淋喷嘴12e。该喷淋喷嘴12e设置于罐14的上部，向磷酸水溶液L的液面La供给沉积抑制剂。
在该变形例3中，喷淋喷嘴12e向被贮存的磷酸水溶液L的液面La以薄铺的方式供给沉积抑制剂。由此，能够进一步增加磷酸水溶液L与沉积抑制剂的接触面积。因而，根据变形例3，能够更高效地混合磷酸水溶液L和沉积抑制剂。
另外，在变形例3中，喷淋喷嘴12e将沉积抑制剂以薄铺的方式向磷酸水溶液L供给，因此能够抑制磷酸水溶液L内的沉积抑制剂的浓度局部上升。
因而，根据变形例3，能够抑制沉积抑制剂在被供给到磷酸水溶液L时发生凝胶化。
另外，在变形例3中，可以以使沉积抑制剂在罐14内流动的磷酸水溶液L的液面La上扩散的方式供给沉积抑制剂。即，在变形例3中，可以与磷酸水溶液L的流动性相匹配地每次少量供给沉积抑制剂。换言之，在变形例3中，可以基于磷酸水溶液L的流动性来设定沉积抑制剂的供给量。
由此，能够进一步抑制磷酸水溶液L中的沉积抑制剂的浓度局部上升，因此能够进一步抑制沉积抑制剂的凝胶化。
此外，变形例3中的蚀刻液生成处理以与图4的例子相同的时序图来实施即可。另外，喷淋喷嘴12e不限于设置在罐14的上部的情况，也可以设置在罐14的下部。而且，也可以是，从设置于该罐14的下部的喷淋喷嘴12e向被贮存的磷酸水溶液L的液中供给沉积抑制剂。
图7是示出实施方式的变形例4所涉及的混合装置10的结构的概要框图。如图7所示，在变形例4所涉及的混合装置10中，在磷酸水溶液供给线路11b上设置混合器(mixer)11d。该混合器11d例如是直列式混合器(inline mixer)、静态混合器(static mixer)等。
而且，沉积抑制剂供给部12向混合器11d供给沉积抑制剂。由此，能够通过混合器11d向被提供了大的流动性的磷酸水溶液L供给沉积抑制剂。
因而，根据变形例4，能够更高效地混合磷酸水溶液L和沉积抑制剂。
另外，在变形例4中，可以向在磷酸水溶液供给线路11b内流动的磷酸水溶液L的液中，以不损害该磷酸水溶液L的流动性的方式供给沉积抑制剂。即，可以以比磷酸水溶液L的流速更慢的流速来供给沉积抑制剂。
由此，能够抑制损害磷酸水溶液L的流动性而使沉积抑制剂未良好地混合的情况。此外，变形例4中的蚀刻液生成处理以与图4的例子相同的时序图实施即可。
图8是示出实施方式的变形例5所涉及的混合装置10的结构的概要框图。如图8所示，在变形例5所涉及的混合装置10中，沉积抑制剂供给部12的沉积抑制剂供给口12d设置于罐14的下部。而且，从该沉积抑制剂供给口12d向磷酸水溶液L的液中供给沉积抑制剂。
由此，能够抑制沉积抑制剂只滞留在磷酸水溶液L的液面La的情况，能够抑制沉积抑制剂的浓度在液面La局部增加而使沉积抑制剂凝胶化的情况。
因而，根据变形例5，能够将未凝胶化的状态良好的沉积抑制剂与磷酸水溶液L混合。
另外，在变形例5中，可以向在罐14内流动的磷酸水溶液L的液中，以不损害该磷酸水溶液L的流动性的方式供给沉积抑制剂。即，可以以比磷酸水溶液L的流速更慢的流速来供给沉积抑制剂。
由此，能够抑制损害磷酸水溶液L的流动性而使沉积抑制剂未良好地混合的情况。此外，变形例5中的蚀刻液生成处理以与图2的例子相同的时序图来实施即可。
图9是示出实施方式的变形例6所涉及的混合装置10的结构的概要框图。如图9所示，在变形例6所涉及的混合装置10中，沉积抑制剂供给部12的沉积抑制剂供给线路12b的结构与变形例5不同。
具体的是，沉积抑制剂供给线路12b分支出多个流路，在罐14的下部在水平方向上分割设置多个沉积抑制剂供给口12d。而且，在变形例6中，多个沉积抑制剂供给口12d将沉积抑制剂分割为多点，来向被贮存的磷酸水溶液L的液中供给沉积抑制剂。
由此，能够增加磷酸水溶液L与沉积抑制剂的接触面积，因此能够更高效地混合磷酸水溶液L和沉积抑制剂。
另外，在变形例6中，能够抑制沉积抑制剂只滞留在磷酸水溶液L的液面La的情况，因此，能够抑制沉积抑制剂的浓度在液面La局部增加而使沉积抑制剂凝胶化的情况。
因而，根据变形例6，能够将未凝胶化的状态良好的沉积抑制剂与磷酸水溶液L混合。
另外，在变形例6中，可以向在罐14内流动的磷酸水溶液L的液中，以不损害该磷酸水溶液L的流动性的方式供给沉积抑制剂。即，可以以比磷酸水溶液L的流速更慢的流速来供给沉积抑制剂。
由此，能够抑制损害磷酸水溶液L的流动性而使沉积抑制剂未良好地混合的情况。
此外，变形例6中的蚀刻液生成处理以与图2的例子相同的时序图来实施即可。另外，在图9的例中，示出了将沉积抑制剂供给线路12b分支为5个流路的例子，但是分支出的流路的数量不限于5个。
图10是示出实施方式的变形例7所涉及的混合装置10的结构的概要框图。如图10所示，在变形例7所涉及的混合装置10中，沉积抑制剂供给部12的沉积抑制剂供给口12d在罐14的下部与循环线路15的入口15a相邻地设置。而且，从该沉积抑制剂供给口12d朝向循环线路15的入口15a供给沉积抑制剂。
由此，能够抑制沉积抑制剂只滞留在磷酸水溶液L的液面La的情况，因此能够抑制沉积抑制剂的浓度在液面La局部增加而使沉积抑制剂凝胶化的情况。因而，根据变形例7，能够将未凝胶化的状态良好的沉积抑制剂与磷酸水溶液L混合。
另外，在变形例7中，沉积抑制剂被迅速的吸入循环线路15，因此能够向被提供了大的流动性的循环线路15内的磷酸水溶液L供给沉积抑制剂。因而，根据变形例7，能够更高效地混合磷酸水溶液L和沉积抑制剂。
另外，在变形例7中，能够减小泵16的脉动对沉积抑制剂供给部12的影响。因而，根据变形例7，能够使来自沉积抑制剂供给部12的沉积抑制剂的供给精度提高。
另外，在变形例7中，可以向在罐14内流动的磷酸水溶液L的液中，以不损害该磷酸水溶液L的流动性的方式供给沉积抑制剂。即，可以以比磷酸水溶液L的流速更慢的流速来供给沉积抑制剂。
由此，能够抑制损害磷酸水溶液L的流动性而使沉积抑制剂未良好地混合的情况。此外，变形例7中的蚀刻液生成处理以与图2的例子相同的时序图来实施即可。
图11是示出实施方式的变形例8所涉及的混合装置10的结构的概要框图。如图11所示，在变形例8所涉及的混合装置10中，在循环线路15中的相比分支部15c靠下游侧的位置设置混合器15d。该混合器15d例如是直列式混合器、静态混合器等。
而且，沉积抑制剂供给部12向混合器15d供给沉积抑制剂。由此，能够向通过泵16被提供了流动性的磷酸水溶液L，在进一步通过混合器15d提供了流动性的状态下供给沉积抑制剂。因而，根据变形例8，能够更高效地混合磷酸水溶液L和沉积抑制剂。
另外，在变形例8中，混合器15d设置在相比泵16、过滤器19靠循环线路15的下游侧的位置。由此，即使沉积抑制剂凝胶化，也能够抑制该凝胶化的沉积抑制剂堵塞泵16、过滤器19的情况。
另外，在变形例8中，可以向在循环线路15内流动的磷酸水溶液L的液中，以不损害该磷酸水溶液L的流动性的方式供给沉积抑制剂。即，可以以比磷酸水溶液L的流速更慢的流速供给沉积抑制剂。
由此，能够抑制损害磷酸水溶液L的流动性而使沉积抑制剂未良好地混合的情况。此外，变形例8中的蚀刻液生成处理以与图2的例子相同的时序图来实施即可。
图12是示出实施方式的变形例9所涉及的混合装置10的结构的概要框图。如图12所示，在变形例9所涉及的混合装置10中，在循环线路15中的相比泵16靠上游侧的位置设置合流部15e。
而且，沉积抑制剂供给部12向该合流部15e供给沉积抑制剂。由此，能够向被提供了流动性的循环线路15内的磷酸水溶液L供给沉积抑制剂。因而，根据变形例9，能够更高效地混合磷酸水溶液L和沉积抑制剂。
另外，在变形例9中，合流部15e设置于相比泵16更靠上游侧的位置，因此能够在该泵16的内部使磷酸水溶液L和沉积抑制剂混合。即，在变形例9中，泵16具有混合器的功能。
由此，不需要另外追加混合器，因此能够以低成本高效地混合磷酸水溶液L和沉积抑制剂。
另外，在变形例9中，可以向在循环线路15内流动的磷酸水溶液L的液中，以不损害该磷酸水溶液L的流动性的方式供给沉积抑制剂。即，可以以比磷酸水溶液L的流速更慢的流速供给沉积抑制剂。
由此，能够抑制损害磷酸水溶液L的流动性而使沉积抑制剂未良好地混合的情况。此外，变形例9中的蚀刻液生成处理以与图2的例子相同的时序图来实施即可。
图13是示出实施方式的变形例10所涉及的混合装置10的结构的概要框图。如图13所示，在变形例10所涉及的混合装置10中，沉积抑制剂供给部12的沉积抑制剂供给口12d设置于罐14的上部。
并且，在变形例10所涉及的混合装置10中，在罐14中设置搅拌装置。例如在图13的例子中，作为搅拌装置的一例的鼓泡装置24设置于罐14中。
该鼓泡装置24通过鼓泡气体对贮存于罐14内的磷酸水溶液L进行鼓泡。鼓泡装置24具有鼓泡气体供给源24a、鼓泡气体供给线路24b、流量调整器24c以及鼓泡喷嘴24d。
在鼓泡装置24中，从鼓泡气体供给源24a经由鼓泡气体供给线路24b向鼓泡喷嘴24d供给鼓泡气体。鼓泡喷嘴24d例如设置于罐14的底部，沿水平方向延伸。
另外，在鼓泡喷嘴24d上在水平方向上排列设置多个喷出鼓泡气体的喷出口(未图示)。而且，能够通过从该多个喷出口喷出鼓泡气体，来对贮存于罐14内的磷酸水溶液L进行鼓泡。鼓泡气体例如是氦气气体等非活性气体。
而且，在变形例10中，能够通过使该鼓泡装置24工作，来对贮存于罐14内的磷酸水溶液L提供上升流从而提供流动性。
像这样，通过一边对磷酸水溶液L提供进一步的流动性一边供给沉积抑制剂，能够进一步增加磷酸水溶液L与沉积抑制剂的接触面积。因而，根据变形例10，能够进一步高效地混合磷酸水溶液L和沉积抑制剂。
另外，在变形例10中，将没有驱动部分的鼓泡装置24作为搅拌装置来使用，因此，能够抑制杂质向贮存于罐14内的磷酸水溶液L混入的情况。
图14是示出实施方式的变形例10所涉及的蚀刻液生成处理中的混合装置10的各部的行为模式的具体例的时序图。首先，控制部通过从时间T0起使磷酸水溶液供给部11动作(成为开启状态)，向罐14供给磷酸水溶液L，来开始混合处理。
此外，在该时间T0的时间点，沉积抑制剂供给部12、硅溶液供给部13、泵16以及加热器17不动作(处于关闭状态)。另外，在该时间T0的时间点，过滤器旁通处于开启状态，搅拌装置(鼓泡装置24)不动作(处于关闭状态)。
接着，在罐14中贮存了规定的量的磷酸水溶液L的时间T1a，控制部使沉积抑制剂供给部12动作(成为开启状态)，来向罐14供给沉积抑制剂。
并且，在与开始沉积抑制剂的供给相同的定时(时间T1a)，控制部使搅拌装置(鼓泡装置24)动作(成为开启状态)。由此，能够对磷酸水溶液L提供流动性。
因而，能够在被提供了流动性的磷酸水溶液L中混合沉积抑制剂，因此能够高效地混合磷酸水溶液L和沉积抑制剂。
此外，在变形例10中，可以以使沉积抑制剂在罐14内流动的磷酸水溶液L的液面La上扩散的方式供给沉积抑制剂。即，在变形例10中，可以与磷酸水溶液L的流动性相匹配地每次少量供给沉积抑制剂。换言之，在变形例10中，可以基于磷酸水溶液L的流动性来设定沉积抑制剂的供给量。
由此，能够抑制磷酸水溶液L中的沉积抑制剂的浓度局部上升的情况，能够抑制沉积抑制剂的凝胶化。
接着，在从时间T1a起经过了规定的时间后的时间T2a，控制部使泵16动作(成为开启状态)，来在循环线路15中形成循环流。由此，能够对磷酸水溶液L提供进一步的流动性。
接着，在规定的量的磷酸水溶液L被供给到罐14的时间T3a，控制部停止磷酸水溶液供给部11(成为关闭状态)。然后，在规定的量的沉积抑制剂被供给到罐14的时间T4a，控制部停止沉积抑制剂供给部12(成为关闭状态)。
并且，在与停止沉积抑制剂的供给相同的定时(时间T4a)，控制部使硅溶液供给部13动作(成为开启状态)，向罐14供给硅溶液。
接着，在规定的量的硅溶液被供给到罐14的时间T5a，控制部停止硅溶液供给部13(成为关闭状态)。由此，混合处理完成。
此外，在图14的例子中，示出了在晚于开始供给沉积抑制剂的定时开始供给硅溶液的例子，但是也可以在相同的定时(时间T1a)开始供给沉积抑制剂和硅溶液。
接下来，控制部从时间T5a起使加热器17动作(成为开启状态)，对在循环线路15内循环的蚀刻液E进行加热，由此开始加热处理。控制部通过利用该加热器17对蚀刻液E进行加热，来对贮存于罐14内的蚀刻液E进行加热。
然后，在罐14内的蚀刻液E被加热到规定的温度(例如、165℃)的时间T6a，加热处理完成。接下来，控制部从时间T6a起使过滤器旁通成为关闭状态，来开始过滤处理。
然后，在蚀刻液E所包含的微粒等污染物质被充分去除的时间T7a，过滤处理完成。由此，变形例10所涉及的蚀刻液生成处理完成。
图15是示出实施方式的变形例11所涉及的混合装置10的结构的概要框图。如图15所示，在变形例11所涉及的混合装置10中，在罐14的下部设置作为搅拌装置的其它的一例的搅拌翼25。
而且，在变形例11中，能够通过使构成为能够旋转该搅拌翼25的驱动装置(未图示)工作，对贮存于罐14内的磷酸水溶液L提供涡流从而提供流动性。
像这样，能够通过一边对磷酸水溶液L提供进一步的流动性一边供给沉积抑制剂，来进一步增加磷酸水溶液L与沉积抑制剂的接触面积。因而，根据变形例11，能够进一步高效地混合磷酸水溶液L和沉积抑制剂。
另外，在变形例11中，能够通过细微地控制搅拌翼25的驱动装置，来细微地控制搅拌速度。由此，能够更高效地混合磷酸水溶液L和沉积抑制剂。
此外，在变形例11中，罐14可以形成为圆筒状。由此，能够对罐14内的磷酸水溶液L顺利地形成涡流，因此能够更高效地混合磷酸水溶液L和沉积抑制剂。
另外，在变形例11中，可以以使沉积抑制剂在罐14内流动的磷酸水溶液L的液面La上扩散的方式供给沉积抑制剂。即，在变形例11中，可以与磷酸水溶液L的流动性相匹配地每次少量供给沉积抑制剂。换言之，在变形例11中，可以基于磷酸水溶液L的流动性来设定沉积抑制剂的供给量。
由此，能够抑制磷酸水溶液L中的沉积抑制剂的浓度局部上升的情况，因此能够抑制沉积抑制剂的凝胶化。
另外，在变形例11中，也可以是，如图8等所示，从设置于罐14的下部的沉积抑制剂供给口12d向磷酸水溶液L的液中供给沉积抑制剂。
由此，能够将沉积抑制剂积极地卷入由搅拌翼25形成的涡流，因此能够更高效地混合磷酸水溶液L和沉积抑制剂。
在该情况下，可以向在循环线路15内流动的磷酸水溶液L的液中，以不损害该磷酸水溶液L的流动性的方式供给沉积抑制剂。即，可以以比在磷酸水溶液L内形成的涡流更慢的流速供给沉积抑制剂。
由此，能够抑制损害磷酸水溶液L的流动性而使沉积抑制剂未良好地混合的情况。此外，变形例11中的蚀刻液生成处理以与图14的例子相同的时序图来实施即可。
图16是示出实施方式的变形例12所涉及的混合装置10的结构的概要框图。如图16所示，在变形例12所涉及的混合装置10中，在罐14的下部设置作为搅拌装置的其它的一例的超声波产生装置26。
该超声波产生装置26能够朝向贮存于罐14内的磷酸水溶液L产生超声波。然后，在变形例12中，能够通过使超声波产生装置26工作，对贮存于罐14内的磷酸水溶液L提供超声波从而提供流动性。
像这样，能够通过一边对磷酸水溶液L提供进一步的流动性一边供给沉积抑制剂，来进一步增加磷酸水溶液L与沉积抑制剂的接触面积。并且，在变形例12中，来自超声波产生装置26的超声波传播到磷酸水溶液L的整体，因此对磷酸水溶液L的液中的任何部位都进行搅拌。
因而，根据变形例12，能够更高效地混合磷酸水溶液L和沉积抑制剂。
另外，在变形例12中，通过来自超声波产生装置26的超声波在磷酸水溶液L的液中产生空化(cavitation)现象。因此，即使在磷酸水溶液L内发生了沉积抑制剂凝胶化，也能将该凝胶分解得较小。
即，在变形例12中，能够促进凝胶化了的沉积抑制剂的溶解，因此能够更高效地混合磷酸水溶液L和沉积抑制剂。
另外，在变形例12中，可以以使沉积抑制剂在罐14内流动的磷酸水溶液L的液面La上扩散的方式供给沉积抑制剂。即，在变形例12中，可以与磷酸水溶液L的流动性相匹配地每次少量供给沉积抑制剂。换言之，在变形例12中，可以基于磷酸水溶液L的流动性来设定沉积抑制剂的供给量。
由此，能够抑制磷酸水溶液L中的沉积抑制剂的浓度局部上升的情况，因此能够抑制沉积抑制剂的凝胶化本身。此外，变形例12中的蚀刻液生成处理以与图14的例子相同的时序图来实施即可。
图17是示出实施方式的变形例13所涉及的混合装置10的结构的概要框图。如图17所示，在变形例13所涉及的混合装置10中，罐14的结构与实施方式不同。具体的是，变形例13所涉及的罐14具有内槽14a和外槽14b。
内槽14a上部开放，将磷酸水溶液L、沉积抑制剂以及硅溶液供给到上部附近为止。即，磷酸水溶液供给部11向内槽14a供给磷酸水溶液L，沉积抑制剂供给部12向内槽14a供给沉积抑制剂，硅溶液供给部13向内槽14a供给硅溶液。
外槽14b设置于内槽14a的周围，并且上部开放。从内槽14a溢出的磷酸水溶液L等流入外槽14b。
另外，在外槽14b的底部设置有循环线路15的入口15a。并且，循环线路15的出口15b设置于内槽14a的下部。即，在变形例13中，通过外槽14b、循环线路15以及内槽14a形成磷酸水溶液L的循环流。
而且，在变形例13所涉及的混合装置10中，能够通过使磷酸水溶液L从内槽14a向外槽14b溢出，来对该磷酸水溶液L提供上升流从而提供流动性。
像这样，能够通过一边对磷酸水溶液L提供进一步的流动性一边供给沉积抑制剂，来进一步增加磷酸水溶液L与沉积抑制剂的接触面积。因而，根据变形例13，能够进一步高效地混合磷酸水溶液L和沉积抑制剂。
另外，在变形例13中，通过没有驱动部分的内槽14a和外槽14b来形成上升流，因此能够抑制杂质向贮存于罐14内的磷酸水溶液L混入的情况。
此外，在变形例13中，可以将沉积抑制剂向罐14的内槽14a供给。由此，能够在从内槽14a溢出的磷酸水溶液L的液面La将沉积抑制剂拉伸并使其变薄。即，能够进一步增大磷酸水溶液L与沉积抑制剂的接触面积。
因而，根据变形例13，能够更高效地混合磷酸水溶液L和沉积抑制剂。
另外，在变形例13中，可以以使沉积抑制剂在内槽14a内流动的磷酸水溶液L的液面La上扩散的方式供给沉积抑制剂。即，在变形例13中，可以与磷酸水溶液L的流动性相匹配地每次少量供给沉积抑制剂。换言之，在变形例13中，可以基于磷酸水溶液L的流动性来设定沉积抑制剂的供给量。
由此，能够抑制磷酸水溶液L中的沉积抑制剂的浓度局部上升的情况，因此能够抑制沉积抑制剂的凝胶化。
图18是示出实施方式的变形例13所涉及的蚀刻液生成处理中的混合装置10的各部的行为模式的具体例的时序图。首先，控制部通过从时间T0起使磷酸水溶液供给部11动作(成为开启状态)，向罐14供给磷酸水溶液L，来开始混合处理。
此外，在该时间T0的时间点，沉积抑制剂供给部12、硅溶液供给部13、泵16以及加热器17不动作(处于关闭状态)。另外，在该时间T0的时间点，过滤器旁通处于开启状态。
接着，在规定的量的磷酸水溶液L被贮存到罐14的内槽14a和外槽14b的时间T1b，控制部停止磷酸水溶液供给部11(成为关闭状态)。此外，该规定的量是指至少使磷酸水溶液L能够一边从内槽14a溢出一边在循环线路15进行循环的量。
并且，在与停止磷酸水溶液L的供给相同的定时(时间T1b)，控制部使沉积抑制剂供给部12和泵16动作(成为开启状态)，向罐14供给沉积抑制剂，在循环线路15形成循环流。由此，能够向从内槽14a溢出的磷酸水溶液L供给沉积抑制剂。
接着，在规定的量的沉积抑制剂被供给到内槽14a的时间T2b，控制部停止沉积抑制剂供给部12(成为关闭状态)。然后，到时间T3b为止通过形成循环线路15内的循环流来混合罐14内的药液，混合处理完成。
接下来，控制部通过从时间T3b起使加热器17动作(成为开启状态)，对在循环线路15内循环的磷酸水溶液L等进行加热，来开始加热处理。控制部通过利用该加热器17对磷酸水溶液L等进行加热，来对贮存于罐14内的磷酸水溶液L等进行加热。
并且，在与开始加热器17的动作相同的定时(时间T3b)，控制部使硅溶液供给部13动作(成为开启状态)，来向罐14供给硅溶液。
然后，在规定的量的硅溶液被供给到罐14的时间T4b，控制部停止硅溶液供给部13(成为关闭状态)。并且，在罐14内的磷酸水溶液L等被加热到规定的温度(例如，165℃)的时间T5b，加热处理完成。
接下来，控制部通过从时间T5b起使过滤器旁通成为关闭状态，来开始过滤处理。
然后，在磷酸水溶液L等所包含的微粒等污染物质被充分去除的时间T6b，过滤处理完成。由此，变形例13所涉及的蚀刻液生成处理完成。
图19是示出实施方式的变形例14所涉及的基板处理系统1A的结构的概要框图。图19所示的基板处理系统1A与实施方式不同的点在于：其不是对多个晶圆W进行批量(batch)处理的基板处理装置30，而是对晶圆W逐张进行单张处理的基板处理装置50。此外，在图19中，对与图1示出的实施方式相同的部位使用相同的附图标记，来省略详细说明。
在图19所示的基板处理系统1A中，在循环线路15内循环的蚀刻液E经由送液线路22向基板处理装置50供给。该基板处理装置50具有基板保持部51和旋转机构52。
基板保持部51将晶圆W保持为水平。旋转机构52使基板保持部51和保持在基板保持部51的晶圆W旋转。然后，基板处理系统1A能够通过从循环线路15经由送液线路22对保持于基板保持部51的晶圆W的上表面喷出蚀刻液E，来对晶圆W实施单张处理的蚀刻处理。
此外，在图19中，示出了对实施方式所涉及的混合装置10组合了能够进行单张处理的基板处理装置50的例子，但是也可以对变形例1～13所涉及的混合装置10组合能够进行单张处理的基板处理装置50。
实施方式所涉及的混合装置10具备磷酸水溶液供给部11、添加剂供给部(沉积抑制剂供给部12)、罐14、磷酸水溶液供给线路11b以及添加剂供给线路(沉积抑制剂供给线路12b)。磷酸水溶液供给部11用于供给磷酸水溶液L。添加剂供给部(沉积抑制剂供给部12)用于供给抑制硅氧化物的沉积的添加剂(沉积抑制剂)。磷酸水溶液供给线路11b将磷酸水溶液供给部11与罐14连接。添加剂供给线路(沉积抑制剂供给线路12b)将添加剂供给部(沉积抑制剂供给部12)与罐14连接。另外，一边对从磷酸水溶液供给部11供给到罐14的磷酸水溶液L提供流动性一边供给添加剂(沉积抑制剂)。由此，能够高效地混合磷酸水溶液L和沉积抑制剂。
另外，实施方式所涉及的混合装置10还具备从罐14流出并返回罐14的循环线路15和设置于循环线路15的泵16。而且，通过使泵16动作在循环线路15中形成循环流，来对磷酸水溶液L提供流动性。由此，能够高效地对磷酸水溶液L提供流动性。
另外，在实施方式所涉及的混合装置10中，从添加剂供给线路(沉积抑制剂供给线路12b)向罐14供给添加剂(沉积抑制剂)的添加剂供给口(沉积抑制剂供给口12d)与循环线路15的出口15b相邻地设置。由此，能够向从出口15b喷出并具有大的流动性的磷酸水溶液L直接供给沉积抑制剂。
另外，在实施方式所涉及的混合装置10中，从添加剂供给线路(沉积抑制剂供给线路12b)向罐14供给添加剂(沉积抑制剂)的添加剂供给口(沉积抑制剂供给口12d)与循环线路15的入口15a相邻地设置。由此，沉积抑制剂被迅速地吸入循环线路15，因此能够向被提供了大的流动性的循环线路15内的磷酸水溶液L供给沉积抑制剂。
另外，实施方式所涉及的混合装置10还具备设置于罐14的搅拌装置。而且，通过使该搅拌装置工作，来对磷酸水溶液L提供流动性。由此，能够高效地对磷酸水溶液L提供流动性。
另外，在实施方式所涉及的混合装置10中，搅拌装置是向贮存于罐14内的磷酸水溶液L供给鼓泡气体的鼓泡装置24。由此，能够对贮存于罐14内的磷酸水溶液L提供上升流从而提供流动性。
另外，在实施方式所涉及的混合装置10中，搅拌装置是对贮存于罐14内的磷酸水溶液L进行搅拌的搅拌翼25。由此，能够对贮存于罐14内的磷酸水溶液L提供涡流从而提供流动性。
另外，在实施方式所涉及的混合装置10中，搅拌装置是朝向贮存于罐14内的磷酸水溶液L产生超声波的超声波产生装置26。由此，能够对贮存于罐14内的磷酸水溶液L提供超声波从而提供流动性。
另外，在实施方式所涉及的混合装置10中，在罐14的上部设置有多个从添加剂供给线路(沉积抑制剂供给线路12b)向罐14供给添加剂(沉积抑制剂)的添加剂供给口(沉积抑制剂供给口12d)。由此，能够增加磷酸水溶液L与沉积抑制剂的接触面积，因此能够更高效地混合磷酸水溶液L和沉积抑制剂。
另外，在实施方式所涉及的混合装置10中，从添加剂供给线路(沉积抑制剂供给线路12b)向罐14供给添加剂(沉积抑制剂)的添加剂供给口(沉积抑制剂供给口12d)设置于罐14的下部。由此，能够抑制沉积抑制剂只滞留在磷酸水溶液L的液面La的情况，因此能够抑制沉积抑制剂的浓度在液面La局部增加而使沉积抑制剂凝胶化的情况。
另外，在实施方式所涉及的混合装置10中，罐14具有内槽14a和外槽14b。而且，通过使磷酸水溶液L从内槽14a向外槽14b溢出，来对磷酸水溶液提供流动性。由此，能够对贮存于罐14内的磷酸水溶液L提供上升流从而提供流动性。
另外，在实施方式所涉及的混合装置10中，添加剂(沉积抑制剂)向内槽14a供给。由此，能够在从内槽14a溢出的磷酸水溶液L的液面La将沉积抑制剂拉伸并使其变薄，因此能够进一步增加磷酸水溶液L与沉积抑制剂的接触面积。
另外，实施方式所涉及的混合装置10还具备对贮存于罐14内的磷酸水溶液L进行加热的加热器17。由此，能够向基板处理装置30供给被加热的蚀刻液E。
<蚀刻液生成处理和基板处理的详细>
接下来，参照图20来说明实施方式所涉及的基板处理系统1执行的蚀刻液生成处理及基板处理的详细。图20是示出实施方式所涉及的蚀刻液生成处理及基板处理的处理顺序的流程图。
首先，控制部使混合装置10动作，进行将磷酸水溶液L、沉积抑制剂以及硅溶液混合的混合处理(步骤S101)。例如，控制部一边对贮存于罐14内的磷酸水溶液L提供流动性，一边向磷酸水溶液L供给沉积抑制剂和硅溶液，来混合磷酸水溶液L、沉积抑制剂以及硅溶液。
接着，控制部使混合装置10的加热器17动作，进行对磷酸水溶液L、沉积抑制剂以及硅溶液的混合液进行加热的加热处理(步骤S102)。
接着，控制部进行通过过滤器19对磷酸水溶液L、沉积抑制剂以及硅溶液的混合液进行过滤的过滤处理(步骤S103)。然后，当该过滤处理完成时，实施方式所涉及的蚀刻液生成处理完成。
接着，控制部使混合装置10和基板处理装置30动作，来进行从混合装置10向基板处理装置30供给蚀刻液E的供给处理(步骤S104)。由此，在基板处理装置30的处理槽31贮存蚀刻液E。
接着，控制部使基板处理装置30动作，来进行使用贮存于处理槽31的蚀刻液E蚀刻晶圆W的蚀刻处理(步骤S105)。然后，当该蚀刻处理完成时，实施方式所涉及的基板处理完成。
实施方式所涉及的混合方法包括混合工序(步骤S101)和加热工序(步骤S102)。混合工序(步骤S101)是向流动的磷酸水溶液L供给抑制硅氧化物的沉积的添加剂(沉积抑制剂)并进行混合。加热工序(步骤S102)是对磷酸水溶液L和添加剂(沉积抑制剂)混合所得到的混合液进行加热。由此，能够对高效地进行混合所得到的蚀刻液E进行加热来向基板处理装置30供给。
另外，在实施方式所涉及的混合方法中，混合工序(步骤S101)包括以使添加剂(沉积抑制剂)在流动的磷酸水溶液L的液面La上扩散的方式供给添加剂(沉积抑制剂)。由此，能够进一步抑制磷酸水溶液L中的沉积抑制剂的浓度局部上升，因此能够进一步抑制沉积抑制剂的凝胶化。
另外，在实施方式所涉及的混合方法中，混合工序包括向流动的磷酸水溶液L的液中，以不损害磷酸水溶液L的流动性的方式供给添加剂(沉积抑制剂)。由此，能够抑制损害磷酸水溶液L的流动性而使沉积抑制剂未良好地混合的情况。
以上，说明了本公开的实施方式，但是本公开不限于上述的实施方式，能够在不脱离其主旨的范围内进行各种变更。
应该认为本次公开的实施方式在所有方面都是示例性的而非限制性的。实际上，上述的实施方式能够通过多种方式来实现。另外，上述的实施方式在不脱离所附的权利要求书及其主旨的情况下，也可以以各种方式进行省略、置换、变更。

Claims (17)

1.一种混合装置，具备:
磷酸水溶液供给部，其用于供给磷酸水溶液；
添加剂供给部，其用于供给抑制硅氧化物的沉积的添加剂；
罐；
磷酸水溶液供给线路，其将所述磷酸水溶液供给部与所述罐连接；以及
添加剂供给线路，其将所述添加剂供给部与所述罐连接，
其中，所述混合装置一边对从所述磷酸水溶液供给部供给到所述罐的所述磷酸水溶液提供流动性一边供给所述添加剂。
2.根据权利要求1所述的混合装置，其特征在于，还具备：
从所述罐出去并返回所述罐的循环线路；以及
设置于所述循环线路的泵，
其中，通过使所述泵动作在所述循环线路中形成循环流，来对所述磷酸水溶液提供流动性。
3.根据权利要求2所述的混合装置，其特征在于，
从所述添加剂供给线路向所述罐供给所述添加剂的添加剂供给口与所述循环线路的出口相邻地设置。
4.根据权利要求2所述的混合装置，其特征在于，
从所述添加剂供给线路向所述罐供给所述添加剂的添加剂供给口与所述循环线路的入口相邻地设置。
5.根据权利要求1～4中的任一项所述的混合装置，其特征在于，
还具备设置于所述罐的搅拌装置，
其中，通过使所述搅拌装置工作，来对所述磷酸水溶液提供流动性。
6.根据权利要求5所述的混合装置，其特征在于，
所述搅拌装置是向贮存于所述罐的所述磷酸水溶液供给鼓泡气体的鼓泡装置。
7.根据权利要求5所述的混合装置，其特征在于，
所述搅拌装置是对贮存于所述罐的所述磷酸水溶液进行搅拌的搅拌翼。
8.根据权利要求5所述的混合装置，其特征在于，
所述搅拌装置是朝向贮存于所述罐的所述磷酸水溶液产生超声波的超声波产生装置。
9.根据权利要求1～8中的任一项所述的混合装置，其特征在于，
在所述罐的上部设置有多个从所述添加剂供给线路向所述罐供给所述添加剂的添加剂供给口。
10.根据权利要求1～8中的任一项所述的混合装置，其特征在于，
从所述添加剂供给线路向所述罐供给所述添加剂的添加剂供给口设置于所述罐的下部。
11.根据权利要求1～10中的任一项所述的混合装置，其特征在于，
所述罐具有内槽和外槽，
通过使所述磷酸水溶液从所述内槽向所述外槽溢出，来对所述磷酸水溶液提供流动性。
12.根据权利要求11所述的混合装置，其特征在于，
向所述内槽供给所述添加剂。
13.根据权利要求1～12中的任一项所述的混合装置，其特征在于，
还具备加热器，该加热器对贮存于所述罐的所述磷酸水溶液进行加热。
14.一种混合方法，包括：
向流动的磷酸水溶液中供给抑制硅氧化物的沉积的添加剂并进行混合的混合工序；以及
对所述磷酸水溶液和所述添加剂混合所得到的混合液进行加热的加热工序。
15.根据权利要求14所述的混合方法，其特征在于，
所述混合工序包括：以使所述添加剂在流动的所述磷酸水溶液的液面上扩散的方式供给所述添加剂。
16.根据权利要求14所述的混合方法，其特征在于，
所述混合工序包括：向流动的所述磷酸水溶液的液中，以不损害所述磷酸水溶液的流动性的方式供给所述添加剂。
17.一种基板处理系统，具备：
权利要求1～13中的任一项所述的混合装置，以及
使用由所述混合装置混合的所述磷酸水溶液与所述添加剂的混合液来处理基板的基板处理装置。
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