KR101976943B1 - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

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신지 스기오카
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가부시키가이샤 스크린 홀딩스
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Abstract

(과제) 한 번의 에칭 처리로 용해하는 에칭 대상물의 양이 많은 경우에 있어서도, 처리조 내의 처리액의 농도를 안정시킨다.
(해결 수단) 기판 처리 장치는, 소정의 약액 및 순수를 함유하는 처리액에 기판을 침지시킴으로써 그 기판에 대해 소정의 처리를 실시한다. 또, 기판에 소정의 처리를 실시하기 위한 처리액이 저류된 처리조와, 처리조에 약액 또는 순수를 공급하는 공급부와, 처리조에 저류된 처리액을 배출하는 배출부와, 공급부에 의한 약액 또는 순수의 공급을 제어하는 제어부를 구비하고, 제어부는, 소정의 처리의 실행 중에, 공급부에 약액 또는 순수를 공급시킨다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE TREATING DEVICE AND SUBSTRATE TREATING METHOD}
본 발명은, 반도체 웨이퍼 등의 기판을 처리조에 침지시켜, 에칭 처리나 세정 처리를 실시하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것으로, 특히, 처리조에 있어서의 처리액의 농도 제어에 관한 것이다.
반도체 장치의 제조 공정에는, 반도체 웨이퍼 등의 기판을 처리조에 침지시킴으로써, 당해 기판에 에칭 처리나 세정 처리를 실시하는 공정이 포함된다. 이와 같은 공정은, 복수의 처리조를 포함하는 기판 처리 장치에 의해 실행된다. 그리고, 이 기판 처리 장치의 각 처리조에 있어서의 처리액의 농도는, 시간의 경과와 함께, 처리액 구성 성분의 증발, 분해 등에 의해 변화되는 경우가 있으므로, 처리액의 농도를 상기의 에칭 처리나 세정 처리에 적절한 범위 내로 유지하기 위한 농도 제어가 실시되고 있다.
이와 같은 기술로는 이하와 같은 것이 공지되어 있다. 즉, 이 기술에 있어서는, 농도 측정 수단에 의해 측정된 농도가, 정상 농도 범위 내가 아니면 농도 이상으로 하고, 전량 액 교환을 실시한다 (예를 들어, 특허문헌 1 을 참조). 정상 농도 범위 내인 경우에는, 목표 농도 범위 내 (도 5 : S0＋, S0-) 이면 측정된 농도의 처리액으로 기판을 처리하고, 제 1 농도 범위 (도 5 : S1＋, S1-) 이면 처리액을 소정의 양만큼 보충하여 농도 보정을 실시한다. 또, 제 2 농도 범위 내 (도 5 : S2＋, S2-) 이면, 처리액을 소정의 양만큼 배액한 후, 소정의 양만큼 액 보충을 실시한다. 복수의 농도 보정 범위를 가짐으로써, 농도를 안정적으로 제어할 수 있다. 또한, 처리액의 전량 교환, 처리액의 보충, 또는 처리액의 배액 및 보충은, 로트에 대한 처리가 끝나 반출된 후, 또는 로트의 투입 대기 상태에 있어서 실시된다 (특허문헌 1 : 도 3, 도 4). 즉, 처리액의 농도나 온도는, 로트에 대한 처리의 성공 여부에 영향을 미치는 요인이기 때문에, 처리 중에는 보충이나 배액을 피하고 있었다.
그러나, 최근에는, 예를 들어 삼차원 NAND 의 형성 등, 한 번의 로트에 대한 처리로 용해하는 에칭 대상물의 양이 종래보다 많은 프로세스도 존재한다. 이와 같은 경우, 로트에 대한 처리 중에 있어서의 처리액의 농도의 변화가 커, 에칭에 있어서의 용해 반응이 충분히 진행되는 농도를 유지할 수 없는 경우가 있었다.
일본 공개특허공보 2012-74552호
그래서, 본 발명은, 한 번의 에칭 처리로 용해하는 에칭 대상물의 양이 많은 경우에 있어서도, 처리조 내의 처리액의 농도를 안정시키기 위한 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명은, 다음과 같은 구성으로 한다.
소정의 약액 및 순수를 함유하는 처리액에 기판을 침지시킴으로써 그 기판 에 대해 소정의 처리를 실시하는 기판 처리 장치로서,
상기 기판에 상기 소정의 처리를 실시하기 위한 상기 처리액이 저류된 처리조와,
상기 처리조에 상기 약액 또는 상기 순수를 공급하는 공급부와,
상기 처리조에 저류된 상기 처리액을 배출하는 배출부와,
상기 공급부에 의한 상기 약액 또는 상기 순수의 공급을 제어하는 제어부를 구비하고,
상기 제어부는, 상기 소정의 처리의 실행 중에, 상기 공급부에 상기 약액 또는 상기 순수를 공급시키는 기판 처리 장치.
본 발명에 의하면, 소정의 처리의 실행 중에 있어서도 약액 또는 순수의 공급을 실시한다. 따라서, 예를 들어 삼차원 NAND 의 형성과 같이, 에칭에 있어서 처리액 중에 용해하는 실리콘 질화막의 양이 종래의 처리보다 많은 프로세스의 실행 중에 있어서도, 처리액의 농도를 조절할 수 있게 된다.
또, 상기 처리조는, 상기 기판에 상기 소정의 처리를 실시하기 위한 내조 (內槽) 와, 당해 내조의 주위에 형성되고, 당해 내조로부터 오버 플로된 상기 처리액이 유입되는 외조 (外槽) 를 갖고, 상기 기판 처리 장치는, 상기 외조의 처리액을 상기 내조로 환류시키는 순환로를 구비하고, 상기 공급부는, 상기 약액 또는 상기 순수를 상기 외조에 공급하도록 해도 된다. 기판과는 다른 조에 처리액을 보충함으로써, 기판의 주위의 처리액의 농도가 급격하게 변화하는 것이 억제된다.
또, 상기 순환로는, 내부의 처리액을 온도 조절하는 온도 조절부와, 통과하는 처리액을 여과하는 여과부를 구비하도록 해도 된다. 이와 같이 하면, 처리액으로부터 불순물을 제거할 수 있음과 함께, 기판의 주위의 처리액의 온도가 급격하게 변화하는 것이 억제된다.
또, 상기 배출부는, 상기 외조의 측면 연직 상방에 형성된 오버 플로관이어도 된다. 이와 같이 하면, 외조의 처리액의 수면을 부유하는, 에칭에 의해 발생한 불순물 등의 파티클을 제거하기 쉬워진다.
또, 상기 공급부는, 상기 약액 또는 상기 순수를 온도 조절하는 예비 온도 조절부를 구비하도록 해도 된다. 이렇게 하면, 처리조 내의 처리액의 온도가 급격하게 변화되는 것이 억제된다.
또, 상기 처리액에 있어서의 소정 성분의 농도를 측정하는 농도 측정부를 추가로 구비하고, 상기 제어부는, 상기 농도 측정부가 측정한 농도에 따라, 상기 공급부가 공급하는 상기 약액 또는 상기 순수의 양을 제어하도록 해도 된다. 구체적으로는, 농도를 키로 하여 처리액을 보충하면, 처리액의 변화에 따라 적절한 보충을 할 수 있게 된다.
또, 상기 제어부는, 상기 소정의 처리의 경과 시간에 기초하여, 상기 공급부가 공급하는 상기 약액 또는 상기 순수의 양을 제어하도록 해도 된다. 여기서, 경과 시간에 수반하는 처리액의 농도의 대략의 변화는 미리 알 수 있다. 따라서, 경과 시간을 키로 하여 미리 규정된 양의 처리액을 보충하는 방법에 의해서도, 적절한 보충을 할 수 있게 된다. 또한, 처리하는 기판의 수에 따라 약액 또는 순수의 공급량을 결정하도록 해도 된다.
또, 상기 소정의 처리에 있어서 상기 기판으로부터 상기 처리액 중에 용해한 용질을, 상기 배출부가 배출한 처리액으로부터 석출시킨 후에 제거하고, 처리액을 재생하는 재생 처리부를 추가로 포함하고, 상기 재생 처리부는, 재생한 처리액을 상기 처리조에 공급하도록 해도 된다. 이와 같이 하면, 처리액을 재이용할 수 있다.
또한, 상기 서술한 기판 처리 장치는, 당해 장치가 실행하는 기판 처리 방법으로서 특정할 수도 있다. 또, 상기 서술한 과제를 해결하기 위한 수단은, 적절히 조합하여 사용하는 것이 가능하다.
본 발명에 의하면, 한 번의 에칭 처리로 용해하는 에칭 대상물의 양이 많은 경우에 있어서도, 처리조 내의 처리액의 농도를 안정시킬 수 있다.
도 1 은 실시예 1 에 관련된 기판 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 사시도이다.
도 2 는 실시예 1 에 관련된 기판 처리 장치의 기능 블록도이다.
도 3 은 실시예 1 에 관련된 기판 처리 장치의 처리부에 있어서의 각 처리조의 처리액의 제어에 관련되는 구성을 나타내는 도면이다.
도 4 는 실시예 1 에 관련된 처리의 일례를 나타내는 처리 플로도이다.
도 5 은 실시예 2 에 관련된 처리의 일례를 나타내는 처리 플로도이다.
도 6 은 처리액의 재생을 실시하는 재생 처리부의 일례를 나타내는 기능 블록도이다.
도 7 은 실시예 5 에 관련된 처리의 일례를 나타내는 처리 플로도이다.
도 8 은 복수의 임계치를 형성하여 처리액 중의 SiN 의 농도에 따라, 공급하는 약액 또는 순수의 양을 변경하는 예를 설명하기 위한 그래프이다.
이하, 본 발명의 실시예에 대해 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다. 또한, 이하에 나타내는 실시예는, 본원발명의 일 양태로서, 본원발명의 기술적 범위를 한정하는 것이 아니다.
＜실시예 1＞
도 1 은 실시예 1 에 관련된 기판 처리 장치 (1) 의 개략 구성을 나타내는 사시도이다. 이 기판 처리 장치 (1) 는, 주로 기판 (예를 들어 반도체 기판) (W) 에 대해 에칭 처리나 세정 처리 (이하, 간단히 "처리" 라고도 한다) 를 실시하는 것이다. 기판 처리 장치 (1) 에 있어서는, 도 1 에 있어서 우측 안쪽에 기판 (W) 을 스톡하는 버퍼부 (2) 가 배치되고, 버퍼부 (2) 의 더욱 우측 안쪽에는, 기판 처리 장치 (1) 를 조작하기 위한 정면 패널 (도시하지 않음) 이 형성되어 있다. 또, 버퍼부 (2) 에 있어서의 정면 패널과 반대측에는, 기판 반출입구 (3) 가 형성되어 있다. 또, 기판 처리 장치 (1) 의 길이 방향에 있어서의, 버퍼부 (2) 의 반대측 (도 1 에 있어서 좌측 앞쪽) 으로부터, 기판 (W) 에 대해 처리를 실시하는 처리부 (5, 7 및 9) 가 병설되어 있다.
처리부 (5, 7 및 9) 는, 각각 두 개의 처리조 (5a 및 5b, 7a 및 7b, 9a 및 9b) 를 갖고 있다. 또, 기판 처리 장치 (1) 에는, 복수 장의 기판 (W) 을 각 처리부 (5, 7 및 9) 에 있어서의 각 처리조의 사이에서만 도 1 중의 짧은 화살표의 방향 및 범위에 대해 이동시키기 위한 부반송 기구 (43) 가 구비되어 있다. 또, 이 부반송 기구 (43) 는, 복수 장의 기판 (W) 을 처리조 (5a 및 5b, 7a 및 7b, 9a 및 9b) 에 침지하고, 또는 이들의 처리조로부터 끌어올리기 위하여, 복수 장의 기판 (W) 을 상하로도 이동시킨다. 각각의 부반송 기구 (43) 에는, 복수 장의 기판 (W) 을 유지하는 리프터 (11, 13 및 15) 가 형성되어 있다. 또한, 기판 처리 장치 (1) 에는, 복수 장의 기판 (W) 을 각 처리부 (5, 7 및 9) 의 각각에 반송하기 위하여, 도 1 중의 긴 화살표의 방향 및 범위에서 이동 가능한 주반송 기구 (17) 가 구비되어 있다.
주반송 기구 (17) 는, 2 개의 가동식의 아암 (17a) 을 갖고 있다. 이들의 아암 (17a) 에는, 기판 (W) 을 재치하기 위한 복수의 홈 (도시 생략) 이 형성되어 있고, 도 1 에 나타내는 상태에서, 각 기판 (W) 을 기립 자세 (기판 주면의 법선이 수평 방향을 따른 자세) 로 유지한다. 또, 주반송 기구 (17) 에 있어서의 2 개의 아암 (17a) 은, 도 1 중의 우측 비스듬히 하방향에서 보아,「V」자상에서 역「V」자상으로 요동함으로써, 각 기판 (W) 을 개방한다. 그리고, 이 동작에 의해, 기판 (W) 은, 주반송 기구 (17) 와 리프터 (11, 13 및 15) 사이에서 주고 받는 것이 가능하게 되어 있다.
도 2 에는, 기판 처리 장치 (1) 의 기능 블록도를 나타낸다. 상기 서술한 주반송 기구 (17), 부반송 기구 (43), 처리부 (5, 7, 9) 는, 제어부 (55) 에 의해 통괄적으로 제어되고 있다. 제어부 (55) 의 하드웨어로서의 구성은 일반적인 컴퓨터와 동일하다. 즉, 제어부 (55) 는, 각종 연산 처리를 실시하는 CPU, 기본 프로그램을 기억하는 판독 출력 전용의 메모리인 ROM, 각종 정보를 기억하는 자유롭게 판독입력 가능한 메모리인 RAM 및 제어용 어플리케이션이나 데이터 등을 기억해 두는 자기 디스크 등을 구비하고 있다. 본 실시예에 있어서는, 제어부 (55) 의 CPU 가 소정의 프로그램을 실행함으로써, 기판 (W) 을 각 처리부 (5, 7, 9) 에 반송하고, 프로그램에 따른 처리를 실시하도록 각 부를 제어한다. 상기의 프로그램은, 기억부 (57) 에 기억되고 있다. 또, 기억부 (57) 에는, 프로그램이 동작할 때의 기준이 되는 임계치, 그 밖의 파라미터를 미리 유지시켜 둔다.
도 3 은, 기판 처리 장치 (1) 의 처리부 (5, 7, 9) 에 있어서의 각 처리조 (5a, 7a, 9a) 의 처리액의 제어에 관련되는 구성을 나타내는 도면이다. 도 3 에 있어서는, 처리부 (5, 7, 9) 에 있어서의 각 처리조 (5a, 7a, 9a) 중, 처리조 (7a) 를 예로 들어 설명한다. 이하의 처리조 (7a) 의 처리액에 대한 제어와 동등 또는 유사할 제어가, 다른 처리조 (5a, 9a) 에 대해서도 적용된다.
여기서, 반도체 웨이퍼의 제조 공정에 있어서는, 예를 들어 실리콘 등의 단결정 잉곳을 그 봉축 방향으로 슬라이스하고, 얻어진 것에 대해 모따기, 래핑, 에칭 처리, 폴리싱 등의 처리가 순차 실시된다. 그 결과, 기판 표면 상에는 상이한 재료에 의한 복수의 층, 구조, 회로가 형성된다. 그리고, 처리조 (7a) 에 있어서 실시되는 기판 (W) 의 에칭 처리는, 예를 들어, 반도체 기판 상의 패턴 형성을 위한 공정이다. 에칭 처리는, 기판 상에 형성된 실리콘 질화막 (Si3N4 (SiN 으로도 기재한다) 막) 및 실리콘 산화막 (SiO2 막) 중 실리콘 산화막을 남기고 실리콘 질화막을 선택적으로 제거할 목적으로, 기판 (W) 을 처리액인 고온 (150 ℃ ∼ 160 ℃) 의 인산 수용액 (H3PO4 ＋ H2O) 등에 소정 시간 침지시킴으로써 실시된다.
도 3 에 있어서, 처리조 (7a) 는, 처리액 중에 기판 (W) 을 침지시키는 내조 (50a) 와, 내조 (50a) 의 주위에 형성되고 내조 (50a) 의 상단으로부터 오버 플로된 처리액이 유입되는 외조 (50b) 에 의해 구성되는 이중조 구조를 갖고 있다. 내조 (50a) 는, 처리액에 대한 내식성이 우수한 석영 또는 불소 수지 재료로 형성된 평면에서 보아 사각형의 박스형 형상 부재이다. 외조 (50b) 는, 내조 (50a) 와 동일한 재료로 형성되어 있고, 내조 (50a) 의 외주 상부를 둘러싸도록 형성되어 있다.
또, 처리조 (7a) 에는, 상기 서술한 바와 같이, 저류된 처리액에 기판 (W) 을 침지시키기 위한 리프터 (13) 가 형성되어 있다. 리프터 (13) 는, 기립 자세로 서로 평행하게 배열된 복수 (예를 들어 50 장) 의 기판 (W) 을 3 개의 유지봉에 의해 일괄적으로 유지한다. 리프터 (13) 는, 부반송 기구 (43) 에 의해 상하 좌우의 방향으로 이동 가능하게 형성되어 있다. 그리고, 유지하는 복수 장의 기판 (W) 을 내조 (50a) 내의 처리액 중에 침지시키는 처리 위치 (도 3 의 위치) 와 처리액으로부터 상방으로 끌어올린 수수 위치 사이에서 승강시킴과 함께, 옆의 처리조 (7b) 로 이동시키는 것이 가능하게 되어 있다.
또, 기판 처리 장치 (1) 는, 처리액을 처리조 (7a) 로 순환시키는 순환 라인 (본 발명에 있어서의「순환로」에 상당한다) (20) 을 구비한다. 순환 라인 (20) 은, 처리조 (7a) 로부터 배출된 처리액을 가열·여과하여 다시 처리조 (7a) 로 압송 환류시키는 배관 경로로서, 구체적으로는 처리조 (7a) 의 외조 (50b) 와 내조 (50a) 를 유로 접속하여 구성되어 있다. 순환 라인 (20) 으로의 흡입구는, 외조 (50b) 의 하방 (도 3 의 예에서는 바닥면) 에 형성되어 있다. 또, 순환 라인 (20) 으로부터의 토출구 (25) 는, 내조 (50a) 의 하방 (바닥면의 근방) 에 형성되어 있다.
순환 라인 (20) 의 경로 도중에는, 상류측으로부터 순환 펌프 (21), 온도 조절기 (본 발명에 있어서의「온도 조절부」에 상당한다) (22), 필터 (본 발명에 있어서의「여과부」에 상당한다) (23) 및 농도계 (본 발명에 있어서의「농도 측정부」에 상당한다) (24) 가 형성되어 있다. 순환 펌프 (21) 는, 순환 라인 (20) 을 통하여 처리액을 외조 (50b) 로부터 흡입함과 함께 내조 (50a) 를 향하여 압송한다. 온도 조절기 (22) 는, 순환 라인 (20) 을 흐르는 처리액을 소정의 처리 온도로까지 가열한다. 또한, 처리조 (7a) 에도 도시가 생략된 히터가 형성되어 있고, 처리조 (7a) 에 저류되어 있는 처리액도 소정의 처리 온도를 유지하도록 가열되고 있다. 필터 (23) 는, 순환 라인 (20) 을 흐르는 처리액 중의 이물질을 제거하기 위한 여과 필터이다.
또, 농도계 (24) 는, 순환 라인 (20) 에 의해 내조 (50a) 로 환류하는 처리액의 성분 중, 소정의 성분 (예를 들어, SiN) 의 농도를 측정한다. 이 농도계 (24) 에 의해 측정되는 농도가 최적치가 되도록, 처리조 (7a) 내의 농도가 피드백 제어된다.
다음으로, 상기 구성을 갖는 기판 처리 장치 (1) 의 작용에 대해 보다 상세하게 설명한다. 먼저, 처리조 (7a) 에 저류되어 있는 처리액 중에 기판 (W) 이 침지되어 있는지 여부에 상관없이, 순환 펌프 (21) 는 항상 일정 유량으로 처리액을 압송하고 있다. 순환 라인 (20) 에 의해 처리조 (7a) 로 환류된 처리액은 내조 (50a) 의 바닥부로부터 공급된다. 이로써, 내조 (50a) 의 내부에는 바닥부로부터 상방으로 향하는 처리액의 업 플로가 발생한다. 바닥부로부터 공급된 처리액은 결국은 내조 (50a) 의 상단부로부터 흘러넘쳐 외조 (50b) 로 유입된다. 외조 (50b) 에 흘러든 처리액은 외조 (50b) 로부터 순환 라인 (20) 을 통하여 순환 펌프 (21) 로 이송되고, 다시 처리조 (7a) 로 압송 환류된다는 순환 프로세스가 계속하여 실시된다.
이와 같은 순환 라인 (20) 에 의한 처리액의 순환 프로세스를 실행하면서, 수수 위치에서 복수의 기판 (W) 을 수취한 리프터 (13) 가 처리 위치까지 강하하여 내조 (50a) 내에 저류된 처리액 중에 기판 (W) 을 침지시킨다. 이로써, 소정 시간의 처리가 실시되고, 처리가 종료된 후, 리프터 (13) 가 다시 수수 위치에까지 상승하여 기판 (W) 을 처리액으로부터 끌어올린다. 그 후, 인접하는 처리조 (7b) 에 있어서, 기판 (W) 을 순수로 세정하는 수세 처리가 실시된다.
상기 외에, 기판 처리 장치 (1) 에는, 처리조 (7a) 의 처리액의 농도를 제어하기 위한 농도 제어 장치 (본 발명에 있어서의「공급부」에 상당한다) (40) 가 구비되어 있다. 이 농도 제어 장치 (40) 는, 약액 공급원 (41) 과, 약액 공급원 (41) 과 외조 (50b) 를 연결하는 약액 라인 (42) 과, 순수 공급원 (46) 과, 순수 공급원 (46) 과 외조 (50b) 를 연결하는 순수 라인 (47) 을 갖는다.
약액 라인 (42) 에는, 통과하는 약액 (인산) 의 유량을 측정 가능한 약액 유량계 (44) 와, 인산의 유량을 조정 가능한 약액 보충 밸브 (45) 가 구비되어 있다. 한편, 순수 라인 (47) 에는, 순수 라인 (47) 을 통과하는 순수의 유량을 측정하는 순수 유량계 (48) 와, 순수의 유량을 조정하는 순수 보충 밸브 (49) 가 구비되어 있다. 또, 상기 서술한 제어부 (55) 가 농도계 (24) 의 측정 결과에 기초하여 약액 보충 밸브 (45) 및 순수 보충 밸브 (49) 를 제어하고, 처리조 (7a) 내의 처리액의 농도를, 처리에 최적의 농도가 되도록 제어한다.
또, 처리조 (7a) (도 3 의 예에서는, 외조 (50b) 의 외벽면 상방) 에는, 처리액을 외부로 배출하기 위한 배출구 (본 발명에 있어서의「배출부」에 상당한다) (60) 가 형성되어 있다. 배출구 (60) 는, 예를 들어, 외조 (50b) 내의 액면이 소정의 높이를 초과한 경우에 배수하기 위한 오버 플로관이다. 구체적으로는, 배출구 (60) 는, 내조 (50a) 와 외조 (50b) 를 구획하는, 내조 (50a) 의 외벽보다 낮은 위치로서, 외조 (50b) 의 외벽 상방에 형성된다. 농도 제어 장치 (40) 에 의해 처리조 (7a) 에 공급된 약액 또는 순수의 양에 따라, 배출구 (60) 로부터는 처리액의 일부가 배출되게 되어 있다. 또, 상기 서술한 약액 라인 (42) 및 순수 라인 (47) 의 선단에 있는 토출구는, 외조 (50b) 에 있어서 하방에 위치하고 있다. 바꿔 말하면, 약액 라인 (42) 및 순수 라인 (47) 의 토출구는, 외조 (50b) 의 바닥면에 형성된 순환 라인 (20) 의 흡입구의 근방에 형성되어 있다.
또한, 도 3 에 나타낸 약액 공급원 (41) 및 순수 공급원 (46) 은, 예비적으로 온도 조절을 실시하는 예비 온도 조절부에 의해 실현되어도 된다. 예비 온도 조절부는, 예를 들어, 약액 공급원 (41) 및 순수 공급원 (46) 은 인접하는 처리조 (5b) (편의상,「예비 온도 조절 유닛」이라고도 한다) 에 형성된다. 즉, 도 1 에 나타낸 기판 처리 장치 (1) 에 있어서, 예를 들어 처리조 (5b) 에서 미리 승온시킨 처리액을, 인접하는 처리조 (7a) 의 외조에 공급한다. 처리조 (5b) 는, 도 3 에 나타낸 처리조 (7a), 온도 조절기 (22), 필터 (23), 순환 펌프 (21) 등을 구비하고, 기판 (W) 의 처리를 실시하지 않고 처리액을 순환시키면서 온도 조절을 실시한다. 기판 (W) 의 처리를 실시하지 않기 때문에, SiN 농도는 제로이다. 그리고, 처리조 (5b) 에 형성된 순환 라인 (20) 의 일부로부터 도 3 의 약액 공급원 (41) 에 인산 및 순수를 함유하는 처리액을 공급하고, 약액 보충 밸브 (45) 를 엶으로써 처리조 (7a) 의 외조 (50b) 에 처리액이 추가된다. 기판 (W) 에 대해 에칭 처리나 세정 처리를 실시하는 처리조 (7a) (처리 유닛) 와, 예비 온도 조절을 실시하는 처리조 (5b) (예비 온도 조절 유닛) 를 동일한 구성으로 함으로써, 유닛의 설계나 프로세스 성능이 공통화된다.
(처리)
도 4 는, 본 실시예에 있어서의 처리의 일례를 나타내는 처리 플로도이다. 또한, 본 실시예에서는, 인산을 사용한 실리콘 질화막 (SiN) 에칭을 예로 설명한다. 또한, 이하의 설명에서도 처리조 (7a) 를 예로 하지만, 다른 처리조에 있어서도 동일한 처리를 실시할 수 있다.
기판 처리 장치 (1) 는, 처리를 개시하면, 소정의 농도의 처리액을 생성하는 전처리 (도 4 : S1) 를 실시한다. 구체적으로는, 제어부 (55) 는, 순수 보충 밸브 (49) 를 열어, 외조 (50b) 로의 순수의 공급을 개시한다. 또, 제어부 (55) 는, 순수 유량계 (48) 를 통하여 공급량을 측정하고, 소정의 양에 도달한 시점에서, 순수 보충 밸브 (49) 를 닫아 순수의 공급을 종료한다. 그 후, 약액 보충 밸브 (45) 를 열어, 외조 (50b) 로의 약액의 공급을 개시한다. 또, 제어부 (55) 는, 순환 라인 (20) 에 처리액을 순환시켜, 온도 조절을 개시한다. 그리고, 제어부 (55) 는, 약액 유량계 (44) 를 통하여 공급량을 측정하고, 순수의 공급량과 약액의 공급량의 비 (즉, 농도) 가 소정의 목표치에 도달하면, 약액 보충 밸브 (45) 를 닫아 약액의 공급을 종료한다. 그 후, 처리액의 온도가 소정의 목표치에 도달하면, 전처리를 완료한다. 또한, 전처리를 완료해도, 처리액은, 순환 라인 (20) 의 순환을 계속한다.
또, 기판 처리 장치 (1) 는, 전처리가 완료되면, 로트의 반입을 실시한다 (S2). 본 스텝에서는, 제어부 (55) 는, 주반송 기구 (17) 나 리프터 (11, 13, 15) 등을 구동시켜, 기판 (W) 을 처리부 (5, 7 또는 9) 로 반송한다. 복수 장의 기판 (W) 을 합쳐, 이른바 배치 처리를 실시하는 것으로 한다. 그 후, 기판 처리 장치 (1) 는, 로트의 침지를 실시한다 (S3). 본 스텝에서는, 제어부 (55) 는, 리프터 (13) 를 구동시켜, 기판 (W) 을 내조 (50a) 내에 침지시킨다. 이와 같이 하여, 에칭 처리가 개시된다.
또, 기판 처리 장치 (1) 는, 처리액의 SiN 농도가 소정의 임계치를 초과했는지 판단한다 (S4). 본 스텝에서는, 제어부 (55) 는, 농도계 (24) 로부터 SiN 성분의 농도를 취득하고, 미리 정해진 임계치를 초과했는지 판단한다. 또한, 임계치는, 예를 들어 상한 및 하한이 정해져 있고, 상한을 상회한 경우 또는 하한을 하회한 경우에 임계치를 초과한 것으로 판단한다.
농도가 임계치를 초과한 것으로 판단된 경우 (S4 : 예), 기판 처리 장치 (1) 는, 부분 액 교환 처리를 실시한다 (S5). 부분 액 교환 처리란, 처리조 (7a) 로부터 처리액의 일부를 배출시킴과 함께, 처리조 (7a) 에 약액 또는 순수를 공급하여, 부분적으로 처리액을 교환하는 처리이다. 본 스텝에서는, 제어부 (55) 는, 농도 제어 장치 (40) 에 의해 처리조 (7a) 에 처리액의 보충을 실시함과 함께, 외조 (50b) 가 흘러넘치는 경우에는 배출구 (60) 로부터 처리액의 일부를 배출시킨다. 구체적으로는, SiN 농도가 상한측의 임계치를 초과한 경우에, 순수 및 약액 (인산) 을 공급한다. 또한, 부분 액 교환 처리는, 처리액의 농도가 소정의 범위 내에 들어갈 때까지 계속하는 것으로 한다.
부분 액 교환 처리 후, 또는 S4 에 있어서 처리액의 SiN 농도가 임계치를 초과하지 않은 것으로 판단된 경우 (S4 : 아니오), 기판 처리 장치 (1) 는, 처리를 종료할지 판단한다 (S6). 본 스텝에서는, 제어부 (55) 는, 예를 들어 로트의 침지로부터 소정의 시간이 경과한 경우에, 처리 대상의 기판 (W) 에 대한 배치 처리를 종료하는 것으로 판단한다. 처리를 종료하지 않는 것으로 판단된 경우 (S6 : 아니오), S4 로 되돌아와 기판 처리 장치 (1) 는 처리를 반복한다.
한편, 처리를 종료하는 것으로 판단된 경우 (S6 : 예), 기판 처리 장치 (1) 는 로트를 반출한다 (S7). 본 스텝에서는, 제어부 (55) 는, 리프터 (13) 를 구동시켜, 기판 (W) 을 내조 (50a) 밖으로 끌어올린다. 또, 제어부 (55) 는, 주반송 기구 (17) 나 리프터 (11, 13, 15) 등을 구동시켜, 기판 (W) 을 인접하는 수세조 (처리조 (7b)) 로 반송한다.
이상과 같이 하여, 1 로트분의 배치 처리가 완료된다. 또한, 계속하여 다른 기판 (W) 을 처리하는 경우, 도 4 의 전처리 (S1) 를 생략하고 로트 반입 (S2) 을 실시하도록 해도 된다.
(효과)
본 실시예에서는, 에칭 처리 중에 있어서 부분적으로 처리액의 교환을 실시한다. 이와 같이 하면, 예를 들어 삼차원 NAND 의 형성과 같이, 에칭에 있어서 처리액 중에 용해하는 실리콘 질화막의 양이 많은 프로세스에 있어서도, 처리액의 농도를 소정 범위로 유지할 수 있게 된다.
여기서, 예를 들어 인산을 사용한 질화막 에칭에서는, 처리액의 질화규소 (SiN) 농도가 지나치게 낮아진 경우, 실리콘 산화막 (SiO2) 까지 용해시키기 때문에, 처리액의 농도 조절이 중요해진다. 즉, 갑자기 대량의 인산 및 순수를 공급하면, 질화규소 농도가 지나치게 낮아질 우려가 있어 바람직하지 않다. 또, 처리액의 온도도, 에칭에 있어서 원하는 용해 반응을 일으키게 하기 위한 중요한 요소이다. 본 실시예에서는, 도 3 에 모식적으로 나타내는 바와 같이, 처리액 (약액 또는 순수) 을 외조 (50b) 에 보충한다. 외조 (50b) 는, 기판 (W) 을 침지시키는 내조 (50a) 와는 구획된 영역으로서, 외조 (50b) 에 처리액을 보충함으로써, 기판 (W) 주위의 처리액의 농도나 온도를 급격하게 변화시키지 않게 하고 있다. 또, 도 3 에 있어서, 약액 라인 (42) 및 순수 라인 (47) 의 토출구는, 외조 (50b) 의 바닥면에 형성된 순환 라인 (20) 의 흡입구의 근방에 형성되어 있다. 이와 같이 하면, 새로 공급된 약액이나 순수가 곧바로 배출구로부터 배출되는 것을 억제할 수 있다.
또, 기판 (W) 을 처리액 중에 침지시키는 내조 (50a) 로부터, 외조 (50b) 로는, 양자를 구획하는 내조 (50a) 의 외벽 상단으로부터 오버 플로된 처리액이 유입된다. 또, 외조 (50b) 로부터의 배수는, 외조 (50b) 의 외벽 상부에 형성된 배출구 (60) 로부터 오버 플로된 처리액을 배출하게 되어 있다. 이와 같이 하면, 처리액의 수면을 부유하는, 에칭에 의해 발생한 불순물 등의 파티클을 제거하기 쉬워진다.
또, 순환 라인 (20) 은, 처리액을 여과함과 함께 온도 조절하고, 내조 (50a) 의 하방으로 환류시킨다. 이와 같이 하면, 내조 (50a) 내의 온도를 소정의 범위 내로 유지할 수 있음과 함께, 기판 (W) 주위의 온도의 급격한 변화를 억제할 수 있다.
또, 에칭 처리에 있어서는 처리액의 온도 관리가 중요한 바, 예비 온도 조절을 실시함으로써, 처리액의 보충에 수반하는 온도의 변화를 저감시킬 수 있다.
＜실시예 2＞
도 5 는, 실시예 2 에 관련된 처리의 일례를 나타내는 처리 플로도이다. 도 5 의 S11 ∼ S13, S15 ∼ S17 의 처리는, 도 4 의 S1 ∼ S3, S5 ∼ S7 의 처리와 동일하기 때문에, 설명을 생략한다. 본 실시예에서는, S14 에 있어서 처리의 개시로부터 소정 시간이 경과한 것으로 판단된 경우 (S14 : 예) 에, 부분 액 교환 처리 (S15) 를 실시한다.
배치 처리에 있어서 처리하는 기판의 장 수를 알고 있는 경우, 처리의 개시로부터 어느 정도의 시간이 경과하면 처리액의 농도가 허용 범위를 일탈할지 예측할 수 있다. 또한, 처리액의 교체가 필요한 양은, 처리 대상의 기판의 양에 비례하여 증가한다. 따라서, 본 실시예에서는, 미리 기판 1 장당 또한 소정의 처리 시간당의 처리액의 교체량을 정의해 두고, 제어부 (55) 는, 처리 대상의 기판의 장 수에 따라 교체량을 제어한다.
이와 같이, 예를 들어 처리 개시 시점을 기준으로 한 공급 타이밍과 공급량을 규정한 정보 (레시피) 에 기초하여 처리액을 보충하는 양태에서도, 처리액의 농도를 소정 범위로 유지할 수 있다.
＜실시예 3＞
도 3 의 예에서는 약액 공급원 (41) 에 인접하는 처리조 (5b) 를 이용했지만, 약액 공급원 (41) 은, 공장에서 제조되는 상온의 인산을 처리조 (7a) 에 공급하는 구성이어도 된다.
도 3 의 예에서는 약액 라인 (42) 및 순수 라인 (47) 의 토출구는, 외조 (50b) 의 바닥면에 형성된 순환 라인 (20) 의 흡입구의 근방에 형성되어 있다. 새로 추가되는 약액이나 순수의 대부분은 먼저 순환 라인 (20) 에 흡입되고, 온도 조절기 (22) 에서 승온되어 내조 (50a) 에 공급되기 때문에, 상온의 약액이나 순수를 외조 (50b) 에 공급해도 내조 (50a) 의 온도 변화를 억제할 수 있다.
＜실시예 4＞
도 6 은, 처리액의 재생을 실시하는 재생 처리부의 일례를 설명하기 위한 기능 블록도이다. 재생 처리부는, 처리조 (7a) 의 배출구 (60) 및 예비 온도 조절 유닛과 접속된 냉각 탱크 (70) 를 포함한다. 냉각 탱크 (70) 는, 배출구 (60) 로부터 배출된 처리액을 저류시킴과 함께 냉각시키고, 처리액에 용해한 SiN 을 석출시킨다. 또, 냉각 탱크 (70) 의 유출구에는 밸브가 형성되고, 밸브를 엶으로써 SiN 이 석출된 후의 처리액을 예비 온도 조절 유닛으로 환류시킨다. 그 후, 냉각 탱크 (70) 로부터 환류된 처리액은, 예비 온도 조절 유닛에서 승온되어, 약액 라인 (42) 을 통하여 처리조 (7a) 로 되돌아온다.
이와 같이 하면, 처리액 중의 인산을 재생하여, 다시 에칭 처리에 이용할 수 있게 된다. 또한, 냉각 탱크 (70) 의 유출구에도 필터를 형성하고, 석출된 SiN 을 제거하도록 해도 된다. 또, 필터에 대해 불산을 사용하여 그 기능을 재생하는 필터 재생부 (도시하지 않음) 를 추가로 구비하도록 해도 된다.
＜실시예 5＞
도 7 은, 실시예 5 에 관련된 처리의 일례를 나타내는 처리 플로도이다. 도 7 의 S21 ∼ S24, S26 ∼ S28 의 처리는, 도 4 의 S1 ∼ S4, S5 ∼ S7 의 처리와 동일하기 때문에, 설명을 생략한다. 본 실시예에서는, S25 에 있어서 배치 처리의 개시로부터 소정 시간이 경과한 것으로 판단된 경우 (S25 : 예) 에, 부분 액 교환 처리 (S26) 를 실시한다.
배치 처리의 개시 직후에는, 온도 저하로부터의 리커버리에 시간이 걸리는 경향이 있기 때문에, 본 실시예에서는, 소정 시간이 경과할 때까지 처리액의 보충을 실시하지 않게 하고 있다. 이와 같이 하면, 처리조 내의 처리액의 온도 저하를 피할 수 있다. 구체적으로는, 처리 로트가 투입되고 나서 처리액이 다 순환할 정도의 시간은, 보충을 실시하지 않도록 제어된다. 이 시간은 제어부 (55) 가 액세스 가능한 기억부 (57) (도 2) 에 파라미터로서 보존된다. 예를 들어, 이 시간은 2 ∼ 5 분으로 설정되어 있다.
＜기타＞
약액의 보충을 실시하는 약액 라인 (42) 의 토출구, 및 순수의 보충을 실시하는 순수 라인 (47) 의 토출구는, 개구 면적이 변화하는 가변 니들이어도 되고, 개구 면적이 변화하지 않는 고정 니들이어도 된다. 가변 니들의 경우에는, 제어부 (55) 는 보충 유량을 파라미터로 하여 유량을 조절한다. 고정 니들의 경우에는, 제어부 (55) 는 보충을 실시하는 시간을 파라미터로 하여 유량을 조절한다.
도 8 은, 복수의 임계치를 형성하여 처리액 중의 SiN 의 농도에 따라, 공급하는 약액 또는 순수의 양을 변경하는 예를 설명하기 위한 그래프이다. 도 4 의 S4 에 있어서 사용되는 임계치는, 단계적으로 복수 규정되어 있어도 된다. 또한, 임계치는, 제어부 (55) 가 액세스 가능한 기억부 (57) (도 2) 에 기억시켜 둔다. 예를 들어, 도 8 에 나타내는 바와 같이, 농도의 목표가 되는 기준치, 초과한 경우에 농도 피드백 제어를 개시하는 고농도 (상한) 측의 임계치 및 저농도 (하한) 측의 임계치인「H (농도 FB)」및「L (농도 FB)」, 초과한 경우에 부분 액 교환 처리를 개시하는 고농도측의 임계치 및 저농도측의 임계치인「H' (부분 액 교환)」및「L' (부분 액 교환)」, 초과한 경우에 알람을 발보하고, 처리를 정지시키는 고농도측의 임계치 및 저농도측의 임계치인「HH (농도 상한 이상)」및「LL (농도 하한 이상)」이 규정된다. 또한,「H (농도 FB)」보다「H' (부분 액 교환)」쪽이 농도가 높은 값이다. 그리고,「H' (부분 액 교환)」보다「HH (농도 상한 이상)」쪽이 농도가 높은 값이다. 또,「L (농도 FB)」보다「L' (부분 액 교환)」쪽이 농도가 낮은 값이다. 그리고,「L' (부분 액 교환)」보다「LL (농도 하한 이상)」쪽이 농도가 낮은 값이다. 이들의 임계치는, 제어부 (55) 가 액세스 가능한 기억부 (57) (도 2) 의 테이블에 미리 기억시켜 두는 것으로 한다. 테이블은, 미리 복수 준비해 두고, 조작자가 적절히 선택할 수 있도록 해도 된다. 조작자에 의한 테이블의 입력이나 선택은, 기판 처리 장치 (1) 의 정면 패널로부터 이루어지도록 해도 되고, 외부 컴퓨터나 모바일 단말로부터 통신에 의해 이루어지도록 해도 된다.
농도 피드백 제어란, 약액 또는 순수를, 처리액의 배출이 일어나지 않을 정도의 소량 보충하는 처리이다. 농도 피드백 제어에 있어서는, 도 8 의 H 에서 H' 까지의「농도 FB 제어폭」에 있어서, 순수를 조금씩 공급하고, 도 8 의 L 에서 L' 까지의「농도 FB 제어폭」에 있어서, 약액을 조금씩 공급한다. 또, 부분 액 교환 처리란, 상기 실시예와 마찬가지로, 처리액의 일부를 배출함과 함께, 약액 또는 순수를 보충하는 처리이다. 부분 액 교환 처리에 있어서는, 도 8 의 H' 에서 HH 까지의 EAQ 폭에 있어서, 순수를 공급함과 함께 처리조로부터 흘러넘친 처리액을 배출하고, L' 에서 LL 까지의 EAQ 폭에 있어서, 약액을 공급함과 함께 처리조로부터 흘러넘친 처리액을 배출한다. 또한, 전액 교환 처리는, 부분 액 교환 처리에서는 처리액의 재생을 할 수 없는 경우에, 처리액을 모두 교환하는 처리이다. 도 8 의 HH 를 상회한 경우, 또는 LL 을 하회한 경우에 있어서는, 알람을 발보하고, 처리를 정지시킨다. 그 후, 처리조 등으로부터 처리액을 모두 배출하고, 다시 전처리 (도 3 : S1) 부터 실행한다.
또, 도 4, 5 및 7 의 처리 플로도에서는, 부분 액 교환 처리는, 로트의 침지 후, 로트의 반출 전에 실시하도록 하고 있었지만, 부분 액 교환 처리와, 로트의 반입, 침지 및 반출과는, 독립적으로 실행하도록 해도 된다. 예를 들어, 복수의 로트를 연속적으로 처리하는 경우, 처리 후의 로트의 반출에서, 새로 처리하는 로트의 반입 및 침지까지의 동안에도, SiN 농도에 따라 적절히 부분 액 교환 처리를 실행한다. 또한, 상기 실시예 5 에서 조합하는 경우에는, 부분 액 교환 처리 중에 새로운 로트의 반입이 있었을 때, 새로운 로트에 대한 배치 처리의 개시에서 소정 시간이 경과할 때까지는, 부분 액 교환 처리를 중단한다.
약액의 소정의 성분이 화학 반응에 의해 열화되는 것 외에, 처리액에 함유되는 성분이 증발하는 것 등에 의해서도, 처리액에 함유되는 약액의 성분의 농도가 변화한다. 상기 서술한 바와 같이 하면, 복수의 임계치에 따라, 목표치에 근접시키기 위한 처리를 적절히 선택할 수 있다.
또, 외조 (50b) 는, 평면에서 보아 내조 (50a) 의 전체 둘레에 걸쳐서 형성되어 있지 않아도 된다. 예를 들어, 내조 (50a) 의 외벽 중, 외조 (50b) 와 인접하는 부분의 높이가 다른 부분보다 낮아져 있으면, 내조 (50a) 로부터 오버 플로된 처리액은 외조 (50b) 로 유입되게 된다. 따라서, 외조 (50b) 는, 내조 (50a) 의 주위의 적어도 일부에 형성되어 있으면 된다.
또, 미리 SiN 을 고농도로 용해시킨 인산 수용액을 준비해 두고, 도 8 의「L (농도 FB)」이나「L' (부분 액 교환)」를 하회한 경우에 보충하도록 해도 된다.
또, 도 3 의 예에서는 이른바 인라인식의 농도계를 이용하는 예를 나타냈지만, 일부의 액체를 추출하여 농도를 측정하는 샘플링식의 농도계를 사용하도록 해도 된다.
또, SiN 농도 대신에 수소 이온 지수 (pH) 나 도전율 등을 측정하고, SiN 농도로 환산하도록 해도 된다.
또, 도 3 의 예에서는 약액 및 순수를 외조 (50b) 에 보충하고 있지만, 내조 (50a) 에 보충하도록 해도 된다. 외조 (50b) 또는 내조 (50a) 로의 보충은, 약액 보충 밸브 (45) 또는 순수 보충 밸브 (49) 의 개폐가 아니라, 펌프의 제어에 의해 원하는 양을 보충하도록 해도 된다.
상기 서술한 실시예 1 ∼ 4, 그 밖의 처리는, 가능한 한 조합하여 실시할 수 있다.
1 : 기판 처리 장치
2 : 버퍼부
3 : 기판 반출 입구
5, 7, 9 : 처리부
5a, 5b, 7a, 7b, 9a, 9b : 처리조
11, 13, 15 : 리프터
17 : 주반송 기구
17a : 아암
20 : 순환 라인
21 : 순환 펌프
22 : 온도 조절기
23 : 필터
24 : 농도계
25 : 토출구
40 : 농도 제어 장치
41 : 약액 공급원
42 : 약액 라인
43 : 부반송 기구
44 : 약액 유량계
45 : 약액 보충 밸브
46 : 순수 공급원
47 : 순수 라인
48 : 순수 유량계
49 : 순수 보충 밸브
50 : 처리조
50a : 내조
50b : 외조
55 : 제어부
57 : 기억부
60 : 배출구
70 : 냉각 탱크

Claims (16)

  1. 소정의 약액 및 순수를 함유하는 처리액에 기판을 침지시킴으로써 그 기판에 대해 에칭 처리를 실시하는 기판 처리 장치로서,
    상기 기판에 상기 에칭 처리를 실시하기 위한 상기 처리액이 저류된 처리조와,
    상기 처리조에 상기 약액 또는 상기 순수를 공급하는 공급부와,
    상기 처리조에 저류된 상기 처리액을 배출하는 배출부와,
    상기 공급부에 의한 상기 약액 또는 상기 순수의 공급을 제어하는 제어부를 구비하고,
    상기 제어부는, 상기 에칭 처리에 의해 제거된 성분의 농도가 임계치를 초과한 것으로 판단된 경우, 상기 처리조로부터 처리액의 일부를 배출시킴과 함께, 상기 처리조에 약액 또는 순수를 공급하여, 부분적으로 처리액을 교환하는 부분 액 교환 처리를 실행시키는, 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 처리조는, 상기 기판에 상기 에칭 처리를 실시하기 위한 내조와, 당해 내조의 주위에 형성되고, 당해 내조로부터 오버 플로된 상기 처리액이 유입되는 외조를 갖고,
    상기 기판 처리 장치는, 상기 외조의 처리액을 상기 내조로 환류시키는 순환로를 구비하고,
    상기 공급부는, 상기 약액 또는 상기 순수를 상기 외조에 공급하는, 기판 처리 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 순환로는, 내부의 처리액을 온도 조절하는 온도 조절부와, 통과하는 처리액을 여과하는 여과부를 구비하는, 기판 처리 장치.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 배출부는, 상기 외조의 측면 연직 상방에 형성된 오버 플로관인, 기판 처리 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 공급부는, 상기 약액 또는 상기 순수를 온도 조절하는 예비 온도 조절부를 구비하는, 기판 처리 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 처리액에 있어서의 소정 성분의 농도를 측정하는 농도 측정부를 추가로 구비하고,
    상기 제어부는, 상기 농도 측정부가 측정한 농도에 따라, 상기 공급부가 공급하는 상기 약액 또는 상기 순수의 양을 제어하는, 기판 처리 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 에칭 처리의 경과 시간에 기초하여, 상기 공급부가 공급하는 상기 약액 또는 상기 순수의 양을 제어하는, 기판 처리 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 에칭 처리에 있어서 상기 기판으로부터 상기 처리액 중에 용해한 용질을, 상기 배출부가 배출한 처리액으로부터 석출시킨 후에 제거하고, 처리액을 재생하는 재생 처리부를 추가로 포함하고,
    상기 재생 처리부는, 재생한 처리액을 상기 처리조에 공급하는, 기판 처리 장치.
  9. 소정의 약액 및 순수를 함유하는 처리액에 기판을 침지시킴으로써 그 기판에 대해 에칭 처리를 실시하는 기판 처리 방법으로서,
    상기 기판에 상기 에칭 처리를 실시하기 위한 상기 처리액이 저류된 처리조에 상기 약액 또는 상기 순수를 공급하는 공급 공정과,
    상기 처리조에 저류된 상기 처리액을 배출하는 배출 공정과,
    상기 공급 공정에 있어서의 상기 약액 또는 상기 순수의 공급을 제어하는 제어 공정을 구비하고,
    상기 제어 공정에 있어서, 상기 에칭 처리에 의해 제거된 성분의 농도가 임계치를 초과한 것으로 판단된 경우, 상기 처리조로부터 처리액의 일부를 배출시킴과 함께, 상기 처리조에 약액 또는 순수를 공급하여, 부분적으로 처리액을 교환하는 부분 액 교환 처리를 실행시키는, 기판 처리 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 처리조는, 상기 기판에 상기 에칭 처리를 실시하기 위한 내조와, 당해 내조의 주위에 형성되고, 당해 내조로부터 오버 플로된 상기 처리액이 유입되는 외조를 갖고,
    상기 기판 처리 방법은, 상기 외조의 처리액을 상기 내조로 환류시키는 순환 공정을 구비하고,
    상기 공급 공정에 있어서, 상기 약액 또는 상기 순수를 상기 외조에 공급하는, 기판 처리 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 순환 공정에 있어서, 통과하는 상기 처리액을 온도 조절함과 함께 여과하는, 기판 처리 방법.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 배출 공정에 있어서, 상기 외조의 측면 연직 상방에 형성된 오버 플로관으로부터 상기 처리액을 배출하는, 기판 처리 방법.
  13. 제 9 항에 있어서,
    상기 공급 공정에 있어서, 공급 전의 상기 약액 또는 상기 순수를 온도 조절하는, 기판 처리 방법.
  14. 제 9 항에 있어서,
    상기 처리액에 있어서의 소정 성분의 농도를 측정하는 농도 측정 공정을 추가로 구비하고,
    상기 제어 공정에 있어서, 상기 농도 측정 공정에 있어서 측정된 농도에 따라, 상기 공급 공정에 있어서 공급하는 상기 약액 또는 상기 순수의 양을 제어하는, 기판 처리 방법.
  15. 제 9 항에 있어서,
    상기 제어 공정에 있어서, 상기 에칭 처리의 경과 시간에 기초하여, 상기 공급 공정에 있어서 공급하는 상기 약액 또는 상기 순수의 양을 제어하는, 기판 처리 방법.
  16. 제 9 항에 있어서,
    상기 에칭 처리에 있어서 상기 기판으로부터 상기 처리액 중에 용해한 용질을, 상기 배출 공정에 있어서 배출된 처리액으로부터 석출시켜 제거하고, 처리액을 재생하는 재생 처리 공정을 추가로 구비하고,
    상기 재생 처리 공정에 있어서, 재생한 처리액을 상기 처리조에 공급하는, 기판 처리 방법.
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