CN107871689A - 基板处理装置以及基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供基板处理装置及基板处理方法。即使在一次蚀刻处理中溶解的蚀刻对象物的量多的情况下也能使处理槽内的处理液浓度稳定。基板处理装置以向包括规定的药液以及纯水的处理液浸渍基板的方式对该基板进行规定的处理。此外，其具备：处理槽，用于进行规定处理的处理液存储于基板；供给部，用于向处理槽供给所述药液或所述纯水；排出部，用于排出存储于处理槽内的处理液；控制部，用于控制由供给部供给药液或纯水；控制部在执行规定处理时向供给部供给药液或所述纯水。

Description

基板处理装置以及基板处理方法
技术领域
本发明涉及一种将半导体晶片等基板浸渍于处理槽而进行蚀刻处理、清洗处理的基板处理装置以及基板处理方法，特别是，涉及一种处理槽中的处理液的浓度控制。
背景技术
半导体装置的制造工序中，包括通过将半导体晶片等基板浸渍于处理槽，从而对该基板施加蚀刻处理、清洗处理的工序。这种工序由包括多个处理槽的基板处理装置来进行。并且，由于该基板处理装置的各处理槽中的处理液浓度，有时会随着时间的经过因处理液组成成分的蒸发、分解等而发生变化，因此进行浓度控制，以使处理液的浓度保持在适合于上述蚀刻处理、清洗处理的范围内。
作为这样的技术，有以下的公知技术。即，在该技术中，如果由浓度测定装置测定的浓度不在正常浓度范围内，则判断为浓度异常，并实施全部液体的更换(例如参照专利文献1)。在正常浓度范围内的情况下，如果处于目标浓度范围内(图5：S0+、S0-)，则以所测定浓度的处理液来处理基板，如果处于第一浓度范围(图5：S1+、S1-)，则以规定的量补充处理液而进行浓度校正。此外，如果处于第二浓度范围内(图5：S2+、S2-)，则以规定量进行排液处理之后再以规定量进行液体补给。通过具有多个浓度校正范围，可以稳定地控制浓度。需要说明的是，处理液的全部更换、处理液的补给、或者处理液的排液以及补给，是在批次(lot)处理完成并搬出之后或在批次等待投入的状态下进行(专利文献1：图3、图4)。即，由于处理液的浓度、温度是影响批次处理成功与否的主要因素，因此在处理过程中避免补给和排液。
然而，近年来，例如三维NAND的形成等，也存在一个批次处理中所溶解的蚀刻对象物的量比以往更多的工序。在这种情况下，批次处理中处理液的浓度变化大，有时不能保持能够充分进行蚀刻中的溶解反应的浓度。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2012-74552号公报
发明内容
于是，本发明的目的在于，提供一种即使是一次蚀刻处理中所溶解的蚀刻对象物的量多的情况下，也能使处理槽内的处理液浓度稳定的技术。
为了解决上述课题，本发明具有以下构成。
一种基板处理装置，通过使基板浸渍于包括规定的药液和纯水的处理液对该基板进行规定的处理，该基板处理装置具备：处理槽，存储有用于对所述基板进行所述规定的处理的所述处理液；供给部，向所述处理槽供给所述药液或所述纯水；排出部，排出存储于所述处理槽内的所述处理液；以及控制部，控制由所述供给部进行的所述药液或所述纯水的供给，所述控制部在执行所述规定处理时使所述供给部供给所述药液或所述纯水。
根据本发明，即使在执行规定处理时也能进行药液或纯水的供给。因此，例如三维NAND的形成，即使是执行蚀刻中溶解在处理液中的氮化硅膜的量比以往的处理更多的工序，也可以调节处理液的浓度。
此外，所述处理槽具有：内槽，用于在所述基板进行所述规定的处理；以及外槽，其设置于该内槽的周围且由该内槽所溢流的所述处理液流入其中；所述基板处理装置可以具备使所述外槽的处理液向所述内槽回流的循环路径，所述供给部可以将所述药液或所述纯水供给至所述外槽。通过将处理液补给到不同于基板的其他槽，抑制基板周围的处理液浓度的急剧变化。
此外，所述循环路径可以具备：温度调节部，用于调节内部处理液的温度；过滤部，用于过滤所通过的处理液。通过这种方式，可以从处理液去除杂质，并且还可以抑制基板周围的处理液的温度突然变化。
此外，所述排出部可以是设置于所述外槽的侧面的铅锤上方的溢水管。通过这种方式，更容易地去除浮游在外槽的处理液的水面并通过蚀刻产生的杂质等颗粒。
此外，所述供给部可以具备预调节温度部，用于调节所述药液或者所述纯水的温度。通过这种方式，可以抑制处理槽内的处理液温度的急剧变化。
此外，还具备用于测定所述处理液的规定成分浓度的浓度测定部，所述控制部可以根据所述浓度测定部所测定的浓度，控制所述供给部供给的所述药液或所述纯水的量。具体地，如果将浓度作为关键补给处理液，可以根据处理液的变化适当地进行补给。
此外，所述控制部基于所述规定处理的经过时间，可以控制所述供给部供给的所述药液或者所述纯水的量。在此，已知随着经过时间的处理液浓度的大致变化。因此，通过将经过时间作为关键而补给预定量的处理液的方法，也可以适当地进行补给。另外，还可以根据待处理的基板数量来决定药液或者纯水的供给量。
此外，还包括再生处理部，其在所述规定的处理中将从所述基板向所述处理液中溶解的溶质在从所述排出部排出的处理液析出之后去除并再生处理液，所述再生处理部可以向所述处理槽供给再生的处理液。通过这种方式，可以重新利用处理液。
需要说明的是，上述基板处理装置可以指定作为该装置执行的基板处理方法。此外，用于解决上述课题的方法可以适当地组合使用。
根据本发明，即使在一次蚀刻处理中所溶解的蚀刻对象物的量多的情况下，也可以使处理槽内的处理液的浓度稳定。
附图说明
图1是表示实施例1的基板处理装置的概略构成的立体图。
图2是实施例1的基板处理装置的功能框图。
图3是表示与实施例1的基板处理装置的处理部中各处理槽的处理液的控制相关的构成的图。
图4是表示实施例1的处理的一个例子的处理流程图。
图5是表示实施例2的处理的一个例子的处理流程图。
图6是表示再生处理部进行再生处理液的一个例子的功能框图。
图7是表示实施例5的处理的一个例子的处理流程图。
图8是用于说明设置多个阈值并根据处理液中的SiN浓度改变所供给的药液或纯水的量的例子的图表。
其中，附图标记说明如下：
1…基板处理装置
2…缓冲部
3…基板搬出入口
5、7、9…处理部
5a、5b、7a、7b、9a、9b…处理槽
11，13、15…升降器
17…主运送机构
17a…臂部
20…循环管线
21…循环泵
22…温度调节器
23…过滤器
24…浓度计
25…吐出口
40…浓度控制装置
41…药液供给源
42…药液管线
43…子运送机构
44…药液流量计
45…药液补给阀
46…纯水供给源
47…纯水管线
48…纯水流量计
49…纯水补给阀
50…处理槽
50a…内槽
50b…外槽
55…控制部
57…存储部
60…排出口
70…冷却箱
具体实施方式
以下，参照附图详细说明本发明的实施例。需要说明的是，以下所示的实施例是本发明的一个方式，并不限制本发明的技术范围。
＜实施例1＞
图1是表示实施例1的基板处理装置1的概略构成的立体图。该基板处理装置1中，主要对基板(例如半导体基板)W执行蚀刻处理、清洗处理(以下也简称为“处理”)。在基板处理装置1中，用于存放基板W的缓冲部2配置于图1的右后侧，在缓冲部2的右后侧中设置有用于操作基板处理装置1的正面面板(未图示)。此外，在缓冲部2的与正面面板相反的一侧设置有基板搬出入口3。此外，在基板处理装置1的长度方向上并排设置有用于从缓冲部2的相反的一侧(图1中左前侧)进行基板W处理的处理部5、7以及9。
处理部5、7以及9，分别具有两个处理槽5a和5b、7a和7b、以及9a和9b。此外，基板处理装置1具备子运送机构43，以使多个基板W仅在各处理部5、7以及9的各处理槽之间对图1的短箭头方向以及范围内移动。此外，该子运送机构43使多个基板W上下移动，以使多个基板W浸渍在处理槽5a和5b、7a和7b、以及9a和9b中，或者将多个基板W从这些处理槽向上提升。每个子运送机构43设置有用于保持多个基板W的升降器11、13以及15。此外，基板处理装置1还具备可在图1中的长箭头方向以及范围移动的主运送机构17，用于分别向各处理部5、7以及9运送多个基板W。
主运送机构17具有两个可动臂17a。这些臂部17a中设置有用于放置基板W的多个沟槽(未示出)，在图1所示的状态中，是以直立姿势(基板主面的法线沿着水平方向的姿势)保持各基板W。此外，从图1的右斜下方向观察，主运送机构17的两个臂部17a通过从“V”形向倒立的“V”形摆动，释放各基板W。并且，通过此运行，可以在主运送机构17和升降器11、13以及15之间更换基板W。
图2是表示基板处理装置1的功能框图。上述主运送机构17，子运送机构43，以及处理部5、7、9统一由控制部55控制。控制部55的硬件构成与通用计算机相同。即，控制部55具备：用于进行各种运算处理的CPU，用于存储基本程序的只读存储器ROM，用于存储各种信息的可读写存储器RAM，以及用于存储控制用应用程序和数据等的磁盘等。本实施例中，通过控制部55的CPU执行规定的程序的方式向各处理部5、7、9运送基板W，并根据程序执行处理来控制每个部分。上述程序存储于存储部57。此外，在存储部57预先保存作为程序运行时基准的阈值和其他参数。
图3是表示与基板处理装置1的处理部5、7、9中各处理槽5a、7a、9a的处理液的控制相关的构成的图。在图3中，处理部5、7、9的各处理槽5a、7a、9a之中，以处理槽7a为进行说明。与以下处理槽7a的处理液的控制相同或者类似的控制也同样适用于其他的处理槽5a、9a。
在此，半导体晶片的制造工序中，沿其棒轴方向将例如硅等单晶锭进行切片，并对所得物依次进行磨边、研磨、蚀刻处理、抛光等处理。其结果，在基板的表面上形成了不同材料的多层、构造、电路。并且，在处理槽7a进行的板W的蚀刻处理，例如是用于在半导体基板上形成图案的工序。在蚀刻处理中，为了从形成于基板上的氮化硅膜(Si3N4(也记载为SiN)膜)和氧化硅膜(SiO2膜)之中留下氧化硅膜且选择性地去除氮化硅膜，将基板W通过以规定时间浸渍在作为处理液的高温(150℃～160℃)磷酸水溶液(H3PO4+H2O)等来进行。
在图3中，处理槽7a具有由内槽50a和外槽50b构成的双槽构造，其中，内槽50a用于将基板W浸渍于处理液中，外槽50b设置于内槽50a的周围且使从内槽50a上端溢出(溢流)的处理液流入其中。内槽50a是俯视时为矩形的箱形形状部件，其由对处理液具有优异的耐腐蚀性的石英或氟树脂材料形成。外槽50b以围绕内槽50a的外周上部的方式设置，并由与内槽50a相同的材料形成。
此外，如上所述，在处理槽7a中设置有用于使基板W浸渍于被存储的处理液的升降器13。升降器13通过三个保持棒将直立姿势下彼此平行地排列的多个(例如50个)基板W一并保持。升降器13设置为通过子运送机构43以可向上、下、左、右方向移动。并且，可以使保持的多个基板W在浸渍内槽50a内的处理液中的处理位置(图3的位置)与从处理液向上方提升的交接位置之间升降，并且还可以向相邻的处理槽7b移动。
此外，基板处理装置1具备使处理液在处理槽7a循环的循环管线(对应于本发明中的“循环路径”)20。循环管线20是将从处理槽7a排出的处理液加热、过滤后再压送回流至处理槽7a的配管路径，具体地，处理槽7a的外槽50b和内槽50a以流路连接来构成。向循环管线20的吸入口设置于外槽50b的下方(图3的例子中的底面)。此外，来自循环管线20的吐出口25设置于内槽50a的下方(底面附近)。
在循环管线20的路径中途，从上游设置有循环泵21、温度调节器(对应于本发明中的“温度调节部”)22、过滤器(对应于本发明中的“过滤部”)23以及浓度计(对应于本发明中的“浓度测定部”)24。循环泵21经由循环管线20从外槽50b吸入处理液，并朝内槽50a压送。温度调节器22将流过循环管线20的处理液加热至规定的处理温度。需要说明的是，在处理槽7a中也设置有未图示的加热器，使得存储于处理槽7a的处理液也加热至可以维持规定的处理温度。过滤器23是用于去除流动在循环管线20的处理液中的杂质的过滤器。
此外，浓度计24是通过循环管线20测定在内槽50a中回流的处理液成分之中的规定成分(例如，SiN)的浓度。处理槽7a内的浓度被反馈控制，以使由该浓度计24测定的浓度成为最佳值。
然后，详细说明具有上述构成的基板处理装置1的作用。首先，不管基板W是否浸渍于存储在处理槽7a的处理液中，循环泵21一直以恒定流量压送处理液。从内槽50a的底部供给由循环管线20向处理槽7a回流的处理液。由此，在内槽50a的内部发生处理液从底部向上的向上流动。从底部供给的处理液最后从内槽50a的上端部溢出并流入外槽50b。流入外槽50b的处理液从外槽50b经由循环管线20运送至循环泵21，并继续进行再次压送回流至处理槽7a的循环处理。
通过这种循环管线20执行处理液的循环处理，并且在交接位置接收多个基板W的升降器13下降至处理位置，并使基板W浸渍于存储在内槽50a内的处理液中。由此，进行规定时间的处理，并在处理完成之后，升降器13再次上升至交接位置，使其从处理液向上提升基板W。此后，在相邻的处理槽7b中进行以纯水清洗基板W的水洗处理。
上述之外的基板处理装置1中，具备用于控制处理槽7a的处理液浓度的浓度控制装置(对应于本发明的“供给部”)40。此浓度控制装置40具有：药液供给源41、用于连结药液供给源41与外槽50b的药液管线42、纯水供给源46、以及用于连结纯水供给源46与外槽50b的纯水管线47。
药液管线42中具备：可测定通过的药液(磷酸)流量的药液流量计44，以及可调节磷酸的流量的药液补给阀45。另一方面，纯水管线47中具备：用于测定通过纯水管线47的纯水流量的纯水流量计48，以及用于调节纯水的流量的纯水补给阀49。此外，所述控制部55基于浓度计24的测定结果来控制药液补给阀45以及纯水补给阀49，并将处理槽7a内的处理液浓度控制为最佳处理浓度。
此外，在处理槽7a(图3的例子中在外槽50b的外壁面上方)中设置有用于向外部排出处理液的排出口(对应于本发明的“排出部”)60。例如，当外槽50b内的液面超过规定高度时，排出口60是用于排水的溢水管(溢流管)。具体地，排出口60位于比对内槽50a和外槽50b进行划分的内槽50a的外壁低的位置，且设置于外槽50b的外壁上方。根据由浓度控制装置40向处理槽7a供给的药液或纯水的量，使处理液的一部分从排出口60排出。此外，上述药液管线42以及纯水管线47前端处的吐出口位于外槽50b的下方。换言之，药液管线42以及纯水管线47的吐出口设置于在外槽50b底面设置的循环管线20的吸入口附近。
需要说明的是，图3所示的药液供给源41以及纯水供给源46，可以通过用于预调节温度的预调节温度部来实现。例如，预调节温度部设置于与药液供给源41以及纯水供给源46相邻的处理槽5b(为了方便也称为“预调节温度单元”)。即，图1所示的基板处理装置1中，例如，将在处理槽5b中预先升温的处理液供给至相邻的处理槽7a的外槽。处理槽5b具备图3所示的处理槽7a、温度调节器22、过滤器23、以及循环泵21等，其在不进行基板W的处理的情况下，使处理液循环，并且进行温度调节。由于不进行基板W的处理，因此SiN的浓度为零。并且，通过从形成于处理槽5b的循环管线20的一部分向图3的药液供给源41供给包括磷酸和纯水的处理液，并打开药液补给阀45，向处理槽7a的外槽50b添加处理液。通过将用于对基板W进行蚀刻处理、清洗处理的处理槽7a(处理单元)以及用于进行预调节温度的处理槽5b(预调节温度单元)形成为相同的结构，能够使单元设计和工序性能通用化。
(处理)
图4是表示实施例的处理的一个例子的处理流程图。需要说明的是，本实施例中，以使用磷酸的氮化硅膜(SiN)蚀刻为例进行说明。需要说明的是，以下的说明中，也以处理槽7a为例，但在其他处理槽中也可以进行相同的处理。
基板处理装置1中，如果开始处理，则进行用于生成规定浓度处理液的预处理(图4：S1)。具体地，控制部55打开纯水补给阀49并开始向外槽50b供给纯水。此外，控制部55经由纯水流量计48测定供给量，并在达到规定量的时间点关闭纯水补给阀49，从而终止纯水的供给。此后，打开药液补给阀45并向外槽50开始供给药液。此外，控制部55在循环管线20使处理液循环并开始调节温度。此外，控制部55经由药液流量计44测定供给量，且在纯水的供给量与药液的供给量之比(即，浓度)达到规定的目标值时，关闭药液补给阀45并终止药液的供给。此后，若处理液的温度达到规定的目标值，则结束预处理。需要说明的是，即使结束预处理，处理液仍继续循环管线20的循环。
此外，当基板处理装置1结束预处理时，则进行批次搬入(S2)。在该步骤中，控制部55驱动主运送机构17和升降器11、13、15等，将基板W运送至处理部5、7或9。汇总多个基板W，进行所谓的批量处理。此后，基板处理装置1进行批次的浸渍(S3)。在本步骤中，控制部55驱动升降器13并将基板W浸渍在内槽50a内。以这种方式，开始蚀刻处理。
此外，基板处理装置1判断处理液的SiN浓度是否超过规定的阈值(S4)。在该步骤中，控制部55从浓度计24获取SiN成分的浓度，判断是否超过预定的阈值。需要说明的是，例如，阈值已设定有上限和下限，当超出上限时或者低于下限时，判断为超过阈值。
当判断为浓度超过阈值时(S4：Yes)，则基板处理装置1进行部分液体更换处理(S5)。部分液体更换处理是从处理槽7a的排出一部分处理液，并且向处理槽7a供给药液或纯水并部分地更换处理液的处理。在该步骤中，控制部55通过浓度控制装置40进行向处理槽7a补给处理液，并且当外槽50b溢出时从排出口60排出一部分处理液。具体地，当SiN浓度超过上限侧的阈值时，则供给纯水和药液(磷酸)。需要说明的是，继续进行部分液体更换处理，直到处理液的浓度在规定范围内。
在部分液体更换处理之后，或者在S4中处理液的SiN浓度判断为没有超过阈值时(S4：No)，基板处理装置1将判断是否结束处理(S6)。在该步骤中，例如，当从批次浸渍经过了规定时间时，控制部55判断为结束对处理对象基板W的批量处理。当处理判断为没有终止时(S6：No)，则返回到S4重复基板处理装置1处理。
另一方面，当处理判断为终止时(S6：Yes)，则基板处理装置1搬出批次(S7)。在该步骤中，控制部55驱动升降器13并将基板W向上提升到内槽50a外。此外，控制部55驱动主运送机构17和升降器11、13、15等，并将基板W运送到相邻的水洗槽(处理槽7b)。
通过以上方法，结束一个批次的批量处理。需要说明的是，当接着处理其他基板W时，可以省略图4中的预处理(S1)而进行批次搬入(S2)。
(效果)
本实施例中，在蚀刻处理中进行处理液的部分更换。当采用这种方式时，例如，即使在形成三维NAND那样蚀刻的处理液中所溶解的氮化硅膜的量多的工序中，也可以将处理液的浓度保持在规定范围内。
在此，例如，在使用磷酸的氮化物膜蚀刻中，处理液的氮化物硅(SiN)浓度过低时，连氧化硅膜(SiO2)也会溶解掉，因此处理液的浓度调节很重要。即，如果突然大量地供给磷酸以及纯水，则氮化物硅浓度可能会有过低的风险，因此不是优选的。此外，处理液的温度也是在蚀刻中用于引起所需溶解反应的重要因素。如图3中示意性地表示，本实施例中，向外槽50b补给处理液(药液或纯水)。外槽50b是与浸渍基板W的内槽50a区分的区域，通过向外槽50b补给处理液，防止基板W周围的处理液的浓度、温度急剧变化。此外，图3中，药液管线42以及纯水管线47的吐出口设置于在外槽50b的底面设置的循环管线20的吸入口附近。通过这种方式，可以抑制新供给的药液和纯水立即从排出口排出。
此外，从用于使基板W浸渍于处理液中的内槽50a向外槽50b，流入从区分两者的内槽50a的外壁上端溢出的处理液。此外，来自外槽50b的排水形成为从设置于外槽50b外壁上部的排出口60排出所溢出的处理液。通过这种方式，易于除去浮游在处理液的水面的、由蚀刻产生的杂质等的颗粒。
此外，循环管线20在过滤处理液，并且调节温度，并使其在内槽50a下方回流。通过这种方式，可以将内槽50a内的温度保持在规定范围内，并且还可以抑制基板W周围的温度突然变化。
此外，在蚀刻处理中处理液的温度管理很重要，因此，通过进行预调节温度，可以减少伴随处理液的补给所带来的温度变化。
＜实施例2＞
图5是表示根据实施例2的处理的一个例子的处理流程图。由于图5的S11～S13、S15～S17的处理与图4的S1～S3、S5～S7的处理相同，因此省略对其说明。本实施例中，当S14判断为从处理开始经过了规定时间(S14：Yes)时，进行部分液体更换处理(S15)。
当在批量处理中处理的基板数量为已知时，可以预测处理液浓度从处理开始经过多少时间会偏离允许范围。需要说明的是，所需处理液的置换量与处理对象基板的量成比例地增加。因此，本实施例中，预先定义每个基板在每个规定处理时间的处理液的替换量，控制部55根据处理对象的基板个数来控制替换量。
如此地，例如，基于处理开始时间点为基准的供给时刻以及将供给量以规定的信息(配方)来补给处理液的方式，也可以将处理液的浓度保持在规定范围。
＜实施例3＞
在图3的例中，药液供给源41利用了相邻的处理槽5b，但是药液供给源41也可以是将工厂生产的常温磷酸向处理槽7a供给的构成。
图3的例中，药液管线42以及纯水管线47的吐出口设置于在外槽50b底面设置的循环管线20的吸入口附近。由于新加入的大部分药液和纯水首先吸入于循环管线20，并供给至通过温度调节器22升温的内槽50a，因此即使将常温药液和纯水供给至外槽50b也可以抑制内槽50a的温度变化。
＜实施例4＞
图6是用于说明再生处理部进行处理液的再生的一个例子的功能框图。再生处理部包括处理槽7a的排出口60以及连接于预调节温度单元的冷却箱70。冷却箱70存储并冷却从排出口60排出的处理液，使溶解在处理液的SiN析出。此外，在冷却箱70的流出口设置有阀，通过打开阀，使析出SiN之后的处理液回流到预调节温度单元。此后，从冷却箱70回流的处理液在预调节温度单元升温并经由药液管线42返回处理槽7a。
以这种方式，可以再生处理液中的磷酸并在蚀刻处理中再次利用。需要说明的是，也可以在冷却箱70的流出口设置过滤器以去除所析出的SiN。此外，还可以具备过滤器再生部(未图示)，对过滤器使用氢氟酸来再生其功能。
＜实施例5＞
图7是表示根据实施例5的处理的一个例子的处理流程图。由于图7的S21～S24、S26～S28的处理与图4的S1～S4、S5～S7的处理相同，因此省略对其说明。本实施例中，当S25判断为从批量处理的开始经过了规定时间(S25：Yes)，则进行部分液体更换处理(S26)。
在批量处理开始之后，由于有立即从温度下降中恢复需要时间的倾向，因此在本实施例中，直到经过规定时间为止不进行处理液的补给。通过这种方式，可以避免处理槽内的处理液的温度下降。具体地，控制自处理批次被投入开始直到处理液循环结束左右的时间，以不进行补给。该时间作为参数，保存于控制部55可访问的存储部57(图2)。例如，将该时间设定为2～5分钟。
＜其他＞
用于进行药液补给的药液管线42的吐出口、以及用于进行纯水补给的纯水管线47的吐出口可以是用于改变开口面积的可变针，也可以是用于不改变开口面积的固定针。若为可变针，则控制部55将补给流量作为参数而调节流量。如果是固定针，则控制部55将进行补给的时间作为参数而调节流量。
图8是用于说明设置多个阈值并根据处理液中的SiN浓度改变所供给的药液或纯水的量的例子的图表。在图4的S4中使用的阈值，可以阶段性地规定多个。需要说明的是，控制部55将阈值存储在可访问的存储部57(图2)。例如，如图8所示，规定有：作为目标浓度的基准值；作为超过时开始浓度反馈控制的高浓度(上限)侧阈值和低浓度(下限)侧阈值的“H(浓度FB)”和“L(浓度FB)”；作为超过时开始部分液体更换处理的高浓度侧阈值和低浓度侧阈值的“H’(部分液体更换)”和“L’(部分液体更换)”；以及，作为超过时发出警报并停止处理的高浓度侧阈值和低浓度侧阈值的“HH(浓度上限异常)”和“LL(浓度下限异常)”。需要说明的是，“H’(部分液体更换)”的浓度值高于“H(浓度FB)”。并且，“HH(浓度上限异常)”的浓度值高于“H’(部分液体更换)”。此外，“L’(部分液体更换)”的浓度值低于“L(浓度FB)”。并且，“LL(浓度下限异常)”的浓度值低于“L’(部分液体更换)”。这些阈值预先存储在控制部55可访问的存储部57(图2)的表中。可以预先准备多个表，以便操作者可以适当地选择。根据操作者对表的输入或选择，可以通过基板处理装置1的正面板来完成，也可以是通过外部计算机或移动终端的通信来完成。
浓度反馈控制是补充少量的药液或纯水以使处理液不会发生排出的处理。浓度反馈控制中，在图8的H至H’的“浓度FB控制宽度”供给少量纯水，在图8的L至L’的“浓度FB控制宽度”供给少量药液。此外，与上述实施例相同，部分液体更换处理是排除一部分处理液，并且补给药液或纯水的处理。部分液体更换处理中，在图8的H’至HH的EAQ宽度上供给纯水，并且排出从处理槽溢出的处理液，在L’至LL的EAQ宽度上供给药液，并且排出从处理槽溢出的处理液。需要说明的是，全液更换处理是在部分液体更换处理中不能再生处理液的情况下将处理液全部更换的处理。当超过图8的HH时，或者低于LL的情况下，发出警报并停止处理。此后，从处理槽等排除所有处理液，并在此从预处理(图3：S1)执行。
此外，在图4、5以及7的处理流程图中，部分液体更换处理在批次浸渍后且在批次搬出前进行，但是，也可以独立执行部分液体更换处理，以及批次的搬入、浸渍和搬出。例如，当连续处理多个批次时，从处理后批次的搬出到新处理批次的搬入和浸渍之间，也可以根据SiN浓度执行适当的部分液体更换处理。需要说明的是，在与上述实施例5组合的情况下，当部分液体更换处理中有新批次的搬入时，自新批次的批量处理的开始至经过规定时间为止，中断部分液体更换处理。
除了药液的规定成分因化学反应发生劣化以外，因包括在处理液的成分蒸发等，也带来处理液所包含药液成分的浓度变化。通过采用如上所述的方法，根据多个阈值可以适当地选择用于接近目标值的处理。
此外，外槽50b可以不设置于平面图中内槽50a的整个圆周上。例如，如果内槽50a的外壁之中与外槽50b相邻的部分的高度低于其他部分，则从内槽50a溢出的处理液会流入外槽50b。因此，外槽50b设置在内槽50a周围的至少一部分即可。
此外，也可以准备预先以高浓度溶解SiN的磷酸水溶液，以便在低于图8的“L(浓度FB)”、“L’(部分液体更换)”时补充。
此外，图3的例中，示出了利用所谓在管线浓度计的例子，但也可以利用通过提取一部分液体来测定浓度的取样型浓度计。
此外，代替SiN浓度，可以测定氢离子指数(pH)和导电率等并转化为SiN浓度。
此外，图3的例子中，将药液以及纯水补给到外槽50b，但也可以补给到内槽50a。向外槽50b或内槽50a的补给，可以不通过药液补给阀45或纯水补给阀49的开闭，而是通过泵的控制来补给所需要的量。
上述实施例1～4、其他处理可以尽可能组合而实施。

Claims (16)

1.一种基板处理装置，通过使基板浸渍于包括规定的药液和纯水的处理液来对该基板进行规定的处理，其中，具备：
处理槽，存储有用于对所述基板进行所述规定的处理的所述处理液；
供给部，向所述处理槽供给所述药液或所述纯水；
排出部，排出存储于所述处理槽内的所述处理液；以及
控制部，控制基于所述供给部的所述药液或所述纯水的供给；
在执行所述规定的处理中，所述控制部使所述供给部供给所述药液或所述纯水。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述处理槽具有：
内槽，用于对所述基板进行所述规定的处理，以及
外槽，设置于所述内槽的周围且供从所述内槽溢出的所述处理液流入；
所述基板处理装置具备使所述外槽的处理液向所述内槽回流的循环路径，
所述供给部将所述药液或所述纯水供给至所述外槽。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，
所述循环路径具备：
温度调节部，调节内部的处理液的温度；以及
过滤部，过滤所通过的处理液。
4.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，
所述排出部是设置于所述外槽的侧面的铅垂上方的位置的溢水管。
5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述供给部具有用于调节所述药液或者所述纯水的温度的预调节温度部。
6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
还具备浓度测定部，用于测定所述处理液中的规定成分的浓度，
所述控制部根据所述浓度测定部所测定的浓度，控制所述供给部供给的所述药液或所述纯水的量。
7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述控制部基于所述规定的处理的经过时间，控制所述供给部供给的所述药液或者所述纯水的量。
8.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
还包括再生处理部，将在所述规定的处理中从所述基板向所述处理液溶解的溶质，在从所述排出部排出的处理液中析出之后去除，再生处理液，
所述再生处理部向所述处理槽供给再生的处理液。
9.一种基板处理方法，通过使基板浸渍于包括规定的药液和纯水的处理液来对该基板进行规定的处理，其中，包括：
供给工序，向处理槽供给所述药液或所述纯水，所述处理槽存储有用于对所述基板进行所述规定的处理的所述处理液；
排出工序，排出存储于所述处理槽的所述处理液；以及
控制工序，控制所述供给工序中的所述药液或所述纯水的供给；
在所述控制工序中，在所述规定的处理的执行中进行所述供给工序，供给所述药液或所述纯水。
10.根据权利要求9所述的基板处理方法，其中，
所述处理槽具有：
内槽，用于对所述基板进行所述规定的处理，以及
外槽，设置于所述内槽的周围且供从所述内槽溢出的所述处理液流入；
所述基板处理方法包括使所述外槽的处理液向所述内槽回流的循环工序，
在所述供给工序中，将所述药液或所述纯水供给至所述外槽。
11.根据权利要求10所述的基板处理方法，其中，
在所述循环工序中，对所通过的所述处理液进行温度调节并且进行过滤。
12.根据权利要求10所述的基板处理方法，其中，
在所述排出工序中，从设置于所述外槽的侧面的铅垂上方的位置的溢水管排出所述处理液。
13.根据权利要求9所述的基板处理方法，其中，
在所述供给工序中，对供给前的所述药液或所述纯水进行温度调节。
14.根据权利要求9所述的基板处理方法，其中，
还包括浓度测定工序，测定所述处理液中的规定成分的浓度，
在所述控制工序中，根据在所述浓度测定工序中测定的浓度，控制在所述供给工序中供给的所述药液或所述纯水的量。
15.根据权利要求9所述的基板处理方法，其中，
在所述控制工序中，基于所述规定的处理的经过时间，控制在所述供给工序中供给的所述药液或所述纯水的量。
16.根据权利要求9所述的基板处理方法，其中，
还包括再生处理工序，将在所述规定的处理中从所述基板向所述处理液溶解的溶质，在从所述排出工序中排出的处理液中析出之后去除，再生处理液，
在所述再生处理工序中，向所述处理槽供给再生的处理液。
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