JP2013093478A - 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明では、薬液を希釈液で希釈した処理液を設定温度で沸騰させることによって処理液の濃度を設定温度における飽和濃度とし、処理液に基板を浸漬させて基板の処理を行う基板処理装置(1)において、基板(10)を処理液で処理する処理槽(2)と、処理槽(2)に貯留した処理液を設定温度に加熱する処理液加熱手段(5)と、処理槽(2)から処理液を排出する処理液排出手段(6)と、処理槽(2)に処理液を補充する処理液補充手段(7)と、設定温度を変更する設定温度変更手段(8)と、処理液排出手段(6)と処理液補充手段(7)を制御する制御手段(9)とを有し、制御手段(9)は、処理液排出手段(6)で所定量の処理液を処理槽(2)から排出し、設定温度変更手段(8)で変更された設定温度における飽和濃度となる濃度の処理液を処理液補充手段(7)から処理槽(2)に補充するよう制御することにした。
【選択図】図1
Description
2 処理槽
5 処理液加熱手段
6 処理液排出手段
7 処理液補充手段
8 設定温度変更手段
9 制御手段
10 基板
Claims (18)
- 薬液を希釈液で希釈した処理液を設定温度で沸騰させることによって前記処理液の濃度を前記設定温度における飽和濃度とし、前記処理液に基板を浸漬させて前記基板の処理を行う基板処理装置において、
前記基板を前記処理液で処理する処理槽と、
前記処理槽に貯留した前記処理液を前記設定温度に加熱する処理液加熱手段と、
前記処理槽から前記処理液を排出する処理液排出手段と、
前記処理槽に前記処理液を補充する処理液補充手段と、
前記設定温度を変更する設定温度変更手段と、
前記処理液排出手段と前記処理液補充手段を制御する制御手段と、
を有し、
制御手段は、
前記処理液排出手段で所定量の前記処理液を前記処理槽から排出し、設定温度変更手段で変更された前記設定温度における飽和濃度となる濃度の前記処理液を前記処理液補充手段から前記処理槽に補充するよう制御することを特徴とする基板処理装置。 - 前記設定温度は、前記希釈液の沸点よりも高い温度であることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記処理液補充手段は、予め前記薬液を前記希釈液で希釈して、前記設定温度変更手段で変更された前記設定温度における飽和濃度となる濃度にした前記処理液を前記処理槽に補充することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の基板処理装置。
- 前記処理液補充手段は、前記設定温度変更手段で変更された前記設定温度における飽和濃度となる濃度になるように前記薬液と前記希釈液とをそれぞれ前記処理槽に補充することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の基板処理装置。
- 前記処理液補充手段は、前記設定温度変更手段で変更された前記設定温度における飽和濃度となる濃度になるように前記薬液を前記希釈液で希釈しながら前記処理槽に補充することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の基板処理装置。
- 前記処理液補充手段は、前記薬液又は/及び前記希釈液を予め加熱する加熱手段を有することを特徴とする請求項1〜請求項5のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記制御手段は、前記薬液を前記希釈液で希釈する直前に前記加熱手段で前記希釈液を加熱することを特徴とする請求項6に記載の基板処理装置。
- 前記制御手段は、前記希釈液の添加によって低下する温度を補償した温度に前記加熱手段で前記薬液を加熱することを特徴とする請求項6又は請求項7に記載の基板処理装置。
- 前記制御手段は、前記希釈液の沸騰により蒸発する量を補償した量の前記希釈液で前記薬液を希釈することを特徴とする請求項1〜請求項8のいずれかに記載の基板処理装置。
- 薬液を希釈液で希釈した処理液を設定温度で沸騰させることによって前記処理液の濃度を前記設定温度における飽和濃度とし、処理槽に貯留した前記処理液に基板を浸漬させて前記基板の処理を行う基板処理方法において、
前記設定温度を変更可能とし、前記設定温度が変更された場合に、所定量の前記処理液を前記処理槽から排出し、変更された前記設定温度における飽和濃度となる濃度の前記処理液を前記処理槽に補充することを特徴とする基板処理方法。 - 前記処理液の補充は、予め前記薬液を前記希釈液で希釈して、変更された前記設定温度における飽和濃度となる濃度にした前記処理液を前記処理槽に補充することを特徴とする請求項10に記載の基板処理方法。
- 前記処理液の補充は、変更された前記設定温度における飽和濃度となる濃度になるように前記薬液と前記希釈液とをそれぞれ前記処理槽に補充することを特徴とする請求項10に記載の基板処理方法。
- 前記処理液の補充は、変更された前記設定温度における飽和濃度となる濃度になるように前記薬液を前記希釈液で希釈しながら前記処理槽に補充することを特徴とする請求項10に記載の基板処理方法。
- 前記薬液又は/及び前記希釈液を予め加熱することを特徴とする請求項10〜請求項13のいずれかに記載の基板処理方法。
- 前記薬液を前記希釈液で希釈する直前に前記希釈液を加熱することを特徴とする請求項14に記載の基板処理方法。
- 前記希釈液の添加によって低下する温度を補償した温度に前記薬液を加熱することを特徴とする請求項14又は請求項15に記載の基板処理方法。
- 前記希釈液の沸騰により蒸発する量を補償した量の前記希釈液で前記薬液を希釈することを特徴とする請求項10〜請求項16のいずれかに記載の基板処理方法。
- 薬液を希釈液で希釈した処理液を設定温度で沸騰させることによって前記処理液の濃度を前記設定温度における飽和濃度とし、処理槽に貯留した前記処理液に基板を浸漬させて前記基板の処理を行う基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体において、
前記設定温度を変更可能とし、前記設定温度が変更された場合に、所定量の前記処理液を前記処理槽から排出し、変更された前記設定温度における飽和濃度となる濃度の前記処理液を前記処理槽に補充することを特徴とする基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
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