KR102615919B1 - 기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법, 및 기억 매체 - Google Patents

기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법, 및 기억 매체 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 침지 에칭 프로세스에 있어서, 적절한 타이밍에 처리 파라미터를 변경하는 것을 목적으로 한다.
기판 액처리 방법은, 처리액에 기판(8)을 침지시킴으로써 기판(8)을 처리하는 공정과, 기판(8)을 처리하는 공정의 처리 조건이 변경되는 변환점을 검지하는 공정과, 변환점이 검지된 경우에, 처리 조건을 변경하는 공정을 포함하고 있다.

Description

기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법, 및 기억 매체{LIQUID PROCESSING APPARATUS, LIQUID PROCESSING METHOD, AND STORAGE MEDIUM}
본 개시는, 기판 액처리 방법, 기판 액처리 장치 및 기억 매체에 관한 것이다.
최근, 다용한 종류의 반도체 소자가 제안되어 있다. 예컨대 특허문헌 1에는, 수직 방향으로 다층막이 형성된 반도체 소자가 개시되어 있다. 이러한 반도체 소자는, 예컨대 특허문헌 2에 개시된 방법에 의해 제조된다. 특허문헌 2에는, 처리액이 저류된 처리조에 기판을 침지시킴으로써 패턴 에칭을 행하여, 전술한 바와 같은 반도체 소자를 제조하는 방법(침지 에칭 프로세스)이 개시되어 있다.
[특허문헌 1] 일본 특허 공개 제2011-77521호 공보 [특허문헌 2] 일본 특허 제6118739호 명세서
여기서, 침지 에칭 프로세스에 있어서는, 패턴 형상에 따라, 처리 중에 처리 파라미터를 변경하고 싶은 경우가 있다.
그래서, 본 개시는, 침지 에칭 프로세스에 있어서, 적절한 타이밍에 처리 파라미터를 변경하는 것을 목적으로 한다.
본 개시에 따른 기판 액처리 방법은, 처리액에 기판을 침지시킴으로써 기판을 처리하는 공정과, 기판을 처리하는 공정의 처리 조건이 변경되는 변환점을 검지하는 공정과, 변환점이 검지된 경우에, 처리 조건을 변경하는 공정을 포함한다.
본 개시에 따른 기판 액처리 장치는, 처리액에 기판을 침지시킴으로써 상기 기판에 액처리를 행하는 기판 액처리 장치로서, 처리액을 저류하는 처리액 저류부와, 처리액 저류부에 처리액을 공급하는 처리액 공급부와, 처리액을 가열하는 가열부와, 제어부를 구비하고, 제어부는, 기판에 대한 처리 조건이 변경되는 변환점에 관한 정보에 기초하여 변환점을 특정하는 것과, 변환점이 특정된 경우에, 처리 조건이 변경되도록 처리액 공급부 및 가열부를 제어하는 것을 실행하도록 구성되어 있다.
본 개시에 따르면, 침지 에칭 프로세스에 있어서, 적절한 타이밍에 처리 파라미터를 변경할 수 있다.
도 1은 제1 실시형태에 따른 기판 액처리 시스템을 모식적으로 나타낸 평면도이다.
도 2는 제1 실시형태에 따른 기판 액처리 장치의 모식도이다.
도 3은 제1 실시형태에 따른 제어부의 기능적인 구성을 나타낸 블록도이다.
도 4는 기판(반도체 소자)을 모식적으로 나타낸 도면으로서, (a)는 에칭 처리 전의 기판, (b)는 에칭 처리 후의 기판을 나타내고 있다.
도 5는 패턴 형상에 따른 이상적인 에칭 레이트의 일례를 나타낸 그래프이다.
도 6은 변환점에서의 처리 파라미터의 변경예를 나타낸 그래프이다.
도 7은 실리콘 농도의 경시 변화의 일례를 나타낸 그래프이다.
도 8은 기판 액처리의 흐름도이다.
도 9는 제2 실시형태에 따른 기판 액처리 장치에 포함되는 용적 가변 기구의 모식도로서, (a)는 외부조의 용적을 늘린 상태, (b)는 외부조의 용적을 줄인 상태를 나타내고 있다.
도 10은 제3 실시형태에 따른 기판 액처리 장치에 포함되는 용적 가변 기구의 모식도로서, (a)는 외부조의 용적을 줄인 상태, (b)는 외부조의 용적을 늘린 상태를 나타내고 있다.
도 11은 제4 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 포함되는 버블 발생 기구의 모식도로서, (a)는 상면도, (b)는 정면도, (c)는 측면도이다.
도 12는 버블 발생 기구의 제어예를 나타낸 표로서, (a)는 농도 변경시의 제어예, (b)는 온도 변경시의 제어예를 나타내고 있다.
도 13은 제5 실시형태에 따른 기판 처리 장치에서의 수증기 배출 제어예를 나타낸 표이다.
도 14는 제6 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 포함되는 용적 가변 기구의 모식도이다.
이하, 실시형태에 대해서, 도면을 참조하면서 상세히 설명한다. 설명에 있어서, 동일 요소 또는 동일 기능을 갖는 요소에는 동일한 부호를 붙이고, 중복되는 설명을 생략한다.
[제1 실시형태]
도 1에 도시된 바와 같이, 제1 실시형태에 따른 기판 액처리 시스템(1A)은, 캐리어 반입출부(2)와, 로트 형성부(3)와, 로트 배치부(4)와, 로트 반송부(5)와, 로트 처리부(6)와, 제어부(7)를 구비한다.
이 중 캐리어 반입출부(2)는, 복수 장(예컨대, 25장)의 기판(실리콘 웨이퍼)(8)을 수평 자세로 상하로 나란히 수용한 캐리어(9)의 반입 및 반출을 행한다. 이 캐리어 반입출부(2)에는, 복수 개의 캐리어(9)를 배치하는 캐리어 스테이지(10)와, 캐리어(9)의 반송을 행하는 캐리어 반송 기구(11)와, 캐리어(9)를 일시적으로 보관하는 캐리어 스톡(12, 13)과, 캐리어(9)를 배치하는 캐리어 배치대(14)가 설치되어 있다. 여기서, 캐리어 스톡(12)은, 제품이 되는 기판(8)을 로트 처리부(6)에서 처리하기 전에 일시적으로 보관한다. 또한, 캐리어 스톡(13)은, 제품이 되는 기판(8)을 로트 처리부(6)에서 처리한 후에 일시적으로 보관한다.
그리고, 캐리어 반입출부(2)는, 외부로부터 캐리어 스테이지(10)로 반입된 캐리어(9)를, 캐리어 반송 기구(11)를 이용하여 캐리어 스톡(12)이나 캐리어 배치대(14)로 반송한다. 또한, 캐리어 반입출부(2)는, 캐리어 배치대(14)에 배치된 캐리어(9)를, 캐리어 반송 기구(11)를 이용하여 캐리어 스톡(13)이나 캐리어 스테이지(10)로 반송한다. 캐리어 스테이지(10)로 반송된 캐리어(9)는, 외부로 반출된다.
로트 형성부(3)는, 1 또는 복수의 캐리어(9)에 수용된 기판(8)을 조합하여 동시에 처리되는 복수 장(예컨대, 50장)의 기판(8)으로 이루어진 로트를 형성한다. 또한, 로트를 형성할 때에는, 기판(8)의 표면에 패턴이 형성되어 있는 면을 서로 대향하도록 로트를 형성하여도 좋고, 또한, 기판(8)의 표면에 패턴이 형성되어 있는 면이 전부 한쪽을 향하도록 로트를 형성하여도 좋다. 이 로트 형성부(3)에는, 복수 장의 기판(8)을 반송하는 기판 반송 기구(15)가 설치되어 있다. 또한, 기판 반송 기구(15)는, 기판(8)의 반송 도중에 기판(8)의 자세를 수평 자세에서 수직 자세 및 수직 자세에서 수평 자세로 변경시킬 수 있다.
그리고, 로트 형성부(3)는, 캐리어 배치대(14)에 배치된 캐리어(9)로부터 기판 반송 기구(15)를 이용하여 기판(8)을 로트 배치부(4)로 반송하고, 로트를 형성하는 기판(8)을 로트 배치부(4)에 배치한다. 또한, 로트 형성부(3)는, 로트 배치부(4)에 배치된 로트를 기판 반송 기구(15)에 의해 캐리어 배치대(14)에 배치된 캐리어(9)로 반송한다. 또한, 기판 반송 기구(15)는, 복수 장의 기판(8)을 지지하기 위한 기판 지지부로서, 처리 전(로트 반송부(5)에 의해 반송되기 전)의 기판(8)을 지지하는 처리전 기판 지지부와, 처리 후(로트 반송부(5)에 의해 반송된 후)의 기판(8)을 지지하는 처리후 기판 지지부의 2종류를 갖고 있다. 이것에 의해, 처리 전의 기판(8) 등에 부착된 파티클 등이 처리 후의 기판(8) 등에 전착되는 것을 방지한다.
로트 배치부(4)는, 로트 반송부(5)에 의해 로트 형성부(3)와 로트 처리부(6) 사이에서 반송되는 로트를 로트 배치대(16)에서 일시적으로 배치(대기)한다. 이 로트 배치부(4)에는, 처리 전(로트 반송부(5)에 의해 반송되기 전)의 로트를 배치하는 반입측 로트 배치대(17)와, 처리 후(로트 반송부(5)에 의해 반송된 후)의 로트를 배치하는 반출측 로트 배치대(18)가 설치되어 있다. 반입측 로트 배치대(17) 및 반출측 로트 배치대(18)에는, 1로트 분의 복수 장의 기판(8)이 수직 자세로 전후로 나란히 배치된다.
그리고, 로트 배치부(4)에서는, 로트 형성부(3)에서 형성한 로트가 반입측 로트 배치대(17)에 배치되고, 그 로트가 로트 반송부(5)를 통해 로트 처리부(6)로 반입된다. 또한, 로트 배치부(4)에서는, 로트 처리부(6)로부터 로트 반송부(5)를 통해 반출된 로트가 반출측 로트 배치대(1)에 배치되고, 그 로트가 로트 형성부(3)로 반송된다.
로트 반송부(5)는, 로트 배치부(4)와 로트 처리부(6) 사이나 로트 처리부(6)의 내부 사이에서 로트의 반송을 행한다. 이 로트 반송부(5)에는, 로트의 반송을 행하는 로트 반송 기구(19)가 설치되어 있다. 로트 반송 기구(19)는, 로트 배치부(4)와 로트 처리부(6)를 따르게 배치한 레일(20)과, 복수 장의 기판(8)을 유지하면서 레일(20)을 따라 이동하는 이동체(21)로 구성한다. 이동체(21)에는, 수직 자세로 전후로 늘어선 복수 장의 기판(8)을 유지하는 기판 유지체(22)가 진퇴 가능하게 설치되어 있다.
그리고, 로트 반송부(5)는, 반입측 로트 배치대(17)에 배치된 로트를 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)에 의해 수취하고, 그 로트를 로트 처리부(6)에 전달한다. 또한, 로트 반송부(5)는, 로트 처리부(6)에서 처리된 로트를 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)에 의해 수취하고, 그 로트를 반출측 로트 배치대(18)에 전달한다. 또한, 로트 반송부(5)는, 로트 반송 기구(19)를 이용하여 로트 처리부(6)의 내부에서 로트의 반송을 행한다.
로트 처리부(6)는, 수직 자세로 전후로 늘어선 복수 장의 기판(8)을 1로트로 하여 에칭이나 세정이나 건조 등의 처리를 행한다. 이 로트 처리부(6)에는, 기판(8)의 건조 처리를 행하는 건조 처리 장치(23)와, 기판 유지체(22)의 세정 처리를 행하는 기판 유지체 세정 처리 장치(24)와, 기판(8)의 세정 처리를 행하는 세정 처리 장치(25)와, 기판(8)의 에칭 처리를 행하는 2대의 본 발명에 따른 에칭 처리 장치(26)가 나란히 설치되어 있다.
건조 처리 장치(23)는, 처리조(27)와, 처리조(27)에 승강 가능하게 설치된 기판 승강 기구(28)를 구비한다. 처리조(27)에는, 건조용 처리 가스(IPA(이소프로필알코올) 등)가 공급된다. 기판 승강 기구(28)에는, 1로트 분의 복수 장의 기판(8)이 수직 자세로 전후로 나란히 유지된다. 건조 처리 장치(23)는, 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)로부터 로트를 기판 승강 기구(28)에 의해 수취하고, 기판 승강 기구(28)에 의해 그 로트를 승강시킴으로써 처리조(27)에 공급한 건조용 처리 가스로 기판(8)의 건조 처리를 행한다. 또한, 건조 처리 장치(23)는, 기판 승강 기구(28)로부터 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)에 로트를 전달한다.
기판 유지체 세정 처리 장치(24)는, 처리조(29)를 가지며, 이 처리조(29)에 세정용 처리액 및 건조 가스를 공급할 수 있도록 되어 있고, 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)에 세정용 처리액을 공급한 후, 건조 가스를 공급함으로써 기판 유지체(22)의 세정 처리를 행한다.
세정 처리 장치(25)는, 세정용 처리조(30)와 린스용 처리조(31)를 가지며, 각 처리조(30, 31)에 기판 승강 기구(32, 33)를 승강 가능하게 설치하고 있다. 세정용 처리조(30)에는, 세정용 처리액(SC-1 등)이 저류된다. 린스용 처리조(31)에는, 린스용 처리액(순수 등)이 저류된다.
에칭 처리 장치(26)는, 에칭용 처리조(34)와 린스용 처리조(35)를 가지며, 각 처리조(34, 35)에 기판 승강 기구(36, 37)가 승강 가능하게 설치되어 있다. 에칭용 처리조(34)에는, 에칭용 처리액(인산 수용액)이 저류된다. 린스용 처리조(35)에는, 린스용 처리액(순수 등)이 저류된다.
이들 세정 처리 장치(25)와 에칭 처리 장치(26)는, 동일한 구성으로 되어 있다. 에칭 처리 장치(26)에 대해서 설명하면, 기판 승강 기구(36)에는, 1로트 분의 복수 장의 기판(8)이 수직 자세로 전후로 나란히 유지된다. 에칭 처리 장치(26)에 있어서, 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)로부터 로트를 기판 승강 기구(36)에 의해 수취하고, 기판 승강 기구(36)에 의해 그 로트를 승강시킴으로써 로트를 처리조(34)의 에칭용 처리액에 침지시켜 기판(8)의 에칭 처리를 행한다. 그 후, 에칭 처리 장치(26)는, 기판 승강 기구(36)로부터 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)에 로트를 전달한다. 또한, 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)로부터 로트를 기판 승강 기구(37)에 의해 수취하고, 기판 승강 기구(37)에 의해 그 로트를 승강시킴으로써 로트를 처리조(35)의 린스용 처리액에 침지시켜 기판(8)의 린스 처리를 행한다. 그 후, 기판 승강 기구(37)로부터 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)에 로트를 전달한다.
제어부(7)는, 기판 액처리 시스템(1A)의 각부(캐리어 반입출부(2), 로트 형성부(3), 로트 배치부(4), 로트 반송부(5), 로트 처리부(6))의 동작을 제어한다. 이 제어부(7)는, 예컨대 컴퓨터로 이루어지고, 컴퓨터로 판독 가능한 기억 매체(138)를 구비한다. 기억 매체(138)에는, 기판 액처리 시스템(1A)에서 실행되는 각종 처리를 제어하는 프로그램이 저장된다. 제어부(7)는, 기억 매체(138)에 기억된 프로그램을 독출하여 실행함으로써 기판 액처리 시스템(1A)의 동작을 제어한다. 또한, 프로그램은, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체(138)에 기억되어 있던 것으로서, 다른 기억 매체로부터 제어부(7)의 기억 매체(138)에 인스톨된 것이어도 좋다. 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체(138)로는, 예컨대 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 콤팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다.
[기판 액처리 장치]
계속해서, 도 2를 참조하여, 기판 액처리 시스템(1A)이 포함하는 기판 액처리 장치(A1)에 대해서 상세히 설명한다. 도 2에 도시된 바와 같이, 기판 액처리 장치(A1)는, 에칭 처리 장치(26)를 포함하여 구성되어 있다.
에칭 처리 장치(26)는, 소정 농도의 약제(인산)의 수용액을 에칭용 처리액으로서 이용하여 기판(8)을 액처리(에칭 처리)한다. 후술하는 바와 같이, 처리액의 농도(인산 농도)는 적절하게 변경된다. 에칭 처리 장치(26)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 처리액 저류부(38)와, 처리액 공급부(39)와, 처리액 순환부(40)와, 처리액 배출부(41)와, 벤트 라인(60)과, 실리콘 농도계(80)(검출부)와, 인산 농도계(90)와, 버블 발생 기구(111)를 구비한다.
처리액 저류부(38)는, 처리액을 저류하여 기판(8)을 처리한다. 처리액 저류부(38)는, 상부를 개방시킨 처리조(34)(내부조)의 상부 주위에, 상부를 개방시킨 외부조(42)를 형성하고, 처리조(34)와 외부조(42)에 처리액을 저류한다. 처리조(34)는, 기판(8)을 기판 승강 기구(36)에 의해 침지시킴으로써 액처리하는 처리액을 저류한다. 외부조(42)는, 처리조(34)로부터 오버 플로우한 처리액을 저류한다. 외부조(42)에 저류된 처리액은, 처리액 순환부(40)에 의해 처리조(34)로 공급된다. 외부조(42)에는, 외부조(42)에 있어서의 액면 높이를 검출하는 액면 센서(도시하지 않음)가 설치되어 있어도 좋다.
여기서, 처리조(34) 내에서 액처리(에칭 처리)되는 기판(8)에 대해서 도 4의 (a), (b)를 참조하여 설명한다. 도 4의 (a)는 에칭 처리 전의 기판(8)인 기판(8A)을 모식적으로 나타낸 도면이고, 도 4의 (b)는 에칭 처리 후의 기판(8)인 기판(8B)을 모식적으로 나타낸 도면이다. 도 4의 (a)에 도시된 바와 같이, 에칭 처리 전의 기판(8A)은, 기판부(150)와, 복수의 산화막(151)과, 복수의 질화막(152)과, 복수의 채널홀(153)과, 블로킹 절연막(154)을 갖는다. 기판부(150)는, 예컨대 단결정 실리콘에 의해 형성되어 있다. 기판부(150)의 일부 영역에 불순물이 도핑됨으로써 불순물 영역이 형성됨과 더불어, 상기 불순물 영역 상에 하부 절연막 및 하부 전극층이 형성되어 있다(모두 도시하지 않음). 그리고, 하부 전극층이 형성된 기판부(150) 상에, 복수의 산화막(151) 및 복수의 질화막(152)이 형성(적층)되어 있다. 산화막(151) 및 질화막(152)은, 서로 교대로 적층되어 있다. 산화막(151)은, 예컨대 실리콘 산화물을 이용하여 형성된다. 질화막(152)은, 예컨대 실리콘 질화물을 이용하여 형성된다. 그리고, 최상부의 산화막(151) 상에 상부 전극층 및 상부 절연막이 형성되어 있다(모두 도시하지 않음). 채널홀(153)은, 복수의 산화막(151) 및 복수의 질화막(152)을 적층 방향으로 관통하도록 신장되어 있다. 각 채널홀(153)의 측벽에는 블로킹 절연막(154)이 형성되어 있다.
도 4의 (b)에 도시된 바와 같이, 에칭 처리가 행해지는 기판(8B)에서는, 폭 방향의 양단부에 있어서 적층 방향을 따라 처리액을 도입하는 도입부(155)가 형성되어 있다. 그리고, 상기 도입부(155)로부터 처리액이 도입됨으로써, 도 4의 (b)에 도시된 기판(8B)에서는, 각 질화막(152)이 처리액에 의해 제거된다. 질화막(152)이 제거됨으로써, 질화막(152)이 존재하고 있던 영역은 개구부(156)가 된다. 개구부(156)에는, 전하 트랩층, 블로킹 절연막, 및 컨트롤 게이트 등이 형성된다.
도 2로 되돌아가, 처리액 공급부(39)는, 처리액 저류부(38)에 처리액을 공급한다. 처리액 공급부(39)는, 수용액 공급부(43)와, 물 공급부(44)를 구비한다. 수용액 공급부(43)는, 제1 수용액 공급부(43X)와, 제2 수용액 공급부(43Y)를 갖는다.
제1 수용액 공급부(43X)는, 수용액 공급원(45X)과, 밸브(46X)와, 유로(49X)를 갖는다. 수용액 공급원(45X)은, 소정 농도의 인산 수용액을 공급한다. 수용액 공급원(45X)으로부터 공급되는 인산 수용액은, 유로(49X)를 통해 처리액 저류부(38)에 공급된다. 밸브(46X)는, 유로(49X)에 있어서의 수용액 공급원(45X)의 하류측에 설치되어 있다. 밸브(46X)는, 제어부(7)에 접속되어 있고, 제어부(7)에 의해 개폐 제어 및 유량 제어된다.
제2 수용액 공급부(43Y)는, 수용액 공급원(45Y)과, 밸브(46Y)와, 유로(49Y)를 갖는다. 수용액 공급원(45Y)은, 소정 농도의 인산 수용액을 공급한다. 수용액 공급원(45Y)으로부터 공급되는 인산 수용액에 포함되는 실리콘(함유 성분)의 농도(실리콘 농도)는, 전술한 제1 수용액 공급부(43X)의 수용액 공급원(45X)으로부터 공급되는 인산 수용액에 있어서의 실리콘 농도보다 높다. 수용액 공급원(45Y)으로부터 공급되는 인산 수용액은, 유로(49Y)를 통해 처리액 저류부(38)에 공급된다. 밸브(46Y)는, 유로(49Y)에 있어서의 수용액 공급원(45Y)의 하류측에 설치되어 있다. 밸브(46Y)는, 제어부(7)에 접속되어 있고, 제어부(7)에 의해 개폐 제어 및 유량 제어된다.
물 공급부(44)는, 처리액 저류부(38)에 물(순수)을 공급한다. 물 공급부(44)는, 소정 온도(예컨대 실온)의 순수를 공급하기 위한 물 공급원(47)을, 처리액 저류부(38)의 외부조(42)에 밸브(48)를 통해 접속한다. 밸브(48)는, 제어부(7)에 접속되어 있고, 제어부(7)에 의해 개폐 제어 및 유량 제어된다.
처리액 순환부(40)는, 외부조(42) 내의 처리액을 처리조(34)로 보낸다. 처리액 순환부(40)는, 순환 유로(49)(순환로)와, 펌프(50)와, 히터(51)(가열부)와, 필터(52)를 갖는다. 순환 유로(49)는, 처리액 저류부(38)의 외부조(42)의 바닥부로부터 처리조(34)의 바닥부로 연장된 유로이며, 외부조(42)로부터 처리조(34)로 처리액을 순환시킨다. 순환 유로(49)에는, 펌프(50), 히터(51), 및 필터(52)가 상류측(외부조(42)측)으로부터 하류측(처리조(34)측)으로 차례로 설치되어 있다. 펌프(50) 및 히터(51)는 제어부(7)에 접속되어 있고 제어부(7)에 의해 구동 제어된다. 펌프(50)는, 처리액을 상류측으로부터 하류측으로 압송한다. 히터(51)는, 처리액을 설정 온도까지 가열한다. 필터(52)는, 처리액 중에 혼입된 파티클을 제거한다.
처리액 배출부(41)는, 처리액 순환부(40)의 순환 유로(49)로부터 처리액을 배출한다. 처리액 배출부(41)는, 예컨대, 배액 유로(41A)와, 밸브(41B)를 갖는다. 배액 유로(41A)는 순환 유로(49) 내의 처리액을 도출한다. 배액 유로(41A)의 일단부는 순환 유로(49)에 접속되어 있고, 배액 유로(41A)의 타단부는 기판 액처리 시스템(1A)의 배액관(도시하지 않음)에 접속되어 있다. 밸브(41B)는, 배액 유로(41A)에 설치되어 있다. 밸브(41B)는, 제어부(7)에 접속되어 있고, 제어부(7)에 의해 개폐 제어된다.
벤트 라인(60)은, 순환 유로(49)의 필터(52)에서 발생한 수증기를 외부조(42)로 보내는 구성이다. 벤트 라인(60)은, 배출 유로(61A)와, 밸브(61B)(유량 제어 밸브)를 갖는다. 배출 유로(61A)는, 필터(52)에서 발생한 수증기를 외부조(42)로 도출한다. 배출 유로(61A)의 일단부는 필터(52)에 접속되어 있고, 배출 유로(61A)의 타단부는 외부조(42)에 접속되어 있다. 밸브(618)는, 배출 유로(61A)에 설치되어 있다. 밸브(61B)는, 제어부(7)에 접속되어 있고, 제어부(7)에 의해 개폐 제어된다.
실리콘 농도계(80)는, 순환 유로(49)로부터 분기되어 외부조(42)를 향해 연장되는 분기 유로(100)에 설치되어 있고, 처리액에 포함되는 실리콘의 농도(실리콘 농도)를 측정한다. 실리콘 농도계(80)는, 처리액에 포함되는 실리콘의 처리액 중에 있어서의 농도(실리콘 농도)를, 후술하는 변환점에 관한 정보로서 검출하는 검출부로서 기능한다. 실리콘 농도계(80)는, 측정한 실리콘 농도를 제어부(7)에 출력한다. 상기 실리콘 농도는, 제어부(7)에 의한 변환점의 특정에 이용된다(상세한 것은 후술). 인산 농도계(90)는, 분기 유로(100)에 설치되어 있고, 처리액 중의 인산 농도를 측정한다. 인산 농도계(90)는, 측정한 인산 농도를 제어부(7)에 출력한다.
버블 발생 기구(111)는, 처리액 저류부(38) 내에서 버블링을 행한다. 버블 발생 기구(111)는, 질소 공급원(112)과, 밸브(113)와, 공급관(114)을 갖는다. 질소 공급원(112)은, 질소를 공급한다. 질소 공급원(112)으로부터 공급되는 질소는, 공급관(114)을 통해 처리액 저류부(38)의 처리조(34)로 공급된다. 공급관(114)은, 그 일단이 질소 공급원(112)에 접속됨과 더불어, 그 타단측이 처리조(34)의 바닥면을 따라 연장되어 있다. 공급관(114)의 타단측(처리조(34)의 대면을 따라 연장된 부분)에는 복수의 가스 노즐이 형성되어 있고, 상기 가스 노즐로부터, 버블링에 이용되는 질소 가스가 토출된다. 밸브(113)는, 공급관(114)에 있어서의 질소 공급원(112)의 하류측에 설치되어 있다. 밸브(113)는, 제어부(7)에 접속되어 있고, 제어부(7)에 의해 개폐 제어 및 유량 제어된다. 버블 발생 기구(111)에 의해 처리조(34) 내에서 버블링이 행해짐으로써, 처리조(34) 내에서는 처리액의 상승류가 생긴다. 이것에 의해, 처리액의 상태를 균일하게 유지하기 쉬워진다.
계속해서, 에칭 처리 장치(26)를 제어하는 제어부(7)에 대해서 상세히 설명한다. 제어부(7)는, 예컨대 처리조(34)의 처리액에 기판(8)을 침지시키는 기판 처리 기간에 있어서, 기판(8)에 대한 처리 조건이 변경되는 변환점에 관한 정보에 기초하여 변환점을 특정하는 것과, 변환점이 특정된 경우에, 처리 조건이 변경되도록, 처리액 공급부(39)를 제어하는 것을 실행하도록 구성되어 있다. 본 실시형태에서는, 기판(8)에 대한 처리 조건으로서, 처리액의 농도 및 처리액에 있어서의 실리콘 농도가 변경된다.
처음에, 제어부(7)의 처리 이미지에 대해서, 도 4∼도 7을 참조하여 설명한다. 도 4의 (a), (b)를 이용하여 전술한 바와 같이, 기판(8)의 질화막(152)은 처리액에 의해 제거(에칭)된다. 여기서, 도 4의 (b)에 도시된 바와 같이, 채널홀(153)의 측벽에는 블로킹 절연막(154)이 형성되어 있다. 질화막(152)의 제거가 진행되어 블로킹 절연막(154)이 노출된 상태에서, 처리액의 에칭 레이트(산화막에 대한 에칭 레이트. 이하 동일)가 전혀 변경되지 않는 경우에는, 시간의 경과에 따라, 처리액에 의해 블로킹 절연막(154)이 대폭 제거되어 버릴 우려가 있다. 특히, 채널홀(153)의 측벽 중 먼저 에칭이 시작되는 쪽의 블로킹 절연막(154)은, 장시간 에칭이 행해지게 되어, 보다 현저히 깎여 버린다. 그래서, 본 실시형태의 에칭 처리 장치(26)의 제어부(7)에서는, 기판(8)의 패턴 형상에 따른 처리 상황에 기초하여, 처리액의 에칭 레이트를 변화시킨다. 도 5에 있어서 횡축은 에칭 처리 시간을 나타내고 있고, 하측 도면의 종축은 산화막에 대한 에칭 레이트를 나타내고 있으며, 상측 도면은 기판(8)의 산화막(151), 질화막(152), 채널홀(153), 및 블로킹 절연막(154)의 위치를 모식적으로 나타내고 있다. 도 5에 도시된 바와 같이, 제어부(7)는, 에칭 처리 시간(X1)이 되기 전단계(즉, 채널홀(153)의 측벽에 형성된 블로킹 절연막(154)의 위치에 도달하기 전단계)에 있어서는, 처리액의 에칭 레이트를 비교적 높은 값으로 하고, 에칭 처리 시간(X1)이 된 후단계에서는, 처리액의 에칭 레이트를 낮게(0에 가까운 값으로) 한다(도 5의 하측 도면 참조). 또한, 도 5에서는 에칭 처리 시간(X1)에 있어서, 에칭 레이트가 순식간에 원하는 값까지 저하되고 있지만, 실제로는, 후술하는 처리액의 농도 및 실리콘 농도를 변경함으로써, 에칭 레이트가 서서히 원하는 값에 가까워진다. 전술한, 블로킹 절연막(154)의 제거를 억제한다는 내용은 일례이며, 제어부(7)의 제어는 이 목적에 한정하여 행해지는 것은 아니다.
제어부(7)는, 처리액의 에칭 레이트를 저하시킬 때의 처리로서, 구체적으로는, 도 6에 도시된 바와 같이, 에칭 처리 시간(X1)이 된 타이밍인 변환점을 검지하면, 처리액의 농도(인산 농도)를 낮춤과 더불어, 처리액에 있어서의 실리콘 농도를 높임으로써, 처리액의 에칭 레이트를 저하시킨다(상세한 것은 후술). 또한, 제어부(7)는, 도 7에 도시된 바와 같이, 처리액에 있어서의 실리콘 농도의 경시 변화의 기울기의 변화점을 변환점으로서 특정한다(상세한 것은 후술). 또한, 제어부(7)는, 변환점을 검지하면, 히터(51)를 제어함으로써 처리액의 온도를 저하시키고, 블로킹 절연막(154)에 대한 처리액의 에칭 레이트를 저하시켜도 좋다.
계속해서, 제어부(7)의 구체적인 기능 구성에 대해서, 도 3을 참조하여 설명한다. 도 3은 제어부(7)의 기능적인 구성을 나타낸 블록도이다. 도 3에 도시된 바와 같이, 제어부(7)는, 변환점 특정부(71)와, 실리콘 농도 조정부(72)와, 인산 농도 조정부(73)와, 버블링 제어부(74)를 구비한다.
변환점 특정부(71)는, 기판(8)에 대한 처리 조건이 변경되는 변환점에 관한 정보에 기초하여, 변환점을 특정한다(변환점에 도달하고 있는지 여부를 판정함). 변환점에 관한 정보란, 예컨대, 실리콘 농도계(80)로부터 취득되는, 처리액 중에 있어서의 실리콘 농도이다. 변환점 특정부(71)는, 처리액 중에 있어서의 실리콘 농도의 경시 변화의 기울기의 변화점을, 변환점으로서 특정한다. 도 7은 실리콘 농도의 경시 변화의 일례를 나타내고 있고, 횡축은 시간, 종축은 실리콘 농도를 나타내고 있다. 도 7에 도시된 바와 같이, 실리콘 농도는, 채널홀(153)이 노출되는(상세하게는 블로킹 절연막(154)이 노출되는) 에칭 처리 시간(X1)을 경계로 하여, 단위 시간에 있어서의 실리콘 농도의 증가량(실리콘 농도의 경시 변화의 기울기)이 완만해진다. 즉, 도 7에 도시된 바와 같이, 에칭 처리 시간(X1)이 된 후의 실리콘 농도의 경시 변화의 기울기는, 에칭 처리 시간(X1)이 되기 전의 실리콘 농도의 경시 변화의 기울기(A)보다 완만해진다. 이것은, 도 5에 도시된 바와 같이, 블로킹 절연막(154)이 노출될 때까지(에칭 처리 시간(X1)이 될 때까지)는 질화막(152)이 깎이고 있는 데 반하여, 에칭 처리 시간(X1)이 되면 질화막(152)의 처리 단면적이 작아져서 새롭게 깎이는 질화막(152)의 양이 감소하여 처리액 중에 있어서의 실리콘 농도의 증가량이 감소하는 것에 기초하고 있다. 변환점 특정부(71)는, 처리액 중에 있어서의 실리콘 농도의 경시 변화의 기울기가 완만해진 점을 변환점으로서 특정함으로써, 에칭 처리 시간(X1)이 된 시점을 변환점으로서 고정밀도로 특정할 수 있다.
실리콘 농도 조정부(72)는, 변환점 특정부(71)에 의해 변환점이 특정된 경우에, 처리 조건인, 처리액에 있어서의 실리콘 농도가 변경되도록 처리액 공급부(39)의 밸브(46X, 46Y)를 제어한다. 구체적으로는, 실리콘 농도 조정부(72)는, 에칭 처리의 개시 후, 변환점이 특정(검지)되기 전단계에서는, 제1 수용액 공급부(43X)의 수용액 공급원(45X)으로부터 처리액 저류부(38)에 처리액이 공급되도록 밸브(46X)를 개방한다. 실리콘 농도 조정부(72)는, 제2 수용액 공급부(43Y)의 밸브(46Y)를 폐쇄한다. 이 경우에는, 처리액 저류부(38)에는, 비교적 실리콘 농도가 낮은, 저실리콘 농도의 처리액이 공급된다. 그리고, 실리콘 농도 조정부(72)는, 변환점이 특정(검지)된 경우에, 고실리콘 농도의 처리액이 제2 수용액 공급부(43Y)의 수용액 공급원(45Y)으로부터 처리액 저류부(38)에 공급되도록, 밸브(46X)를 폐쇄함과 더불어 밸브(46Y)를 개방한다. 이와 같이, 실리콘 농도 조정부(72)는, 변환점이 특정된 경우에 처리액에 있어서의 실리콘 농도가 상승하도록, 처리액 공급부(39)의 밸브(46X, 46Y)를 제어한다.
도 6은 변환점에서의 처리 파라미터의 변경예를 나타내고 있다. 도 6의 횡축은 에칭 처리 시간을 나타내고 있고, 종축은 인산 농도, 실리콘 농도, 질소(N2) 유량, 산화막 에칭 레이트의 고저를 나타내고 있다. 도 6에 도시된 바와 같이, 처리액 중의 실리콘 농도는, 에칭의 개시시에 있어서는 예컨대 X[ppm]로 되어 있고, 그 후, 질화막(152)의 에칭이 진행됨으로써 처리액 중의 실리콘 농도가 상승한다. 그리고, 에칭 처리 시간(X1)이 되면(변환점이 특정되면), 전술한 바와 같이 고실리콘 농도의 처리액이 처리액 저류부(38)에 공급되어 처리액 중의 실리콘 농도가 더욱 상승한다. 실리콘 농도 조정부(72)는, 실리콘 농도계(80)로부터 처리액 중의 실리콘 농도를 취득하고, 상기 실리콘 농도가, X[ppm]보다 높은 Y[ppm](도 6 참조)까지 상승하면, 그 후, 처리액 중의 실리콘 농도가 Y[ppm]로 일정해지도록 밸브(41B)를 제어하여, 실리콘 농도 일정 제어를 행한다.
인산 농도 조정부(73)는, 변환점 특정부(71)에 의해 변환점이 특정된 경우에, 처리 조건인, 처리액의 농도(인산 농도)가 변경되도록 처리액 공급부(39)의 밸브(48)를 제어한다. 인산 농도 조정부(73)는, 물 공급부(44)의 밸브(48)의 개도를 조절함으로써, 처리액의 농도를 조정한다. 인산 농도 조정부(73)는, 변환점이 특정된 경우에 처리액의 농도를 저하시키기 위해, 물 공급부(44)로부터 처리액 저류부(38)로의 물의 공급량을 증가시키도록, 물 공급부(44)의 밸브(48)의 개도를 조절한다. 또한, 인산 농도 조정부(73)는, 벤트 라인(60)의 밸브(61B)의 개도를 조절함으로써, 수증기의 배출량을 조정하고, 처리액의 농도 및 온도의 변경에 걸리는 시간을 단축시킨다. 인산 농도 조정부(73)는, 예컨대 농도를 상승시키거나 혹은 온도를 저하시키는 경우에 있어서, 벤트 라인(60)에 있어서 배출되는 수증기의 배출량을 증가시키도록 밸브(61B)의 개도를 조절함으로써, 농도 상승 혹은 온도 저하에 필요한 시간을 단축시킨다. 또한, 농도를 저하시키는 경우에 있어서는 물 공급부(44)로부터 처리액 저류부(38)로의 물의 공급량이 증가하기 때문에, 처리액 저류부(38)에 있어서의 액면이 과도하게 상승해 버려 액면 제어가 적절히 행해지지 않게 될 우려가 있다. 이 때문에, 인산 농도 조정부(73)는, 처리액 저류부(38)로의 물의 공급량을 증가시키는 경우에 있어서, 처리액 배출부(41)의 밸브(41B)를 개방하여, 처리액 저류부(38)로부터 처리액을 배출하고, 처리액 저류부(38)에 있어서의 액면 상승을 억제하여도 좋다.
도 6에 도시된 바와 같이, 처리액의 농도(인산 농도)는, 에칭의 개시시에 있어서는 예컨대 A[w%]라고 되어 있고, 에칭 처리 시간(X1)이 될 때까지는 상기 인산 농도가 유지된다. 그리고, 에칭 처리 시간(X1)에 도달하면(변환점이 특정되면), 인산 농도 조정부(73)에 의해 밸브(48)가 제어됨으로써, 인산 농도가 저하된다. 인산 농도 조정부(73)는, 인산 농도계(90)로부터 인산 농도를 취득하고, 상기 인산 농도가, A[w%]보다 낮은 B[w%](도 6 참조)까지 저하되면, 그 후, 인산 농도가 B[w%]로 일정해지도록, 인산 농도 일정 제어를 행한다.
도 6에 도시된 바와 같이, 변환점에 있어서 실리콘 농도의 상승 및 인산 농도의 저하 제어가 행해짐으로써, 산화막 에칭 레이트는, 변환점을 경계로 하여 저하되게(저하량이 커지게) 된다. 즉, 산화막 에칭 레이트는, 에칭의 개시시에 있어서 예컨대 α[A]라고 되어 있고, 그 후 에칭이 진행됨에 따라 서서히 저하된다. 그리고, 에칭 처리 시간(X1)에 도달하면, 전술한 실리콘 농도의 상승 및 인산 농도의 저하 제어가 행해져, 산화막 에칭 레이트의 저하량이 커진다. 그 후, 에칭 영역이, α[A]보다 낮은 β[A]까지 저하되면, 전술한 실리콘 농도 일정 제어 및 인산 농도 일정 제어가 행해져, 산화막 에칭 레이트에 대해서도 일정값(β[A])으로 제어된다.
버블링 제어부(74)는, 처리액 저류부(38) 내에 있어서 소정의 버블링 처리가 행해지도록 버블 발생 기구(111)의 밸브(113)의 개도를 조절한다. 버블링 제어부(74)는, 인산 농도 조정부(73)에 의한 인산 농도 조정에 대응시키도록, 버블링 처리를 제어한다. 즉, 도 6에 도시된 바와 같이, 에칭의 개시시∼에칭 처리 시간(X1)이 될 때까지는, 버블링에 따른 질소의 유량이 a[L/min]가 되도록 밸브(113)의 개도가 조절된다. 그리고, 에칭 처리 시간(X1)에 도달하면(변환점이 특정되면), 버블링 제어부(74)에 의해 밸브(113)의 개도가 조절됨으로써, 버블링에 따른 질소의 유량이 저하된다. 버블링 제어부(74)는, 질소의 유량이 b[L/min]가 될 때까지 질소의 유량을 저하시킨다. 이와 같이, 버블링 제어부(74)는, 인산 농도의 저하에 따라 버블링에 따른 질소의 유량을 저하시킨다. 또한, 버블링 제어부(74)는, 질소의 유량이 b[L/min]까지 저하되면, 그 후에는 서서히 질소의 유량을 높인다. 이것에 의해, 처리액에 있어서 질소 가스 치환을 남김없이 행하여, 산화막의 재석출을 억제할 수 있다.
[기판 액처리 방법]
다음에, 기판 액처리 방법의 일례에 대해서, 도 8을 참조하여 설명한다. 도 8은 기판 액처리의 흐름도이며, 보다 상세하게는, 처리 조건인 처리액의 농도 및 처리액에 있어서의 실리콘 농도를 변경하는 처리를 나타낸 흐름도이다.
도 8에 도시된 바와 같이, 제어부(7)는, 실리콘 농도계(80)가 검출한, 처리액에 있어서의 실리콘 농도를 연속적으로(소정 시간 간격으로) 취득한다(단계 S1). 제어부(7)는, 실리콘 농도의 경시 변화의 기울기가 소정량만큼 변화되고 있는지 여부를 판정한다(단계 S2). 구체적으로는, 제어부(7)는, 단위 시간에 있어서의 실리콘 농도의 증가량이 소정량만큼 완만하게 되어 있는지(기울기가 작게 되어 있는지) 여부를 판정한다. 단계 S2에 있어서 실리콘 농도의 경시 변화의 기울기가 소정량만큼 변화하지 않는다고 판정한 경우에는, 제어부(7)는, 계속해서 실리콘 농도를 취득하고(즉 단계 S1을 실행하고), 소정 시간 경과 후에 재차 단계 S2를 실행한다. 한편, 단계 S2에 있어서 실리콘 농도의 경시 변화의 기울기가 소정량만큼 변화되고 있다고 판정한 경우에는, 제어부(7)는, 에칭 영역이 변환점에 도달하고 있다고 특정한다(단계 S3).
이어서, 제어부(7)는, 처리 조건인 실리콘 농도가 변경되도록, 처리액 공급부(39)의 밸브(46X, 46Y)를 제어한다(단계 S4). 구체적으로는, 제어부(7)는, 처리액에 있어서의 실리콘 농도가 상승하도록, 저실리콘 농도의 처리액을 공급하는 제1 수용액 공급부(43X)의 밸브(46X)를 폐쇄함과 더불어, 고실리콘 농도의 처리액을 공급하는 제2 수용액 공급부(43Y)의 밸브(46Y)를 개방한다.
또한, 제어부(7)는, 처리 조건인 인산 농도가 변경되도록, 처리액 공급부(39)의 밸브(48)를 제어한다(단계 S5). 구체적으로는, 제어부(7)는, 물 공급부(44)의 밸브(48)의 개도를 조절하여 처리액 저류부(38)로의 물의 공급량을 높임으로써 처리액의 농도(인산 농도)를 저하시킨다. 또한, 단계 S5는, 단계 S4에 선행하여 행해져도 좋고, 단계 S4와 동시에 행해져도 좋다.
계속해서, 제어부(7)는, 실리콘 농도 및 인산 농도가 목표치에 도달했는지 여부를 판정한다(단계 S6). 제어부(7)는, 실리콘 농도계(80)로부터 취득되는 실리콘 농도, 및, 인산 농도계(90)로부터 취득되는 인산 농도 중 적어도 어느 한쪽이 목표치에 도달하지 않은 경우에는, 소정 시간 경과 후, 재차 단계 S6의 처리를 행한다. 한편, 제어부(7)는, 실리콘 농도계(80)로부터 취득되는 실리콘 농도, 및, 인산 농도계(90)로부터 취득되는 인산 농도 양쪽이 모두 목표치에 도달하고 있는 경우에는, 실리콘 농도 및 인산 농도가 상기 목표치의 값으로 유지되도록, 처리액 공급부(39)를 제어한다(단계 S7). 이상이 기판 액처리(상세하게는, 처리 조건인 처리액의 농도 및 처리액에 있어서의 실리콘 농도의 변경 처리)이다.
[작용 효과]
최근, 다용한 패턴 형상의 반도체 소자가 제안되어 있다. 처리액이 저류된 처리조에 기판을 침지시킴으로써 패턴 에칭을 행하는 방법에 있어서는, 패턴 형상에 따라, 처리 중에 처리 파라미터를 변경하고 싶은 경우가 있다. 예컨대, 도 4에 도시된 바와 같이 채널홀(153)의 측벽에 블로킹 절연막(154)이 형성되어 있는 기판(8)에 있어서는, 에칭에 의해 질화막(152)의 제거가 진행되어 블로킹 절연막(154)이 노출된 상태에서, 블로킹 절연막(154)이 대폭 제거되는 것을 회피하도록, 처리액의 산화막에 대한 에칭 레이트를 저하시키는 것이 요구되는 경우가 있다. 즉, 침지 에칭 프로세스 중에 있어서, 의도하는 타이밍(미리 정한 원하는 타이밍)에 처리 조건(처리 파라미터)을 적절히 변경하는 것이 요구되고 있다.
이 점, 본 실시형태에 따른 기판 액처리 방법은, 처리액에 기판(8)을 침지시킴으로써 기판(8)을 처리하는 공정과, 기판(8)을 처리하는 공정의 처리 조건이 변경되는 변환점을 검지하는 공정과, 변환점이 검지된 경우에, 처리 조건을 변경하는 공정을 포함하고 있다. 이와 같이, 본 실시형태에 따른 기판 액처리 방법에서는, 기판(8)을 처리하는 공정의 처리 조건이 변경되는 변환점이 검지된 경우에, 상기 처리 조건이 변경된다. 미리 처리 조건을 변경하는 타이밍(변환점)을 정해 두고, 상기 변환점이 검지된 경우에 처리 조건을 변경함으로써, 침지 에칭 프로세스 중에 있어서, 원하는 타이밍에 처리 조건(처리 파라미터)을 변경할 수 있다. 즉, 전술한 예라면, 블로킹 절연막(154)이 노출되는 타이밍을 변환점으로서 설정해 둠으로써, 블로킹 절연막(154)이 노출되었을 때에, 산화막에 대한 에칭 레이트를 저하시키도록 인산 농도 등의 처리 조건을 변경하는 것이 가능해진다.
전술한 변환점을 검지하는 공정에서는, 처리액에 포함되는 함유 성분인 실리콘의 처리액 중에 있어서의 농도(실리콘 농도)를 검출하여, 상기 실리콘 농도의 경시 변화의 기울기에 기초하여 변환점을 검지하고 있다. 전술한 바와 같이, 에칭이 진행되어 채널홀(153)(상세하게는 블로킹 절연막(154))이 노출된 후에 있어서는, 블로킹 절연막(154)이 깎이는 것을 억제하기 위해 산화막의 에칭 레이트를 낮추고 싶다. 이러한 경우에 있어서는, 어떠한 방법에 의해 블로킹 절연막(154)이 노출된 타이밍을 변환점으로서 검지하는 것이 중요해진다. 여기서, 블로킹 절연막(154)이 노출되기 전과 노출된 후에는, 질화막(152)이 깎이는 양이 크게 다르기 때문에, 처리액 중에 있어서의 실리콘 농도의 경시 변화의 기울기가 변화되게 된다. 이것에 착안하여, 실리콘 농도의 경시 변화의 기울기에 기초하여 변환점을 검지함으로써, 처리 파라미터의 변경을 행하는 타이밍(구체적으로는, 블로킹 절연막(154)이 노출된 타이밍)을 적절히 검지할 수 있다.
전술한 처리 조건을 변경하는 공정에서는, 변환점이 검지된 경우에, 처리액의 농도(인산 농도) 및 처리액에 포함되는 함유 성분의 처리액 중에 있어서의 농도(실리콘 농도) 중 적어도 어느 한쪽을 변경한다. 이와 같이, 인산 농도 및 실리콘 농도 중 적어도 한쪽을 변경함으로써, 처리 파라미터인, 산화막의 에칭 레이트를 적절히 변경할 수 있다.
전술한 처리 조건을 변경하는 공정에서는, 변환점이 검지된 경우에, 처리액의 농도를 저하시킨다. 이것에 의해, 예컨대 채널홀(153) 노출시(상세하게는 블로킹 절연막(154) 노출시)가 변환점이 되는 경우에 있어서, 블로킹 절연막(154)이 깎이는 것을 억제하고 싶은 타이밍에, 처리액의 농도(인산 농도)를 저하시킴으로써, 산화막에 대한 처리액의 에칭 레이트를 적절히 낮출 수 있다.
전술한 처리 조건을 변경하는 공정에서는, 변환점이 검지된 경우에, 처리액에 포함되는 함유 성분의 처리액 중에 있어서의 농도(실리콘 농도)를 상승시킨다. 이것에 의해, 예컨대 채널홀(153) 노출시(상세하게는 블로킹 절연막(154) 노출시)가 변환점이 되는 경우에 있어서, 블로킹 절연막(154)이 깎이는 것을 억제하고 싶은 타이밍에, 실리콘 농도를 상승시킴으로써, 산화막에 대한 처리액의 에칭 레이트를 적절히 낮출 수 있다.
전술한 처리 조건을 변경하는 공정에서는, 기판(8)을 침지시키는 처리액의 용량을 변경한다. 이것에 의해, 예컨대, 처리액 저류부(38)로의 물의 공급량을 높여 처리액의 용량을 늘림으로써, 처리액의 농도(인산 농도)를 적절하고 간이하게 저하시킬(변경할) 수 있다. 또한, 처리 조건을 변경하는 공정에서는, 변환점이 검지된 경우에, 처리액의 온도를 저하시키도록 히터(51)가 제어되어도 좋다. 이것에 의해, 산화막에 대한 처리액의 에칭 레이트를 적절히 낮출 수 있다.
전술한 기판 액처리 방법을 실현하기 위해, 본 실시형태에 따른 기판 액처리 장치(A1)는, 처리액에 기판(8)을 침지시킴으로써 상기 기판(8)에 액처리를 행하는 기판 액처리 장치로서, 처리액을 저류하는 처리액 저류부(38)와, 처리액 저류부(38)에 처리액을 공급하는 처리액 공급부(39)와, 처리액을 가열하는 히터(51)와, 제어부(7)를 구비하고, 제어부(7)는, 기판(8)에 대한 처리 조건이 변경되는 변환점에 관한 정보에 기초하여 변환점을 특정하는 것과, 변환점이 특정된 경우에, 처리 조건이 변경되도록 처리액 공급부(39)를 제어하는 것을 실행하도록 구성되어 있다. 이와 같이, 미리 처리 조건을 변경하는 타이밍(변환점)을 정해 두고, 상기 변환점이 검지된 경우에 처리 조건을 변경함으로써, 침지 에칭 프로세스 중에 있어서, 원하는 타이밍에 처리 조건(처리 파라미터)을 변경할 수 있다. 또한, 처리액을 공급하는 처리액 공급부(39)를 제어함으로써, 처리 조건 중, 처리액의 농도의 변경을 쉽고 확실하게 행할 수 있다.
전술한 기판 액처리 장치(A1)는, 처리액에 포함되는 함유 성분(실리콘)의 처리액 중에 있어서의 농도(실리콘 농도)를, 상기 변환점에 관한 정보로서 검출하는 실리콘 농도계(80)를 구비한다. 이것에 의해, 변환점의 검지에 이용하는, 실리콘 농도를 적절하고 간이하게 취득할 수 있다.
제어부(7)는, 처리액에 포함되는 함유 성분(실리콘)의 처리액 중에 있어서의 농도(실리콘 농도)의 경시 변화의 기울기의 변화점을 변환점으로서 특정한다. 이것에 의해, 변환점을 적절하고 간이하게 검지할 수 있다.
[제2 실시형태]
제2 실시형태에 따른 기판 액처리 장치에 대해서 설명한다. 이하에서는, 제1 실시형태와 다른 점을 주로 설명한다. 도 9의 (a), (b)에 도시된 바와 같이, 제2 실시형태에 따른 기판 액처리 장치는, 전술한 기판 액처리 장치(A1)의 각 구성에 덧붙여, 처리액 저류부(238)의 용적을 변경 가능하게 구성된 용적 가변 기구(250)를 갖고 있다.
처음에, 용적 가변 기구(250)를 설치하는 목적에 대해서 설명한다. 처리 조건인 처리액의 농도(인산 농도)를 변경하는 구성에서는, 예컨대 인산 농도를 상승시키는 경우에 있어서, 처리액 저류부(238)의 외부조(242)에 있어서의 액면이 낮아지고, 외부조(242)에 있어서의 액면 변동이 커져, 액면이 액면 관리 폭을 초과하는 것을 생각할 수 있다. 이 경우에는, 기판 액처리를 적절히 행할 수 없게 될 우려가 있다. 이러한 사태를 방지하기 위해, 예컨대 외부조 용량을 늘리는 것을 생각할 수 있지만, 그 경우에는, 처리액의 총 용량이 증가하게 되어, 처리액 소비량이 증가하는 것이 문제가 된다. 제2 실시형태에 따른 기판 액처리 장치에서는, 처리액 저류부(238)의 용적, 상세하게는, 외부조(242)의 용적을 적절하게 변경 가능하게 구성된 용적 가변 기구(250)가 설치되어 있다. 용적 가변 기구(250)가 설치되어 있음으로써, 처리액의 용량에 따라 외부조(242)의 용적을 변경할 수 있어, 외부조(242)에 있어서의 액면 높이가 관리 범위 밖이 되는 것을 방지할 수 있다.
용적 가변 기구(250)는, 신축부(251)와, 공급관(252a, 252b, 252c)과, 질소 공급원(253)과, 밸브(254)와, 흡인부(255)와, 밸브(256)를 갖고 있다. 신축부(251)는, 예컨대 수지재를 이용하여 벨로우즈형으로 형성된 부재이며, 신축(팽창 및 수축) 가능하게 구성되어 있다. 신축부(251)는 외부조(242)에 설치되어 있다. 신축부(251)는, 질소 공급원(253)으로부터 질소 가스가 공급됨으로써 팽창함과 더불어, 흡인부(255)에 의해 흡인됨으로써 수축하도록 구성되어 있다. 신축부(251)에는 공급관(255a)이 접속되어 있고, 상기 공급관(252a)으로부터 공급관(252b, 252c)이 각각 분기되어 있다. 공급관(252b)에는, 질소 공급원(253) 및 밸브(254)가 설치되어 있다. 공급관(252c)에는, 흡인부(255) 및 밸브(256)가 설치되어 있다. 용적 가변 기구(250)에서는, 밸브(256)가 폐쇄됨과 더불어 밸브(254)가 개방됨으로써, 질소 공급원(253)으로부터 신축부(251)에 질소 가스가 공급되고, 신축부(251)가 팽창된다(도 9의 (b) 참조). 또한, 용적 가변 기구(250)에서는, 밸브(254)가 폐쇄됨과 더불어 밸브(256)가 개방됨으로써, 흡인부(255)에 의해 신축부(251) 내부가 흡인되고, 신축부(251)가 수축된다(도 9의 (a) 참조). 또한, 흡인부(255)는 진공 기구가 아니라 이젝터여도 좋다. 이러한 용적 가변 기구(250)에서는, 신축부(251)의 내부의 압력이 변화됨으로써, 신축부(251)가 외부조(242)에 있어서 신축(팽창 및 수축) 가능하게 구성되어 있고, 신축부(251)의 용적(즉 외부조(242)의 용적)을 적절하고 간이하게 변경할 수 있다.
[제3 실시형태]
제3 실시형태에 따른 기판 액처리 장치에 대해서 설명한다. 이하에서는, 전술한 각 실시형태와 다른 점을 주로 설명한다. 도 10의 (a), (b)에 도시된 바와 같이, 제3 실시형태에 따른 기판 액처리 장치는, 전술한 기판 액처리 장치(A1)의 각 구성에 덧붙여, 처리액 저류부(338)의 용적을 변경 가능하게 구성된 용적 가변 기구(350)를 갖고 있다. 용적 가변 기구(350)를 설치하는 목적에 대해서는, 전술한 제2 실시형태와 동일하다.
용적 가변 기구(350)는, 공동부(351)와, 공급관(352a, 352b, 352c)과, 밸브(353), 밸브(354)를 갖고 있다. 공동부(351)는, 중공 구조의 부재이며, 외부조(342)에 설치되어 있다. 공동부(351)에는 공급관(352a)이 접속되어 있고, 상기 공급관(352a)으로부터 공급관(352b, 352c)이 각각 분기되어 있다. 공급관(352b)에는, 밸브(353)가 설치되어 있다. 공급관(352c)에는, 밸브(354)가 설치되어 있다. 용적 가변 기구(350)에서는, 밸브(354)가 폐쇄됨과 더불어 밸브(353)가 폐쇄됨(혹은 미양압(微陽壓)이 됨)으로써, 공동부(351)에 가스가 충전되어 공동부(351)에 처리액이 들어가지 않는 상태가 된다(도 10의 (a) 참조). 이 경우에는, 외부조(342)의 용적을 줄일 수 있다. 또한, 용적 가변 기구(350)에서는, 밸브(353)가 폐쇄됨과 더불어 밸브(354)가 개방되어 대기 개방됨으로써, 공동부(351)로부터 가스가 방출되어 공동부(351)에 처리액이 들어가는 상태가 된다(도 10의 (b) 참조). 이 경우에는, 외부조의 용적을 늘릴 수 있다. 이러한 용적 가변 기구(350)에서는, 공동부(351) 내에 가스를 충전(혹은 공동부(351)로부터 가스를 개방)한다고 하는 간이한 구성에 의해, 외부조(342)의 용적을 적절하고 간이하게 변경할 수 있다.
[제4 실시형태]
제4 실시형태에 따른 기판 액처리 장치에 대해서 설명한다. 이하에서는, 전술한 각 실시형태와 다른 점을 주로 설명한다. 도 11은 제4 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 포함되는 버블 발생 기구(470)의 모식도로서, (a)는 상면도, (b)는 정면도, (c)는 측면도이다. 도 11의 (a)∼(c)에 도시된 바와 같이, 제4 실시형태에 따른 기판 액처리 장치는, 전술한 기판 액처리 장치(A1)의 각 구성에 덧붙여, 외부조(442) 내에서 버블링을 행하는 버블 발생 기구(470)를 갖고 있다. 버블 발생 기구(470)는, 제1 실시형태에서 설명한 버블 발생 기구(111)와 동일한 구성으로 되어 있지만, 버블 발생 기구(111)가 처리조(34)에 설치되어 있었던 데 반해, 버블 발생 기구(470)는 외부조(442)에 설치되어 있다.
처음에, 외부조(442)에 버블 발생 기구(470)를 설치하는 목적에 대해서 설명한다. 일반적인 에칭 처리 장치에서는, 처리조의 처리액에 기판을 침지시켜, 처리액 저류부의 상부를 배스 리드(덮개)에 의해 폐쇄한 상태에서, 기판의 에칭 처리를 행한다. 배스 리드를 이용함으로써, 기판 액처리 프로세스시에 있어서의, 처리액의 온도 및 농도의 안정성을 향상시킬 수 있다. 한편, 배스 리드를 이용한 경우에는, 물이 증발하기 어려워지기 때문에, 농도 또는 온도를 가변으로 하는 경우, 구체적으로는 농도를 상승시키는 경우 혹은 온도를 저하시키는 경우에 있어서, 각각 변경 시간이 길어져 버린다. 이것에 의해, 기판 액처리의 스루풋이 저하되는 것이 문제가 된다. 이러한 것을 감안하여, 제4 실시형태에 따른 기판 액처리 장치에서는, 짧은 기간으로 처리액의 농도 상승 및 온도 저하를 실현하기 위해, 증발을 촉진시키기 위한 구성으로서, 외부조(442)에 버블 발생 기구(470)를 설치하고 있다. 버블 발생 기구(470)에 의해 외부조(442) 내에서 버블링이 행해짐으로써, 외부조(442)에 있어서의 기액 계면(기체와 액면이 접하는 지점)을 늘릴 수 있어, 증발이 촉진되고, 처리액의 농도 상승 및 온도 저하에 필요한 시간을 단축할 수 있다.
버블 발생 기구(470)는, 질소 공급원(도시하지 않음)으로부터 공급되는 질소 가스를, 공급관(471)으로부터 외부조(442) 내에 공급한다. 공급관(471)은, 도 11의 (a)에 도시된 바와 같이 외부조(442)의 형상을 따라 설치되어 있고, 외부조(442)의 바닥면측으로부터 버블링이 행해지도록, 가스 노즐로부터 질소 가스를 토출한다.
여기서, 제어부(7)는, 도 12의 (a), (b)에 도시된 바와 같이, 농도 및 온도의 목표치로부터의 괴리에 따라 버블 발생량이 변화되도록, 버블 발생 기구(470)를 제어하여도 좋다. 즉, 제어부(7)는, 처리액의 농도를 상승시키는 경우에 있어서, 농도의 목표치로부터의 괴리가 클수록(상승폭이 클수록) 다량의 버블이 발생하도록 버블 발생 기구(470)를 제어하여도 좋다. 예컨대 도 12의 (a)에 도시된 예에서는, 제어부(7)는, 상승폭(농도차)이 3[wt%]보다 큰 경우에는 질소 가스 유량을 3[L/min]으로 하고, 상승폭(농도차)이 1.1∼2.9[wt%]인 경우에는 질소 가스 유량을 2[L/min]로 하며, 상승폭(농도차)이 1[wt%]보다 작은 경우에는 질소 가스 유량을 1[L/min]로 하도록, 버블 발생 기구(470)를 제어하고 있다. 또한, 제어부(7)는, 처리액의 온도를 저하시키는 경우에 있어서, 온도의 목표치로부터의 괴리가 클수록(하강폭이 클수록) 다량의 버블이 발생하도록 버블 발생 기구(470)를 제어하여도 좋다. 예컨대 도 12의 (b)에 도시된 예에서는, 제어부(7)는, 하강폭(온도차)이 3[℃]보다 큰 경우에는 질소 가스 유량을 3[L/min]으로 하고, 하강폭(온도차)이 1.1∼2.9[℃]인 경우에는 질소 가스 유량을 2[L/min]로 하며, 하강폭(온도차)이 1[℃]보다 작은 경우에는 질소 가스 유량을 1[L/min]로 하도록, 버블 발생 기구(470)를 제어하고 있다. 이와 같이 제어함으로써, 농도의 상승폭 또는 온도의 하강폭이 클수록, 외부조(442)에 있어서의 기액 계면을 늘릴 수 있어, 처리액 농도의 상승 또는 처리액 온도의 하강에 필요한 시간을 효과적으로 단축할 수 있다.
[제5 실시형태]
제5 실시형태에 따른 기판 액처리 장치에 대해서 설명한다. 이하에서는, 전술한 각 실시형태와 다른 점을 주로 설명한다. 제5 실시형태에 따른 기판 액처리 장치는, 제4 실시형태에 따른 기판 액처리 장치와 마찬가지로, 처리액의 농도 상승에 필요한 시간을 단축하기 위한 구성을 갖고 있다. 구체적으로는, 제5 실시형태에 따른 기판 액처리 장치에서는, 도 2에 도시된 벤트 라인(60)(배출 유로)에 설치된 밸브(61B)(유량 제어 밸브)의 개도가 조절됨으로써, 농도의 상승폭에 따라, 배출되는 수증기량이 조정된다. 밸브(61B)는, 벤트 라인(60)으로부터 배출되는 수증기량을 조정한다. 밸브(61B)(유량 제어 밸브)의 개도가 조절됨으로써, 농도의 상승폭에 따라, 배출되는 수증기량이 조정된다. 즉, 제어부(7)는, 처리액의 농도를 상승시키는 경우에 있어서, 상기 농도의 목표치로부터의 괴리가 클수록 다량의 수증기가 배출되도록, 밸브(61B)를 제어한다. 도 13에 도시된 예에서는, 제어부(7)는, 상승폭(농도차)이 3[wt%]보다 큰 경우에는 배출되는 벤트 유량(수증기량)을 10[L/min]으로 하고, 상승폭(농도차)이 1.1∼2.9[wt%]인 경우에는 벤트 유량을 7[L/min]로 하며, 상승폭(농도차)이 1[wt%]보다 작은 경우에는 벤트 유량을 4[L/min]로 하도록, 밸브(61B)를 제어하고 있다. 이것에 의해, 농도의 상승폭이 클수록, 배출되는 수증기량을 늘릴 수 있어, 처리액 농도의 상승에 필요한 시간을 효과적으로 단축할 수 있다.
[제6 실시형태]
제6 실시형태에 따른 기판 액처리 장치에 대해서 설명한다. 이하에서는, 전술한 각 실시형태와 다른 점을 주로 설명한다. 제6 실시형태에 따른 기판 액처리 장치는, 제3 실시형태에 따른 기판 액처리 장치(도 10 참조)의 구성과, 제4 실시형태에 따른 기판 액처리 장치(도 11 참조)의 구성을 합한 구성을 갖고 있다. 즉, 제3 실시형태에 따른 기판 액처리 장치는, 도 14에 도시된 바와 같이, 외부조(642)의 용적을 변경 가능하게 구성된 용적 가변 기구(650)와, 외부조(642) 내에서 버블링을 행하는 버블 발생 기구(660)를 갖고 있다. 용적 가변 기구(650)의 구성은, 제3 실시형태의 용적 가변 기구(350)와 동일하고, 버블 발생 기구(660)의 구성은, 제4 실시형태의 버블 발생 기구(470)와 동일하다. 이러한 구성에 따르면, 외부조(642)의 용적 변경에 따른 액면 높이 제어와, 외부조(642)에 있어서의 기액 계면 증가에 따른 처리 시간 단축을 모두 실현할 수 있다.
이상, 실시형태에 대해서 설명하였지만, 본 개시는 상기 실시형태에 한정되는 것은 아니다.
예컨대, 처리 조건을 변경하는 공정은, 기판을 처리하는 공정 후에 있어서, 처리액을 저류하는 처리조로부터 기판이 반출된 후에 행해져도 좋다. 이 경우에는, 기판 처리에 영향을 주지 않고, 적절히 처리 조건을 변경할 수 있다.
또한, 실리콘 농도의 경시 변화의 기울기의 변화점을 변환점으로서 특정한다고 하여 설명하였지만, 변환점의 특정 방법은 이것에 한정되지 않는다. 예컨대, 제어부는, 기판에 형성되는 패턴에 따라 미리 정해진 처리 시간에 기초하여, 기판을 처리액에 침지시킨 후, 상기 처리 시간이 경과한 시점을 변환점으로서 특정하여도 좋다. 이것에 의해, 미리 패턴 형상에 따른 처리 시간을 설정해 둠으로써, 적절하고 간이하게 변환점을 검지할 수 있다. 또한, 변환점의 특정은, 처리액의 화상 또는 온도 등에 기초하여 행해져도 좋다. 또한, 처리액 저류부에 대해서는, 외부조 및 내부조를 포함하여 구성되어 있다고 하여 설명하였지만, 단일 조(예컨대 내부조에 상당하는 조만) 혹은 3개 이상의 조에 의해 구성되어 있어도 좋다.

Claims (20)

  1. 기판 액처리 방법으로서,
    처리액 공급부로부터 공급된 처리액에 기판을 침지시킴으로써 기판을 처리하는 공정과,
    상기 기판을 처리하는 공정의 처리 조건이 변경되는 변환점을 검지하는 공정과,
    상기 변환점이 검지된 경우에, 상기 처리액 공급부 및 상기 처리액을 가열하는 가열부를 제어하여 상기 처리 조건을 변경하는 공정
    을 포함하고,
    상기 기판 상에 형성되는 패턴에 따라 미리 정해진 처리 시간에 기초하여, 상기 기판을 상기 처리액에 침지시킨 후, 상기 미리 정해진 처리 시간이 경과한 시점을 특정함으로써 상기 변환점이 검지되는 것인,
    기판 액처리 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 변환점을 검지하는 공정에서는, 상기 처리액에 포함되는 함유 성분의 상기 처리액 중에 있어서의 농도를 검출하고, 상기 농도의 경시 변화의 기울기에 기초하여 상기 변환점을 검지하는 것인, 기판 액처리 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 처리 조건을 변경하는 공정에서는, 상기 변환점이 검지된 경우에, 상기 처리액의 농도 및 상기 처리액에 포함되는 함유 성분의 상기 처리액 중에 있어서의 농도 중 적어도 어느 한쪽을 변경하는 것인, 기판 액처리 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 처리 조건을 변경하는 공정에서는, 상기 변환점이 검지된 경우에, 상기 처리액의 농도를 저하시키는 것인, 기판 액처리 방법.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 처리 조건을 변경하는 공정에서는, 상기 변환점이 검지된 경우에, 상기 처리액에 포함되는 함유 성분의 상기 처리액 중에 있어서의 농도를 상승시키는 것인, 기판 액처리 방법.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 처리 조건을 변경하는 공정에서는, 상기 기판을 침지시키는 상기 처리액의 용량을 변경하는 것인, 기판 액처리 방법.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 기판을 처리하는 공정 후에 있어서, 상기 처리액을 저류하는 처리조로부터 상기 기판이 반출된 후에, 상기 처리 조건을 변경하는 공정을 행하는 것인, 기판 액처리 방법.
  8. 처리액에 기판을 침지시킴으로써 상기 기판에 액처리를 행하는 기판 액처리 장치로서,
    처리액을 저류하는 처리액 저류부와,
    상기 처리액 저류부에 처리액을 공급하는 처리액 공급부와,
    상기 처리액을 가열하는 가열부와,
    제어부
    를 구비하고,
    상기 제어부는,
    상기 기판에 대한 처리 조건이 변경되는 변환점에 관한 정보에 기초하여 상기 변환점을 특정하는 것과,
    상기 변환점이 특정된 경우에, 상기 처리 조건이 변경되도록 상기 처리액 공급부 및 상기 가열부를 제어하는 것
    을 실행하도록 구성되어 있고,
    상기 기판에 형성되는 패턴에 따라 미리 정해진 처리 시간에 기초하여, 상기 기판을 상기 처리액에 침지시킨 후, 상기 미리 정해진 처리 시간이 경과한 시점을 상기 변환점으로서 특정하는 것인, 기판 액처리 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 처리액에 포함되는 함유 성분의 상기 처리액 중에 있어서의 농도를, 상기 변환점에 관한 정보로서 검출하는 검출부를 더 구비하는, 기판 액처리 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 처리액에 포함되는 함유 성분의 상기 처리액 중에 있어서의 농도의 경시 변화의 기울기의 변화점을 상기 변환점으로서 특정하는 것인, 기판 액처리 장치.
  11. 삭제
  12. 제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 처리액 저류부에 설치되고, 상기 처리액 저류부의 용적을 변경 가능하게 구성된 용적 가변 기구를 더 구비하는, 기판 액처리 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 용적 가변 기구는, 그 내부의 압력이 변화됨으로써 상기 처리액 저류부 내에서 신축 가능하게 구성되어 있는 것인, 기판 액처리 장치.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 용적 가변 기구는, 중공 구조이며, 그 내부에 가스가 충전됨으로써 상기 처리액 저류부의 용적을 줄이고, 그 내부로부터 가스가 방출됨으로써 상기 처리액 저류부의 용적을 늘리는 것인, 기판 액처리 장치.
  15. 제12항에 있어서,
    상기 처리액 저류부 내에서 버블링을 행하는 버블 발생 기구를 더 구비하는, 기판 액처리 장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 처리액 저류부는, 상기 기판을 침지시키는 내부조와, 상기 내부조로부터 오버 플로우하는 상기 처리액을 받는 외부조와, 상기 외부조로부터 상기 내부조로 상기 처리액을 순환시키는 순환로를 가지며,
    상기 용적 가변 기구 및 상기 버블 발생 기구 중 적어도 어느 한쪽은, 상기 외부조에 설치되어 있는 것인, 기판 액처리 장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 버블 발생 기구는, 상기 외부조에 설치되어 있고,
    상기 제어부는,
    상기 처리액의 농도를 상승시키는 경우에 있어서, 상기 농도의 목표치로부터의 괴리가 클수록 다량의 버블이 발생하도록 상기 버블 발생 기구를 제어하고,
    상기 처리액의 온도를 저하시키는 경우에 있어서, 상기 온도의 목표치로부터의 괴리가 클수록 다량의 버블이 발생하도록 상기 버블 발생 기구를 제어하는 것인, 기판 액처리 장치.
  18. 제16항에 있어서,
    상기 순환로로부터 분기되는 배출 유로에 설치되고, 상기 배출 유로로부터 배출되는 수증기량을 조절하는 유량 제어 밸브를 더 구비하는, 기판 액처리 장치.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 처리액의 농도를 상승시키는 경우에 있어서, 상기 농도의 목표치로부터의 괴리가 클수록 다량의 수증기가 배출되도록 상기 유량 제어 밸브를 제어하는 것인, 기판 액처리 장치.
  20. 제1항 또는 제2항에 기재된 기판 액처리 방법을 행하기 위한 기판 액처리 프로그램이 기억된 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체.
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