CN110556294A - 基板液处理方法、基板液处理装置以及存储介质 - Google Patents

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Abstract

本发明提供基板液处理方法、基板液处理装置以及存储介质，在浸渍蚀刻工艺中在适当的定时变更处理参数。基板液处理方法包括以下工序：通过使基板(8)浸在处理液中来对基板(8)进行处理；探测使对基板(8)进行处理的工序的处理条件变更的变换点；以及在探测到变换点的情况下，变更处理条件。

Description

基板液处理方法、基板液处理装置以及存储介质
技术领域
本公开涉及一种基板液处理方法、基板液处理装置以及存储介质。
背景技术
近年来，提出有各种类型的半导体元件。例如在专利文献1中公开了一种在垂直方向形成有多层膜的半导体元件。这样的半导体元件例如通过专利文献2所公开的方法来制造。在专利文献2中公开了一种通过使基板浸在贮存有处理液的处理槽中来进行图案蚀刻从而制造如上述那样的半导体元件的方法(浸渍蚀刻工艺)。
专利文献1：日本特开2011-77521号公报
专利文献2：日本专利第6118739号说明书
发明内容
发明要解决的问题
在此，在浸渍蚀刻工艺中，有时想要根据图案形状来在处理中变更处理参数。
因此，本公开的目的在于在浸渍蚀刻工艺中在适当的定时变更处理参数。
用于解决问题的方案
本公开所涉及的基板液处理方法包括以下的工序：通过使基板浸在处理液中来对基板进行处理；探测使对基板进行处理的工序的处理条件变更的变换点；以及在探测到变换点的情况下，变更处理条件。
本公开所涉及的基板液处理装置通过使基板浸在处理液中来对该基板进行液处理，所述基板液处理装置具备：处理液贮存部，其贮存处理液；处理液供给部，其向处理液贮存部供给处理液；加热部，其对处理液进行加热；以及控制部，其中，控制部构成为执行以下控制：基于与变更针对基板的处理条件的变换点有关的信息，来确定变换点；以及在确定出变换点的情况下，控制处理液供给部和加热部以变更处理条件。
发明的效果
根据本公开，能够在浸渍蚀刻工艺中在适当的定时变更处理参数。
附图说明
图1是示意性地表示第一实施方式所涉及的基板液处理系统的俯视图。
图2是第一实施方式所涉及的基板液处理装置的示意图。
图3是表示第一实施方式所涉及的控制部的功能结构的框图。
图4是示意性地表示基板(半导体元件)的图，图4的(a)表示蚀刻处理前的基板，图4的(b)表示蚀刻处理后的基板。
图5是表示与图案形状相应的理想的蚀刻速率的一例的曲线图。
图6是表示变换点处的处理参数的变更例的曲线图。
图7是表示硅浓度随时间的变化的一例的曲线图。
图8是基板液处理的流程图。
图9是第二实施方式所涉及的基板液处理装置所包括的容积可变机构的示意图，图9的(a)表示增大外槽的容积后的状态，图9的(b)表示减小外槽的容积后的状态。
图10是第三实施方式所涉及的基板液处理装置所包括的容积可变机构的示意图，图10的(a)表示减小外槽的容积后的状态，图10的(b)表示增大外槽的容积后的状态。
图11是第四实施方式所涉及的基板处理装置所包括的气泡产生机构的示意图，图11的(a)是俯视图，图11的(b)是主视图，图11的(c)是侧视图。
图12是表示气泡产生机构的控制例的表，图12的(a)表示浓度变更时的控制例，图12的(b)表示温度变更时的控制例。
图13是表示第五实施方式所涉及的基板处理装置中的水蒸气排出控制例的表。
图14是第六实施方式所涉及的基板处理装置所包括的容积可变机构的示意图。
具体实施方式
下面，参照附图来详细地说明实施方式。在说明中，对相同要素或具有相同功能的要素标注相同的附图标记，并省略重复的说明。
[第一实施方式]
如图1所示，第一实施方式所涉及的基板液处理系统1A具备载置体搬入搬出部2、基板组形成部3、基板组载置部4、基板组搬送部5、基板组处理部6以及控制部7。
其中，载置体搬入搬出部2进行载置体9的搬入和搬出，该载置体9将多张(例如25张)基板(硅晶圆)8以水平姿势沿上下方向排列地收容。在该载置体搬入搬出部2设置有用于载置多个载置体9的载置体台10、进行载置体9的搬送的载置体搬送机构11、暂时保管载置体9的载置体保存器12、13、以及载置载置体9的载置体载置台14。在此，载置体保存器12在由基板组处理部6对要成为产品的基板8进行处理之前暂时保管该基板8。另外，载置体保存器13在由基板组处理部6对要成为产品的基板8进行处理之后暂时保管该基板8。
而且，载置体搬入搬出部2使用载置体搬送机构11将被从外部搬入到载置体台10的载置体9搬送到载置体保存器12、载置体载置台14。另外，载置体搬入搬出部2使用载置体搬送机构11将被载置于载置体载置台14的载置体9搬送到载置体保存器13、载置体台10。被搬送到载置体台10的载置体9被搬出到外部。
基板组形成部3将收容于一个或多个载置体9的基板8组合来形成包括同时处理的多张(例如50张)基板8的基板组。此外，在形成基板组时，既可以按使在基板8的表面形成有图案的面彼此相向的方式形成基板组，也可以按使在基板8的表面形成有图案的面全部朝向一个方向的方式形成基板组。在该基板组形成部3设置有用于搬送多张基板8的基板搬送机构15。此外，基板搬送机构15能够在基板8的搬送中途使基板8的姿势从水平姿势变更为垂直姿势以及使基板8的姿势从垂直姿势变更为水平姿势。
而且，基板组形成部3使用基板搬送机构15将基板8从载置于载置体载置台14的载置体9搬送到基板组载置部4，将形成基板组的基板8载置到基板组载置部4。另外，基板组形成部3利用基板搬送机构15将载置于基板组载置部4的基板组搬送到载置于载置体载置台14的载置体9。此外，基板搬送机构15具有支承处理前(由基板组搬送部5搬送之前)的基板8的处理前基板支承部和支承处理后(由基板组搬送部5搬送之后)的基板8的处理后基板支承部这两种基板支承部，来作为用于支承多张基板8的基板支承部。由此，防止附着于处理前的基板8等的微粒等转附到处理后的基板8等。
基板组载置部4将由基板组搬送部5在基板组形成部3与基板组处理部6之间搬送的基板组暂时载置(待机)在基板组载置台16上。在该基板组载置部4设置有用于载置处理前(由基板组搬送部5搬送之前)的基板组的搬入侧基板组载置台17和用于载置处理后(由基板组搬送部5搬送之后)的基板组的搬出侧基板组载置台18。一个基板组的量的多张基板8以垂直姿势前后排列地被载置于搬入侧基板组载置台17以及搬出侧基板组载置台18。
而且，在基板组载置部4，由基板组形成部3形成的基板组被载置于搬入侧基板组载置台17，并且该基板组经由基板组搬送部5被搬入至基板组处理部6。另外，在基板组载置部4，经由基板组搬送部5从基板组处理部6搬出的基板组被载置于搬出侧基板组载置台18，并且该基板组被搬送至基板组形成部3。
基板组搬送部5在基板组载置部4与基板组处理部6之间、基板组处理部6的内部之间进行基板组的搬送。在该基板组搬送部5设置有进行基板组的搬送的基板组搬送机构19。基板组搬送机构19由沿着基板组载置部4和基板组处理部6配置的轨道20、以及一边保持多张基板8一边沿着轨道20移动的移动体21构成。在移动体21以进退自如的方式设置有基板保持体22，该基板保持体22用于保持以垂直姿势沿前后方向排列的多张基板8。
而且，基板组搬送部5利用基板组搬送机构19的基板保持体22来接收被载置于搬入侧基板组载置台17的基板组，将该基板组交接给基板组处理部6。另外，基板组搬送部5利用基板组搬送机构19的基板保持体22来接收被基板组处理部6进行了处理的基板组，将该基板组交接给搬出侧基板组载置台18。并且，基板组搬送部5使用基板组搬送机构19在基板组处理部6的内部进行基板组的搬送。
基板组处理部6将以垂直姿势沿前后方向排列的多张基板8作为一个基板组来进行蚀刻、清洗、干燥等处理。在该基板组处理部6并排设置有进行基板8的干燥处理的干燥处理装置23、进行基板保持体22的清洗处理的基板保持体清洗处理装置24、进行基板8的清洗处理的清洗处理装置25以及两台进行基板8的蚀刻处理的本发明的蚀刻处理装置26。
干燥处理装置23具备处理槽27以及升降自如地设置于处理槽27的基板升降机构28。向处理槽27供给干燥用的处理气体(IPA(异丙醇)等)。一个基板组的多张基板8以垂直姿势沿前后方向排列地保持于基板升降机构28。干燥处理装置23利用基板升降机构28从基板组搬送机构19的基板保持体22接收基板组，并利用基板升降机构28使该基板组升降，由此利用被供给到处理槽27的干燥用的处理气体来进行基板8的干燥处理。另外，干燥处理装置23将基板组从基板升降机构28交接给基板组搬送机构19的基板保持体22。
基板保持体清洗处理装置24具有处理槽29，能够向该处理槽29供给清洗用的处理液和干燥气体，在向基板组搬送机构19的基板保持体22供给清洗用的处理液之后供给干燥气体，由此进行基板保持体22的清洗处理。
清洗处理装置25具有清洗用的处理槽30和冲洗用的处理槽31，在各处理槽30、31以升降自如的方式设置有基板升降机构32、33。在清洗用的处理槽30中贮存清洗用的处理液(SC-1等)。在冲洗用的处理槽31中贮存冲洗用的处理液(纯水等)。
蚀刻处理装置26具有蚀刻用的处理槽34和冲洗用的处理槽35，在各处理槽34、35以升降自如的方式设置有基板升降机构36、37。在蚀刻用的处理槽34中贮存蚀刻用的处理液(磷酸水溶液)。在冲洗用的处理槽35中贮存冲洗用的处理液(纯水等)。
这些清洗处理装置25和蚀刻处理装置26为同样的结构。对蚀刻处理装置26进行说明，一个基板组的多张基板8以垂直姿势沿前后方向排列地保持于基板升降机构36。在蚀刻处理装置26中，利用基板升降机构36来从基板组搬送机构19的基板保持体22接收基板组，利用基板升降机构36来使该基板组升降，由此使基板组浸在处理槽34的蚀刻用的处理液中来进行基板8的蚀刻处理。之后，蚀刻处理装置26将基板组从基板升降机构36交接给基板组搬送机构19的基板保持体22。另外，利用基板升降机构37来从基板组搬送机构19的基板保持体22接收基板组，利用基板升降机构37来使该基板组升降，由此使基板组浸在处理槽35的冲洗用的处理液中来进行基板8的冲洗处理。之后，将基板组从基板升降机构37交接给基板组搬送机构19的基板保持体22。
控制部7控制基板液处理系统1A的各部(载置体搬入搬出部2、基板组形成部3、基板组载置部4、基板组搬送部5以及基板组处理部6)的动作。该控制部7例如包括计算机，具备计算机可读取的存储介质138。在存储介质138中保存用于控制在基板液处理系统1中执行的各种处理的程序。控制部7通过读出并执行存储介质138中存储的程序，来控制基板液处理系统1的动作。此外，程序可以是存储于计算机可读取的存储介质138的程序，也可以是从其它存储介质安装到控制部7的存储介质138中的程序。作为计算机可读取的存储介质138，例如存在硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。
〔基板液处理装置〕
接下来，参照图2来详细地说明基板液处理系统1A所包括的基板液处理装置A1。如图2所示，基板液处理装置A1构成为包括蚀刻处理装置26。
蚀刻处理装置26将规定浓度的药剂(磷酸)的水溶液用作蚀刻用的处理液来对基板8进行液处理(蚀刻处理)。如后述那样，能够适当地变更处理液的浓度(磷酸浓度)。如图2所示，蚀刻处理装置26具备处理液贮存部38、处理液供给部39、处理液循环部40、处理液排出部41、通气管路60、硅浓度计80(检测部)、磷酸浓度计90以及气泡产生机构111。
处理液贮存部38贮存处理液以对基板8进行处理。处理液贮存部38在上部敞开的处理槽34(内槽)的上部周围形成上部敞开的外槽42，在处理槽34和外槽42中贮存处理液。处理槽34贮存处理液，通过利用基板升降机构36使基板8浸在该处理液中来对该基板8进行液处理。外槽42贮存从处理槽34溢出的处理液。外槽42中贮存的处理液通过处理液循环部40被供给至处理槽34。可以在外槽42设置检测外槽42中的液面高度的液面传感器(未图示)。
在此，参照图4的(a)、(b)来说明在处理槽34内被进行液处理(蚀刻处理)的基板8。图4的(a)是示意性地表示蚀刻处理前的基板8即基板8A的图，图4的(b)是示意性地表示蚀刻处理后的基板8即基板8B的图。如图4所示，蚀刻处理前的基板8A具有基板部150、多个氧化膜151、多个氮化膜152、多个通道孔153、以及阻隔绝缘膜154。基板部150例如由单晶硅形成。通过在基板部150的一部分区域中掺入杂质来形成杂质区域，并且在该杂质区域上形成有下部绝缘膜和下部电极层(均未图示)。而且，在形成有下部电极层的基板部150上形成(层叠)有多个氧化膜151和多个氮化膜152。氧化膜151和氮化膜152以相互交替的方式层叠。氧化膜151例如利用硅氧化物形成。氮化膜152例如利用硅氮化物形成。而且，在最上部的氧化膜151上形成有上部电极层和上部绝缘膜(均未图示)。通道孔153以在层叠方向上将多个氧化膜151和多个氮化膜152贯通的方式延伸。在各通道孔153的侧壁形成有阻隔绝缘膜154。
如图4的(b)所示，在被实施蚀刻处理的基板8B中，在宽度方向的两端部沿层叠方向形成有用于导入处理液的导入部155。而且，通过从该导入部155导入处理液，在图4的(b)所示的基板8B中利用处理液来去除各氮化膜152。通过去除氮化膜152，氮化膜152所在的区域成为开口部156。在开口部156形成电荷捕获层、阻隔绝缘膜、控制栅极等。
返回图2，处理液供给部39向处理液贮存部38供给处理液。处理液供给部39具备水溶液供给部43和水供给部44。水溶液供给部43具有第一水溶液供给部43X和第二水溶液供给部43Y。
第一水溶液供给部43X具有水溶液供给源45X、阀46X以及流路49X。水溶液供给源45X供给规定浓度的磷酸水溶液。从水溶液供给源45X供给的磷酸水溶液经由流路49X被供给至处理液贮存部38。阀46X设置在流路49X中的水溶液供给源45X的下游侧。阀46X与控制部7连接，由控制部7进行开闭控制和流量控制。
第二水溶液供给部43Y具有水溶液供给源45Y、阀46Y以及流路49Y。水溶液供给源45Y供给规定浓度的磷酸水溶液。从水溶液供给源45Y供给的磷酸水溶液中包含的硅(含有成分)的浓度(硅浓度)比从上述的第一水溶液供给部43X的水溶液供给源45X供给的磷酸水溶液中的硅浓度高。从水溶液供给源45Y供给的磷酸水溶液经由流路49Y被供给至处理液贮存部38。阀46Y设置在流路49Y中的水溶液供给源45Y的下游侧。阀46Y与控制部7连接，由控制部7进行开闭控制和流量控制。
水供给部44向处理液贮存部38供给水(纯水)。水供给部44将用于供给规定温度(例如室温)的纯水的水供给源47经由阀48而与处理液贮存部38的外槽42连接。阀48与控制部7连接，由控制部7进行开闭控制和流量控制。
处理液循环部40将外槽42内的处理液输送至处理槽34。处理液循环部40具有循环流路49(循环路)、泵50、加热器51(加热部)以及过滤器52。循环流路49是从处理液贮存部38的外槽42的底部延伸至处理槽34的底部的流路，用于使处理液从外槽42向处理槽34循环。在循环流路49上，从上游侧(外槽42侧)向下游侧(处理槽34侧)依序设置有泵50、加热器51以及过滤器52。泵50及加热器51与控制部7连接，由控制部7进行驱动控制。泵50将处理液从上游侧加压输送至下游侧。加热器51将处理液加热至设定温度。过滤器52将处理液中混入的微粒去除。
处理液排出部41将处理液从处理液循环部40的循环流路49排出。处理液排出部41例如具有排液流路41A和阀41B。排液流路41A用于导出循环流路49内的处理液。排液流路41A的一端部与循环流路49连接，排液流路41A的另一端部与基板液处理系统1A的排液管(未图示)连接。阀41B设置于排液流路41A。阀41B与控制部7连接，由控制部7进行开闭控制。
通气管路60是用于将在循环流路49的过滤器52中产生的水蒸气输送至外槽42的结构。通气管路60具有排出流路61A和阀61B(流量控制阀)。排出流路61A用于将在过滤器52中产生的水蒸气导出至外槽42。排出流路61A的一端部与过滤器52连接，排出流路61A的另一端部与外槽42连接。阀61B设置于排出流路61A。阀61B与控制部7连接，由控制部7进行开闭控制。
硅浓度计80设置于从循环流路49分支后朝向外槽42延伸的分支流路100，测量处理液中包含的硅的浓度(硅浓度)。硅浓度计80作为检测处理液中包含的硅在处理液中的浓度(硅浓度)来作为与后述的变换点有关的信息的检测部发挥功能。硅浓度计80将测量出的硅浓度输出至控制部7。该硅浓度被用于由控制部7进行的变换点的确定(在后文中叙述详情)。磷酸浓度计90设置于分支流路100，测量处理液中的磷酸浓度。磷酸浓度计90将测量出的磷酸浓度输出至控制部7。
气泡产生机构111用于在处理液贮存部38内进行鼓泡(bubbling)。气泡产生机构111具有氮气供给源112、阀113以及供给管114。氮气供给源112供给氮气。从氮气供给源112供给的氮气经由供给管114被供给至处理液贮存部38的处理槽34。供给管114的一端与氮气供给源112连接，并且该供给管114的另一端侧沿着处理槽34的底面延伸。在供给管114的另一端侧(沿处理槽34的底面延伸的部分)形成有多个气体喷嘴，从该气体喷嘴喷出被用于鼓泡的氮气。阀113设置在供给管114中的氮气供给源112的下游侧。阀113与控制部7连接，由控制部7进行开闭控制和流量控制。利用气泡产生机构111在处理槽34内进行鼓泡，由此在处理槽34内产生处理液的上升流。由此，容易使处理液的状态保持均一。
接下来，详细地说明对蚀刻处理装置26进行控制的控制部7。控制部7例如构成为在使基板8浸在处理槽34的处理液中的基板处理期间内执行以下控制：基于与变更针对基板8的处理条件的变换点有关的信息来确定变换点；以及在确定出变换点的情况下，控制处理液供给部39以变更处理条件。在本实施方式中，作为针对基板8的处理条件，使处理液的浓度和处理液中的硅浓度变更。
首先，参照图4～图7来说明控制部7的处理情形。如以上使用图4的(a)、(b)叙述的那样，基板8的氮化膜152被处理液去除(蚀刻)。在此，如图4的(b)所示，在通道孔153的侧壁形成有阻隔绝缘膜154。在继续进行氮化膜152的去除而阻隔绝缘膜154露出的状态下不使处理液的蚀刻速率(针对氧化膜的蚀刻速率。以下同样)发生任何变更的情况下，存在随时间经过而阻隔绝缘膜154被处理液大量去除的担忧。特别是，通道孔153的侧壁中的先开始进行蚀刻的一侧的阻隔绝缘膜154被长时间地进行蚀刻，从而被更显著地被削除。因此，在本实施方式的蚀刻处理装置26的控制部7中，基于与基板8的图案形状相应的处理状况来改变处理液的蚀刻速率。在图5中，横轴表示蚀刻处理时间，下图的纵轴表示对氧化膜的蚀刻速率，上图示意性地示出基板8的氧化膜151、氮化膜152、通道孔153以及阻隔绝缘膜154的位置。如图5所示，控制部7在蚀刻处理时间X1之前的阶段(即到达在通道孔153的侧壁形成的阻隔绝缘膜154的位置之前的阶段)，将处理液的蚀刻速率设为比较高的值，在到达蚀刻处理时间X1之后的阶段，使处理液的蚀刻速率降低(至接近0的值)(参照图5的下图)。此外，在图5中，蚀刻速率在蚀刻处理时间X1瞬间下降至期望的值，但实际上，通过变更后述的处理液的浓度和硅浓度，蚀刻速率逐渐接近期望的值。上述的关于抑制阻隔绝缘膜154的去除的内容仅为一例，并不限定于以该目的进行控制部7的控制。
作为使处理液的蚀刻速率下降时的处理，具体地说，如图6所示，控制部7当探测到到了蚀刻处理时间X1的定时即变换点时，降低处理液的浓度(磷酸浓度)并且提高处理液中的硅浓度，由此使处理液的蚀刻速率下降(在后文中叙述详情)。另外，如图7所示，控制部7将处理液中的硅浓度随时间的变化的斜率的变化点确定为变换点(在后文中叙述详情)。此外，也可以是，控制部7当探测到变换点时，通过控制加热器51来使处理液的温度下降，从而降低处理液对阻隔绝缘膜154的蚀刻速率。
接下来，参照图3来说明控制部7的具体的功能结构。图3是表示控制部7的功能结构的框图。如图3所示，控制部7具备变换点确定部71、硅浓度调整部72、磷酸浓度调整部73以及鼓泡控制部74。
变换点确定部71基于与变更针对基板8的处理条件的变换点有关的信息，来确定变换点(判定是否到达变换点)。与变换点有关的信息例如为从硅浓度计80获取的、处理液中的硅浓度。变换点确定部71将处理液中的硅浓度随时间的变化的斜率的变化点确定为变换点。图7示出硅浓度随时间的变化的一例，横轴表示时间，纵轴表示硅浓度。如图7所示，关于硅浓度，以通道孔153露出(详细地说是阻隔绝缘膜154露出)的蚀刻处理时间X1为界，单位时间的硅浓度的增加量(硅浓度随时间的变化的斜率)变小。即，如图7所示，在到了蚀刻处理时间X1之后的硅浓度随时间的变化的斜率比到蚀刻处理时间X1之前的硅浓度随时间的变化的斜率A小。这是基于以下原因：如图5所示那样削除氮化膜152直至阻隔绝缘膜154露出为止(到了蚀刻处理时间X1为止)，与此相对地，当到了蚀刻处理时间X1时，氮化膜152的处理截面积变小，新削除的氮化膜152的量减少而使得处理液中的硅浓度的増加量减少。变换点确定部71将处理液中的硅浓度随时间的变化的斜率变小的点确定为变换点，由此能够高精度地将到了蚀刻处理时间X1的时间点确定为变换点。
在由变换点确定部71确定出变换点的情况下，硅浓度调整部72对处理液供给部39的阀46X、46Y进行控制，以使作为处理条件的、处理液中的硅浓度变更。具体地说，在蚀刻处理开始后，在确定(探测)出变换点之前的阶段，硅浓度调整部72打开阀46X，以使第一水溶液供给部43X的水溶液供给源45X向处理液贮存部38供给处理液。硅浓度调整部72关闭第二水溶液供给部43Y的阀46Y。在该情况下，向处理液贮存部38供给硅浓度比较低的、硅浓度低的处理液。而且，在确定(探测)出变换点的情况下，硅浓度调整部72关闭阀46X并且打开阀46Y，以使第二水溶液供给部43Y的水溶液供给源45Y向处理液贮存部38供给硅浓度高的处理液。像这样，在确定出变换点的情况下，硅浓度调整部72控制处理液供给部39的阀46X及46Y，以使处理液中的硅浓度上升。
图6示出变换点时的处理参数的变更例。图6的横轴表示蚀刻处理时间，纵轴表示磷酸浓度、硅浓度、氮气(N2)流量以及氧化膜蚀刻速率的高低。如图6所示，关于处理液中的硅浓度，在蚀刻开始时例如设为X[ppm]，之后，由于继续进行氮化膜152的蚀刻而处理液中的硅浓度上升。而且，当到了蚀刻处理时间X1(确定出变换点)时，如上述那样，硅浓度高的处理液被供给到处理液贮存部38使得处理液中的硅浓度进一步上升。硅浓度调整部72从硅浓度计80获取处理液中的硅浓度，当该硅浓度上升至比X[ppm]高的Y[ppm](参照图6)时，对阀41B进行控制以使之后的处理液中的硅浓度固定为Y[ppm]，由此进行硅浓度固定控制。
在由变换点确定部71确定出变换点的情况下，磷酸浓度调整部73对处理液供给部39的阀48进行控制，以使作为处理条件的、处理液的浓度(磷酸浓度)变更。磷酸浓度调整部73通过调节水供给部44的阀48的开度来调整处理液的浓度。为了在确定出变换点的情况下使处理液的浓度下降，磷酸浓度调整部73调节水供给部44的阀48的开度，以使从水供给部44向处理液贮存部38供给的水的供给量增加。另外，磷酸浓度调整部73通过调节通气管路60的阀61B的开度来调整水蒸气的排出量，来使变更处理液的浓度和温度所需的时间缩短。磷酸浓度调整部73例如在使浓度上升或使温度下降的情况下，调节阀61B的开度以使在通气管路60中排出的水蒸气的排出量增加，由此使浓度上升或温度下降所需的时间缩短。此外，在使浓度下降的情况下，从水供给部44向处理液贮存部38供给的水的供给量增加，因此存在处理液贮存部38中的液面过度上升而无法适当地进行液面控制的担忧。因此，也可以是，磷酸浓度调整部73在使向处理液贮存部38的供水量增加的情况下，打开处理液排出部41的阀41B来从处理液贮存部38排出处理液，从而抑制处理液贮存部38中的液面上升。
如图6所示，关于处理液的浓度(磷酸浓度)，在蚀刻开始时例如设为A[w％]，维持该磷酸浓度直到蚀刻处理时间X1为止。而且，当到了蚀刻处理时间X1(确定出变换点)时，利用磷酸浓度调整部73来对阀48进行控制，由此磷酸浓度下降。磷酸浓度调整部73从磷酸浓度计90获取磷酸浓度，当该磷酸浓度下降至比A[w％]低的B[w％](参照图6)时，进行磷酸浓度固定控制，以使之后的磷酸浓度固定为B[w％]。
如图6所示，在变换点时进行使硅浓度上升以及使磷酸浓度下降的控制，由此，氧化膜蚀刻速率以变换点为界下降(下降量变大)。即，关于氧化膜蚀刻速率，在蚀刻开始时例如设为α[A]，之后，随着继续进行蚀刻而氧化膜蚀刻速率逐渐下降。而且，当到了蚀刻处理时间X1时，进行上述的使硅浓度上升以及使磷酸浓度下降的控制，氧化膜蚀刻速率的下降量变大。之后，当蚀刻区域下降至比α[A]低的β[A]时，进行上述的硅浓度固定控制和磷酸浓度固定控制，来将氧化膜蚀刻速率也控制为固定值(β[A])。
鼓泡控制部74调节气泡产生机构111的阀113的开度，以在处理液贮存部38内进行规定的鼓泡处理。鼓泡控制部74以与利用磷酸浓度调整部73进行的磷酸浓度调整对应的方式控制鼓泡处理。即，如图6所示，从蚀刻开始时起至蚀刻处理时间X1为止的期间，对阀113的开度进行调节以使与鼓泡有关的氮气的流量成为a[L/min]。而且，当到了蚀刻处理时间X1(确定出变换点)时，利用鼓泡控制部74对阀113的开度进行调节，由此，与鼓泡有关的氮气的流量下降。鼓泡控制部74使氮气的流量下降，直至氮气的流量达到b[L/min]为止。像这样，鼓泡控制部74根据磷酸浓度的下降来使与鼓泡有关的氮气的流量下降。并且，当氮气的流量下降至b[L/min]时，鼓泡控制部74在之后逐渐提高氮气的流量。由此，能够在处理液中彻底地进行氮气置换，能够抑制氧化膜的再析出。
〔基板液处理方法〕
接着，参照图8来说明基板液处理方法的一例。图8是基板液处理的流程图，更详细地说，是表示变更作为处理条件的、处理液的浓度和处理液中的硅浓度的处理的流程图。
如图8所示，控制部7连续地(以规定的时间间隔)获取由硅浓度计80检测出的、处理液中的硅浓度(步骤S1)。控制部7判定硅浓度随时间的变化的斜率是否发生了规定量的变化(步骤S2)。具体地说，控制部7判定单位时间的硅浓度的增加量是否减少了规定量(斜率变小)。在步骤S2中判定为硅浓度随时间的变化的斜率发生了规定量的变化的情况下，控制部7继续获取硅浓度(即执行步骤S1)，在经过规定时间后再次执行步骤S2。另一方面，在步骤S2中判定为硅浓度随时间的变化的斜率发生了规定量的变化的情况下，控制部7确定为蚀刻区域到达变换点(步骤S3)。
接下来，控制部7对处理液供给部39的阀46X及46Y进行控制，以使作为处理条件的硅浓度变更(步骤S4)。具体地说，控制部7将供给硅浓度低的处理液的第一水溶液供给部43X的阀46X关闭，并且将供给硅浓度高的处理液的第二水溶液供给部43Y的阀46Y打开，以使处理液中的硅浓度上升。
另外，控制部7对处理液供给部39的阀48进行控制，以使作为处理条件的磷酸浓度变更(步骤S5)。具体地说，控制部7调节水供给部44的阀48的开度来增加向处理液贮存部38供给的水的供给量，由此使处理液的浓度(磷酸浓度)下降。此外，步骤S5可以在步骤S4之前进行，也可以与步骤S4同时进行。
接下来，控制部7判定硅浓度和磷酸浓度是否达到目标值(步骤S6)。控制部7在从硅浓度计80获取的硅浓度和从磷酸浓度计90获取的磷酸浓度中的至少任一方没有达到目标值的情况下，在经过规定时间后再次进行步骤S6的处理。另一方面，控制部7在从硅浓度计80获取的硅浓度和从磷酸浓度计90获取的磷酸浓度这两方均达到目标值的情况下，对处理液供给部39进行控制，以使硅浓度和磷酸浓度维持为该目标值的值(步骤S7)。以上为基板液处理(详细地说，是变更作为处理条件的、处理液的浓度和处理液中的硅浓度的处理)。
〔作用效果〕
近年来，提出有各种图案形状的半导体元件。在通过使基板浸在贮存有处理液的处理槽中来进行图案蚀刻的方法中，根据图案形状，有时想要在处理中变更处理参数。例如，在图4所示那样的在通道孔153的侧壁形成有阻隔绝缘膜154的基板8中，在通过蚀刻来继续进行氮化膜152的去除而阻隔绝缘膜154露出的状态下，有时期望使处理液对氧化膜的蚀刻速率下降以免阻隔绝缘膜154被大量去除。即，在浸渍蚀刻工艺中，期望在预期的定时(预先决定的期望的定时)适当地变更处理条件(处理参数)。
关于该点，本实施方式所涉及的基板液处理方法包括以下工序：通过使基板8浸在处理液中来对基板8进行处理；探测使对基板8进行处理的工序的处理条件变更的变换点；以及在探测到变换点的情况下，变更处理条件。像这样，在本实施方式所涉及的基板液处理方法中，在探测到使对基板8进行处理的工序的处理条件变更的变换点的情况下，变更该处理条件。通过预先决定变更处理条件的定时(变换点)并在探测到该变换点的情况下变更处理条件，在浸渍蚀刻工艺中能够在期望的定时变更处理条件(处理参数)。即，根据上述的例子，通过事先将阻隔绝缘膜154露出的定时设定为变换点，能够在阻隔绝缘膜154露出时变更磷酸浓度等处理条件，以使针对氧化膜的蚀刻速率下降。
在上述的探测变换点的工序中，检测作为处理液中包含的含有成分的硅在处理液中的浓度(硅浓度)，基于该硅浓度随时间的变化的斜率来探测变换点。如上述那样，在继续进行蚀刻而通道孔153(详细地说是阻隔绝缘膜154)露出之后，想要降低氧化膜的蚀刻速率以抑制阻隔绝缘膜154被削除。在这样的情况下，通过某种方法探测阻隔绝缘膜154露出的定时来作为变换点是重要的。在此，在阻隔绝缘膜154露出前和露出后，氮化膜152的削除量有较大差异，因此处理液中的硅浓度随时间的变化的斜率会发生变化。着眼于此，通过基于硅浓度随时间的变化的斜率来探测变换点，能够适当地探测进行处理参数的变更的定时(具体地说是阻隔绝缘膜154露出的定时)。
在上述的变更处理条件的工序中，在探测到变换点的情况下，变更处理液的浓度(磷酸浓度)和处理液中包含的含有成分在处理液中的浓度(硅浓度)中的至少任一方。像这样，通过变更磷酸浓度和硅浓度中的至少一方，能够适当地变更作为处理参数的、氧化膜的蚀刻速率。
在上述的变更处理条件的工序中，在探测到变换点的情况下，使处理液的浓度下降。由此，例如在将通道孔153露出时(详细地说是阻隔绝缘膜154露出时)设为变换点的情况下，通过在想要抑制阻隔绝缘膜154被削除的定时使处理液的浓度(磷酸浓度)下降，能够适当地降低处理液对氧化膜的蚀刻速率。
在上述的变更处理条件的工序中，在探测到变换点的情况下，使处理液中包含的含有成分在处理液中的浓度(硅浓度)上升。由此，例如在将通道孔153露出时(详细地说是阻隔绝缘膜154露出时)设为变换点的情况下，通过在想要抑制阻隔绝缘膜154被削除的定时使硅浓度上升，能够适当地降低处理液对氧化膜的蚀刻速率。
在上述的变更处理条件的工序中，变更用于浸渍基板8的处理液的容量。由此，例如通过增加向处理液贮存部38供给的水的供给量来增大处理液的容量，能够适当且简易地降低(变更)处理液的浓度(磷酸浓度)。此外，也可以是，在变更处理条件的工序中，在探测到变换点的情况下，对加热器51进行控制以使处理液的温度下降。由此，能够适当地降低处理液对氧化膜的蚀刻速率。
为了实现上述的基板液处理方法，本实施方式所涉及的基板液处理装置A1是通过使基板8浸在处理液中来对该基板8进行液处理的基板液处理装置，其具备：处理液贮存部38，其贮存处理液；处理液供给部39，其向处理液贮存部38供给处理液；加热器51，其对处理液进行加热；以及控制部7，其中，控制部7构成为执行以下控制：基于与变更针对基板8的处理条件的变换点有关的信息来确定变换点；以及在确定出变换点的情况下，控制处理液供给部39以变更处理条件。像这样，通过预先决定变更处理条件的定时(变换点)并在探测到该变换点的情况下变更处理条件，在浸渍蚀刻工艺中能够在期望的定时变更处理条件(处理参数)。另外，通过对供给处理液的处理液供给部39进行控制，能够容易且可靠地进行处理条件中的处理液的浓度的变更。
上述的基板液处理装置A1具备硅浓度计80，所述硅浓度计80检测处理液中包含的含有成分(硅)在处理液中的浓度(硅浓度)，来作为与变换点有关的所述信息。由此，能够适当且简易地获取用于探测变换点的硅浓度。
控制部7将处理液中包含的含有成分(硅)在处理液中的浓度(硅浓度)随时间的变化的斜率的变化点确定为变换点。由此，能够适当且简易地探测变换点。
[第二实施方式]
对第二实施方式所涉及的基板液处理装置进行说明。下面主要说明与第一实施方式的不同点。如图9的(a)、(b)所示，第二实施方式所涉及的基板液处理装置除了具有上述的基板液处理装置A1的各结构以外，还具有容积可变机构250，该容积可变机构250构成为能够变更处理液贮存部238的容积。
首先，对设置容积可变机构250的目的进行说明。在变更作为处理条件的、处理液的浓度(磷酸浓度)的结构中，例如在使磷酸浓度上升的情况下，认为处理液贮存部238的外槽242中的液面下降，外槽242中的液面变动大，液面超过液面管理幅度。在该情况下，存在无法适当地进行基板液处理的担忧。为了防止这样的状况，例如可以考虑增大外槽容量，但在该情况下，处理液的总容量会增大，处理液消耗量增加成为问题。在第二实施方式所涉及的基板液处理装置中设置有容积可变机构250，该容积可变机构250构成为能够适当地变更处理液贮存部238的容积，详细地说是变更外槽242的容积。通过设置容积可变机构250，能够根据处理液的容量来变更外槽242的容积，从而能够防止外槽242中的液面高度超出管理范围。
容积可变机构250具有伸缩部251、供给管252a、252b、252c、氮气供给源253、阀254、吸引部255以及阀256。伸缩部251例如为使用树脂材料呈波纹状地形成的构件，构成为能够伸缩(膨胀和收缩)。伸缩部251设置于外槽242。伸缩部251构成为，通过供给来自氮气供给源253的氮气而膨胀，并且通过被吸引部255吸引而收缩。在伸缩部251连接有供给管252a，从该供给管252a分别分支出供给管252b、252c。在供给管252b设置有氮气供给源253和阀254。在供给管252c设置有吸引部255和阀256。在容积可变机构250中，通过关闭阀256并且打开阀254来从氮气供给源253向伸缩部251供给氮气，伸缩部251膨胀(参照图9的(b))。另外，在容积可变机构250中，通过关闭阀254并且打开阀256，伸缩部251内被吸引部255吸引，从而伸缩部251收缩(参照图9的(a))。此外，吸引部255可以不是真空机构，是喷射器。这样的容积可变机构250构成为，通过伸缩部251的内部压力变化，伸缩部251能够在外槽242中伸缩(膨胀和收缩)，从而能够适当且简易地变更伸缩部251的容积(即外槽242的容积)。
[第三实施方式]
对第三实施方式所涉及的基板液处理装置进行说明。下面主要说明与上述各实施方式的不同点。如图10的(a)、(b)所示，第三实施方式所涉及的基板液处理装置除了具有上述的基板液处理装置A1的各结构以外，还具有构成为能够变更处理液贮存部338的容积的容积可变机构350。设置容积可变机构350的目的与上述的第二实施方式相同。
容积可变机构350具有空洞部351、供给管352a、352b、352c、阀353、以及阀354。空洞部351为中空构造的构件，设置于外槽342。在供给管352a连接有空洞部351，从该供给管352a分别分支出供给管352b、352c。在供给管352b设置有阀353。在供给管352c设置有阀354。在容积可变机构350中，通过关闭阀354并且关闭阀353(或者设为微正压)，使气体填充到空洞部351中来设为处理液无法进入空洞部351的状态(参照图10的(a))。在该情况下，能够减小外槽342的容积。另外，在容积可变机构350中，通过关闭阀353并且打开阀354来向大气开放，由此设为从空洞部351放出气体来使处理液进入空洞部351的状态(参照图10的(b))。在该情况下，能够增大外槽的容积。在这样的容积可变机构350中，能够通过向空洞部351内填充气体(或者从空洞部351放出气体)这样简易的结构来适当且简易地变更外槽342的容积。
[第四实施方式]
对第四实施方式所涉及的基板液处理装置进行说明。下面主要说明与上述的各实施方式的不同点。图11是第四实施方式所涉及的基板处理装置所包括的气泡产生机构470的示意图，图11的(a)是俯视图，图11的(b)是主视图，图11的(c)是侧视图。如图11的(a)～(c)所示，第四实施方式所涉及的基板液处理装置除了具有上述的基板液处理装置A1的各结构以外，还具有在外槽442内进行鼓泡的气泡产生机构470。气泡产生机构470设为与在第一实施方式中说明的气泡产生机构111相同的结构，但气泡产生机构111设置于处理槽34，而气泡产生机构470设置于外槽442。
首先，对将气泡产生机构470设置于外槽442的目的进行说明。在一般的蚀刻处理装置中，在使基板浸在处理槽的处理液中并利用槽盖(盖)将处理液贮存部的上部关闭了的状态下，进行基板的蚀刻处理。通过使用槽盖，能够提高继续基板液处理工艺时的处理液的温度和浓度的稳定性。另一方面，在利用槽盖的情况下，水不易蒸发，因此在将浓度或温度设为可变的情况下，具体地说是在使浓度上升或使温度下降的情况下，各自的变更时间变长。由此，基板液处理的生产率下降成为问题。鉴于这样的情况，在第四实施方式所涉及的基板液处理装置中，为了在短期间内实现处理液的浓度上升和温度下降，在外槽442设置有气泡产生机构470来作为用于促进蒸发的结构。通过利用气泡产生机构470在外槽442内进行鼓泡，能够增大外槽442中的气液界面(气体与液面接触的部位)，蒸发得到促进，从而能够缩短处理液的浓度上升和温度下降所需的时间。
气泡产生机构470将从氮气供给源(未图示)供给的氮气从供给管471供给至外槽442内。如图11的(a)所示，供给管471沿着外槽442的形状设置，从气体喷嘴喷出氮气以从外槽442的底面侧进行鼓泡。
在此，控制部7可以如图12的(a)、(b)所示那样控制气泡产生机构470，以使气泡产生量根据相对于浓度和温度的目标值的偏离而变化。即，可以是，在使处理液的浓度上升的情况下，控制部7控制气泡产生机构470，以使得相对于浓度的目标值的偏离越大(上升幅度越大)则产生越多的气泡。例如在图12的(a)所示的例子中，控制部7控制气泡产生机构470，以使得：在上升幅度(浓度差)大于3[wt％]的情况下将氮气流量设为3[L/min]，在上升幅度(浓度差)为1.1[wt％]～2.9[wt％]的情况下将氮气流量设为2[L/min]，在上升幅度(浓度差)小于1[wt％]的情况下将氮气流量设为1[L/min]。另外，也可以是，在使处理液的温度下降的情况下，控制部7控制气泡产生机构470，以使得相对于温度的目标值的偏离越大(下降幅度越大)则产生越多的气泡。例如在图12的(b)所示的例子中，控制部7控制气泡产生机构470，以使得：在下降幅度(温度差)大于3[℃]的情况下将氮气流量设为3[L/min]，在下降幅度(温度差)为1.1[℃]～2.9[℃]的情况下将氮气流量设为2[L/min]，在下降幅度(温度差)小于1[℃]的情况下将氮气流量设为1[L/min]。通过像这样进行控制，浓度的上升幅度或温度的下降幅度越大则能够使外槽442中的气液界面越大，从而能够有效地缩短处理液浓度上升或处理液温度下降所需的时间。
[第五实施方式]
对第五实施方式所涉及的基板液处理装置进行说明。下面主要对与上述的各实施方式的不同点进行说明。第五实施方式所涉及的基板液处理装置与第四实施方式所涉及的基板液处理装置同样地具有用于缩短处理液的浓度上升所需的时间的结构。具体地说，在第五实施方式所涉及的基板液处理装置中，通过调节图2所示的设置于通气管路60(排出流路)的阀61B(流量控制阀)的开度，来根据浓度的上升幅度对排出的水蒸气量进行调整。阀61B用于调整从通气管路60排出的水蒸气量。通过调节阀61B(流量控制阀)的开度，来根据浓度的上升幅度对排出的水蒸气量进行调整。即，控制部7在使处理液的浓度上升的情况下，控制阀61B以使得相对于该浓度的目标值的偏离越大则排出越多的水蒸气。在图13所示的例子中，控制部7控制阀61B，以使得：在上升幅度(浓度差)大于3[wt％]的情况下将排出的排气流量(水蒸气量)设为10[L/min]，在上升幅度(浓度差)为1.1[wt％]～2.9[wt％]的情况下将排气流量设为7[L/min]，在上升幅度(浓度差)小于1[wt％]的情况下将排气流量设为4[L/min]。由此，能够实现浓度的上升幅度越大则能够使排出的水蒸气量越多，从而能够有效地缩短处理液浓度上升所需的时间。
[第六实施方式]
对第六实施方式所涉及的基板液处理装置进行说明。下面主要说明与上述的各实施方式的不同点。第六实施方式所涉及的基板液处理装置具有将第三实施方式所涉及的基板液处理装置(参照图10)的结构与第四实施方式所涉及的基板液处理装置(参照图11)的结构组合而成的结构。即，如图14所示，第三实施方式所涉及的基板液处理装置具有构成为能够变更外槽642的容积的容积可变机构650和在外槽642内进行鼓泡的气泡产生机构660。容积可变机构650的结构与第三实施方式的容积可变机构350相同，气泡产生机构660的结构与第四实施方式的气泡产生机构470相同。根据这样的结构，能够同时实现通过变更外槽642的容积进行的液面高度控制以及通过增加外槽642中的气液界面得到的处理时间缩短。
以上对实施方式进行了说明，但本公开不限定于上述实施方式。
例如，也可以在对基板进行处理的工序之后且从贮存处理液的处理槽中搬出基板之后进行变更处理条件的工序。在该情况下，不会对基板处理产生影响，能够适当地变更处理条件。
另外，说明了将硅浓度随时间的变化的斜率的变化点确定为变换点，但确定变换点的方法不限定于此。例如，也可以是，控制部基于与要在基板上形成的图案相应地预先决定的处理时间，将使基板浸在处理液中之后经过了该处理时间的时间点确定为变换点。由此，通过事先设定与图案形状相应的处理时间，能够适当且简易地探测变换点。另外，也可以基于处理液的图像或温度等来进行变换点的确定。另外，说明了处理液贮存部构成为包括外槽和内槽，但处理液贮存部也可以由单个槽(例如只有相当于内槽的槽)或三个以上的槽构成。

Claims (20)

1.一种基板液处理方法，包括以下工序：
通过使基板浸在处理液中来对基板进行处理；
探测使对所述基板进行处理的工序的处理条件变更的变换点；以及
在探测到所述变换点的情况下，变更所述处理条件。
2.根据权利要求1所述的基板液处理方法，其特征在于，
在探测所述变换点的工序中，检测所述处理液中包含的含有成分在所述处理液中的浓度，基于该浓度随时间的变化的斜率来探测所述变换点。
3.根据权利要求1或2所述的基板液处理方法，其特征在于，
在变更所述处理条件的工序中，在探测到所述变换点的情况下，变更所述处理液的浓度和所述处理液中包含的含有成分在所述处理液中的浓度中的至少任一方。
4.根据权利要求3所述的基板液处理方法，其特征在于，
在变更所述处理条件的工序中，在探测到所述变换点的情况下，使所述处理液的浓度下降。
5.根据权利要求3所述的基板液处理方法，其特征在于，
在变更所述处理条件的工序中，在探测到所述变换点的情况下，使所述处理液中包含的含有成分在所述处理液中的浓度上升。
6.根据权利要求3所述的基板液处理方法，其特征在于，
在变更所述处理条件的工序中，变更用于浸渍所述基板的所述处理液的容量。
7.根据权利要求1、2、4～6中的任一项所述的基板液处理方法，其特征在于，
在对所述基板进行处理的工序之后且从贮存所述处理液的处理槽中搬出所述基板之后，进行变更所述处理条件的工序。
8.一种基板液处理装置，通过使基板浸在处理液中来对该基板进行液处理，所述基板液处理装置具备：
处理液贮存部，其贮存处理液；
处理液供给部，其向所述处理液贮存部供给处理液；
加热部，其对所述处理液进行加热；以及
控制部，
其中，所述控制部构成为执行以下控制：
基于与变更针对所述基板的处理条件的变换点有关的信息，来确定所述变换点；以及
在确定出所述变换点的情况下，控制所述处理液供给部和所述加热部以变更所述处理条件。
9.根据权利要求8所述的基板液处理装置，其特征在于，
还具备检测部，所述检测部检测所述处理液中包含的含有成分在所述处理液中的浓度，来作为与变换点有关的所述信息。
10.根据权利要求9所述的基板液处理装置，其特征在于，
所述控制部将所述处理液中包含的含有成分在所述处理液中的浓度随时间的变化的斜率的变化点确定为所述变换点。
11.根据权利要求8～10中的任一项所述的基板液处理装置，其特征在于，
所述控制部基于与要在所述基板上形成的图案相应地预先决定的处理时间，将使所述基板浸在所述处理液中之后经过了所述处理时间的时间点确定为所述变换点。
12.根据权利要求8～10中的任一项所述的基板液处理装置，其特征在于，
还具备容积可变机构，所述容积可变机构设置于所述处理液贮存部，并且构成为能够变更所述处理液贮存部的容积。
13.根据权利要求12所述的基板液处理装置，其特征在于，
所述容积可变机构构成为，能够通过该容积可变机构的内部的压力变化来在所述处理液贮存部内伸缩。
14.根据权利要求12所述的基板液处理装置，其特征在于，
所述容积可变机构为中空构造，通过向该述容积可变机构的内部填充气体来减小所述处理液贮存部的容积，通过从该述容积可变机构的内部放出气体来增大所述处理液贮存部的容积。
15.根据权利要求12所述的基板液处理装置，其特征在于，
还具备气泡产生机构，所述气泡产生机构用于在所述处理液贮存部内进行鼓泡。
16.根据权利要求15所述的基板液处理装置，其特征在于，
所述处理液贮存部具有：内槽，其用于浸渍所述基板；外槽，其接受从所述内槽溢出的所述处理液；以及循环路径，其用于使所述处理液从所述外槽向所述内槽循环，
所述容积可变机构和所述气泡产生机构中的至少任一方设置于所述外槽。
17.根据权利要求16所述的基板液处理装置，其特征在于，
所述气泡产生机构设置于所述外槽，
在使所述处理液的浓度上升的情况下，所述控制部控制所述气泡产生机构，以使得相对于该浓度的目标值的偏离越大则产生越多的气泡，
在使所述处理液的温度下降的情况下，所述控制部控制所述气泡产生机构，以使得相对于该温度的目标值的偏离越大则产生越多的气泡。
18.根据权利要求16或17所述的基板液处理装置，其特征在于，
还具备流量控制阀，所述流量控制阀设置于从所述循环路分支出的排出流路，用于调节从该排出流路排出的水蒸气量。
19.根据权利要求18所述的基板液处理装置，其特征在于，
在使所述处理液的浓度上升的情况下，所述控制部控制所述流量控制阀，以使得相对于该浓度的目标值的偏离越大则排出越多的水蒸气。
20.一种计算机可读取的存储介质，存储有用于进行根据权利要求1～7中的任一项所述的基板液处理方法的基板液处理程序。
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