CN109494175B - 基板液处理装置和存储介质 - Google Patents

基板液处理装置和存储介质 Download PDF

Info

Publication number
CN109494175B
CN109494175B CN201811057819.6A CN201811057819A CN109494175B CN 109494175 B CN109494175 B CN 109494175B CN 201811057819 A CN201811057819 A CN 201811057819A CN 109494175 B CN109494175 B CN 109494175B
Authority
CN
China
Prior art keywords
concentration
liquid
unit
processing
supply
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201811057819.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109494175A (zh
Inventor
河津贵裕
土屋孝文
佐藤秀明
荒竹英将
黑田修
永井高志
原田二郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2018147545A external-priority patent/JP7101075B2/ja
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of CN109494175A publication Critical patent/CN109494175A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109494175B publication Critical patent/CN109494175B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/67086—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67754—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a batch of workpieces

Abstract

本发明提供一种能够恰当地进行处理液的浓度变更的基板液处理装置和存储介质。基板液处理装置(A1)具备：处理液贮存部(38)，其贮存处理液；处理液排出部(41)，其将处理液从处理液贮存部(38)排出；以及控制部(7)，其控制处理液排出部(41)，控制部(7)执行将处理液贮存部(38)的处理液的浓度调整为规定的设定浓度的浓度固定模式中的第一控制以及变更处理液贮存部(38)的处理液的浓度的浓度变更模式中的第二控制，在第二控制中，所述控制部比较浓度变更前的设定浓度与浓度变更后的设定浓度，在浓度变更后的设定浓度比浓度变更前的设定浓度低的情况下，所述控制部控制处理液排出部(41)，以开始处理液的排出。

Description

基板液处理装置和存储介质
技术领域
本公开涉及一种基板液处理装置和存储介质。
背景技术
专利文献1中公开了如下一种基板液处理装置：从处理液的贮存部排出磷酸溶液，并且向处理液的贮存部供给磷酸溶液和水，以使作为半导体的蚀刻处理的处理液的磷酸溶液中的磷酸浓度固定。
专利文献1：日本专利6118739号说明书
发明内容
发明要解决的问题
如上述的那样，在专利文献1所记载的基板液处理装置中，一边将处理液的浓度调整为固定一边进行处理。在此，在基板液处理装置中，有时想要在处理中变更处理液的浓度以确保处理的灵活性。
因此，本公开的目的在于适当地进行处理液的浓度变更。
用于解决问题的方案
本公开所涉及的基板液处理装置具备：贮存部，其贮存处理液；排出部，其从贮存部排出处理液；以及控制部，其控制排出部，其中，控制部执行将贮存部的处理液的浓度调整为规定的设定浓度的浓度固定期间中的第一控制以及贮存部的处理液的浓度被变更的浓度变更期间中的第二控制，在第二控制中，比较浓度变更前的设定浓度和浓度变更后的设定浓度，在浓度变更后的设定浓度比浓度变更前的设定浓度低的情况下，控制排出部以开始处理液的排出。
发明的效果
根据本公开，能够适当地进行处理液的浓度变更。
附图说明
图1为示意性地表示基板液处理系统的俯视图。
图2为基板液处理装置的示意图。
图3为表示控制部的功能性的结构的框图。
图4为表示制程的一例的表。
图5是基板液处理的时序图。
图6为基板液处理的流程图。
图7为表示变形例所涉及的浓度上升促进部的结构的示意图。
图8是表示变形例所涉及的浓度上升促进部的结构的示意图。
图9是表示图8的浓度上升促进部的更具体的结构例的示意图。
图10是表示浓度传感器的具体例的示意图。
图11是例示高浓度处理液的供给过程的流程图。
附图标记说明
A1：基板液处理装置；7：控制部；38：处理液贮存部(贮存部)；39：处理液供给部(浓度上升促进部)；39A：浓度上升促进部；41：处理液排出部(排出部)；80、263、264、265、266：液面传感器；210：处理液补充部；240：加热部；260：浓度传感器；H2：测量对象高度(第一高度)；H3：测量对象高度(第二高度)。
具体实施方式
以下参照附图来详细地说明实施方式。在说明中，对相同要素或具有相同功能的要素标注相同的标记，省略重复的说明。如图1所示，基板液处理系统1A具备承载件搬入搬出部2、基板组形成部3、基板组载置部4、基板组搬送部5、基板组处理部6以及控制部7。
其中，承载件搬入搬出部2进行承载件9的搬入和搬出，该承载件9用于将多张(例如25张)基板(硅晶圆)8以水平姿势上下排列地容纳。在该承载件搬入搬出部2设置有用于载置多个承载件9的承载件台10、用于进行承载件9的输送的承载件输送机构11、用于暂时保管承载件9的承载件存储部12及13、以及用于载置承载件9的承载件载置台14。在此，承载件存储部12用于在利用基板组处理部6对要成为产品的基板8进行处理之前暂时保管该基板8。另外，承载件存储部13用于在利用基板组处理部6对要成为产品的基板8进行处理后暂时保管该基板8。
而且，承载件搬入搬出部2使用承载件输送机构11将从外部搬入到承载件台10的承载件9输送到承载件存储部12、承载件载置台14。另外，承载件搬入搬出部2使用承载件输送机构11将被载置于承载件载置台14的承载件9输送到承载件存储部13、承载件台10。被输送到承载件台10的承载件9被搬出到外部。
基板组形成部3将容纳于一个或多个承载件9的基板8组合来形成包括同时被处理的多张(例如50张)基板8的基板组。此外，在形成基板组时，既可以使基板8的表面上形成有图案的面彼此相向地形成基板组，也可以使基板8的表面上形成有图案的面全部朝向一个方向地形成基板组。在该基板组形成部3设置有用于输送多张基板8的基板输送机构15。此外，基板输送机构15能够在基板8的输送中途使基板8的姿势从水平姿势变更成垂直姿势或者从垂直姿势变更成水平姿势。
而且，基板组形成部3使用基板输送机构15将基板8从载置于承载件载置台14的承载件9输送到基板组载置部4，将形成基板组的基板8载置到基板组载置部4。另外，基板组形成部3利用基板输送机构15将载置于基板组载置部4的基板组向载置于承载件载置台14的承载件9输送。此外，基板输送机构15具有用于支承处理前(利用基板组输送部5输送之前)的基板8的处理前基板支承部和用于支承处理后(利用基板组输送部5输送之后)的基板8的处理后基板支承部这两种基板支承部来作为用于支承多张基板8的基板支承部。由此，防止附着于处理前的基板8等的微粒等转附到处理后的基板8等。
基板组载置部4将要利用基板组输送部5在基板组形成部3与基板组处理部6之间输送的基板组暂时载置(待机)于基板组载置台16。在该基板组载置部4设置有用于载置处理前(利用基板组输送部5输送之前)的基板组的搬入侧基板组载置台17和用于载置处理后(利用基板组输送部5输送之后)的基板组的搬出侧基板组载置台18。1个基板组的多张基板8以垂直姿势前后排列地载置于搬入侧基板组载置台17以及搬出侧基板组载置台18。
而且，在基板组载置部4中，利用基板组形成部3形成的基板组被载置于搬入侧基板组载置台17，经由基板组输送部5向基板组处理部6搬入该基板组。另外，在基板组载置部4中，从基板组处理部6经由基板组输送部5搬出的基板组被载置于搬出侧基板组载置台18，向基板组形成部3输送该基板组。
基板组输送部5在基板组载置部4与基板组处理部6之间、基板组处理部6的内部之间进行基板组的输送。在该基板组输送部5设置有进行基板组的输送的基板组输送机构19。基板组输送机构19包括沿着基板组载置部4和基板组处理部6配置的轨道20以及一边保持多张基板8一边沿着轨道20移动的移动体21。用于保持以垂直姿势前后排列的多张基板8的基板保持体22以进退自如的方式设置于移动体21。
而且，基板组输送部5利用基板组输送机构19的基板保持体22接收被载置于搬入侧基板组载置台17的基板组，将该基板组向基板组处理部6交接。另外，基板组输送部5利用基板组输送机构19的基板保持体22接收利用基板组处理部6处理后的基板组，将该基板组向搬出侧基板组载置台18交接。并且，基板组输送部5使用基板组输送机构19在基板组处理部6的内部进行基板组的输送。
基板组处理部6将以垂直姿势前后排列的多张基板8作为1个基板组进行蚀刻、清洗、干燥等处理。在该基板组处理部6中排列设置有进行基板8的干燥处理的干燥处理装置23、进行基板保持体22的清洗处理的基板保持体清洗处理装置24、进行基板8的清洗处理的清洗处理装置25以及进行基板8的蚀刻处理的两台基于本发明的蚀刻处理装置26。
干燥处理装置23具备处理槽27以及升降自如地设置于处理槽27的基板升降机构28。干燥用的处理气体(IPA(异丙醇)等)被供给到处理槽27。1个基板组的多张基板8以垂直姿势前后排列地保持于基板升降机构28。干燥处理装置23利用基板升降机构28从基板组输送机构19的基板保持体22接收基板组，利用基板升降机构28使该基板组升降，由此利用供给到处理槽27的干燥用的处理气体进行基板8的干燥处理。另外，干燥处理装置23将基板组从基板升降机构28向基板组输送机构19的基板保持体22交接。
基板保持体清洗处理装置24具有处理槽29，使得能够向该处理槽29供给清洗用的处理液和干燥气体，在向基板组输送机构19的基板保持体22供给清洗用的处理液之后，供给干燥气体，由此进行基板保持体22的清洗处理。
清洗处理装置25具有清洗用的处理槽30和冲洗用的处理槽31，基板升降机构32、33以升降自如的方式设置于各处理槽30、31。在清洗用的处理槽30中贮存清洗用的处理液(SC-1等)。在冲洗用的处理槽31中贮存冲洗用的处理液(纯水等)。
蚀刻处理装置26具有蚀刻用的处理槽34和冲洗用的处理槽35，基板升降机构36、37以升降自如的方式设置于各处理槽34、35。在蚀刻用的处理槽34中贮存蚀刻用的处理液(磷酸水溶液)。在冲洗用的处理槽35中贮存冲洗用的处理液(纯水等)。
这些清洗处理装置25和蚀刻处理装置26为同样的结构。对蚀刻处理装置26进行说明，1个基板组的多张基板8以垂直姿势前后排列地保持于基板升降机构36。在蚀刻处理装置26中，利用基板升降机构36从基板组输送机构19的基板保持体22接收基板组，利用基板升降机构36使该基板组升降，由此使基板组浸在处理槽34的蚀刻用的处理液中来进行基板8的蚀刻处理。之后，蚀刻处理装置26将基板组从基板升降机构36交接到基板组输送机构19的基板保持体22。另外，利用基板升降机构37从基板组输送机构19的基板保持体22接收基板组，利用基板升降机构37使该基板组升降，由此使基板组浸在处理槽35的冲洗用的处理液中来进行基板8的冲洗处理。之后，将基板组从基板升降机构37交接到基板组输送机构19的基板保持体22。
控制部7控制基板液处理系统1A的各部(承载件搬入搬出部2、基板组形成部3、基板组载置部4、基板组输送部5、基板组处理部6)的动作。该控制部7例如包括计算机，具备计算机可读取的存储介质138。在存储介质138中保存有对例如在基板液处理系统1A中执行的各种处理进行控制的程序。控制部7通过读出并执行存储介质138中存储的程序来控制基板液处理系统1A的动作。此外，程序既可以是存储于计算机可读取的存储介质138的程序，也可以是从其它存储介质安装到控制部7的存储介质138中的程序。作为计算机可读取的存储介质138，例如存在硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。
〔基板液处理装置〕
接着，参照图2来详细地说明基板液处理系统1A包括的基板液处理装置A1。如图2所示，基板液处理装置A1包括蚀刻处理装置26而构成。
蚀刻处理装置26将规定浓度的药剂(磷酸)的水溶液(例如88.3重量％的磷酸水溶液)用作蚀刻用的处理液来对基板8进行液处理(蚀刻处理)。此外，上述的“88.3重量％”表示将处理液的浓度调整为规定的设定浓度的情况(“浓度固定模式”的情况。在后面详细地叙述)下的磷酸水溶液的浓度的一例，在变更处理液的浓度的情况(“浓度变更模式”的情况。在后面详细地叙述)下，磷酸水溶液的浓度不固定，能够适当地进行变更。如图2所示，蚀刻处理装置26具备处理液贮存部38(贮存部)、处理液供给部39(浓度上升促进部)、处理液循环部40以及处理液排出部41(排出部)。
处理液贮存部38用于贮存处理液并且对基板8进行处理。处理液贮存部38在上部开放的处理槽34的上部周围形成上部开放的外槽42，在处理槽34和外槽42中贮存处理液。处理槽34贮存用于通过利用升降机构36使基板8浸渍在其中来进行液处理的处理液。外槽42贮存从处理槽34溢流出的处理液。外槽42中贮存的处理液通过处理液循环部40供给到处理槽34。在外槽42中设置有液面传感器80。液面传感器80为检测处理液贮存部38的外槽42中的液面高度的传感器。作为液面传感器80，能够使用能够检测液面高度的各种传感器。下面，设为液面传感器80为根据电压值来检测液面高度的传感器来进行说明。液面传感器80向控制部7输出表示检测出的液面高度的信息。
处理液供给部39向处理液贮存部38供给处理液。处理液供给部39具备水溶液供给部43和水供给部44。水溶液供给部43具有水溶液供给源45、流量调整器46、水供给源61以及阀62。
在要将处理液的浓度调整为规定的设定浓度的情况(“浓度固定模式”的情况)下，水溶液供给源45供给浓度比处理液贮存部38中贮存的磷酸水溶液的浓度高的磷酸水溶液。水溶液供给源45例如供给88.3重量％、25℃的磷酸水溶液。从水溶液供给源45供给的磷酸水溶液经由流路43a供给到处理液贮存部38。
流量调整器46设置于流路43a中的水溶液供给源45的下游侧。流量调整器46与控制部7连接，由控制部7进行开闭控制和流量控制。水供给源61对流路43a供给规定温度(25℃)的水(纯水)。从水供给源61供给的水经由流路60a供给到流路43a(详细地说是流路43a中的水溶液供给源45与流量调整器46之间的部分)。
阀62设置于流路60a中的水供给源61的下游侧。阀62与控制部7连接，由控制部7进行开闭控制。在通过控制部7打开阀62的状态(通常状态)下，经由流路60a从水供给源61供给的水流入流路43a，因此从水溶液供给源45供给的磷酸水溶液的浓度变低，向处理液贮存部38供给浓度比在将处理液的浓度调整为规定的设定浓度的情况(“浓度固定模式”的情况)下处理液贮存部38中贮存的磷酸水溶液的浓度低的磷酸水溶液(例如85重量％的磷酸水溶液)。
另一方面，在通过控制部7关闭阀62的状态(浓度上升状态)下，从水供给源61供给的水不流入流路43a，因此从水溶液供给源45供给的高浓度的磷酸水溶液按原样供给到处理液贮存部38。像这样，处理液供给部39的水溶液供给部43向处理液贮存部38供给浓度比处理液贮存部38中贮存的磷酸水溶液的浓度高的磷酸水溶液，由此促进处理液贮存部38中的处理液的浓度上升(在后面详细地叙述)。
水供给部44向处理液贮存部38供给水(纯水)。水供给部44将用于供给规定温度(25℃)的纯水的水供给源47经由流量调整器48来与处理液贮存部38的外槽42连接。流量调整器48与控制部7连接，由控制部7进行开闭控制和流量控制。
处理液循环部40向处理槽34输送外槽42内的处理液。处理液循环部40具备循环流路49、泵50、加热器51、过滤器52以及浓度计53。循环流路49为从处理液贮存部38的外槽42的底部延伸到处理槽34的底部的流路。在循环流路49上，从上游侧(外槽42侧)到下游侧(处理槽34侧)依次设置有泵50、加热器51、过滤器52以及浓度计53。泵50及加热器51与控制部7连接，由控制部7进行驱动控制。泵50从上游侧向下游侧加压输送处理液。加热器51将处理液加热到设定温度(例如165℃)。过滤器52去除混入到处理液中的微粒。浓度计53测量循环流路49中的处理液中的磷酸浓度。浓度计53向控制部7输出测量出的磷酸浓度。
处理液排出部41将处理液从处理槽34内排出。处理液排出部41例如具有排液流路41A和阀41B。排液流路41A导出处理槽34内的处理液。排液流路41A的一端部与处理槽34的底部连接，排液流路41A的另一端部与基板液处理系统1A的排液管(未图示)连接。阀41B设置于排液流路41A。阀41B与控制部7连接，由控制部7进行开闭控制。
接着，参照图3来详细地说明用于控制蚀刻处理装置26的控制部7。控制部7执行将处理液贮存部38的处理液的浓度调整为规定的设定浓度的浓度固定模式(浓度固定期间)中的第一控制以及变更处理液贮存部38的处理液的浓度的浓度变更模式(浓度变更期间)中的第二控制。此外，在以下说明的浓度固定模式和浓度变更模式均为作为处理对象的基板8被浸渍在处理液贮存部38的处理液中来利用处理液对该基板8进行处理的基板处理期间的模式。即，控制部7构成为能够在基板处理期间执行上述第一控制和第二控制。另外，控制部7在基板8没有浸渍在处理液贮存部38的处理液中的间隔期间将处理液贮存部38的处理液的浓度调整为上述浓度固定模式中的规定的设定浓度。
控制部7在第二控制中比较浓度变更前的设定浓度和浓度变更后的设定浓度，在浓度变更后的设定浓度比浓度变更前的设定浓度低的情况下，控制处理液排出部41(详细地说是阀41B)以开始处理液的排出。
具体地说，控制部7在第二控制中，在浓度变更后的设定浓度比浓度变更前的设定浓度低且由液面传感器80检测出的液面高度比规定的液面基准值高的情况下，控制处理液排出部41(详细地说是阀41B)以开始处理液的排出。
另外，控制部7在第二控制中比较浓度变更前的设定浓度和浓度变更后的设定浓度，在浓度变更后的设定浓度比浓度变更前的设定浓度高的情况下，控制处理液供给部39的水溶液供给部43，以促进处理液贮存部38中的处理液的浓度上升。
图3为公开控制部7的功能性的结构的框图。如图3所示，控制部7具备制程存储部71、水溶液调整部72、水调整部73以及排液控制部74来作为功能上的结构(功能模块)。
制程存储部71为存储预先设定的制程(作业指示书)的功能。制程存储部71例如存储有由用户预先设定的制程。控制部7按照制程来进行规定的处理(控制)。图4为表示制程RP的一例的表。如图4所示，制程RP中至少设定有步骤序号、处理模式以及设定浓度。步骤序号为唯一地确定连续地进行的处理中的步骤(阶段)的信息。相互连续的步骤序号(例如“001”和“002”等)表示相互连续的步骤。另外，步骤序号越小的步骤为越先执行的步骤。在图4所示的例子中，按照步骤序号“001”的步骤、“002”的步骤、“003”的步骤、“004”的步骤的顺序来执行处理。
处理模式为表示与处理液贮存部38中的处理液的浓度调整有关的处理的模式的信息。作为基板处理期间的处理模式，设为能够设定“浓度固定模式”和“浓度变更模式”。浓度固定模式为将处理液贮存部38的处理液的浓度调整为规定的设定浓度的模式。浓度变更模式为变更(设为能够变更)处理液贮存部38的处理液的浓度的模式。如图4所示，在制程RP中设定有由步骤序号“001”所示的步骤来作为浓度固定模式，设定有分别由步骤序号“002”、“003”、“004”所示的多个步骤来作为浓度变更模式。设定浓度为对应的步骤中的处理液的浓度的目标值。如图4所示，在多个步骤中分别设定有独立的设定浓度。控制部7进行基于水溶液调整部72、水调整部73以及排液控制部74的各种控制，以使各步骤中的浓度成为该设定浓度。
水溶液调整部72控制水溶液供给部43(详细地说是流量调整器46和阀62)以根据制程存储部71中存储的制程来供给磷酸水溶液。具体地说，水溶液调整部72进行浓度固定模式中的第一控制和浓度变更模式中的第二控制。水溶液调整部72参照制程存储部71中存储的制程，在当前步骤的处理模式为浓度固定模式的情况下进行第一控制，在当前步骤的处理模式为浓度变更模式的情况下进行第二控制。
在第一控制(基于水溶液调整部72进行的第一控制)中，水溶液调整部72控制水溶液供给部43，以向处理液贮存部38供给浓度比处理液贮存部38中贮存的磷酸水溶液低的磷酸水溶液(例如85重量％的磷酸水溶液)。具体地说，水溶液调整部72打开水溶液供给部43的阀62，以使从水供给源61供给的水经由流路60a流入流路43a。由此，在流路43a中流过浓度比处理液贮存部38中贮存的磷酸水溶液低的磷酸水溶液(被经由流路60a流入的水稀释了浓度的磷酸水溶液)。而且，水溶液调整部72基于从浓度计53获取到的处理液中的磷酸浓度的测量值和制程存储部71中存储的制程中的设定浓度，来控制流量调整器46，以使处理液的浓度接近设定浓度。即，水溶液调整部72控制流量调整器46，以从流路43a向处理液贮存部38供给处理液的浓度接近设定浓度的、适当的流量的磷酸水溶液。
在第二控制(基于水溶液调整部72进行的第二控制)中，在满足规定的条件的情况下，水溶液调整部72控制水溶液供给部43，以向处理液贮存部38供给浓度比在浓度固定模式中处理液贮存部38中贮存的磷酸水溶液高的磷酸水溶液(例如93重量％的磷酸水溶液)。在不满足规定的条件的情况下，水溶液调整部72在第二控制中也例如进行与上述的第一控制相同的控制。水溶液调整部72首先参照制程存储部71中存储的制程来比较当前步骤的设定浓度(浓度变更后的设定浓度)与前一个步骤的设定浓度(浓度变更前的设定浓度)，判定当前步骤的设定浓度是否比前一个步骤的设定浓度低。水溶液调整部72在判定为当前步骤的设定浓度不比前一个步骤的设定浓度低(当前步骤的设定浓度为前一个步骤的设定浓度以上)的情况下，从液面传感器80获取处理液贮存部38的外槽42中的处理液的液面高度，判定该液面高度是否为规定的液面基准值(下限控制开始值)以上。该液面基准值(下限控制开始值)被设为比液面下限值高规定的缓冲量的值，该液面下限值是在液面低于该液面下限值的情况下温度调整功能受损的液面高度。例如通过对根据在将基板8收容在处理液贮存部38之前由液面传感器80测量出的电压值导出的液面高度加上与处理液贮存部38中收容的基板8的张数相应的液面上升，来预先导出液面基准值。
水溶液调整部72在判定为液面高度不为液面基准值(下限控制开始值)以上(液面高度比液面基准值低)的情况下，控制水溶液供给部43，以向处理液贮存部38供给浓度比在浓度固定模式下处理液贮存部38中贮存的磷酸水溶液高的磷酸水溶液(例如93重量％的磷酸水溶液)。即，在满足“当前步骤的设定浓度为前一个步骤的设定浓度以上，且液面高度比液面基准值低”这个规定的条件的情况下，水溶液调整部72控制水溶液供给部43，以向处理液贮存部38供给浓度比在浓度固定模式中处理液贮存部38中贮存的磷酸水溶液高的磷酸水溶液。
具体地说，水溶液调整部72关闭水溶液供给部43的阀62，以不使从水供给源61供给的水经由流路60a流入流路43a。由此，在流路43a中流过浓度比在浓度固定模式中处理液贮存部38中贮存的磷酸水溶液高的磷酸水溶液。而且，水溶液调整部72控制流量调整器46，以从流路43a向处理液贮存部38供给规定的流量的磷酸水溶液。水溶液调整部72持续向处理液贮存部38供给高浓度磷酸水溶液，直到从液面传感器80获取的处理液的液面高度为液面基准值(下限控制开始值)以上为止。水溶液调整部72在从液面传感器80获取的处理液的液面高度为液面基准值(下限控制开始值)以上的情况下，判定从浓度计53获取到的处理液中的磷酸浓度是否达到当前步骤的设定浓度，在达到的情况下结束第二控制。水溶液调整部72在处理液中的磷酸浓度达到设定浓度之后例如进行上述的第一控制。
水调整部73控制水供给部44(详细地说是流量调整器48)，以根据制程存储部71中存储的制程来供给水。具体地说，水调整部73进行浓度固定模式中的第一控制和浓度变更模式中的第二控制。水调整部73参照制程存储部71中存储的制程来在当前步骤的处理模式为浓度固定模式的情况下进行第一控制，在当前步骤的处理模式为浓度变更模式的情况下进行第二控制。
在第一控制(基于水调整部73进行的第一控制)中，水调整部73基于从浓度计53获取到的处理液中的磷酸浓度的测量值和制程存储部71中存储的制程中的设定浓度来控制流量调整器48，以使处理液的浓度接近设定浓度。即，水调整部73控制流量调整器48，以向处理液贮存部38供给使处理液的浓度接近设定浓度(磷酸水溶液中的纯水量固定)的、适当的流量的水。
在第二控制(基于水调整部73进行的第二控制)中，水调整部73控制水供给部44，以根据制程存储部71中存储的制程中的设定浓度来改变向处理液贮存部38供给的水量。水调整部73参照制程存储部71中存储的制程来比较当前步骤的设定浓度(浓度变更后的设定浓度)和前一个步骤的设定浓度(浓度变更前的设定浓度)。水调整部73在判定为当前步骤的设定浓度为前一个步骤的设定浓度以上的情况下，控制流量调整器48以使水的供给量减少。水调整部73在当前步骤的设定浓度比前一个步骤的设定浓度低的情况下，控制流量调整器48以增加水的供给量。水调整部73判定从浓度计53获取到的处理液中的磷酸浓度是否达到了当前步骤的设定浓度，在达到的情况下结束第二控制。水调整部73在处理液中的磷酸浓度达到设定浓度后例如进行上述的第一控制。
排液控制部74控制处理液排出部41(详细地说是阀41B)，以根据制程存储部71中存储的制程来将处理液从处理槽34内排出。具体地说，排液控制部74进行浓度固定模式中的第一控制和浓度变更模式中的第二控制。排液控制部74参照制程存储部71中存储的制程，在当前步骤的处理模式为浓度固定模式的情况下进行第一控制，在当前步骤的处理模式为浓度变更模式的情况下进行第二控制。
在第一控制(基于排液控制部74进行的第一控制)中，排液控制部74关闭阀41B，以不进行例如从处理槽34排出处理液。此外，排液控制部74也可以在第一控制中以稍微打开阀41B来进行少量(与第二控制相比为少量)的排液的方式进行控制。
在第二控制(基于排液控制部74进行的第二控制)中，在满足规定的条件的情况下，排液控制部74打开阀41B，以开始从处理槽34排出处理液。此外，“打开阀41B以开始处理液的排出”不仅包括打开完全关闭的状态的阀41B的情况，也包括大幅打开被稍微打开的状态的阀41B的情况(相比于第一控制时增加排液量的情况)。在不满足规定的条件的情况下，排液控制部74在第二控制中也进行例如与上述的第一控制相同的控制。
排液控制部74首先参照制程存储部71中存储的制程来比较当前步骤的设定浓度(浓度变更后的设定浓度)与前一个步骤的设定浓度(浓度变更前的设定浓度)，判定当前步骤的设定浓度是否比前一个步骤的设定浓度低。水溶液调整部72在判定为当前步骤的设定浓度比前一个步骤的设定浓度低的情况下，从液面传感器80获取处理液贮存部38的外槽42中的处理液的液面高度，判定该液面高度是否比规定的液面基准值(上限控制开始值)高。该液面基准值(上限控制开始值)被设为比液面上限值低规定的缓冲量的值，该液面上限值是在液面比该液面上限值高的情况下具有从处理液贮存部38溢出磷酸水溶液的风险的液面高度。
排液控制部74在判定为液面高度比液面基准值(上限控制开始值)高的情况下，控制处理液排出部41以开始处理液的排出。即，在满足“当前步骤的设定浓度比前一个步骤的设定浓度低，且液面高度比液面基准值高”这个规定的条件的情况下，排液控制部74控制处理液排出部41以开始处理液的排出。
具体地说，排液控制部74打开阀41B，以开始从处理槽34排出处理液。由此，能够抑制在要降低浓度的情况下、通过水调整部73的控制增加对处理液贮存部38的水的供给量而处理液贮存部38中的液面上升了的情况下的进一步的液面上升。排液控制部74持续从处理槽34排出处理液，直到从液面传感器80获取的处理液的液面高度为液面基准值(上限控制开始值)以下为止。排液控制部74在从液面传感器80获取的处理液的液面高度为液面基准值(上限控制开始值)以下的情况下，判定从浓度计53获取到的处理液中的磷酸浓度是否达到当前步骤的设定浓度，在达到的情况下结束第二控制。排液控制部74在处理液中的磷酸浓度达到设定浓度之后例如进行上述的第一控制。
〔基板液处理方法〕
接着，参照图5的时序图和图6的流程图来说明基板液处理方法的一例。首先，参照图5的时序图来说明连续的多个步骤的处理情形。在图5中，表示沿着关于连续的多个步骤(分别由步骤序号“001”、“002”、“003”、“004”表示的多个步骤)的时间序列的处理。图5所示的各步骤与图4所示的制程RP的各步骤对应，是作为处理对象的基板8被浸渍在处理液贮存部38的处理液中来利用处理液对该基板8进行处理的基板处理期间的步骤。只有步骤序号“001”所示的步骤为浓度固定模式，由步骤序号“002”、“003”、“004”所示的步骤为浓度变更模式。另外，由步骤序号“001”、“003”所示的步骤的设定浓度为“88.5重量％”，步骤序号“002”、“004”所示的步骤的设定浓度为“86重量％”。此外，以下分别将步骤序号“001”～“004”的步骤表示为步骤001～004。
如图5所示，最初在时刻t0开始步骤001。在作为浓度固定模式的步骤001中，控制部7进行将处理液贮存部38的处理液的浓度调整为固定浓度(88.5重量％)的第一控制。接着，在时刻t1，步骤001结束，步骤002开始。步骤002为浓度变更模式且设定浓度为86重量％。像这样，在作为当前步骤的步骤002的设定浓度比作为前一个步骤的步骤001的设定浓度低的情况下，通过控制部7控制流量调整器48以增加水的供给量，因此在步骤002中，随着时间的经过处理液贮存部38中的液面高度逐渐上升。
然后，当在时刻t2液面高度比液面基准值(上限控制开始值)高时，通过控制部7打开阀41B来开始处理液的排出(排液控制)。持续地进行该排液控制直到在时刻t3液面高度为液面基准值(上限控制开始值)以下为止。即使在结束了一次排液控制的情况下，由于将水的供给量设定得多以达到设定浓度，因此在时刻t4液面高度再次比液面基准值(上限控制开始值)高。在该情况下，再次进行排液控制直到液面高度为液面基准值(上限控制开始值)以下为止。
接着，在时刻t5，液面高度成为液面基准值(上限控制开始值)以下并且步骤002结束且步骤003开始。步骤003为浓度变更模式且设定浓度为88.5重量％。像这样，在作为当前步骤的步骤003的设定浓度比作为前一个步骤的步骤002的设定浓度高的情况下，通过控制部7控制流量调整器48以减少水的供给量，因此在步骤003中，随着时间的经过处理液贮存部38中的液面高度逐渐下降。
然后，当在时刻t6液面高度比液面基准值(下限控制开始值)低时，通过控制部7关闭水溶液供给部43的阀62，向处理液贮存部38供给高浓度的磷酸水溶液(高浓度磷酸供给)。持续进行该高浓度磷酸供给直到在时刻t7液面高度为液面基准值(下限控制开始值)以上为止。
接着，在时刻t8，步骤003结束并且步骤004开始。步骤004为浓度变更模式且设定浓度为86重量％。像这样，在作为当前步骤的步骤004的设定浓度比作为前一个步骤的步骤003的设定浓度低的情况下，通过控制部7控制流量调整器48以增加水的供给量，因此在步骤004中，随着时间的经过处理液贮存部38中的液面高度逐渐上升。然后，当在时刻t9液面高度比液面基准值(上限控制开始值)高时，通过控制部7打开阀41B来开始处理液的排出(排液控制)。持续地进行该排液控制直到在时刻t10液面高度为液面基准值(上限控制开始值)以下为止。即使在结束了一次排液控制的情况下，由于使水的供给量多以达到设定浓度，因此在时刻t11液面高度再次比液面基准值(上限控制开始值)高。在该情况下，再次进行排液控制直到液面高度成为液面基准值(上限控制开始值)以下为止。在时刻t12，液面高度为液面基准值(上限控制开始值)以下，并且步骤004结束。此外，在成为基板处理期间的各步骤结束并且基板8没有浸渍在处理液贮存部38的处理液中的状态的期间(间隔期间)，通过控制部7将处理液贮存部38的处理液的浓度调节为与上述的浓度固定模式中的设定浓度相同的浓度。因而，如果浓度固定模式中的设定浓度存在变更，则进入间隔期间前的浓度固定模式的处理液的浓度与下一个基板处理期间的浓度固定模式中的处理液的浓度彼此不同。
接着，参照图6的流程图来说明一个步骤中的控制部7的处理的详情。如图6所示，最初控制部7(详细地说是水溶液调整部72、水调整部73以及排液控制部74)获取制程存储部71中存储的制程(例如图4所示的制程RP)(步骤S1)，确定当前步骤(步骤S2)。
接着，控制部7判定确定出的当前步骤是否为浓度变更模式(步骤S3)。当在步骤S3中当前步骤不是浓度变更模式的情况下，控制部7进行将处理液的浓度调节为固定的浓度固定模式的第一控制，直到该当前步骤的结束定时为止(步骤S10)。
另一方面，当在步骤S3中当前步骤为浓度变更模式的情况下，控制部7进行第二控制以能够进行处理液的浓度变更。具体地说，控制部7比较当前步骤的设定浓度(浓度变更后的设定浓度)和前一个步骤的设定浓度(浓度变更前的设定浓度)，判定当前步骤的设定浓度是否比前一个步骤的设定浓度低(步骤S4)。
当在步骤S4中判定为当前步骤的设定浓度比前一个步骤的设定浓度低的情况下，控制部7(详细地说是水调整部73)控制流量调整器48以增加对处理液贮存部38的水的供给量，来稀释处理液贮存部38中的处理液的浓度(步骤S5)。并且，控制部7(详细地说是排液控制部74)从液面传感器80获取处理液贮存部38的外槽42中的处理液的液面高度(步骤S6)。
接着，控制部7(详细地说是排液控制部74)判定获取到的液面高度是否为规定的液面基准值(上限控制开始值)以下(步骤S7)。当在步骤S7中判定为液面高度不是规定的液面基准值(上限控制开始值)以下(液面高度比规定的液面基准值(上限控制开始值)高)的情况下，控制部7(详细地说是排液控制部74)开始排液控制(步骤S8)。具体地说，控制部7打开阀41B以开始从处理槽34排出处理液。在步骤S8中进行了规定时间的排液控制之后，控制部7再次执行步骤S7的处理。
另一方面，当在步骤S7中判定为液面高度为规定的液面基准值(上限控制开始值)以下的情况下不进行上述的排液控制，控制部7判定从浓度计53获取到的处理液中的磷酸浓度是否达到当前步骤的设定浓度(步骤S9)。当在步骤S9中判定为处理液中的磷酸浓度没有达到当前步骤的设定浓度的情况下，再次执行步骤S7的处理。另一方面，当在步骤S9中判定为处理液中的磷酸浓度达到当前步骤的设定浓度的情况下，控制部7进行将处理液的浓度调节为固定的浓度固定模式的第一控制，直到该当前步骤的结束定时为止(步骤S10)。
当在步骤S4中判定为当前步骤的设定浓度不比前一个步骤的设定浓度低的情况下，控制部7(详细地说是水调整部73)控制流量调整器48以减少对处理液贮存部38的水的供给量，来提高处理液贮存部38中的处理液的浓度(步骤S13)。在该情况下，控制部7(详细地说是排液控制部74)也可以打开阀41B以开始从处理槽34排出处理液。控制部7(详细地说是水溶液调整部72)从液面传感器80获取处理液贮存部38的外槽42中的处理液的液面高度(步骤S14)。
接着，控制部7(详细地说是水溶液调整部72)判定获取到的液面高度是否为规定的液面基准值(下限控制开始值)以上(步骤S15)。当在步骤S15中判定为液面高度不是规定的液面基准值(下限控制开始值)以上(液面高度比规定的液面基准值(下限控制开始值)低)的情况下，控制部7(详细地说是水溶液调整部72)开始高浓度磷酸供给(步骤S16)。具体地说，控制部7关闭水溶液供给部43的阀62以向处理液贮存部38供给高浓度的磷酸水溶液。在步骤S16中进行了规定时间的高浓度磷酸供给之后，控制部7再次执行步骤S15的处理。
另一方面，当在步骤S15中判定为液面高度为规定的液面基准值(下限控制开始值)以上的情况下不进行上述的高浓度磷酸供给，控制部7判定从浓度计53获取到的处理液中的磷酸浓度是否达到当前步骤的设定浓度(步骤S17)。当在步骤S17中判定为处理液中的磷酸浓度没有达到当前步骤的设定浓度的情况下，再次执行步骤S15的处理。另一方面，当在步骤S17中判定为处理液中的磷酸浓度达到当前步骤的设定浓度的情况下，控制部7进行将处理液的浓度调节为固定的浓度固定模式的第一控制，直到该当前步骤的结束定时为止(步骤S10)。
当步骤S10完成(当前步骤完成)时，控制部7参照制程来判定是否具有下一步骤(步骤S11)。当在步骤S11中判定为具有下一步骤的情况下，控制部7将该下一步骤确定为新的当前步骤(步骤S12)，再次执行步骤S3以后的处理。另一方面，当在步骤S11中判定为没有下一步骤(制程中的所有的步骤已完成)的情况下，一系列的处理结束。
〔作用效果〕
在基板液处理装置中，当变更作为处理液的磷酸水溶液的磷酸浓度时，处理液贮存部中的水量变化使得液面上升或下降。例如，在要使作为处理液的磷酸水溶液的磷酸浓度下降的情况下，对处理液贮存部的水的供给量增加，因此处理液贮存部中的液面上升，存在磷酸水溶液从处理液贮存部溢出的风险。由此，存在不能够适当地进行处理液的浓度变更(详细地说是使浓度下降的情况下的浓度变更)的风险。
关于这方面，基板液处理装置A1具备：处理液贮存部38，其贮存处理液；处理液排出部41，其将处理液从处理液贮存部38排出；以及控制部7，其控制处理液排出部41，其中，控制部7执行将处理液贮存部38的处理液的浓度调整为规定的设定浓度的浓度固定模式中的第一控制以及变更处理液贮存部38的处理液的浓度的浓度变更模式中的第二控制，在第二控制中，比较浓度变更前的设定浓度与浓度变更后的设定浓度，在浓度变更后的设定浓度比浓度变更前的设定浓度低的情况下，控制部7控制处理液排出部41以开始处理液的排出。
根据这样的基板液处理装置A1，在浓度变更模式的第二控制中，在浓度变更后的设定浓度比浓度变更前的设定浓度低的情况下，开始作为处理液的磷酸水溶液的排出。因此，即使在使磷酸浓度下降时增加了对处理液贮存部38的水的供给量的情况下，也能够通过从处理液贮存部38排出磷酸水溶液来抑制处理液贮存部38中的液面上升，从而防止磷酸水溶液从处理液贮存部38溢出。通过以上，根据本实施方式所涉及的基板液处理装置A1，能够适当地进行处理液的浓度变更(详细地说是使浓度下降的情况下的浓度变更)。
基板液处理装置A1还具备对处理液贮存部38中的液面高度进行检测的液面传感器80，控制部7在第二控制中，在浓度变更后的设定浓度比浓度变更前的设定浓度低且由液面传感器80检测出的液面高度比规定的液面基准值高的情况下，控制处理液排出部41以开始处理液的排出。由此，能够基于通过供给用于降低浓度的水使得液面实际变高这一情况，开始处理液的排出。由此，能够以适当的定时开始处理液的排出，从而能够更可靠地防止处理液的溢出。
浓度变更模式也可以包括能够个别地进行设定浓度的设定的多个步骤。由此，针对浓度变更模式的多个步骤中的每个步骤来进行设定浓度的设定，因此能够根据浓度变更模式中的各处理来更细致地设定浓度。
在此，在基板液处理装置中，在要使作为处理液的磷酸水溶液的磷酸浓度上升的情况下，减少对处理液贮存部的水的供给量，使水蒸发。这种为了使浓度上升而使水蒸发的处理耗费时间。由此，具有不能够适当地进行处理液的浓度变更(详细地说是使浓度上升的情况下的浓度变更)的风险。
关于这方面，基板液处理装置A1具备处理液供给部39来作为使处理液贮存部38中的所述处理液的浓度上升得到促进的浓度上升促进部，控制部7执行将处理液贮存部38的处理液的浓度调整为规定的设定浓度的浓度固定模式中的第一控制以及变更处理液贮存部38的处理液的浓度的浓度变更模式中的第二控制，在第二控制中，控制部7比较浓度变更前的设定浓度与浓度变更后的设定浓度，在浓度变更后的设定浓度比浓度变更前的设定浓度高的情况下，控制部7控制处理液供给部39，以使处理液贮存部38中的处理液的浓度上升得到促进。
根据基板液处理装置A1，在浓度变更模式的第二控制中，在浓度变更后的设定浓度比浓度变更前的设定浓度高的情况下，通过作为浓度上升促进部的处理液供给部39促进处理液的浓度上升。由此，相比于单纯地使水蒸发的情况，能够缩短浓度上升所需的时间。通过以上，根据本实施方式所涉及的基板液处理装置A1，能够适当地进行处理液的浓度变更(详细地说是使浓度上升的情况下的浓度变更)。
具体地说，作为浓度上升促进部的处理液供给部39向处理液贮存部38供给浓度比处理液贮存部38中贮存的处理液高的处理液，由此促进处理液贮存部38中的处理液的浓度上升。在使浓度上升的情况下，由于水蒸发使得处理液贮存部38中的液面下降，存在基板液处理装置的温度调节功能(循环温度调节)下降的风险。关于这方面，通过向处理液贮存部38供给浓度高的处理液，能够一边使浓度适当地上升一边抑制液面的下降(即温度调整功能的下降)。
控制部7在处理对象的基板8被浸渍在处理液贮存部38的处理液中来通过处理液进行处理的基板处理期间，执行上述第一控制和第二控制。另外，控制部7在处理液贮存部38的处理液中没有浸渍基板8的间隔期间，将处理液贮存部38的处理液的浓度调节为上述浓度固定模式中的规定的设定浓度。由此，能够在基板处理期间适当地进行处理液的浓度变更，并且在间隔期间也能够适当地进行向规定的设定浓度的浓度调节。
以上对实施方式进行了说明，但本公开不限定为上述实施方式。
例如，说明了处理液供给部39来作为浓度上升促进部的一例，并且说明了通过该处理液供给部39供给高浓度的处理液来促进处理液贮存部38中的处理液的浓度上升的例子，但浓度上升促进部的结构不限定于此。在一般的蚀刻处理装置中，在使基板浸渍在处理槽的处理液中并且处理液贮存部的上部被盖(罩)封闭的状态下，进行基板的蚀刻处理。在蚀刻处理中，从使温度稳定的观点出发，通常需要关闭罩。一般来说，该罩通常被关闭，只在将基板向处理液中浸渍时被打开。关于这方面，例如，如图7所示，通过即使在不是处理中的处理之间的间隔期间也打开罩150，相比于关闭罩150的情况能够提高水的蒸发量。由此，能够促进处理液的浓度上升，更适当地进行处理液的浓度变更(详细地说是使浓度上升的情况下的浓度变更)。
另外，在上述的实施方式中，作为浓度上升促进部所涉及的结构，说明了如下结构：通过切换水溶液供给部43的阀62的开闭，不仅能够容易向处理液贮存部38供给通常浓度的磷酸水溶液，也能够容易地供给高浓度的磷酸水溶液，但供给高浓度的磷酸水溶液的结构不限定于此。例如，如图8所示，也可以采用如下结构：在处理液贮存部38的外部具备贮存高浓度的磷酸水溶液的高浓度处理液贮存部170，从该高浓度处理液贮存部170经由流路160向处理液贮存部38供给浓度被提高的处理液。在采用这样的结构的情况下，也能够一边适当地供给高浓度的磷酸水溶液来使浓度适当地上升一边抑制液面的下降(即温度调整功能的下降)。此外，图8所示的高浓度处理液贮存部170也可以构成为通过对供给的磷酸水溶液进行加热来始终将该磷酸水溶液维持为高温。由此，向处理液贮存部38供给高温且高浓度的磷酸水溶液，由此能够缩短处理液的加热时间。此外，在上述的实施方式中，将处理液排出部41设置于处理液贮存部38，但处理液排出部不限于此，也可以设置成从处理液循环部40分支出来。另外，处理液贮存部38包括处理槽34和外槽42，但处理液贮存部的结构不限定于此。例如，也可以为使处理液供给部、水供给部及排出部与处理槽34连接来作为处理液供给部、不设置外槽的结构。
〔具备高浓度处理液贮存部的结构的具体例〕
在此，更详细地说明具有上述高浓度处理液贮存部170的浓度上升促进部的结构。图9所示的浓度上升促进部39A向收容处理液和作为向处理液中浸渍的浸渍对象的基板的液处理部(例如上述处理液贮存部38)供给高浓度的处理液。例如，浓度上升促进部39A具备高浓度处理液贮存部170、处理液补充部210、稀释液补充部220、气体供给部230、加热部240、处理液供给部250以及浓度传感器260。
如上述的那样，高浓度处理液贮存部170(供给液贮存部)贮存用于向处理液贮存部38供给的处理液。高浓度处理液贮存部170设置于与处理液贮存部38分离的位置。
处理液补充部210向高浓度处理液贮存部170补充处理液(例如上述磷酸水溶液)。例如处理液补充部210具有处理液供给源211和阀212。处理液供给源211例如具有补充用的处理液的罐(未图示)和从罐向高浓度处理液贮存部170加压输送处理液的泵(未图示)。阀212按照控制指令来对从处理液供给源211向高浓度处理液贮存部170输送的处理液的流路进行开闭。
稀释液补充部220向高浓度处理液贮存部170补充浓度比处理液补充部210向高浓度处理液贮存部170补充的处理液的浓度低的稀释液(例如纯水、去离子水等)。浓度比处理液的浓度低是指对该处理液作为目的的处理内容有用的成分的浓度低。例如稀释液补充部220具有稀释液供给源221和阀222。稀释液供给源221例如具有补充用的稀释液的罐(未图示)和从罐向高浓度处理液贮存部170加压输送稀释液的泵(未图示)。阀222按照控制指令来对从稀释液供给源221向高浓度处理液贮存部170输送的稀释液的流路进行开闭。
气体供给部230向高浓度处理液贮存部170的下部的处理液中供给水分蒸发促进用的非活性气体(例如氮气体)。当气体供给部230供给非活性气体时，在处理液中产生气泡，由此增大处理液与气体的接触面积。因此，处理液中的水分的蒸发得到促进。例如气体供给部230具有气体供给源231和阀232。气体供给源231例如具有压缩后的非活性气体的罐(未图示)。阀232按照控制指令来对从气体供给源231向高浓度处理液贮存部170输送的非活性气体的流路进行开闭。
加热部240对高浓度处理液贮存部170的处理液进行加热。加热部240也可以构成为对从高浓度处理液贮存部170的下部导出的处理液进行加热并使该处理液返回到高浓度处理液贮存部170的上部。例如加热部240具有流路245、泵241、过滤器242以及加热器243。流路245从高浓度处理液贮存部170的下部导出处理液并且将该处理液导至高浓度处理液贮存部170的上部。泵241、过滤器242和加热器243设置于流路245。泵241将处理液从高浓度处理液贮存部170的下部侧加压输送到上部侧。过滤器242去除处理液中的异物等。加热器243加热处理液。
处理液供给部250从高浓度处理液贮存部170向处理液贮存部38供给处理液。例如处理液供给部250具有流路252和阀251、253。流路252在比泵241、过滤器242及加热器243靠下游侧(高浓度处理液贮存部170的上部侧)的位置从流路245分支出来，将处理液从流路245导至处理液贮存部38。阀251按照控制指令来对流路252进行开闭。阀253在流路252与高浓度处理液贮存部170的上部之间对流路245进行开闭。在阀251关闭流路252、上述阀253打开流路245的状态下，泵241加压输送的处理液从高浓度处理液贮存部170的下部回流到上部。以下将该状态称作“循环状态”。另一方面，在阀251打开流路252、阀253关闭流路245的状态下，泵241加压输送的处理液被供给到处理液贮存部38。以下将该状态称作“供给状态”。
浓度传感器260检测与高浓度处理液贮存部170的处理液的浓度有关的信息。浓度传感器260也可以检测与高浓度处理液贮存部170的处理液的液面高度有关的信息来作为与处理液的浓度有关的信息。例如，处理液的液面高度根据由处理液补充部210进行的处理液的补充、由稀释液补充部220进行的稀释液的补充、处理液中的水分的挥发以及从高浓度处理液贮存部170向处理液贮存部38的处理液的供给而发生变动。因此，在停止由处理液补充部210进行的处理液的补充、维持上述循环状态的状态下，处理液的液面下降的主要原因是水分挥发，因此处理液的液面的下降与处理液的浓度上升相关。同样地，在停止由处理液补充部210进行的处理液的补充、维持上述循环状态的状态下，处理液的液面上升的主要原因是稀释液补充，因此处理液的液面的上升与处理液的浓度下降相关。像这样，在停止由处理液补充部210进行的处理液的补充、维持上述循环状态的状态下，处理液的液面高度能够为与处理液的浓度有关的信息。
如图10所示，例如浓度传感器260具有控制用传感器261和监视用传感器262。控制用传感器261为对处理液补充部210、稀释液补充部220和处理液供给部250等的控制用的信息进行检测的传感器。监视用传感器262为用于对高浓度处理液贮存部170的处理液的浓度进行监视/记录的传感器。
控制用传感器261具有分别对彼此高度不同的多个测量对象高度与处理液的液面之间的上下关系进行检测的多个液面传感器。例如控制用传感器261具有分别对彼此高度不同的四个测量对象高度H1、H2、H3、H4与处理液的液面之间的上下关系进行检测的四个液面传感器263、264、265、266。测量对象高度H1为在高浓度处理液贮存部170中容许的液面高度上限值。测量对象高度H2(第一高度)为在由处理液补充部210进行的处理液的补充中被设为液面高度的目标的高度。测量对象高度H3(第二高度)为在处理液的浓缩过程中被设为液面高度的目标的高度。测量对象高度H4为在高浓度处理液贮存部170中容许的液面高度下限值。
液面传感器263、264、265、266例如基于用于将测量用的非活性气体(例如氮气体)供给到测量对象高度H1、H2、H3、H4的压力来分别检测测量对象高度H1、H2、H3、H4与处理液的液面之间的上下关系。例如，关于各个测量对象高度H1、H2、H3、H4，预先在液面比测量对象高度靠上的情况下的压力与液面比测量对象高度靠下的情况下的压力之间设定阈值，由此能够基于该压力是否高于该阈值来检测该测量对象高度与液面之间的上下关系。此外，上述的液面传感器263、264、265、266的结构只是一例。液面传感器263、264、265、266只要能够检测测量对象高度H1、H2、H3、H4与处理液的液面之间的上下关系，则可以为任意的结构。例如液面传感器263、264、265、266也可以为静电容量式的液面传感器。
监视用传感器262例如基于用于向高浓度处理液贮存部170的下部的处理液中供给测量用的非活性气体(例如氮气体)的压力(以下简称为“供给压力”。)来导出液面高度的估计值。在此，供给压力也可能根据除处理液的液面高度以外的原因而发生变动。作为其它原因的具体例，能够列举出处理液的沸腾水平。因此，监视用传感器262也可以还包括减轻沸腾水平的影响来使液面高度的检测精度提高的结构。在液面高度的变动小的状况下，能够基于测量用的非活性气体的供给压力来检测沸腾水平。因此，能够在液面高度不会大幅变动的期间，基于供给压力来检测沸腾水平，使用该检测结果来减轻沸腾水平的影响。另外，沸腾水平与处理液的浓度具有相关性，因此也能够根据沸腾水平的检测值来计算处理液的浓度。此外，由于沸腾水平的不同导致的供给压力的变动范围与由于液面高度的变动导致的供给压力的变动范围不同，因此也可以将供给压力的测量系统划分为液面高度的变动检测用测量系统和沸腾水平的变动检测用测量系统，来独立地调节各个测量范围。
此外，上述的浓度传感器260的结构只是一例。浓度传感器260只要能够检测与处理液的浓度有关的信息，则可以为任意的结构。例如浓度传感器260也可以不具有监视用传感器262。另外，浓度传感器260也可以为不依赖于处理液的液面高度地检测处理液的浓度的传感器。作为不依赖于处理液的液面高度地检测处理液的浓度的传感器的具体例，例如能够列举出超声波或光学式的浓度传感器等。
以上例示的浓度上升促进部39A例如能够由控制部7进行控制。例如，控制部7还执行如下的第三控制：将高浓度处理液贮存部170的处理液的浓度调整为比处理液贮存部38的处理液的浓度高的供给浓度。例如控制部7还具有供给前浓度调节部75。供给前浓度调节部75在第三控制中执行：控制处理液补充部210，以向高浓度处理液贮存部170补充处理液；控制处理液补充部210，以从高浓度处理液贮存部170向处理液贮存部38供给处理液；以及控制处理液供给部250，以禁止从高浓度处理液贮存部170向处理液贮存部38供给处理液，直到高浓度处理液贮存部170的处理液的浓度达到比由处理液补充部210补充的处理液的浓度高的供给浓度为止。
例如供给前浓度调节部75包括处理液补充控制部76、加热控制部79、供给控制部78以及稀释液补充控制部77。处理液补充控制部76控制处理液补充部210，以向高浓度处理液贮存部170补充处理液。例如供给前浓度调节部75控制处理液补充部210，以在处理液没有进入高浓度处理液贮存部170的状态下开始处理液的补充，在处理液的液面高度达到测量对象高度H2时停止处理液的补充。更具体地说，供给前浓度调节部75控制处理液补充部210，以在处理液没有进入高浓度处理液贮存部170的状态下打开阀212。之后供给前浓度调节部75从液面传感器264重复获取表示处理液的液面高度是否达到测量对象高度H2的信息，并且在判定为液面高度达到测量对象高度H2时，控制处理液补充部210以关闭阀212。
加热控制部79控制加热部240，以对由处理液补充部210补充到高浓度处理液贮存部170的处理液进行加热。例如加热控制部79控制加热部240，以利用泵241将从高浓度处理液贮存部170的下部导出的液体加压输送到加热器243。
供给控制部78控制处理液供给部250，以从高浓度处理液贮存部170向处理液贮存部38供给处理液。例如在上述第二控制的执行中要促进处理液贮存部38的处理液的浓度上升时，供给控制部78控制处理液供给部250，以将上述循环状态(上述阀253打开且上述阀251关闭的状态)切换为上述供给状态(上述阀253关闭且上述阀251打开的状态)。
但是，供给控制部78控制处理液供给部250，以禁止从高浓度处理液贮存部170向处理液贮存部38供给处理液，直到高浓度处理液贮存部170的处理液的浓度达到比由处理液补充部210补充的处理液的浓度高的供给浓度为止。例如供给控制部78控制处理液供给部250，以禁止从上述循环状态切换为上述供给状态，直到达到测量对象高度H2的高浓度处理液贮存部170的处理液的液面下降到测量对象高度H3为止。
在高浓度处理液贮存部170的处理液的浓度达到上述供给浓度之后、处理液的浓度发生了进一步的上升时，稀释液补充控制部77控制稀释液补充部220，以向高浓度处理液贮存部170补充使该浓度接近上述供给浓度的量的稀释液。例如，在达到测量对象高度H2的处理液的液面下降到测量对象高度H3之后、该液面发生了进一步的下降时，稀释液补充控制部77控制稀释液补充部220，以向高浓度处理液贮存部170补充使该液面接近测量对象高度H3的量的稀释液。更具体地说，稀释液补充控制部77控制稀释液补充部220，以打开阀222直到处理液的液面达到测量对象高度H3为止。
接着，更详细地例示具有供给前浓度调节部75的控制部7执行的控制过程。如图11所示，控制部7首先执行步骤S21、S22、S23。在步骤S21中，处理液补充控制部76控制处理液补充部210，以在处理液没有进入高浓度处理液贮存部170的状态下开始处理液的补充。在步骤S22中，处理液补充控制部76使由处理液补充部210进行的处理液的补充持续进行，直到液面传感器264检测到处理液的液面高度达到测量对象高度H2为止。在步骤S23中，处理液补充控制部76控制处理液补充部210，以停止处理液的补充。
接着，控制部7执行步骤S24、S25、S26、S27。在步骤S24中，供给控制部78禁止由处理液供给部250进行的从上述循环状态向上述供给状态的切换。之后，通过处理液供给部250维持上述循环状态，直到允许从上述循环状态向上述供给状态的切换为止。在步骤S25中，加热控制部79控制加热部240，以开始由泵241进行的处理液的加压输送，并且开始处理液的加热。在步骤S26中，供给控制部78维持禁止从循环状态向供给状态的切换，直到液面传感器265检测到处理液的液面高度下降到测量对象高度H3为止。在步骤S27中，供给控制部78允许从循环状态向供给状态的切换。之后，能够根据需要将循环状态切换为供给状态。
接着，控制部7执行步骤S28。在步骤S28中，供给控制部78确认是否需要从高浓度处理液贮存部170向处理液贮存部38供给处理液(例如是否需要在上述第二控制的执行中促进处理液贮存部38的处理液的浓度上升)。
当在步骤S28中判定为不需要从高浓度处理液贮存部170向处理液贮存部38供给处理液的情况下，控制部7执行步骤S29。在步骤S29中，稀释液补充控制部77确认是否由液面传感器265检测到从测量对象高度H3的进一步的液面下降。当在步骤S29中判定为没有检测到从测量对象高度H3的进一步的液面下降的情况下，控制部7使处理返回步骤S28。
当在步骤S29中判定为检测到从测量对象高度H3的进一步的液面下降的情况下，控制部7执行步骤S31、S32、S33。在步骤S31中，稀释液补充控制部77控制稀释液补充部220，以打开阀222来开始向高浓度处理液贮存部170补充稀释液。在步骤S32中，稀释液补充控制部77使由稀释液补充部220进行的稀释液的补充持续进行，直到由液面传感器265检测到液面恢复为测量对象高度H3为止。在步骤S33中，稀释液补充控制部77控制稀释液补充部220，以停止稀释液的补充。之后，控制部7使处理返回步骤S28。之后，一边根据需要补充稀释液一边重复确认是否需要从高浓度处理液贮存部170向处理液贮存部38供给处理液。
当在步骤S28中判定为需要从高浓度处理液贮存部170向处理液贮存部38供给处理液的情况下，控制部7执行步骤S34、S35。在步骤S34中，供给控制部78控制处理液供给部250，以将上述循环状态切换为上述供给状态，来从高浓度处理液贮存部170向处理液贮存部38供给处理液。在步骤S35中，控制加热部240，以停止由泵241进行的处理液的加压输送，并且停止处理液的加热。通过以上，用于从高浓度处理液贮存部170向处理液贮存部38供给处理液的控制过程完成。此外，步骤S34和步骤S35也可以不按该顺序进行，也可以调换顺序。
以上所例示的结构具备：高浓度处理液贮存部170，其贮存用于向处理液贮存部38供给的处理液；处理液补充部210，其向高浓度处理液贮存部170补充处理液；加热部240，其对高浓度处理液贮存部170的处理液进行加热；以及处理液供给部250，其从高浓度处理液贮存部170向处理液贮存部38供给处理液。
根据该结构，在向处理液贮存部38供给处理液的供给定时之前，预先在高浓度处理液贮存部170中提高处理液的浓度，由此能够在上述供给定时迅速地向处理液贮存部38供给高浓度的处理液。另外，根据通过加热来促进高浓度处理液贮存部170中的处理液的浓度上升的结构，能够向处理液贮存部38供给加热完毕的处理液，因此能够缩短处理液贮存部38中的处理液的加热时间。因而，对于处理液贮存部38中的处理液的浓度调节的迅速化有效。
浓度上升促进部39A也可以还具备用于对与高浓度处理液贮存部170的处理液的浓度有关的信息进行检测的浓度传感器260。在该情况下，能够在上述供给定时之前以更高的精度执行处理液的浓度调节。因而，对于处理液贮存部38中的处理液的浓度调节的进一步的迅速化有效。
浓度传感器260也可以对与高浓度处理液贮存部170的处理液的液面高度有关的信息进行检测，来作为与处理液的浓度有关的信息。在该情况下，相比于测量浓度本身的传感器，能够使浓度传感器260的结构简易化。
浓度传感器260也可以具有分别对彼此高度不同的多个测量对象高度与液面之间的上下关系进行检测的多个液面传感器263、264、265、266。在该情况下，能够使浓度传感器260的结构更简易化。另外，能够二值化地判定不同的多个测量对象高度与液面之间的上下关系，因此不易受到噪声等测量误差原因的影响。因此，对测量对象高度与液面的上下关系进行检测的结构对与浓度有关的信息的可靠性提高也有效。
浓度上升促进部39A也可以还具备向高浓度处理液贮存部170补充浓度比高浓度处理液贮存部170向处理液贮存部38补充的处理液的浓度低的稀释液的稀释液补充部220。在该情况下，能够将处理液的浓度容易地维持为适当的高度。
加热部240也可以构成为对从高浓度处理液贮存部170的下部导出的处理液进行加热并使该处理液返回到高浓度处理液贮存部170的上部。在该情况下，通过使高浓度处理液贮存部170内的处理液的温度的均匀性提高，能够抑制浓度上升的不均。
控制部7也可以构成为执行以下内容：控制处理液补充部210，以向高浓度处理液贮存部170补充处理液；控制处理液供给部250，以从高浓度处理液贮存部170向处理液贮存部38供给处理液；以及控制处理液供给部250，以禁止从高浓度处理液贮存部170向处理液贮存部38供给处理液，直到高浓度处理液贮存部170的处理液的浓度达到比由处理液补充部210补充的处理液的浓度高的供给浓度为止。在该情况下，能够在上述供给定时之前自动地执行处理液的浓度的调节。
控制部7也可以在控制处理液补充部210以补充处理液直到高浓度处理液贮存部170的处理液的液面达到测量对象高度H2为止之后，控制处理液供给部250，以禁止从高浓度处理液贮存部170向处理液贮存部38供给处理液，直到高浓度处理液贮存部170的处理液的液面下降到测量对象高度H3为止。在该情况下，在基于液面高度的浓度调节中，大概维持液面高度与浓度的相关性。因此，能够高可靠性地进行基于液面高度的简单的浓度调节。
控制部7也可以构成为还执行：控制稀释液补充部220，以向高浓度处理液贮存部170补充使高浓度处理液贮存部170的处理液的浓度接近上述供给浓度的量的稀释液。在该情况下，能够自动地持续处理液的浓度的维持。
此外，上述的具体例包括以下的结构。
(附记1)
一种基板液处理装置，具备：
液处理部，其收容处理液和作为向处理液浸渍的浸渍对象的基板；
供给液贮存部，其贮存用于向所述液处理部供给的所述处理液；
处理液补充部，其向所述供给液贮存部补充所述处理液；
加热部，其对所述供给液贮存部的所述处理液进行加热；以及
处理液供给部，其将所述处理液从所述供给液贮存部向所述液处理部供给。
(附记2)
根据附记1所述的基板液处理装置，还具备浓度传感器，所述浓度传感器对与所述供给液贮存部的所述处理液的浓度有关的信息进行检测。
(附记3)
根据附记2所述的基板液处理装置，所述浓度传感器对与所述供给液贮存部的所述处理液的液面高度有关的信息进行检测，来作为与所述处理液的浓度有关的信息。
(附记4)
根据附记3所述的基板液处理装置，所述浓度传感器具有分别对彼此高度不同的多个测量对象高度与液面之间的上下关系进行检测的多个液面传感器。
(附记5)
根据附记1～4中的任一项所述的基板液处理装置，还具备稀释液补充部，所述稀释液补充部向所述供给液贮存部补充浓度比所述处理液补充部向所述供给液贮存部补充的所述处理液的浓度低的稀释液。
(附记6)
根据附记1～4中的任一项所述的基板液处理装置，所述加热部构成为对从所述供给液贮存部的下部导出的所述处理液进行加热并且使所述处理液返回到所述供给液贮存部的上部。
(附记7)
根据附记1～6中的任一项所述的基板液处理装置，还具备控制部，所述控制部构成为执行如下内容：
控制所述处理液补充部，以向所述供给液贮存部补充所述处理液；
控制所述处理液供给部，以从所述供给液贮存部向所述液处理部供给所述处理液；以及
控制所述处理液供给部，以禁止从所述供给液贮存部向所述液处理部供给所述处理液，直到所述供给液贮存部的所述处理液的浓度达到比由所述处理液补充部补充的所述处理液的浓度高的供给浓度为止。
(附记8)
根据附记4所述的基板液处理装置，还具备控制部，所述控制部构成为执行如下内容：
控制所述处理液补充部，以向所述供给液贮存部补充所述处理液；
控制所述处理液供给部，以从所述供给液贮存部向所述液处理部供给所述处理液；以及
控制所述处理液供给部，以禁止从所述供给液贮存部向所述液处理部供给所述处理液，直到所述供给液贮存部的所述处理液的浓度达到比由所述处理液补充部补充的所述处理液的浓度高的供给浓度为止，
所述多个测量对象高度包括第一高度和比第一高度低的第二高度，
所述控制部在控制所述处理液补充部以补充所述处理液直到所述供给液贮存部的所述处理液的液面达到所述第一高度为止之后，控制所述处理液供给部以禁止从所述供给液贮存部向所述液处理部供给所述处理液，直到所述供给液贮存部的所述处理液的液面下降到所述第二高度为止。
(附记9)
根据附记5所述的基板液处理装置，还具备控制部，所述控制部构成为执行如下内容：
控制所述处理液补充部，以向所述供给液贮存部补充所述处理液；
控制所述处理液供给部，以从所述供给液贮存部向所述液处理部供给所述处理液；
控制所述处理液供给部，以禁止从所述供给液贮存部向所述液处理部供给所述处理液，直到所述供给液贮存部的所述处理液的浓度达到比由所述处理液补充部补充的所述处理液的浓度高的供给浓度为止；以及
控制所述稀释液补充部，以向所述供给液贮存部补充使所述供给液贮存部的所述处理液的浓度接近所述供给浓度的量的所述稀释液。

Claims (8)

1.一种基板液处理装置，具备：
贮存部，其贮存处理液；
排出部，其将所述处理液从所述贮存部排出；以及
控制部，其控制所述排出部，
其中，所述控制部执行将所述贮存部的所述处理液的浓度调整为规定的设定浓度的浓度固定期间中的第一控制以及变更所述贮存部的所述处理液的浓度的浓度变更期间中的第二控制，
在所述第二控制中，所述控制部比较浓度变更前的设定浓度与浓度变更后的设定浓度，在所述浓度变更后的设定浓度比所述浓度变更前的设定浓度低的情况下，所述控制部控制所述排出部，以开始所述处理液的排出，
所述基板液处理装置还具备液面传感器，所述液面传感器检测所述贮存部中的液面高度，
在所述第二控制中，在所述浓度变更后的设定浓度比所述浓度变更前的设定浓度低的情况下，增加对所述贮存部的水的供给量，并且在由所述液面传感器检测出的液面高度比规定的液面基准值高的情况下，所述控制部控制所述排出部，以开始所述处理液的排出。
2.一种基板液处理装置，具备
贮存部，其贮存处理液；
浓度上升促进部，其促进所述贮存部中的所述处理液的浓度上升；以及
控制部，其控制所述浓度上升促进部，
其中，所述控制部执行将所述贮存部的所述处理液的浓度调整为规定的设定浓度的浓度固定期间中的第一控制以及变更所述贮存部的所述处理液的浓度的浓度变更期间中的第二控制，
在所述第二控制中，所述控制部比较浓度变更前的设定浓度与浓度变更后的设定浓度，在所述浓度变更后的设定浓度比所述浓度变更前的设定浓度高的情况下，所述控制部控制所述浓度上升促进部，以促进所述贮存部中的所述处理液的浓度上升，
所述浓度上升促进部向所述贮存部供给浓度比所述贮存部中贮存的所述处理液的浓度高的所述处理液，由此促进所述贮存部中的所述处理液的浓度上升，
所述浓度上升促进部具有：
供给液贮存部，其贮存用于向所述贮存部供给的所述处理液；
处理液补充部，其向所述供给液贮存部补充所述处理液；
加热部，其对所述供给液贮存部的所述处理液进行加热；以及
处理液供给部，其将所述处理液从所述供给液贮存部向所述贮存部供给，
所述浓度上升促进部还具有浓度传感器，所述浓度传感器对与所述供给液贮存部的所述处理液的浓度有关的信息进行检测，
所述浓度传感器具有多个液面传感器，所述多个液面传感器分别用于对彼此高度不同的多个测量对象高度与液面之间的上下关系进行检测。
3.根据权利要求1或2所述的基板液处理装置，其特征在于，
在所述浓度变更期间包括多个步骤，所述多个步骤中的每个步骤能够进行设定浓度的设定。
4.根据权利要求1或2所述的基板液处理装置，其特征在于，
所述控制部在作为处理对象的基板浸渍在所述贮存部的所述处理液中来利用所述处理液对所述基板进行处理的基板处理期间执行所述第一控制和所述第二控制。
5.根据权利要求4所述的基板液处理装置，其特征在于，
所述控制部构成为还执行如下内容：在所述基板没有浸渍在所述贮存部的所述处理液中的间隔期间，将所述贮存部的所述处理液的浓度调节为所述浓度固定期间中的所述规定的设定浓度。
6.根据权利要求2所述的基板液处理装置，其特征在于，
所述控制部还执行将所述供给液贮存部的所述处理液的浓度调整为比所述贮存部的所述处理液的浓度高的供给浓度的第三控制，
在所述第三控制中，执行如下内容：
控制所述处理液补充部，以向所述供给液贮存部补充所述处理液；
控制所述处理液供给部，以从所述供给液贮存部向所述贮存部供给所述处理液；以及
控制所述处理液供给部，以禁止从所述供给液贮存部向所述贮存部供给所述处理液，直到所述供给液贮存部的所述处理液的浓度达到比由所述处理液补充部补充的所述处理液的浓度高的供给浓度为止。
7.根据权利要求2所述的基板液处理装置，其特征在于，
所述多个测量对象高度包括第一高度和比第一高度低的第二高度，
所述控制部还执行将所述供给液贮存部的所述处理液的浓度调整为比所述贮存部的所述处理液的浓度高的供给浓度的第三控制，
在所述第三控制中，执行如下内容：
控制所述处理液补充部，以向所述供给液贮存部补充所述处理液，直到所述供给液贮存部的所述处理液的液面达到所述第一高度为止；
控制所述处理液供给部，以从所述供给液贮存部向所述贮存部供给所述处理液；以及
控制所述处理液供给部，以禁止从所述供给液贮存部向所述贮存部供给所述处理液，直到达到了所述第一高度的所述供给液贮存部的所述处理液的液面下降到所述第二高度为止。
8.一种计算机可读取的存储介质，所述存储介质存储有用于进行根据权利要求1～7中的任一项所述的基板液处理装置中的控制的基板液处理程序。
CN201811057819.6A 2017-09-11 2018-09-11 基板液处理装置和存储介质 Active CN109494175B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017-173864 2017-09-11
JP2017173864 2017-09-11
JP2018147545A JP7101075B2 (ja) 2017-09-11 2018-08-06 基板液処理装置及び記憶媒体
JP2018-147545 2018-08-06

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109494175A CN109494175A (zh) 2019-03-19
CN109494175B true CN109494175B (zh) 2024-04-16

Family

ID=65631508

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811057819.6A Active CN109494175B (zh) 2017-09-11 2018-09-11 基板液处理装置和存储介质

Country Status (2)

Country Link
US (1) US11869780B2 (zh)
CN (1) CN109494175B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW202209471A (zh) * 2020-05-25 2022-03-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理裝置及基板處理方法
US20220282379A1 (en) * 2021-03-02 2022-09-08 Applied Materials, Inc. Control of liquid delivery in auto-refill systems

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6158447A (en) * 1997-09-09 2000-12-12 Tokyo Electron Limited Cleaning method and cleaning equipment
JP2012216778A (ja) * 2011-03-25 2012-11-08 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
JP2013093478A (ja) * 2011-10-27 2013-05-16 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5845660A (en) * 1995-12-07 1998-12-08 Tokyo Electron Limited Substrate washing and drying apparatus, substrate washing method, and substrate washing apparatus
KR100265286B1 (ko) * 1998-04-20 2000-10-02 윤종용 반도체장치 제조용 케미컬 순환공급장치 및 이의 구동방법
US6399517B2 (en) * 1999-03-30 2002-06-04 Tokyo Electron Limited Etching method and etching apparatus
US6584989B2 (en) * 2001-04-17 2003-07-01 International Business Machines Corporation Apparatus and method for wet cleaning
US7169231B2 (en) * 2002-12-13 2007-01-30 Lam Research Corporation Gas distribution system with tuning gas
US20040140365A1 (en) * 2002-12-26 2004-07-22 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treating apparatus
US20060157197A1 (en) * 2005-01-18 2006-07-20 Tadashi Maegawa Substrate processing apparatus
JP2007049022A (ja) * 2005-08-11 2007-02-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法及びその装置
JP4673173B2 (ja) * 2005-09-15 2011-04-20 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマエッチング方法
JP4907400B2 (ja) * 2006-07-25 2012-03-28 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
US8409997B2 (en) * 2007-01-25 2013-04-02 Taiwan Semiconductor Maufacturing Co., Ltd. Apparatus and method for controlling silicon nitride etching tank
JP5752530B2 (ja) * 2011-08-31 2015-07-22 倉敷紡績株式会社 基板処理装置
US8877084B2 (en) * 2012-06-22 2014-11-04 General Electric Company Method for refreshing an acid bath solution
US8716146B2 (en) * 2012-07-03 2014-05-06 Intermolecular, Inc Low temperature etching of silicon nitride structures using phosphoric acid solutions
JP6118739B2 (ja) * 2014-01-31 2017-04-19 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
TW201713751A (zh) * 2015-10-06 2017-04-16 聯華電子股份有限公司 酸槽補酸系統與方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6158447A (en) * 1997-09-09 2000-12-12 Tokyo Electron Limited Cleaning method and cleaning equipment
JP2012216778A (ja) * 2011-03-25 2012-11-08 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
JP2013093478A (ja) * 2011-10-27 2013-05-16 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体

Also Published As

Publication number Publication date
US11869780B2 (en) 2024-01-09
US20190080938A1 (en) 2019-03-14
CN109494175A (zh) 2019-03-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102111236B1 (ko) 기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법, 및 기판 액처리 프로그램을 기억한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체
KR102280703B1 (ko) 기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법 및 기판 액처리 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체
CN108695208B (zh) 基板液处理装置
CN106158703B (zh) 基板液处理装置以及基板液处理方法
CN107895702B (zh) 基板液处理装置、基板液处理方法和存储介质
KR102513202B1 (ko) 기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법 및 기판 액처리 프로그램을 기억한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체
CN108511368B (zh) 基板液处理装置
CN109494175B (zh) 基板液处理装置和存储介质
KR102480692B1 (ko) 기판 액처리 장치 및 기판 액처리 방법 및 기판 액처리 프로그램을 기억한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체
CN107492511B (zh) 基板液处理装置、基板液处理方法以及存储介质
CN108885988B (zh) 基片液处理装置、基片液处理方法和存储有基片液处理程序的计算机可读存储介质
KR102469675B1 (ko) 기판 액처리 장치
KR102579164B1 (ko) 기판 액 처리 장치 및 기억 매체
CN110858556A (zh) 基板液处理装置、基板液处理方法和存储介质
CN110556294A (zh) 基板液处理方法、基板液处理装置以及存储介质
CN110010459B (zh) 基片处理方法和基片处理装置
JP2018174255A (ja) 基板液処理装置、基板液処理方法及び記憶媒体
JP6552687B2 (ja) 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP6895295B2 (ja) 基板液処理装置、基板液処理方法及び記憶媒体
CN113169065A (zh) 基板处理装置以及基板处理方法
JP2018157235A (ja) 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP7001804B2 (ja) 基板液処理装置、基板液処理方法及び記憶媒体
CN115280473A (zh) 基板处理装置和基板处理方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant